JP3265553B2 - レーザマーキング方法 - Google Patents
レーザマーキング方法Info
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- JP3265553B2 JP3265553B2 JP19555994A JP19555994A JP3265553B2 JP 3265553 B2 JP3265553 B2 JP 3265553B2 JP 19555994 A JP19555994 A JP 19555994A JP 19555994 A JP19555994 A JP 19555994A JP 3265553 B2 JP3265553 B2 JP 3265553B2
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- Japan
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- pattern
- laser
- crystal mask
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/18—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K1/00—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion
- G06K1/12—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion otherwise than by punching
- G06K1/126—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion otherwise than by punching by photographic or thermographic registration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は所要の刻印パターンが
表示された液晶マスク上にレーザビームをラスタ走査さ
せ、該液晶マスクを通過したレーザビームによってＩＣ
などの被加工物に前記刻印パターンをマーキングするレ
ーザマーキング方法に関し、特に液晶の透過率のばらつ
きを低減して画像むらを少なくするための方法に関す
る。
表示された液晶マスク上にレーザビームをラスタ走査さ
せ、該液晶マスクを通過したレーザビームによってＩＣ
などの被加工物に前記刻印パターンをマーキングするレ
ーザマーキング方法に関し、特に液晶の透過率のばらつ
きを低減して画像むらを少なくするための方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶マスクを用いたレーザマーキング方
式においては、液晶マスクに所要の刻印パターンを表示
するとともに、この液晶マスクを介してレーザビームを
被加工物に照射することにより被加工物に前記刻印パタ
ーンをマーキングする。レーザビームは、主走査および
副走査による謂ゆるラスタ走査によって液晶マスク上を
走査される。
式においては、液晶マスクに所要の刻印パターンを表示
するとともに、この液晶マスクを介してレーザビームを
被加工物に照射することにより被加工物に前記刻印パタ
ーンをマーキングする。レーザビームは、主走査および
副走査による謂ゆるラスタ走査によって液晶マスク上を
走査される。
【０００３】この種レーザマーキング装置の従来技術と
して、特開平２−２６８９８８号公報がある。
して、特開平２−２６８９８８号公報がある。
【０００４】この従来技術においては、図８に示すよう
に、液晶マスクを複数のブロックに分割し、各ブロック
の始点から終点の間をレーザビームが走査するに要する
時間を予め測定しておき、走査開始後の時間経過をタイ
マーなどにより検出することにより各区分単位に刻印パ
ターンの書き換えを行うようにしている。例えば、液晶
マスクを２区分に分割した場合は、上区分のレーザ走査
が終了すると、その後下区分のレーザ走査を行うと同時
に、上区分に表示されていた刻印パターンを次の刻印パ
ターンに切り換えるようにする。
に、液晶マスクを複数のブロックに分割し、各ブロック
の始点から終点の間をレーザビームが走査するに要する
時間を予め測定しておき、走査開始後の時間経過をタイ
マーなどにより検出することにより各区分単位に刻印パ
ターンの書き換えを行うようにしている。例えば、液晶
マスクを２区分に分割した場合は、上区分のレーザ走査
が終了すると、その後下区分のレーザ走査を行うと同時
に、上区分に表示されていた刻印パターンを次の刻印パ
ターンに切り換えるようにする。
【０００５】このようにすることにより、液晶マスクの
書き換えとレーザ走査が並列に行われるので、液晶マス
ク全体のレーザ走査が終了した後に液晶マスクの表示パ
ターンを次の刻印パターンに切り換える方式に比べマー
キング処理時間を短縮することができる。
書き換えとレーザ走査が並列に行われるので、液晶マス
ク全体のレーザ走査が終了した後に液晶マスクの表示パ
ターンを次の刻印パターンに切り換える方式に比べマー
キング処理時間を短縮することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、上記分割ブロック単位が比較的大面
積であるので、同一分割ブロック内の各液晶画素間で透
過率や温度のばらつきが発生し、これが刻印された画像
のむらの原因となってた。
来技術においては、上記分割ブロック単位が比較的大面
積であるので、同一分割ブロック内の各液晶画素間で透
過率や温度のばらつきが発生し、これが刻印された画像
のむらの原因となってた。
【０００７】すなわち、同一ブロック内においても、そ
の上部領域と下部領域とでは液晶の切り換え時点からレ
ーザ走査が行われるまでの時間に大きな差があり、この
時間差が透過率ばらつきの原因となっていた。例えば、
先の図８において、ブロックＡ内の液晶画素ａとｂとを
考えた場合、これら画素ａ，ｂの刻印パターンが切り換
えられる時刻は同じであるが、レーザ走査は左上から右
下へのラスタ形式であるので、画素ａについてのレーザ
走査が行われる時刻は画素ｂについてのレーザ走査が行
われる時刻よりかなりはやい時点となる。よって、これ
ら画素ａ，ｂ間で、液晶の切り換え時点からレーザ走査
が行われるまでの時間に大きな差ができてしまい、これ
が透過率ばらつきの原因となる。
の上部領域と下部領域とでは液晶の切り換え時点からレ
ーザ走査が行われるまでの時間に大きな差があり、この
時間差が透過率ばらつきの原因となっていた。例えば、
先の図８において、ブロックＡ内の液晶画素ａとｂとを
考えた場合、これら画素ａ，ｂの刻印パターンが切り換
えられる時刻は同じであるが、レーザ走査は左上から右
下へのラスタ形式であるので、画素ａについてのレーザ
走査が行われる時刻は画素ｂについてのレーザ走査が行
われる時刻よりかなりはやい時点となる。よって、これ
ら画素ａ，ｂ間で、液晶の切り換え時点からレーザ走査
が行われるまでの時間に大きな差ができてしまい、これ
が透過率ばらつきの原因となる。
【０００８】図９は、液晶の透過率特性を示すもので、
この図からも判るように、液晶の透過率は駆動電圧がオ
ンされた後所定の時間経過で所定の透過率に達するが、
その後においても電圧オンの時間が長くなると透過率が
徐々に上昇してくる。
この図からも判るように、液晶の透過率は駆動電圧がオ
ンされた後所定の時間経過で所定の透過率に達するが、
その後においても電圧オンの時間が長くなると透過率が
徐々に上昇してくる。
【０００９】このように、液晶は電圧オンにしてからそ
のオン状態を保持している時間をできるだけ一定にした
ほうが透過率を一定にできるものである。
のオン状態を保持している時間をできるだけ一定にした
ほうが透過率を一定にできるものである。
【００１０】この発明はこのような実情に鑑みてなされ
たもので、液晶の透過率ばらつきを低減して画像むらの
少ない刻印をなし得るレーザマーキング方法を提供する
ことを目的とする。
たもので、液晶の透過率ばらつきを低減して画像むらの
少ない刻印をなし得るレーザマーキング方法を提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明では、
所要の刻印パターンが表示された液晶マスク上にレーザ
ビームをラスタ走査させ、該液晶マスクを通過したレー
ザビームによって被加工物をマーキングするレーザマー
キング方法において、レーザビームの走査が終了した走
査線単位に、液晶マスクの刻印パターンを順次次の刻印
パターンに切り換えるようにしている。
所要の刻印パターンが表示された液晶マスク上にレーザ
ビームをラスタ走査させ、該液晶マスクを通過したレー
ザビームによって被加工物をマーキングするレーザマー
キング方法において、レーザビームの走査が終了した走
査線単位に、液晶マスクの刻印パターンを順次次の刻印
パターンに切り換えるようにしている。
【００１２】すなわち、本発明においては、レーザビー
ム走査の終了した走査線毎に、１走査線単位に液晶マス
クの表示パターンの切り換えを行うようにしている。
ム走査の終了した走査線毎に、１走査線単位に液晶マス
クの表示パターンの切り換えを行うようにしている。
【００１３】またこの発明では、所要の刻印パターンが
表示された液晶マスク上にレーザビームをラスタ走査さ
せ、該液晶マスクを通過したレーザビームによって被加
工物をマーキングするレーザマーキング方法において、
レーザビームの走査が終了した液晶画素単位に、液晶マ
スクの刻印パターンを順次次の刻印パターンに切り換え
るようにしている。
表示された液晶マスク上にレーザビームをラスタ走査さ
せ、該液晶マスクを通過したレーザビームによって被加
工物をマーキングするレーザマーキング方法において、
レーザビームの走査が終了した液晶画素単位に、液晶マ
スクの刻印パターンを順次次の刻印パターンに切り換え
るようにしている。
【００１４】すなわち、本発明においては、レーザビー
ム走査の終了した液晶画素毎に、１画素単位に液晶マス
クの表示パターンの切り換えを行うようにしている。
ム走査の終了した液晶画素毎に、１画素単位に液晶マス
クの表示パターンの切り換えを行うようにしている。
【００１５】
【実施例】以下この発明を添付図面に示す実施例に従っ
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１６】図２は、この発明の方法を適用するレーザ
マーカ装置の全体構成例を示すもので、レーザ発振器１
から発振されたレーザ光は、Ｙ方向偏向器としてのスキ
ャナミラー２、レンズ３、Ｘ方向偏向器としてのポリゴ
ンミラー４、レンズ５を介して液晶マスク６に入射され
る。すなわち、スキャナミラー２による副走査（Ｙ方
向）およびポリゴンミラー４による主走査（Ｘ方向）に
よってレーザ光は液晶マスク６上で図３に示すようなラ
スタ走査される。
マーカ装置の全体構成例を示すもので、レーザ発振器１
から発振されたレーザ光は、Ｙ方向偏向器としてのスキ
ャナミラー２、レンズ３、Ｘ方向偏向器としてのポリゴ
ンミラー４、レンズ５を介して液晶マスク６に入射され
る。すなわち、スキャナミラー２による副走査（Ｙ方
向）およびポリゴンミラー４による主走査（Ｘ方向）に
よってレーザ光は液晶マスク６上で図３に示すようなラ
スタ走査される。
【００１７】コントローラ７は、スキャナミラー用モー
タ８およびポリゴンミラー用モータ９を駆動制御するこ
とにより液晶マスク６上でのラスタ走査を制御すると共
に、レーザ発振器１によるレーザ発振を制御する。さら
に、コントローラ７は、液晶マスク６上の刻印パターン
の表示切り換え制御を実行する。
タ８およびポリゴンミラー用モータ９を駆動制御するこ
とにより液晶マスク６上でのラスタ走査を制御すると共
に、レーザ発振器１によるレーザ発振を制御する。さら
に、コントローラ７は、液晶マスク６上の刻印パターン
の表示切り換え制御を実行する。
【００１８】液晶マスク６を通過したレーザ光は、Ｙ方
向偏向器としてのミラー１０、レンズ１１、Ｘ方向偏向
器である移動テーブル付きのレンズ１２を介して被加工
物１３に照射され、これにより液晶マスク６上に表示さ
れた刻印パターンが被加工物１３に刻印される。Ｙ方向
偏向器としてのミラー１０はモータ１４によって回転駆
動されることによりレーザ光をＹ方向に偏向し、またＸ
方向偏向器であるレンズ１２はモータ１５による移動テ
ーブル１６の移動によってレーザ光をＸ方向に偏向す
る。これらミラー１０およびレンズ１２はレーザ光の被
加工物１３に対する位置合わせのために設けられてお
り、これらの位置合わせ制御はコントローラ７によって
行われる。
向偏向器としてのミラー１０、レンズ１１、Ｘ方向偏向
器である移動テーブル付きのレンズ１２を介して被加工
物１３に照射され、これにより液晶マスク６上に表示さ
れた刻印パターンが被加工物１３に刻印される。Ｙ方向
偏向器としてのミラー１０はモータ１４によって回転駆
動されることによりレーザ光をＹ方向に偏向し、またＸ
方向偏向器であるレンズ１２はモータ１５による移動テ
ーブル１６の移動によってレーザ光をＸ方向に偏向す
る。これらミラー１０およびレンズ１２はレーザ光の被
加工物１３に対する位置合わせのために設けられてお
り、これらの位置合わせ制御はコントローラ７によって
行われる。
【００１９】かかる構成において、コントローラ７は図
１のフローチャートに示すようなレーザ走査制御及び刻
印パターン表示切換制御を実行する。
１のフローチャートに示すようなレーザ走査制御及び刻
印パターン表示切換制御を実行する。
【００２０】まず、コントローラ７は液晶マスク６を駆
動して最初に刻印すべき刻印パターンを液晶マスク６上
に表示する（ステップ１００）。
動して最初に刻印すべき刻印パターンを液晶マスク６上
に表示する（ステップ１００）。
【００２１】次に、コントローラ７は、レーザ発振器１
をオンにするとともに、モータ８および９を駆動制御し
てレーザ光による図３に示すようなラスタ走査を開始す
る（ステップ１１０）。
をオンにするとともに、モータ８および９を駆動制御し
てレーザ光による図３に示すようなラスタ走査を開始す
る（ステップ１１０）。
【００２２】その後、コントローラ７は１主走査線のラ
スタ走査の終了を検知すると（ステップ１２０）、ラス
タ走査を次の主走査線に移行させるとともに、前記ラス
タ走査を終了した主走査線についての刻印パターンを次
に表示すべき刻印パターンに切り換えるよう液晶マスク
６を駆動する（ステップ１３０）。
スタ走査の終了を検知すると（ステップ１２０）、ラス
タ走査を次の主走査線に移行させるとともに、前記ラス
タ走査を終了した主走査線についての刻印パターンを次
に表示すべき刻印パターンに切り換えるよう液晶マスク
６を駆動する（ステップ１３０）。
【００２３】以下同様にして、コントローラ７は１主走
査線のラスタ走査が終了する度に、ラスタ走査を次の主
走査線に移行させるとともに、前記ラスタ走査を終了し
た主走査線についての刻印パターンを次に表示すべき刻
印パターンに切り換えるよう液晶マスク６を駆動する
（ステップ１４０〜ステップ１３０）。
査線のラスタ走査が終了する度に、ラスタ走査を次の主
走査線に移行させるとともに、前記ラスタ走査を終了し
た主走査線についての刻印パターンを次に表示すべき刻
印パターンに切り換えるよう液晶マスク６を駆動する
（ステップ１４０〜ステップ１３０）。
【００２４】その後、現在の刻印パターンのレーザ走査
が終了すると（ステップ１４０）、コントローラ７はモ
ータ１４、１５を駆動して被加工物の刻印位置を変えた
後、再度液晶マスク６をラスタ走査することにより次の
刻印パターンを被加工物上に刻印していく（ステップ１
５０）。
が終了すると（ステップ１４０）、コントローラ７はモ
ータ１４、１５を駆動して被加工物の刻印位置を変えた
後、再度液晶マスク６をラスタ走査することにより次の
刻印パターンを被加工物上に刻印していく（ステップ１
５０）。
【００２５】以下同様の制御を全ての刻印が終了するま
で繰り返し実行する（ステップ１６０）。
で繰り返し実行する（ステップ１６０）。
【００２６】図４は、１主走査線単位に液晶マスクの刻
印パターンが切り換えられていく様子を示すもので、最
初の刻印パターン「Ａ」が１主走査線単位に次の刻印パ
ターン「Ｂ」に切り換えられている。
印パターンが切り換えられていく様子を示すもので、最
初の刻印パターン「Ａ」が１主走査線単位に次の刻印パ
ターン「Ｂ」に切り換えられている。
【００２７】図５はこの発明の他の実施例を示すもの
で、先の図１に示したフローチャートのステップ１４０
とステップ１５０との間にステップ１４５を追加挿入す
るようにしている。
で、先の図１に示したフローチャートのステップ１４０
とステップ１５０との間にステップ１４５を追加挿入す
るようにしている。
【００２８】すなわち、この実施例では或る刻印パター
ンのレーザ走査が終了して、次の刻印パターンのレーザ
走査を開始する前に、一旦液晶パネルの液晶駆動電圧を
所定時間の間オフにし、このオフ時間を経過させた後、
次の刻印パターンに対応して液晶を駆動するようにして
いる。
ンのレーザ走査が終了して、次の刻印パターンのレーザ
走査を開始する前に、一旦液晶パネルの液晶駆動電圧を
所定時間の間オフにし、このオフ時間を経過させた後、
次の刻印パターンに対応して液晶を駆動するようにして
いる。
【００２９】例えば、表示内容を図６(a)に示すパター
ンから図６(b)に示すパターンに切り換える場合、従来
方式では図示「＊」の２画素は連続してオン状態が続く
ために、他の部分と透過率が異なり、これが画像むらの
原因となってしまう。そこで、この実施例では、図６
(c)に示すように、全体の駆動電圧を所定時間の間オフ
にする工程を入れることで、各画素の透過率をほぼ一様
にし、画像むらを低減するようにしている。すなわち、
本実施例では、(a)→(b)→(c)→(b)のように刻印パター
ンの切り換えが行われる。
ンから図６(b)に示すパターンに切り換える場合、従来
方式では図示「＊」の２画素は連続してオン状態が続く
ために、他の部分と透過率が異なり、これが画像むらの
原因となってしまう。そこで、この実施例では、図６
(c)に示すように、全体の駆動電圧を所定時間の間オフ
にする工程を入れることで、各画素の透過率をほぼ一様
にし、画像むらを低減するようにしている。すなわち、
本実施例では、(a)→(b)→(c)→(b)のように刻印パター
ンの切り換えが行われる。
【００３０】図７はこの発明の更に別の実施例を示すも
ので、この場合は液晶１画素単位に刻印パターンの表示
切換えを行うようにしている。
ので、この場合は液晶１画素単位に刻印パターンの表示
切換えを行うようにしている。
【００３１】すなわち、まず、コントローラ７は液晶マ
スク６を駆動して最初に刻印すべき刻印パターンを液晶
マスク６上に表示する（ステップ２００）。
スク６を駆動して最初に刻印すべき刻印パターンを液晶
マスク６上に表示する（ステップ２００）。
【００３２】次に、コントローラ７は、レーザ発振器１
をオンにするとともに、モータ８および９を駆動制御し
てレーザ光による図３に示すようなラスタ走査を開始す
る（ステップ２１０）。
をオンにするとともに、モータ８および９を駆動制御し
てレーザ光による図３に示すようなラスタ走査を開始す
る（ステップ２１０）。
【００３３】その後、コントローラ７は１液晶画素のレ
ーザ走査を終了すると（ステップ２２０）、レーザ走査
を次の画素に移行させるとともに、前記レーザ走査を終
了した１画素についての刻印パターンを次に表示すべき
刻印パターンに切り換えるよう液晶マスク６を駆動する
（ステップ２３０）。
ーザ走査を終了すると（ステップ２２０）、レーザ走査
を次の画素に移行させるとともに、前記レーザ走査を終
了した１画素についての刻印パターンを次に表示すべき
刻印パターンに切り換えるよう液晶マスク６を駆動する
（ステップ２３０）。
【００３４】以下同様にして、コントローラ７は１画素
のレーザ走査が終了する度に、レーザ走査走査を次の画
素に移行させるとともに、前記レーザ走査を終了した１
画素についての刻印パターンを次に表示すべき刻印パタ
ーンに切り換えるよう液晶マスク６を駆動する（ステッ
プ２４０〜ステップ２３０）。
のレーザ走査が終了する度に、レーザ走査走査を次の画
素に移行させるとともに、前記レーザ走査を終了した１
画素についての刻印パターンを次に表示すべき刻印パタ
ーンに切り換えるよう液晶マスク６を駆動する（ステッ
プ２４０〜ステップ２３０）。
【００３５】その後、現在の刻印パターンのレーザ走査
が終了すると（ステップ２４０）、コントローラ７はモ
ータ１４、１５を駆動して被加工物の刻印位置を変えた
後、再度液晶マスク６をラスタ走査することにより次の
刻印パターンを被加工物上に刻印していく（ステップ２
５０）。
が終了すると（ステップ２４０）、コントローラ７はモ
ータ１４、１５を駆動して被加工物の刻印位置を変えた
後、再度液晶マスク６をラスタ走査することにより次の
刻印パターンを被加工物上に刻印していく（ステップ２
５０）。
【００３６】以下同様の制御を全ての刻印が終了するま
で繰り返し実行する（ステップ２６）。
で繰り返し実行する（ステップ２６）。
【００３７】なお、上記図７の実施例においても、ステ
ップ２４０とステップ２５０との間に、図５に示した実
施例と同様な電圧オフ工程、すなわち液晶駆動電圧を所
定時間オフにする工程を挿入するようにしてもよい。
ップ２４０とステップ２５０との間に、図５に示した実
施例と同様な電圧オフ工程、すなわち液晶駆動電圧を所
定時間オフにする工程を挿入するようにしてもよい。
【００３８】また、上記実施例では１画素単位に刻印パ
ターンを切り換えるようにしたが、２〜３画素や数１０
画素や数１００画素単位に刻印パターンの切替えを行う
ようにしてもよい。
ターンを切り換えるようにしたが、２〜３画素や数１０
画素や数１００画素単位に刻印パターンの切替えを行う
ようにしてもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
１主走査線または１画素単位に液晶表示パターンを切り
換えるようにしてレーザ走査を行うようにしたので、液
晶マスクの各画素の透過率ばらつきを低減して画像むら
の少ない刻印をなし得るようになる。
１主走査線または１画素単位に液晶表示パターンを切り
換えるようにしてレーザ走査を行うようにしたので、液
晶マスクの各画素の透過率ばらつきを低減して画像むら
の少ない刻印をなし得るようになる。
【図１】この発明の実施例を示すフローチャート。
【図２】レーザマーカ装置の全体構成を示す概念図。
【図３】ラスタ走査を示す図。
【図４】１走査線単位の刻印パターンの切換えを示す
図。
図。
【図５】この発明の他の実施例を示すフローチャート。
【図６】図５の実施例を説明する図。
【図７】この発明の他の実施例を示すフローチャート。
【図８】従来技術を説明する図。
【図９】液晶の透過率の経時特性を示す図。
１…レーザ発振器 ２…スキャナミラー ３…レンズ ４…ポリゴンミラー ５…レンズ ６…液晶マスク ７…コントローラ ８…モータ ９…モータ １０…ミラー １１…レンズ １２…レンズ １３…被加工物 １４…モータ １５…モータ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−6921（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−268988（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−155054（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−160216（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 26/00 B23K 26/06 G02F 1/13
Claims (3)
- 【請求項１】所要の刻印パターンが表示された液晶マス
ク上にレーザビームをラスタ走査させ、該液晶マスクを
通過したレーザビームによって被加工物をマーキングす
るレーザマーキング方法において、 レーザビームの走査が終了した走査線単位に、液晶マス
クの刻印パターンを順次次の刻印パターンに切り換える
ことを特徴とするレーザマーキング方法。 - 【請求項２】所要の刻印パターンが表示された液晶マス
ク上にレーザビームをラスタ走査させ、該液晶マスクを
通過したレーザビームによって被加工物をマーキングす
るレーザマーキング方法において、 レーザビームの走査が終了した液晶画素単位に、液晶マ
スクの刻印パターンを順次次の刻印パターンに切り換え
ることを特徴とするレーザマーキング方法。 - 【請求項３】液晶マスクの刻印パターンの次のパターン
への切り換えが終了し、次のパターンへのレーザビーム
走査を開始する前に、一旦液晶駆動電圧を所定時間オフ
にし、その後切り換えるべき刻印パターンに対応して液
晶を駆動するようにしたことを特徴とする請求項１また
は２記載のレーザマーキング方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19555994A JP3265553B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | レーザマーキング方法 |
| KR1019950011827A KR960007081A (ko) | 1994-08-19 | 1995-05-13 | 레이저마아킹방법 |
| DE69519678T DE69519678T2 (de) | 1994-08-19 | 1995-06-02 | Lasermarkierungsverfahren |
| EP95920243A EP0783932B1 (en) | 1994-08-19 | 1995-06-02 | Laser marking method |
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