JP2640321B2 - 液晶マスク式レーザマーカ及びレーザマーキング方法 - Google Patents
液晶マスク式レーザマーカ及びレーザマーキング方法Info
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶マスク式レーザマ
ーカ及びレーザマーキング方法に関する。
ーカ及びレーザマーキング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の液晶マスク式レーザマー
カは、多種存在するが、概してレーザ発振器と、レーザ
光を拡大し、縮小し又はコリメートするレンズ系と、パ
ターンを自在に表示する液晶マスクと、レーザ光路を偏
向する１〜２組のＸＹ偏向器と、これらを同期制御させ
る制御器等とから構成されている。
カは、多種存在するが、概してレーザ発振器と、レーザ
光を拡大し、縮小し又はコリメートするレンズ系と、パ
ターンを自在に表示する液晶マスクと、レーザ光路を偏
向する１〜２組のＸＹ偏向器と、これらを同期制御させ
る制御器等とから構成されている。
【０００３】上記構成において、制御器は、レーザ発振
器を発振させ、そのレーザ光を液晶マスクに照射し、該
液晶マスクを透過したレーザ光をワーク表面に照射させ
て該ワーク表面に前記液晶のパターンを刻印する。
器を発振させ、そのレーザ光を液晶マスクに照射し、該
液晶マスクを透過したレーザ光をワーク表面に照射させ
て該ワーク表面に前記液晶のパターンを刻印する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで液晶マスク式
レーザマーカは、使用に伴って刻印の鮮明度が劣化する
が、上記従来の液晶マスク式レーザマーカでは、例えば
レーザ出力を適宜上げてみるとか、レンズ系を清掃して
みるとか、液晶マスクを交換してみるとか、ＸＹ偏向器
の駆動系を検査してみるとか又は制御器を交換してみる
とかを、何となく経験的に対処することにより、前記刻
印の鮮明度の劣化を抑えているのが実情である。
レーザマーカは、使用に伴って刻印の鮮明度が劣化する
が、上記従来の液晶マスク式レーザマーカでは、例えば
レーザ出力を適宜上げてみるとか、レンズ系を清掃して
みるとか、液晶マスクを交換してみるとか、ＸＹ偏向器
の駆動系を検査してみるとか又は制御器を交換してみる
とかを、何となく経験的に対処することにより、前記刻
印の鮮明度の劣化を抑えているのが実情である。
【０００５】かかる実情に対し、本出願人は次の点に着
目してみた。液晶は、温度が変化すると、光透過率が変
化し、また印加電圧を変えることにより、光透過率を変
化させることができる。言い換えれば、印加電圧によっ
て刻印の鮮明度を制御できる。そしてこの制御は、既存
の制御器に（又は別途簡単な制御器を追設しても）特定
のプログラムを加えることにより達成できる。
目してみた。液晶は、温度が変化すると、光透過率が変
化し、また印加電圧を変えることにより、光透過率を変
化させることができる。言い換えれば、印加電圧によっ
て刻印の鮮明度を制御できる。そしてこの制御は、既存
の制御器に（又は別途簡単な制御器を追設しても）特定
のプログラムを加えることにより達成できる。
【０００６】ところが無闇に印加電圧を変更しても、刻
印精度がばらつくだけであり、さらに印加電圧を変更し
ても、最適刻印状態を維持することができない印加電圧
の範囲（即ち、前記範囲に印加電圧が入った時が液晶の
交換時期である）も存在するはずである。
印精度がばらつくだけであり、さらに印加電圧を変更し
ても、最適刻印状態を維持することができない印加電圧
の範囲（即ち、前記範囲に印加電圧が入った時が液晶の
交換時期である）も存在するはずである。
【０００７】ともあれ、液晶の光透過率を常時把握すれ
ば、光透過率に則した印加電圧を加えることができ、こ
れにより、少なくとも液晶マスクによる刻印精度の低下
を抑えることができるという結論に至った。
ば、光透過率に則した印加電圧を加えることができ、こ
れにより、少なくとも液晶マスクによる刻印精度の低下
を抑えることができるという結論に至った。
【０００８】本出願人は、刻印精度を維持するために、
液晶の光透過率に応じて印加電圧を制御でき、しかも液
晶マスクの交換時期をも判定できる液晶マスク式レーザ
マーカ及びレーザマーキング方法を提供することを目的
とする。
液晶の光透過率に応じて印加電圧を制御でき、しかも液
晶マスクの交換時期をも判定できる液晶マスク式レーザ
マーカ及びレーザマーキング方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１発明の液晶マスク式レーザマーカは、レーザ発
振器１と、液晶マスク２とを具備し、レーザ発振器１か
ら発せられたレーザ光Ｌ１を液晶マスク２に照射し、レ
ーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透過した後のレーザ光Ｌ２
を刻印対象物に照射することで刻印対象物上に液晶マス
ク２上に表示されたパターンの刻印を行う液晶マスク式
レーザマーカであって、 （１）液晶マスク２に光Ｒ１を照射する発光手段５と、 （２）前記光Ｒ１が液晶マスク２を透過した後の光Ｒ２
を受光する受光手段６と、 （３）発光手段５と、受光手段６とに接続され、基準光
透過率Ｑｏを予め外部から入力して記憶し、 （ａ１）前記発光手段５へ光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、 （ａ２）次に前記光透過率Ｑｉと前記基準光透過率Ｑｏ
とを比較し、 （ａ３）前記光透過率Ｑｉと前記基準光透過率Ｑｏとが
異なるときは、等しくなるように、液晶マスク２に対し
パターン表示用の液晶印加電圧Ｖを調整する第３制御段
階を有する制御器７とを備えたことを特徴としている。
め、第１発明の液晶マスク式レーザマーカは、レーザ発
振器１と、液晶マスク２とを具備し、レーザ発振器１か
ら発せられたレーザ光Ｌ１を液晶マスク２に照射し、レ
ーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透過した後のレーザ光Ｌ２
を刻印対象物に照射することで刻印対象物上に液晶マス
ク２上に表示されたパターンの刻印を行う液晶マスク式
レーザマーカであって、 （１）液晶マスク２に光Ｒ１を照射する発光手段５と、 （２）前記光Ｒ１が液晶マスク２を透過した後の光Ｒ２
を受光する受光手段６と、 （３）発光手段５と、受光手段６とに接続され、基準光
透過率Ｑｏを予め外部から入力して記憶し、 （ａ１）前記発光手段５へ光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、 （ａ２）次に前記光透過率Ｑｉと前記基準光透過率Ｑｏ
とを比較し、 （ａ３）前記光透過率Ｑｉと前記基準光透過率Ｑｏとが
異なるときは、等しくなるように、液晶マスク２に対し
パターン表示用の液晶印加電圧Ｖを調整する第３制御段
階を有する制御器７とを備えたことを特徴としている。
【００１０】上記第１発明によれば、液晶マスク２の光
透過率Ｑｉを計測する構成によって得られた光透過率を
基準光透過率Ｑｏと比較し、ＱｉとＱｏとが異なってい
る場合には、液晶印加電圧を調整してＱｉとＱｏとを等
しくするように制御することによって、基準光透過率Ｑ
ｏを維持できるようにしたものである。
透過率Ｑｉを計測する構成によって得られた光透過率を
基準光透過率Ｑｏと比較し、ＱｉとＱｏとが異なってい
る場合には、液晶印加電圧を調整してＱｉとＱｏとを等
しくするように制御することによって、基準光透過率Ｑ
ｏを維持できるようにしたものである。
【００１１】第２発明の液晶マスク式レーザマーカは、
レーザ発振器１と、液晶マスク２とを具備し、レーザ発
振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液晶マスク２に照
射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透過した後のレー
ザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで刻印対象物上に
液晶マスク２上に表示されたパターンの刻印を行う液晶
マスク式レーザマーカであって、 （１）液晶マスク２に光Ｒ１を照射する発光手段５と、 （２）前記光Ｒ１が液晶マスク２を透過した後の光Ｒ２
を受光する受光手段６と、 （３）発光手段５と、受光手段６とに接続され、基準光
透過率Ｑｏと、最大印加電圧閾値Ｖｍａｘ及び最小印加
電圧閾値Ｖｍｉｎとを予め外部から入力して記憶し、 （ａ１）前記発光手段５へ光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、 （ａ２）液晶印加電圧Ｖを液晶マスク２に対しパターン
表示用として印加した後に、前記光透過率Ｑｉと前記基
準光透過率Ｑｏとを比較し、 （ａ３）前記光透過率Ｑｉと前記基準光透過率Ｑｏとが
異なるときは、等しくなるように、液晶マスク２に対し
パターン表示用の液晶印加電圧Ｖを調整する第３制御段
階と、 （ａ４）前記第３制御段階における液晶印加電圧Ｖが、
「Ｖｍａｘ≦Ｖ」及び「Ｖｍｉｎ≧Ｖ」のいずれか一方
となった場合に、前記いずれか一方の場合になっている
ことを示す出力を行う第４制御過程とを有する制御器７
とを備えたことを特徴としている。
レーザ発振器１と、液晶マスク２とを具備し、レーザ発
振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液晶マスク２に照
射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透過した後のレー
ザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで刻印対象物上に
液晶マスク２上に表示されたパターンの刻印を行う液晶
マスク式レーザマーカであって、 （１）液晶マスク２に光Ｒ１を照射する発光手段５と、 （２）前記光Ｒ１が液晶マスク２を透過した後の光Ｒ２
を受光する受光手段６と、 （３）発光手段５と、受光手段６とに接続され、基準光
透過率Ｑｏと、最大印加電圧閾値Ｖｍａｘ及び最小印加
電圧閾値Ｖｍｉｎとを予め外部から入力して記憶し、 （ａ１）前記発光手段５へ光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、 （ａ２）液晶印加電圧Ｖを液晶マスク２に対しパターン
表示用として印加した後に、前記光透過率Ｑｉと前記基
準光透過率Ｑｏとを比較し、 （ａ３）前記光透過率Ｑｉと前記基準光透過率Ｑｏとが
異なるときは、等しくなるように、液晶マスク２に対し
パターン表示用の液晶印加電圧Ｖを調整する第３制御段
階と、 （ａ４）前記第３制御段階における液晶印加電圧Ｖが、
「Ｖｍａｘ≦Ｖ」及び「Ｖｍｉｎ≧Ｖ」のいずれか一方
となった場合に、前記いずれか一方の場合になっている
ことを示す出力を行う第４制御過程とを有する制御器７
とを備えたことを特徴としている。
【００１２】上記第２発明によれば、第１発明に対して
液晶印加電圧の上限値と下限値とを制御器７に記憶さ
せ、液晶印加電圧が上限値を上回る、若しくは下限値を
下回った場合にその旨を示す出力が得られるようにした
ものである。
液晶印加電圧の上限値と下限値とを制御器７に記憶さ
せ、液晶印加電圧が上限値を上回る、若しくは下限値を
下回った場合にその旨を示す出力が得られるようにした
ものである。
【００１３】第３発明の液晶マスク式レーザマーカは、
レーザ発振器１と、液晶マスク２とを具備し、レーザ発
振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液晶マスク２に照
射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透過した後のレー
ザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで刻印対象物上に
液晶マスク２上に表示されたパターンの刻印を行う液晶
マスク式レーザマーカであって、 （１）発光手段５から発せられた光Ｒ１が液晶マスク２
のパターンを表示する部分を透過して受光手段６に達す
る配置とされた発光手段５と、受光手段６とを備えると
共に、 （２）前記発光手段５の光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、液晶マス
ク２の透過率を判定する制御器７を備えることを特徴と
している。
レーザ発振器１と、液晶マスク２とを具備し、レーザ発
振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液晶マスク２に照
射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透過した後のレー
ザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで刻印対象物上に
液晶マスク２上に表示されたパターンの刻印を行う液晶
マスク式レーザマーカであって、 （１）発光手段５から発せられた光Ｒ１が液晶マスク２
のパターンを表示する部分を透過して受光手段６に達す
る配置とされた発光手段５と、受光手段６とを備えると
共に、 （２）前記発光手段５の光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、液晶マス
ク２の透過率を判定する制御器７を備えることを特徴と
している。
【００１４】上記第３発明によれば、光透過率を、直接
に印字するパターンが表示される面で計測することを可
能とする構成を記載したものである。
に印字するパターンが表示される面で計測することを可
能とする構成を記載したものである。
【００１５】第４発明の液晶マスク式レーザマーカは、
上記第３又は第４記載の液晶マスク式レーザマーカにお
いて、発光手段５と、受光手段６と、液晶マスク２と
は、発光手段５から発せられた光Ｒ１が液晶マスク２の
パターンを表示する部分を透過して受光手段６に達する
配置とされたことを特徴としている。
上記第３又は第４記載の液晶マスク式レーザマーカにお
いて、発光手段５と、受光手段６と、液晶マスク２と
は、発光手段５から発せられた光Ｒ１が液晶マスク２の
パターンを表示する部分を透過して受光手段６に達する
配置とされたことを特徴としている。
【００１６】上記第４発明は、上記第３発明に記載され
る発明を上記第３又は第４発明に適用したものである。
る発明を上記第３又は第４発明に適用したものである。
【００１７】第５発明の液晶マスク式レーザマーカは、
レーザ発振器１と、液晶マスク２とを具備し、レーザ発
振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液晶マスク２に照
射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透過した後のレー
ザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで刻印対象物上に
液晶マスク２上に表示されたパターンの刻印を行う液晶
マスク式レーザマーカであって、 （１）発光手段５から発せられた光Ｒ１が液晶マスク２
の片側に設けられたレンズ８２と液晶マスク２とを透過
して受光手段６に達する配置とされた前記発光手段５
と、前記レンズ８２と、前記受光手段６とを備えると共
に、 （２）前記発光手段５の光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、液晶マス
ク２の透過率を判定する制御器７を備えることを特徴と
している。
レーザ発振器１と、液晶マスク２とを具備し、レーザ発
振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液晶マスク２に照
