JPH11274192A - 半導体装置製造用金型 - Google Patents
半導体装置製造用金型Info
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- JPH11274192A JPH11274192A JP10072879A JP7287998A JPH11274192A JP H11274192 A JPH11274192 A JP H11274192A JP 10072879 A JP10072879 A JP 10072879A JP 7287998 A JP7287998 A JP 7287998A JP H11274192 A JPH11274192 A JP H11274192A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 87
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 65
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 38
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 9
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 21
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 abstract description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
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- B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
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- B30B15/068—Drive connections, e.g. pivotal
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/58—Measuring, controlling or regulating
- B29C2043/585—Measuring, controlling or regulating detecting defects, e.g. foreign matter between the moulds, inaccurate position, breakage
- B29C2043/5858—Measuring, controlling or regulating detecting defects, e.g. foreign matter between the moulds, inaccurate position, breakage for preventing tilting of movable mould plate during closing or clamping
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は半導体素子を圧縮成型法を用いて樹脂
封止するのに用いられる半導体装置製造用金型に関し、
加圧装置の精度に拘わらず常に上部金型と下部金型との
平行度を高精度に保つことを課題とする。 【解決手段】上部金型１１と下部金型１２の間に半導体
素子１５及び封止樹脂１６を介装し、加圧装置を用いて
封止樹脂１６を圧縮成形することにより半導体素子１６
上に封止樹脂膜を成形する半導体装置製造用金型におい
て、上部金型１１に加圧装置に固定される上部固定プレ
ート２０と、封止樹脂１６を加圧する加圧プレート２３
とを設け、かつ、上部固定プレート２０に対して加圧プ
レート２３が回転方向及び水平方向に変位可能に支持さ
れたフローティング構造を有する構成とする。
封止するのに用いられる半導体装置製造用金型に関し、
加圧装置の精度に拘わらず常に上部金型と下部金型との
平行度を高精度に保つことを課題とする。 【解決手段】上部金型１１と下部金型１２の間に半導体
素子１５及び封止樹脂１６を介装し、加圧装置を用いて
封止樹脂１６を圧縮成形することにより半導体素子１６
上に封止樹脂膜を成形する半導体装置製造用金型におい
て、上部金型１１に加圧装置に固定される上部固定プレ
ート２０と、封止樹脂１６を加圧する加圧プレート２３
とを設け、かつ、上部固定プレート２０に対して加圧プ
レート２３が回転方向及び水平方向に変位可能に支持さ
れたフローティング構造を有する構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造用金
型に係り、特に半導体素子を圧縮成型法を用いて樹脂封
止するのに用いられる半導体装置製造用金型に関する。
近年、電子機器及び装置の小型化の要求に伴い、半導体
装置の小型化，高密度化が図られている。このため、半
導体装置の形状を半導体素子（チップ）に極力近付ける
ことにより小型化を図った、いわゆるチップサイズパッ
ケージ構造の半導体装置が提案されている。
型に係り、特に半導体素子を圧縮成型法を用いて樹脂封
止するのに用いられる半導体装置製造用金型に関する。
近年、電子機器及び装置の小型化の要求に伴い、半導体
装置の小型化，高密度化が図られている。このため、半
導体装置の形状を半導体素子（チップ）に極力近付ける
ことにより小型化を図った、いわゆるチップサイズパッ
ケージ構造の半導体装置が提案されている。
【０００２】また、高密度化により多ピン化し、かつ半
導体装置が小型化すると、外部接続端子のピッチが狭く
なる。このため、省スペース化を図りつつ多数の外部接
続端子を形成しうる構造として、外部接続端子として突
起電極（バンプ）を用いることが行われている。また、
単に突起電極を半導体素子に配設しただけでは機械的強
度が弱いため、半導体素子の突起電極形成面に封止樹脂
の膜を形成し、これにより突起電極及び半導体素子の回
路形成面を保護する構成が提案されている。このよう
に、半導体素子に封止樹脂の膜（封止樹脂膜）を形成す
る場合、均一な膜厚を有した封止樹脂を精度よく半導体
素子上に形成する必要がある。
導体装置が小型化すると、外部接続端子のピッチが狭く
なる。このため、省スペース化を図りつつ多数の外部接
続端子を形成しうる構造として、外部接続端子として突
起電極（バンプ）を用いることが行われている。また、
単に突起電極を半導体素子に配設しただけでは機械的強
度が弱いため、半導体素子の突起電極形成面に封止樹脂
の膜を形成し、これにより突起電極及び半導体素子の回
路形成面を保護する構成が提案されている。このよう
に、半導体素子に封止樹脂の膜（封止樹脂膜）を形成す
る場合、均一な膜厚を有した封止樹脂を精度よく半導体
素子上に形成する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】上記のように、半導体素子の上面に封止
樹脂の膜を形成する具体的な方法としては、トランスフ
ァモールド法，射出成形法，圧縮成形法等の種々の樹脂
成形方法の適用が考えられる。このなかでも、圧縮成形
法は樹脂成形を容易に行うことができ、かつ樹脂成形設
備も簡単であるため、コスト低減が求められている半導
体装置の樹脂成形法として有利である。
樹脂の膜を形成する具体的な方法としては、トランスフ
ァモールド法，射出成形法，圧縮成形法等の種々の樹脂
成形方法の適用が考えられる。このなかでも、圧縮成形
法は樹脂成形を容易に行うことができ、かつ樹脂成形設
備も簡単であるため、コスト低減が求められている半導
体装置の樹脂成形法として有利である。
【０００４】この圧縮成形法では、上部金型と下部金型
とにより構成される金型（半導体装置製造用金型）を用
いる。そして、この金型を加圧装置（プレス装置）に装
着し、また上部金型と下部金型との間に封止樹脂膜とな
る樹脂タブレット（熱硬化性樹脂）及び半導体素子（ウ
ェーハ）を介装し、加圧装置を駆動して上部及び下部金
型を加熱しつつ両者を加圧する。これにより、加熱され
軟化した封止樹脂は半導体素子上に延出してゆき薄膜状
となり、その後硬化することにより半導体素子上に封止
樹脂膜が形成される。
とにより構成される金型（半導体装置製造用金型）を用
いる。そして、この金型を加圧装置（プレス装置）に装
着し、また上部金型と下部金型との間に封止樹脂膜とな
る樹脂タブレット（熱硬化性樹脂）及び半導体素子（ウ
ェーハ）を介装し、加圧装置を駆動して上部及び下部金
型を加熱しつつ両者を加圧する。これにより、加熱され
軟化した封止樹脂は半導体素子上に延出してゆき薄膜状
となり、その後硬化することにより半導体素子上に封止
樹脂膜が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体素子
に配設される突起電極（バンプ）の径は、半導体素子の
小型化，高密度化に伴い小さくなる傾向により、近年で
は例えば２５〜５０μｍ径の突起電極を配設することが
可能となってきている。従って、このような半導体素子
に形成する封止樹脂膜の厚さは、突起電極と実装基板と
の実装性を考慮した場合１００μｍ程度とする必要があ
る。このように薄い封止樹脂膜を均一に形成するには、
成形時において上部金型と下部金型の高い平行度が要求
される。金型自体は、近年の金型技術の向上により高精
度に形成することができる。
に配設される突起電極（バンプ）の径は、半導体素子の
小型化，高密度化に伴い小さくなる傾向により、近年で
は例えば２５〜５０μｍ径の突起電極を配設することが
可能となってきている。従って、このような半導体素子
に形成する封止樹脂膜の厚さは、突起電極と実装基板と
の実装性を考慮した場合１００μｍ程度とする必要があ
る。このように薄い封止樹脂膜を均一に形成するには、
成形時において上部金型と下部金型の高い平行度が要求
される。金型自体は、近年の金型技術の向上により高精
度に形成することができる。
【０００６】しかるに、従来では上部金型を加圧装置の
上部移動台（上プラテン）に固定し、下部金型を加圧装
置の下部移動台（下プラテン）に固定して圧縮成形を行
う構成とされており、上部及び下部金型は上及び下プラ
テンに対し移動することができない構成とされていた。
このため、上プラテンと下プラテンとの間の平行度がず
れていると、これが上部金型と下部金型との平行度に直
接影響を与え、半導体素子上に均一な封止樹脂膜を形成
することができないという問題点があった。
上部移動台（上プラテン）に固定し、下部金型を加圧装
置の下部移動台（下プラテン）に固定して圧縮成形を行
う構成とされており、上部及び下部金型は上及び下プラ
テンに対し移動することができない構成とされていた。
このため、上プラテンと下プラテンとの間の平行度がず
れていると、これが上部金型と下部金型との平行度に直
接影響を与え、半導体素子上に均一な封止樹脂膜を形成
することができないという問題点があった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、加圧装置の精度に拘わらず常に上部金型と下部金
型との平行度を高精度に保つことができる半導体装置製
造用金型を提供することを目的とする。
あり、加圧装置の精度に拘わらず常に上部金型と下部金
型との平行度を高精度に保つことができる半導体装置製
造用金型を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明では次に述べる手段を講じたことを特徴と
するものである。請求項１記載の発明では、上部金型と
下部金型の間に半導体素子及び封止樹脂を介装し、加圧
装置を用いて前記封止樹脂を圧縮成形することにより前
記半導体素子上に前記封止樹脂の膜を成形する半導体装
置製造用金型において、前記上部金型に、前記加圧装置
に固定される上部固定プレートと、前記封止樹脂を加圧
する加圧プレートとを設け、かつ、前記上部固定プレー
トに対して前記加圧プレートが、回転方向及び水平方向
に変位可能に支持されたフローティング構造を有する構
成としたことを特徴とするものである。
めに、本発明では次に述べる手段を講じたことを特徴と
するものである。請求項１記載の発明では、上部金型と
下部金型の間に半導体素子及び封止樹脂を介装し、加圧
装置を用いて前記封止樹脂を圧縮成形することにより前
記半導体素子上に前記封止樹脂の膜を成形する半導体装
置製造用金型において、前記上部金型に、前記加圧装置
に固定される上部固定プレートと、前記封止樹脂を加圧
する加圧プレートとを設け、かつ、前記上部固定プレー
トに対して前記加圧プレートが、回転方向及び水平方向
に変位可能に支持されたフローティング構造を有する構
成としたことを特徴とするものである。
【０００９】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置製造用金型において、前記加圧プ
レートの前記上部固定プレートに対する回転中心を、前
記加圧プレートの表面中心位置に設けたことを特徴とす
るものである。また、請求項３記載の発明では、前記請
求項１又は２記載の半導体装置製造用金型において、前
記上部金型に、前記上部固定プレートに対し前記加圧プ
レートが変位可能なロック解除状態と、前記上部固定プ
レートに対する前記加圧プレートの変位を規制するロッ
ク状態とを切り換えるバランスロック機構を設けたこと
を特徴とするものである。
項１記載の半導体装置製造用金型において、前記加圧プ
レートの前記上部固定プレートに対する回転中心を、前
記加圧プレートの表面中心位置に設けたことを特徴とす
るものである。また、請求項３記載の発明では、前記請
求項１又は２記載の半導体装置製造用金型において、前
記上部金型に、前記上部固定プレートに対し前記加圧プ
レートが変位可能なロック解除状態と、前記上部固定プ
レートに対する前記加圧プレートの変位を規制するロッ
ク状態とを切り換えるバランスロック機構を設けたこと
を特徴とするものである。
【００１０】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項３記載の半導体装置製造用金型において、前記バラン
スロック機構が、前記上部固定プレート側に配設され駆
動装置により移動されるキー部材と、このキー部材に付
勢されることにより前記加圧プレートを押圧し、この加
圧プレートの変位を規制するプランジャーとを具備する
構成としたことを特徴とするものである。
項３記載の半導体装置製造用金型において、前記バラン
スロック機構が、前記上部固定プレート側に配設され駆
動装置により移動されるキー部材と、このキー部材に付
勢されることにより前記加圧プレートを押圧し、この加
圧プレートの変位を規制するプランジャーとを具備する
構成としたことを特徴とするものである。
【００１１】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項３記載の半導体装置製造用金型において、前記バラン
スロック機構が、前記上部固定プレートに配設された油
圧シリンダと、この油圧シリンダに対する油液の供給量
を制御する電磁弁とを具備する構成とし、前記油圧シリ
ンダにより前記加圧プレートを押圧することにより、前
記加圧プレートの変位を規制する構成としたことを特徴
とするものである。
項３記載の半導体装置製造用金型において、前記バラン
スロック機構が、前記上部固定プレートに配設された油
圧シリンダと、この油圧シリンダに対する油液の供給量
を制御する電磁弁とを具備する構成とし、前記油圧シリ
ンダにより前記加圧プレートを押圧することにより、前
記加圧プレートの変位を規制する構成としたことを特徴
とするものである。
【００１２】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項５記載の半導体装置製造用金型において、少なくと
も、前記油圧シリンダと前記電磁弁とを接続する油圧配
管を金属製配管としたことを特徴とするものである。ま
た、請求項７記載の発明では、前記請求項１記載の半導
体装置製造用金型において、前記上部金型に前記加圧プ
レートを加熱するヒートプレートを設けると共に、前記
加圧プレートと前記ヒートプレートとの間に１個ないし
複数個のスペーサを介装したことを特徴とするものであ
る。
項５記載の半導体装置製造用金型において、少なくと
も、前記油圧シリンダと前記電磁弁とを接続する油圧配
管を金属製配管としたことを特徴とするものである。ま
た、請求項７記載の発明では、前記請求項１記載の半導
体装置製造用金型において、前記上部金型に前記加圧プ
レートを加熱するヒートプレートを設けると共に、前記
加圧プレートと前記ヒートプレートとの間に１個ないし
複数個のスペーサを介装したことを特徴とするものであ
る。
【００１３】また、請求項８記載の発明では、前記請求
項７記載の半導体装置製造用金型において、前記ヒート
プレートに対して前記加圧プレートが着脱可能な構成と
したことを特徴とするものである。また、請求項９記載
の発明では、上部金型と下部金型の間に半導体素子及び
封止樹脂を介装し、加圧装置を用いて前記封止樹脂を圧
縮成形することにより前記半導体素子上に前記封止樹脂
の膜を成形する半導体装置製造用金型において、前記下
部金型に、前記加圧装置に固定されるベースブロック
と、このベースブロックに固定されたセンターブロック
と、前記上部金型に設けられた加圧プレートと対向する
よう、前記センターブロックに配設されるインナーダイ
と、前記センターブロックを囲繞するよう配設されると
共に前記センターブロックに対し前記加圧装置の加圧方
向に移動可能な構成とされたガイドリングと、前記上部
金型に設けられた加圧プレートと対向するよう、前記ガ
イドリングに配設されるアウターダイとを設け、かつ、
前記センターブロックの外周と前記ガイドリングの内周
との間に、転動体を配設した構成としたことを特徴とす
るものである。
項７記載の半導体装置製造用金型において、前記ヒート
プレートに対して前記加圧プレートが着脱可能な構成と
したことを特徴とするものである。また、請求項９記載
の発明では、上部金型と下部金型の間に半導体素子及び
封止樹脂を介装し、加圧装置を用いて前記封止樹脂を圧
縮成形することにより前記半導体素子上に前記封止樹脂
の膜を成形する半導体装置製造用金型において、前記下
部金型に、前記加圧装置に固定されるベースブロック
と、このベースブロックに固定されたセンターブロック
と、前記上部金型に設けられた加圧プレートと対向する
よう、前記センターブロックに配設されるインナーダイ
と、前記センターブロックを囲繞するよう配設されると
共に前記センターブロックに対し前記加圧装置の加圧方
向に移動可能な構成とされたガイドリングと、前記上部
金型に設けられた加圧プレートと対向するよう、前記ガ
イドリングに配設されるアウターダイとを設け、かつ、
前記センターブロックの外周と前記ガイドリングの内周
との間に、転動体を配設した構成としたことを特徴とす
るものである。
【００１４】また、請求項１０記載の発明では、前記請
求項９記載の半導体装置製造用金型において、前記セン
ターブロックと前記ガイドリングとの間に形成される間
隙のクリアランス調整を行うクリアランス調整機構を設
けたことを特徴とするものである。また、請求項１１記
載の発明では、前記請求項９又は１０記載の半導体装置
製造用金型において、前記センターブロックに対し、前
記インナーダイを中心の一点で固定する構成としたこと
を特徴とするものである。
求項９記載の半導体装置製造用金型において、前記セン
ターブロックと前記ガイドリングとの間に形成される間
隙のクリアランス調整を行うクリアランス調整機構を設
けたことを特徴とするものである。また、請求項１１記
載の発明では、前記請求項９又は１０記載の半導体装置
製造用金型において、前記センターブロックに対し、前
記インナーダイを中心の一点で固定する構成としたこと
を特徴とするものである。
【００１５】また、請求項１２記載の発明では、前記請
求項１１記載の半導体装置製造用金型において、前記イ
ンナーダイの底面中心部にガイド凸部を形成すると共
に、前記センターブロックの上面中心部に前記ガイド凸
部と対応した形状のガイド凹部を形成したことを特徴と
するものである。
求項１１記載の半導体装置製造用金型において、前記イ
ンナーダイの底面中心部にガイド凸部を形成すると共
に、前記センターブロックの上面中心部に前記ガイド凸
部と対応した形状のガイド凹部を形成したことを特徴と
するものである。
【００１６】また、請求項１３記載の発明では、前記請
求項９乃至１２にいずれか１項記載の半導体装置製造用
金型において、前記アウターダイと前記ガイドリングと
を固定する固定部は、少なくとも加熱時に発生する前記
アウターダイと前記ガイドリングとの熱膨張差量だけ、
前記アウターダイと前記ガイドリングとを放射方向に相
対的変位可能に固定する構成としたことを特徴とするも
のである。
求項９乃至１２にいずれか１項記載の半導体装置製造用
金型において、前記アウターダイと前記ガイドリングと
を固定する固定部は、少なくとも加熱時に発生する前記
アウターダイと前記ガイドリングとの熱膨張差量だけ、
前記アウターダイと前記ガイドリングとを放射方向に相
対的変位可能に固定する構成としたことを特徴とするも
のである。
【００１７】更に、請求項１４記載の発明では、前記請
求項９乃至１３のいずれか１項記載の半導体装置製造用
金型において、前記インナーダイと前記アウターダイの
各々に、独立して温度調節機構を設けたことを特徴とす
るものである。上記した各手段は、次のように作用す
る。
求項９乃至１３のいずれか１項記載の半導体装置製造用
金型において、前記インナーダイと前記アウターダイの
各々に、独立して温度調節機構を設けたことを特徴とす
るものである。上記した各手段は、次のように作用す
る。
【００１８】請求項１記載の発明によれば、加圧装置に
固定される上部固定プレートに対し、封止樹脂を加圧す
る加圧プレートがフローティング構造を有し、回転方向
及び水平方向に変位可能に支持された構成としたことに
より、加圧装置に平行度のバラツキが存在していたとし
ても、即ち上部固定プレートが下部金型に対し平行では
ない状態であったとしても、加圧成形時に加圧プレート
が下部金型に当接することにより、加圧プレートは上部
固定プレートに対して変位して下部金型に対して平行な
状態となる。よって、加圧装置に平行度のバラツキが存
在していたとしても、上部金型と下部金型の平行度を常
に高精度に維持することができる。
固定される上部固定プレートに対し、封止樹脂を加圧す
る加圧プレートがフローティング構造を有し、回転方向
及び水平方向に変位可能に支持された構成としたことに
より、加圧装置に平行度のバラツキが存在していたとし
ても、即ち上部固定プレートが下部金型に対し平行では
ない状態であったとしても、加圧成形時に加圧プレート
が下部金型に当接することにより、加圧プレートは上部
固定プレートに対して変位して下部金型に対して平行な
状態となる。よって、加圧装置に平行度のバラツキが存
在していたとしても、上部金型と下部金型の平行度を常
に高精度に維持することができる。
【００１９】また、請求項２記載の発明によれば、加圧
プレートの上部固定プレートに対する回転中心を、加圧
プレートの表面中心位置に設けたことにより、上部固定
プレートに対し加圧プレートが変位した際、加圧プレー
トは上記回転中心を中心として変位する。このため、加
圧成形時の平行度補正において、加圧プレートの表面に
おける変位量は小さくなり、よって加圧プレートと下部
金型との間で発生する摺動を極力防止することができ
る。これにより、加圧プレート及び下部金型に傷が付く
ことを防止でき、また半導体素子にダメージが印加され
ることも防止できる。
プレートの上部固定プレートに対する回転中心を、加圧
プレートの表面中心位置に設けたことにより、上部固定
プレートに対し加圧プレートが変位した際、加圧プレー
トは上記回転中心を中心として変位する。このため、加
圧成形時の平行度補正において、加圧プレートの表面に
おける変位量は小さくなり、よって加圧プレートと下部
金型との間で発生する摺動を極力防止することができ
る。これにより、加圧プレート及び下部金型に傷が付く
ことを防止でき、また半導体素子にダメージが印加され
ることも防止できる。
【００２０】また、請求項３記載の発明によれば、バラ
ンスロック機構を設け、上部固定プレートに対し加圧プ
レートが変位可能なロック解除状態と、変位が規制され
るロック状態とを切り換え可能な構成としたことによ
り、上部金型と下部金型が所定の平行度を得た時点でロ
ック状態に切り換え処理を行うことにより、以後の成形
処理においては、常に上部金型と下部金型とが平行度を
保った状態に維持させることができる。
ンスロック機構を設け、上部固定プレートに対し加圧プ
レートが変位可能なロック解除状態と、変位が規制され
るロック状態とを切り換え可能な構成としたことによ
り、上部金型と下部金型が所定の平行度を得た時点でロ
ック状態に切り換え処理を行うことにより、以後の成形
処理においては、常に上部金型と下部金型とが平行度を
保った状態に維持させることができる。
【００２１】これにより、例えば半導体素子上で封止樹
脂の硬化時間のずれに起因して、上部金型と下部金型と
の間に傾きを発生させようとする力が作用したような場
合であっても、上部金型と下部金型との平行度を維持さ
せることができ、封止樹脂の膜厚が不均一となることを
防止することができる。また、請求項４記載の発明によ
れば、バランスロック機構を、駆動装置により駆動され
るキー部材と、このキー部材により変位するプランジャ
ーとよりなる機械的構成とすることにより、上部固定プ
レートに対する加圧プレートの変位を簡単な構成で精度
よく規制することが可能となる。
脂の硬化時間のずれに起因して、上部金型と下部金型と
の間に傾きを発生させようとする力が作用したような場
合であっても、上部金型と下部金型との平行度を維持さ
せることができ、封止樹脂の膜厚が不均一となることを
防止することができる。また、請求項４記載の発明によ
れば、バランスロック機構を、駆動装置により駆動され
るキー部材と、このキー部材により変位するプランジャ
ーとよりなる機械的構成とすることにより、上部固定プ
レートに対する加圧プレートの変位を簡単な構成で精度
よく規制することが可能となる。
【００２２】また、請求項５記載の発明によれば、前記
バランスロック機構を、油圧シリンダと、この油圧シリ
ンダに対する油液の供給量を制御する電磁弁とにより構
成することにより、上部固定プレートに対する加圧プレ
ートの変位を簡単な構成で精度よく規制することが可能
となる。また、請求項６記載の発明によれば、少なくと
も油圧シリンダと電磁弁とを接続する油圧配管を金属製
配管としたことにより、ロック時に高圧の油圧が油圧配
管に印加されても変形することはなく、加圧プレートの
変位規制を確実に行うことができる。
バランスロック機構を、油圧シリンダと、この油圧シリ
ンダに対する油液の供給量を制御する電磁弁とにより構
成することにより、上部固定プレートに対する加圧プレ
ートの変位を簡単な構成で精度よく規制することが可能
となる。また、請求項６記載の発明によれば、少なくと
も油圧シリンダと電磁弁とを接続する油圧配管を金属製
配管としたことにより、ロック時に高圧の油圧が油圧配
管に印加されても変形することはなく、加圧プレートの
変位規制を確実に行うことができる。
【００２３】また、請求項７記載の発明によれば、上部
金型に前記加圧プレートを加熱するヒートプレートを設
けると共に、この加圧プレートとヒートプレートとの間
に１個ないし複数個のスペーサを介装したことにより、
半導体素子面上に形成されている突起電極（バンプ）の
高さバラツキに容易に対応できる。
金型に前記加圧プレートを加熱するヒートプレートを設
けると共に、この加圧プレートとヒートプレートとの間
に１個ないし複数個のスペーサを介装したことにより、
半導体素子面上に形成されている突起電極（バンプ）の
高さバラツキに容易に対応できる。
【００２４】即ち、突起電極を半導体素子上に形成した
場合、経験的に半導体素子の外周部分における突起電極
の高さが中央部分における突起電極の高さに対し高くな
ることが知られている。従って、このように高さバラツ
キが存在する突起電極を有した半導体素子に対し、成形
時に平坦面の加圧プレートを当接させると中央部分にお
いては突起電極と加圧プレートとの間に間隙が発生し、
よって樹脂成形後に突起電極が封止樹脂に完全に埋設さ
れた状態となる。このように、突起電極が完全に封止樹
脂に埋設された状態では、突起電極を実装基板等に実装
することができなくなってしまう。
場合、経験的に半導体素子の外周部分における突起電極
の高さが中央部分における突起電極の高さに対し高くな
ることが知られている。従って、このように高さバラツ
キが存在する突起電極を有した半導体素子に対し、成形
時に平坦面の加圧プレートを当接させると中央部分にお
いては突起電極と加圧プレートとの間に間隙が発生し、
よって樹脂成形後に突起電極が封止樹脂に完全に埋設さ
れた状態となる。このように、突起電極が完全に封止樹
脂に埋設された状態では、突起電極を実装基板等に実装
することができなくなってしまう。
【００２５】しかるに、加圧プレートとヒートプレート
との間にスペーサを介装することにより、加圧プレート
に撓みを発生させることができ、半導体素子の中央位置
において加圧プレートを突出させることができる。これ
により、加圧プレートを突起電極の高さバラツキに対応
した形状とすることができ、高さバラツキが存在しても
各突起電極を封止樹脂から確実に露出させることができ
る。
との間にスペーサを介装することにより、加圧プレート
に撓みを発生させることができ、半導体素子の中央位置
において加圧プレートを突出させることができる。これ
により、加圧プレートを突起電極の高さバラツキに対応
した形状とすることができ、高さバラツキが存在しても
各突起電極を封止樹脂から確実に露出させることができ
る。
【００２６】また、請求項８記載の発明によれば、ヒー
トプレートに対して加圧プレートが着脱可能な構成とし
たことにより、加圧プレートの破損時において、容易に
部品交換を行うことが可能となる。また、請求項９記載
の発明によれば、センターブロックの外周とガイドリン
グの内周との間に、転動体を配設した構成としたことに
より、センターブロックに対するガイドリングの移動を
滑らかにすることができ、信頼性の高い樹脂封止を行う
事ができる。
トプレートに対して加圧プレートが着脱可能な構成とし
たことにより、加圧プレートの破損時において、容易に
部品交換を行うことが可能となる。また、請求項９記載
の発明によれば、センターブロックの外周とガイドリン
グの内周との間に、転動体を配設した構成としたことに
より、センターブロックに対するガイドリングの移動を
滑らかにすることができ、信頼性の高い樹脂封止を行う
事ができる。
【００２７】また、請求項１０記載の発明によれば、セ
ンターブロックとガイドリングとの間に形成される間隙
のクリアランス調整を行うクリアランス調整機構を設け
たことにより、下部金型の加工精度によらずにインナー
ダイとアウターダイとを高い平行度を保ったまま移動さ
せることが可能となる。
ンターブロックとガイドリングとの間に形成される間隙
のクリアランス調整を行うクリアランス調整機構を設け
たことにより、下部金型の加工精度によらずにインナー
ダイとアウターダイとを高い平行度を保ったまま移動さ
せることが可能となる。
【００２８】また、請求項１１記載の発明によれば、セ
ンターブロックに対し、インナーダイをその中心の一点
で固定する構成としたことにより、センターブロックか
らインナーダイを容易に取り外すことが可能となる。よ
って、半導体素子のサイズが変わっても金型全てを交換
する必要はなく、インナーダイとアウターダイを交換す
るだけで容易に対応することが可能となる。
ンターブロックに対し、インナーダイをその中心の一点
で固定する構成としたことにより、センターブロックか
らインナーダイを容易に取り外すことが可能となる。よ
って、半導体素子のサイズが変わっても金型全てを交換
する必要はなく、インナーダイとアウターダイを交換す
るだけで容易に対応することが可能となる。
【００２９】また、インナーダイとセンターブロックと
の間で熱膨張量が異なった時でも、インナーダイはセン
ターブロックに対して中心一点のみで固定されているた
め、熱膨張はこの中心位置より放射方向に均等に発生す
る。よって、中心位置から異なる位置で固定した場合に
発生する熱膨張の偏りを抑制でき、熱膨張に容易に対応
することができる。
の間で熱膨張量が異なった時でも、インナーダイはセン
ターブロックに対して中心一点のみで固定されているた
め、熱膨張はこの中心位置より放射方向に均等に発生す
る。よって、中心位置から異なる位置で固定した場合に
発生する熱膨張の偏りを抑制でき、熱膨張に容易に対応
することができる。
【００３０】また、請求項１２記載の発明によれば、イ
ンナーダイの底面中心部にガイド凸部を形成すると共
に、センターブロックの上面中心部にガイド凸部と対応
した形状のガイド凹部を形成したことにより、インナー
ダイの交換時において、ガイド凸部とガイド凹部を係合
させるだけでインナーダイとセンターブロックの位置決
めが行われるため、インナーダイとセンターブロックの
位置決め処理を容易に行うことができる。
ンナーダイの底面中心部にガイド凸部を形成すると共
に、センターブロックの上面中心部にガイド凸部と対応
した形状のガイド凹部を形成したことにより、インナー
ダイの交換時において、ガイド凸部とガイド凹部を係合
させるだけでインナーダイとセンターブロックの位置決
めが行われるため、インナーダイとセンターブロックの
位置決め処理を容易に行うことができる。
【００３１】また、請求項１３記載の発明によれば、ア
ウターダイとガイドリングとを固定する固定部は、加熱
時に発生する両者間の熱膨張差量だけアウターダイとガ
イドリングとを放射方向に相対的変位可能な構成として
いるため、上記熱膨張差量を固定部において吸収するこ
とができる。よって、加熱時にアウターダイとガイドリ
ングとの間に歪みや反りが発生することはなく、良好な
状態で成形処理を行うことができる。
ウターダイとガイドリングとを固定する固定部は、加熱
時に発生する両者間の熱膨張差量だけアウターダイとガ
イドリングとを放射方向に相対的変位可能な構成として
いるため、上記熱膨張差量を固定部において吸収するこ
とができる。よって、加熱時にアウターダイとガイドリ
ングとの間に歪みや反りが発生することはなく、良好な
状態で成形処理を行うことができる。
【００３２】更に、請求項１４記載の発明によれば、イ
ンナーダイとアウターダイの各々に独立して温度調節機
構を設けたことにより、インナーダイの熱膨張とアウタ
ーダイの熱膨張を別個に制御することができ、従ってイ
ンナーダイの熱膨張量とアウターダイの熱膨張量を近似
させることが可能となる。よって、インナーダイとアウ
ターダイの隙間を常に所定寸法に維持することができ、
樹脂成形時にこの間隙から樹脂が漏出することを防止す
ることができる。
ンナーダイとアウターダイの各々に独立して温度調節機
構を設けたことにより、インナーダイの熱膨張とアウタ
ーダイの熱膨張を別個に制御することができ、従ってイ
ンナーダイの熱膨張量とアウターダイの熱膨張量を近似
させることが可能となる。よって、インナーダイとアウ
ターダイの隙間を常に所定寸法に維持することができ、
樹脂成形時にこの間隙から樹脂が漏出することを防止す
ることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は、本発明の一実施例であ
る金型１０を示している。この金型１０は、大略するす
ると上部金型１１と下部金型１２とにより構成されてお
り、加圧装置（プレス装置）に装着されて半導体素子１
５（例えば、ウェーハ）上に薄膜状の封止樹脂１６を成
形するものである。
て図面と共に説明する。図１は、本発明の一実施例であ
る金型１０を示している。この金型１０は、大略するす
ると上部金型１１と下部金型１２とにより構成されてお
り、加圧装置（プレス装置）に装着されて半導体素子１
５（例えば、ウェーハ）上に薄膜状の封止樹脂１６を成
形するものである。
【００３４】先ず、図１乃至図４を用いて、上部金型１
１の構成について説明する。上部金型１１は、大略する
すると上部固定プレート２０，バランサー２１，ヒート
プレート２２，加圧プレート２３，凸球面ブロック２
４，及びバランスロック機構２５等により構成されてい
る。上部固定プレート２０は、加圧装置（図示せず）を
構成する上プラテン１３に固定された板状部材である。
上プラテン１３は加圧装置により図中矢印Ｚ１，Ｚ２方
向に移動する構成とされており、よって上プラテン１３
に固定された上部固定プレート２０も加圧装置により図
中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に移動する構成となっている。
１の構成について説明する。上部金型１１は、大略する
すると上部固定プレート２０，バランサー２１，ヒート
プレート２２，加圧プレート２３，凸球面ブロック２
４，及びバランスロック機構２５等により構成されてい
る。上部固定プレート２０は、加圧装置（図示せず）を
構成する上プラテン１３に固定された板状部材である。
上プラテン１３は加圧装置により図中矢印Ｚ１，Ｚ２方
向に移動する構成とされており、よって上プラテン１３
に固定された上部固定プレート２０も加圧装置により図
中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に移動する構成となっている。
【００３５】この上部固定プレート２０の下面には断面
略Ｌ字形状とされた第１の係止アーム２７が配設されて
おり、この第１の係止アーム２７にはバランサー２１が
係止されている。このバランサー２１は、上部に上部段
部２１ａが形成され、下部に下部段部２１ｂが形成さ
れ、更に底部には凹球面２６が形成されている。上記し
た第１の係止アーム２７は、バランサー２１の上部段部
２１ａと係合することにより、バランサー２１を上部固
定プレート２０を保持する構成となっている。この際、
第１の係止アーム２７と上部段部２１ａとの間は遊嵌状
態となっており、よってバランサー２１は第１の係止ア
ーム２７の内部において水平方向（図中、矢印Ｘ１，Ｘ
２で示す方向）に若干量移動可能な構成とされている。
略Ｌ字形状とされた第１の係止アーム２７が配設されて
おり、この第１の係止アーム２７にはバランサー２１が
係止されている。このバランサー２１は、上部に上部段
部２１ａが形成され、下部に下部段部２１ｂが形成さ
れ、更に底部には凹球面２６が形成されている。上記し
た第１の係止アーム２７は、バランサー２１の上部段部
２１ａと係合することにより、バランサー２１を上部固
定プレート２０を保持する構成となっている。この際、
第１の係止アーム２７と上部段部２１ａとの間は遊嵌状
態となっており、よってバランサー２１は第１の係止ア
ーム２７の内部において水平方向（図中、矢印Ｘ１，Ｘ
２で示す方向）に若干量移動可能な構成とされている。
【００３６】ヒートプレート２２は、その内部にカート
リッジヒータ２９を設けており、封止樹脂１６の成形時
にこのカートリッジヒータ２９により加熱される構成と
なっている。このヒートプレート２２の上面部中央には
凸球面ブロック２４が配設されており、この凸球面ブロ
ック２４はバランサー２１に形成された凹球面２６と対
向した状態となっている。
リッジヒータ２９を設けており、封止樹脂１６の成形時
にこのカートリッジヒータ２９により加熱される構成と
なっている。このヒートプレート２２の上面部中央には
凸球面ブロック２４が配設されており、この凸球面ブロ
ック２４はバランサー２１に形成された凹球面２６と対
向した状態となっている。
【００３７】また、ヒートプレート２２の下面には、加
圧プレート２３が配設されている。この加圧プレート２
３は、封止樹脂１６の成形時に直接これに当接し圧縮成
形を行うものである。この加圧プレート２３は、複数の
固定ボルト３１によりヒートプレート２２に固定されて
いる。従って、この固定ボルト３１を着脱することによ
り、加圧プレート２３はヒートプレート２２に対して着
脱することが可能となる。
圧プレート２３が配設されている。この加圧プレート２
３は、封止樹脂１６の成形時に直接これに当接し圧縮成
形を行うものである。この加圧プレート２３は、複数の
固定ボルト３１によりヒートプレート２２に固定されて
いる。従って、この固定ボルト３１を着脱することによ
り、加圧プレート２３はヒートプレート２２に対して着
脱することが可能となる。
【００３８】このように、ヒートプレート２２に対して
加圧プレート２３を着脱可能な構成としたことにより、
仮に加圧プレート２３の破損が発生したような場合であ
っても、凸球面ブロック２４，第２の係止アーム２８，
カートリッジヒータ２９等を有した複雑な構造のヒート
プレート２２を取り外す必要はなく、単に平板形状の簡
単な構成の加圧プレート２３のみを取り換えるだけでメ
ンテナンスを完了することができる。よって、加圧プレ
ート２３の破損が発生したような場合であっても、容易
に部品交換を行うことができる。
加圧プレート２３を着脱可能な構成としたことにより、
仮に加圧プレート２３の破損が発生したような場合であ
っても、凸球面ブロック２４，第２の係止アーム２８，
カートリッジヒータ２９等を有した複雑な構造のヒート
プレート２２を取り外す必要はなく、単に平板形状の簡
単な構成の加圧プレート２３のみを取り換えるだけでメ
ンテナンスを完了することができる。よって、加圧プレ
ート２３の破損が発生したような場合であっても、容易
に部品交換を行うことができる。
【００３９】ところで、本実施例では、加圧プレート２
３をヒートプレート２２に取り付ける際、加圧プレート
２３とヒートプレート２２との間に１個或いは複数個の
スペーサ３０を介装する構成としている。スペーサ３０
はシート状のライナーであり、加圧プレート２３の中央
の所定範囲に配設されている。このように、加圧プレー
ト２３とヒートプレート２２との間にスペーサ３０を配
設し両者２２，２３を固定することにより、加圧プレー
ト２３には撓みが発生し、その中央部分は下に若干量突
出した形状となる。この構成とすることにより、半導体
素子１５に形成されている図示しない突起電極（バン
プ）の高さバラツキに容易に対応できる。
３をヒートプレート２２に取り付ける際、加圧プレート
２３とヒートプレート２２との間に１個或いは複数個の
スペーサ３０を介装する構成としている。スペーサ３０
はシート状のライナーであり、加圧プレート２３の中央
の所定範囲に配設されている。このように、加圧プレー
ト２３とヒートプレート２２との間にスペーサ３０を配
設し両者２２，２３を固定することにより、加圧プレー
ト２３には撓みが発生し、その中央部分は下に若干量突
出した形状となる。この構成とすることにより、半導体
素子１５に形成されている図示しない突起電極（バン
プ）の高さバラツキに容易に対応できる。
【００４０】以下、これについて詳述する。突起電極を
半導体素子１５に形成した場合、半導体素子１５の外周
部分における突起電極の高さが中央部分における突起電
極の高さに対し高くなることが知られている。これは、
突起電極をメッキ法により形成する際、半導体素子１５
の外周位置にメッキ用電極を接続することによる。即
ち、メッキ電極が接続された半導体素子１５の外周位置
における電位は中央部の電位に比べて低くなり（電圧降
下により）、よって外周部における突起電極の成長速度
は、中央部における突起電極の成長速度に対して速くな
る。このため、半導体素子１５の外周部分における突起
電極の高さは、中央部分における突起電極の高さに対し
高くなる。
半導体素子１５に形成した場合、半導体素子１５の外周
部分における突起電極の高さが中央部分における突起電
極の高さに対し高くなることが知られている。これは、
突起電極をメッキ法により形成する際、半導体素子１５
の外周位置にメッキ用電極を接続することによる。即
ち、メッキ電極が接続された半導体素子１５の外周位置
における電位は中央部の電位に比べて低くなり（電圧降
下により）、よって外周部における突起電極の成長速度
は、中央部における突起電極の成長速度に対して速くな
る。このため、半導体素子１５の外周部分における突起
電極の高さは、中央部分における突起電極の高さに対し
高くなる。
【００４１】このように高さバラツキが存在する突起電
極を有した半導体素子１５に対し、平坦面状の加圧プレ
ート２３を当接させ圧縮成形処理を行うと、中央部分に
おいては突起電極が低いために突起電極と加圧プレート
２３との間に間隙が発生し、よって樹脂成形を行うと突
起電極は封止樹脂１６に完全に埋設された状態となる。
このように、突起電極が完全に封止樹脂に埋設された状
態では、突起電極を実装基板等に実装することができな
くなってしまう。
極を有した半導体素子１５に対し、平坦面状の加圧プレ
ート２３を当接させ圧縮成形処理を行うと、中央部分に
おいては突起電極が低いために突起電極と加圧プレート
２３との間に間隙が発生し、よって樹脂成形を行うと突
起電極は封止樹脂１６に完全に埋設された状態となる。
このように、突起電極が完全に封止樹脂に埋設された状
態では、突起電極を実装基板等に実装することができな
くなってしまう。
【００４２】しかるに、本実施例のように、加圧プレー
ト２３とヒートプレート２２との間にスペーサ３０を介
装することにより、加圧プレート２３に撓みを発生させ
ることができ、半導体素子１５の中央位置と対向する位
置において加圧プレート２３を半導体素子１５に向け突
出させることができる。これにより、加圧プレート２３
を突起電極の高さバラツキに対応した形状とすることが
でき、突起電極に上記した高さバラツキが存在しても各
突起電極を封止樹脂１６から確実に露出させることがで
きる。
ト２３とヒートプレート２２との間にスペーサ３０を介
装することにより、加圧プレート２３に撓みを発生させ
ることができ、半導体素子１５の中央位置と対向する位
置において加圧プレート２３を半導体素子１５に向け突
出させることができる。これにより、加圧プレート２３
を突起電極の高さバラツキに対応した形状とすることが
でき、突起電極に上記した高さバラツキが存在しても各
突起電極を封止樹脂１６から確実に露出させることがで
きる。
【００４３】一方、ヒートプレート２２の上面には、断
面略Ｌ字状の第２の係止アーム２８が配設されている。
この第２の係止アーム２８はバランサー２１に形成され
た下部段部２１ｂと係合している。また、第２の係止ア
ーム２８と下部段部２１ｂとが係合した状態において、
凸球面ブロック２４はバランサー２１に形成された凹球
面２６上を相対的に変位可能な構成となっている。
面略Ｌ字状の第２の係止アーム２８が配設されている。
この第２の係止アーム２８はバランサー２１に形成され
た下部段部２１ｂと係合している。また、第２の係止ア
ーム２８と下部段部２１ｂとが係合した状態において、
凸球面ブロック２４はバランサー２１に形成された凹球
面２６上を相対的に変位可能な構成となっている。
【００４４】即ち、凸球面ブロック２４の曲率と凹球面
２６の曲率は等しく設定されており、具体的には凸球面
ブロック２４の凸球面の半径と、凹球面２６の半径は共
に図中Ｒで示す大きさとなっている。これにより、加圧
プレート２３は、上部固定プレート２０に配設されたバ
ランサー２１に対し回転可能な構成となる。更に、本実
施例では、加圧プレート２３の上部固定プレート３０
（バランサー２１）に対する回転中心を、加圧プレート
２３の表面中心位置（図中、矢印Ａで示す）に設けた構
成としている。これにより、上部固定プレート３０（バ
ランサー２１）に対し加圧プレート２３が変位した際、
加圧プレート２３は上記回転中心Ａを中心として変位す
ることとなる。
２６の曲率は等しく設定されており、具体的には凸球面
ブロック２４の凸球面の半径と、凹球面２６の半径は共
に図中Ｒで示す大きさとなっている。これにより、加圧
プレート２３は、上部固定プレート２０に配設されたバ
ランサー２１に対し回転可能な構成となる。更に、本実
施例では、加圧プレート２３の上部固定プレート３０
（バランサー２１）に対する回転中心を、加圧プレート
２３の表面中心位置（図中、矢印Ａで示す）に設けた構
成としている。これにより、上部固定プレート３０（バ
ランサー２１）に対し加圧プレート２３が変位した際、
加圧プレート２３は上記回転中心Ａを中心として変位す
ることとなる。
【００４５】このため、後に詳述する加圧成形時の平行
度補正において、加圧プレート２３の表面における変位
量は小さくなり、よって加圧プレート２３と下部金型１
２との間で発生する摺動を極力防止することができる。
上記したように、本実施例では、上プラテン１３に固定
された上部固定プレート２０に対し、第１の係止アーム
２７によりバランサー２１を水平方向移動可能に支持
し、かつ第２の係止アーム２８によりヒートプレート及
び加圧プレート２３をバランサー２１に対して回転可能
に支持することにより、加圧プレート２３は上部固定プ
レート２０に対しフローティング状態で支持された構造
（フローティング構造）を有した状態となる。
度補正において、加圧プレート２３の表面における変位
量は小さくなり、よって加圧プレート２３と下部金型１
２との間で発生する摺動を極力防止することができる。
上記したように、本実施例では、上プラテン１３に固定
された上部固定プレート２０に対し、第１の係止アーム
２７によりバランサー２１を水平方向移動可能に支持
し、かつ第２の係止アーム２８によりヒートプレート及
び加圧プレート２３をバランサー２１に対して回転可能
に支持することにより、加圧プレート２３は上部固定プ
レート２０に対しフローティング状態で支持された構造
（フローティング構造）を有した状態となる。
【００４６】このように、加圧プレート２３が上部固定
プレート２０に対しフローティング構造とされ、回転方
向及び水平方向に変位可能に支持された構成とすること
により、上部金型１１が下部金型１２に装着された状態
（図１０参照）において、上部金型１１と下部金型１２
とを高い平行度で対向した状態とすることができる。以
下、この理由について説明する。
プレート２０に対しフローティング構造とされ、回転方
向及び水平方向に変位可能に支持された構成とすること
により、上部金型１１が下部金型１２に装着された状態
（図１０参照）において、上部金型１１と下部金型１２
とを高い平行度で対向した状態とすることができる。以
下、この理由について説明する。
【００４７】周知のように、近年の金型技術は高精度化
しており、よって本実施例に用いる金型１０において
も、上部金型１１及び下部金型１２を高精度に製造する
ことは可能である。よって、加圧装置から金型１０を取
り外した状態で上部金型１１と下部金型１２とを接合し
た場合、上部金型１１と下部金型１２とを高い平行度で
対向させることができる。
しており、よって本実施例に用いる金型１０において
も、上部金型１１及び下部金型１２を高精度に製造する
ことは可能である。よって、加圧装置から金型１０を取
り外した状態で上部金型１１と下部金型１２とを接合し
た場合、上部金型１１と下部金型１２とを高い平行度で
対向させることができる。
【００４８】しかるに、金型１０に対し圧縮処理を行う
加圧装置は、金型に対してその製造精度が低く、よって
上プラテン１３と下プラテン１４とを高い精度を持って
平行とすることは困難である。即ち、上プラテン１３と
下プラテン１４との間に相対的な傾きが発生している場
合がある。この場合、従来のように加圧プレートが上プ
ラテンに固定された構成（水平方向及び回転方向に変位
を行わない構成）であると、上部金型が下部金型に傾い
た状態で固定され、この傾いた状態のままで上部金型と
下部金型とは接合されることとなる。従って、従来の金
型構造では、均一な厚さを有した封止樹脂の膜を形成で
きないことは明白である。
加圧装置は、金型に対してその製造精度が低く、よって
上プラテン１３と下プラテン１４とを高い精度を持って
平行とすることは困難である。即ち、上プラテン１３と
下プラテン１４との間に相対的な傾きが発生している場
合がある。この場合、従来のように加圧プレートが上プ
ラテンに固定された構成（水平方向及び回転方向に変位
を行わない構成）であると、上部金型が下部金型に傾い
た状態で固定され、この傾いた状態のままで上部金型と
下部金型とは接合されることとなる。従って、従来の金
型構造では、均一な厚さを有した封止樹脂の膜を形成で
きないことは明白である。
【００４９】これに対し、本実施例のように加圧プレー
ト２３が上部固定プレート２０に対し回転方向及び水平
方向に変位可能なフローティング構造とすることによ
り、たとえ上プラテン１３と下プラテン１４との間に相
対的な傾きが発生し平行ではない状態であったとして
も、加圧成形時に加圧プレート２３が下部金型１２に当
接することにより、加圧プレート２３は上部固定プレー
ト２０に対して変位して下部金型１２に対して平行な状
態となる。よって、加圧装置に平行度のバラツキが存在
していたとしても、上部金型１１と下部金型１３の平行
度を常に高精度に維持することができる。
ト２３が上部固定プレート２０に対し回転方向及び水平
方向に変位可能なフローティング構造とすることによ
り、たとえ上プラテン１３と下プラテン１４との間に相
対的な傾きが発生し平行ではない状態であったとして
も、加圧成形時に加圧プレート２３が下部金型１２に当
接することにより、加圧プレート２３は上部固定プレー
ト２０に対して変位して下部金型１２に対して平行な状
態となる。よって、加圧装置に平行度のバラツキが存在
していたとしても、上部金型１１と下部金型１３の平行
度を常に高精度に維持することができる。
【００５０】次に、バランスロック機構２５について説
明する。このバランスロック機構２５は、上記のように
加圧プレート２３が下部金型１２に対して平行な状態と
なった時点で、上部固定プレート２０に対する加圧プレ
ート２３の変位を規制（ロック）する機能を奏するもの
である。このバランスロック機構２５は、大略すると駆
動装置３５，ウェッジロックキー３６，プランジャー３
７，プランジャーホルダ３８，ヘッドホルダ３９，及び
リターンスプリング４０等により構成されている。
明する。このバランスロック機構２５は、上記のように
加圧プレート２３が下部金型１２に対して平行な状態と
なった時点で、上部固定プレート２０に対する加圧プレ
ート２３の変位を規制（ロック）する機能を奏するもの
である。このバランスロック機構２５は、大略すると駆
動装置３５，ウェッジロックキー３６，プランジャー３
７，プランジャーホルダ３８，ヘッドホルダ３９，及び
リターンスプリング４０等により構成されている。
【００５１】駆動装置３５は例えばエアーシリンダであ
り、上部固定プレート２０に固定されている。この駆動
装置３５は図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動する駆動シャ
フト４２を有しており、この駆動シャフト４２の先端部
にはウェッジロックキー３６が固定されている。また、
駆動装置３５は図示しないエアー供給装置に接続されて
おり、上記した加圧プレート２３が下部金型１２に対し
て平行な状態となった時点で駆動シャフト４２を図中矢
印Ｘ１方向に伸長駆動する構成とされている。
り、上部固定プレート２０に固定されている。この駆動
装置３５は図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動する駆動シャ
フト４２を有しており、この駆動シャフト４２の先端部
にはウェッジロックキー３６が固定されている。また、
駆動装置３５は図示しないエアー供給装置に接続されて
おり、上記した加圧プレート２３が下部金型１２に対し
て平行な状態となった時点で駆動シャフト４２を図中矢
印Ｘ１方向に伸長駆動する構成とされている。
【００５２】ウェッジロックキー３６は、図示されるよ
うに下部に傾斜面４３を有しており、プランジャー３７
に形成されたテーパ孔４４、及びプランジャーホルダ３
８に形成された貫通孔４５を貫通するよう配設されてい
る。プランジャー３７は円柱形状を有しており、前記し
たテーパ孔４４が形成されると共に、図中矢印Ｚ１方向
の先端部には先端凸球面部４６が形成されている。この
プランジャー３７は、上部固定プレート２０に配せされ
た円筒状のプランジャーホルダ３８に案内されて、図中
矢印Ｚ１，Ｚ２方向に移動可能に支持されている。更
に、プランジャー３７の図中矢印Ｚ２方向先端部と上部
固定プレート２０との間にはリターンスプリング４０が
配設されており、このリターンスプリング４０はプラン
ジャー３７を常にＺ１方向に向け付勢する構成となって
いる。
うに下部に傾斜面４３を有しており、プランジャー３７
に形成されたテーパ孔４４、及びプランジャーホルダ３
８に形成された貫通孔４５を貫通するよう配設されてい
る。プランジャー３７は円柱形状を有しており、前記し
たテーパ孔４４が形成されると共に、図中矢印Ｚ１方向
の先端部には先端凸球面部４６が形成されている。この
プランジャー３７は、上部固定プレート２０に配せされ
た円筒状のプランジャーホルダ３８に案内されて、図中
矢印Ｚ１，Ｚ２方向に移動可能に支持されている。更
に、プランジャー３７の図中矢印Ｚ２方向先端部と上部
固定プレート２０との間にはリターンスプリング４０が
配設されており、このリターンスプリング４０はプラン
ジャー３７を常にＺ１方向に向け付勢する構成となって
いる。
【００５３】また、ヘッドホルダ３９はヒートプレート
２２の上部に固定部材４１により固定されており、その
配設位置は前記したプランジャー３７と対向する位置に
選定されている。また、ヘッドホルダ３９の上部には凹
球面部４７が形成されており、この凹球面部４７はプラ
ンジャー３７に形成されている先端凸球面部４６と略等
しい曲率を有した構成とされている。
２２の上部に固定部材４１により固定されており、その
配設位置は前記したプランジャー３７と対向する位置に
選定されている。また、ヘッドホルダ３９の上部には凹
球面部４７が形成されており、この凹球面部４７はプラ
ンジャー３７に形成されている先端凸球面部４６と略等
しい曲率を有した構成とされている。
【００５４】続いて、バランスロック機構２５の動作に
つてい説明する。図３は、駆動装置３５の駆動シャフト
４２が図中矢印Ｘ１方向に移動している状態（以下、ロ
ック状態という）を示している。このロック状態では、
ウェッジロックキー３６も駆動装置３５に付勢されて図
中矢印Ｘ１方向に移動している。そして、ウェッジロッ
クキー３６がＸ１方向に移動することにより、ウェッジ
ロックキー３６に形成されている傾斜面４３はプランジ
ャー３７に形成されたテーパ孔３７内を摺動し、よって
プランジャー３７は図中矢印Ｚ１方向に移動付勢され
る。
つてい説明する。図３は、駆動装置３５の駆動シャフト
４２が図中矢印Ｘ１方向に移動している状態（以下、ロ
ック状態という）を示している。このロック状態では、
ウェッジロックキー３６も駆動装置３５に付勢されて図
中矢印Ｘ１方向に移動している。そして、ウェッジロッ
クキー３６がＸ１方向に移動することにより、ウェッジ
ロックキー３６に形成されている傾斜面４３はプランジ
ャー３７に形成されたテーパ孔３７内を摺動し、よって
プランジャー３７は図中矢印Ｚ１方向に移動付勢され
る。
【００５５】これにより、プランジャー３７の先端凸球
面部４６は、ヘッドホルダ３９を押圧する。バランスロ
ック機構２５は図示されるように複数箇所に設けられて
おり、各バランスロック機構２５は同時に動作する構成
とされている。よって、プランジャー３７がヘッドホル
ダ３９を押圧することにより、ヒートプレート２２（即
ち、加圧プレート２３）の上部固定プレート２０に対す
る変位は規制（ロック）された状態となる。
面部４６は、ヘッドホルダ３９を押圧する。バランスロ
ック機構２５は図示されるように複数箇所に設けられて
おり、各バランスロック機構２５は同時に動作する構成
とされている。よって、プランジャー３７がヘッドホル
ダ３９を押圧することにより、ヒートプレート２２（即
ち、加圧プレート２３）の上部固定プレート２０に対す
る変位は規制（ロック）された状態となる。
【００５６】このように、本実施例に係るバランスロッ
ク機構２５によれば、駆動装置３５により駆動されるウ
ェッジロックキー３６と、このウェッジロックキー３６
により変位するプランジャー３７とよりなる機械的構成
とすることにより、上部固定プレート２０に対する加圧
プレート２３の変位を簡単な構成で精度よく規制するこ
とができる。
ク機構２５によれば、駆動装置３５により駆動されるウ
ェッジロックキー３６と、このウェッジロックキー３６
により変位するプランジャー３７とよりなる機械的構成
とすることにより、上部固定プレート２０に対する加圧
プレート２３の変位を簡単な構成で精度よく規制するこ
とができる。
【００５７】一方、図４は、駆動装置３５の駆動シャフ
ト４２が図中矢印Ｘ２方向に移動している状態（以下、
アンロック状態という）を示している。このアンロック
状態では、ウェッジロックキー３６も駆動装置３５に付
勢されて図中矢印Ｘ２方向に移動している。そして、ウ
ェッジロックキー３６がＸ２方向に移動することによ
り、ウェッジロックキー３６は幅狭な部位がプランジャ
ー３７に形成されたテーパ孔３７及びプランジャーホル
ダ３８に形成された貫通孔４５に位置することとなる。
よって、プランジャー３７はウェッジロックキー３６に
対し任意に移動可能な構成となる。
ト４２が図中矢印Ｘ２方向に移動している状態（以下、
アンロック状態という）を示している。このアンロック
状態では、ウェッジロックキー３６も駆動装置３５に付
勢されて図中矢印Ｘ２方向に移動している。そして、ウ
ェッジロックキー３６がＸ２方向に移動することによ
り、ウェッジロックキー３６は幅狭な部位がプランジャ
ー３７に形成されたテーパ孔３７及びプランジャーホル
ダ３８に形成された貫通孔４５に位置することとなる。
よって、プランジャー３７はウェッジロックキー３６に
対し任意に移動可能な構成となる。
【００５８】これにより、プランジャー３７はリターン
スプリング４０の弾性力によりヘッドホルダ３９と当接
した状態となり、ヒートプレート２２，加圧プレート２
３が前記のように回転した場合、プランジャー３７は各
プレート２２，２３の変位に追随して変位することがで
きる。即ち、バランスロック機構２５による上部固定プ
レート２０に対する各プレート２２，２３の変位規制
（ロック）は、解除された状態となる。
スプリング４０の弾性力によりヘッドホルダ３９と当接
した状態となり、ヒートプレート２２，加圧プレート２
３が前記のように回転した場合、プランジャー３７は各
プレート２２，２３の変位に追随して変位することがで
きる。即ち、バランスロック機構２５による上部固定プ
レート２０に対する各プレート２２，２３の変位規制
（ロック）は、解除された状態となる。
【００５９】このアンロック状態では、プランジャー３
７はリターンスプリング４０の弾性力によりヘッドホル
ダ３９に押圧されるため、各プレート２２，２３が変位
しても衝突音等の異音が発生することを防止できる。ま
た、プランジャー３７の先端に形成された先端凸球面部
４６の曲率は、ヘッドホルダ３９に形成された凹球面部
４７の曲率と等しく設定されているため、各プレート２
２，２３が変位したときに発生する先端凸球面部４６と
凹球面部４７との摺動を滑らかにすることができる。
７はリターンスプリング４０の弾性力によりヘッドホル
ダ３９に押圧されるため、各プレート２２，２３が変位
しても衝突音等の異音が発生することを防止できる。ま
た、プランジャー３７の先端に形成された先端凸球面部
４６の曲率は、ヘッドホルダ３９に形成された凹球面部
４７の曲率と等しく設定されているため、各プレート２
２，２３が変位したときに発生する先端凸球面部４６と
凹球面部４７との摺動を滑らかにすることができる。
【００６０】図５は、図１乃至図４に示した上部金型１
１の変形例を示している。尚、図５において、図１乃至
図４に示した上部金型１１の構成と同一構成については
同一符号を付してその説明を省略する。本変形例では、
バランスロック機構５０を油圧シリンダ５１，電磁弁５
２，及び金属製配管５５等により構成したことを特徴と
している。油圧シリンダ５１及び電磁弁５２は、共に上
部固定プレート２０に固定されている。電磁弁５２には
図示しない油液供給装置が接続されており、この油液供
給装置から供給される圧縮油液が電磁弁５２を介して油
圧シリンダ５１に供給される構成とされている。また、
油圧シリンダ５１の駆動軸の先端にはヘッド部５４が設
けられており、このヘッド部５４とシリンダ本体との間
にはリターンスプリング５３が配設されている。
１の変形例を示している。尚、図５において、図１乃至
図４に示した上部金型１１の構成と同一構成については
同一符号を付してその説明を省略する。本変形例では、
バランスロック機構５０を油圧シリンダ５１，電磁弁５
２，及び金属製配管５５等により構成したことを特徴と
している。油圧シリンダ５１及び電磁弁５２は、共に上
部固定プレート２０に固定されている。電磁弁５２には
図示しない油液供給装置が接続されており、この油液供
給装置から供給される圧縮油液が電磁弁５２を介して油
圧シリンダ５１に供給される構成とされている。また、
油圧シリンダ５１の駆動軸の先端にはヘッド部５４が設
けられており、このヘッド部５４とシリンダ本体との間
にはリターンスプリング５３が配設されている。
【００６１】上記構成とされたバランスロック機構５０
において、ロック状態では電磁弁５２は油圧シリンダ５
１に圧力油液の入出を止めるよう弁切り換えを行い、こ
れによりヘッド部５４はヘッドホルダ３９を押圧し、こ
れにより上部固定プレート２０に対するヒートプレート
２２及び加圧プレート２３の変位は規制（ロック）され
る。一方、アンロック状態では、電磁弁５２は油圧シリ
ンダ５１に圧力油液の入出を自由になるよう弁切り換え
を行う。これにより、ヘッド部５４は任意に移動可能な
状態となり、上部固定プレート２０に対するヒートプレ
ート２２及び加圧プレート２３の変位規制は解除され
る。
において、ロック状態では電磁弁５２は油圧シリンダ５
１に圧力油液の入出を止めるよう弁切り換えを行い、こ
れによりヘッド部５４はヘッドホルダ３９を押圧し、こ
れにより上部固定プレート２０に対するヒートプレート
２２及び加圧プレート２３の変位は規制（ロック）され
る。一方、アンロック状態では、電磁弁５２は油圧シリ
ンダ５１に圧力油液の入出を自由になるよう弁切り換え
を行う。これにより、ヘッド部５４は任意に移動可能な
状態となり、上部固定プレート２０に対するヒートプレ
ート２２及び加圧プレート２３の変位規制は解除され
る。
【００６２】このように、本変形例に係るバランスロッ
ク機構５０によれば、油圧シリンダ５１，電磁弁５２と
よりなる簡単な構成で、上部固定プレート２０に対する
加圧プレート２３の変位を精度よく規制することができ
る。また、油圧シリンダ５１と電磁弁５２とを接続する
油圧配管を金属製配管５５としたことにより、ロック時
に高圧の油圧が油圧配管５５に印加されても変形するよ
うなことはなく、加圧プレート２３の変位規制を確実に
行うことができる。尚、油液供給装置と電磁弁５２を接
続する油圧配管を金属製配管とすることにより、更に加
圧プレート２３の変位規制を確実に行うことができる。
ク機構５０によれば、油圧シリンダ５１，電磁弁５２と
よりなる簡単な構成で、上部固定プレート２０に対する
加圧プレート２３の変位を精度よく規制することができ
る。また、油圧シリンダ５１と電磁弁５２とを接続する
油圧配管を金属製配管５５としたことにより、ロック時
に高圧の油圧が油圧配管５５に印加されても変形するよ
うなことはなく、加圧プレート２３の変位規制を確実に
行うことができる。尚、油液供給装置と電磁弁５２を接
続する油圧配管を金属製配管とすることにより、更に加
圧プレート２３の変位規制を確実に行うことができる。
【００６３】次に、下部金型１２の構成について、図
１，図６及び図７を用いて説明する。下部金型１２は、
大略するするとベースブロック５９，インナーダイ６
０，アウターダイ６１，センターブロック６２，ガイド
リング６３，及びローラ６４等により構成されている。
ベースブロック５９は、加圧装置を構成する下プラテン
１４に固定されており、その中央部分には連結アーム６
６を図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に移動させるための油圧シ
リンダ６５が配設されている。このベースブロック５９
の中央上部位置には、センターブロック６２が配設され
ると共に、更にこのセンターブロック６２の上部にはイ
ンナーダイ６０が配設されている。
１，図６及び図７を用いて説明する。下部金型１２は、
大略するするとベースブロック５９，インナーダイ６
０，アウターダイ６１，センターブロック６２，ガイド
リング６３，及びローラ６４等により構成されている。
ベースブロック５９は、加圧装置を構成する下プラテン
１４に固定されており、その中央部分には連結アーム６
６を図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に移動させるための油圧シ
リンダ６５が配設されている。このベースブロック５９
の中央上部位置には、センターブロック６２が配設され
ると共に、更にこのセンターブロック６２の上部にはイ
ンナーダイ６０が配設されている。
【００６４】センターブロック６２はベースブロック５
９に固定されており、その内部にはセンターブロック用
ヒータ７２が配設されている。このセンターブロック用
ヒータ７２は、圧縮成形時において主にインナーダイ６
０を加熱し、これにより封止樹脂１６を加熱し軟化させ
ると共にその後に熱硬化させる機能を奏するものであ
る。
９に固定されており、その内部にはセンターブロック用
ヒータ７２が配設されている。このセンターブロック用
ヒータ７２は、圧縮成形時において主にインナーダイ６
０を加熱し、これにより封止樹脂１６を加熱し軟化させ
ると共にその後に熱硬化させる機能を奏するものであ
る。
【００６５】また、センターブロック６２の中央位置に
はセンター固定ボルト７０が立設固定されており、この
センター固定ボルト７０の先端所定部分はセンターブロ
ック６２の上面から突出しネジ部を形成している。ま
た、センターブロック６２の中央位置には、円柱形状の
ガイド凹部６９が形成されている。更に、センターブロ
ック６２の内周所定位置には、硬質金属（耐摩耗性金
属）よりなる内側受金７５が複数箇所に設けられてい
る。
はセンター固定ボルト７０が立設固定されており、この
センター固定ボルト７０の先端所定部分はセンターブロ
ック６２の上面から突出しネジ部を形成している。ま
た、センターブロック６２の中央位置には、円柱形状の
ガイド凹部６９が形成されている。更に、センターブロ
ック６２の内周所定位置には、硬質金属（耐摩耗性金
属）よりなる内側受金７５が複数箇所に設けられてい
る。
【００６６】インナーダイ６０は平面視した状態で円形
状（図７参照）の円盤形状を有しており、上記構成とさ
れたセンターブロック６２の上部に配設されている。こ
のインナーダイ６０は、その上部に半導体素子１５及び
封止樹脂１６が載置されるものであり、圧縮成形時には
前記した上部金型１１の加圧プレート２３と協働して封
止樹脂１６の圧縮成形処理を行うものである。従って、
インナーダイ６０の上面は、精度の高い平坦面とされて
いる。
状（図７参照）の円盤形状を有しており、上記構成とさ
れたセンターブロック６２の上部に配設されている。こ
のインナーダイ６０は、その上部に半導体素子１５及び
封止樹脂１６が載置されるものであり、圧縮成形時には
前記した上部金型１１の加圧プレート２３と協働して封
止樹脂１６の圧縮成形処理を行うものである。従って、
インナーダイ６０の上面は、精度の高い平坦面とされて
いる。
【００６７】このインナーダイ６０は、その背面の中央
位置にネジ孔６８が形成されている。更に、このネジ孔
６８の外周位置には、円筒状の突起ガイド部６７が突設
されている。ネジ孔６８は、前記したセンターブロック
６２に設けられたセンター固定ボルト７０と螺合しうる
構成とされている。また、突起ガイド部６７は、前記し
たセンターブロック６２に形成されたガイド凹部６９に
嵌合しうる構成とされている。
位置にネジ孔６８が形成されている。更に、このネジ孔
６８の外周位置には、円筒状の突起ガイド部６７が突設
されている。ネジ孔６８は、前記したセンターブロック
６２に設けられたセンター固定ボルト７０と螺合しうる
構成とされている。また、突起ガイド部６７は、前記し
たセンターブロック６２に形成されたガイド凹部６９に
嵌合しうる構成とされている。
【００６８】上記構成とされたインナーダイ６０をセン
ターブロック６２に取り付けるには、先ずインナーダイ
６０に形成されている突起ガイド部６７をセンターブロ
ック６２に形成されているガイド凹部６９に嵌入するこ
とにより、インナーダイ６０とセンターブロック６２と
の位置決めを行う。続いて、インナーダイ６０を回転さ
せることにより、ネジ孔６８をセンター固定ボルト７０
と螺着する。この際、インナーダイ６０の外周には治具
孔７４が設けられているため、この治具孔７４に所定治
具を挿入して螺着処理を行うことができる。よって、円
盤形状のインナーダイ６０であっても、取付け処理を容
易に行うことができる。
ターブロック６２に取り付けるには、先ずインナーダイ
６０に形成されている突起ガイド部６７をセンターブロ
ック６２に形成されているガイド凹部６９に嵌入するこ
とにより、インナーダイ６０とセンターブロック６２と
の位置決めを行う。続いて、インナーダイ６０を回転さ
せることにより、ネジ孔６８をセンター固定ボルト７０
と螺着する。この際、インナーダイ６０の外周には治具
孔７４が設けられているため、この治具孔７４に所定治
具を挿入して螺着処理を行うことができる。よって、円
盤形状のインナーダイ６０であっても、取付け処理を容
易に行うことができる。
【００６９】上記のように、本実施例では、センターブ
ロック６２に対してインナーダイ６０をその中心の一点
（即ち、センター固定ボルト７０）で固定する構成とし
ている。よって、単にインナーダイ６０を回転させるだ
けで、センターブロック６２に対しインナーダイ６０を
装着脱することができる。よって、センターブロック６
２に対するインナーダイ６０の装着脱処理は容易とな
り、例えば半導体素子１５のサイズが変わっても金型１
０の全てを交換する必要はなく、インナーダイ６０を交
換するだけでこれに対応することが可能となる。
ロック６２に対してインナーダイ６０をその中心の一点
（即ち、センター固定ボルト７０）で固定する構成とし
ている。よって、単にインナーダイ６０を回転させるだ
けで、センターブロック６２に対しインナーダイ６０を
装着脱することができる。よって、センターブロック６
２に対するインナーダイ６０の装着脱処理は容易とな
り、例えば半導体素子１５のサイズが変わっても金型１
０の全てを交換する必要はなく、インナーダイ６０を交
換するだけでこれに対応することが可能となる。
【００７０】但し、この場合には、インナーダイ６０と
共に、後述するアウターダイ６１も交換する必要があ
る。しかるに、後に詳述するように、アウターダイ６１
もダイ固定用ボルト８３によりガイドリング６３に固定
された構成であるため、アウターダイ６１の交換処理も
容易に行うことができる。また、センターブロック６２
に対してインナーダイ６０をその中心の一点で固定する
構成とすることにより、インナーダイ６０とセンターブ
ロック６２との間における熱膨張差の影響に容易に対応
することができる。即ち、センターブロック６２とイン
ナーダイ６０は材質が異なるため、当然ながら両者の間
で熱膨張差が発生する。
共に、後述するアウターダイ６１も交換する必要があ
る。しかるに、後に詳述するように、アウターダイ６１
もダイ固定用ボルト８３によりガイドリング６３に固定
された構成であるため、アウターダイ６１の交換処理も
容易に行うことができる。また、センターブロック６２
に対してインナーダイ６０をその中心の一点で固定する
構成とすることにより、インナーダイ６０とセンターブ
ロック６２との間における熱膨張差の影響に容易に対応
することができる。即ち、センターブロック６２とイン
ナーダイ６０は材質が異なるため、当然ながら両者の間
で熱膨張差が発生する。
【００７１】この時、センターブロック６２とインナー
ダイ６０とを中心以外の位置で固定した場合を想定する
と、この固定位置では相対的な変位は発生しないため、
この固定位置を中心として放射状に熱膨張が発生する。
従って、センターブロック６２の固定位置から近い外周
部における熱膨張量と、固定位置から遠い外周部におけ
る熱膨張量とは異なった値となる。
ダイ６０とを中心以外の位置で固定した場合を想定する
と、この固定位置では相対的な変位は発生しないため、
この固定位置を中心として放射状に熱膨張が発生する。
従って、センターブロック６２の固定位置から近い外周
部における熱膨張量と、固定位置から遠い外周部におけ
る熱膨張量とは異なった値となる。
【００７２】このように、センターブロック６２の外周
位置における熱膨張量が固定位置からの距離により異な
る構成では、これに対応すること（例えば、アウターダ
イ６１をセンターブロック６２の熱変形と似た熱変形を
行うよう構成する等）は困難となる。しるかに、センタ
ーブロック６２とインナーダイ６０とを中心で固定する
ことにより、熱膨張はこの中心位置より放射方向に均等
に発生し、外周部における熱膨張量は全て等しくなる。
よって、上記のように中心位置から異なる位置で固定し
た構成に比べ、この熱膨張に対する対応を容易とするこ
とができる。
位置における熱膨張量が固定位置からの距離により異な
る構成では、これに対応すること（例えば、アウターダ
イ６１をセンターブロック６２の熱変形と似た熱変形を
行うよう構成する等）は困難となる。しるかに、センタ
ーブロック６２とインナーダイ６０とを中心で固定する
ことにより、熱膨張はこの中心位置より放射方向に均等
に発生し、外周部における熱膨張量は全て等しくなる。
よって、上記のように中心位置から異なる位置で固定し
た構成に比べ、この熱膨張に対する対応を容易とするこ
とができる。
【００７３】一方、前記した連結アーム６６の上部に
は、ガイドリング６３が設けられている。このガイドリ
ング６３は、前記したセンターブロック６２を囲繞する
よう配設されている。また、アウターダイ６１は、この
ガイドリング６３の上部に固定されている。前記したよ
うに、ベースブロック５９に配設された油圧シリンダ６
５は、連結アーム６６を図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に移動
させる構成とされている。よって、この連結アーム６６
に配設されたアウターダイ６１及びガイドリング６３
も、油圧シリンダ６５に駆動されて図中矢印Ｚ１，Ｚ２
方向に移動する構成とされている。尚、前記したインナ
ーダイ６０及びセンターブロック６２は、油圧シリンダ
６５が駆動しても移動することはない。
は、ガイドリング６３が設けられている。このガイドリ
ング６３は、前記したセンターブロック６２を囲繞する
よう配設されている。また、アウターダイ６１は、この
ガイドリング６３の上部に固定されている。前記したよ
うに、ベースブロック５９に配設された油圧シリンダ６
５は、連結アーム６６を図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に移動
させる構成とされている。よって、この連結アーム６６
に配設されたアウターダイ６１及びガイドリング６３
も、油圧シリンダ６５に駆動されて図中矢印Ｚ１，Ｚ２
方向に移動する構成とされている。尚、前記したインナ
ーダイ６０及びセンターブロック６２は、油圧シリンダ
６５が駆動しても移動することはない。
【００７４】ガイドリング６３は、その内部にガイドリ
ング用ヒータ７１が配設されている。このガイドリング
用ヒータ７１は、圧縮成形時においてアウターダイ６１
を主に加熱し、これにより封止樹脂１６を加熱し軟化さ
せると共にその後に熱硬化させる機能を奏するものであ
る。また、ガイドリング６３の内周で、前記したセンタ
ーブロック６２に設けられた複数の内側受金７５と対向
する位置には、外側受金７６Ａとテーパ付き外側受金７
６Ｂが配設されている。この外側受金７６Ａ及びテーパ
付き外側受金７６Ｂは、共に硬質金属（耐摩耗性金属）
により形成されている。尚、テーパ付き外側受金７６Ｂ
は、本実施例では１箇所にのみ設けられている。
ング用ヒータ７１が配設されている。このガイドリング
用ヒータ７１は、圧縮成形時においてアウターダイ６１
を主に加熱し、これにより封止樹脂１６を加熱し軟化さ
せると共にその後に熱硬化させる機能を奏するものであ
る。また、ガイドリング６３の内周で、前記したセンタ
ーブロック６２に設けられた複数の内側受金７５と対向
する位置には、外側受金７６Ａとテーパ付き外側受金７
６Ｂが配設されている。この外側受金７６Ａ及びテーパ
付き外側受金７６Ｂは、共に硬質金属（耐摩耗性金属）
により形成されている。尚、テーパ付き外側受金７６Ｂ
は、本実施例では１箇所にのみ設けられている。
【００７５】そして、内側受金７５と外側受金７６Ａと
の対向部、及び内側受金７５とテーパ付き外側受金７６
Ｂとの対向部には、ローラ６４（転動体）が配設されて
いる。本実施例では、ローラ６４としてコロ状のローラ
を用いているが、ボール状のローラを用いることも可能
である。また、上記した各対向部には、夫々複数（本実
施例では６個）のローラ６４が上下に並設されいる。
尚、各ローラ６４はローラガイド７３により回転可能に
保持され、よって上記の各対向部から離脱しないよう構
成さされている。
の対向部、及び内側受金７５とテーパ付き外側受金７６
Ｂとの対向部には、ローラ６４（転動体）が配設されて
いる。本実施例では、ローラ６４としてコロ状のローラ
を用いているが、ボール状のローラを用いることも可能
である。また、上記した各対向部には、夫々複数（本実
施例では６個）のローラ６４が上下に並設されいる。
尚、各ローラ６４はローラガイド７３により回転可能に
保持され、よって上記の各対向部から離脱しないよう構
成さされている。
【００７６】このように、センターブロック６２の外周
とガイドリング６３の内周との間に、ローラー６４を配
設した構成としたことにより、センターブロック６２に
対するガイドリング６３の移動を滑らかにすることがで
きる。よって、ガイドリング６３の移動時に振動等が発
生することにより、圧縮成形された封止樹脂１６の薄膜
（例えば、１００μｍの厚さ）に損傷が発生することを
防止でき、信頼性の高い樹脂封止を行う事ができる。ま
た、油圧シリンダ６５の出力の低減を図ることもでき、
下部金型１２の小型化を図ることもできる。
とガイドリング６３の内周との間に、ローラー６４を配
設した構成としたことにより、センターブロック６２に
対するガイドリング６３の移動を滑らかにすることがで
きる。よって、ガイドリング６３の移動時に振動等が発
生することにより、圧縮成形された封止樹脂１６の薄膜
（例えば、１００μｍの厚さ）に損傷が発生することを
防止でき、信頼性の高い樹脂封止を行う事ができる。ま
た、油圧シリンダ６５の出力の低減を図ることもでき、
下部金型１２の小型化を図ることもできる。
【００７７】ところで、センターブロック６２の外周と
ガイドリング６３の内周との間にローラー６４を配設し
ても、センターブロック６２とガイドリング６３との間
の平行度及びクリアランスが規定値からずれていると、
ガイドリング６３の滑らかな移動を担保することはでき
ない。そこで本実施例では、センターブロック６２とガ
イドリング６３との間のクリアランス調整を行うクリア
ランス調整機構を設けている。このクリアランス調整機
構は、大略するするとテーパ付き外側受金７６Ｂ，アジ
ャスタプレート８０，アジャスタボルト８１，及びプレ
ート固定ボルト８２等により構成されている。
ガイドリング６３の内周との間にローラー６４を配設し
ても、センターブロック６２とガイドリング６３との間
の平行度及びクリアランスが規定値からずれていると、
ガイドリング６３の滑らかな移動を担保することはでき
ない。そこで本実施例では、センターブロック６２とガ
イドリング６３との間のクリアランス調整を行うクリア
ランス調整機構を設けている。このクリアランス調整機
構は、大略するするとテーパ付き外側受金７６Ｂ，アジ
ャスタプレート８０，アジャスタボルト８１，及びプレ
ート固定ボルト８２等により構成されている。
【００７８】テーパ付き外側受金７６Ｂは、センターブ
ロック６２に図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に摺動可能な構成
で配設されている。また、このテーパ付き外側受金７６
Ｂのローラ６４との対向面と反対側の面は傾斜面とされ
ている。アジャスタプレート８０は、テーパ付き外側受
金７６Ｂの傾斜面と対応した傾斜面を有した構成とされ
ている。また、上部にはアジャスタボルト８１が螺着し
ており、このアジャスタボルト８１の螺進度によりアジ
ャスタプレート８０は図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に変位す
る構成とされている。
ロック６２に図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に摺動可能な構成
で配設されている。また、このテーパ付き外側受金７６
Ｂのローラ６４との対向面と反対側の面は傾斜面とされ
ている。アジャスタプレート８０は、テーパ付き外側受
金７６Ｂの傾斜面と対応した傾斜面を有した構成とされ
ている。また、上部にはアジャスタボルト８１が螺着し
ており、このアジャスタボルト８１の螺進度によりアジ
ャスタプレート８０は図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に変位す
る構成とされている。
【００７９】よって、アジャスタボルト８１の螺進度を
調整することにより、アジャスタプレート８０をＺ１方
向に変位させた場合には、テーパ付き外側受金７６Ｂは
図中矢印Ｘ２方向に変位し、センターブロック６２とガ
イドリング６３との間のクリアランスは広くなる。逆
に、アジャスタプレート８０をＺ２方向に変位させた場
合には、テーパ付き外側受金７６Ｂは図中矢印Ｘ１方向
に変位し、センターブロック６２とガイドリング６３と
の間のクリアランスは狭くなる。
調整することにより、アジャスタプレート８０をＺ１方
向に変位させた場合には、テーパ付き外側受金７６Ｂは
図中矢印Ｘ２方向に変位し、センターブロック６２とガ
イドリング６３との間のクリアランスは広くなる。逆
に、アジャスタプレート８０をＺ２方向に変位させた場
合には、テーパ付き外側受金７６Ｂは図中矢印Ｘ１方向
に変位し、センターブロック６２とガイドリング６３と
の間のクリアランスは狭くなる。
【００８０】よって、上記構成とされたクリアランス調
整機構を設けることにより、下部金型１２の高精度に加
工・製造しなくなくても、下部金型１２の製造後にクリ
アランス調整機構を用いてセンターブロック６２とガイ
ドリング６３のクリアランスを適正値に調整することが
できる。これにより、センターブロック６２に対しガイ
ドリング６３を安定した状態で移動させることができ、
よってインナーダイ６０に対しアウターダイ６１を高い
平行度を保ったまま移動させることが可能となる。尚、
アジャスタボルト８１の調整は、アウターダイ６１を取
り外した状態で行う。
整機構を設けることにより、下部金型１２の高精度に加
工・製造しなくなくても、下部金型１２の製造後にクリ
アランス調整機構を用いてセンターブロック６２とガイ
ドリング６３のクリアランスを適正値に調整することが
できる。これにより、センターブロック６２に対しガイ
ドリング６３を安定した状態で移動させることができ、
よってインナーダイ６０に対しアウターダイ６１を高い
平行度を保ったまま移動させることが可能となる。尚、
アジャスタボルト８１の調整は、アウターダイ６１を取
り外した状態で行う。
【００８１】一方、前記したようにアウターダイ６１
は、ダイ固定用ボルト８３によりガイドリング６３に固
定されている。この際、図７に示されるように、アウタ
ーダイ６１とガイドリング６３とが固定される固定部に
おいては、ガイドリング６３にネジ孔８４が形成される
と共に、アウターダイ６１に長孔８５が形成されてい
る。この長孔８５の延在方向は、インナーダイ６０の中
心位置に対し放射方向に設定されている。
は、ダイ固定用ボルト８３によりガイドリング６３に固
定されている。この際、図７に示されるように、アウタ
ーダイ６１とガイドリング６３とが固定される固定部に
おいては、ガイドリング６３にネジ孔８４が形成される
と共に、アウターダイ６１に長孔８５が形成されてい
る。この長孔８５の延在方向は、インナーダイ６０の中
心位置に対し放射方向に設定されている。
【００８２】この構成とすることにより、圧縮成形時に
印加される熱により発生するアウターダイ６１とガイド
リング６３との間の熱膨張差量だけ、アウターダイ６１
とガイドリング６３とを放射方向に相対的変位可能とす
ることができる。これにより、アウターダイ６１とガイ
ドリング６３との間で熱膨張差が発生しても、ダイ固定
ボルト８３が長孔８５内で変位する（熱膨張力に対し螺
着力を弱く設定している）ことにより、これを吸収する
ことが可能となる。よって加熱時にアウターダイ６１と
ガイドリング６３との間に歪みや反りが発生することを
防止でき、良好な状態で成形処理を行うことができる。
印加される熱により発生するアウターダイ６１とガイド
リング６３との間の熱膨張差量だけ、アウターダイ６１
とガイドリング６３とを放射方向に相対的変位可能とす
ることができる。これにより、アウターダイ６１とガイ
ドリング６３との間で熱膨張差が発生しても、ダイ固定
ボルト８３が長孔８５内で変位する（熱膨張力に対し螺
着力を弱く設定している）ことにより、これを吸収する
ことが可能となる。よって加熱時にアウターダイ６１と
ガイドリング６３との間に歪みや反りが発生することを
防止でき、良好な状態で成形処理を行うことができる。
【００８３】また、本実施例では下部金型１２に２個の
ヒータを設けた構成としており、具体的にはセンターブ
ロック６２にセンターブロック用ヒータ７２を配設し、
ガイドリング６３にはガイドリング用ヒータ７１を配設
した構成としている。この構成とすることにより、セン
ターブロック６２とガイドリング６３の温度制御を夫々
独立して行うことが可能となる。
ヒータを設けた構成としており、具体的にはセンターブ
ロック６２にセンターブロック用ヒータ７２を配設し、
ガイドリング６３にはガイドリング用ヒータ７１を配設
した構成としている。この構成とすることにより、セン
ターブロック６２とガイドリング６３の温度制御を夫々
独立して行うことが可能となる。
【００８４】前記したように、センターブロック６２に
配設されたセンターブロック用ヒータ７２は主にインナ
ーダイ６０を加熱するのに用いられ、またガイドリング
６３に配設されたガイドリング用ヒータ７１はアウター
ダイ６１を加熱するのに用いられる。よって、各ヒータ
７１，７２を制御し、センターブロック６２とガイドリ
ング６３の温度制御を実施することにより、インナーダ
イ６０の熱膨張量とアウターダイ６１の熱膨張量を近似
させることが可能となる。よって、インナーダイ６０と
アウターダイ６１の隙間を常に一定寸法に維持すること
ができ、樹脂成形時に各ダイ６０，６１間の間隙から封
止樹脂１６が漏出することを防止することができる。
配設されたセンターブロック用ヒータ７２は主にインナ
ーダイ６０を加熱するのに用いられ、またガイドリング
６３に配設されたガイドリング用ヒータ７１はアウター
ダイ６１を加熱するのに用いられる。よって、各ヒータ
７１，７２を制御し、センターブロック６２とガイドリ
ング６３の温度制御を実施することにより、インナーダ
イ６０の熱膨張量とアウターダイ６１の熱膨張量を近似
させることが可能となる。よって、インナーダイ６０と
アウターダイ６１の隙間を常に一定寸法に維持すること
ができ、樹脂成形時に各ダイ６０，６１間の間隙から封
止樹脂１６が漏出することを防止することができる。
【００８５】次に、上記構成とされた金型１０の圧縮成
形時における動作について、図８乃至図１３を用いて説
明する。尚、図８乃至図１３示す金型１０は、図示の便
宜上、先に図１乃至図７を用いて説明した金型１０の要
部のみを示している。図８は、圧縮成形処理を実施する
前の状態の金型１０を示している。この状態において
は、上部金型１１は上プラテン１３と共に矢印Ｚ２方向
限に移動しており、また下部金型１２は下プラテン１４
と共に矢印Ｚ１方向限に移動している。従って、加圧プ
レート２３とインナーダイ６０とは大きく離間した状態
となっている。更に、上部金型１２に配設されたバラン
スロック機構２５はアンロック状態となっており、よっ
て加圧プレート２３は上部固定プレート２０に対し水平
方向及び回転方向に変位可能な構成となっている。
形時における動作について、図８乃至図１３を用いて説
明する。尚、図８乃至図１３示す金型１０は、図示の便
宜上、先に図１乃至図７を用いて説明した金型１０の要
部のみを示している。図８は、圧縮成形処理を実施する
前の状態の金型１０を示している。この状態において
は、上部金型１１は上プラテン１３と共に矢印Ｚ２方向
限に移動しており、また下部金型１２は下プラテン１４
と共に矢印Ｚ１方向限に移動している。従って、加圧プ
レート２３とインナーダイ６０とは大きく離間した状態
となっている。更に、上部金型１２に配設されたバラン
スロック機構２５はアンロック状態となっており、よっ
て加圧プレート２３は上部固定プレート２０に対し水平
方向及び回転方向に変位可能な構成となっている。
【００８６】圧縮成形処理を実施するには、先ず図９に
示されるように、突起電極が既に形成された半導体素子
１５をインナーダイ６０の上部に装着する。この際、半
導体素子１５は突起電極（バンプ）が形成された面が上
側となるよう装着され、よって装着状態において突起電
極は上部金型１１の加圧プレート２３と対向した状態と
なっている。
示されるように、突起電極が既に形成された半導体素子
１５をインナーダイ６０の上部に装着する。この際、半
導体素子１５は突起電極（バンプ）が形成された面が上
側となるよう装着され、よって装着状態において突起電
極は上部金型１１の加圧プレート２３と対向した状態と
なっている。
【００８７】上記のように下部金型１２に半導体素子１
５を装着すると、続いて上部金型１１の下部（加圧プレ
ート２３の下部）にフィルム１７を歪みの無い状態で配
設すると共に、半導体素子１５の上部に１２上に封止樹
脂１６を載置する。フィルム１７は、例えばポリイミ
ド，塩化ビニール，ＰＣ，ＰＥＴ，静分解性樹脂，合成
紙等の紙，金属箔，若しくはこれらの複合材を用いるこ
とが可能であり、後述する樹脂成形時に印加される熱に
より劣化しない材料が選定されている。
５を装着すると、続いて上部金型１１の下部（加圧プレ
ート２３の下部）にフィルム１７を歪みの無い状態で配
設すると共に、半導体素子１５の上部に１２上に封止樹
脂１６を載置する。フィルム１７は、例えばポリイミ
ド，塩化ビニール，ＰＣ，ＰＥＴ，静分解性樹脂，合成
紙等の紙，金属箔，若しくはこれらの複合材を用いるこ
とが可能であり、後述する樹脂成形時に印加される熱に
より劣化しない材料が選定されている。
【００８８】一方、封止樹脂１６は例えばポリイミド，
エポキシ（ＰＰＳ，ＰＥＥＫ，ＰＥＳ及び耐熱性液晶樹
脂等の熱可塑性樹脂）等の樹脂であり、本実施例におい
てはこの樹脂を円柱形状に成形した構成のものを用いて
いる。また、封止樹脂１６の載置位置は、半導体素子１
５の略中央位置に選定されている。また、封止樹脂１６
の樹脂量は、後述する圧縮成形時において過不足がない
よう正確に秤量されている。
エポキシ（ＰＰＳ，ＰＥＥＫ，ＰＥＳ及び耐熱性液晶樹
脂等の熱可塑性樹脂）等の樹脂であり、本実施例におい
てはこの樹脂を円柱形状に成形した構成のものを用いて
いる。また、封止樹脂１６の載置位置は、半導体素子１
５の略中央位置に選定されている。また、封止樹脂１６
の樹脂量は、後述する圧縮成形時において過不足がない
よう正確に秤量されている。
【００８９】以上の処理が終了すると、続いて図示しな
い加圧装置を駆動して、図１０に示すように、上部金型
１１を下部金型１２に当接させる。この時に、加圧プレ
ート２３は上部固定プレート２０に対して変位し、加圧
装置の上プラテン１３と下プラテン１４との間に平行度
のずれが生じていたとしても、上部金型１１と下部金型
１２は高精度な平行度を持って対向した状態となる。そ
して、上部金型１１と下部金型１２とが平行状態となっ
た時点で、バランスロック機構２５がアンロック状態か
らロック状態に切り換わり、よって加圧プレート２３は
下部金型１２（具体的には、インナーダ６０及びアウタ
ーダイ６１）に対し平行状態で移動規制される。
い加圧装置を駆動して、図１０に示すように、上部金型
１１を下部金型１２に当接させる。この時に、加圧プレ
ート２３は上部固定プレート２０に対して変位し、加圧
装置の上プラテン１３と下プラテン１４との間に平行度
のずれが生じていたとしても、上部金型１１と下部金型
１２は高精度な平行度を持って対向した状態となる。そ
して、上部金型１１と下部金型１２とが平行状態となっ
た時点で、バランスロック機構２５がアンロック状態か
らロック状態に切り換わり、よって加圧プレート２３は
下部金型１２（具体的には、インナーダ６０及びアウタ
ーダイ６１）に対し平行状態で移動規制される。
【００９０】上記のように、加圧プレート２３がロック
状態とされると、続いて各ヒータ２９，７１，７２によ
り加圧プレート２３，インナーダ６０，及びアウターダ
イ６１が封止樹脂１６を溶融しうる温度まで昇温したこ
とを確認した上で、更に上部金型１１を下部金型１２に
向け移動させる。この際、加圧プレート２３に吸着され
ているフィルム１７とアウターダイ６１の接触面から封
止樹脂が漏れないよう、油圧シリンダ６５を図中矢印Ｚ
２方向に作用する適正な圧力を与えつつ駆動して、アウ
ターダイ６１及びガイドリング６３も上部金型１１と共
に下動させる（Ｚ１方向に移動させる）。
状態とされると、続いて各ヒータ２９，７１，７２によ
り加圧プレート２３，インナーダ６０，及びアウターダ
イ６１が封止樹脂１６を溶融しうる温度まで昇温したこ
とを確認した上で、更に上部金型１１を下部金型１２に
向け移動させる。この際、加圧プレート２３に吸着され
ているフィルム１７とアウターダイ６１の接触面から封
止樹脂が漏れないよう、油圧シリンダ６５を図中矢印Ｚ
２方向に作用する適正な圧力を与えつつ駆動して、アウ
ターダイ６１及びガイドリング６３も上部金型１１と共
に下動させる（Ｚ１方向に移動させる）。
【００９１】これにより、加熱されることにより軟化し
た封止樹脂１６は圧縮されて半導体素子１５上を広がっ
てゆき、半導体素子１５上には所定膜厚を有したの封止
樹脂１６の薄膜が形成される。この際、前記のように加
圧プレート２３とインナーダ６０との平行度は高く維持
されているため、均一な膜厚とされた封止樹脂１６の薄
膜を形成することができる。
た封止樹脂１６は圧縮されて半導体素子１５上を広がっ
てゆき、半導体素子１５上には所定膜厚を有したの封止
樹脂１６の薄膜が形成される。この際、前記のように加
圧プレート２３とインナーダ６０との平行度は高く維持
されているため、均一な膜厚とされた封止樹脂１６の薄
膜を形成することができる。
【００９２】尚、上部金型１１，アウターダイ６１，及
びガイドリング６３の下動速度が速いと圧縮成形による
圧縮圧が高くなり、半導体素子１５及び突起電極に損傷
が発生することが考えられ、また下動速度が遅いと製造
効率等の低下が発生する。従って、この下動速度は、上
記した相反する問題点が共に発生しない適正な下動速度
に選定されている。
びガイドリング６３の下動速度が速いと圧縮成形による
圧縮圧が高くなり、半導体素子１５及び突起電極に損傷
が発生することが考えられ、また下動速度が遅いと製造
効率等の低下が発生する。従って、この下動速度は、上
記した相反する問題点が共に発生しない適正な下動速度
に選定されている。
【００９３】上記した上部金型１１，アウターダイ６
１，及びガイドリング６３の下動は、クランプされたフ
ィルム１７が半導体素子１５に形成された突起電極に圧
接される状態となるまで行なわれる。よって、この圧接
状態では、突起電極の先端部はフィルム１７にめり込ん
だ状態となる。また、フィルム１７が突起電極に圧接さ
れた状態で、封止樹脂１６は全ての突起電極及び半導体
素子１５を封止するよう構成されている。
１，及びガイドリング６３の下動は、クランプされたフ
ィルム１７が半導体素子１５に形成された突起電極に圧
接される状態となるまで行なわれる。よって、この圧接
状態では、突起電極の先端部はフィルム１７にめり込ん
だ状態となる。また、フィルム１７が突起電極に圧接さ
れた状態で、封止樹脂１６は全ての突起電極及び半導体
素子１５を封止するよう構成されている。
【００９４】上記のように半導体素子１５の上部に封止
樹脂１６の膜が形成されると、続いて離型処理が実施さ
れる。この離型処理では、図１２に示すように、先ず油
圧シリンダ６５を駆動させることにより、インナーダ６
０及びセンターブロック６２に対し、アウターダイ６１
及びガイドリング６３を下動させる。これにより、アウ
ターダイ６１はフィルム１７から離間する。しかるに、
図１２に示す状態では、半導体素子１５及び封止樹脂１
６の膜はインナーダ６０と加圧プレート２３との間にク
ランプされた状態を維持している。
樹脂１６の膜が形成されると、続いて離型処理が実施さ
れる。この離型処理では、図１２に示すように、先ず油
圧シリンダ６５を駆動させることにより、インナーダ６
０及びセンターブロック６２に対し、アウターダイ６１
及びガイドリング６３を下動させる。これにより、アウ
ターダイ６１はフィルム１７から離間する。しかるに、
図１２に示す状態では、半導体素子１５及び封止樹脂１
６の膜はインナーダ６０と加圧プレート２３との間にク
ランプされた状態を維持している。
【００９５】続いて、図１３に示すように、上部金型１
１を下部金型１２に対して上動させる（矢印Ｚ２方向に
移動させる）。これにより、加圧プレート２３はフィル
ム１７から離間し、封止樹脂１６が形成された半導体素
子１５を金型１０から取り出すことが可能となる。そし
て、バランスロック機構２５をアンロック状態に切り換
えると共に、アウターダイ６１及びガイドリング６３を
インナーダ６０及びセンターブロック６２に対して上動
させ、金型１０を図８に示す状態に戻し、次の圧縮成形
に備える。
１を下部金型１２に対して上動させる（矢印Ｚ２方向に
移動させる）。これにより、加圧プレート２３はフィル
ム１７から離間し、封止樹脂１６が形成された半導体素
子１５を金型１０から取り出すことが可能となる。そし
て、バランスロック機構２５をアンロック状態に切り換
えると共に、アウターダイ６１及びガイドリング６３を
インナーダ６０及びセンターブロック６２に対して上動
させ、金型１０を図８に示す状態に戻し、次の圧縮成形
に備える。
【００９６】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、加圧装置に平行度のバラツキ（及び繰り返
し精度）が存在していたとしても、上部金型と下部金型
の平行度を常に高精度に維持することができ、よって薄
く均一な封止樹脂の膜を精度よく形成することができ
る。
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、加圧装置に平行度のバラツキ（及び繰り返
し精度）が存在していたとしても、上部金型と下部金型
の平行度を常に高精度に維持することができ、よって薄
く均一な封止樹脂の膜を精度よく形成することができ
る。
【００９７】また、請求項２記載の発明によれば、加圧
プレートと下部金型との間で発生する摺動を極力防止す
ることができ、加圧プレート及び下部金型に傷が付くこ
とを防止でき、また半導体素子にダメージが印加される
ことも防止できる。また、請求項３記載の発明によれ
ば、ロック状態では常に上部金型と下部金型とが平行度
を保った状態に維持させることができるため、例えば半
導体素子上で封止樹脂の硬化時間のずれに起因して、上
部金型と下部金型との間に傾きを発生させようとする力
が作用したような場合であっても、上部金型と下部金型
との平行度を維持させることができ、封止樹脂の膜厚が
不均一となることを防止することができる。
プレートと下部金型との間で発生する摺動を極力防止す
ることができ、加圧プレート及び下部金型に傷が付くこ
とを防止でき、また半導体素子にダメージが印加される
ことも防止できる。また、請求項３記載の発明によれ
ば、ロック状態では常に上部金型と下部金型とが平行度
を保った状態に維持させることができるため、例えば半
導体素子上で封止樹脂の硬化時間のずれに起因して、上
部金型と下部金型との間に傾きを発生させようとする力
が作用したような場合であっても、上部金型と下部金型
との平行度を維持させることができ、封止樹脂の膜厚が
不均一となることを防止することができる。
【００９８】また、請求項４及び請求項５記載の発明に
よれば、上部固定プレートに対する加圧プレートの変位
を簡単な構成で精度よく規制することが可能となる。ま
た、請求項６記載の発明によれば、ロック時に高圧の油
圧が油圧配管に印加されても変形することはなく、加圧
プレートの変位規制を確実に行うことができる。
よれば、上部固定プレートに対する加圧プレートの変位
を簡単な構成で精度よく規制することが可能となる。ま
た、請求項６記載の発明によれば、ロック時に高圧の油
圧が油圧配管に印加されても変形することはなく、加圧
プレートの変位規制を確実に行うことができる。
【００９９】また、請求項７記載の発明によれば、加圧
プレートを突起電極の高さバラツキに対応した形状とす
ることができ、高さバラツキが存在しても各突起電極を
封止樹脂より確実に露出させることができる。また、請
求項８記載の発明によれば、加圧プレートの破損時にお
いて、容易に部品交換を行うことが可能となる。
プレートを突起電極の高さバラツキに対応した形状とす
ることができ、高さバラツキが存在しても各突起電極を
封止樹脂より確実に露出させることができる。また、請
求項８記載の発明によれば、加圧プレートの破損時にお
いて、容易に部品交換を行うことが可能となる。
【０１００】また、請求項９記載の発明によれば、セン
ターブロックに対するガイドリングの移動を滑らかにす
ることができ、信頼性の高い樹脂封止を行う事ができ
る。また、請求項１０記載の発明によれば、下部金型の
加工精度によることなく、インナーダイとアウターダイ
とを高い平行度を保ったまま移動させることが可能とな
る。
ターブロックに対するガイドリングの移動を滑らかにす
ることができ、信頼性の高い樹脂封止を行う事ができ
る。また、請求項１０記載の発明によれば、下部金型の
加工精度によることなく、インナーダイとアウターダイ
とを高い平行度を保ったまま移動させることが可能とな
る。
【０１０１】また、請求項１１記載の発明によれば、半
導体素子のサイズが変わっても金型全てを交換する必要
はなく、インナーダイとアウターダイを交換するだけで
容易に対応することが可能となる。また、中心位置から
異なる位置で固定した場合に発生する熱膨張の偏りを抑
制でき、熱膨張に容易に対応することができる。また、
請求項１２記載の発明によれば、インナーダイの交換時
において、ガイド凸部とガイド凹部を係合させるだけで
インナーダイとセンターブロックの位置決めが行われる
ため、インナーダイとセンターブロックの位置決め処理
を容易に行うことができる。
導体素子のサイズが変わっても金型全てを交換する必要
はなく、インナーダイとアウターダイを交換するだけで
容易に対応することが可能となる。また、中心位置から
異なる位置で固定した場合に発生する熱膨張の偏りを抑
制でき、熱膨張に容易に対応することができる。また、
請求項１２記載の発明によれば、インナーダイの交換時
において、ガイド凸部とガイド凹部を係合させるだけで
インナーダイとセンターブロックの位置決めが行われる
ため、インナーダイとセンターブロックの位置決め処理
を容易に行うことができる。
【０１０２】また、請求項１３記載の発明によれば、加
熱時にアウターダイとガイドリングとの間に歪みや反り
が発生することはなく、良好な状態で成形処理を行うこ
とができる。更に、請求項１４記載の発明によれば、イ
ンナーダイとアウターダイの隙間を常に所定寸法に維持
することができ、樹脂成形時にこの間隙から樹脂が漏出
することを防止することができる。
熱時にアウターダイとガイドリングとの間に歪みや反り
が発生することはなく、良好な状態で成形処理を行うこ
とができる。更に、請求項１４記載の発明によれば、イ
ンナーダイとアウターダイの隙間を常に所定寸法に維持
することができ、樹脂成形時にこの間隙から樹脂が漏出
することを防止することができる。
【図１】本発明の一実施例である金型の全体構成を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図２】本発明の一実施例である金型を構成する上部金
型を拡大して示す部分切截図である。
型を拡大して示す部分切截図である。
【図３】上部金型に設けられるバランスロック機構の構
成及び動作を説明するための図である（その１）。
成及び動作を説明するための図である（その１）。
【図４】上部金型に設けられるバランスロック機構の構
成及び動作を説明するための図である（その２）。
成及び動作を説明するための図である（その２）。
【図５】本発明の一実施例である金型を構成する上部金
型の変形例を拡大して示す部分切截図である。
型の変形例を拡大して示す部分切截図である。
【図６】本発明の一実施例である金型を構成する下部金
型を拡大して示す部分切截図である。
型を拡大して示す部分切截図である。
【図７】本発明の一実施例である金型を構成する下部金
型を拡大して示す平面図である。
型を拡大して示す平面図である。
【図８】本発明の一実施例である金型の動作を説明する
ための図である（その１）。
ための図である（その１）。
【図９】本発明の一実施例である金型の動作を説明する
ための図である（その２）。
ための図である（その２）。
【図１０】本発明の一実施例である金型の動作を説明す
るための図である（その３）。
るための図である（その３）。
【図１１】本発明の一実施例である金型の動作を説明す
るための図である（その４）。
るための図である（その４）。
【図１２】本発明の一実施例である金型の動作を説明す
るための図である（その５）。
るための図である（その５）。
【図１３】本発明の一実施例である金型の動作を説明す
るための図である（その６）。
るための図である（その６）。
１０ 金型 １１ 上部金型 １２ 下部金型 １３ 上プラテン １４ 下プラテン １５ 半導体素子 １６ 封止樹脂 １７ フィルム ２０ 上部固定プレート ２１ バランサー ２２ ヒートプレート ２３ 加圧プレート ２４ 凸球面ブロック ２５，５０ バランスロック機構 ２６ 凹球面 ２７ 第１の係止アーム ２８ 第２の係止アーム ２９ カートリッジヒータ ３０ スペーサ ３１ 固定ボルト ３５ 駆動装置 ３６ ウェッジロックキー ３７ プランジャー ３８ プランジャーホルダ ３９ ヘッドホルダ ４０，５３ リターンスプリング ４１ 固定部材 ４３ 傾斜面 ４４ テーパ孔 ５１ 油圧シリンダ ５２ 電磁弁 ５４ ヘッド部 ５５ 金属製配管 ５９ ベースブロック ６０ インナーダイ ６１ アウターダイ ６２ センターブロック ６３ ガイドリング ６４ ローラ ６５ 油圧シリンダ ６７ 突起ガイド部 ６８ ネジ孔 ６９ ガイド凹部 ７０ センター固定ボルト ７１ ガイドリング用ヒータ ７２ センターブロック用ヒータ ７３ ローラガイド ７５ 内側受金 ７６ 外側受金 ８０ アジャスタプレート ８１ アジャスタボルト ８２ プレート固定ボルト ８３ ダイ固定用ボルト ８５ 長孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深澤 則雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 濱中 雄三 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 宇野 正 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 松木 浩久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 永重 健一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 上部金型と下部金型の間に半導体素子及
び封止樹脂を介装し、加圧装置を用いて前記封止樹脂を
圧縮成形することにより前記半導体素子上に前記封止樹
脂の膜を成形する半導体装置製造用金型において、 前記上部金型に、 前記加圧装置に固定される上部固定プレートと、 前記封止樹脂を加圧する加圧プレートとを設け、 かつ、前記上部固定プレートに対して前記加圧プレート
が、回転方向及び水平方向に変位可能に支持されたフロ
ーティング構造を有する構成としたことを特徴とする半
導体装置製造用金型。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置製造用金型に
おいて、 前記加圧プレートの前記上部固定プレートに対する回転
中心を、前記加圧プレートの表面中心位置に設けたこと
を特徴とする半導体装置製造用金型。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置製造用
金型において、 前記上部金型に、 前記上部固定プレートに対し前記加圧プレートが変位可
能なロック解除状態と、前記上部固定プレートに対する
前記加圧プレートの変位を規制するロック状態とを切り
換えるバランスロック機構を設けたことを特徴とする半
導体装置製造用金型。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置製造用金型に
おいて、 前記バランスロック機構が、 前記上部固定プレート側に配設され駆動装置により移動
されるキー部材と、 該キー部材に付勢されることにより前記加圧プレートを
押圧し、該加圧プレートの変位を規制するプランジャー
とを具備する構成としたことを特徴とする半導体装置製
造用金型。 - 【請求項５】 請求項３記載の半導体装置製造用金型に
おいて、 前記バランスロック機構が、 前記上部固定プレートに配設された油圧シリンダと、該
油圧シリンダに対する油液の供給量を制御する電磁弁と
を具備する構成とし、 前記油圧シリンダにより前記加圧プレートを押圧するこ
とにより、前記加圧プレートの変位を規制する構成とし
たことを特徴とする半導体装置製造用金型。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置製造用金型に
おいて、 少なくとも、前記油圧シリンダと前記電磁弁とを接続す
る油圧配管を金属製配管としたことを特徴とする半導体
装置製造用金型。 - 【請求項７】 請求項１記載の半導体装置製造用金型に
おいて、 前記上部金型に前記加圧プレートを加熱するヒートプレ
ートを設けると共に、前記加圧プレートと前記ヒートプ
レートとの間に１個ないし複数個のスペーサを介装した
ことを特徴とする半導体装置製造用金型。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置製造用金型に
おいて、 前記ヒートプレートに対して前記加圧プレートが着脱可
能な構成としたことを特徴とする半導体装置製造用金
型。 - 【請求項９】 上部金型と下部金型の間に半導体素子及
び封止樹脂を介装し、加圧装置を用いて前記封止樹脂を
圧縮成形することにより前記半導体素子上に前記封止樹
脂の膜を成形する半導体装置製造用金型において、 前記下部金型に、 前記加圧装置に固定されるベースブロックと、 該ベースブロックに固定されたセンターブロックと、 前記上部金型に設けられた加圧プレートと対向するよ
う、前記センターブロックに配設されるインナーダイ
と、 前記センターブロックを囲繞するよう配設されると共に
前記センターブロックに対し前記加圧装置の加圧方向に
移動可能な構成とされたガイドリングと、 前記上部金型に設けられた加圧プレートと対向するよ
う、前記ガイドリングに配設されるアウターダイとを設
け、 かつ、前記センターブロックの外周と前記ガイドリング
の内周との間に、転動体を配設した構成としたことを特
徴とする半導体装置製造用金型。 - 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置製造用金型
において、 前記センターブロックと前記ガイドリングとの間に形成
される間隙のクリアランス調整を行うクリアランス調整
機構を設けたことを特徴とする半導体装置製造用金型。 - 【請求項１１】 請求項９又は１０記載の半導体装置製
造用金型において、 前記センターブロックに対し、前記インナーダイを中心
の一点で固定する構成としたことを特徴とする半導体装
置製造用金型。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体装置製造用金
型において、 前記インナーダイの底面中心部にガイド凸部を形成する
と共に、前記センターブロックの上面中心部に前記ガイ
ド凸部と対応した形状のガイド凹部を形成したことを特
徴とする半導体装置製造用金型。 - 【請求項１３】 請求項９乃至１２にいずれか１項記載
の半導体装置製造用金型において、 前記アウターダイと前記ガイドリングとを固定する固定
部は、少なくとも加熱時に発生する前記アウターダイと
前記ガイドリングとの熱膨張差量だけ、前記アウターダ
イと前記ガイドリングとを放射方向に相対的変位可能に
固定する構成としたことを特徴とする半導体装置製造用
金型。 - 【請求項１４】 請求項９乃至１３のいずれか１項記載
の半導体装置製造用金型において、 前記インナーダイと前記アウターダイの各々に、独立し
て温度調節機構を設けたことを特徴とする半導体装置製
造用金型。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07287998A JP3490606B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半導体装置製造用金型 |
| KR1019990009175A KR100365350B1 (ko) | 1998-03-20 | 1999-03-18 | 반도체 장치 제조용 금형 및 압축 성형법을 이용한 반도체 장치 제조방법 |
| US09/272,754 US6471501B1 (en) | 1998-03-20 | 1999-03-18 | Mold for fabricating semiconductor devices |
| TW088104268A TW400586B (en) | 1998-03-20 | 1999-03-18 | Mold for fabricating semiconductor device and a method of fabricating a semiconductor device using a molding process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07287998A JP3490606B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半導体装置製造用金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274192A true JPH11274192A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3490606B2 JP3490606B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=13502073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07287998A Expired - Fee Related JP3490606B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半導体装置製造用金型 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6471501B1 (ja) |
| JP (1) | JP3490606B2 (ja) |
| KR (1) | KR100365350B1 (ja) |
| TW (1) | TW400586B (ja) |
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|---|---|
| TW400586B (en) | 2000-08-01 |
| US6471501B1 (en) | 2002-10-29 |
| JP3490606B2 (ja) | 2004-01-26 |
| KR100365350B1 (ko) | 2002-12-18 |
| KR19990078021A (ko) | 1999-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031028 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101107 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101107 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 8 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131107 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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