JPH11271960A - エバネッセント光露光用マスク、被露光物及びこれらを用いた露光装置 - Google Patents
エバネッセント光露光用マスク、被露光物及びこれらを用いた露光装置Info
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- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被露光物からエバネッセント光露光用マスク
を剥離する際に被露光物に対するエバネッセント光露光
用マスクの吸着力を低減することができ、エバネッセン
ト光露光用マスクが被露光物レジスト面に吸着すること
を回避することができるエバネッセント光露光用マス
ク、被露光物及びこれらを用いた露光装置を提供する。 【解決手段】 おもて面に微小開口パターンを有するマ
スクのおもて面を被露光物に対向して配置し、該マスク
裏面から光を照射し、該微小開口パターンから滲み出る
エバネッセント光により、該被露光物に該微小開口パタ
ーンの露光・転写を行うエバネッセント光露光装置を用
いるマスクであって、吸着防止手段を該マスクおもて面
の最表面に有することを特徴とする。
を剥離する際に被露光物に対するエバネッセント光露光
用マスクの吸着力を低減することができ、エバネッセン
ト光露光用マスクが被露光物レジスト面に吸着すること
を回避することができるエバネッセント光露光用マス
ク、被露光物及びこれらを用いた露光装置を提供する。 【解決手段】 おもて面に微小開口パターンを有するマ
スクのおもて面を被露光物に対向して配置し、該マスク
裏面から光を照射し、該微小開口パターンから滲み出る
エバネッセント光により、該被露光物に該微小開口パタ
ーンの露光・転写を行うエバネッセント光露光装置を用
いるマスクであって、吸着防止手段を該マスクおもて面
の最表面に有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は微細加工装置に用い
られるマスク及び露光物、これらを用いた露光装置に関
するものである。
られるマスク及び露光物、これらを用いた露光装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリの大容量化やＣＰＵプロセ
ッサの高速化・大集積化の進展とともに、光リソグラフ
ィーのさらなる微細化は必要不可欠のものとなってい
る。一般に光リソグラフィー装置における微細加工限界
は、用いる光の波長程度である。このため、光リソグラ
フィー装置に用いる光の短波長化が進み、現在は近紫外
線レーザーが用いられ、０．１μｍ程度の微細加工が可
能となっている。
ッサの高速化・大集積化の進展とともに、光リソグラフ
ィーのさらなる微細化は必要不可欠のものとなってい
る。一般に光リソグラフィー装置における微細加工限界
は、用いる光の波長程度である。このため、光リソグラ
フィー装置に用いる光の短波長化が進み、現在は近紫外
線レーザーが用いられ、０．１μｍ程度の微細加工が可
能となっている。
【０００３】このように微細化が進む光リソグラフィー
であるが、０．１μｍ以下の微細加工を行なうために
は、レーザーのさらなる短波長化、その波長域でのレン
ズ開発等解決しなければならない課題も多い。
であるが、０．１μｍ以下の微細加工を行なうために
は、レーザーのさらなる短波長化、その波長域でのレン
ズ開発等解決しなければならない課題も多い。
【０００４】一方、光による０．１μｍ以下の微細加工
を可能にする手段として、近接場光学顕微鏡（以下ＳＮ
ＯＭと略す）の構成を用いた微細加工装置が提案されて
いる。例えば、１００ｎｍ以下の大きさの微小開口から
滲み出るエバネッセント光を用いてレジストに対し、光
波長限界を越える局所的な露光を行なう装置である。し
かしながら、これらのＳＮＯＭ構成のリソグラフィー装
置では、いずれも１本（または数本）の加工プローブで
一筆書きのように微細加工を行なっていく構成であるた
め、あまりスループットが向上しないという問題点を有
していた。
を可能にする手段として、近接場光学顕微鏡（以下ＳＮ
ＯＭと略す）の構成を用いた微細加工装置が提案されて
いる。例えば、１００ｎｍ以下の大きさの微小開口から
滲み出るエバネッセント光を用いてレジストに対し、光
波長限界を越える局所的な露光を行なう装置である。し
かしながら、これらのＳＮＯＭ構成のリソグラフィー装
置では、いずれも１本（または数本）の加工プローブで
一筆書きのように微細加工を行なっていく構成であるた
め、あまりスループットが向上しないという問題点を有
していた。
【０００５】これを解決する一つの方法として、光マス
クに対してプリズムを設け、全反射の角度で光を入射さ
せ、全反射面から滲み出るエバネッセント光を用いて光
マスクのパターンをレジストに対して一括して転写する
という提案がなされている（特開平０８−１７９４９３
号）。
クに対してプリズムを設け、全反射の角度で光を入射さ
せ、全反射面から滲み出るエバネッセント光を用いて光
マスクのパターンをレジストに対して一括して転写する
という提案がなされている（特開平０８−１７９４９３
号）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平０８−１７
９４９３号に記載のプリズムを用いたエバネッセント光
による一括露光装置では、プリズム・マスクとレジスト
面との間隔を１００ｎｍ以下に設定することが重要であ
る。しかしながら、実際はプリズム・マスクや基板の面
精度に限界があり、プリズム・マスク面全面にわたって
レジスト面との間隔を１００ｎｍ以下に設定することが
難しい。また、プリズム・マスクと基板との位置合わせ
に際し、少しでも傾きがあると、やはり、プリズム・マ
スク面全面にわたってレジスト面との間隔を１００ｎｍ
以下に設定することが難しい。
９４９３号に記載のプリズムを用いたエバネッセント光
による一括露光装置では、プリズム・マスクとレジスト
面との間隔を１００ｎｍ以下に設定することが重要であ
る。しかしながら、実際はプリズム・マスクや基板の面
精度に限界があり、プリズム・マスク面全面にわたって
レジスト面との間隔を１００ｎｍ以下に設定することが
難しい。また、プリズム・マスクと基板との位置合わせ
に際し、少しでも傾きがあると、やはり、プリズム・マ
スク面全面にわたってレジスト面との間隔を１００ｎｍ
以下に設定することが難しい。
【０００７】この状態で、プリズム・マスクをレジスト
面に無理に押し付けて密着させようとすると、基板に変
形が生じて露光パターンにむらが生じたり、プリズム・
マスクによりレジストが部分的に押しつぶされてしまっ
たりするという問題点があった。
面に無理に押し付けて密着させようとすると、基板に変
形が生じて露光パターンにむらが生じたり、プリズム・
マスクによりレジストが部分的に押しつぶされてしまっ
たりするという問題点があった。
【０００８】そこで、マスクを弾性体で構成し、レジス
ト面形状に対してならうようにマスクを弾性変形させる
ことにより、マスク全面をレジスト面に密着させる方法
が考えられる。
ト面形状に対してならうようにマスクを弾性変形させる
ことにより、マスク全面をレジスト面に密着させる方法
が考えられる。
【０００９】この方法では、レジスト面上のより細かい
構造にまでマスク面を密着させるためにはマスクをより
薄くすることが望ましく、レジスト面にマスク面を密着
させて露光を行なった後にレジスト面からマスクを剥離
させる場合に、レジスト面に対するマスク面の吸着力の
ためにマスクが破壊してしまったり、レジスト側に吸着
してしまうためにマスクパターンを形成する部材がマス
ク母材から剥がれてしまうことがあり、これが歩留まり
を低下させる要因となる可能性があった。
構造にまでマスク面を密着させるためにはマスクをより
薄くすることが望ましく、レジスト面にマスク面を密着
させて露光を行なった後にレジスト面からマスクを剥離
させる場合に、レジスト面に対するマスク面の吸着力の
ためにマスクが破壊してしまったり、レジスト側に吸着
してしまうためにマスクパターンを形成する部材がマス
ク母材から剥がれてしまうことがあり、これが歩留まり
を低下させる要因となる可能性があった。
【００１０】本発明は前記のような問題点を解決したエ
バネッセント光露光用マスク、被露光物及びこれらを用
いた露光装置を提供することを目的とする。
バネッセント光露光用マスク、被露光物及びこれらを用
いた露光装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記の目的は以下の手段
によって達成される。すなわち、本発明は、おもて面に
微小開口パターンを有するマスクのおもて面を被露光物
に対向して配置し、該マスク裏面から光を照射し、該微
小開口パターンから滲み出るエバネッセント光により、
該被露光物に該微小開口パターンの露光・転写を行うエ
バネッセント光露光装置に用いるマスクであって、吸着
防止手段を該マスクおもて面の最表面に有することを特
徴とするエバネッセント光露光用マスクを提案するもの
であり、またおもて面に微小開口パターンを有するマス
クのおもて面を被露光物に対向して配置し、該マスク裏
面から光を照射し、該微小開口パターンから滲み出るエ
バネッセント光により、該被露光物に該微小開口パター
ンの露光・転写を行うエバネッセント光露光装置に用い
る被露光物であって、吸着防止手段を該被露光物の最表
面に有することを特徴とする被露光物を提案するもので
ある。
によって達成される。すなわち、本発明は、おもて面に
微小開口パターンを有するマスクのおもて面を被露光物
に対向して配置し、該マスク裏面から光を照射し、該微
小開口パターンから滲み出るエバネッセント光により、
該被露光物に該微小開口パターンの露光・転写を行うエ
バネッセント光露光装置に用いるマスクであって、吸着
防止手段を該マスクおもて面の最表面に有することを特
徴とするエバネッセント光露光用マスクを提案するもの
であり、またおもて面に微小開口パターンを有するマス
クのおもて面を被露光物に対向して配置し、該マスク裏
面から光を照射し、該微小開口パターンから滲み出るエ
バネッセント光により、該被露光物に該微小開口パター
ンの露光・転写を行うエバネッセント光露光装置に用い
る被露光物であって、吸着防止手段を該被露光物の最表
面に有することを特徴とする被露光物を提案するもので
ある。
【００１２】本発明は更に、おもて面に微小開口パター
ンを有するマスクのおもて面を被露光物に対向して配置
し、該マスク裏面から光を照射し、該微小開口パターン
から滲み出るエバネッセント光により、該被露光物に該
微小開口パターンの露光・転写を行うエバネッセント光
露光装置であって、該マスクおもて面の最表面と該被露
光物の最表面との間に吸着防止手段を有することを特徴
とするエバネッセント光露光装置を提案するものであ
る。
ンを有するマスクのおもて面を被露光物に対向して配置
し、該マスク裏面から光を照射し、該微小開口パターン
から滲み出るエバネッセント光により、該被露光物に該
微小開口パターンの露光・転写を行うエバネッセント光
露光装置であって、該マスクおもて面の最表面と該被露
光物の最表面との間に吸着防止手段を有することを特徴
とするエバネッセント光露光装置を提案するものであ
る。
【００１３】本発明によれば被露光物からエバネッセン
ト光露光用マスクを剥離する際に被露光物に対するエバ
ネッセント光露光用マスクの吸着力を低減することがで
き、エバネッセント光露光用マスクが被露光物レジスト
面に吸着することを回避することができる。
ト光露光用マスクを剥離する際に被露光物に対するエバ
ネッセント光露光用マスクの吸着力を低減することがで
き、エバネッセント光露光用マスクが被露光物レジスト
面に吸着することを回避することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１５】図１は、本発明のエバネッセント光露光用
マスクを用いた露光装置の構成を表す図面である。
マスクを用いた露光装置の構成を表す図面である。
【００１６】図１において、１０６は本発明の露光用の
マスクとして用いるエバネッセント光露光マスクであ
る。エバネッセント光露光マスク１０６は、マスク母材
１１６、金属薄膜１１２、吸着防止薄膜Ａ１１０から構
成されている。マスク母材１１６上に金属薄膜１１２が
設けられており、金属薄膜１１２には微小開口パターン
１１３が形成されている。さらに、金属薄膜１１２全面
を覆うように吸着防止薄膜Ａ１１０が形成されている。
マスクとして用いるエバネッセント光露光マスクであ
る。エバネッセント光露光マスク１０６は、マスク母材
１１６、金属薄膜１１２、吸着防止薄膜Ａ１１０から構
成されている。マスク母材１１６上に金属薄膜１１２が
設けられており、金属薄膜１１２には微小開口パターン
１１３が形成されている。さらに、金属薄膜１１２全面
を覆うように吸着防止薄膜Ａ１１０が形成されている。
【００１７】エバネッセント光露光用マスク１０６のお
もて面（図１では下側）は圧力調整容器１０５外に、裏
面（図１では上側）は圧力調整容器１０５内に面するよ
うに配置されている。圧力調整容器１０５は内部の圧力
を調整することができるようになっている。
もて面（図１では下側）は圧力調整容器１０５外に、裏
面（図１では上側）は圧力調整容器１０５内に面するよ
うに配置されている。圧力調整容器１０５は内部の圧力
を調整することができるようになっている。
【００１８】被露光物として、基板１０８の表面にレジ
スト１０７を形成し、さらにその上部にレジスト１０７
全面を覆うように吸着防止薄膜Ｂ１０９を形成する。こ
こで、吸着防止薄膜Ａ１１０の表面と吸着防止薄膜Ｂ１
０９の表面とは、親水性・疎水性の親和性に関して互い
に異なる性質のものとなるようにする。吸着防止薄膜Ｂ
１０９／レジスト１０７／基板１０８をステージ１１１
上に取り付け、ステージ１１１を駆動することにより、
エバネッセント光露光用マスク１０６に対する基板１０
８のマスク面内２次元方向の相対位置合わせを行う。次
に、マスク面法線方向にステージ１１１を駆動し、エバ
ネッセント光露光用マスク１０６のおもて面と基板１０
８上のレジスト１０７面とが吸着防止薄膜Ａ１１０、Ｂ
１０９を介して、それらの間隔が全面にわたって１００
ｎｍ以下になるように両者を密着させる。
スト１０７を形成し、さらにその上部にレジスト１０７
全面を覆うように吸着防止薄膜Ｂ１０９を形成する。こ
こで、吸着防止薄膜Ａ１１０の表面と吸着防止薄膜Ｂ１
０９の表面とは、親水性・疎水性の親和性に関して互い
に異なる性質のものとなるようにする。吸着防止薄膜Ｂ
１０９／レジスト１０７／基板１０８をステージ１１１
上に取り付け、ステージ１１１を駆動することにより、
エバネッセント光露光用マスク１０６に対する基板１０
８のマスク面内２次元方向の相対位置合わせを行う。次
に、マスク面法線方向にステージ１１１を駆動し、エバ
ネッセント光露光用マスク１０６のおもて面と基板１０
８上のレジスト１０７面とが吸着防止薄膜Ａ１１０、Ｂ
１０９を介して、それらの間隔が全面にわたって１００
ｎｍ以下になるように両者を密着させる。
【００１９】この後、露光用のレーザー１０１から出射
されるレーザー光１０２をコリメーターレンズ１０３で
平行光にした後、ガラス窓１０４を通し、圧力調整容器
１０５内に導入し、圧力調整容器１０５内に配置された
エバネッセント光露光用マスク１０６に対して裏面（図
１では上側）から照射し、エバネッセント光露光用マス
ク１０６おもて面のマスク母材１１６上の金属薄膜１１
２に形成された微小開口パターン１１３から滲み出すエ
バネッセント光でレジスト１０７の露光を行う。
されるレーザー光１０２をコリメーターレンズ１０３で
平行光にした後、ガラス窓１０４を通し、圧力調整容器
１０５内に導入し、圧力調整容器１０５内に配置された
エバネッセント光露光用マスク１０６に対して裏面（図
１では上側）から照射し、エバネッセント光露光用マス
ク１０６おもて面のマスク母材１１６上の金属薄膜１１
２に形成された微小開口パターン１１３から滲み出すエ
バネッセント光でレジスト１０７の露光を行う。
【００２０】ここで、図２を用い、エバネッセント光に
よる露光の原理を説明する。
よる露光の原理を説明する。
【００２１】図２において、エバネッセント光露光用マ
スク２０８を構成するマスク母材２０１に入射したレー
ザー光２０２は、金属薄膜２０３に形成された微小開口
パターン２０４を照射する。ここで、微小開口パターン
２０４の大きさ（幅）は、レーザー光２０２の波長に比
べて小さく、１００ｎｍ以下である。
スク２０８を構成するマスク母材２０１に入射したレー
ザー光２０２は、金属薄膜２０３に形成された微小開口
パターン２０４を照射する。ここで、微小開口パターン
２０４の大きさ（幅）は、レーザー光２０２の波長に比
べて小さく、１００ｎｍ以下である。
【００２２】通常、波長より小さい大きさの開口を光が
透過することはないが、開口の近傍にはエバネッセント
光２０５と呼ばれる光がわずかに滲み出している。この
光は、開口から約１００ｎｍの距離以下の近傍にのみ存
在する非伝搬光であり、開口から離れるとその強度が急
激に減少する性質のものである。
透過することはないが、開口の近傍にはエバネッセント
光２０５と呼ばれる光がわずかに滲み出している。この
光は、開口から約１００ｎｍの距離以下の近傍にのみ存
在する非伝搬光であり、開口から離れるとその強度が急
激に減少する性質のものである。
【００２３】そこで、このエバネッセント光２０５が滲
み出している微小開口パターン２０４に対して、レジス
ト２０６を１００ｎｍ以下の距離にまで近づける。する
と、このエバネッセント光２０５が吸着防止薄膜Ａ２０
９、Ｂ２１０及びレジスト２０６中で散乱し、レジスト
２０６を露光する。
み出している微小開口パターン２０４に対して、レジス
ト２０６を１００ｎｍ以下の距離にまで近づける。する
と、このエバネッセント光２０５が吸着防止薄膜Ａ２０
９、Ｂ２１０及びレジスト２０６中で散乱し、レジスト
２０６を露光する。
【００２４】ここで、吸着防止薄膜Ａ２０９、Ｂ２１
０、レジスト２０６膜厚が十分薄ければ、レジスト２０
６中でエバネッセント光の散乱は面内（横）方向にあま
り広がることなく、レーザー光２０２の波長より小さい
大きさの微小開口パターン２０４に応じた微小パターン
をレジストに露光・転写することができる。
０、レジスト２０６膜厚が十分薄ければ、レジスト２０
６中でエバネッセント光の散乱は面内（横）方向にあま
り広がることなく、レーザー光２０２の波長より小さい
大きさの微小開口パターン２０４に応じた微小パターン
をレジストに露光・転写することができる。
【００２５】このようにエバネッセント光による露光を
行なった後は、通常のプロセスを用いて基板２０７の加
工を行う。例えば、レジストを現像した後、エッチング
を行うことにより、基板２０７に対して上述の微小開口
パターン２０４に応じた微小パターンを形成する。
行なった後は、通常のプロセスを用いて基板２０７の加
工を行う。例えば、レジストを現像した後、エッチング
を行うことにより、基板２０７に対して上述の微小開口
パターン２０４に応じた微小パターンを形成する。
【００２６】次に、エバネッセント光露光用マスクとレ
ジスト／基板の密着方法の詳細について図１を用いて説
明する。
ジスト／基板の密着方法の詳細について図１を用いて説
明する。
【００２７】エバネッセント光露光用マスク１０６のお
もて面と基板１０８上のレジスト１０７面がともに完全
に平坦であれば、全面にわたって両者を密着させること
が可能である。しかしながら、実際には、マスク面やレ
ジスト／基板面に凹凸やうねりが存在するので、両者を
近づけ、接触させただけでは、密着している部分と非密
着部分が混在する状態になってしまう。
もて面と基板１０８上のレジスト１０７面がともに完全
に平坦であれば、全面にわたって両者を密着させること
が可能である。しかしながら、実際には、マスク面やレ
ジスト／基板面に凹凸やうねりが存在するので、両者を
近づけ、接触させただけでは、密着している部分と非密
着部分が混在する状態になってしまう。
【００２８】そこで、エバネッセント光露光用マスク１
０６の裏面からおもて面方向に向かって圧力を印加する
ことにより、エバネッセント光露光用マスク１０６に弾
性変形による撓みを生じさせ、レジスト１０７／基板１
０８へ押し付けるようにすることにより、全面にわたっ
て密着させることができる。
０６の裏面からおもて面方向に向かって圧力を印加する
ことにより、エバネッセント光露光用マスク１０６に弾
性変形による撓みを生じさせ、レジスト１０７／基板１
０８へ押し付けるようにすることにより、全面にわたっ
て密着させることができる。
【００２９】このような圧力を印加する方法として、図
１に示したように、エバネッセント光露光用マスク１０
６のおもて面を圧力調整容器１０５外側に面するよう
に、裏面を圧力調整容器１０５内側に面するように配置
させ、圧力調整容器内に液体または気体を導入し、圧力
調整容器１０５内が外気圧より高い圧力になるようにす
る。
１に示したように、エバネッセント光露光用マスク１０
６のおもて面を圧力調整容器１０５外側に面するよう
に、裏面を圧力調整容器１０５内側に面するように配置
させ、圧力調整容器内に液体または気体を導入し、圧力
調整容器１０５内が外気圧より高い圧力になるようにす
る。
【００３０】本実施例では、圧力調整容器１０５の内部
をレーザー光１０２に対して透明な液体１１８で満た
す。さらに、圧力調整容器１０５は、シリンダー１１４
に接続されている。ピストン１１７をピストン駆動モー
ター１１５で駆動することにより、圧力調整容器１０５
内部の液体１１８の圧力を調整することができるように
なっている。
をレーザー光１０２に対して透明な液体１１８で満た
す。さらに、圧力調整容器１０５は、シリンダー１１４
に接続されている。ピストン１１７をピストン駆動モー
ター１１５で駆動することにより、圧力調整容器１０５
内部の液体１１８の圧力を調整することができるように
なっている。
【００３１】図１の下方向にピストン１１７を駆動し、
液体１１８の圧力を増大させ、エバネッセント光露光用
マスク１０６のおもて面と基板１０８上のレジスト１０
７面とを吸着防止薄膜Ａ１１０、Ｂ１０９を介して全面
にわたって均一な圧力で密着させる。
液体１１８の圧力を増大させ、エバネッセント光露光用
マスク１０６のおもて面と基板１０８上のレジスト１０
７面とを吸着防止薄膜Ａ１１０、Ｂ１０９を介して全面
にわたって均一な圧力で密着させる。
【００３２】このような方法で圧力の印加を行うと、パ
スカルの原理により、エバネッセント光マスク１０６の
おもて面と基板１０８上のレジスト１０７面との間に作
用する斥力が均一になる。このため、エバネッセント光
露光用マスク１０６や基板１０８上のレジスト１０７面
に対し、局所的に大きな力が加わったりすることがな
く、エバネッセント光露光用マスク１０６や基板１０
８、レジスト１０７が局所的に破壊されたりすることが
なくなるという効果を有する。
スカルの原理により、エバネッセント光マスク１０６の
おもて面と基板１０８上のレジスト１０７面との間に作
用する斥力が均一になる。このため、エバネッセント光
露光用マスク１０６や基板１０８上のレジスト１０７面
に対し、局所的に大きな力が加わったりすることがな
く、エバネッセント光露光用マスク１０６や基板１０
８、レジスト１０７が局所的に破壊されたりすることが
なくなるという効果を有する。
【００３３】このとき、圧力調整容器１０５内の圧力を
調整することにより、エバネッセント光露光用マスク１
０６とレジスト１０７／基板１０８との間に働かせる押
し付け力、すなわち、両者間の密着力を制御することが
できる。例えば、マスク面やレジスト／基板面の凹凸や
うねりがやや大きいときには、圧力調整容器内の圧力を
高めに設定することにより、密着力を増大させ、凹凸や
うねりによるマスク面とレジスト／基板面との間の間隔
ばらつきをなくすようにすることができる。
調整することにより、エバネッセント光露光用マスク１
０６とレジスト１０７／基板１０８との間に働かせる押
し付け力、すなわち、両者間の密着力を制御することが
できる。例えば、マスク面やレジスト／基板面の凹凸や
うねりがやや大きいときには、圧力調整容器内の圧力を
高めに設定することにより、密着力を増大させ、凹凸や
うねりによるマスク面とレジスト／基板面との間の間隔
ばらつきをなくすようにすることができる。
【００３４】ここでは、エバネッセント光露光用マスク
とレジスト／基板を密着させるために、エバネッセント
光露光用マスクの裏面を加圧容器内に配置し、加圧容器
内より低い外気圧との圧力差により、エバネッセント光
露光用マスクの裏面側からおもて面側に圧力が加わるよ
うにした例を示したが、逆の構成として、エバネッセン
ト光マスクのおもて面およびレジスト／基板を減圧容器
内に配置し、減圧容器内より高い外気圧との圧力差によ
り、エバネッセント光マスクの裏面側からおもて面側に
圧力が加わるようにしても良い。いずれにしても、エバ
ネッセント光マスクのおもて面側に比べ、裏面側が高い
圧力となるような圧力差を設けるようにすれば良い。
とレジスト／基板を密着させるために、エバネッセント
光露光用マスクの裏面を加圧容器内に配置し、加圧容器
内より低い外気圧との圧力差により、エバネッセント光
露光用マスクの裏面側からおもて面側に圧力が加わるよ
うにした例を示したが、逆の構成として、エバネッセン
ト光マスクのおもて面およびレジスト／基板を減圧容器
内に配置し、減圧容器内より高い外気圧との圧力差によ
り、エバネッセント光マスクの裏面側からおもて面側に
圧力が加わるようにしても良い。いずれにしても、エバ
ネッセント光マスクのおもて面側に比べ、裏面側が高い
圧力となるような圧力差を設けるようにすれば良い。
【００３５】さて、エバネッセント光露光衆力後におけ
るエバネッセント光露光用マスクとレジスト／基板の剥
離に関しては以下のように行う。
るエバネッセント光露光用マスクとレジスト／基板の剥
離に関しては以下のように行う。
【００３６】ピストン駆動モーター１１５を用いて、ピ
ストン１１７を図１の上方向に駆動することにより、圧
力調整容器１０５内の圧力を外気圧より小さくし、レジ
スト１０７／基板１０８上の吸着防止薄膜Ｂ１０９面か
ら金属薄膜１１２／エバネッセント光露光用マスク１０
６上の吸着防止薄膜Ａ１１０を剥離させる。
ストン１１７を図１の上方向に駆動することにより、圧
力調整容器１０５内の圧力を外気圧より小さくし、レジ
スト１０７／基板１０８上の吸着防止薄膜Ｂ１０９面か
ら金属薄膜１１２／エバネッセント光露光用マスク１０
６上の吸着防止薄膜Ａ１１０を剥離させる。
【００３７】前述したように、吸着防止薄膜Ａ１１０の
表面と吸着防止薄膜Ｂ１０９の表面とは、親水性・疎水
性の親和性に関して互いに異なる性質のものであり、分
子レベルで水素結合等の結合力が生じないので、互いに
なじむことなく大きな吸着力は発生しない。したがっ
て、密着させたレジスト１０７／基板１０８とエバネッ
セント光露光用マスク１０６を剥離させるとき、吸着防
止薄膜Ａ１１０とＢ１０９との間で容易に剥離させられ
る。
表面と吸着防止薄膜Ｂ１０９の表面とは、親水性・疎水
性の親和性に関して互いに異なる性質のものであり、分
子レベルで水素結合等の結合力が生じないので、互いに
なじむことなく大きな吸着力は発生しない。したがっ
て、密着させたレジスト１０７／基板１０８とエバネッ
セント光露光用マスク１０６を剥離させるとき、吸着防
止薄膜Ａ１１０とＢ１０９との間で容易に剥離させられ
る。
【００３８】このように剥離時における吸着力を低減さ
せることにより、エバネッセント光露光用マスク１０６
のマスク母材１１６や微小開口パターン１１３が形成さ
れた金属薄膜１１２、レジスト１０７や基板１０８が破
壊されることを避けることができる。
せることにより、エバネッセント光露光用マスク１０６
のマスク母材１１６や微小開口パターン１１３が形成さ
れた金属薄膜１１２、レジスト１０７や基板１０８が破
壊されることを避けることができる。
【００３９】また、このような方法で圧力の減圧を行な
い、レジスト１０７／基板１０８からのエバネッセント
光露光用マスク１０６の剥離を行う場合、パスカルの原
理により、エバネッセント光露光用マスク１０６のおも
て面と基板１０８上のレジスト１０７面との間に作用す
る引力が均一になる。このため、エバネッセント光露光
用マスク１０６や基板１０８上のレジスト１０７面に対
し、局所的に大きな力が加わったりすることがなく、エ
バネッセント光露光マスク１０６や基板１０８、レジス
ト１０７が剥離時に局所的に破壊されたりすることもな
くなるという効果を有する。
い、レジスト１０７／基板１０８からのエバネッセント
光露光用マスク１０６の剥離を行う場合、パスカルの原
理により、エバネッセント光露光用マスク１０６のおも
て面と基板１０８上のレジスト１０７面との間に作用す
る引力が均一になる。このため、エバネッセント光露光
用マスク１０６や基板１０８上のレジスト１０７面に対
し、局所的に大きな力が加わったりすることがなく、エ
バネッセント光露光マスク１０６や基板１０８、レジス
ト１０７が剥離時に局所的に破壊されたりすることもな
くなるという効果を有する。
【００４０】このとき、圧力調整容器１０５内の圧力を
調整することにより、エバネッセント光露光マスク１０
６とレジスト１０７／基板１０８との間に働く引力、す
なわち、両者の引っ張り力を制御することができる。例
えば、マスク面とレジスト／基板面との間の吸着力が大
きいときには、圧力調整容器内の圧力をより低めに設定
することにより、引っ張り力を増大させ、剥離しやすく
することができる。
調整することにより、エバネッセント光露光マスク１０
６とレジスト１０７／基板１０８との間に働く引力、す
なわち、両者の引っ張り力を制御することができる。例
えば、マスク面とレジスト／基板面との間の吸着力が大
きいときには、圧力調整容器内の圧力をより低めに設定
することにより、引っ張り力を増大させ、剥離しやすく
することができる。
【００４１】前述したように、密着時の圧力印加の装置
構成において、図１とは逆の構成として、エバネッセン
ト光露光用マスクのおもて面およびレジスト／基板を減
圧容器内に配置し、減圧容器内より高い外気圧との圧力
差により、エバネッセント光露光用マスクの裏面側から
おもて面側に圧力が加わるようにした場合は、剥離時に
は、容器内を外気圧より高い圧力にすればよい。
構成において、図１とは逆の構成として、エバネッセン
ト光露光用マスクのおもて面およびレジスト／基板を減
圧容器内に配置し、減圧容器内より高い外気圧との圧力
差により、エバネッセント光露光用マスクの裏面側から
おもて面側に圧力が加わるようにした場合は、剥離時に
は、容器内を外気圧より高い圧力にすればよい。
【００４２】いずれにしても剥離時には、エバネッセン
ト光露光マスクのおもて面側に比べ、裏面側が低い圧力
となるような圧力差を設けるようにすれば良い。
ト光露光マスクのおもて面側に比べ、裏面側が低い圧力
となるような圧力差を設けるようにすれば良い。
【００４３】本発明で用いるエバネッセント光露光用マ
スクの構成を図３に示す。図３ａはマスクのおもて面側
から見た図、図３ｂは断面図である。
スクの構成を図３に示す。図３ａはマスクのおもて面側
から見た図、図３ｂは断面図である。
【００４４】図３に示すように、エバネッセント光露光
用マスクは、０．１〜１００μｍの膜厚の薄膜からなる
マスク母材３０１上に１０〜１００ｎｍの膜厚の金属薄
膜３０２を設け、３００ｎｍ以下の幅の微小開口パター
ン３０３を形成し、さらにその上部に吸着防止用に１〜
１０ｎｍ程度の膜厚の吸着防止薄膜Ａ３０４を形成した
ものである。
用マスクは、０．１〜１００μｍの膜厚の薄膜からなる
マスク母材３０１上に１０〜１００ｎｍの膜厚の金属薄
膜３０２を設け、３００ｎｍ以下の幅の微小開口パター
ン３０３を形成し、さらにその上部に吸着防止用に１〜
１０ｎｍ程度の膜厚の吸着防止薄膜Ａ３０４を形成した
ものである。
【００４５】マスク母材３０１の材料としては、Ｓｉ3
Ｎ4 やＳｉＯ2 等、マスク面法線方向に弾性変形による
撓みを生じることが可能な弾性体からなり、かつ、露光
波長において透明なものを選択する。
Ｎ4 やＳｉＯ2 等、マスク面法線方向に弾性変形による
撓みを生じることが可能な弾性体からなり、かつ、露光
波長において透明なものを選択する。
【００４６】マスク母材３０１の厚さが薄ければ、より
弾性変形しやすく、レジスト／基板表面のより細かな大
きさの凹凸やうねりに対してまでならうように弾性変形
することが可能であるため、より密着性が増すことにな
る。しかしながら、露光面積に対して薄過ぎるとマスク
としての強度が不足したり、密着・露光を行った後、剥
離させる場合にレジスト／基板との間に作用する吸着力
で破壊してしまったりする。
弾性変形しやすく、レジスト／基板表面のより細かな大
きさの凹凸やうねりに対してまでならうように弾性変形
することが可能であるため、より密着性が増すことにな
る。しかしながら、露光面積に対して薄過ぎるとマスク
としての強度が不足したり、密着・露光を行った後、剥
離させる場合にレジスト／基板との間に作用する吸着力
で破壊してしまったりする。
【００４７】以上のことから、マスク母材３０１の厚さ
として、０．１〜１００μｍの範囲にあることが望まし
い。
として、０．１〜１００μｍの範囲にあることが望まし
い。
【００４８】マスク上の微小開口パターンから滲み出す
エバネッセント光強度をなるべく大きくするためには、
微小開口の（マスク面法線方向の）長さを小さくする必
要があり、そのためには、金属薄膜３０２の膜厚はなる
べく薄いことが望ましい。
エバネッセント光強度をなるべく大きくするためには、
微小開口の（マスク面法線方向の）長さを小さくする必
要があり、そのためには、金属薄膜３０２の膜厚はなる
べく薄いことが望ましい。
【００４９】しかしながら、あまり薄いと金属薄膜３０
２が連続膜にならず、微小開口以外のところからも光が
漏れてしまう。したがって、金属薄膜３０２の膜厚とし
ては、１０〜１００ｎｍが望ましい。
２が連続膜にならず、微小開口以外のところからも光が
漏れてしまう。したがって、金属薄膜３０２の膜厚とし
ては、１０〜１００ｎｍが望ましい。
【００５０】また、レジスト／基板に密着する側の金属
薄膜３０２表面が平坦でないと、マスクとレジスト／基
板がうまく密着せず、結果として露光むらを生じてしま
う。このため、金属薄膜３０２表面の凹凸の大きさは、
少なくとも１００ｎｍ以下、望ましくは１０ｎｍ以下と
いう極めて平坦なものである必要がある。
薄膜３０２表面が平坦でないと、マスクとレジスト／基
板がうまく密着せず、結果として露光むらを生じてしま
う。このため、金属薄膜３０２表面の凹凸の大きさは、
少なくとも１００ｎｍ以下、望ましくは１０ｎｍ以下と
いう極めて平坦なものである必要がある。
【００５１】ここで、微小開口パターンの幅は露光に用
いる光の波長より小さく、レジストに対して行う所望の
パターン露光幅とする。具体的には、１〜１００ｎｍの
範囲から選択することが好ましい。微小開口パターンが
１００ｎｍ以上の場合は、本発明の目的とするエバネッ
セント光ばかりでなく、強度的により大きな直接光がマ
スクを透過してしまうことになり好ましくない。また、
１ｎｍ以下の場合は、露光が不可能ではないが、マスク
から滲み出すエバネッセント光強度がきわめて小さくな
り、露光に長時間を要するのであまり実用的でない。
いる光の波長より小さく、レジストに対して行う所望の
パターン露光幅とする。具体的には、１〜１００ｎｍの
範囲から選択することが好ましい。微小開口パターンが
１００ｎｍ以上の場合は、本発明の目的とするエバネッ
セント光ばかりでなく、強度的により大きな直接光がマ
スクを透過してしまうことになり好ましくない。また、
１ｎｍ以下の場合は、露光が不可能ではないが、マスク
から滲み出すエバネッセント光強度がきわめて小さくな
り、露光に長時間を要するのであまり実用的でない。
【００５２】なお、微小開口パターンの幅は１００ｎｍ
以下である必要があるが、長手方向の長さに関しては制
限はなく、自由なパターンを選択することができる。例
えば、図３ａに示したようなカギ型パターンでも良い
し、（図示しないが、）Ｓ字パターンでも良い。
以下である必要があるが、長手方向の長さに関しては制
限はなく、自由なパターンを選択することができる。例
えば、図３ａに示したようなカギ型パターンでも良い
し、（図示しないが、）Ｓ字パターンでも良い。
【００５３】吸着防止薄膜Ａ３０４としては、表面の親
水性・疎水性の親和性に関して後述のレジスト／基板上
の吸着防止薄膜Ｂと逆の性質のものを選択する。
水性・疎水性の親和性に関して後述のレジスト／基板上
の吸着防止薄膜Ｂと逆の性質のものを選択する。
【００５４】例えば、吸着防止薄膜Ｂの表面が親水性を
示す場合、吸着防止薄膜Ａ３０４の表面は疎水性を示す
材料を選択する。一般に表面が疎水性を示す材料として
は、分子中に疎水性を示す官能基である一本以上の長鎖
アルキル基やトリフルオロ基等を有する材料をそれらの
官能基が表面側に来るような状態に分子の配向を制御し
て成膜すれば良い。また、ポリメタクリレート誘導体や
ポリアクリレート誘導体等の水に不溶性の高分子化合物
を成膜しても良い。
示す場合、吸着防止薄膜Ａ３０４の表面は疎水性を示す
材料を選択する。一般に表面が疎水性を示す材料として
は、分子中に疎水性を示す官能基である一本以上の長鎖
アルキル基やトリフルオロ基等を有する材料をそれらの
官能基が表面側に来るような状態に分子の配向を制御し
て成膜すれば良い。また、ポリメタクリレート誘導体や
ポリアクリレート誘導体等の水に不溶性の高分子化合物
を成膜しても良い。
【００５５】逆に、吸着防止薄膜Ｂの表面が疎水性を示
す場合、吸着防止薄膜Ａ３０４の表面は親水性を示す材
料を選択する。一般に表面が親水性を示す材料として
は、分子中に親水性を示す官能基であるカルボキシル基
や硫酸基（ＳＯ3 −）、アミノ基を有する材料をそれら
の官能基が表面側に来るような状態に分子の配向を制御
して成膜すれば良い。
す場合、吸着防止薄膜Ａ３０４の表面は親水性を示す材
料を選択する。一般に表面が親水性を示す材料として
は、分子中に親水性を示す官能基であるカルボキシル基
や硫酸基（ＳＯ3 −）、アミノ基を有する材料をそれら
の官能基が表面側に来るような状態に分子の配向を制御
して成膜すれば良い。
【００５６】これまでは、金属薄膜３０２上に吸着防止
薄膜Ａ３０４を成膜する例を挙げて説明したが、本発明
の範囲はこれに限定されるものでなく、金属薄膜３０２
表面自身の親水性・疎水性の親和性を利用することも本
発明に含まれる。
薄膜Ａ３０４を成膜する例を挙げて説明したが、本発明
の範囲はこれに限定されるものでなく、金属薄膜３０２
表面自身の親水性・疎水性の親和性を利用することも本
発明に含まれる。
【００５７】すなわち、金属薄膜３０２材料として、Ａ
ｕやＰｔ等の表面に酸化膜を作らない材料を選択する
と、金属薄膜３０２の表面は後述の酸化膜を作る金属材
料の場合と異なり親水性になりにくく疎水性を示す。こ
のため、レジスト／基板側の吸着防止薄膜Ｂの表面が親
水性を示す材料である場合、金属薄膜３０２の上側には
吸着防止薄膜Ａを成膜することなく、そのまま、エバネ
ッセント光露光用マスクとして、本発明のエバネッセン
ト光露光装置に用いることができる。
ｕやＰｔ等の表面に酸化膜を作らない材料を選択する
と、金属薄膜３０２の表面は後述の酸化膜を作る金属材
料の場合と異なり親水性になりにくく疎水性を示す。こ
のため、レジスト／基板側の吸着防止薄膜Ｂの表面が親
水性を示す材料である場合、金属薄膜３０２の上側には
吸着防止薄膜Ａを成膜することなく、そのまま、エバネ
ッセント光露光用マスクとして、本発明のエバネッセン
ト光露光装置に用いることができる。
【００５８】また、金属薄膜３０２材料として、Ｃｒや
Ａｌ等の大気中で表面に酸化膜を作る材料を選択する
と、金属薄膜３０２の表面は親水性を示す。このため、
レジスト／基板側の吸着防止薄膜Ｂの表面が疎水性を示
す材料である場合、金属薄膜３０２の上側には吸着防止
薄膜Ａを成膜することなく、そのまま、エバネッセント
光露光用マスクとして、本発明のエバネッセント光露光
装置に用いることができる。
Ａｌ等の大気中で表面に酸化膜を作る材料を選択する
と、金属薄膜３０２の表面は親水性を示す。このため、
レジスト／基板側の吸着防止薄膜Ｂの表面が疎水性を示
す材料である場合、金属薄膜３０２の上側には吸着防止
薄膜Ａを成膜することなく、そのまま、エバネッセント
光露光用マスクとして、本発明のエバネッセント光露光
装置に用いることができる。
【００５９】以上説明したように、エバネッセント光露
光用マスク上金属薄膜とレジスト／基板との間に逆の親
和性の吸着防止薄膜を対にして形成することによりレジ
スト／基板に対するエバネッセント光露光用マスクの吸
着力を低減させることができ、レジスト／基板からエバ
ネッセント光露光用マスクを剥離する際に金属薄膜がレ
ジスト面に吸着しマスク母材から剥がれてしまったり、
マスク母材が破壊したりするのを回避することができ
る。
光用マスク上金属薄膜とレジスト／基板との間に逆の親
和性の吸着防止薄膜を対にして形成することによりレジ
スト／基板に対するエバネッセント光露光用マスクの吸
着力を低減させることができ、レジスト／基板からエバ
ネッセント光露光用マスクを剥離する際に金属薄膜がレ
ジスト面に吸着しマスク母材から剥がれてしまったり、
マスク母材が破壊したりするのを回避することができ
る。
【００６０】本発明のエバネッセント光露光用マスク作
製方法の詳細について、図４を用いて説明する。
製方法の詳細について、図４を用いて説明する。
【００６１】図４ａに示すように、両面研磨された厚さ
５００μｍのＳｉ（１００）基板４０１に対し、ＬＰ−
ＣＶＤ法を用い、表面（図４中では上面）・裏面（図４
中では下面）にそれぞれ、膜厚２μｍのマスク母材用の
Ｓｉ3 Ｎ4 膜４０２・エッチング窓用のＳｉ3 Ｎ4 膜４
０３を成膜する。その後、表面のＳｉ3 Ｎ4 膜４０２上
に、蒸着法により微小開口パターンを形成するための金
属薄膜として、Ｃｒ薄膜４０４を膜厚３０ｎｍ成膜す
る。
５００μｍのＳｉ（１００）基板４０１に対し、ＬＰ−
ＣＶＤ法を用い、表面（図４中では上面）・裏面（図４
中では下面）にそれぞれ、膜厚２μｍのマスク母材用の
Ｓｉ3 Ｎ4 膜４０２・エッチング窓用のＳｉ3 Ｎ4 膜４
０３を成膜する。その後、表面のＳｉ3 Ｎ4 膜４０２上
に、蒸着法により微小開口パターンを形成するための金
属薄膜として、Ｃｒ薄膜４０４を膜厚３０ｎｍ成膜す
る。
【００６２】次に、表面に電子線用のレジスト４０５を
塗布し、電子線ビーム４０６で１０ｎｍ幅の描画パター
ン４０７を形成し（図４ｂ）、現像を行った後、ＣＣｌ
4 でドライエッチングを行い、Ｃｒ薄膜３０４に微小開
口パターン４０８を形成する（図４ｃ）。
塗布し、電子線ビーム４０６で１０ｎｍ幅の描画パター
ン４０７を形成し（図４ｂ）、現像を行った後、ＣＣｌ
4 でドライエッチングを行い、Ｃｒ薄膜３０４に微小開
口パターン４０８を形成する（図４ｃ）。
【００６３】続いて、裏面のＳｉ3 Ｎ4 膜４０３にエッ
チング用の窓４０９を形成し（図４ｃ）、Ｓｉ基板４０
１に対し、ＫＯＨを用いて裏面から異方性エッチングを
行い、薄膜状のマスク４１０を形成する（図４ｄ）。
チング用の窓４０９を形成し（図４ｃ）、Ｓｉ基板４０
１に対し、ＫＯＨを用いて裏面から異方性エッチングを
行い、薄膜状のマスク４１０を形成する（図４ｄ）。
【００６４】続いて、後に詳述するＬＢ（Langmuir Blo
dgett ）法を用い、薄膜状のマスク４１０のおもて面に
吸着防止薄膜Ａ４１１として、オクタデシルアミンのよ
うなアルキルアミンの単分子膜を成膜し、上面が疎水性
を示す面となるようにした後（図４ｅ）、マスク支持部
材４１２に接着し、エバネッセント光露光用マスクとす
る（図４ｆ）。
dgett ）法を用い、薄膜状のマスク４１０のおもて面に
吸着防止薄膜Ａ４１１として、オクタデシルアミンのよ
うなアルキルアミンの単分子膜を成膜し、上面が疎水性
を示す面となるようにした後（図４ｅ）、マスク支持部
材４１２に接着し、エバネッセント光露光用マスクとす
る（図４ｆ）。
【００６５】本実施例では、薄膜状のマスク４１０のお
もて面に、表面の親和性を制御した吸着防止薄膜Ａを形
成する方法として、ＬＢ法を用いた例を示した。
もて面に、表面の親和性を制御した吸着防止薄膜Ａを形
成する方法として、ＬＢ法を用いた例を示した。
【００６６】ＬＢ法は水面上に配向させた有機材料の単
分子膜を基板上に累積する超薄膜の作製法であり、この
方法によって形成された超薄膜をＬＢ膜と呼ぶ。以下に
ＬＢ法について説明する。
分子膜を基板上に累積する超薄膜の作製法であり、この
方法によって形成された超薄膜をＬＢ膜と呼ぶ。以下に
ＬＢ法について説明する。
【００６７】一分子内に飽和・不飽和炭化水素基、縮合
多環芳香族基等の疎水性を示す部位と、カルボキシル
基、エステル基等の親水性を示す部位とを有する両親媒
性有機化合物をクロロホルム、ベンゼン等の溶剤に溶解
させる。図５に示す装置を用いて、この溶液を水相５０
１上に展開させる。このとき、有機化合物分子５０４は
水相表面側（下側）に分子中の親水性の部位５０５を向
け、逆側（上側）に疎水性の部位５０６を向けるように
水相（５０１）表面上で膜状に展開する（図５ａ）。
多環芳香族基等の疎水性を示す部位と、カルボキシル
基、エステル基等の親水性を示す部位とを有する両親媒
性有機化合物をクロロホルム、ベンゼン等の溶剤に溶解
させる。図５に示す装置を用いて、この溶液を水相５０
１上に展開させる。このとき、有機化合物分子５０４は
水相表面側（下側）に分子中の親水性の部位５０５を向
け、逆側（上側）に疎水性の部位５０６を向けるように
水相（５０１）表面上で膜状に展開する（図５ａ）。
【００６８】この展開膜５０２が水相５０１上を自由に
拡散して広がりすぎないように仕切り板（又は浮子）５
０３を設け、展開膜５０２の展開面積を制限して有機化
合物分子５０４の集合状態を制御し、その集合状態に対
応する表面圧を検知する。仕切り板５０３を動かすこと
により展開面積を縮小して有機化合物分子５０４の集合
状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、膜の製造に適
する値の表面圧に設定することができる（図５ｂ）。こ
の表面圧を維持しながら、図６に示すように表面が清浄
で疎水性の基板６０３を垂直に静かに下降（図６ｂ）、
又は下降後上昇（図６ｃ）させることにより有機化合物
の単分子膜６０１またはその累積膜６０２が基板６０３
上に移し取られる。このような単分子膜６０１は図８ｂ
に模式的に示す如く最表面で親水性部位５０５を外側
（図８では上方）に向け分子が秩序正しく配列した膜で
ある。
拡散して広がりすぎないように仕切り板（又は浮子）５
０３を設け、展開膜５０２の展開面積を制限して有機化
合物分子５０４の集合状態を制御し、その集合状態に対
応する表面圧を検知する。仕切り板５０３を動かすこと
により展開面積を縮小して有機化合物分子５０４の集合
状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、膜の製造に適
する値の表面圧に設定することができる（図５ｂ）。こ
の表面圧を維持しながら、図６に示すように表面が清浄
で疎水性の基板６０３を垂直に静かに下降（図６ｂ）、
又は下降後上昇（図６ｃ）させることにより有機化合物
の単分子膜６０１またはその累積膜６０２が基板６０３
上に移し取られる。このような単分子膜６０１は図８ｂ
に模式的に示す如く最表面で親水性部位５０５を外側
（図８では上方）に向け分子が秩序正しく配列した膜で
ある。
【００６９】単分子膜６０１は以上のように製造される
が、前記の操作を所定の回数繰り返すことにより所定の
累積数（＝層数）の累積膜が形成される。図８ｃに最表
面で疎水性部位５０６を外側に向けた累積数２（＝２
層）の累積膜８０１の例を示す。
が、前記の操作を所定の回数繰り返すことにより所定の
累積数（＝層数）の累積膜が形成される。図８ｃに最表
面で疎水性部位５０６を外側に向けた累積数２（＝２
層）の累積膜８０１の例を示す。
【００７０】また、本実施例に示したように、薄膜状の
マスク４１０のおもて面のＣｒ薄膜３０４上にＬＢ膜を
形成する場合、大気中でＣｒ薄膜３０４表面には自然酸
化膜が形成されているため、表面が親水性を示す。
マスク４１０のおもて面のＣｒ薄膜３０４上にＬＢ膜を
形成する場合、大気中でＣｒ薄膜３０４表面には自然酸
化膜が形成されているため、表面が親水性を示す。
【００７１】基板６０３表面が親水性の基板上にＬＢ膜
を形成するためには、図７に示すように基板を水相７０
１中に沈めた後、水相７０１表面上に単分子膜７０２を
形成し（図７ａ）、基板７０３を垂直に静かに上昇させ
ることにより（図７ｂ）、有機化合物の単分子膜７０２
を基板７０３上に移し取る。このような単分子膜７０１
は、図８ａに示すように、最表面で疎水性部位５０６を
外側（図８では上方）に向け分子が秩序正しく配列した
膜である。
を形成するためには、図７に示すように基板を水相７０
１中に沈めた後、水相７０１表面上に単分子膜７０２を
形成し（図７ａ）、基板７０３を垂直に静かに上昇させ
ることにより（図７ｂ）、有機化合物の単分子膜７０２
を基板７０３上に移し取る。このような単分子膜７０１
は、図８ａに示すように、最表面で疎水性部位５０６を
外側（図８では上方）に向け分子が秩序正しく配列した
膜である。
【００７２】また、ここでは図示しないが、ＬＢ法によ
る成膜の工程中で、基板が水相中に沈んだ状態で水相上
の単分子膜を取り除いて後、基板を引き上げることによ
り、最表面に親水性部位を外側に向けた膜を形成するこ
とができる。
る成膜の工程中で、基板が水相中に沈んだ状態で水相上
の単分子膜を取り除いて後、基板を引き上げることによ
り、最表面に親水性部位を外側に向けた膜を形成するこ
とができる。
【００７３】以上に示したように、ＬＢ膜では有機化合
物分子の選択および累積数により最表面の親水性・疎水
性の親和性を変化させることができる。
物分子の選択および累積数により最表面の親水性・疎水
性の親和性を変化させることができる。
【００７４】上記では薄膜状のマスク４１０のおもて面
に表面の親和性を制御した吸着防止薄膜Ａを形成する方
法として、ＬＢ法を用いた例を示したが、表面の親和性
を制御した吸着防止薄膜Ａの第２の形成方法として、自
己組織化単分子膜（ＳＡＭ：Self Assemble Monolayer
）形成法が挙げられる。
に表面の親和性を制御した吸着防止薄膜Ａを形成する方
法として、ＬＢ法を用いた例を示したが、表面の親和性
を制御した吸着防止薄膜Ａの第２の形成方法として、自
己組織化単分子膜（ＳＡＭ：Self Assemble Monolayer
）形成法が挙げられる。
【００７５】ＳＡＭ形成法は、図９に示すように溶液中
で、基板に対して一分子層だけ物理吸着あるいは化学結
合することにより基板上に単分子膜を形成する方法であ
る。
で、基板に対して一分子層だけ物理吸着あるいは化学結
合することにより基板上に単分子膜を形成する方法であ
る。
【００７６】ＳＡＭ形成法の具体例は以下のとおりであ
る。薄膜状のマスク４１０を構成する金属薄膜として、
上記のＣｒ薄膜４０４の代わりにＡｕ薄膜を形成する。
図９に示すように、オクタデシルメルカプタンを濃度１
ｍＭに溶かしたエタノール溶液９０２中に、薄膜状のマ
スク４１０を基板９０３として浸潤させ常温で１２時間
置く。これにより、Ａｕ原子とオクタデシルメルカプタ
ン分子中のＳ原子との間に化学結合９０５が生じ、Ａｕ
薄膜９０４の表面がオクタデシルメルカプタン分子９０
１で覆われる。このとき、オクタデシルメルカプタン分
子は疎水性末端であるメチル基を基板に対して反対側に
向けて秩序正しく配列した単分子膜を形成するため、基
板の最表面が疎水性を示すようにできる。
る。薄膜状のマスク４１０を構成する金属薄膜として、
上記のＣｒ薄膜４０４の代わりにＡｕ薄膜を形成する。
図９に示すように、オクタデシルメルカプタンを濃度１
ｍＭに溶かしたエタノール溶液９０２中に、薄膜状のマ
スク４１０を基板９０３として浸潤させ常温で１２時間
置く。これにより、Ａｕ原子とオクタデシルメルカプタ
ン分子中のＳ原子との間に化学結合９０５が生じ、Ａｕ
薄膜９０４の表面がオクタデシルメルカプタン分子９０
１で覆われる。このとき、オクタデシルメルカプタン分
子は疎水性末端であるメチル基を基板に対して反対側に
向けて秩序正しく配列した単分子膜を形成するため、基
板の最表面が疎水性を示すようにできる。
【００７７】逆に、基板の最表面が親水性を示すように
するためには、分子中に親水性の部位を持つ分子を親水
性部位を外側に向けて基板に対して吸着・結合を起こす
ような基板と分子の組み合わせを選択すれば良い。
するためには、分子中に親水性の部位を持つ分子を親水
性部位を外側に向けて基板に対して吸着・結合を起こす
ような基板と分子の組み合わせを選択すれば良い。
【００７８】以上示したように、ＳＡＭ形成法では分子
・基板の組み合わせ・選択により最表面の親水性・疎水
性の親和性を変化させることができる。
・基板の組み合わせ・選択により最表面の親水性・疎水
性の親和性を変化させることができる。
【００７９】表面の親和性を制御した吸着防止薄膜Ａの
第３の形成方法として、気相吸着法が挙げられる。
第３の形成方法として、気相吸着法が挙げられる。
【００８０】気相吸着法は、図１０に示すように気相中
で、基板に対して物理吸着あるいは化学結合することに
より基板上に分子膜を形成する方法である。
で、基板に対して物理吸着あるいは化学結合することに
より基板上に分子膜を形成する方法である。
【００８１】気相吸着法の具体例は以下のとおりであ
る。薄膜状のマスク４１０を構成する金属薄膜として、
上記のＣｒ薄膜４０４の代わりにスパッタ法やＣＶＤ法
を用いて、Ａｕ／Ｓｉ混合薄膜を形成した後、ＨＦによ
る水素終端化処理を行う。図１０に示すように、シラン
カップリング材料の一つであるヘキサメチルジシラザン
１００１を入れた容器及び基板１００３として薄膜状の
マスク４１０を密閉容器中に入れ、密閉容器内を５０℃
に温めて１２時間置く。これにより、ヘキサメチルジシ
ラザン分子１００２が蒸発し、気体となって基板１００
３上に吸着する。基板１００３のＡｕ／Ｓｉ混合薄膜表
面のＳｉ原子とヘキサメチルジシラザン分子中のＳｉ原
子との間に化学結合１００５が生じ、Ａｕ薄膜９０４の
表面がヘキサメチルジシラザン由来のトリメチル基９０
１で覆われる。このとき、疎水性のトリメチル基を基板
に対して反対側に向けて秩序正しく配列した分子膜を形
成するため、基板の最表面が疎水性を示すようにでき
る。
る。薄膜状のマスク４１０を構成する金属薄膜として、
上記のＣｒ薄膜４０４の代わりにスパッタ法やＣＶＤ法
を用いて、Ａｕ／Ｓｉ混合薄膜を形成した後、ＨＦによ
る水素終端化処理を行う。図１０に示すように、シラン
カップリング材料の一つであるヘキサメチルジシラザン
１００１を入れた容器及び基板１００３として薄膜状の
マスク４１０を密閉容器中に入れ、密閉容器内を５０℃
に温めて１２時間置く。これにより、ヘキサメチルジシ
ラザン分子１００２が蒸発し、気体となって基板１００
３上に吸着する。基板１００３のＡｕ／Ｓｉ混合薄膜表
面のＳｉ原子とヘキサメチルジシラザン分子中のＳｉ原
子との間に化学結合１００５が生じ、Ａｕ薄膜９０４の
表面がヘキサメチルジシラザン由来のトリメチル基９０
１で覆われる。このとき、疎水性のトリメチル基を基板
に対して反対側に向けて秩序正しく配列した分子膜を形
成するため、基板の最表面が疎水性を示すようにでき
る。
【００８２】逆に、基板の最表面が親水性を示すように
するためには、分子中に親水性の部位を持つ分子を親水
性部位を外側に向けて基板に対して結合するような基板
と分子の組み合わせを選択すれば良い。
するためには、分子中に親水性の部位を持つ分子を親水
性部位を外側に向けて基板に対して結合するような基板
と分子の組み合わせを選択すれば良い。
【００８３】以上示したように、気相吸着法では分子・
基板の組み合わせ・選択により最表面の親水性・疎水性
の親和性を変化させることができる。
基板の組み合わせ・選択により最表面の親水性・疎水性
の親和性を変化させることができる。
【００８４】本発明のエバネッセント光露光装置に適用
する被加工用の基板１０８として、Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ等の半導体基板や、ガラス、石英、ＢＮ等絶縁性基
板、それらの基板上に金属や酸化物、窒化物等を成膜し
たものなど広く用いることができる。
する被加工用の基板１０８として、Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ等の半導体基板や、ガラス、石英、ＢＮ等絶縁性基
板、それらの基板上に金属や酸化物、窒化物等を成膜し
たものなど広く用いることができる。
【００８５】ただし、本発明のエバネッセント光露光装
置では、エバネッセント光露光用マスク１０６とレジス
ト１０７／基板１０８とを露光領域全域にわたって、少
なくとも１００ｎｍ以下、望ましくは１０ｎｍ以下の間
隔になるよう密着させることが重要である。したがっ
て、基板としては、なるべく平坦なものを選択する必要
がある。
置では、エバネッセント光露光用マスク１０６とレジス
ト１０７／基板１０８とを露光領域全域にわたって、少
なくとも１００ｎｍ以下、望ましくは１０ｎｍ以下の間
隔になるよう密着させることが重要である。したがっ
て、基板としては、なるべく平坦なものを選択する必要
がある。
【００８６】同様に、本発明で用いるレジスト１０７も
表面の凹凸が小さく平坦である必要がある。また、エバ
ネッセント光露光用マスク１０６から滲み出た光は、マ
スクから距離が遠ざかるにつれて指数関数的に減衰する
ため、レジスト１０７に対して１００ｎｍ以上の深いと
ころまで露光しにくいこと、及び、散乱されるようにレ
ジスト中に広がり、露光パターン幅を広げることになる
ことを考慮すると、レジスト１０７の厚さは、少なくと
も１００ｎｍ以下で、さらにできるだけ薄い必要があ
る。
表面の凹凸が小さく平坦である必要がある。また、エバ
ネッセント光露光用マスク１０６から滲み出た光は、マ
スクから距離が遠ざかるにつれて指数関数的に減衰する
ため、レジスト１０７に対して１００ｎｍ以上の深いと
ころまで露光しにくいこと、及び、散乱されるようにレ
ジスト中に広がり、露光パターン幅を広げることになる
ことを考慮すると、レジスト１０７の厚さは、少なくと
も１００ｎｍ以下で、さらにできるだけ薄い必要があ
る。
【００８７】以上から、レジスト材料・コーティング方
法として、少なくとも１００ｎｍ以下、望ましくは１０
ｎｍ以下の膜厚であって、かつ、レジスト表面の凹凸の
大きさが少なくとも１００ｎｍ以下、望ましくは１０ｎ
ｍ以下という極めて平坦なものであるような材料・コー
ティング方法を用いる必要がある。
法として、少なくとも１００ｎｍ以下、望ましくは１０
ｎｍ以下の膜厚であって、かつ、レジスト表面の凹凸の
大きさが少なくとも１００ｎｍ以下、望ましくは１０ｎ
ｍ以下という極めて平坦なものであるような材料・コー
ティング方法を用いる必要がある。
【００８８】このような条件をみたすものとして、普通
用いられるような光レジスト材料をなるべく粘性が低く
なるように溶媒に溶かし、スピンコートで極めて薄くか
つ均一厚さになるようコーティングしてもよい。
用いられるような光レジスト材料をなるべく粘性が低く
なるように溶媒に溶かし、スピンコートで極めて薄くか
つ均一厚さになるようコーティングしてもよい。
【００８９】また、他の光レジスト材料コーティング方
法として、一分子中に疎水基、親水基官能基を有する両
親媒性光レジスト材料分子を水面上に並べた単分子膜を
所定の回数、基板上にすくい取ることにより、基板上に
単分子膜の累積膜を形成するＬＢ法を用いても良い。
法として、一分子中に疎水基、親水基官能基を有する両
親媒性光レジスト材料分子を水面上に並べた単分子膜を
所定の回数、基板上にすくい取ることにより、基板上に
単分子膜の累積膜を形成するＬＢ法を用いても良い。
【００９０】また、溶液中や気相中で、基板に対して、
一分子層だけ物理吸着あるいは化学結合することにより
基板上に光レジスト材料の単分子膜を形成する自己配向
単分子膜（ＳＡＭ）形成法を用いても良い。
一分子層だけ物理吸着あるいは化学結合することにより
基板上に光レジスト材料の単分子膜を形成する自己配向
単分子膜（ＳＡＭ）形成法を用いても良い。
【００９１】これらのコーティング方法のうち、後者の
ＬＢ法やＳＡＭ形成法は極めて薄いレジスト膜を均一な
厚さで、しかも表面の平坦性よく形成することができる
ため、本発明のエバネッセント光露光装置にきわめて適
した光レジスト材料のコーティング方法である。
ＬＢ法やＳＡＭ形成法は極めて薄いレジスト膜を均一な
厚さで、しかも表面の平坦性よく形成することができる
ため、本発明のエバネッセント光露光装置にきわめて適
した光レジスト材料のコーティング方法である。
【００９２】図１１に示すように、基板１１０１上のレ
ジスト１１０２に対し、さらに前述のＬＢ法やＳＡＭ形
成法、気相吸着法を用いて、吸着防止薄膜Ｂ１１０３を
成膜し、上面がエバネッセント光露光用マスクのおもて
面上に形成された吸着防止薄膜Ａの表面の親水性・疎水
性の親和性と逆の親和性を示す面となるようにする。
ジスト１１０２に対し、さらに前述のＬＢ法やＳＡＭ形
成法、気相吸着法を用いて、吸着防止薄膜Ｂ１１０３を
成膜し、上面がエバネッセント光露光用マスクのおもて
面上に形成された吸着防止薄膜Ａの表面の親水性・疎水
性の親和性と逆の親和性を示す面となるようにする。
【００９３】例えば、エバネッセント光露光用マスクの
おもて面上の吸着防止薄膜Ａの最表面が疎水性である場
合は、レジスト／基板上の吸着防止薄膜Ｂの最表面が親
水性となるように、吸着防止薄膜Ａの最表面が親水性で
ある場合は、吸着防止薄膜Ｂの最表面が疎水性となるよ
うに、対に密着し合う吸着防止薄膜Ａ、Ｂの最表面が逆
の親和性となるように吸着防止薄膜材料を選択すれば良
い。
おもて面上の吸着防止薄膜Ａの最表面が疎水性である場
合は、レジスト／基板上の吸着防止薄膜Ｂの最表面が親
水性となるように、吸着防止薄膜Ａの最表面が親水性で
ある場合は、吸着防止薄膜Ｂの最表面が疎水性となるよ
うに、対に密着し合う吸着防止薄膜Ａ、Ｂの最表面が逆
の親和性となるように吸着防止薄膜材料を選択すれば良
い。
【００９４】これまでは、レジスト１１０２／基板１１
０１上に吸着防止薄膜Ｂ１１０３を成膜する例を挙げて
説明したが、本発明の範囲はこれに限定されるものでは
なく、レジスト１１０２表面自身の親水性・疎水性の親
和性を利用することも本発明に含まれる。
０１上に吸着防止薄膜Ｂ１１０３を成膜する例を挙げて
説明したが、本発明の範囲はこれに限定されるものでは
なく、レジスト１１０２表面自身の親水性・疎水性の親
和性を利用することも本発明に含まれる。
【００９５】すなわち、例えばＲＤ２０００（日立化成
社製）のように表面が疎水性を示すレジスト１１０２を
用いた場合、エバネッセント光露光用マスク側の吸着防
止薄膜Ａの表面が親水性を示す材料であれば、レジスト
１１０２／基板１１０１上には吸着防止薄膜Ｂを成膜す
ることなく、そのまま被加工用のレジスト／基板とし
て、本発明のエバネッセント光露光装置に用いることが
できる。
社製）のように表面が疎水性を示すレジスト１１０２を
用いた場合、エバネッセント光露光用マスク側の吸着防
止薄膜Ａの表面が親水性を示す材料であれば、レジスト
１１０２／基板１１０１上には吸着防止薄膜Ｂを成膜す
ることなく、そのまま被加工用のレジスト／基板とし
て、本発明のエバネッセント光露光装置に用いることが
できる。
【００９６】同様に、例えばＡＺ１５００（ヘキスト社
製）のように表面が親水性を示すレジスト１１０２を用
いた場合、エバネッセント光露光用マスク側の吸着防止
薄膜Ａの表面が疎水性を示す材料であれば、レジスト１
１０２／基板１１０１上には吸着防止薄膜Ｂを成膜する
ことなく、そのまま被加工用のレジスト／基板として、
本発明のエバネッセント光露光装置に用いることができ
る。
製）のように表面が親水性を示すレジスト１１０２を用
いた場合、エバネッセント光露光用マスク側の吸着防止
薄膜Ａの表面が疎水性を示す材料であれば、レジスト１
１０２／基板１１０１上には吸着防止薄膜Ｂを成膜する
ことなく、そのまま被加工用のレジスト／基板として、
本発明のエバネッセント光露光装置に用いることができ
る。
【００９７】エバネッセント光露光においては、露光領
域全面にわたりエバネッセント光露光用マスク１０６と
レジスト１０７／基板１０８の間隔が１００ｎｍ以下で
しかもばらつきなく一定に保たれている必要がある。
域全面にわたりエバネッセント光露光用マスク１０６と
レジスト１０７／基板１０８の間隔が１００ｎｍ以下で
しかもばらつきなく一定に保たれている必要がある。
【００９８】このため、エバネッセント光露光に用いる
基板としては、他のリソグラフィープロセスを経て、す
でに凹凸を有するパターンが形成され、基板表面に１０
０ｎｍ以上の凹凸があるものは好ましくない。
基板としては、他のリソグラフィープロセスを経て、す
でに凹凸を有するパターンが形成され、基板表面に１０
０ｎｍ以上の凹凸があるものは好ましくない。
【００９９】したがって、エバネッセント光露光には、
他のプロセスをあまり経ていない、プロセスの初期の段
階のできるだけ平坦な基板が望ましい。したがって、エ
バネッセント光露光プロセスと他のリソグラフィープロ
セスを組み合わせる場合も、エバネッセント光露光プロ
セスをできるだけ、初めに行うようにするのが望まし
い。
他のプロセスをあまり経ていない、プロセスの初期の段
階のできるだけ平坦な基板が望ましい。したがって、エ
バネッセント光露光プロセスと他のリソグラフィープロ
セスを組み合わせる場合も、エバネッセント光露光プロ
セスをできるだけ、初めに行うようにするのが望まし
い。
【０１００】また、図３において、エバネッセント光露
光用マスク上の微小開口３０４から滲み出すエバネッセ
ント光３０５の強度は、微小開口３０４の大きさによっ
て異なるので、微小開口の大きさがまちまちであると、
レジスト３０６に対する露光の程度にばらつきが生じて
しまい、均一なパターン形成が難しくなる。そこで、こ
れを避けるために、一回のエバネッセント光露光プロセ
スで用いるエバネッセント光露光用マスク上の金属パタ
ーンの微小開口パターンの幅を揃える必要がある。
光用マスク上の微小開口３０４から滲み出すエバネッセ
ント光３０５の強度は、微小開口３０４の大きさによっ
て異なるので、微小開口の大きさがまちまちであると、
レジスト３０６に対する露光の程度にばらつきが生じて
しまい、均一なパターン形成が難しくなる。そこで、こ
れを避けるために、一回のエバネッセント光露光プロセ
スで用いるエバネッセント光露光用マスク上の金属パタ
ーンの微小開口パターンの幅を揃える必要がある。
【０１０１】以上の説明では、基板全面に対応するエバ
ネッセント光露光用マスクを用い、基板全面に一括でエ
バネッセント光露光を行う装置について説明を行った。
本発明の概念はこれに限定されるものでなく、基板より
小さなエバネッセント光露光用マスクを用い、基板の一
部分に対するエバネッセント光露光を行うことを基板上
の露光位置を変えて繰り返し行うステップ・アンド・リ
ピート方式の装置としても良い。
ネッセント光露光用マスクを用い、基板全面に一括でエ
バネッセント光露光を行う装置について説明を行った。
本発明の概念はこれに限定されるものでなく、基板より
小さなエバネッセント光露光用マスクを用い、基板の一
部分に対するエバネッセント光露光を行うことを基板上
の露光位置を変えて繰り返し行うステップ・アンド・リ
ピート方式の装置としても良い。
【０１０２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
微小開口パターンを形成したエバネッセント光露光用マ
スクの微小開口パターンから滲み出したエバネッセント
光で被露光物に露光を行う露光装置において、エバネッ
セント光露光用マスク上金属薄膜とレジスト／基板との
間に吸着防止薄膜を対にして形成することにより、被露
光物に対するエバネッセント光露光用マスクの吸着力を
低減させることができ、エバネッセント光露光用マスク
を剥離する際にマスクパターンが被露光物面に吸着しマ
スク母材から剥がれてしまったり、マスク母材が破壊し
たりすることを回避することができたため、歩留まりが
向上した。
微小開口パターンを形成したエバネッセント光露光用マ
スクの微小開口パターンから滲み出したエバネッセント
光で被露光物に露光を行う露光装置において、エバネッ
セント光露光用マスク上金属薄膜とレジスト／基板との
間に吸着防止薄膜を対にして形成することにより、被露
光物に対するエバネッセント光露光用マスクの吸着力を
低減させることができ、エバネッセント光露光用マスク
を剥離する際にマスクパターンが被露光物面に吸着しマ
スク母材から剥がれてしまったり、マスク母材が破壊し
たりすることを回避することができたため、歩留まりが
向上した。
【図１】本発明のエバネッセント光露光用マスクを用い
た露光装置の構成を表す図である。
た露光装置の構成を表す図である。
【図２】エバネッセント光による露光原理の説明図であ
る。
る。
【図３】図３（ａ）はエバネッセント光露光用マスクの
構成を示す上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の断
面図である。
構成を示す上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の断
面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｆ）はエバネッセント光露光用
マスク作製方法の工程を示す断面図である。
マスク作製方法の工程を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）はＬＢ法における単分子膜
または累積膜の移し取りの工程の初期の段階を示す説明
図である。
または累積膜の移し取りの工程の初期の段階を示す説明
図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）はＬＢ法における単分子膜
または累積膜の基板上への移し取り工程を示す説明図で
ある。
または累積膜の基板上への移し取り工程を示す説明図で
ある。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）はＬＢ法における単分子膜
の親水性基板への移し取りの説明図である。
の親水性基板への移し取りの説明図である。
【図８】図８（ａ）は疎水性部が上向きに向いた単分子
膜の構成を示す説明図であり、図８（ｂ）は親水部が上
向きに向いた単分子膜の構成を示す説明図であり、図８
（ｃ）は累積膜の構成を示す説明図である。
膜の構成を示す説明図であり、図８（ｂ）は親水部が上
向きに向いた単分子膜の構成を示す説明図であり、図８
（ｃ）は累積膜の構成を示す説明図である。
【図９】ＳＡＭ形成法の説明図である。
【図１０】気相吸着法の説明図である。
【図１１】レジスト／基板の構成図である。
１０１ レーザー １０２ レーザー光 １０３ コリメーターレンズ １０４ ガラス窓 １０５ 圧力調整容器 １０６ エバネッセント光露光用マスク １０７ レジスト １０８ 基板 １０９ 吸着防止薄膜Ｂ １１０ 吸着防止薄膜Ａ １１１ ステージ １１２ 金属薄膜 １１３ 微小開口パターン １１４ シリンダー １１５ ピストン駆動モーター １１６ マスク母材 １１７ ピストン １１８ 液体 ２０１ マスク母材 ２０２ レーザー光 ２０３ 金属薄膜 ２０４ 微小開口パターン ２０５ エバネッセント光 ２０６ レジスト ２０７ 基板 ２０８ エバネッセント光露光用マスク ２０９ 吸着防止薄膜Ａ ２１０ 吸着防止薄膜Ｂ ３０１ マスク母材 ３０２ 金属薄膜 ３０３ 微小開口パターン ３０４ 吸着防止薄膜Ａ ４０１ Ｓｉ基板 ４０２，４０３ Ｓｉ3 Ｎ4 薄膜 ４０４ Ｃｒ薄膜 ４０５ 電子線レジスト ４０６ 電子線ビーム ４０７ 描画パターン ４０８ 微小開口パターン ４０９ エッチング用の窓 ４１０ 薄膜状のマスク ４１１ 吸着防止薄膜Ａ ４１２ マスク支持部材 ５０１ 水相 ５０２ 展開膜 ５０３ 仕切板（又は浮子） ５０４ 有機化合物分子 ５０５ 親水性部位 ５０６ 疎水性部位 ５０７ 単分子膜 ６０１ 単分子膜 ６０２ 累積膜 ６０３ 基板 ７０１ 水相 ７０２ 単分子膜 ７０３ 基板 ８０１ 累積膜 ９０１ オクタデシルメルカプタン分子 ９０２ エタノール溶液 ９０３ 基板 ９０４ Ａｕ薄膜 ９０５ 化学結合 １００１ ヘキサメチルジシラザン １００２ ヘキサメチルジシラザン分子 １００３ 基板 １００４ Ａｕ／Ｓｉ混合薄膜 １００５ 化学結合 １１０１ 基板 １１０２ レジスト １１０３ 吸着防止薄膜
Claims (3)
- 【請求項１】 おもて面に微小開口パターンを有するマ
スクのおもて面を被露光物に対向して配置し、該マスク
裏面から光を照射し、 該微小開口パターンから滲み出るエバネッセント光によ
り、該被露光物に該微小開口パターンの露光・転写を行
うエバネッセント光露光装置に用いるマスクであって、
吸着防止手段を該マスクおもて面の最表面に有すること
を特徴とするエバネッセント光露光用マスク。 - 【請求項２】 おもて面に微小開口パターンを有するマ
スクのおもて面を被露光物に対向して配置し、該マスク
裏面から光を照射し、 該微小開口パターンから滲み出るエバネッセント光によ
り、該被露光物に該微小開口パターンの露光・転写を行
うエバネッセント光露光装置に用いる被露光物であっ
て、吸着防止手段を該被露光物の最表面に有することを
特徴とする被露光物。 - 【請求項３】 おもて面に微小開口パターンを有するマ
スクのおもて面を被露光物に対向して配置し、該マスク
裏面から光を照射し、該微小開口パターンから滲み出る
エバネッセント光により、該被露光物に該微小開口パタ
ーンの露光・転写を行うエバネッセント光露光装置であ
って、 該マスクおもて面の最表面と該被露光物の最表面との間
に吸着防止手段を有することを特徴とするエバネッセン
ト光露光装置。
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