射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透過した後のレー
ザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで刻印対象物上に
液晶マスク２上に表示されたパターンの刻印を行う液晶
マスク式レーザマーカであって、 （１）発光手段５から発せられた光Ｒ１が液晶マスク２
の片側に設けられたレンズ８２と液晶マスク２とを透過
して受光手段６に達する配置とされた前記発光手段５
と、前記レンズ８２と、前記受光手段６とを備えると共
に、 （２）前記発光手段５の光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、液晶マス
ク２の透過率を判定する制御器７を備えることを特徴と
している。
【００１８】液晶マスク２はレーザ光の照射を受けるこ
とによって発熱するが、上記第５発明によれば、液晶マ
スク２の片面はレンズ等の光学機器等に空気の流れが遮
られることがない配置となっている。
とによって発熱するが、上記第５発明によれば、液晶マ
スク２の片面はレンズ等の光学機器等に空気の流れが遮
られることがない配置となっている。
【００１９】第６発明のレーザマーキング方法は、レー
ザ発振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液晶マスク２
に照射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透過した後の
レーザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで刻印対象物
上に液晶マスク２上に表示されたパターンの刻印を行う
レーザマーキング方法であって、 （１）発光手段５から発せられた光Ｒ１を液晶マスク２
の前記パターンを表示する部分を透過させて受光手段６
で受光させる第１段階と、 （２）前記光Ｒ１に対応する強度信号と、前記受光手段
６で受光される受光強度に対応する信号とから光透過率
Ｑｉを算出する第２段階と、 （３）前記光透過率Ｑｉを一定にするように、前記液晶
マスク２のパターン表示用の液晶印加電圧Ｖを調整する
第３段階とを有することを特徴としている。
ザ発振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液晶マスク２
に照射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透過した後の
レーザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで刻印対象物
上に液晶マスク２上に表示されたパターンの刻印を行う
レーザマーキング方法であって、 （１）発光手段５から発せられた光Ｒ１を液晶マスク２
の前記パターンを表示する部分を透過させて受光手段６
で受光させる第１段階と、 （２）前記光Ｒ１に対応する強度信号と、前記受光手段
６で受光される受光強度に対応する信号とから光透過率
Ｑｉを算出する第２段階と、 （３）前記光透過率Ｑｉを一定にするように、前記液晶
マスク２のパターン表示用の液晶印加電圧Ｖを調整する
第３段階とを有することを特徴としている。
【００２０】上記第６発明によれば、液晶マスク２を用
いたマーキングを実施するに当たり、液晶マスク２の光
透過率を測定し、その光透過率を一定にするように、液
晶マスク２の印加電圧を調整することにより、刻印の鮮
明度を一定に保つマーキング方法である。
いたマーキングを実施するに当たり、液晶マスク２の光
透過率を測定し、その光透過率を一定にするように、液
晶マスク２の印加電圧を調整することにより、刻印の鮮
明度を一定に保つマーキング方法である。
【００２１】
【実施例】本発明の好ましい実施例を添付図面に従って
以下に詳述する。図１、図２を参照し第１実施例を説明
する。
以下に詳述する。図１、図２を参照し第１実施例を説明
する。
【００２２】図１にレーザマーカのハード構成を示す。
このレーザマーカは液晶マスク２のパターン上をＸＹ偏
向器であるポリゴンミラー９Ｘ及びガルバノスキャナ９
Ｙにより、レーザスキャニングさせる形式である。レー
ザ発振器１から射出されたレーザ光Ｌ１は、ビーム整形
器８１を介し、先ずガルバノスキャナ９ＹでＹ方向に偏
向され、次いでポリゴンミラー９ＸでＸ方向に偏向され
る。偏向されたレーザ光Ｌ１は、さらにレンズ８２によ
って反射鏡８３に集光するように偏向されるが、この経
路中に、液晶マスク２が設けられ、この液晶マスク２に
表示されたパターン上をスキャニング照射され、液晶マ
スク２を透過して前記パターン情報を含んだレーザ光Ｌ
２が反射鏡８３に照射される。この反射鏡８３から反射
した透過レーザ光Ｌ２が対物レンズ８４を経てワークフ
ィーダ１０上のワーク表面３に照射され、ワーク表面３
に前記パターンを刻印する。
このレーザマーカは液晶マスク２のパターン上をＸＹ偏
向器であるポリゴンミラー９Ｘ及びガルバノスキャナ９
Ｙにより、レーザスキャニングさせる形式である。レー
ザ発振器１から射出されたレーザ光Ｌ１は、ビーム整形
器８１を介し、先ずガルバノスキャナ９ＹでＹ方向に偏
向され、次いでポリゴンミラー９ＸでＸ方向に偏向され
る。偏向されたレーザ光Ｌ１は、さらにレンズ８２によ
って反射鏡８３に集光するように偏向されるが、この経
路中に、液晶マスク２が設けられ、この液晶マスク２に
表示されたパターン上をスキャニング照射され、液晶マ
スク２を透過して前記パターン情報を含んだレーザ光Ｌ
２が反射鏡８３に照射される。この反射鏡８３から反射
した透過レーザ光Ｌ２が対物レンズ８４を経てワークフ
ィーダ１０上のワーク表面３に照射され、ワーク表面３
に前記パターンを刻印する。
【００２３】上記構成において、レーザ発振器１、ＸＹ
偏向器９Ｘ、９Ｙ、液晶マスク２及びワークフィーダ１
０の駆動系は制御器７に電気的に接続され、この制御器
７によって同期制御されている。また上記構成には液晶
マスク２へ光Ｒ１を照射する発光手段５と、液晶マスク
２のパターンを表示する部分を透過した光Ｒ２を受光す
る受光手段６とが設けられ、夫々が制御器７に電気的に
接続されている。そして制御器７は発光手段５の照射光
量Ｒ１（前記光Ｒ１と同符号とする）と、受光手段６で
の受光光量Ｒ２（前記光Ｒ２と同符号とする）とを受
け、次に制御も行なっている。
偏向器９Ｘ、９Ｙ、液晶マスク２及びワークフィーダ１
０の駆動系は制御器７に電気的に接続され、この制御器
７によって同期制御されている。また上記構成には液晶
マスク２へ光Ｒ１を照射する発光手段５と、液晶マスク
２のパターンを表示する部分を透過した光Ｒ２を受光す
る受光手段６とが設けられ、夫々が制御器７に電気的に
接続されている。そして制御器７は発光手段５の照射光
量Ｒ１（前記光Ｒ１と同符号とする）と、受光手段６で
の受光光量Ｒ２（前記光Ｒ２と同符号とする）とを受
け、次に制御も行なっている。
【００２４】（Ａ）先ず、制御器７には、外部操作によ
って、正常な液晶マスク２における最適光透過率Ｑｏが
予めセットされている（工程Ａ）。
って、正常な液晶マスク２における最適光透過率Ｑｏが
予めセットされている（工程Ａ）。
【００２５】（Ｂ）そこで制御器７は、発光手段５の照
射光量Ｒ１と、受光手段６からの透過光量Ｒ２とを入力
し、これらより液晶マスク２の光透過率Ｑｉを算出する
（工程Ｂ）。
射光量Ｒ１と、受光手段６からの透過光量Ｒ２とを入力
し、これらより液晶マスク２の光透過率Ｑｉを算出する
（工程Ｂ）。
【００２６】（Ｃ）次に制御器７は、液晶マスク２の光
透過率Ｑｉと前記最適光透過率Ｑｏとを比較する（工程
Ｃ）。
透過率Ｑｉと前記最適光透過率Ｑｏとを比較する（工程
Ｃ）。
【００２７】（Ｄ）次に制御器７は、液晶マスク２の光
透過率Ｑｉと前記最適光透過率Ｑｏとが等しくない時に
は（Ｑｉ≠Ｑｏ）、等しくなるように（Ｑｉ＝Ｑｏ）、
液晶印加電圧Ｖを調整する（工程Ｄ）。
透過率Ｑｉと前記最適光透過率Ｑｏとが等しくない時に
は（Ｑｉ≠Ｑｏ）、等しくなるように（Ｑｉ＝Ｑｏ）、
液晶印加電圧Ｖを調整する（工程Ｄ）。
【００２８】以上の工程（Ａ）〜（Ｄ）により、高い刻
印精度が一定に維持される。
印精度が一定に維持される。
【００２９】第２実施例を図１及び図３を参照し説明す
る。第２実施例での制御器７は次の制御を行う。 （ＡＡ）先ず制御器７には、外部操作によって、正常な
液晶マスク２における最適光透過率Ｑｏと、最大印加電
圧閾値Ｖｍａｘ及び最小印加電圧閾値Ｖｍｉｎとが予め
設定されている（工程ＡＡ）。
る。第２実施例での制御器７は次の制御を行う。 （ＡＡ）先ず制御器７には、外部操作によって、正常な
液晶マスク２における最適光透過率Ｑｏと、最大印加電
圧閾値Ｖｍａｘ及び最小印加電圧閾値Ｖｍｉｎとが予め
設定されている（工程ＡＡ）。
【００３０】（Ｂ）そこで制御器７は、発光手段５の照
射光量Ｒ１と、受光手段６の透過光量Ｒ２とから、前記
光透過率Ｑｉなる液晶マスク２の光透過率Ｑｉを算出す
る（工程Ｂ）。
射光量Ｒ１と、受光手段６の透過光量Ｒ２とから、前記
光透過率Ｑｉなる液晶マスク２の光透過率Ｑｉを算出す
る（工程Ｂ）。
【００３１】（Ｃ）次に制御器７は、液晶マスク２の光
透過率Ｑｉと最適光透過率Ｑｏとを比較する（工程
Ｃ）。
透過率Ｑｉと最適光透過率Ｑｏとを比較する（工程
Ｃ）。
【００３２】（Ｄ）そして制御器７は、液晶マスク２の
光透過率Ｑｉと最適光透過率Ｑｏと値が異なるときは
（Ｑｉ≠Ｑｏ）、等しくなるように（Ｑｉ＝Ｑｏ）、液
晶印加電圧Ｖを増減させて調整する（工程Ｄ）。
光透過率Ｑｉと最適光透過率Ｑｏと値が異なるときは
（Ｑｉ≠Ｑｏ）、等しくなるように（Ｑｉ＝Ｑｏ）、液
晶印加電圧Ｖを増減させて調整する（工程Ｄ）。
【００３３】（Ｆ）但し制御器７は、上記工程Ｄでの調
整において、調整された液晶印加電圧Ｖが最大印加電圧
閾値Ｖｍａｘ及び最小印加電圧閾値Ｖｍｉｎと比較され
（工程Ｅ）、「Ｖ≧Ｖｍａｘ」であるとき（工程Ｅ（Ｅ
１））又は「Ｖ≦Ｖｍｉｎ」であるとき（工程Ｅ（Ｅ
２））には、警報を出力する（工程Ｆ）。警報には、例
えば別途備えた警報器や表示ランプ等が用いられる。こ
れにより、刻印精度を一定に維持し、交換などの処置が
必要となる液晶マスク２の劣化度判定も、的確に行うこ
とができる。
整において、調整された液晶印加電圧Ｖが最大印加電圧
閾値Ｖｍａｘ及び最小印加電圧閾値Ｖｍｉｎと比較され
（工程Ｅ）、「Ｖ≧Ｖｍａｘ」であるとき（工程Ｅ（Ｅ
１））又は「Ｖ≦Ｖｍｉｎ」であるとき（工程Ｅ（Ｅ
２））には、警報を出力する（工程Ｆ）。警報には、例
えば別途備えた警報器や表示ランプ等が用いられる。こ
れにより、刻印精度を一定に維持し、交換などの処置が
必要となる液晶マスク２の劣化度判定も、的確に行うこ
とができる。
【００３４】尚、上記「光透過率」の意味として、次の
場合等も含むものとする。例えば、光透過率Ｑｏ、Ｑｉ
の算出において、この元となる発光手段５の照射光量Ｒ
１の値を総て同一とした場合は、光透過率Ｑｏ、Ｑｉを
逐一算出することなく、受光光量Ｒ２の比較だけで、本
発明の目的を達成することができる。この場合、実質的
に光透過率の算出と同じ意味である。
場合等も含むものとする。例えば、光透過率Ｑｏ、Ｑｉ
の算出において、この元となる発光手段５の照射光量Ｒ
１の値を総て同一とした場合は、光透過率Ｑｏ、Ｑｉを
逐一算出することなく、受光光量Ｒ２の比較だけで、本
発明の目的を達成することができる。この場合、実質的
に光透過率の算出と同じ意味である。
【００３５】尚、本発明が適用される液晶マスク式レー
ザマーカは、上記各実施例で開示した液晶マスク式レー
ザマーカに限定されるものではなく、レンズの種類や取
り付け位置が異なる形式は勿論のこと、上記構成（図１
参照）のＸＹ偏向器９Ｘ、９Ｙの代わりに（即ち、スキ
ャニングを廃止して）、レーザ発振器１から液晶２の全
パターン上に、拡大レンズを介してレーザ光Ｌ１を一括
照射する形式、あるいは、反射鏡８３の代わりに、この
位置にさらに第２のＸＹ偏向器を備えて、ワークを移動
させることなく、広範囲に印字させる形式、等で良い。
ザマーカは、上記各実施例で開示した液晶マスク式レー
ザマーカに限定されるものではなく、レンズの種類や取
り付け位置が異なる形式は勿論のこと、上記構成（図１
参照）のＸＹ偏向器９Ｘ、９Ｙの代わりに（即ち、スキ
ャニングを廃止して）、レーザ発振器１から液晶２の全
パターン上に、拡大レンズを介してレーザ光Ｌ１を一括
照射する形式、あるいは、反射鏡８３の代わりに、この
位置にさらに第２のＸＹ偏向器を備えて、ワークを移動
させることなく、広範囲に印字させる形式、等で良い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる液
晶マスク式レーザマーカ及びレーザマーキング方法によ
れば、液晶の劣化度に則して印加電圧を制御できるた
め、刻印精度を一定に維持できる。しかも液晶の交換時
期も判定できるようになる。また、第３発明の構成をと
ることによって、前記パターンを表示させる部分の透過
率を直接に測定することが出来、第４発明の構成を取る
ことによってより正確に刻印の鮮明度を制御することが
できる。さらに、第５発明の構成をとることによって、
液晶マスク２の片面はレンズ等の光学機器等に空気の流
れが遮られることがない配置となるので、液晶周りの放
熱効果を向上させることが出来、なおかつ大型の光学素
子である液晶マスク２とレンズ８２を近接して配置する
ことになり配置面積の増大を防止することが出来る。
晶マスク式レーザマーカ及びレーザマーキング方法によ
れば、液晶の劣化度に則して印加電圧を制御できるた
め、刻印精度を一定に維持できる。しかも液晶の交換時
期も判定できるようになる。また、第３発明の構成をと
ることによって、前記パターンを表示させる部分の透過
率を直接に測定することが出来、第４発明の構成を取る
ことによってより正確に刻印の鮮明度を制御することが
できる。さらに、第５発明の構成をとることによって、
液晶マスク２の片面はレンズ等の光学機器等に空気の流
れが遮られることがない配置となるので、液晶周りの放
熱効果を向上させることが出来、なおかつ大型の光学素
子である液晶マスク２とレンズ８２を近接して配置する
ことになり配置面積の増大を防止することが出来る。
【図１】第１、２実施例の全体構成図である。
【図２】第１実施例の制御フローチャートである。
【図３】第２実施例の制御フローチャートである。
１ レーザ発振器 ２ 液晶マスク ３ ワーク表面 ５ 発光手段 ６ 受光手段 ７ 制御器 Ｒ１ 照射光量 Ｒ２ 受光光量 Ｑｉ 液晶マスク２の光透過率Ｑｉ Ｑｏ 最適光透過率 Ｌ１ 照射レーザ光 Ｌ２ 透過レーザ光 Ｖ 液晶印加電圧
Claims (6)
- 【請求項１】 レーザ発振器１と、液晶マスク２とを具
備し、レーザ発振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液
晶マスク２に照射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透
過した後のレーザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで
刻印対象物上に液晶マスク２上に表示されたパターンの
刻印を行う液晶マスク式レーザマーカであって、 （１）液晶マスク２に光Ｒ１を照射する発光手段５と、 （２）前記光Ｒ１が液晶マスク２を透過した後の光Ｒ２
を受光する受光手段６と、 （３）発光手段５と、受光手段６とに接続され、基準光
透過率Ｑｏを予め外部から入力して記憶し、 （ａ１）前記発光手段５へ光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、 （ａ２）次に前記光透過率Ｑｉと前記基準光透過率Ｑｏ
とを比較し、 （ａ３）前記光透過率Ｑｉと前記基準光透過率Ｑｏとが
異なるときは、等しくなるように、液晶マスク２に対し
パターン表示用の液晶印加電圧Ｖを調整する第３制御段
階を有する制御器７とを備えたことを特徴とする液晶マ
スク式レーザマーカ。 - 【請求項２】 レーザ発振器１と、液晶マスク２とを具
備し、レーザ発振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液
晶マスク２に照射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透
過した後のレーザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで
刻印対象物上に液晶マスク２上に表示されたパターンの
刻印を行う液晶マスク式レーザマーカであって、 （１）液晶マスク２に光Ｒ１を照射する発光手段５と、 （２）前記光Ｒ１が液晶マスク２を透過した後の光Ｒ２
を受光する受光手段６と、 （３）発光手段５と、受光手段６とに接続され、基準光
透過率Ｑｏと、最大印加電圧閾値Ｖｍａｘ及び最小印加
電圧閾値Ｖｍｉｎとを予め外部から入力して記憶し、 （ａ１）前記発光手段５へ光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、 （ａ２）液晶印加電圧Ｖを液晶マスク２に対しパターン
表示用として印加した後に、前記光透過率Ｑｉと前記基
準光透過率Ｑｏとを比較し、 （ａ３）前記光透過率Ｑｉと前記基準光透過率Ｑｏとが
異なるときは、等しくなるように、液晶マスク２に対し
パターン表示用の液晶印加電圧Ｖを調整する第３制御段
階と、 （ａ４）前記第３制御段階における液晶印加電圧Ｖが、
「Ｖｍａｘ≦Ｖ」及び「Ｖｍｉｎ≧Ｖ」のいずれか一方
となった場合に、前記いずれか一方の場合になっている
ことを示す出力を行う第４制御過程とを有する制御器７
とを備えたことを特徴とする液晶マスク式レーザマー
カ。 - 【請求項３】 レーザ発振器１と、液晶マスク２とを具
備し、レーザ発振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液
晶マスク２に照射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透
過した後のレーザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで
刻印対象物上に液晶マスク２上に表示されたパターンの
刻印を行う液晶マスク式レーザマーカであって、 （１）発光手段５から発せられた光Ｒ１が液晶マスク２
のパターンを表示する部分を透過して受光手段６に達す
る配置とされた発光手段５と、受光手段６とを備えると
共に、 （２）前記発光手段５の光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、液晶マス
ク２の透過率を判定する制御器７を備えることを特徴と
する液晶マスク式レーザマーカ。 - 【請求項４】 発光手段５と、受光手段６と、液晶マス
ク２とは、発光手段５から発せられた光Ｒ１が液晶マス
ク２のパターンを表示する部分を透過して受光手段６に
達する配置とされたことを特徴とする請求項１又は２記
載の液晶マスク式レーザマーカ。 - 【請求項５】 レーザ発振器１と、液晶マスク２とを具
備し、レーザ発振器１から発せられたレーザ光Ｌ１を液
晶マスク２に照射し、レーザ光Ｌ１が液晶マスク２を透
過した後のレーザ光Ｌ２を刻印対象物に照射することで
刻印対象物上に液晶マスク２上に表示されたパターンの
刻印を行う液晶マスク式レーザマーカであって、 （１）発光手段５から発せられた光Ｒ１が液晶マスク２
の片側に設けられたレンズ８２と液晶マスク２とを透過
して受光手段６に達する配置とされた前記発光手段５
と、前記レンズ８２と、前記受光手段６とを備えると共
に、 （２）前記発光手段５の光Ｒ１の強度を制御する信号
と、受光手段６の光Ｒ２の強度に応じて制御器７へ入力
された受信信号とから光透過率Ｑｉを算出し、液晶マス
ク２の透過率を判定する制御器７を備えることを特徴と
する液晶マスク式レーザマーカ。 - 【請求項６】 レーザ発振器１から発せられたレーザ光
Ｌ１を液晶マスク２に照射し、レーザ光Ｌ１が液晶マス
ク２を透過した後のレーザ光Ｌ２を刻印対象物に照射す
ることで刻印対象物上に液晶マスク２上に表示されたパ
ターンの刻印を行うレーザマーキング方法であって、 （１）発光手段５から発せられた光Ｒ１を液晶マスク２
の前記パターンを表示する部分を透過させて受光手段６
で受光させる第１段階と、 （２）前記光Ｒ１に対応する強度信号と、前記受光手段
６で受光される受光強度に対応する信号とから光透過率
Ｑｉを算出する第２段階と、 （３）前記光透過率Ｑｉを一定にするように、前記液晶
マスク２のパターン表示用の液晶印加電圧Ｖを調整する
第３段階とを有することを特徴とするレーザマーキング
方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5131167A JP2640321B2 (ja) | 1992-05-08 | 1993-05-07 | 液晶マスク式レーザマーカ及びレーザマーキング方法 |
| TW83103502A TW239237B (ja) | 1993-05-07 | 1994-04-20 | |
| EP94914557A EP0700746B1 (en) | 1993-05-07 | 1994-04-27 | Laser liquid crystal marker and method for judging deterioration of liquid crystal |
| DE69411164T DE69411164T2 (de) | 1993-05-07 | 1994-04-27 | Laser-flüssigkristall-markierungsvorrichtung und verfahren zur beurteilung der verschlechterung von flüssigkristall |
| SG1996001768A SG45232A1 (en) | 1993-05-07 | 1994-04-27 | Laser liquid crystal market and method for judging eterioration of liquid crystal |
| US08/549,744 US5896163A (en) | 1993-05-07 | 1994-04-27 | Laser liquid crystal marker and method for judging deterioration of liquid crystal |
| KR1019950704948A KR960702369A (ko) | 1993-05-07 | 1994-04-27 | 레이저 액정마아카 및 액정의 열화도 판정방법(laser liquid crystal marker and method for judging deterioration of liquid crystal) |
| PCT/JP1994/000703 WO1994026457A1 (en) | 1993-05-07 | 1994-04-27 | Laser liquid crystal marker and method for judging deterioration of liquid crystal |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14204492 | 1992-05-08 | ||
| JP4-142044 | 1992-05-08 | ||
| JP5131167A JP2640321B2 (ja) | 1992-05-08 | 1993-05-07 | 液晶マスク式レーザマーカ及びレーザマーキング方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8352224A Division JPH09225670A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 液晶マスク式レーザマーカ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0639577A JPH0639577A (ja) | 1994-02-15 |
| JP2640321B2 true JP2640321B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=26466081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5131167A Expired - Fee Related JP2640321B2 (ja) | 1992-05-08 | 1993-05-07 | 液晶マスク式レーザマーカ及びレーザマーキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2640321B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2651995B2 (ja) * | 1993-05-13 | 1997-09-10 | 株式会社小松製作所 | 透過型液晶マスクマーカ及びレーザ刻印方法 |
| US5663826A (en) * | 1993-09-30 | 1997-09-02 | Komatsu Ltd. | Transmission type liquid crystal mask marker |
| JP3289258B2 (ja) * | 1994-08-17 | 2002-06-04 | 株式会社小松製作所 | ワークの刻印方法 |
| JP3265553B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2002-03-11 | 株式会社小松製作所 | レーザマーキング方法 |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP5131167A patent/JP2640321B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0639577A (ja) | 1994-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |