JPS62232148A - 半導体装置の再捺印方法 - Google Patents
半導体装置の再捺印方法Info
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- JPS62232148A JPS62232148A JP61075789A JP7578986A JPS62232148A JP S62232148 A JPS62232148 A JP S62232148A JP 61075789 A JP61075789 A JP 61075789A JP 7578986 A JP7578986 A JP 7578986A JP S62232148 A JPS62232148 A JP S62232148A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の再捺印方法に１銅し、将にレーザ
ーによる再捺目】方法に関する。
ーによる再捺目】方法に関する。
従来、半導体装置の捺印は熱硬化又は紫外線硬化型イン
クにて被捺印部にスタンプする方法で行なわれていた。
クにて被捺印部にスタンプする方法で行なわれていた。
この方式では捺印文字を変更する場合、インクを拭き取
った後に再捺印する方法やインクを削シ取った後に再捺
印する方法が行なわれていた。最近になり、レーザーを
直接被捺印部に照射して彫り込むレーザー捺印方法が提
案され、実用化されつつある。
った後に再捺印する方法やインクを削シ取った後に再捺
印する方法が行なわれていた。最近になり、レーザーを
直接被捺印部に照射して彫り込むレーザー捺印方法が提
案され、実用化されつつある。
レーザー捺印では捺印を変更するために既に捺印芒れた
文字を消去する方法として研磨あるいはホーニングによ
り表面を削り取るという方法があるが、研削面にレーザ
ー捺印を施しても捺印文字の鮮明度も低く、実用に耐え
るものではなかった。
文字を消去する方法として研磨あるいはホーニングによ
り表面を削り取るという方法があるが、研削面にレーザ
ー捺印を施しても捺印文字の鮮明度も低く、実用に耐え
るものではなかった。
そのためにこれまではレーザー捺印された半導体装置の
捺印文字は変更できないものとされ、その半導体装置を
ｌ１５ｙ！果せざるを得ないという欠点があった。
捺印文字は変更できないものとされ、その半導体装置を
ｌ１５ｙ！果せざるを得ないという欠点があった。
本発明は上記欠点を所消してレーザーによる捺印金谷易
に消去し、さらに鮮明な再捺印を可能にする方法を提供
することである。
に消去し、さらに鮮明な再捺印を可能にする方法を提供
することである。
本発明の半導体装置の再捺印方法は、半導体装置の捺印
面に熱硬化性ｍ脂を塗布する工程と、この熱硬化性樹脂
を熱硬化する工程と、該熱硬化させた樹脂表面にレーザ
ー捺印する工程とを含むことを特徴とする。
面に熱硬化性ｍ脂を塗布する工程と、この熱硬化性樹脂
を熱硬化する工程と、該熱硬化させた樹脂表面にレーザ
ー捺印する工程とを含むことを特徴とする。
本発明を半導体装置のレーザー捺印の修正に適用した一
実施例につき詳細に説明する。
実施例につき詳細に説明する。
第１図はレーザー捺印された半導体装置の捺印部を含む
断面図である。エポキシ樹脂１でモールドされた半導体
装置のレーザー捺印された樹脂の捺印面２は、捺印文字
の部分がレーザーにより加熱されて数μｍだけ彫り込ま
れ、変質ｊ＠２ａが生じている。この変７！Ｉ層２ａの
色相と未照射部の色相のコントラストにより明瞭な捺印
がされている。
断面図である。エポキシ樹脂１でモールドされた半導体
装置のレーザー捺印された樹脂の捺印面２は、捺印文字
の部分がレーザーにより加熱されて数μｍだけ彫り込ま
れ、変質ｊ＠２ａが生じている。この変７！Ｉ層２ａの
色相と未照射部の色相のコントラストにより明瞭な捺印
がされている。
上記捺印を消去するために、８Ｒ２図に示すように黒色
の熱硬化性樹脂３を捺印面全表面に１０〜１５μｍ塗布
することにより変質層２８１に：穫って捺印を隠蔽し、
加熱処理を行って該熱硬化性樹脂３を硬化させる。
の熱硬化性樹脂３を捺印面全表面に１０〜１５μｍ塗布
することにより変質層２８１に：穫って捺印を隠蔽し、
加熱処理を行って該熱硬化性樹脂３を硬化させる。
この熱硬化した耐脂の表面の捺印面４にＹＡＧ（イツト
リウム・アルミニウム・ガーネット）し−ザー捺印愼か
らのレーザー光を照射して、第３図に示すように捺印文
字の部分に深さ数μｍの変質層４ａを形成することによ
って、再捺印が施行される。
リウム・アルミニウム・ガーネット）し−ザー捺印愼か
らのレーザー光を照射して、第３図に示すように捺印文
字の部分に深さ数μｍの変質層４ａを形成することによ
って、再捺印が施行される。
レーザー捺印はレーザー光を光路中におかれた文字マス
クを通過させる事によって文字形状に整形されたビーム
形状のレーザー光を該黒色の熱硬化性樹脂の捺印面に照
射することによって行なわれ、黒色の熱硬化性ｗ脂はレ
ーザー光の照射により、文字に相当する被照射部分の熱
硬性樹脂中の顔料が酸化又は分解し、白色又は黄色の変
質ＩｆｊＫ変化する。そのためレーザー光の照射部であ
る変質層４ａと捺印面４の未照射部に良好なコントラス
トが生ずる。
クを通過させる事によって文字形状に整形されたビーム
形状のレーザー光を該黒色の熱硬化性樹脂の捺印面に照
射することによって行なわれ、黒色の熱硬化性ｗ脂はレ
ーザー光の照射により、文字に相当する被照射部分の熱
硬性樹脂中の顔料が酸化又は分解し、白色又は黄色の変
質ＩｆｊＫ変化する。そのためレーザー光の照射部であ
る変質層４ａと捺印面４の未照射部に良好なコントラス
トが生ずる。
以上説明したように、本発明は、既に捺印されたレーザ
ー捺印を熱硬化性樹脂を塗布することにより隠蔽し消去
することにより、塗布した熱硬化性樹脂の表面にレーザ
ーによる再捺印が可能となり、このため、従来一度捺印
すれば変更することは不可能とされていたレーザー捺印
を変更することができる効果がある。
ー捺印を熱硬化性樹脂を塗布することにより隠蔽し消去
することにより、塗布した熱硬化性樹脂の表面にレーザ
ーによる再捺印が可能となり、このため、従来一度捺印
すれば変更することは不可能とされていたレーザー捺印
を変更することができる効果がある。
なお、既に捺印された面に竺布する熱硬化性樹脂の色相
は黒色に限らず、白色又は黄色とコントラストが良い暗
色系の色相のものでも同様の効果が得られる事は明らか
でるる。
は黒色に限らず、白色又は黄色とコントラストが良い暗
色系の色相のものでも同様の効果が得られる事は明らか
でるる。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を工程順に示す断
面図である。 １・・・・・・エポキシ（射指、２．４・・・・・・捺
印面、２ａ。 ４ａ・・・・・・変質層、３・・・・・・熱硬化性樹脂
。 代理人 弁理士 内 原 晋 °゛牛 ｌ 川 芽 ２ 図 茅 ３ 阿
面図である。 １・・・・・・エポキシ（射指、２．４・・・・・・捺
印面、２ａ。 ４ａ・・・・・・変質層、３・・・・・・熱硬化性樹脂
。 代理人 弁理士 内 原 晋 °゛牛 ｌ 川 芽 ２ 図 茅 ３ 阿
Claims (1)
- 半導体装置の捺印面に熱硬化性樹脂を塗布する工程と、
該熱硬化性樹脂を熱硬化する工程と、該熱硬化させた樹
脂表面にレーザー捺印する工程とを含む半導体装置の再
捺印方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61075789A JPS62232148A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 半導体装置の再捺印方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61075789A JPS62232148A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 半導体装置の再捺印方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232148A true JPS62232148A (ja) | 1987-10-12 |
Family
ID=13586333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61075789A Pending JPS62232148A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 半導体装置の再捺印方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62232148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04111747U (ja) * | 1991-03-15 | 1992-09-29 | ソニー株式会社 | モールドｉｃパツケージのマーキング |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61276236A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止形半導体装置のマ−キング方法 |
-
1986
- 1986-04-01 JP JP61075789A patent/JPS62232148A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61276236A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止形半導体装置のマ−キング方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04111747U (ja) * | 1991-03-15 | 1992-09-29 | ソニー株式会社 | モールドｉｃパツケージのマーキング |
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