JPH11260675A - 半導体ウエハのレーザマーキング方法 - Google Patents
半導体ウエハのレーザマーキング方法Info
- Publication number
- JPH11260675A JPH11260675A JP10059890A JP5989098A JPH11260675A JP H11260675 A JPH11260675 A JP H11260675A JP 10059890 A JP10059890 A JP 10059890A JP 5989098 A JP5989098 A JP 5989098A JP H11260675 A JPH11260675 A JP H11260675A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- transparent thin
- film
- wafer
- dot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 144
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 126
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 17
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 241000270281 Coluber constrictor Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000219995 Wisteria Species 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N flurochloridone Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(N2C(C(Cl)C(CCl)C2)=O)=C1 OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67282—Marking devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
- B41M5/262—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used recording or marking of inorganic surfaces or materials, e.g. glass, metal, or ceramics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
- B41M5/265—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used for the production of optical filters or electrical components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
- B41M5/267—Marking of plastic artifacts, e.g. with laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】レーザマーキング時に発生する溶融飛沫がウエ
ハ表面に付着することを防止すると共に、半導体装置の
製造工程において多様な処理と多段階で施されるマーキ
ングを経たのちにも、常にドットマークの形態を安定に
保持して視認性を確保するレーザ光による半導体ウエハ
のドットマーキング方法を提供するにある。 【解決手段】半導体ウエハ本体(w) の少なくともドット
マーク(M) の形成領域に透明薄膜(F) を形成し、予め選
定された波長を有するレーザ光(L) を前記透明薄膜(F)
の上から前記ドットマークの形成領域に照射して、前記
透明薄膜(F) を透過する前記レーザ光(L) により前記ウ
エハ本体を溶融変形させてドットマークを形成すると同
時に、前記ウエハ本体(w) の溶融時の発熱を利用して同
透明薄膜(F) の破壊を伴うことなく前記ドットマーク
(M) の変形に追随して同透明薄膜(F) を同様の形態に変
形させる。
ハ表面に付着することを防止すると共に、半導体装置の
製造工程において多様な処理と多段階で施されるマーキ
ングを経たのちにも、常にドットマークの形態を安定に
保持して視認性を確保するレーザ光による半導体ウエハ
のドットマーキング方法を提供するにある。 【解決手段】半導体ウエハ本体(w) の少なくともドット
マーク(M) の形成領域に透明薄膜(F) を形成し、予め選
定された波長を有するレーザ光(L) を前記透明薄膜(F)
の上から前記ドットマークの形成領域に照射して、前記
透明薄膜(F) を透過する前記レーザ光(L) により前記ウ
エハ本体を溶融変形させてドットマークを形成すると同
時に、前記ウエハ本体(w) の溶融時の発熱を利用して同
透明薄膜(F) の破壊を伴うことなく前記ドットマーク
(M) の変形に追随して同透明薄膜(F) を同様の形態に変
形させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はドットマークが付与
された半導体ウエハとそのマーキング方法に関し、詳し
くはレーザ光によるドットマーキング時に発生する半導
体ウエハ表面の汚染がなく、半導体の多様な製造工程を
経てもドットの形態が維持され、全工程において視認性
が確保されるドットマークが付された半導体ウエハとそ
のレーザ光によるドットマーキング方法に関する。
された半導体ウエハとそのマーキング方法に関し、詳し
くはレーザ光によるドットマーキング時に発生する半導
体ウエハ表面の汚染がなく、半導体の多様な製造工程を
経てもドットの形態が維持され、全工程において視認性
が確保されるドットマークが付された半導体ウエハとそ
のレーザ光によるドットマーキング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来も、レーザマーキング時に半導体ウ
エハの蒸発による飛沫が半導体ウエハの表面に付着する
ことを避けるため、マーキング前に予め半導体ウエハ表
面に保護膜を形成し、同保護膜の表面にレーザ光を照射
して、同保護膜と共に半導体ウエハ表面にマークを刻印
することが、特開昭５９−１７２３５号公報、特開昭６
１−９５９９０号公報などに開示されている。
エハの蒸発による飛沫が半導体ウエハの表面に付着する
ことを避けるため、マーキング前に予め半導体ウエハ表
面に保護膜を形成し、同保護膜の表面にレーザ光を照射
して、同保護膜と共に半導体ウエハ表面にマークを刻印
することが、特開昭５９−１７２３５号公報、特開昭６
１−９５９９０号公報などに開示されている。
【０００３】例えば、前記特開昭５９−１７２３５号公
報に開示されたレーザマーキング方法によれば、半導体
ウエハ表面の全体または一部に、シリコン酸化膜などの
透過保護膜を形成し、同保護膜の上から高エネルギー密
度のレーザ光を照射し、前記保護膜を損壊させつつ半導
体ウエハ表面に刻印などを形成し、次いで前記保護膜を
除去するものである。このマーキング法に従えば、加工
時の飛沫は保護膜の表面に付着し、保護膜の除去と共に
付着物も一緒に除去され、その後に簡単な洗浄を行えば
済むというものである。上記特開昭６１−９５９９０号
公報では、前記シリコン酸化膜に代えて有機質膜が使わ
れるものであり、このレーザマーキング方法でもマーキ
ング時に発生するウエハの溶融飛沫の全てが溶融状態に
ある樹脂膜に付着し、ウエハには直接飛沫が付着するこ
とはなく、以降の樹脂膜の除去と洗浄により高品質のド
ットマーク付き半導体ウエハが得られるというものであ
る。
報に開示されたレーザマーキング方法によれば、半導体
ウエハ表面の全体または一部に、シリコン酸化膜などの
透過保護膜を形成し、同保護膜の上から高エネルギー密
度のレーザ光を照射し、前記保護膜を損壊させつつ半導
体ウエハ表面に刻印などを形成し、次いで前記保護膜を
除去するものである。このマーキング法に従えば、加工
時の飛沫は保護膜の表面に付着し、保護膜の除去と共に
付着物も一緒に除去され、その後に簡単な洗浄を行えば
済むというものである。上記特開昭６１−９５９９０号
公報では、前記シリコン酸化膜に代えて有機質膜が使わ
れるものであり、このレーザマーキング方法でもマーキ
ング時に発生するウエハの溶融飛沫の全てが溶融状態に
ある樹脂膜に付着し、ウエハには直接飛沫が付着するこ
とはなく、以降の樹脂膜の除去と洗浄により高品質のド
ットマーク付き半導体ウエハが得られるというものであ
る。
【０００４】ところで、半導体製造工程にあっては、各
工程ごとに多様で且つ厳密な製造条件を設定する必要が
あり、これらを管理するために、半導体ウエハの一部表
面に数字、文字或いはバーコードなどからなるマークが
ドット表示される。しかして、半導体の製造工程数は１
００工程以上にもおよび、しかも各工程において多数の
素子形成処理や平坦化処理がなされる。これらの処理に
は、例えばレジスト塗布、レジスト上へのパターンの縮
小投影やレジスト現像、或いは銅配線などにより発生す
るギャップの埋め込みのための絶縁膜や金属膜などの各
種の成膜による平坦化がある。
工程ごとに多様で且つ厳密な製造条件を設定する必要が
あり、これらを管理するために、半導体ウエハの一部表
面に数字、文字或いはバーコードなどからなるマークが
ドット表示される。しかして、半導体の製造工程数は１
００工程以上にもおよび、しかも各工程において多数の
素子形成処理や平坦化処理がなされる。これらの処理に
は、例えばレジスト塗布、レジスト上へのパターンの縮
小投影やレジスト現像、或いは銅配線などにより発生す
るギャップの埋め込みのための絶縁膜や金属膜などの各
種の成膜による平坦化がある。
【０００５】一方、上記ドットによるマーキングは、通
常、一回のマーキングで終わらず、各製造工程の履歴特
性を知るために、各製造工程にて必要最小限の履歴デー
タをマーキングすることが多い。しかしながら、半導体
ウエハにおけるマーキングは極めて狭い領域に限られて
いるため、マーキングされるドットの大きさ及び数にも
限界があり、そのマーキング領域の広さ、ドットの大き
さ、ドット数がＳＥＭＩ規格などにより規定されてい
る。通常、この種のマーキングは、例えば特開平６−３
０１６９０号公報や特開平２−２９９２１６号公報にも
開示されているごとく、半導体ウエハのオリエンテーシ
ョンフラット部の近傍や各チップの集積回路加工面の周
辺部の余白領域に、製造された半導体装置の品種名、ロ
ット名、ウエハ番号などの識別コードがマーキングされ
る。
常、一回のマーキングで終わらず、各製造工程の履歴特
性を知るために、各製造工程にて必要最小限の履歴デー
タをマーキングすることが多い。しかしながら、半導体
ウエハにおけるマーキングは極めて狭い領域に限られて
いるため、マーキングされるドットの大きさ及び数にも
限界があり、そのマーキング領域の広さ、ドットの大き
さ、ドット数がＳＥＭＩ規格などにより規定されてい
る。通常、この種のマーキングは、例えば特開平６−３
０１６９０号公報や特開平２−２９９２１６号公報にも
開示されているごとく、半導体ウエハのオリエンテーシ
ョンフラット部の近傍や各チップの集積回路加工面の周
辺部の余白領域に、製造された半導体装置の品種名、ロ
ット名、ウエハ番号などの識別コードがマーキングされ
る。
【０００６】こうしてドットマーキングがなされた半導
体ウエハは、例えば特開平２−２９９２１６号公報に開
示されている如く、Ｈｅ−Ｎｅレーザのレーザ光の照射
による反射率の変化、或いは通常のレーザ光の熱波の振
動の変化として読み取られ、その読み取られた情報に基
づき、以降の製造工程における各種の製造条件が設定さ
れる。従って、前述の読み取りが正確になされず、誤っ
た情報として読み取る場合には、偶然を除くと全てが不
良品となる。その読み取り不良の原因の大半はドットマ
ークの不鮮明さに基づいている。
体ウエハは、例えば特開平２−２９９２１６号公報に開
示されている如く、Ｈｅ−Ｎｅレーザのレーザ光の照射
による反射率の変化、或いは通常のレーザ光の熱波の振
動の変化として読み取られ、その読み取られた情報に基
づき、以降の製造工程における各種の製造条件が設定さ
れる。従って、前述の読み取りが正確になされず、誤っ
た情報として読み取る場合には、偶然を除くと全てが不
良品となる。その読み取り不良の原因の大半はドットマ
ークの不鮮明さに基づいている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかして、ドットマー
キングがなされる部位が上述の如く集積回路の加工面で
あるかぎり、たとえその余白領域ではあっても、上述の
ドットマークに対する読み取りやすさが維持される保障
はない。特に、ドットマークの形成領域が半導体ウエハ
の周縁部分である場合には、上述のごとく多様な成膜工
程とその部分的な除膜工程が繰り返されること、またウ
エハ周辺部が特に把持と開放の繰り返される領域である
ことから表面管理が他の部分よりもしにくいこと、その
ため前記成膜時、或いは同膜の除去時に、前記成膜のた
めドットマークが埋め込まれ、或いは除膜が過剰に過ぎ
てマーク深さが浅くなりやすいことから、複数の処理を
経るたびにその読み取りやすさが低下する。
キングがなされる部位が上述の如く集積回路の加工面で
あるかぎり、たとえその余白領域ではあっても、上述の
ドットマークに対する読み取りやすさが維持される保障
はない。特に、ドットマークの形成領域が半導体ウエハ
の周縁部分である場合には、上述のごとく多様な成膜工
程とその部分的な除膜工程が繰り返されること、またウ
エハ周辺部が特に把持と開放の繰り返される領域である
ことから表面管理が他の部分よりもしにくいこと、その
ため前記成膜時、或いは同膜の除去時に、前記成膜のた
めドットマークが埋め込まれ、或いは除膜が過剰に過ぎ
てマーク深さが浅くなりやすいことから、複数の処理を
経るたびにその読み取りやすさが低下する。
【０００８】一方、上記各公報に開示されたマーキング
方法によれば、そのいずれもマーキング時に保護膜をレ
ーザ光により破壊し、その下にある半導体ウエハにドッ
トマークを施すものであり、マーキング時に発生する飛
沫がウエハ表面に付着することは防止できるものの、前
記保護膜はマーキングの都度ウエハから除去され、次回
のマーキング時には改めて保護膜を形成しなければなら
ず、これが何回かにわたり繰り返されることになる。そ
のため、前回までにマーキングされたマークにもその都
度同様の新たに保護膜が形成されることになり、同マー
クがその保護膜により埋没したり、各種の成膜の除去時
にドットマークが削られたりしてマーク形態が大きく変
化し、後半の処理工程になればなるほど先に形成された
マークの読み取りがしにくくなる。
方法によれば、そのいずれもマーキング時に保護膜をレ
ーザ光により破壊し、その下にある半導体ウエハにドッ
トマークを施すものであり、マーキング時に発生する飛
沫がウエハ表面に付着することは防止できるものの、前
記保護膜はマーキングの都度ウエハから除去され、次回
のマーキング時には改めて保護膜を形成しなければなら
ず、これが何回かにわたり繰り返されることになる。そ
のため、前回までにマーキングされたマークにもその都
度同様の新たに保護膜が形成されることになり、同マー
クがその保護膜により埋没したり、各種の成膜の除去時
にドットマークが削られたりしてマーク形態が大きく変
化し、後半の処理工程になればなるほど先に形成された
マークの読み取りがしにくくなる。
【０００９】本発明はこうした従来の課題を解決すべく
なされたものであり、その第１の目的はレーザマーキン
グ時に発生する溶融飛沫がウエハ表面に付着することを
防止することにあり、第２の目的は半導体装置の製造工
程において多様な処理と多段で施されるマーキングを経
てのちにも、常にドットマークの形態を安定して保持し
視認性を確保する半導体ウエハとそのドットマーキング
方法にある。その他の目的は、以降の説明から更に明ら
かになろう。
なされたものであり、その第１の目的はレーザマーキン
グ時に発生する溶融飛沫がウエハ表面に付着することを
防止することにあり、第２の目的は半導体装置の製造工
程において多様な処理と多段で施されるマーキングを経
てのちにも、常にドットマークの形態を安定して保持し
視認性を確保する半導体ウエハとそのドットマーキング
方法にある。その他の目的は、以降の説明から更に明ら
かになろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は本件請求項１
〜８のドットマーキング方法ににより解決される。本件
請求項１に係る発明は、レーザ光を照射することにより
半導体ウエハにドットマークを付与する方法であって、
前記半導体ウエハ本体の少なくともドットマークの形成
領域に透明薄膜を形成すること、予め選定された波長を
有するレーザ光を前記透明薄膜の上から前記ドットマー
クの形成領域に照射すること、前記透明薄膜を透過する
前記レーザ光により前記ウエハ本体を溶融変形させてド
ットマークを形成すること、及び前記ウエハ本体の溶融
時の発熱を利用し、同透明薄膜の破壊を伴うことなく前
記ドットマークの変形に追随して同透明薄膜を同様の形
態に変形させることを含んでなることを特徴としてい
る。
〜８のドットマーキング方法ににより解決される。本件
請求項１に係る発明は、レーザ光を照射することにより
半導体ウエハにドットマークを付与する方法であって、
前記半導体ウエハ本体の少なくともドットマークの形成
領域に透明薄膜を形成すること、予め選定された波長を
有するレーザ光を前記透明薄膜の上から前記ドットマー
クの形成領域に照射すること、前記透明薄膜を透過する
前記レーザ光により前記ウエハ本体を溶融変形させてド
ットマークを形成すること、及び前記ウエハ本体の溶融
時の発熱を利用し、同透明薄膜の破壊を伴うことなく前
記ドットマークの変形に追随して同透明薄膜を同様の形
態に変形させることを含んでなることを特徴としてい
る。
【００１１】すなわち、本発明にあっては、従来のよう
に半導体ウエハ本体の表面に形成する保護膜を、レーザ
マーカによるドットマークの刻印と同時に破壊してから
同保護膜を除去して、マーキング時に発生するウエハ本
体の溶融飛沫によるウエハ本体の汚染を防止する方法と
は異なり、レーザマーキング時にウエハ本体の溶融変形
と共に透明薄膜を破壊することなく、ウエハ本体の発熱
を利用して軟化或いは溶融させて同様のマーク形態に変
形させるものである。
に半導体ウエハ本体の表面に形成する保護膜を、レーザ
マーカによるドットマークの刻印と同時に破壊してから
同保護膜を除去して、マーキング時に発生するウエハ本
体の溶融飛沫によるウエハ本体の汚染を防止する方法と
は異なり、レーザマーキング時にウエハ本体の溶融変形
と共に透明薄膜を破壊することなく、ウエハ本体の発熱
を利用して軟化或いは溶融させて同様のマーク形態に変
形させるものである。
【００１２】その結果、透明薄膜をウエハ本体に成膜し
たのちは、同透明薄膜は破壊せず同薄膜下に残るため、
以降の半導体製造工程における多様な成膜と除膜の繰り
返しによっても、ドットマークの形態が変形しないた
め、その読み取りが常に正確になされるばかりでなく、
従来と同様の保護膜としても機能するためウエハ本体に
飛沫などによる汚染をも防止できる。
たのちは、同透明薄膜は破壊せず同薄膜下に残るため、
以降の半導体製造工程における多様な成膜と除膜の繰り
返しによっても、ドットマークの形態が変形しないた
め、その読み取りが常に正確になされるばかりでなく、
従来と同様の保護膜としても機能するためウエハ本体に
飛沫などによる汚染をも防止できる。
【００１３】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明にあって前記透明薄膜の膜厚を数１０〜２００００Å
の範囲に規定するものであり、かかる膜厚の範囲を外れ
ると膜厚を破壊することなくドットマークを形成するこ
とが不可能になる。
明にあって前記透明薄膜の膜厚を数１０〜２００００Å
の範囲に規定するものであり、かかる膜厚の範囲を外れ
ると膜厚を破壊することなくドットマークを形成するこ
とが不可能になる。
【００１４】請求項３に係る発明は、更に、前記ドット
マーク表面の前記透明薄膜による被膜を残して前記透明
薄膜表面を平滑に加工することを含んでいる。これは前
記透明薄膜の上からレーザマーキングが施されたのちに
形成される各種の成膜をエッチングなどにより除去する
とき、同成膜を完全に除去するために透明薄膜の突出部
分をも除去する場合があるが、そのときにも同薄膜を所
要の膜厚分を残して除去することにより、ドットマーク
の形態を変化させることなく、以降の工程におけるマー
クの読み取りが保証できる。
マーク表面の前記透明薄膜による被膜を残して前記透明
薄膜表面を平滑に加工することを含んでいる。これは前
記透明薄膜の上からレーザマーキングが施されたのちに
形成される各種の成膜をエッチングなどにより除去する
とき、同成膜を完全に除去するために透明薄膜の突出部
分をも除去する場合があるが、そのときにも同薄膜を所
要の膜厚分を残して除去することにより、ドットマーク
の形態を変化させることなく、以降の工程におけるマー
クの読み取りが保証できる。
【００１５】請求項４及び５に係る発明は、透明薄膜を
破壊することなくドットマークの形成と同時に透明薄膜
を軟化或いは溶融変形させる具体的な手法を規定するも
のであり、第１の手法は前記レーザ光の波長を、前記透
明薄膜に吸収されることなく、且つ前記ウエハ本体に吸
収される値に選定して透明薄膜の上からレーザマーキン
グを施すものであり、その第２の手法は、前記手法をな
すにあたって、更に、前記レーザ光の照射に先立って前
記薄膜を前記ウエハ本体と共に適当な加熱手段により予
め加熱するものである。前記第２の手法によれば、透明
薄膜の膜厚が大きい場合に特に適しており、レーザ光の
エネルギーの投入が効率的になされる。
破壊することなくドットマークの形成と同時に透明薄膜
を軟化或いは溶融変形させる具体的な手法を規定するも
のであり、第１の手法は前記レーザ光の波長を、前記透
明薄膜に吸収されることなく、且つ前記ウエハ本体に吸
収される値に選定して透明薄膜の上からレーザマーキン
グを施すものであり、その第２の手法は、前記手法をな
すにあたって、更に、前記レーザ光の照射に先立って前
記薄膜を前記ウエハ本体と共に適当な加熱手段により予
め加熱するものである。前記第２の手法によれば、透明
薄膜の膜厚が大きい場合に特に適しており、レーザ光の
エネルギーの投入が効率的になされる。
【００１６】また、請求項６に係る発明は、同じく透明
薄膜を破壊することなくドットマークの形成と同時に透
明薄膜を軟化或いは溶融変形させる具体的な第３の手法
を規定するものであり、その第３の手法によれば前記レ
ーザ光が前記透明薄膜に吸収されるがウエハ本体には吸
収されない波長を有する第１レーザ光の照射手段と前記
ウエハ本体に吸収されるが透明薄膜には吸収されない波
長を有する第２レーザ光の照射手段とを備え、第１レー
ザ光を前記ドットマークの形成領域に照射し、前記透明
薄膜を発熱させて予め軟化させること、次いで第２レー
ザ光を前記第１レーザ光の照射領域に照射し、前記ウエ
ハ本体を溶融変形させること、及び予め軟化状態にある
前記透明薄膜を前記ウエハ本体の溶融時の発熱により変
形させるものであって、前記透明薄膜の膜厚が特に大き
いときのマーキングに適している。
薄膜を破壊することなくドットマークの形成と同時に透
明薄膜を軟化或いは溶融変形させる具体的な第３の手法
を規定するものであり、その第３の手法によれば前記レ
ーザ光が前記透明薄膜に吸収されるがウエハ本体には吸
収されない波長を有する第１レーザ光の照射手段と前記
ウエハ本体に吸収されるが透明薄膜には吸収されない波
長を有する第２レーザ光の照射手段とを備え、第１レー
ザ光を前記ドットマークの形成領域に照射し、前記透明
薄膜を発熱させて予め軟化させること、次いで第２レー
ザ光を前記第１レーザ光の照射領域に照射し、前記ウエ
ハ本体を溶融変形させること、及び予め軟化状態にある
前記透明薄膜を前記ウエハ本体の溶融時の発熱により変
形させるものであって、前記透明薄膜の膜厚が特に大き
いときのマーキングに適している。
【００１７】請求項７及び請求項８に係る発明は、上記
請求項１に係る発明を実施するにあたり、好適な半導体
ウエハ本体と前記透明薄膜の材質を規定するものであ
り、前記ウエハ本体がシリコンウエハであり、前記透明
薄膜がシリコン酸化膜、ＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜である場
合と、前記透明薄膜がシリコン窒化膜又はアルミナ膜で
ある場合とを挙げている。
請求項１に係る発明を実施するにあたり、好適な半導体
ウエハ本体と前記透明薄膜の材質を規定するものであ
り、前記ウエハ本体がシリコンウエハであり、前記透明
薄膜がシリコン酸化膜、ＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜である場
合と、前記透明薄膜がシリコン窒化膜又はアルミナ膜で
ある場合とを挙げている。
【００１８】ここで、前記シリコン酸化膜、ＰＳＧ膜又
はＢＳＧ膜はシリコン系ガラスであるため、液状にまで
溶融させずに軟化状態となるまで加熱してウエハ本体の
ドットマークと同様の形態に変形させる。一方、前記シ
リコン窒化膜又はアルミナ膜は結晶体からなるため、透
明薄膜の融点まで加熱して溶融状態として変形させるの
に適している。
はＢＳＧ膜はシリコン系ガラスであるため、液状にまで
溶融させずに軟化状態となるまで加熱してウエハ本体の
ドットマークと同様の形態に変形させる。一方、前記シ
リコン窒化膜又はアルミナ膜は結晶体からなるため、透
明薄膜の融点まで加熱して溶融状態として変形させるの
に適している。
【００１９】
【発明の実施形態】以下、本発明の好適な実施の形態を
図面を参照しつつ具体的に説明する。図２は、従来の表
面にドットマークＭ′を有する半導体ウエハＷ′の成膜
形成時のドットマーク形態と、その成膜の除去時の前記
ドットマークＭ′の形態変化とを示している。
図面を参照しつつ具体的に説明する。図２は、従来の表
面にドットマークＭ′を有する半導体ウエハＷ′の成膜
形成時のドットマーク形態と、その成膜の除去時の前記
ドットマークＭ′の形態変化とを示している。
【００２０】同図（Ａ）に示すように半導体ウエハＷ′
のドットマーク形成領域には、その本体表面に、例えば
レーザ光の照射により孔周辺に盛り上がり部をもつ藤壺
型の孔形状からなるドットマークＭ′が直接形成され
る。かかる形状のドットマークＭ′が形成された半導体
ウエハＷ′の表面に、例えば同図（Ｂ）に示すように絶
縁膜や金属膜などの各種の成膜Ｓが形成されてから、ウ
エハ表面に半導体装置の製造に必要な所要の加工がなさ
れ、その後に前記成膜Ｓがエッチングなどにより除去さ
れる。
のドットマーク形成領域には、その本体表面に、例えば
レーザ光の照射により孔周辺に盛り上がり部をもつ藤壺
型の孔形状からなるドットマークＭ′が直接形成され
る。かかる形状のドットマークＭ′が形成された半導体
ウエハＷ′の表面に、例えば同図（Ｂ）に示すように絶
縁膜や金属膜などの各種の成膜Ｓが形成されてから、ウ
エハ表面に半導体装置の製造に必要な所要の加工がなさ
れ、その後に前記成膜Ｓがエッチングなどにより除去さ
れる。
【００２１】このとき、前記ドットマークＭ′が、例え
ば半導体ウエハＷ′の最も管理状態がよくない周辺部に
形成されている場合には、同図（Ｃ）に示すようにドッ
トマークＭ′の孔内に成膜Ｆの一部が残されたり、或い
はドットマークの周辺盛り上がり部が削り取られたりし
て、ドットマークＭ′の形態が大きく変化してしまう。
かかる形態変化はドットマークＭ′を読み取りにくく
し、場合によってはその読み取りを不可能にしてしま
う。
ば半導体ウエハＷ′の最も管理状態がよくない周辺部に
形成されている場合には、同図（Ｃ）に示すようにドッ
トマークＭ′の孔内に成膜Ｆの一部が残されたり、或い
はドットマークの周辺盛り上がり部が削り取られたりし
て、ドットマークＭ′の形態が大きく変化してしまう。
かかる形態変化はドットマークＭ′を読み取りにくく
し、場合によってはその読み取りを不可能にしてしま
う。
【００２２】図１（Ａ）は本発明のマーキング方法によ
り透明薄膜Ｆの上からレーザ光を照射してドットマーク
が付された半導体ウエハＷの断面構造を示しており、透
明薄膜Ｆはウエハ本体に形成されたマーク形状に倣った
形状を有している。同図（Ｂ）はドットマーク付きの同
半導体ウエハに更に他の成膜Ｓが形成された断面図、同
図（Ｃ）は前記成膜Ｓが除去された同ウエハＷの断面図
である。
り透明薄膜Ｆの上からレーザ光を照射してドットマーク
が付された半導体ウエハＷの断面構造を示しており、透
明薄膜Ｆはウエハ本体に形成されたマーク形状に倣った
形状を有している。同図（Ｂ）はドットマーク付きの同
半導体ウエハに更に他の成膜Ｓが形成された断面図、同
図（Ｃ）は前記成膜Ｓが除去された同ウエハＷの断面図
である。
【００２３】同図（Ａ）から理解できるように、本実施
例方法により得られるドットマーク付き半導体ウエハＷ
は、ウエハ本体ｗの表面にレーザマーカによりドットマ
ークが形成されるとき、上記透明薄膜Ｆにも同薄膜が破
壊されずに同様の形状のマークが付される。この透明薄
膜Ｆには多様な材質が採用でき、例えばシリコン酸化
膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、シリコン窒化膜、アルミナ
膜、ポリイミド膜などを挙げることができる。
例方法により得られるドットマーク付き半導体ウエハＷ
は、ウエハ本体ｗの表面にレーザマーカによりドットマ
ークが形成されるとき、上記透明薄膜Ｆにも同薄膜が破
壊されずに同様の形状のマークが付される。この透明薄
膜Ｆには多様な材質が採用でき、例えばシリコン酸化
膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、シリコン窒化膜、アルミナ
膜、ポリイミド膜などを挙げることができる。
【００２４】図３は本発明のドットマーキング方法によ
り形成される代表的なドットマーク形状例を挙げてい
る。同図（Ａ）は上記図２（Ａ）に示したマーク形態と
おなじであり、そのウエハ本体ｗに形成されるマーク形
態は従来のそれと変わるところがない。本実施例による
かかる形態のドットマークＭの大きさは、加工径が１０
〜２５μｍである。
り形成される代表的なドットマーク形状例を挙げてい
る。同図（Ａ）は上記図２（Ａ）に示したマーク形態と
おなじであり、そのウエハ本体ｗに形成されるマーク形
態は従来のそれと変わるところがない。本実施例による
かかる形態のドットマークＭの大きさは、加工径が１０
〜２５μｍである。
【００２５】一方、同図（Ｂ）に示すドット形態は、同
図からも明らかなように、ほぼ半球状にウエハ本体ｗの
表面から外部に突出した形態を呈している。かかる形態
は、レーザ光の投入エネルギーを適当な値に制御するこ
とにより、形成することができるものであり、その形成
機構は明らかではないが、水滴を水面に落としたときに
できる瞬間的な水面の滴下中心部の盛り上がり現象と同
様であると考えられ、レーザ光の照射中心部がシリコン
の瞬時の溶融により、一旦下方に凹んだのち盛り上がり
固化すると考えられる。本実施例によるかかる形態のド
ットマークＭの大きさは、加工径が１５μｍ以下の極め
て微小なものである。
図からも明らかなように、ほぼ半球状にウエハ本体ｗの
表面から外部に突出した形態を呈している。かかる形態
は、レーザ光の投入エネルギーを適当な値に制御するこ
とにより、形成することができるものであり、その形成
機構は明らかではないが、水滴を水面に落としたときに
できる瞬間的な水面の滴下中心部の盛り上がり現象と同
様であると考えられ、レーザ光の照射中心部がシリコン
の瞬時の溶融により、一旦下方に凹んだのち盛り上がり
固化すると考えられる。本実施例によるかかる形態のド
ットマークＭの大きさは、加工径が１５μｍ以下の極め
て微小なものである。
【００２６】図３（Ｃ）はレーザ光の照射幅を大きくし
たときに形成されるマーク形態を示しており、同心を中
心としてリング状の凹凸マークが複数形成される。その
形成機構も明らかではないが、例えば光の解析現象によ
る影響ではないかと考えられる。本実施例によるかかる
形態のドットマークＭの大きさは、加工径が１５μｍ以
上となる。
たときに形成されるマーク形態を示しており、同心を中
心としてリング状の凹凸マークが複数形成される。その
形成機構も明らかではないが、例えば光の解析現象によ
る影響ではないかと考えられる。本実施例によるかかる
形態のドットマークＭの大きさは、加工径が１５μｍ以
上となる。
【００２７】上述の形態を有する本実施例によるドット
マーキング方法が適用された半導体ウエハＷにも、図１
（Ｂ）に示すごとく様々な種類の成膜Ｓが形成され、半
導体製造のために所定の加工がなされたのち、それらの
成膜Ｓがエッチングなどにより除去される。このときの
本発明による半導体ウエハＷの断面構造を同図（Ｃ）に
示している。
マーキング方法が適用された半導体ウエハＷにも、図１
（Ｂ）に示すごとく様々な種類の成膜Ｓが形成され、半
導体製造のために所定の加工がなされたのち、それらの
成膜Ｓがエッチングなどにより除去される。このときの
本発明による半導体ウエハＷの断面構造を同図（Ｃ）に
示している。
【００２８】同図からも理解できるように、前記成膜Ｓ
が除去されたのちにおいてもウエハ本体ｗに形成された
ドットマーク形態はマーキング時の形態を保持すること
ができるため、成膜Ｓが除去されたのちにおいてもドッ
トマークＭを常に正確に読み取ることができる。更に、
かかる構造からなるドットマークＭは、以降の多段の製
造工程において成膜・除膜が繰り返されても、透明薄膜
Ｆを残存させることにより、そのマーク形態が変化しな
いため正確な読み取りが保障される。
が除去されたのちにおいてもウエハ本体ｗに形成された
ドットマーク形態はマーキング時の形態を保持すること
ができるため、成膜Ｓが除去されたのちにおいてもドッ
トマークＭを常に正確に読み取ることができる。更に、
かかる構造からなるドットマークＭは、以降の多段の製
造工程において成膜・除膜が繰り返されても、透明薄膜
Ｆを残存させることにより、そのマーク形態が変化しな
いため正確な読み取りが保障される。
【００２９】次に、前述のウエハ本体ｗと透明薄膜Ｆと
の積層構造からなる半導体ウエハＷに対するレーザ光の
照射によるドットマークの代表的な形成機構を、シリコ
ンの単結晶体からなるウエハ本体ｗの表面に各種の透明
薄膜Ｆを形成した半導体ウエハＷについて具体的に説明
する。
の積層構造からなる半導体ウエハＷに対するレーザ光の
照射によるドットマークの代表的な形成機構を、シリコ
ンの単結晶体からなるウエハ本体ｗの表面に各種の透明
薄膜Ｆを形成した半導体ウエハＷについて具体的に説明
する。
【００３０】図４は本発明のドットマーキング方法によ
る半導体ウエハＷに対するドットマークの第１形成機構
例を模式的に示す説明図である。このドットマーク形成
機構例によれば、先ずウエハ本体ｗのドット形成側表面
に、同図（Ａ）に示すように透明薄膜Ｆを形成する。こ
の透明薄膜Ｆとしては既述したように多様な材質を採用
できるが、本発明がドットマーキング時に前記透明薄膜
Ｆを破壊せずにドットマークを形成することが肝要であ
る。因みに、シリコンウエハの融点が１４１０℃であっ
て、合成樹脂としては高融点であるポリイミドの分解温
度が８００℃であることから、本発明では高分子材料を
上記透明薄膜Ｆとして採用することは不可能である。
る半導体ウエハＷに対するドットマークの第１形成機構
例を模式的に示す説明図である。このドットマーク形成
機構例によれば、先ずウエハ本体ｗのドット形成側表面
に、同図（Ａ）に示すように透明薄膜Ｆを形成する。こ
の透明薄膜Ｆとしては既述したように多様な材質を採用
できるが、本発明がドットマーキング時に前記透明薄膜
Ｆを破壊せずにドットマークを形成することが肝要であ
る。因みに、シリコンウエハの融点が１４１０℃であっ
て、合成樹脂としては高融点であるポリイミドの分解温
度が８００℃であることから、本発明では高分子材料を
上記透明薄膜Ｆとして採用することは不可能である。
【００３１】ウエハ本体ｗの表面に透明薄膜Ｆを形成し
たのちに、同薄膜Ｆの上からレーザ光を照射して透明薄
膜Ｆを破壊することなく、同透明薄膜Ｆと共にウエハ本
体ｗにドットマークＭを形成するのに適した透過薄膜と
して、既述したシリコン酸化膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、
シリコン窒化膜、或いはアルミナ膜を採用することが望
ましい。特に、ＣＶＤ法による成膜が容易であり且つ高
温による破壊が少ないシリコン酸化膜やアルミナ膜が好
ましい。因みに、シリコン酸化膜の軟化点は１６００
℃、ＰＳＧ膜及びＢＳＧ膜の軟化点は９００℃付近、ア
ルミナ膜の融点は２０５５℃である。
たのちに、同薄膜Ｆの上からレーザ光を照射して透明薄
膜Ｆを破壊することなく、同透明薄膜Ｆと共にウエハ本
体ｗにドットマークＭを形成するのに適した透過薄膜と
して、既述したシリコン酸化膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、
シリコン窒化膜、或いはアルミナ膜を採用することが望
ましい。特に、ＣＶＤ法による成膜が容易であり且つ高
温による破壊が少ないシリコン酸化膜やアルミナ膜が好
ましい。因みに、シリコン酸化膜の軟化点は１６００
℃、ＰＳＧ膜及びＢＳＧ膜の軟化点は９００℃付近、ア
ルミナ膜の融点は２０５５℃である。
【００３２】上述の透明薄膜のうち、シリコン酸化膜、
ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜はガラスであるため、それらの軟化
点で液化することなく粘性の大きな組成変形が可能な状
態となり、ウエハ本体ｗの表面にこれらの透明薄膜Ｆを
形成した半導体ウエハＷに、適当なエネルギーと波長を
もつレーザ光を前記透明薄膜Ｆを通してウエハ本体ｗに
照射すると、前記軟化点を越えても粘性を示し、特にシ
リコン酸化膜にあっては１６００〜２６００℃付近まで
は、水の１００万倍以上の粘性を有しており、シリコン
ウエハ本体の溶融物が飛散するときのエネルギーにも十
分耐え得るため、膜自体が飛散することが抑制され、既
に溶融しているシリコンと共に加工が可能となる。
ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜はガラスであるため、それらの軟化
点で液化することなく粘性の大きな組成変形が可能な状
態となり、ウエハ本体ｗの表面にこれらの透明薄膜Ｆを
形成した半導体ウエハＷに、適当なエネルギーと波長を
もつレーザ光を前記透明薄膜Ｆを通してウエハ本体ｗに
照射すると、前記軟化点を越えても粘性を示し、特にシ
リコン酸化膜にあっては１６００〜２６００℃付近まで
は、水の１００万倍以上の粘性を有しており、シリコン
ウエハ本体の溶融物が飛散するときのエネルギーにも十
分耐え得るため、膜自体が飛散することが抑制され、既
に溶融しているシリコンと共に加工が可能となる。
【００３３】一方、上記アルミナ膜やシリコン窒化膜は
結晶質であるため、その融点にて溶融液化する。従っ
て、例えばアルミナの融点２０５５℃にてアルミナ膜は
溶融し、既に溶融しているシリコンと共に加工すること
ができる。
結晶質であるため、その融点にて溶融液化する。従っ
て、例えばアルミナの融点２０５５℃にてアルミナ膜は
溶融し、既に溶融しているシリコンと共に加工すること
ができる。
【００３４】かくてウエハ本体ｗの表面に透明薄膜Ｆが
形成された半導体ウエハＷのドットマーキング領域にレ
ーザ光を照射してドットマークＭを刻印する。このと
き、本実施例にあっては、照射するレーザ光の波長をシ
リコンウエハには吸収されるが、透明薄膜Ｆに吸収され
ない波長を選択することが肝要である。
形成された半導体ウエハＷのドットマーキング領域にレ
ーザ光を照射してドットマークＭを刻印する。このと
き、本実施例にあっては、照射するレーザ光の波長をシ
リコンウエハには吸収されるが、透明薄膜Ｆに吸収され
ない波長を選択することが肝要である。
【００３５】例えば、前記透明薄膜Ｆの素材がシリコン
酸化膜、ＰＳＧ膜・ＢＳＧ膜である場合の各種レーザと
その波長による前記透明薄膜のレーザ光吸収性能を示す
と次のとおりである。 波長 SiO 2 PSG ・BSG CO 2 レーザ 10.6μm 吸収 吸収 YAGレーザ 1.06μm 透過 透過 YAGレーザ(2ω) 532 nm 透過 透過 YAGレーザ(3ω) 335 nm 透過 透過 YAGレーザ(4ω) 251 nm 透過 吸収 Kr F エキシマレーサ゛ 248 nm 透過 吸収 YAGレーザ(5ω) 201 nm 吸収 吸収 Kr F エキシマレーサ゛ 192 nm 吸収 吸収 従って、本実施例にあっては、透明薄膜Ｆとしてはシリ
コン酸化膜が使用され、波長が1.06μm のＹＡＧレーザ
又は２次高調波に制御されたＹＡＧレーザ、或いは半導
体レーザなどが使われる。
酸化膜、ＰＳＧ膜・ＢＳＧ膜である場合の各種レーザと
その波長による前記透明薄膜のレーザ光吸収性能を示す
と次のとおりである。 波長 SiO 2 PSG ・BSG CO 2 レーザ 10.6μm 吸収 吸収 YAGレーザ 1.06μm 透過 透過 YAGレーザ(2ω) 532 nm 透過 透過 YAGレーザ(3ω) 335 nm 透過 透過 YAGレーザ(4ω) 251 nm 透過 吸収 Kr F エキシマレーサ゛ 248 nm 透過 吸収 YAGレーザ(5ω) 201 nm 吸収 吸収 Kr F エキシマレーサ゛ 192 nm 吸収 吸収 従って、本実施例にあっては、透明薄膜Ｆとしてはシリ
コン酸化膜が使用され、波長が1.06μm のＹＡＧレーザ
又は２次高調波に制御されたＹＡＧレーザ、或いは半導
体レーザなどが使われる。
【００３６】このように波長が選択されたレーザマーキ
ング装置を使って、透明薄膜Ｆが形成された半導体ウエ
ハＷのドットマーキング領域の所定箇所に、図４（Ｂ）
に示すように透明薄膜Ｆの上からパルスレーザ光を照射
する。この照射により、レーザ光は単に透過薄膜Ｆを透
過して、シリコンウエハ本体ｗの表面で吸収され、その
エネルギーにより発熱して溶融する。この溶融と同時
に、同図（Ｃ）に示すように前記発熱が透明薄膜Ｆに伝
達され、透明薄膜Ｆを軟化させる。前記ウエハ本体ｗが
溶融により変形して、既述したような周囲に盛り上がり
部を有する藤壺型の微小な孔形状が形成される。このウ
エハ本体ｗの変形時に、前記透明薄膜Ｆは軟化している
ため、同図（Ｄ）に示すようにウエハ本体ｗの変形に追
随して破壊することなく前記孔形状に類似する形態に変
形する。
ング装置を使って、透明薄膜Ｆが形成された半導体ウエ
ハＷのドットマーキング領域の所定箇所に、図４（Ｂ）
に示すように透明薄膜Ｆの上からパルスレーザ光を照射
する。この照射により、レーザ光は単に透過薄膜Ｆを透
過して、シリコンウエハ本体ｗの表面で吸収され、その
エネルギーにより発熱して溶融する。この溶融と同時
に、同図（Ｃ）に示すように前記発熱が透明薄膜Ｆに伝
達され、透明薄膜Ｆを軟化させる。前記ウエハ本体ｗが
溶融により変形して、既述したような周囲に盛り上がり
部を有する藤壺型の微小な孔形状が形成される。このウ
エハ本体ｗの変形時に、前記透明薄膜Ｆは軟化している
ため、同図（Ｄ）に示すようにウエハ本体ｗの変形に追
随して破壊することなく前記孔形状に類似する形態に変
形する。
【００３７】ドットマークＭの加工形状は、レーザエネ
ルギー、レーザ照射時間、レーザ照射面積、透明薄膜Ｆ
の膜厚、透明薄膜Ｆの粘度などの様々な要因により多様
に変化させることができる。従って、図示例では前記ド
ットマークＭの形状を藤壺型に孔形状としているが、例
えばウエハ面から外部にほぼ半球状に突出させることも
できる。しかして、レーザ光による投入エネルギーが大
きすぎると、シリコンウエハ本体の蒸気圧が高くなりす
ぎて、透明薄膜Ｆを突き破ってしまい、溶融シリコンが
外部に飛散することになる。また、レーザ光による投入
エネルギーが小さい場合には全くマーキング加工がなさ
れない。そして、これらのレーザ光の投入エネルギーは
レーザ光のパルス幅と相関のあることが判明した。しか
し、透明薄膜Ｍが形成された半導体ウエハＷに対する本
発明のドットマーキング方法を実施するにあたり、前記
投入エネルギーをパルス幅により一義的に決めることは
できず、透明薄膜Ｆの材質や膜厚にも影響される。
ルギー、レーザ照射時間、レーザ照射面積、透明薄膜Ｆ
の膜厚、透明薄膜Ｆの粘度などの様々な要因により多様
に変化させることができる。従って、図示例では前記ド
ットマークＭの形状を藤壺型に孔形状としているが、例
えばウエハ面から外部にほぼ半球状に突出させることも
できる。しかして、レーザ光による投入エネルギーが大
きすぎると、シリコンウエハ本体の蒸気圧が高くなりす
ぎて、透明薄膜Ｆを突き破ってしまい、溶融シリコンが
外部に飛散することになる。また、レーザ光による投入
エネルギーが小さい場合には全くマーキング加工がなさ
れない。そして、これらのレーザ光の投入エネルギーは
レーザ光のパルス幅と相関のあることが判明した。しか
し、透明薄膜Ｍが形成された半導体ウエハＷに対する本
発明のドットマーキング方法を実施するにあたり、前記
投入エネルギーをパルス幅により一義的に決めることは
できず、透明薄膜Ｆの材質や膜厚にも影響される。
【００３８】従って、本発明の半導体ウエハに対するド
ットマーキングの加工条件は、主に照射するレーザ光の
パルス幅と透明薄膜Ｆの膜厚により決定される。図５は
透明薄膜Ｆとしてシリコン酸化膜を使った場合の、同酸
化膜を破壊させることなくシリコンウエハ本体ｗの表面
に所望のドットマークが形成できるエネルギーの上下限
界値を示すとともに、同エネルギーとレーザのパルス幅
との相関を示している。前記上限値は、その値以上のエ
ネルギーを投入すると、透明薄膜Ｆが破壊してしまう値
であり、下限値はその値以下であるとシリコンウエハ本
体ｗにマーキングＭが形成することができない値であ
る。
ットマーキングの加工条件は、主に照射するレーザ光の
パルス幅と透明薄膜Ｆの膜厚により決定される。図５は
透明薄膜Ｆとしてシリコン酸化膜を使った場合の、同酸
化膜を破壊させることなくシリコンウエハ本体ｗの表面
に所望のドットマークが形成できるエネルギーの上下限
界値を示すとともに、同エネルギーとレーザのパルス幅
との相関を示している。前記上限値は、その値以上のエ
ネルギーを投入すると、透明薄膜Ｆが破壊してしまう値
であり、下限値はその値以下であるとシリコンウエハ本
体ｗにマーキングＭが形成することができない値であ
る。
【００３９】この図からも理解できるように、レーザ光
の半導体ウエハＷに対する投入エネルギーはレーザ光の
パルス幅を大きくすると比例的に増加しているが、上下
限値はパルス幅を増加させると、その開きが大きくなっ
ている。これはパルス幅が伸びることにより、シリコン
の温度変化が緩やかになり、シリコンとシリコン酸化膜
の溶融・変形の過程がゆっくりと進行するようになるた
め、衝撃的な力がかかりにくくなり、他界エネルギーの
レーザ光に対してもシリコン酸化膜が耐えられるためと
考えられる。本実施例にあっては、透明薄膜の破壊を確
実に阻止して安定してマーキングが行えるように、パル
ス幅を９０〜４００ｎｓｅｃの範囲でマーキングする。
この範囲外であっても、少なくとも１０ｎｓｅｃまでの
範囲では同様の考え方が適用できる。
の半導体ウエハＷに対する投入エネルギーはレーザ光の
パルス幅を大きくすると比例的に増加しているが、上下
限値はパルス幅を増加させると、その開きが大きくなっ
ている。これはパルス幅が伸びることにより、シリコン
の温度変化が緩やかになり、シリコンとシリコン酸化膜
の溶融・変形の過程がゆっくりと進行するようになるた
め、衝撃的な力がかかりにくくなり、他界エネルギーの
レーザ光に対してもシリコン酸化膜が耐えられるためと
考えられる。本実施例にあっては、透明薄膜の破壊を確
実に阻止して安定してマーキングが行えるように、パル
ス幅を９０〜４００ｎｓｅｃの範囲でマーキングする。
この範囲外であっても、少なくとも１０ｎｓｅｃまでの
範囲では同様の考え方が適用できる。
【００４０】図６は透明薄膜Ｆとしてシリコン酸化膜を
使い、レーザ光のパルス幅を９０ｎｍで本発明によるド
ットマーキングを行ったときの、破壊を伴わない透明薄
膜Ｆの上限膜厚とレーザ光の投入エネルギーとの相関を
示している。なお、本実施例において、レーザ光の前記
投入エネルギーは、レーザ発振器から出射されるレーザ
光を図示せぬ減光フィルターを介して増減光調整するこ
とにより制御しており、図５におけるレーザパルス幅が
９０〜１００ｎｓｅｃのときの透明薄膜Ｆの膜厚が、図
６ではほぼ２５００Åであって、レーザエネルギー（J/
cm2 ) がほぼ１の値に相当している。
使い、レーザ光のパルス幅を９０ｎｍで本発明によるド
ットマーキングを行ったときの、破壊を伴わない透明薄
膜Ｆの上限膜厚とレーザ光の投入エネルギーとの相関を
示している。なお、本実施例において、レーザ光の前記
投入エネルギーは、レーザ発振器から出射されるレーザ
光を図示せぬ減光フィルターを介して増減光調整するこ
とにより制御しており、図５におけるレーザパルス幅が
９０〜１００ｎｓｅｃのときの透明薄膜Ｆの膜厚が、図
６ではほぼ２５００Åであって、レーザエネルギー（J/
cm2 ) がほぼ１の値に相当している。
【００４１】図６によれば、本発明のレーザマーキング
法に従ってマーキングを行うにあたり、レーザパルス幅
を９０ｎｓｅｃに設定したとき、本実施例によれば少な
くともレーザエネルギーが１．２〜０．７（J/cm2 ) の
範囲内では、シリコン酸化膜（透明膜Ｆ）の膜厚が１４
００〜４１００Åの範囲内で破壊されずに加工が可能で
あり、しかもその膜厚はレーザエネルギーの減少に伴っ
てマイナスの勾配で直線的に減少することが理解でき
る。なお、これらの破壊されない状態で加工が可能であ
る膜厚の変化に対するレーザエネルギーの変化は、前記
膜厚が１４００Å以下、或いは４１００Å以上にあって
も同様な勾配もって直線的に変化するものではなく、前
記１４００〜４１００Åの範囲外ではレーザエネルギー
は１．２（J/cm2 ) 、或いは０．７（J/cm2 ) の値で加
工が可能となる。
法に従ってマーキングを行うにあたり、レーザパルス幅
を９０ｎｓｅｃに設定したとき、本実施例によれば少な
くともレーザエネルギーが１．２〜０．７（J/cm2 ) の
範囲内では、シリコン酸化膜（透明膜Ｆ）の膜厚が１４
００〜４１００Åの範囲内で破壊されずに加工が可能で
あり、しかもその膜厚はレーザエネルギーの減少に伴っ
てマイナスの勾配で直線的に減少することが理解でき
る。なお、これらの破壊されない状態で加工が可能であ
る膜厚の変化に対するレーザエネルギーの変化は、前記
膜厚が１４００Å以下、或いは４１００Å以上にあって
も同様な勾配もって直線的に変化するものではなく、前
記１４００〜４１００Åの範囲外ではレーザエネルギー
は１．２（J/cm2 ) 、或いは０．７（J/cm2 ) の値で加
工が可能となる。
【００４２】かかる破壊されない透明薄膜Ｆの膜厚とレ
ーザエネルギーとの関係は、膜厚が薄いほどシリコンウ
エハ本体ｗからの透明薄膜Ｆに対する熱量の伝達が速や
かになされ、同薄膜Ｆの熱量分布の均一化速度が速いた
め、同透明薄膜Ｆの肉厚方向に全体が溶融あるいは軟化
しやすいため、大きなレーザエネルギーによっても破壊
されず、一方、透明薄膜Ｆの肉厚が大きくなると前記熱
量の伝達が肉厚方向にに速やかになされないため、ウエ
ハ本体側と外気側とでは熱量分布が異なり、その膨張差
により脆性の高い透明薄膜Ｆでは瞬時に破裂しやすくな
るためであると考えられる。
ーザエネルギーとの関係は、膜厚が薄いほどシリコンウ
エハ本体ｗからの透明薄膜Ｆに対する熱量の伝達が速や
かになされ、同薄膜Ｆの熱量分布の均一化速度が速いた
め、同透明薄膜Ｆの肉厚方向に全体が溶融あるいは軟化
しやすいため、大きなレーザエネルギーによっても破壊
されず、一方、透明薄膜Ｆの肉厚が大きくなると前記熱
量の伝達が肉厚方向にに速やかになされないため、ウエ
ハ本体側と外気側とでは熱量分布が異なり、その膨張差
により脆性の高い透明薄膜Ｆでは瞬時に破裂しやすくな
るためであると考えられる。
【００４３】既述したように、半導体製造時には半導体
ウエハＷの表面には多段階で各種の成膜と除膜とが繰り
返され、同様にレーザ光による各種の管理用ドットマー
キングが多段階でなされる。かかる場合には、前記透明
薄膜Ｆの膜厚変化を検出し、そのマーキング時における
膜厚に応じてレーザ光の投入エネルギーを制御すれば、
一旦成膜された透明薄膜Ｆを破壊することなく最終のド
ットマーキングが行える。そのため、半導体製造工程
中、過去に付されたドットマークＭの形状が維持される
ことになり、その検出の正確さも最後まで失われること
がない。
ウエハＷの表面には多段階で各種の成膜と除膜とが繰り
返され、同様にレーザ光による各種の管理用ドットマー
キングが多段階でなされる。かかる場合には、前記透明
薄膜Ｆの膜厚変化を検出し、そのマーキング時における
膜厚に応じてレーザ光の投入エネルギーを制御すれば、
一旦成膜された透明薄膜Ｆを破壊することなく最終のド
ットマーキングが行える。そのため、半導体製造工程
中、過去に付されたドットマークＭの形状が維持される
ことになり、その検出の正確さも最後まで失われること
がない。
【００４４】図７は本発明によるドットマークの他の形
成機構例を示している。このドットマーク形成機構例は
特に透明薄膜Ｆの膜厚が大きい場合に適する手法であ
り、先ず同図（Ａ）に示すようにレーザ光をウエハ本体
ｗには吸収させずに、透明薄膜Ｆだけにレーザ光を吸収
させるようなレーザ光Ｌａを選択し、同薄膜Ｆの上から
同第１のレーザ光Ｌａを照射して、同薄膜Ｆのみ予め加
熱し軟化させる。次いで、同図（Ｂ）に示すようにウエ
ハ本体ｗには吸収されるが透明薄膜Ｆには吸収されない
第２のレーザ光Ｌｂを選択し、その第２レーザ光Ｌｂを
透明薄膜Ｆの上から照射し、ウエハ本体ｗにだけ同レー
ザ光Ｌｂを吸収させて発熱させる。
成機構例を示している。このドットマーク形成機構例は
特に透明薄膜Ｆの膜厚が大きい場合に適する手法であ
り、先ず同図（Ａ）に示すようにレーザ光をウエハ本体
ｗには吸収させずに、透明薄膜Ｆだけにレーザ光を吸収
させるようなレーザ光Ｌａを選択し、同薄膜Ｆの上から
同第１のレーザ光Ｌａを照射して、同薄膜Ｆのみ予め加
熱し軟化させる。次いで、同図（Ｂ）に示すようにウエ
ハ本体ｗには吸収されるが透明薄膜Ｆには吸収されない
第２のレーザ光Ｌｂを選択し、その第２レーザ光Ｌｂを
透明薄膜Ｆの上から照射し、ウエハ本体ｗにだけ同レー
ザ光Ｌｂを吸収させて発熱させる。
【００４５】こうして第１レーザ光Ｌａと第２レーザ光
Ｌｂとの２段階照射により、同図（Ｃ）に示すように第
１レーザ光Ｌａによる透明薄膜Ｆ自体の軟化と、第２レ
ーザ光Ｌｂによるウエハ本体ｗの発熱により、透明薄膜
Ｆを一様に軟化させ、同透明薄膜の変形をしやすくす
る。その結果、同図（Ｄ）に示すようにウエハ本体ｗの
変形に伴って透明薄膜Ｆも速やかに変形し、透明薄膜Ｆ
により被覆されたドットマークＭが形成される。この例
では、前記ドットマークＭは半導体ウエハＷの表面から
半球状に外部に突出した形態を有している例である。
Ｌｂとの２段階照射により、同図（Ｃ）に示すように第
１レーザ光Ｌａによる透明薄膜Ｆ自体の軟化と、第２レ
ーザ光Ｌｂによるウエハ本体ｗの発熱により、透明薄膜
Ｆを一様に軟化させ、同透明薄膜の変形をしやすくす
る。その結果、同図（Ｄ）に示すようにウエハ本体ｗの
変形に伴って透明薄膜Ｆも速やかに変形し、透明薄膜Ｆ
により被覆されたドットマークＭが形成される。この例
では、前記ドットマークＭは半導体ウエハＷの表面から
半球状に外部に突出した形態を有している例である。
【００４６】図８は、前述のドットマーキングを実施す
るに適したレーザマーキング装置の一例を示している。
この例によれば、上記第１及び第２のレーザ光を独立す
る２基のレーザ光源から別個に出射させている。すなわ
ち、第１レーザ光源１からのレーザ光Ｌａを反射鏡４に
より反射させて、マーキング領域のマーク形成点を含む
周辺を照射する。このときのレーザ光Ｌａの波長と照射
タイミングはコントローラ３により制御される。透明薄
膜Ｆの軟化がなされた時点を見計らって、第１レーザ光
源１からの照射を停止させると同時に、第２レーザ光源
２からの照射を開始し、反射鏡５ａ，５ｂ及び集光レン
ズ６を介してウエハ本体ｗを溶融変形させると共に透明
薄膜Ｆをも変形させる。
るに適したレーザマーキング装置の一例を示している。
この例によれば、上記第１及び第２のレーザ光を独立す
る２基のレーザ光源から別個に出射させている。すなわ
ち、第１レーザ光源１からのレーザ光Ｌａを反射鏡４に
より反射させて、マーキング領域のマーク形成点を含む
周辺を照射する。このときのレーザ光Ｌａの波長と照射
タイミングはコントローラ３により制御される。透明薄
膜Ｆの軟化がなされた時点を見計らって、第１レーザ光
源１からの照射を停止させると同時に、第２レーザ光源
２からの照射を開始し、反射鏡５ａ，５ｂ及び集光レン
ズ６を介してウエハ本体ｗを溶融変形させると共に透明
薄膜Ｆをも変形させる。
【００４７】図９は単基のレーザ光源７を使って上述の
２段階のレーザ光Ｌａ，Ｌｂを照射するレーザマーキン
グ装置の例を示している。この装置例によれば、単基の
レーザ光源７からのレーザ光をハーフミラー８を介して
２つの光路に分岐させ、一方の光路のレーザ光を波長変
換素子９を介して、ウエハ本体ｗには吸収されないが、
透明薄膜Ｆに吸収される波長に変換して上述の例と同様
に反射鏡を使ってマーキング領域のマーク形成点を含む
周辺を照射させる。また、前記ハーフミラー８により分
岐された他方のレーザ光はそもそもがウエハ本体ｗには
吸収されるが透明薄膜Ｆには吸収されない波長をもって
おり、上述の例と同様にハーフミラー８を透過した同レ
ーザ光Ｌｂは反射鏡５ａ，５ｂ及び集光レンズ６を介し
てウエハ本体ｗに照射され、同ウエハ本体ｗを溶融変形
させると共に透明薄膜Ｆをも変形させる。
２段階のレーザ光Ｌａ，Ｌｂを照射するレーザマーキン
グ装置の例を示している。この装置例によれば、単基の
レーザ光源７からのレーザ光をハーフミラー８を介して
２つの光路に分岐させ、一方の光路のレーザ光を波長変
換素子９を介して、ウエハ本体ｗには吸収されないが、
透明薄膜Ｆに吸収される波長に変換して上述の例と同様
に反射鏡を使ってマーキング領域のマーク形成点を含む
周辺を照射させる。また、前記ハーフミラー８により分
岐された他方のレーザ光はそもそもがウエハ本体ｗには
吸収されるが透明薄膜Ｆには吸収されない波長をもって
おり、上述の例と同様にハーフミラー８を透過した同レ
ーザ光Ｌｂは反射鏡５ａ，５ｂ及び集光レンズ６を介し
てウエハ本体ｗに照射され、同ウエハ本体ｗを溶融変形
させると共に透明薄膜Ｆをも変形させる。
【００４８】図１０は、前記ドットマーク形成機構例と
同様に２段階加熱によりドットマークを形成する例であ
るが、この機構例では同図（Ａ）に示すように先ず透明
薄膜Ｆと共にウエハ本体ｗをも同時に加熱昇温させてお
くものである。すなわち、本機構例では先ず半導体ウエ
ハＷの全体を例えば加熱炉などで予熱しておき、次いで
同図（Ｂ）に示すように上記第１のドットマーク形成例
と同様に透明薄膜Ｆには吸収されないが、ウエハ本体ｗ
に吸収される波長に選定されたレーザ光を透明薄膜Ｆの
上から照射し、同図（Ｃ）に示すようにウエハ本体ｗに
だけレーザ光を吸収させて、そのときの発熱を利用して
透明薄膜Ｆを軟化させると同時にウエハ本体ｗ自体も溶
融変形して、透明薄膜Ｆを変形させ、同図（Ｄ）に示す
ような形態をもつドットマークＭを形成する。
同様に２段階加熱によりドットマークを形成する例であ
るが、この機構例では同図（Ａ）に示すように先ず透明
薄膜Ｆと共にウエハ本体ｗをも同時に加熱昇温させてお
くものである。すなわち、本機構例では先ず半導体ウエ
ハＷの全体を例えば加熱炉などで予熱しておき、次いで
同図（Ｂ）に示すように上記第１のドットマーク形成例
と同様に透明薄膜Ｆには吸収されないが、ウエハ本体ｗ
に吸収される波長に選定されたレーザ光を透明薄膜Ｆの
上から照射し、同図（Ｃ）に示すようにウエハ本体ｗに
だけレーザ光を吸収させて、そのときの発熱を利用して
透明薄膜Ｆを軟化させると同時にウエハ本体ｗ自体も溶
融変形して、透明薄膜Ｆを変形させ、同図（Ｄ）に示す
ような形態をもつドットマークＭを形成する。
【００４９】以上の説明は、本発明のレーザマーキング
方法の典型的な実施の形態を述べたものであり、本発明
が特許請求の範囲に記載した範囲内で多様な変更が可能
であることは容易に理解されよう。
方法の典型的な実施の形態を述べたものであり、本発明
が特許請求の範囲に記載した範囲内で多様な変更が可能
であることは容易に理解されよう。
【図１】本発明により形成されたドットマーク付き半導
体ウエハの以降になされる成膜とその除去によるドット
マークの形態変化説明図である。
体ウエハの以降になされる成膜とその除去によるドット
マークの形態変化説明図である。
【図２】従来のドットマーク付き半導体ウエハの以降に
なされる成膜とその除去によるドットマークの形態変化
説明図である。
なされる成膜とその除去によるドットマークの形態変化
説明図である。
【図３】本発明方法により形成されるドットマークの形
態例を示す説明図である。
態例を示す説明図である。
【図４】本発明方法の第１のドットマーク形成機構例を
模式的に示す説明図である。
模式的に示す説明図である。
【図５】透明薄膜を破壊させない上下限度値とその加工
可能なレーザエネルギー及びレーザパルス幅の相関とを
示す説明図である。
可能なレーザエネルギー及びレーザパルス幅の相関とを
示す説明図である。
【図６】透明薄膜を破壊させずに加工が可能な透明薄膜
の膜厚とレーザエネルギーとの相関を示す説明図であ
る。
の膜厚とレーザエネルギーとの相関を示す説明図であ
る。
【図７】本発明方法の第２のドットマーク形成機構例を
模式的に示す説明図である。
模式的に示す説明図である。
【図８】前記ドットマーク形成機構例を実施するための
レーザドットマーキング装置例を示す模式図である。
レーザドットマーキング装置例を示す模式図である。
【図９】前記ドットマーク形成機構例を実施するための
他のレーザドットマーキング装置例を示す模式図であ
る。
他のレーザドットマーキング装置例を示す模式図であ
る。
【図１０】本発明方法の第３のドットマーク形成機構例
を模式的に示す説明図である。
を模式的に示す説明図である。
１ 第１レーザ光源 ２ 第２レーザ光源 ３ コントローラ ４，５ａ，５ｂ 反射鏡 ６ 集光レンズ ７ レーザ光源 ８ ハーフミラー ９ 波長変換素子 Ｗ，Ｗ′ 半導体ウエハ ｗ，ｗ′ ウエハ本体 Ｆ 透明薄膜（シリコン酸化膜） Ｓ （半導体製造時の）成膜 Ｍ ドットマーク Ｌ レーザ光 Ｌａ，Ｌｂ 第１及び第２レーザ光
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年４月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】 図３（Ｃ）はレーザ光の照射幅を大きく
したときに形成されるマーク形態を示しており、同心を
中心としてリング状の凹凸マークが複数形成される。そ
の形成機構も明らかではないが、例えば光の回析現象に
よる影響ではないかと考えられる。本実施例によるかか
る形態のドットマークＭの大きさは、加工径が１５μｍ
以上となる。
したときに形成されるマーク形態を示しており、同心を
中心としてリング状の凹凸マークが複数形成される。そ
の形成機構も明らかではないが、例えば光の回析現象に
よる影響ではないかと考えられる。本実施例によるかか
る形態のドットマークＭの大きさは、加工径が１５μｍ
以上となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】 ウエハ本体ｗの表面に透明薄膜Ｆを形成
したのちに、同薄膜Ｆの上からレーザ光を照射して透明
薄膜Ｆを破壊することなく、同透明薄膜Ｆと共にウエハ
本体ｗにドットマークＭを形成するのに適した透明薄膜
として、既述したシリコン酸化膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ
膜、シリコン窒化膜、或いはアルミナ膜を採用すること
が望ましい。特に、ＣＶＤ法による成膜が容易であり且
つ高温による破壊が少ないシリコン酸化膜やアルミナ膜
が好ましい。因みに、シリコン酸化膜の軟化点は１６０
０℃、ＰＳＧ膜及びＢＳＧ膜の軟化点は９００℃付近、
アルミナ膜の融点は２０５５℃である。
したのちに、同薄膜Ｆの上からレーザ光を照射して透明
薄膜Ｆを破壊することなく、同透明薄膜Ｆと共にウエハ
本体ｗにドットマークＭを形成するのに適した透明薄膜
として、既述したシリコン酸化膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ
膜、シリコン窒化膜、或いはアルミナ膜を採用すること
が望ましい。特に、ＣＶＤ法による成膜が容易であり且
つ高温による破壊が少ないシリコン酸化膜やアルミナ膜
が好ましい。因みに、シリコン酸化膜の軟化点は１６０
０℃、ＰＳＧ膜及びＢＳＧ膜の軟化点は９００℃付近、
アルミナ膜の融点は２０５５℃である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】 上述の透明薄膜のうち、シリコン酸化
膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜はガラスであるため、それらの
軟化点で液化することなく粘性の大きな塑性変形が可能
な状態となり、ウエハ本体ｗの表面にこれらの透明薄膜
Ｆを形成した半導体ウエハＷに、適当なエネルギーと波
長をもつレーザ光を前記透明薄膜Ｆを通してウエハ本体
ｗに照射すると、前記軟化点を越えても粘性を示し、特
にシリコン酸化膜にあっては１６００〜２６００℃付近
までは、水の１００万倍以上の粘性を有しており、シリ
コンウエハ本体の溶融物が飛散するときのエネルギーに
も十分耐え得るため、膜自体が飛散することが抑制さ
れ、既に溶融しているシリコンと共に加工が可能とな
る。
膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜はガラスであるため、それらの
軟化点で液化することなく粘性の大きな塑性変形が可能
な状態となり、ウエハ本体ｗの表面にこれらの透明薄膜
Ｆを形成した半導体ウエハＷに、適当なエネルギーと波
長をもつレーザ光を前記透明薄膜Ｆを通してウエハ本体
ｗに照射すると、前記軟化点を越えても粘性を示し、特
にシリコン酸化膜にあっては１６００〜２６００℃付近
までは、水の１００万倍以上の粘性を有しており、シリ
コンウエハ本体の溶融物が飛散するときのエネルギーに
も十分耐え得るため、膜自体が飛散することが抑制さ
れ、既に溶融しているシリコンと共に加工が可能とな
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】 このように波長が選択されたレーザマー
キング装置を使って、透明薄膜Ｆが形成された半導体ウ
エハＷのドットマーキング領域の所定箇所に、図４
（Ｂ）に示すように透明薄膜Ｆの上からパルスレーザ光
を照射する。この照射により、レーザ光は単に透明薄膜
Ｆを透過して、シリコンウエハ本体ｗの表面で吸収さ
れ、そのエネルギーにより発熱して溶融する。この溶融
と同時に、同図（Ｃ）に示すように前記発熱が透明薄膜
Ｆに伝達され、透明薄膜Ｆを軟化させる。前記ウエハ本
体ｗが溶融により変形して、既述したような周囲に盛り
上がり部を有する藤壺型の微小な孔形状が形成される。
このウエハ本体ｗの変形時に、前記透明薄膜Ｆは軟化し
ているため、同図（Ｄ）に示すようにウエハ本体ｗの変
形に追随して破壊することなく前記孔形状に類似する形
態に変形する。
キング装置を使って、透明薄膜Ｆが形成された半導体ウ
エハＷのドットマーキング領域の所定箇所に、図４
（Ｂ）に示すように透明薄膜Ｆの上からパルスレーザ光
を照射する。この照射により、レーザ光は単に透明薄膜
Ｆを透過して、シリコンウエハ本体ｗの表面で吸収さ
れ、そのエネルギーにより発熱して溶融する。この溶融
と同時に、同図（Ｃ）に示すように前記発熱が透明薄膜
Ｆに伝達され、透明薄膜Ｆを軟化させる。前記ウエハ本
体ｗが溶融により変形して、既述したような周囲に盛り
上がり部を有する藤壺型の微小な孔形状が形成される。
このウエハ本体ｗの変形時に、前記透明薄膜Ｆは軟化し
ているため、同図（Ｄ）に示すようにウエハ本体ｗの変
形に追随して破壊することなく前記孔形状に類似する形
態に変形する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】 ドットマークＭの加工形状は、レーザエ
ネルギー、レーザ照射時間、レーザ照射面積、透明薄膜
Ｆの膜厚、透明薄膜Ｆの粘度などの様々な要因により多
様に変化させることができる。従って、図示例では前記
ドットマークＭの形状を藤壺型に孔形状としているが、
例えばウエハ面から外部にほぼ半球状に突出させること
もできる。しかして、レーザ光による投入エネルギーが
大きすぎると、シリコンウエハ本体の蒸気圧が高くなり
すぎて、透明薄膜Ｆを突き破ってしまい、溶融シリコン
が外部に飛散することになる。また、レーザ光による投
入エネルギーが小さい場合には全くマーキング加工がな
されない。そして、これらのレーザ光の投入エネルギー
はレーザ光のパルス幅と相関のあることが判明した。し
かし、透明薄膜Ｆが形成された半導体ウエハＷに対する
本発明のドットマーキング方法を実施するにあたり、前
記投入エネルギーをパルス幅により一義的に決めること
はできず、透明薄膜Ｆの材質や膜厚にも影響される。
ネルギー、レーザ照射時間、レーザ照射面積、透明薄膜
Ｆの膜厚、透明薄膜Ｆの粘度などの様々な要因により多
様に変化させることができる。従って、図示例では前記
ドットマークＭの形状を藤壺型に孔形状としているが、
例えばウエハ面から外部にほぼ半球状に突出させること
もできる。しかして、レーザ光による投入エネルギーが
大きすぎると、シリコンウエハ本体の蒸気圧が高くなり
すぎて、透明薄膜Ｆを突き破ってしまい、溶融シリコン
が外部に飛散することになる。また、レーザ光による投
入エネルギーが小さい場合には全くマーキング加工がな
されない。そして、これらのレーザ光の投入エネルギー
はレーザ光のパルス幅と相関のあることが判明した。し
かし、透明薄膜Ｆが形成された半導体ウエハＷに対する
本発明のドットマーキング方法を実施するにあたり、前
記投入エネルギーをパルス幅により一義的に決めること
はできず、透明薄膜Ｆの材質や膜厚にも影響される。
Claims (8)
- 【請求項１】 レーザ光を照射することにより半導体ウ
エハにドットマークを付与する方法であって、 前記半導体ウエハ本体の少なくともドットマークの形成
領域に透明薄膜を形成すること、 予め選定された波長を有するレーザ光を前記透明薄膜の
上から前記ドットマークの形成領域に照射すること、 前記透明薄膜を透過する前記レーザ光により前記ウエハ
本体を溶融変形させてドットマークを形成すること、及
び前記ウエハ本体の溶融時の発熱を利用し、同透明薄膜
の破壊を伴うことなく前記ドットマークの変形に追随し
て同透明薄膜を同様の形態に変形させること、を含んで
なることを特徴とする半導体ウエハのレーザマーキング
方法。 - 【請求項２】 前記透明薄膜の膜厚が数１０〜２０００
０Åである請求項１記載のレーザマーキング方法。 - 【請求項３】 更に、前記ドットマーク表面の前記透明
薄膜による被膜を残して前記透明薄膜表面を平滑に加工
することを含んでなる請求項１記載のレーザマーキング
方法。 - 【請求項４】 前記レーザ光の波長を、前記透明薄膜に
吸収されることなく、且つ前記ウエハ本体に吸収される
値に選定する請求項１又は２記載のレーザマーキング方
法。 - 【請求項５】 更に、前記レーザ光の照射に先立って前
記薄膜を前記ウエハ本体と共に予め加熱することを含ん
でなる請求項４記載のレーザマーキング方法。 - 【請求項６】 前記レーザ光が前記透明薄膜に吸収され
るがウエハ本体には吸収されない波長を有する第１レー
ザ光の照射手段と前記ウエハ本体に吸収されるが透明薄
膜には吸収されない波長を有する第２レーザ光の照射手
段とを備え、第１レーザ光を前記ドットマークの形成領
域に照射し、前記透明薄膜を発熱させて予め軟化させる
こと、 次いで第２レーザ光を前記第１レーザ光の照射領域に照
射し、前記ウエハ本体を溶融変形させること、及び予め
軟化状態にある前記透明薄膜を前記ウエハ本体の溶融時
の発熱により変形させる請求項１又は２記載のレーザマ
ーキング方法。 - 【請求項７】 前記ウエハ本体がシリコンウエハであ
り、前記透明薄膜がシリコン酸化膜、ＰＳＧ膜又はＢＳ
Ｇ膜である請求項１又は２記載のレーザマーキング方
法。 - 【請求項８】 前記半導体ウエハがシリコンウエハであ
り、前記透明薄膜がシリコン窒化膜又はアルミナ膜であ
る請求項１又は２記載のレーザマーキング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05989098A JP3874528B2 (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 半導体ウエハのレーザマーキング方法 |
| US09/266,264 US6248973B1 (en) | 1998-03-11 | 1999-03-11 | Laser marking method for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05989098A JP3874528B2 (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 半導体ウエハのレーザマーキング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260675A true JPH11260675A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3874528B2 JP3874528B2 (ja) | 2007-01-31 |
Family
ID=13126176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05989098A Expired - Fee Related JP3874528B2 (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 半導体ウエハのレーザマーキング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6248973B1 (ja) |
| JP (1) | JP3874528B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001351835A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 凹穴型ドットマークの形成方法と同ドットマークを有する半導体ウェハ |
| EP1231627A3 (de) * | 2001-01-15 | 2004-02-11 | Innolas GmbH | Markiervorrichtung und zugehöriges Markierverfahren |
| US6777820B2 (en) | 1999-01-28 | 2004-08-17 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Semiconductor wafer |
| US7315421B2 (en) | 2004-03-26 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of laser marking, laser marking apparatus and method and apparatus for detecting a mark |
| CN102653035A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 三菱电机株式会社 | SiC半导体晶片的标刻方法以及SiC半导体晶片 |
| WO2013002334A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | トレーサビリティが表示された製品および製品のトレーサビリティを表示する方法 |
| JP2013011000A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Momentive Performance Materials Inc | トレーサビリティが表示されたｐｇコート製品およびその製造方法 |
| JP2013032579A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-02-14 | Momentive Performance Materials Inc | トレーサビリティが表示されたｐｂｎオーバーコート製品およびｐｂｎ製品に対するトレーサビリティ表示方法 |
| JP2013211541A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-10-10 | Kyocera Corp | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 |
| US8557715B2 (en) | 2006-07-07 | 2013-10-15 | National Cheng Kung University | Marking CO2 laser-transparent materials by using absorption-material-assisted laser processing |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774340B1 (en) * | 1998-11-25 | 2004-08-10 | Komatsu Limited | Shape of microdot mark formed by laser beam and microdot marking method |
| US6710284B1 (en) * | 1999-02-26 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Laser marking techniques for bare semiconductor die |
| DE10008851A1 (de) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Giesecke & Devrient Gmbh | Verfahren zur Herstellung laserbeschriftbarer Datenträger und damit hergestellte Datenträger |
| CH695607A5 (de) * | 2001-10-01 | 2006-07-14 | Cpar Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Werkstückbezeichnung. |
| US6914006B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-07-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wafer scribing method and wafer scribing device |
| FR2833518B1 (fr) * | 2001-12-14 | 2004-06-25 | Gemplus Card Int | Support d'information marquee par laser |
| US7067763B2 (en) * | 2002-05-17 | 2006-06-27 | Gsi Group Corporation | High speed, laser-based marking method and system for producing machine readable marks on workpieces and semiconductor devices with reduced subsurface damage produced thereby |
| JP2004158768A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハおよびサブストレート |
| US20060000814A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Bo Gu | Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby |
| US7705268B2 (en) * | 2004-11-11 | 2010-04-27 | Gsi Group Corporation | Method and system for laser soft marking |
| US20060189091A1 (en) * | 2004-11-11 | 2006-08-24 | Bo Gu | Method and system for laser hard marking |
| TWI296735B (en) * | 2006-07-07 | 2008-05-11 | Univ Nat Cheng Kung | Silicon material having a mark on the surface thereof and the method for making the same |
| US7402469B1 (en) * | 2007-01-12 | 2008-07-22 | Applied Micro Circuits Corporation | System and method for selectivity etching an integrated circuit |
| US7842543B2 (en) * | 2009-02-17 | 2010-11-30 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Wafer level chip scale package and method of laser marking the same |
| US9099481B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods of laser marking semiconductor substrates |
| US20170121232A1 (en) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Rolls-Royce Corporation | Coating interface |
| KR20220072117A (ko) | 2020-11-24 | 2022-06-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5122223A (en) * | 1979-05-29 | 1992-06-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Graphoepitaxy using energy beams |
| US4961077A (en) * | 1988-02-19 | 1990-10-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for affixing information on read-only optical discs |
| US5175774A (en) * | 1990-10-16 | 1992-12-29 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer marking for identification during processing |
| DE69536108D1 (de) * | 1994-11-17 | 2010-10-28 | Panasonic Corp | Optische Platte und Verfahren zur Wiedergabe von Daten von einer optischen Platte |
| JPH08243765A (ja) * | 1995-03-07 | 1996-09-24 | Komatsu Ltd | レーザ刻印装置 |
| US5956596A (en) * | 1995-11-06 | 1999-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming and cleaning a laser marking region at a round zone of a semiconductor wafer |
| US5877064A (en) * | 1997-07-15 | 1999-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.Ltd | Method for marking a wafer |
-
1998
- 1998-03-11 JP JP05989098A patent/JP3874528B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-11 US US09/266,264 patent/US6248973B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777820B2 (en) | 1999-01-28 | 2004-08-17 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Semiconductor wafer |
| JP4614502B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2011-01-19 | 株式会社東芝 | 凹穴型ドットマークの形成方法と同ドットマークを有する半導体ウェハ |
| JP2001351835A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 凹穴型ドットマークの形成方法と同ドットマークを有する半導体ウェハ |
| EP1231627A3 (de) * | 2001-01-15 | 2004-02-11 | Innolas GmbH | Markiervorrichtung und zugehöriges Markierverfahren |
| US7315421B2 (en) | 2004-03-26 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of laser marking, laser marking apparatus and method and apparatus for detecting a mark |
| US8557715B2 (en) | 2006-07-07 | 2013-10-15 | National Cheng Kung University | Marking CO2 laser-transparent materials by using absorption-material-assisted laser processing |
| US8703410B2 (en) | 2006-07-07 | 2014-04-22 | National Cheng Kung University | Substrate having a mark formed on a surface thereof by a CO2 laser beam |
| CN102653035A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 三菱电机株式会社 | SiC半导体晶片的标刻方法以及SiC半导体晶片 |
| WO2013002334A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | トレーサビリティが表示された製品および製品のトレーサビリティを表示する方法 |
| JP2013032579A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-02-14 | Momentive Performance Materials Inc | トレーサビリティが表示されたｐｂｎオーバーコート製品およびｐｂｎ製品に対するトレーサビリティ表示方法 |
| JP2013011000A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Momentive Performance Materials Inc | トレーサビリティが表示されたｐｇコート製品およびその製造方法 |
| CN103748261A (zh) * | 2011-06-30 | 2014-04-23 | 迈图高新材料日本有限公司 | 具有可追踪性指示物的产品和显示产品的可追踪性的方法 |
| KR20140053027A (ko) * | 2011-06-30 | 2014-05-07 | 모멘티브 파포만스 마테리아루즈 쟈판 고도가이샤 | 추적성이 표시된 제품 및 제품의 추적성을 표시하는 방법 |
| KR101867646B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2018-06-14 | 모멘티브 파포만스 마테리아루즈 쟈판 고도가이샤 | 추적성이 표시된 제품 및 제품의 추적성을 표시하는 방법 |
| JP2013211541A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-10-10 | Kyocera Corp | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6248973B1 (en) | 2001-06-19 |
| JP3874528B2 (ja) | 2007-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11260675A (ja) | 半導体ウエハのレーザマーキング方法 | |
| JP2003181678A (ja) | 立体構造体の加工方法、立体形状品の製造方法、立体構造体の加工装置及び立体構造体 | |
| JP2003245784A (ja) | レーザ加工方法、レーザ加工装置及び立体構造体 | |
| TW567397B (en) | Mask substrate and its manufacturing method | |
| JP2001250279A (ja) | 記録媒体の製造方法、記録媒体製造用原盤の製造方法、記録媒体の製造装置、および記録媒体製造用原盤の製造装置 | |
| JP2000042763A (ja) | レーザビームによるドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキング方法 | |
| JPH07281418A (ja) | レーザ融除マスクの修理法 | |
| US6740474B2 (en) | Technique for making deep microstructures in photoresist | |
| JPS62250533A (ja) | 光デイスクの初期結晶化方法 | |
| JP4827393B2 (ja) | 眼鏡レンズの製造方法及び眼鏡レンズ | |
| JP3522670B2 (ja) | レーザマーキング方法 | |
| JP2003012346A (ja) | 板ガラスの着色方法 | |
| JP2008026437A (ja) | ガラス製マイクロレンズアレイの製造方法、ガラス製マイクロレンズアレイ | |
| JP2003201149A (ja) | ガラスの着色方法 | |
| JPH10211593A (ja) | 加工物への刻印方法 | |
| JP2599439B2 (ja) | レーザトリミング装置およびトリミング方法 | |
| JP3737322B2 (ja) | ガラス器の模様形成方法 | |
| JP4573596B2 (ja) | 眼鏡レンズの製造方法 | |
| JP3189687B2 (ja) | 半導体材料表面への刻印方法及び同方法により刻印された物品 | |
| JP2000021696A (ja) | レーザマーキング装置及びそれを用いたレーザマーキング方法 | |
| JP4415135B2 (ja) | 熱線遮断ガラスの着色方法 | |
| JPH07323387A (ja) | レーザマーキング用マスク及びレーザマーキング用マスクの製造方法 | |
| US20190299496A1 (en) | Method for performing delamination of a polymer film | |
| JP2004352561A (ja) | ガラスの着色方法 | |
| Schmidt et al. | Laser microprocessing: facts and trends |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050208 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061024 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061024 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091102 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |