JPH08243765A - レーザ刻印装置 - Google Patents
レーザ刻印装置Info
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- JPH08243765A JPH08243765A JP7047382A JP4738295A JPH08243765A JP H08243765 A JPH08243765 A JP H08243765A JP 7047382 A JP7047382 A JP 7047382A JP 4738295 A JP4738295 A JP 4738295A JP H08243765 A JPH08243765 A JP H08243765A
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- optical system
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
- B23K26/703—Cooling arrangements
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】入射光学系と出射光学系とからなる光学系の省
スペース化を図る。液晶素子に直接、冷却手段を接触さ
せることを可能として、冷却手段の省スペース化、冷却
効率および冷却均一性の向上を図る。 【構成】入射光学系２０と、出射光学系３０とが、反射
型液晶素子５のレーザ光Ｌの入射面側に配置される。そ
して、入射光学系２０を介してレーザ光Ｌが、その光軸
が反射型液晶素子５の入射面に対して略垂直となるよう
に、当該反射型液晶素子５に入射される。反射型液晶素
子５で反射されたレーザ光Ｌは出射光学系３０を介して
被刻印物１５に導かれる。また、反射型液晶素子５を冷
却する冷却手段１７が、反射型液晶素子５の入射面とは
反対側の面に接触して配置される。
スペース化を図る。液晶素子に直接、冷却手段を接触さ
せることを可能として、冷却手段の省スペース化、冷却
効率および冷却均一性の向上を図る。 【構成】入射光学系２０と、出射光学系３０とが、反射
型液晶素子５のレーザ光Ｌの入射面側に配置される。そ
して、入射光学系２０を介してレーザ光Ｌが、その光軸
が反射型液晶素子５の入射面に対して略垂直となるよう
に、当該反射型液晶素子５に入射される。反射型液晶素
子５で反射されたレーザ光Ｌは出射光学系３０を介して
被刻印物１５に導かれる。また、反射型液晶素子５を冷
却する冷却手段１７が、反射型液晶素子５の入射面とは
反対側の面に接触して配置される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被刻印物の表面に、液
晶マスクの印字パターンを刻印するレーザ刻印装置に関
する。
晶マスクの印字パターンを刻印するレーザ刻印装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】レー
ザ光を光源とし、液晶素子を印字パターンマスクとする
レーザ刻印装置は、特開昭６０ー１７４６７１号公報等
によって既に公知となっている。この種のレーザ刻印装
置では、レーザ光源で発振されたレーザ光を入射光学系
を介して液晶マスクの入射面に入射させるようにしてい
るが、液晶マスクを透過したレーザ光は、液晶マスクの
両面のうち、上記入射面とは反対側の面から出射される
ことになる。
ザ光を光源とし、液晶素子を印字パターンマスクとする
レーザ刻印装置は、特開昭６０ー１７４６７１号公報等
によって既に公知となっている。この種のレーザ刻印装
置では、レーザ光源で発振されたレーザ光を入射光学系
を介して液晶マスクの入射面に入射させるようにしてい
るが、液晶マスクを透過したレーザ光は、液晶マスクの
両面のうち、上記入射面とは反対側の面から出射される
ことになる。
【０００３】このため、出射されたレーザ光を被刻印物
に導く出射光学系としては、液晶マスクを挟んで上記入
射光学系とは反対側に配置するか、あるいは、液晶マス
クから出射された光を多数の光学素子を介して入射光学
系が配置されている側にターンさせて、入射光学系と出
射光学系からなる光学系が空間的に左右に拡がることを
防止しようとしている。
に導く出射光学系としては、液晶マスクを挟んで上記入
射光学系とは反対側に配置するか、あるいは、液晶マス
クから出射された光を多数の光学素子を介して入射光学
系が配置されている側にターンさせて、入射光学系と出
射光学系からなる光学系が空間的に左右に拡がることを
防止しようとしている。
【０００４】しかし、上記いずれの方法をとったとして
も、入射光学系と出射光学系とから光学系は、左右方向
にも上下方向にも場積が重むことになっていた。
も、入射光学系と出射光学系とから光学系は、左右方向
にも上下方向にも場積が重むことになっていた。
【０００５】とりわけ、液晶マスクを透過し出射された
レーザ光を入射光学系が配置されている側にターンさせ
る方法をとった場合には、ミラー、プリズム等の多数の
光学素子を必要とする。このため、コストがかかること
にもなっていた。
レーザ光を入射光学系が配置されている側にターンさせ
る方法をとった場合には、ミラー、プリズム等の多数の
光学素子を必要とする。このため、コストがかかること
にもなっていた。
【０００６】さらに、液晶マスクは、刻印むらを防止す
るために、液晶画面の各画素に温度むらが生じないよう
にする必要がある。また、液晶マスクは、温度が低すぎ
ると液晶の表示書換えに時間を要することになり、逆に
温度が高すぎるとコントラストが悪化するので、適温と
いうものが存在する。このため、液晶マスクを、入射面
とは反対側の裏面より温度が均一となるよう、しかも適
温となるよう冷却する必要がある。
るために、液晶画面の各画素に温度むらが生じないよう
にする必要がある。また、液晶マスクは、温度が低すぎ
ると液晶の表示書換えに時間を要することになり、逆に
温度が高すぎるとコントラストが悪化するので、適温と
いうものが存在する。このため、液晶マスクを、入射面
とは反対側の裏面より温度が均一となるよう、しかも適
温となるよう冷却する必要がある。
【０００７】しかし、従来のレーザ刻印装置では、液晶
マスクの片面にレーザ光が入射され、液晶マスクを透過
したレーザ光が他方の面から出射されるという構成をと
っていたため、液晶マスク面に直接、冷却手段を接触配
置させることはできなかった。
マスクの片面にレーザ光が入射され、液晶マスクを透過
したレーザ光が他方の面から出射されるという構成をと
っていたため、液晶マスク面に直接、冷却手段を接触配
置させることはできなかった。
【０００８】したがって、冷却ファン等により空気等を
媒介として間接的にしか冷却を行うことができなかっ
た。
媒介として間接的にしか冷却を行うことができなかっ
た。
【０００９】しかし、このような冷却方法をとった場合
には、冷却装置のための設置スペースを必要とするとと
もに、冷却効率および冷却の均一性の点でも問題があっ
た。本発明は、こうした実状に鑑みてなされたものであ
り、入射光学系と出射光学系とからなる光学系の省スペ
ース化を図るとともに、光学素子の数を減少させて低コ
スト化を図ることを第１の目的とするものである。
には、冷却装置のための設置スペースを必要とするとと
もに、冷却効率および冷却の均一性の点でも問題があっ
た。本発明は、こうした実状に鑑みてなされたものであ
り、入射光学系と出射光学系とからなる光学系の省スペ
ース化を図るとともに、光学素子の数を減少させて低コ
スト化を図ることを第１の目的とするものである。
【００１０】また、本発明は、液晶素子に直接、冷却手
段を接触させることを可能として、省スペース化、冷却
効率および冷却均一性の向上を図ることを第２の目的と
するものである。
段を接触させることを可能として、省スペース化、冷却
効率および冷却均一性の向上を図ることを第２の目的と
するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、この発明の第１
発明では、レーザ光源で発振されたレーザ光を入射光学
系を介して液晶マスクに入射させ、この液晶マスクを透
過し出射されたレーザ光を出射光学系を介して被刻印物
に導き、当該被刻印物の表面に、前記液晶マスクの印字
パターンを刻印するようにしたレーザ刻印装置におい
て、前記液晶マスクとして、反射型の液晶素子を使用
し、前記入射光学系によって前記反射型液晶素子に入射
されるレーザ光の光軸が、前記反射型液晶素子の入射面
に対して略垂直となるように、前記入射光学系と、前記
反射型液晶素子で反射されたレーザ光を前記被刻印物に
導く前記出射光学系とを、前記反射型液晶素子の前記入
射面側に配置している。
発明では、レーザ光源で発振されたレーザ光を入射光学
系を介して液晶マスクに入射させ、この液晶マスクを透
過し出射されたレーザ光を出射光学系を介して被刻印物
に導き、当該被刻印物の表面に、前記液晶マスクの印字
パターンを刻印するようにしたレーザ刻印装置におい
て、前記液晶マスクとして、反射型の液晶素子を使用
し、前記入射光学系によって前記反射型液晶素子に入射
されるレーザ光の光軸が、前記反射型液晶素子の入射面
に対して略垂直となるように、前記入射光学系と、前記
反射型液晶素子で反射されたレーザ光を前記被刻印物に
導く前記出射光学系とを、前記反射型液晶素子の前記入
射面側に配置している。
【００１２】また、この発明の第２発明では、前記反射
型液晶素子の前記入射面とは反対側の面に、当該反射型
液晶素子を冷却する冷却手段を接触配置している。
型液晶素子の前記入射面とは反対側の面に、当該反射型
液晶素子を冷却する冷却手段を接触配置している。
【００１３】
【作用】上記第１発明の構成によれば、図１に示すよう
に、入射光学系２０と、出射光学系３０とが、反射型液
晶素子５のレーザ光Ｌの入射面側に配置される。そし
て、入射光学系２０を介してレーザ光Ｌが、その光軸が
反射型液晶素子５の入射面に対して略垂直となるよう
に、当該反射型液晶素子５に入射される。反射型液晶素
子５で反射されたレーザ光Ｌは出射光学系３０を介して
被刻印物１５に導かれる。
に、入射光学系２０と、出射光学系３０とが、反射型液
晶素子５のレーザ光Ｌの入射面側に配置される。そし
て、入射光学系２０を介してレーザ光Ｌが、その光軸が
反射型液晶素子５の入射面に対して略垂直となるよう
に、当該反射型液晶素子５に入射される。反射型液晶素
子５で反射されたレーザ光Ｌは出射光学系３０を介して
被刻印物１５に導かれる。
【００１４】このため、入射光学系２０と出射光学系３
０が、反射型液晶素子５の入射面側に集中して配置され
ることになり、光学系の左右方向の空間的な拡がりが抑
えられる。また、レーザ光Ｌの光軸が反射型液晶素子５
の入射面に対して略垂直となるように、光学系が配置さ
れるので、光学系の上下方向の空間的な拡がりが抑えら
れる。
０が、反射型液晶素子５の入射面側に集中して配置され
ることになり、光学系の左右方向の空間的な拡がりが抑
えられる。また、レーザ光Ｌの光軸が反射型液晶素子５
の入射面に対して略垂直となるように、光学系が配置さ
れるので、光学系の上下方向の空間的な拡がりが抑えら
れる。
【００１５】また、上記第２発明の構成によれば、入射
光学系２０と出射光学系３０が反射型液晶素子５の入射
面側に集中して配置されるので、当該反射型液晶素子５
の入射面とは反対側の面には、何ら光学素子は配置され
ることはなくなる。このため、反射型液晶素子５を冷却
する冷却手段１７を当該反射型液晶素子５の入射面とは
反対側の面に接触して配置することが可能となる。
光学系２０と出射光学系３０が反射型液晶素子５の入射
面側に集中して配置されるので、当該反射型液晶素子５
の入射面とは反対側の面には、何ら光学素子は配置され
ることはなくなる。このため、反射型液晶素子５を冷却
する冷却手段１７を当該反射型液晶素子５の入射面とは
反対側の面に接触して配置することが可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明に係るレーザ刻
印装置の実施例について説明する。
印装置の実施例について説明する。
【００１７】図１に示すように、実施例のレーザ刻印装
置は、大きくは、刻印すべき印字パターンを表示する液
晶マスクである反射型液晶素子５と、Ｑスイッチ付きの
ＹＡＧレーザ発振器１から発振されたレーザ光Ｌを、反
射型液晶素子５の入射面の垂直軸に対し所定の微小角δ
の傾斜をもって当該入射面に入射させる入射光学系２０
と、反射型液晶素子５で反射されたレーザ光Ｌを被刻印
物１５の刻印面１５ａに照射させる出射光学系３０とか
ら構成されている。
置は、大きくは、刻印すべき印字パターンを表示する液
晶マスクである反射型液晶素子５と、Ｑスイッチ付きの
ＹＡＧレーザ発振器１から発振されたレーザ光Ｌを、反
射型液晶素子５の入射面の垂直軸に対し所定の微小角δ
の傾斜をもって当該入射面に入射させる入射光学系２０
と、反射型液晶素子５で反射されたレーザ光Ｌを被刻印
物１５の刻印面１５ａに照射させる出射光学系３０とか
ら構成されている。
【００１８】すなわち、まず、最初に、ワーク１５の刻
印面１５ａ上に印字すべき原画像のデータが外部ＣＰＵ
（上位コンピュータ）からレーザ刻印装置の内部制御部
に転送され、メモリに記憶される。すなわち、内部制御
部は外部ＣＰＵから送られてきた原画像を示すコード番
号を記憶する。
印面１５ａ上に印字すべき原画像のデータが外部ＣＰＵ
（上位コンピュータ）からレーザ刻印装置の内部制御部
に転送され、メモリに記憶される。すなわち、内部制御
部は外部ＣＰＵから送られてきた原画像を示すコード番
号を記憶する。
【００１９】ＹＡＧレーザ発振器１は、コントロールパ
ネルの発振スタートボタンが押されるとオンされ、連続
発振を開始する。Ｑスイッチが作動されていないときに
は、反射型液晶素子５にはレーザ光Ｌは照射されない。
ネルの発振スタートボタンが押されるとオンされ、連続
発振を開始する。Ｑスイッチが作動されていないときに
は、反射型液晶素子５にはレーザ光Ｌは照射されない。
【００２０】ここで、反射型液晶素子５としては、たと
えば高分子複合体液晶が使用され、液晶の各画素（ドッ
ト）が電圧によって駆動される。
えば高分子複合体液晶が使用され、液晶の各画素（ドッ
ト）が電圧によって駆動される。
【００２１】すなわち、液晶５は、電圧が加えられた画
素（ドット）部分で光を反射し、電圧が加えられていな
い画素（ドット）部分を散乱させて、反射させない性質
を有している。液晶５の各画素は時分割的に駆動される
場合もあり、スタティック駆動される場合もある。
素（ドット）部分で光を反射し、電圧が加えられていな
い画素（ドット）部分を散乱させて、反射させない性質
を有している。液晶５の各画素は時分割的に駆動される
場合もあり、スタティック駆動される場合もある。
【００２２】反射型液晶素子５は、液晶部６と、ミラー
部７とからなっており、ミラー部７によって光が反射さ
れる。反射型液晶素子５の内部構造については、後述す
る。つぎに、刻印スタートボタンが押されると、内部制
御部によってポリゴンミラー２、スキャンミラー３を駆
動するモータが初期位置まで駆動され、モータの初期設
定が行われるとともに、当該反射型液晶素子５の初期設
定が行われる。また、この初期設定がなされている間
に、上記メモリに記憶された原画像を分割する処理が内
部制御部によってなされ、表示すべき分割画像の印字パ
ターンデータが反射型液晶素子５に送られる。
部７とからなっており、ミラー部７によって光が反射さ
れる。反射型液晶素子５の内部構造については、後述す
る。つぎに、刻印スタートボタンが押されると、内部制
御部によってポリゴンミラー２、スキャンミラー３を駆
動するモータが初期位置まで駆動され、モータの初期設
定が行われるとともに、当該反射型液晶素子５の初期設
定が行われる。また、この初期設定がなされている間
に、上記メモリに記憶された原画像を分割する処理が内
部制御部によってなされ、表示すべき分割画像の印字パ
ターンデータが反射型液晶素子５に送られる。
【００２３】すなわち、内部制御部は、原画像を示すコ
ード番号を、分割した画像ごとのコード番号に変換する
処理を行い、さらにこのコード番号を反射型液晶素子５
の電極に印加すべき電極印加信号に変換し、この電極印
加信号を反射型液晶素子５に加える。
ード番号を、分割した画像ごとのコード番号に変換する
処理を行い、さらにこのコード番号を反射型液晶素子５
の電極に印加すべき電極印加信号に変換し、この電極印
加信号を反射型液晶素子５に加える。
【００２４】上記モータおよび反射型液晶素子５の初期
設定が終了した時点で、反射型液晶素子５がオンされ、
反射型液晶素子に時分割的に加えられる電極印加信号に
よって反射型液晶素子５の各画素が駆動され、反射型液
晶素子５上に分割画像が表示されるとともに、上記モー
タが駆動され、反射型液晶素子５上の走査が開始され
る。
設定が終了した時点で、反射型液晶素子５がオンされ、
反射型液晶素子に時分割的に加えられる電極印加信号に
よって反射型液晶素子５の各画素が駆動され、反射型液
晶素子５上に分割画像が表示されるとともに、上記モー
タが駆動され、反射型液晶素子５上の走査が開始され
る。
【００２５】さらに、反射型液晶素子５の表示画素と非
表示画素の反射率が安定した時点で、内部制御部は、Ｙ
ＡＧレーザ発振器１のＱスイッチにトリガ信号を加え、
予め設定された周波数でＹＡＧレーザ発振器１のパルス
発振を開始させ、レーザ光Ｌを反射型液晶素子５の入射
面に照射させる。
表示画素の反射率が安定した時点で、内部制御部は、Ｙ
ＡＧレーザ発振器１のＱスイッチにトリガ信号を加え、
予め設定された周波数でＹＡＧレーザ発振器１のパルス
発振を開始させ、レーザ光Ｌを反射型液晶素子５の入射
面に照射させる。
【００２６】すなわち、ＹＡＧレーザ発振器１から出力
されたレーザ光Ｌは、ポリゴンミラー２、スキャンミラ
ー３、反射型液晶素子５の入射面直前に配置された大口
径のフィールドレンズ４を介して反射型液晶素子５の入
射面上にピンポイント入射される。ここで、フィールド
レンズ４は、入射されるレーザ光Ｌの光軸を、反射型液
晶素子５の入射面に対し垂直にする機能を果たす光学素
子である。
されたレーザ光Ｌは、ポリゴンミラー２、スキャンミラ
ー３、反射型液晶素子５の入射面直前に配置された大口
径のフィールドレンズ４を介して反射型液晶素子５の入
射面上にピンポイント入射される。ここで、フィールド
レンズ４は、入射されるレーザ光Ｌの光軸を、反射型液
晶素子５の入射面に対し垂直にする機能を果たす光学素
子である。
【００２７】内部制御部は、ポリゴンミラー２、スキャ
ンミラー３の回転を制御し、レーザ光Ｌが反射型液晶素
子５の各画素部分に照射されるよう、ラスタ走査を実行
する。
ンミラー３の回転を制御し、レーザ光Ｌが反射型液晶素
子５の各画素部分に照射されるよう、ラスタ走査を実行
する。
【００２８】反射型液晶マスク５のミラー部７で反射さ
れたレーザ光Ｌは、反射型液晶素子５の垂直軸に関し入
射光軸と対称な出射光軸をもって、フィールドレンズ４
から出射される。そして、出射レーザ光Ｌは、フィール
ドレンズ４で生じた歪を補正するためのフィールド補正
レンズ８、Ｘ方向移動用ミラー９、Ｘ方向リレーレンズ
１０、ミラー１１、Ｙ方向リレーレンズ１２、Ｙ方向移
動用ミラー１３、結像レンズ１４を介して、ワーク１５
の刻印面１５ａまで導かれ、当該刻印面１５ａ上に分割
画像の印字パターン（反射型液晶素子５で表示された印
字パターンと相似形のもの）を刻印する。
れたレーザ光Ｌは、反射型液晶素子５の垂直軸に関し入
射光軸と対称な出射光軸をもって、フィールドレンズ４
から出射される。そして、出射レーザ光Ｌは、フィール
ドレンズ４で生じた歪を補正するためのフィールド補正
レンズ８、Ｘ方向移動用ミラー９、Ｘ方向リレーレンズ
１０、ミラー１１、Ｙ方向リレーレンズ１２、Ｙ方向移
動用ミラー１３、結像レンズ１４を介して、ワーク１５
の刻印面１５ａまで導かれ、当該刻印面１５ａ上に分割
画像の印字パターン（反射型液晶素子５で表示された印
字パターンと相似形のもの）を刻印する。
【００２９】こうして、ある分割画像のパターンの刻印
が終了すると、つぎの分割画像を刻印すべく、上記モー
タおよび反射型液晶素子５の初期設定が同様になされる
とともに、つぎに表示すべき分割画像の刻印パターンデ
ータが反射型液晶素子５に転送され、以下、同様にして
反射型液晶素子５上のラスタ走査によりワーク１５の刻
印面１５ａ上に、つぎの分割画像の印字パターンが印字
される。
が終了すると、つぎの分割画像を刻印すべく、上記モー
タおよび反射型液晶素子５の初期設定が同様になされる
とともに、つぎに表示すべき分割画像の刻印パターンデ
ータが反射型液晶素子５に転送され、以下、同様にして
反射型液晶素子５上のラスタ走査によりワーク１５の刻
印面１５ａ上に、つぎの分割画像の印字パターンが印字
される。
【００３０】ある分割画像の印字パターンからつぎの分
割画像の印字パターンへの刻印へ移る際には、Ｘ方向移
動用ミラー９の回動軸９ａおよびＹ方向移動用ミラー１
３の回転軸１３ａが、それぞれ矢印に示すように、つぎ
の分割画像印字パターンの印字位置に応じた移動量だけ
駆動される。
割画像の印字パターンへの刻印へ移る際には、Ｘ方向移
動用ミラー９の回動軸９ａおよびＹ方向移動用ミラー１
３の回転軸１３ａが、それぞれ矢印に示すように、つぎ
の分割画像印字パターンの印字位置に応じた移動量だけ
駆動される。
【００３１】この結果、ワーク１５の刻印面１５ａの２
次元ＸーＹ平面上には、各分割画像の印字パターンが、
それぞれ対応する座標位置（Ｘ、Ｙ）に、順次刻印さ
れ、最終的に原画像の印字パターンが刻印されることに
なる。
次元ＸーＹ平面上には、各分割画像の印字パターンが、
それぞれ対応する座標位置（Ｘ、Ｙ）に、順次刻印さ
れ、最終的に原画像の印字パターンが刻印されることに
なる。
【００３２】なお、ＹＡＧレーザ発振器１のＱスイッチ
は、最初に作動された後は、そのまま作動を続け、反射
型液晶素子５上へのレーザ光照射を継続する。
は、最初に作動された後は、そのまま作動を続け、反射
型液晶素子５上へのレーザ光照射を継続する。
【００３３】つぎに、図２を参照して、液晶面上での走
査を行わない場合の実施例について説明する。なお、図
１と同一符号は同一機能を有するものであり、説明は省
略し、異なる点のみを説明する。
査を行わない場合の実施例について説明する。なお、図
１と同一符号は同一機能を有するものであり、説明は省
略し、異なる点のみを説明する。
【００３４】すなわち、図２の入射光学系２０´ではレ
ーザ光Ｌを走査させる光学素子を設ける代わりに、パル
ス式のレーザ発振器１´から発振されたレーザ光Ｌの断
面ビーム形状を、反射型液晶素子５の入射面に応じた形
状、大きさに整形、拡大するビーム拡大整形レンズ１６
を設けるようにしている。
ーザ光Ｌを走査させる光学素子を設ける代わりに、パル
ス式のレーザ発振器１´から発振されたレーザ光Ｌの断
面ビーム形状を、反射型液晶素子５の入射面に応じた形
状、大きさに整形、拡大するビーム拡大整形レンズ１６
を設けるようにしている。
【００３５】このビーム拡大整形レンズ１６を通過した
レーザ光Ｌは、反射型液晶素子５の入射面全面に入射さ
れ、全画素が一括照射される。
レーザ光Ｌは、反射型液晶素子５の入射面全面に入射さ
れ、全画素が一括照射される。
【００３６】各分割画像の印字パターンを順次、反射型
液晶素子５に表示させるとともに、全画素の一括照射を
順次、行うことによって、刻印が順次行われ、図１に示
す実施例で必要であった分割画像毎の走査は不要とな
る。
液晶素子５に表示させるとともに、全画素の一括照射を
順次、行うことによって、刻印が順次行われ、図１に示
す実施例で必要であった分割画像毎の走査は不要とな
る。
【００３７】なお、図１、図２の実施例ともに、フィー
ルドレンズ４を補正するフィールド補正レンズ８を設け
るようにしているが、歪が問題とならない場合には、こ
のフィールド補正レンズ８の配設を省略するようにして
もよい。
ルドレンズ４を補正するフィールド補正レンズ８を設け
るようにしているが、歪が問題とならない場合には、こ
のフィールド補正レンズ８の配設を省略するようにして
もよい。
【００３８】また、図１、図２の実施例ともに、フィー
ルドレンズ４を設けるようにしているが、仮にレーザ光
Ｌが、反射型液晶素子５の入射面に垂直に入射されなく
ても問題がない場合には、フィールドレンズ４自体の配
設を省略してもよい。
ルドレンズ４を設けるようにしているが、仮にレーザ光
Ｌが、反射型液晶素子５の入射面に垂直に入射されなく
ても問題がない場合には、フィールドレンズ４自体の配
設を省略してもよい。
【００３９】このように、これら図１、図２の実施例に
よれば、入射光学系２０と出射光学系３０、３０´が、
反射型液晶素子５の入射面側に集中して配置されること
になるので、光学系の左右方向の空間的な拡がりを抑え
ることができる。また、レーザ光Ｌの光軸が反射型液晶
素子５の入射面に対して略垂直となるように、光学系が
配置されているので、光学系の上下方向の空間的な拡が
りも抑えることができる。
よれば、入射光学系２０と出射光学系３０、３０´が、
反射型液晶素子５の入射面側に集中して配置されること
になるので、光学系の左右方向の空間的な拡がりを抑え
ることができる。また、レーザ光Ｌの光軸が反射型液晶
素子５の入射面に対して略垂直となるように、光学系が
配置されているので、光学系の上下方向の空間的な拡が
りも抑えることができる。
【００４０】また、反射型液晶素子５自体が入射したレ
ーザ光Ｌを元の方向に反射させる機能を備えているの
で、従来のように、入射したレーザ光Ｌを元の方向にタ
ーンさせるための光学素子を別途設ける必要がなくな
り、コストの低減が図られる。
ーザ光Ｌを元の方向に反射させる機能を備えているの
で、従来のように、入射したレーザ光Ｌを元の方向にタ
ーンさせるための光学素子を別途設ける必要がなくな
り、コストの低減が図られる。
【００４１】このように、この実施例によれば、光学系
の省スペース化、低コストが図られる。
の省スペース化、低コストが図られる。
【００４２】さらに、これら図１、図２の実施例によれ
ば、入射光学系２０と出射光学系３０、３０´が反射型
液晶素子５の入射面側に集中して配置されるので、当該
反射型液晶素子５の入射面とは反対側の面には、何ら光
学素子は配置されることはなくなる。このため、反射型
液晶素子５の入射面とは反対側の面に、冷却手段１７
（たとえばヒートシンクやペルチェ冷却素子が使用され
る）を接触配置させることが可能となる。
ば、入射光学系２０と出射光学系３０、３０´が反射型
液晶素子５の入射面側に集中して配置されるので、当該
反射型液晶素子５の入射面とは反対側の面には、何ら光
学素子は配置されることはなくなる。このため、反射型
液晶素子５の入射面とは反対側の面に、冷却手段１７
（たとえばヒートシンクやペルチェ冷却素子が使用され
る）を接触配置させることが可能となる。
【００４３】このように接触型の冷却手段１７を使用す
ることができるので、冷却手段１７の設置スペースの省
スペース化が図られるとともに、冷却効率および冷却均
一性が飛躍的に向上する。
ることができるので、冷却手段１７の設置スペースの省
スペース化が図られるとともに、冷却効率および冷却均
一性が飛躍的に向上する。
【００４４】また、反射型液晶素子５は、所定の適温と
なるように維持する制御する必要がある。
なるように維持する制御する必要がある。
【００４５】さらに、反射型液晶素子５は、印字品質を
安定化させるために、反射率を所定値に維持する必要が
ある。
安定化させるために、反射率を所定値に維持する必要が
ある。
【００４６】図１は、コントローラ４０は、こうした制
御を行うために設けられている。
御を行うために設けられている。
【００４７】すなわち、計測用レーザ光源４１からは計
測用のレーザ光が反射型液晶素子５の入射面に入射され
る。そして、反射型液晶素子５によって反射された計測
用レーザ光は、光センサ４２で検出される。
測用のレーザ光が反射型液晶素子５の入射面に入射され
る。そして、反射型液晶素子５によって反射された計測
用レーザ光は、光センサ４２で検出される。
【００４８】ここで、コントローラ４０は、計測用レー
ザ光源４１から常に一定パワーのレーザ光が発振される
よう、駆動指令信号Ｖ1をレーザ光源４１に加える。光
センサ４２では、反射レーザ光のパワーが検出され、こ
の検出信号Ｓ1がコントローラ４０に入力される。
ザ光源４１から常に一定パワーのレーザ光が発振される
よう、駆動指令信号Ｖ1をレーザ光源４１に加える。光
センサ４２では、反射レーザ光のパワーが検出され、こ
の検出信号Ｓ1がコントローラ４０に入力される。
【００４９】コントローラ４０では、検出信号Ｓ1の大
きさから、反射率の大きさが計測される。そこで、例え
ば、反射率が低くなったと計測された場合には、反射型
液晶素子５の駆動電圧を大きくするよう、駆動指令信号
Ｖ3を反射型液晶素子５に加え、反射率を高くさせる。
逆に反射率が高くなったと計測された場合には、反射型
液晶素子５の駆動電圧を小さくするよう、駆動指令信号
Ｖ3を反射型液晶素子５に加え、反射率を低くさせる。
こうして反射型液晶素子５の反射率は、所定の目標値に
維持される。
きさから、反射率の大きさが計測される。そこで、例え
ば、反射率が低くなったと計測された場合には、反射型
液晶素子５の駆動電圧を大きくするよう、駆動指令信号
Ｖ3を反射型液晶素子５に加え、反射率を高くさせる。
逆に反射率が高くなったと計測された場合には、反射型
液晶素子５の駆動電圧を小さくするよう、駆動指令信号
Ｖ3を反射型液晶素子５に加え、反射率を低くさせる。
こうして反射型液晶素子５の反射率は、所定の目標値に
維持される。
【００５０】つぎに、温度制御について説明すると、反
射型液晶素子５の入射面とは反対側には、液晶面の温度
を検出する温度センサ４３が配設されており、この温度
センサ４３で検出された液晶温度Ｓ2がコントローラ４
０に入力される。そこで、コントローラ４０は、所定の
目標温度が得られるよう、上記温度センサ４３の検出温
度Ｓ2をフィードバック量として、冷却手段１７に対し
て駆動指令信号Ｖ2を出力し、温度のフィードバック制
御を行う。こうして反射型液晶素子５の温度は、所定の
目標温度に維持される。
射型液晶素子５の入射面とは反対側には、液晶面の温度
を検出する温度センサ４３が配設されており、この温度
センサ４３で検出された液晶温度Ｓ2がコントローラ４
０に入力される。そこで、コントローラ４０は、所定の
目標温度が得られるよう、上記温度センサ４３の検出温
度Ｓ2をフィードバック量として、冷却手段１７に対し
て駆動指令信号Ｖ2を出力し、温度のフィードバック制
御を行う。こうして反射型液晶素子５の温度は、所定の
目標温度に維持される。
【００５１】図２についても、図示してはいないが、同
様の制御が行われる。
様の制御が行われる。
【００５２】なお、実施例では、レーザとしてＹＡＧレ
ーザを想定しているが、これに限定されるわけではな
く、例えばＹＡＧ第２高調波を発光するレーザ、半導体
レーザ、アルゴンレーザ等を使用することができる。
ーザを想定しているが、これに限定されるわけではな
く、例えばＹＡＧ第２高調波を発光するレーザ、半導体
レーザ、アルゴンレーザ等を使用することができる。
【００５３】また、実施例では、反射型液晶素子とし
て、駆動電圧を大きくすると、反射率が高くなる液晶素
子を想定しているが、これに限定されるわけでなく、駆
動電圧を低くすると、反射率が高くなる液晶素子を使用
することができる。
て、駆動電圧を大きくすると、反射率が高くなる液晶素
子を想定しているが、これに限定されるわけでなく、駆
動電圧を低くすると、反射率が高くなる液晶素子を使用
することができる。
【００５４】つぎに、反射型液晶素子５の内部構造につ
いて図３、図４、図５を参照して説明する。
いて図３、図４、図５を参照して説明する。
【００５５】図３は、液晶部６の入射面とは反対側の面
に、単層膜または複数の膜の積層膜から成る全反射コー
ティング７´を施すことで、この全反射コーティング部
７´で、レーザ光Ｌを反射させるようにしたものであ
る。
に、単層膜または複数の膜の積層膜から成る全反射コー
ティング７´を施すことで、この全反射コーティング部
７´で、レーザ光Ｌを反射させるようにしたものであ
る。
【００５６】この全反射コーティングの材質としては、
例えば金属膜を使用することができる。また、金属膜以
外でも、入射レーザ光を反射する特性を有するものあれ
ば、任意の物質膜を使用することができる。また、膜厚
を所定の厚さに設定することで、入射レーザ光を反射さ
せる性質を有するような、透明の物質膜を使用すること
もできる。
例えば金属膜を使用することができる。また、金属膜以
外でも、入射レーザ光を反射する特性を有するものあれ
ば、任意の物質膜を使用することができる。また、膜厚
を所定の厚さに設定することで、入射レーザ光を反射さ
せる性質を有するような、透明の物質膜を使用すること
もできる。
【００５７】図４（ａ）は、２枚のガラス６ａ、６ｂに
よって液晶が挟まれた構造の反射型液晶素子５である。
つまり、図４（ａ）に示される、ガラス６ａ、６ｂによ
って挟まれた部分Ａを図４（ｂ）に拡大して示すよう
に、レーザ光入射側により、順に、ガラス６ａ、導電性
物質膜６ｄ、液晶６ｃ、全反射機能付導電性物質膜６
ｅ、ガラス６ｂという構造となっている。ここで、全反
射機能を導電性物質膜６ｅに持たせることにより、レー
ザ光Ｌを反射させるようにしている。例えば、６ｅの全
反射機能は、その膜厚を所定の厚さに設定することで得
るようにしている。図５は、同様に２枚のガラス６ａ、
６ｂによって液晶６ｃが挟まれた構造の反射型液晶素子
５を示している。
よって液晶が挟まれた構造の反射型液晶素子５である。
つまり、図４（ａ）に示される、ガラス６ａ、６ｂによ
って挟まれた部分Ａを図４（ｂ）に拡大して示すよう
に、レーザ光入射側により、順に、ガラス６ａ、導電性
物質膜６ｄ、液晶６ｃ、全反射機能付導電性物質膜６
ｅ、ガラス６ｂという構造となっている。ここで、全反
射機能を導電性物質膜６ｅに持たせることにより、レー
ザ光Ｌを反射させるようにしている。例えば、６ｅの全
反射機能は、その膜厚を所定の厚さに設定することで得
るようにしている。図５は、同様に２枚のガラス６ａ、
６ｂによって液晶６ｃが挟まれた構造の反射型液晶素子
５を示している。
【００５８】この場合は、２つの導電性物質膜６ｄ、６
ｄのうち、レーザ光入射側とは反対側の導電性物質膜６
ｄと液晶６ｃの境界面Ｂ、または同導電性物質膜６ｄと
ガラス６ｂとの境界面Ｃに、単層膜または複数の膜の積
層膜から成る全反射コーティングを施すようにしてい
る。この全反射コーティング部Ｂ，Ｃによって、レーザ
光Ｌが反射される。
ｄのうち、レーザ光入射側とは反対側の導電性物質膜６
ｄと液晶６ｃの境界面Ｂ、または同導電性物質膜６ｄと
ガラス６ｂとの境界面Ｃに、単層膜または複数の膜の積
層膜から成る全反射コーティングを施すようにしてい
る。この全反射コーティング部Ｂ，Ｃによって、レーザ
光Ｌが反射される。
【００５９】この全反射コーティングの材質としては、
例えば金属膜を使用することができる。また、金属膜以
外でも、入射レーザ光を反射する特性を有するものあれ
ば、任意の物質膜を使用することができる。また、膜厚
を所定の厚さに設定することで、入射レーザ光を反射さ
せる性質を有するような、透明の物質膜を使用すること
もできる。
例えば金属膜を使用することができる。また、金属膜以
外でも、入射レーザ光を反射する特性を有するものあれ
ば、任意の物質膜を使用することができる。また、膜厚
を所定の厚さに設定することで、入射レーザ光を反射さ
せる性質を有するような、透明の物質膜を使用すること
もできる。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ刻印装置において、入射光学系と出射光学系との
省スペース化が図られる。また、レーザ光をターンさせ
るための光学素子が不要となり、コストが低減される。
レーザ刻印装置において、入射光学系と出射光学系との
省スペース化が図られる。また、レーザ光をターンさせ
るための光学素子が不要となり、コストが低減される。
【００６１】また、反射型液晶素子の入射面とは反対側
の面に、冷却手段を接触配置させることが可能となり、
冷却手段の設置スペースの省スペース化が図られるとと
もに、冷却効率および冷却均一性が飛躍的に向上する。
の面に、冷却手段を接触配置させることが可能となり、
冷却手段の設置スペースの省スペース化が図られるとと
もに、冷却効率および冷却均一性が飛躍的に向上する。
【図１】図１は、本発明に係るレーザ刻印装置の実施例
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図２】図２は、他の実施例を示す図である。
【図３】図３は図１および図２に示す実施例に使用され
る反射型液晶素子の構造を示す図である。
る反射型液晶素子の構造を示す図である。
【図４】図４（ａ）は図１および図２に示す実施例に使
用される反射型液晶素子の構造を示す図であり、図４
（ｂ）は、図４（ａ）のＡ部拡大図である。
用される反射型液晶素子の構造を示す図であり、図４
（ｂ）は、図４（ａ）のＡ部拡大図である。
【図５】図５は図１および図２に示す実施例に使用され
る反射型液晶素子の構造を示す図である。
る反射型液晶素子の構造を示す図である。
１、１´ レーザ発振器 ５ 反射型液晶素子 １５ ワーク １５ａ 刻印面 １７ 冷却手段 ２０ 入射光学系 ３０ 出射光学系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 操 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 レーザ光源で発振されたレーザ光を
入射光学系を介して液晶マスクに入射させ、この液晶マ
スクを透過し出射されたレーザ光を出射光学系を介して
被刻印物に導き、当該被刻印物の表面に、前記液晶マス
クの印字パターンを刻印するようにしたレーザ刻印装置
において、 前記液晶マスクとして、反射型の液晶素子を使用し、 前記入射光学系によって前記反射型液晶素子に入射され
るレーザ光の光軸が、前記反射型液晶素子の入射面に対
して略垂直となるように、前記入射光学系と、前記反射
型液晶素子で反射されたレーザ光を前記被刻印物に導く
前記出射光学系とを、前記反射型液晶素子の前記入射面
側に配置したレーザ刻印装置。 - 【請求項２】 前記反射型液晶素子の前記入射面と
は反対側の面に、当該反射型液晶素子を冷却する冷却手
段を接触配置した請求項１記載のレーザ刻印装置。 - 【請求項３】 前記反射型液晶素子は、高分子複合
体液晶である請求項１記載のレーザ刻印装置。 - 【請求項４】 液晶素子の両面のうち、前記入射面
とは反対側の面に全反射コーティングを施すことにより
前記反射型液晶素子を構成するようにした請求項１記載
のレーザ刻印装置。 - 【請求項５】 液晶素子を構成する導電性物質の膜
にレーザ光を反射させる機能を持たせることで前記反射
型液晶素子を構成するようにした請求項１記載のレーザ
刻印装置。 - 【請求項６】 液晶素子を構成する導電性物質の膜
に、レーザ光反射膜が接触配置されて、前記反射型液晶
素子が構成されている請求項１記載のレーザ刻印装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7047382A JPH08243765A (ja) | 1995-03-07 | 1995-03-07 | レーザ刻印装置 |
| KR1019960005553A KR960033636A (ko) | 1995-03-07 | 1996-03-04 | 레이저각인장치 |
| EP96905019A EP0842728A4 (en) | 1995-03-07 | 1996-03-07 | LASER MARKING SYSTEM |
| US08/894,923 US5942136A (en) | 1995-03-07 | 1996-03-07 | Laser marking device |
| PCT/JP1996/000554 WO1996027473A1 (fr) | 1995-03-07 | 1996-03-07 | Systeme de marquage par laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7047382A JPH08243765A (ja) | 1995-03-07 | 1995-03-07 | レーザ刻印装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08243765A true JPH08243765A (ja) | 1996-09-24 |
Family
ID=12773558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7047382A Pending JPH08243765A (ja) | 1995-03-07 | 1995-03-07 | レーザ刻印装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5942136A (ja) |
| EP (1) | EP0842728A4 (ja) |
| JP (1) | JPH08243765A (ja) |
| KR (1) | KR960033636A (ja) |
| WO (1) | WO1996027473A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057259B2 (en) | 2001-03-21 | 2006-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer with ID mark, equipment for and method of manufacturing semiconductor device from them |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5937270A (en) | 1996-01-24 | 1999-08-10 | Micron Electronics, Inc. | Method of efficiently laser marking singulated semiconductor devices |
| JPH10156561A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Komatsu Ltd | レーザマーキング方法および装置および液晶素子の駆動方法 |
| JP3874528B2 (ja) * | 1998-03-11 | 2007-01-31 | 株式会社小松製作所 | 半導体ウエハのレーザマーキング方法 |
| US6262388B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-07-17 | Micron Electronics, Inc. | Laser marking station with enclosure and method of operation |
| US6417484B1 (en) | 1998-12-21 | 2002-07-09 | Micron Electronics, Inc. | Laser marking system for dice carried in trays and method of operation |
| US6542177B1 (en) * | 2000-02-29 | 2003-04-01 | Hewlett-Packard Company | Laser printing system with low cost linear modulator |
| US6436093B1 (en) | 2000-06-21 | 2002-08-20 | Luis Antonio Ruiz | Controllable liquid crystal matrix mask particularly suited for performing ophthamological surgery, a laser system with said mask and a method of using the same |
| US6464692B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-10-15 | Luis Antonio Ruiz | Controllable electro-optical patternable mask, system with said mask and method of using the same |
| US6528760B1 (en) | 2000-07-14 | 2003-03-04 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method using rotational indexing for laser marking IC packages carried in trays |
| US7642484B2 (en) | 2001-06-13 | 2010-01-05 | Orbotech Ltd | Multiple beam micro-machining system and method |
| WO2003051571A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-26 | Meir Chen | System and method for cutting and applying metal configurations to another metal surface |
| US7169685B2 (en) | 2002-02-25 | 2007-01-30 | Micron Technology, Inc. | Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive |
| JP2004158768A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハおよびサブストレート |
| CN100364781C (zh) * | 2006-01-26 | 2008-01-30 | 戈军 | 用于激光打标的掩模及激光打标装置 |
| US9099481B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods of laser marking semiconductor substrates |
| US11873461B1 (en) | 2022-09-22 | 2024-01-16 | Afton Chemical Corporation | Extreme pressure additives with improved copper corrosion |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60174671A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-07 | Nec Corp | レ−ザ−捺印装置 |
| US5231263A (en) * | 1990-03-09 | 1993-07-27 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal mask type laser marking system |
| TW225050B (ja) * | 1990-11-30 | 1994-06-11 | Hitachi Ltd | |
| JPH04200989A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-21 | Hitachi Ltd | レーザマーキング装置 |
| DE69221968T2 (de) * | 1991-06-28 | 1998-03-05 | Philips Electronics Nv | Bildwiedergabeanordnung |
| JP2701183B2 (ja) * | 1991-08-09 | 1998-01-21 | 株式会社小松製作所 | 液晶マスク式レーザマーカ |
| US5310986A (en) * | 1992-04-28 | 1994-05-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser machining apparatus |
| JPH0623575A (ja) * | 1992-07-07 | 1994-02-01 | Hitachi Ltd | 液晶マスク式レーザマーカによりマーキングされた製品 |
| JPH0675237A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置 |
| US5463200A (en) * | 1993-02-11 | 1995-10-31 | Lumonics Inc. | Marking of a workpiece by light energy |
-
1995
- 1995-03-07 JP JP7047382A patent/JPH08243765A/ja active Pending
-
1996
- 1996-03-04 KR KR1019960005553A patent/KR960033636A/ko active IP Right Grant
- 1996-03-07 US US08/894,923 patent/US5942136A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1996-03-07 EP EP96905019A patent/EP0842728A4/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057259B2 (en) | 2001-03-21 | 2006-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer with ID mark, equipment for and method of manufacturing semiconductor device from them |
| US7700381B2 (en) | 2001-03-21 | 2010-04-20 | Kabushikia Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer with ID mark, equipment for and method of manufacturing semiconductor device from them |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0842728A4 (en) | 1999-06-09 |
| US5942136A (en) | 1999-08-24 |
| EP0842728A1 (en) | 1998-05-20 |
| WO1996027473A1 (fr) | 1996-09-12 |
| KR960033636A (ko) | 1996-10-22 |
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