JPS61276236A - 樹脂封止形半導体装置のマ−キング方法 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置のマ−キング方法

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JPS61276236A
JPS61276236A JP60117413A JP11741385A JPS61276236A JP S61276236 A JPS61276236 A JP S61276236A JP 60117413 A JP60117413 A JP 60117413A JP 11741385 A JP11741385 A JP 11741385A JP S61276236 A JPS61276236 A JP S61276236A
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JP
Japan
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once
marking
pigment
laser
marked surface
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Pending
Application number
JP60117413A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Fujii
博之 藤井
Masayuki Kuratani
倉谷　正之
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP60117413A priority Critical patent/JPS61276236A/ja
Publication of JPS61276236A publication Critical patent/JPS61276236A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は樹脂封止された半導体装置のマーキング方法に
関する。
従来の技術 樹脂封止形半導体装置では第３図および第４図のように
成形樹脂本体１の主表面に製品名２や製品ランク記号３
等のマークが施される。通常、このマーキングはレーザ
を用いて、レーザの加熱により発色する顔料を含む樹脂
で成形されている製品表面にマーキングされている。４
はレーザ加工領域を表わしている。
レーザ加工部は未加工部に較べて５〜１０μ−程度の深
さに加工されており、既にマークされた文字と異なった
マークを再度加工するには、マーキング済の面を５〜１
０μ−程度の深さにわたって補修してから再度マークす
ることが必要である。
発明が解決しようとする問題点 しかし上記のような再マーキングの作業は非常に困難で
あり、多くの部品を再マーキングすることは不可能に近
い状況にある。
本発明は簡単にして再度マークすることが出来るマーキ
ング方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明のマーキング方法は、マーキング済面に、レーザ
照射により発色する顔料を含む液状エポキシ樹脂をコー
ティングし、このコーディング面の所定域をレーザ照射
して再マーキングすることを特徴とする。
作用 この構成により、既にマーキングされた半導体装置の表
面に、レーザ照射により発色する顔料を含む液状エポキ
シ樹脂を厚さ２０μ喝以上に形成して加熱硬化させる事
により、古いマークは消失し、再度レーザ照射する事に
より容易に新マークを発色加工できる。
実施例 以下、本発明のマーキング方法を具体的な一実施例に基
づいて説明する。第１図と第２図は、第４図のように成
形樹脂本体１にマーキングされた製品ランク記号３の“
Ａ　Ｐ　”を“ＢＱ”″に再マーキングした場合の断面
図とそのマーク面の拡大図を示す。
第１図において、５は出力１．５Ｋ　Ｗの炭酸ガスレー
ザによって既にマーキングされたマーキング清面で、６
は古いマークの痕跡を表わしている。
再マーキングに際しては、レーザ加工による発熱により
発色する顔料として、例えばアニリンブラック系統のＧ
ｏ、　Ｍｎ、Ｎ　ｉ合金染料を約０．５％含む液状エポ
キシ樹脂７を前記マーキング済面５上に刷毛あるいはス
クリーン印刷により厚さ２０μ−以上形成して、これを
１５０℃、３時間以上加熱硬化した後、再度レーザ加工
して製品ランク記号３を“ＢＱ”に修正した新しいマー
クを得る。
８はこの場・合の再レーザ加工領域を表わす。
このようにして再マーキングすると、元のマーキングの
痕跡６を発見出来る位に綺麗に新しいマークをマーキン
グすることが出来た。
発明の詳細 な説明のように本発明のマーキング方法は、液状エポキ
シ樹脂の中にレーザー加工の熱により発色する顔料を混
入したものを、再マークする表面にコーテングして、元
のレーザー加工面の古いマークは新しくコーディングし
た樹脂表面には発見出来ず、この表面にレーザー加工に
てマークをマーキングすることにより新しいマークを形
成することができる。また、このマーキング方法による
と、ユーザー側の変更にも容易に対処し得、またミスマ
ークも再生でき、従来では再生不可能であったものが再
生可能となりコストダウンが出来るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図と第２図は本発明のマーキング方法の具体的な一
実施例を示し、第１図は再マーキングされた半導体装置
の断面図、第２図は再マーキング面の拡大平面図、第３
図は従来の半導体装置の正面図、第４図はマーキング清
面の拡大平面図である。 １・・・成形樹脂本体、５・・・マーキング清面、６・
・・古いマークの痕跡、７・・・エポキシ樹脂、８・・
・再レーザ加工領域 代理人　　　森　　本　　義　　弘 第１図 第２図 １．３−・−＋１昌ヲンフ喜乙号 Ｉ−ｋｂ−す°７ｍ１４１或

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、樹脂封止形半導体装置本体のマーキング済面に、レ
    ーザ照射により発色する顔料を含む液状エポキシ樹脂を
    コーティングし、このコーティング面の所定域をレーザ
    照射して再マーキングする樹脂封止形半導体装置のマー
    キング方法。
JP60117413A 1985-05-30 1985-05-30 樹脂封止形半導体装置のマ−キング方法 Pending JPS61276236A (ja)

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JP60117413A JPS61276236A (ja) 1985-05-30 1985-05-30 樹脂封止形半導体装置のマ−キング方法

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JP60117413A JPS61276236A (ja) 1985-05-30 1985-05-30 樹脂封止形半導体装置のマ−キング方法

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JPS61276236A true JPS61276236A (ja) 1986-12-06

Family

ID=14711030

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60117413A Pending JPS61276236A (ja) 1985-05-30 1985-05-30 樹脂封止形半導体装置のマ−キング方法

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JP (1) JPS61276236A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62232148A (ja) * 1986-04-01 1987-10-12 Nec Corp 半導体装置の再捺印方法
JP2012199632A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62232148A (ja) * 1986-04-01 1987-10-12 Nec Corp 半導体装置の再捺印方法
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