JPH07281418A - レーザ融除マスクの修理法 - Google Patents
レーザ融除マスクの修理法Info
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、レーザ融除マスクの修理法
を提供することにある。 【構成】 欠陥の上にあるマスクの表面をＣＯ2レーザ
で溶融して、表面に凹部を形成する。この凹部は、融除
レーザ・エネルギーを透過させずに拡散させるレンズを
形成する。このため、重合体層が融除レーザにより融除
されず、欠陥（穴）が閉鎖され、マスクが修理される。
この方法は、技術変更（ＥＣ）用レーザ融除マスクの製
造にも使用することができる。
を提供することにある。 【構成】 欠陥の上にあるマスクの表面をＣＯ2レーザ
で溶融して、表面に凹部を形成する。この凹部は、融除
レーザ・エネルギーを透過させずに拡散させるレンズを
形成する。このため、重合体層が融除レーザにより融除
されず、欠陥（穴）が閉鎖され、マスクが修理される。
この方法は、技術変更（ＥＣ）用レーザ融除マスクの製
造にも使用することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影エッチングに使用
する種類の非接触マスクに関するものであり、詳細に
は、レーザ融除パターニングに使用する種類の非接触マ
スクに関するものである。
する種類の非接触マスクに関するものであり、詳細に
は、レーザ融除パターニングに使用する種類の非接触マ
スクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザ融除を使用した、重合体またはレ
ジスト材料の領域のパターニングは周知である。有機物
の層は、通常、２つの配線面の間の絶縁層である。一方
のレベルにある線を、他方のレベルにある線に接続する
ために、有機物の層にバイア・ホールを貫通させる。米
国特許第４５０８７４９号明細書には、レーザ融除を使
用した、重合体にパターンを形成する方法が開示されて
いる。原理的には、レーザ・エネルギーが重合体に衝突
し、重合体の結合を破壊するエネルギーを与えるのであ
る。結合が破壊された領域で、重合体の体積が局所的に
膨張する。この局所的膨張により、層から重合体の破片
が放出される。マスクが、照射される重合体の領域を画
定する。
ジスト材料の領域のパターニングは周知である。有機物
の層は、通常、２つの配線面の間の絶縁層である。一方
のレベルにある線を、他方のレベルにある線に接続する
ために、有機物の層にバイア・ホールを貫通させる。米
国特許第４５０８７４９号明細書には、レーザ融除を使
用した、重合体にパターンを形成する方法が開示されて
いる。原理的には、レーザ・エネルギーが重合体に衝突
し、重合体の結合を破壊するエネルギーを与えるのであ
る。結合が破壊された領域で、重合体の体積が局所的に
膨張する。この局所的膨張により、層から重合体の破片
が放出される。マスクが、照射される重合体の領域を画
定する。
【０００３】レーザ融除には、光学的パターニングに使
用するマスクとは異なるマスクが必要である。非融除フ
ォトリソグラフィ（光学）技術では、透明な基板上に不
透明なパターンを形成する。通常、光学マスクを使用し
て、フォトレジスト中にパターンを形成する。フォトレ
ジスト・パターンは、配線面または集積回路のチップ層
など、下層中にパターンを形成するのに使用される。し
かし、レーザはフォトレジストの露出にはほとんど使用
されず、レーザを使用するとしても、そのレーザ・エネ
ルギーは、レーザ融除に必要なエネルギーの一部に過ぎ
ない。しかし、不透明なパターンを形成するのに使用さ
れる材料、たとえばクロムは、レーザ・エネルギーを吸
収する。したがって、これらの光学マスクをレーザ融除
に使用した場合は、有機物の層を融除する際に、光学マ
スクの不透明領域が破損または破壊された。このため、
有機物の層にパターンが形成されずに、マスクが破壊さ
れる。
用するマスクとは異なるマスクが必要である。非融除フ
ォトリソグラフィ（光学）技術では、透明な基板上に不
透明なパターンを形成する。通常、光学マスクを使用し
て、フォトレジスト中にパターンを形成する。フォトレ
ジスト・パターンは、配線面または集積回路のチップ層
など、下層中にパターンを形成するのに使用される。し
かし、レーザはフォトレジストの露出にはほとんど使用
されず、レーザを使用するとしても、そのレーザ・エネ
ルギーは、レーザ融除に必要なエネルギーの一部に過ぎ
ない。しかし、不透明なパターンを形成するのに使用さ
れる材料、たとえばクロムは、レーザ・エネルギーを吸
収する。したがって、これらの光学マスクをレーザ融除
に使用した場合は、有機物の層を融除する際に、光学マ
スクの不透明領域が破損または破壊された。このため、
有機物の層にパターンが形成されずに、マスクが破壊さ
れる。
【０００４】したがって、従来の技術によるレーザ融除
マスクでは、不透明なパターンは、誘電体など、他の材
料で形成していた。米国特許第４９２３７７２号明細書
には、レーザ融除マスク・パターンを複数の誘電層で製
造する方法が開示されている。複数の誘電層は、屈折率
の高い層と低い層を交互に有し、重ね合わせると、レー
ザ・エネルギーの反射率が最大になる不透明なマスク領
域が形成される。上記特許に開示されたように、これら
の誘電マスクの製造は、複雑で、多くの工程を必要とす
る。そのため、誘電体によるレーザ融除マスクは高価と
なる。
マスクでは、不透明なパターンは、誘電体など、他の材
料で形成していた。米国特許第４９２３７７２号明細書
には、レーザ融除マスク・パターンを複数の誘電層で製
造する方法が開示されている。複数の誘電層は、屈折率
の高い層と低い層を交互に有し、重ね合わせると、レー
ザ・エネルギーの反射率が最大になる不透明なマスク領
域が形成される。上記特許に開示されたように、これら
の誘電マスクの製造は、複雑で、多くの工程を必要とす
る。そのため、誘電体によるレーザ融除マスクは高価と
なる。
【０００５】マスクの製造中に、マスクの欠陥の原因と
なる誘電層の欠陥が生じることがある。また、形状を偶
然に追加したり省略し、あるいは誤ってある領域、例え
ば不要なバイアを開けたために、マスクが設計上の欠陥
を有することもある。レーザ融除マスク中の欠陥は、ブ
ロックされた領域のことも、または開いたままになって
いる領域（穴）のこともある。個々の誘電層は融除レー
ザをブロックしないので、ブロックされた誘電層領域は
まれであり、すなわち領域をほぼ不透明にするのに十分
な数の誘電層上に、反復した欠陥が必要である。一方、
欠陥領域に衝突した十分なレーザ・エネルギーがマスク
を貫通し、重合体層を融除すると、すなわち欠陥を重合
体層中に印刻すると、穴ができる。これらの穴による欠
陥は、マスクが完成した後でないと発見できない。しか
し、マスクが完成した後は、マスクの欠陥は融電層に埋
め込まれ、修理することはできない。
なる誘電層の欠陥が生じることがある。また、形状を偶
然に追加したり省略し、あるいは誤ってある領域、例え
ば不要なバイアを開けたために、マスクが設計上の欠陥
を有することもある。レーザ融除マスク中の欠陥は、ブ
ロックされた領域のことも、または開いたままになって
いる領域（穴）のこともある。個々の誘電層は融除レー
ザをブロックしないので、ブロックされた誘電層領域は
まれであり、すなわち領域をほぼ不透明にするのに十分
な数の誘電層上に、反復した欠陥が必要である。一方、
欠陥領域に衝突した十分なレーザ・エネルギーがマスク
を貫通し、重合体層を融除すると、すなわち欠陥を重合
体層中に印刻すると、穴ができる。これらの穴による欠
陥は、マスクが完成した後でないと発見できない。しか
し、マスクが完成した後は、マスクの欠陥は融電層に埋
め込まれ、修理することはできない。
【０００６】ブロックされた領域の欠陥の修理は、穴の
修理よりは容易である。ブロックされた領域の修正は、
マスク上ではなく、パターンを印刻した後の重合体中で
行うことができる。欠陥が重合体のレーザ融除をブロッ
クするので、パターンの欠陥は、マスクを使わずに重合
体を直接融除して修正し、欠陥を除去することができ
る。
修理よりは容易である。ブロックされた領域の修正は、
マスク上ではなく、パターンを印刻した後の重合体中で
行うことができる。欠陥が重合体のレーザ融除をブロッ
クするので、パターンの欠陥は、マスクを使わずに重合
体を直接融除して修正し、欠陥を除去することができ
る。
【０００７】残念ながら、省略された形状、余分なバイ
ア、穴などは容易に修理することができない。マスクの
穴は、重合体層中に不要な穴を印刻する。すなわち、レ
ーザがその穴にある重合体を融除する。フォトマスク中
の省略された形状、余分なバイア、穴などは、穴を被覆
（ブロック）することにより修理することができる。フ
ォトマスクの修理の例として、米国特許第４３４０６５
４号明細書に、強力な放射エネルギー源により、不透明
なコーティング材料を溶融して、欠陥のあるフォトマス
クを修理する方法が記載され、米国特許第４４６３０７
３号明細書に、欠陥のあるマスクに金属と有機材料の皮
膜を載せて照射し、欠陥部の皮膜を不透明にする方法が
記載されている。しかし、これらの不透明にして修理す
るために使用する材料は重合体として融除するのと同様
であるため、これらの修理法は、レーザ融除誘電マスク
の永久的修理には使用できない。さらに、穴を一旦除去
すると、重合体を信頼できる形で置換することができな
いため、重合体パターン中の穴は再充填することができ
ない。そのため、欠陥を修理するためにしても、技術変
更（ＥＣ）を行うにしても、不要な開口を被覆するよう
にレーザ融除マスクを変更するのは、新しいマスクを製
作するのと同じことになる。
ア、穴などは容易に修理することができない。マスクの
穴は、重合体層中に不要な穴を印刻する。すなわち、レ
ーザがその穴にある重合体を融除する。フォトマスク中
の省略された形状、余分なバイア、穴などは、穴を被覆
（ブロック）することにより修理することができる。フ
ォトマスクの修理の例として、米国特許第４３４０６５
４号明細書に、強力な放射エネルギー源により、不透明
なコーティング材料を溶融して、欠陥のあるフォトマス
クを修理する方法が記載され、米国特許第４４６３０７
３号明細書に、欠陥のあるマスクに金属と有機材料の皮
膜を載せて照射し、欠陥部の皮膜を不透明にする方法が
記載されている。しかし、これらの不透明にして修理す
るために使用する材料は重合体として融除するのと同様
であるため、これらの修理法は、レーザ融除誘電マスク
の永久的修理には使用できない。さらに、穴を一旦除去
すると、重合体を信頼できる形で置換することができな
いため、重合体パターン中の穴は再充填することができ
ない。そのため、欠陥を修理するためにしても、技術変
更（ＥＣ）を行うにしても、不要な開口を被覆するよう
にレーザ融除マスクを変更するのは、新しいマスクを製
作するのと同じことになる。
【０００８】光学マスクを修理するもう一つの手法は、
移相マスクに使用されるものである。典型的なフォトマ
スクとは異なり、移相マスクは、隣接するマスクの開口
からフォトレジストに衝突する光の位相を利用するもの
である。隣接するマスクの開口から移相マスクを貫通す
る光は、増幅（同位相）または相殺（位相外れ）され
て、きわめて細かい集積回路の形状を形成する。米国特
許第５０８５９５７号明細書には、移相マスクの修理法
が開示されている。上記特許では、イオン・ビームを欠
陥に当て、欠陥を貫通する光が隣接するパターン光と位
相外れになる（移相）ように、マスクの表面（λ）に十
分に溝をつける。したがって、欠陥からの移相された光
は隣接する光によって相殺され、欠陥は印刻されない。
移相マスクに使用されるものである。典型的なフォトマ
スクとは異なり、移相マスクは、隣接するマスクの開口
からフォトレジストに衝突する光の位相を利用するもの
である。隣接するマスクの開口から移相マスクを貫通す
る光は、増幅（同位相）または相殺（位相外れ）され
て、きわめて細かい集積回路の形状を形成する。米国特
許第５０８５９５７号明細書には、移相マスクの修理法
が開示されている。上記特許では、イオン・ビームを欠
陥に当て、欠陥を貫通する光が隣接するパターン光と位
相外れになる（移相）ように、マスクの表面（λ）に十
分に溝をつける。したがって、欠陥からの移相された光
は隣接する光によって相殺され、欠陥は印刻されない。
【０００９】しかし、移相はいくつかの理由によりレー
ザ融除には適用できない。第１に、Ｘ線を通過させるの
に十分狭い透過用開口は、融除レーザにとって不透明に
見える。第２に、レーザは、位相に関係なく１つの透過
領域からのエネルギーが隣接する透過領域に干渉するの
に十分なほど拡散しない。したがって、レーザの位相を
移相させても、欠陥には影響がない。したがって、フォ
トマスクは良好なレーザ融除マスクとはならないため、
従来の技術によるフォトマスク修理法は、レーザ融除誘
電マスク中の穴を修理するには実用的ではない。
ザ融除には適用できない。第１に、Ｘ線を通過させるの
に十分狭い透過用開口は、融除レーザにとって不透明に
見える。第２に、レーザは、位相に関係なく１つの透過
領域からのエネルギーが隣接する透過領域に干渉するの
に十分なほど拡散しない。したがって、レーザの位相を
移相させても、欠陥には影響がない。したがって、フォ
トマスクは良好なレーザ融除マスクとはならないため、
従来の技術によるフォトマスク修理法は、レーザ融除誘
電マスク中の穴を修理するには実用的ではない。
【００１０】この欠陥の問題は、製造効率を改善するた
めに融除すべき像が大きくなってきているために、さら
に大きくなっている。像が大きいほどマスクも大きくな
る。マスクの欠陥率は、単位面積当たりのマスクの欠陥
数の尺度である。代表的なレーザ融除マスクの欠陥率
は、０．００００８３／ｍｍ2である。１５ｍｍ×１５
ｍｍのマスクでは、１００個に１個の割合で欠陥があ
る。わずか１００個に１個の割合で欠陥がある場合、欠
陥のあるマスクを修理するのはそれほど面倒ではない。
しかし、大きいレーザ融除マスクでは、欠陥の確率は１
００％に増大する。したがって、欠陥のない大型レーザ
融除マスクを製作することは不可能になってきた。した
がって、欠陥のあるレーザ融除マスクは、修理が可能で
なければならない。
めに融除すべき像が大きくなってきているために、さら
に大きくなっている。像が大きいほどマスクも大きくな
る。マスクの欠陥率は、単位面積当たりのマスクの欠陥
数の尺度である。代表的なレーザ融除マスクの欠陥率
は、０．００００８３／ｍｍ2である。１５ｍｍ×１５
ｍｍのマスクでは、１００個に１個の割合で欠陥があ
る。わずか１００個に１個の割合で欠陥がある場合、欠
陥のあるマスクを修理するのはそれほど面倒ではない。
しかし、大きいレーザ融除マスクでは、欠陥の確率は１
００％に増大する。したがって、欠陥のない大型レーザ
融除マスクを製作することは不可能になってきた。した
がって、欠陥のあるレーザ融除マスクは、修理が可能で
なければならない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一目的は、レ
ーザ融除マスクの製造コストを減少させることにある。
ーザ融除マスクの製造コストを減少させることにある。
【００１２】本発明の他の目的は、レーザ融除マスクの
製造収率を増大させることにある。
製造収率を増大させることにある。
【００１３】本発明の他の目的は、レーザ融除マスクの
修理を簡単にすることにある。
修理を簡単にすることにある。
【００１４】本発明の他の目的は、レーザ融除マスクの
修正時間を短縮することにある。
修正時間を短縮することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、マスクの表面
にレンズを形成し、このレンズがマスクの欠陥領域に形
成される、レーザ融除マスクの技術変更または修理の方
法である。レンズは、表面領域をＣＯ2レーザまたはイ
オン・ビームで溶融することによって形成される。
にレンズを形成し、このレンズがマスクの欠陥領域に形
成される、レーザ融除マスクの技術変更または修理の方
法である。レンズは、表面領域をＣＯ2レーザまたはイ
オン・ビームで溶融することによって形成される。
【００１６】
【実施例】図１は、欠陥のあるレーザ融除マスク１００
の断面を示す。レーザ・エネルギー１０２が、基板１０
６の１つの表面１０４に衝突する。基板は、石英でも、
あるいはフッ化カルシウムでもよい。基板は、ある波長
（λ）範囲の融除レーザ光を透過させ、したがって、融
除レーザにとって透明であるように見える。石英基板
は、紫外線（ＵＶ）範囲の波長、すなわち０．１６μｍ
≦λ≦４．０μｍの波長に対して透明である。したがっ
て、赤外融除レーザ１０２からの光１０７は、石英基板
１０６を透過する。融除レーザのエネルギーは、欠陥レ
ーザ・エネルギー１１２として誘電体パターン層１１０
中の穴の欠陥１０８を貫通し、パターン・レーザ・エネ
ルギー１１６としてパターン領域１１４を貫通する。欠
陥エネルギー１１２とパターン・エネルギー１１６は、
いずれも重合体層１１７に衝突する。パターン１１９を
パターン・エネルギー１１６によって印刻するとき、欠
陥エネルギー１１２は、故意でなく穴１１８を融除（印
刻）する。
の断面を示す。レーザ・エネルギー１０２が、基板１０
６の１つの表面１０４に衝突する。基板は、石英でも、
あるいはフッ化カルシウムでもよい。基板は、ある波長
（λ）範囲の融除レーザ光を透過させ、したがって、融
除レーザにとって透明であるように見える。石英基板
は、紫外線（ＵＶ）範囲の波長、すなわち０．１６μｍ
≦λ≦４．０μｍの波長に対して透明である。したがっ
て、赤外融除レーザ１０２からの光１０７は、石英基板
１０６を透過する。融除レーザのエネルギーは、欠陥レ
ーザ・エネルギー１１２として誘電体パターン層１１０
中の穴の欠陥１０８を貫通し、パターン・レーザ・エネ
ルギー１１６としてパターン領域１１４を貫通する。欠
陥エネルギー１１２とパターン・エネルギー１１６は、
いずれも重合体層１１７に衝突する。パターン１１９を
パターン・エネルギー１１６によって印刻するとき、欠
陥エネルギー１１２は、故意でなく穴１１８を融除（印
刻）する。
【００１７】図２は、本発明の好ましい実施例の修理法
に従って修理した、図１のマスクを示す。レンズ領域１
２０を、欠陥１０８の上の石英基板の表面１０４中に形
成する。レンズ領域１２０は、欠陥１０８の真上の基板
１０６に入ると、レーザ・エネルギー１０２を屈折さ
せ、拡散させる（１２２）。透過エネルギー１２２がレ
ンズ領域によって拡散されるため、不十分なエネルギー
が穴の欠陥１０８から出て、重合体１１６を融除する。
に従って修理した、図１のマスクを示す。レンズ領域１
２０を、欠陥１０８の上の石英基板の表面１０４中に形
成する。レンズ領域１２０は、欠陥１０８の真上の基板
１０６に入ると、レーザ・エネルギー１０２を屈折さ
せ、拡散させる（１２２）。透過エネルギー１２２がレ
ンズ領域によって拡散されるため、不十分なエネルギー
が穴の欠陥１０８から出て、重合体１１６を融除する。
【００１８】レンズ領域１２０は、適当などんな手段を
使用して形成してもよいが、レーザを用いて形成するこ
とが好ましい。レーザを使うと、レンズ領域を精密に位
置決めし、レンズの寸法を最小にすることができる。代
替方法として、時間はすごくかかるが、イオン・ビーム
を使用して、表面にレンズ領域１２０をほぼ同一の精度
で溶融することができる。基板１０６は、修理用レーザ
に対して不透明（強く吸収する）であり、したがって基
板表面１０４は、レンズ領域１２０を溶融し形成するの
に十分なエネルギーを吸収しなければならない。石英
は、透過範囲、すなわちＣＯ2の場合でλ＝１０．６μ
ｍを超える波長（λ）の二酸化炭素（ＣＯ2）レーザか
らのレーザ・エネルギーのほとんどを吸収する。
使用して形成してもよいが、レーザを用いて形成するこ
とが好ましい。レーザを使うと、レンズ領域を精密に位
置決めし、レンズの寸法を最小にすることができる。代
替方法として、時間はすごくかかるが、イオン・ビーム
を使用して、表面にレンズ領域１２０をほぼ同一の精度
で溶融することができる。基板１０６は、修理用レーザ
に対して不透明（強く吸収する）であり、したがって基
板表面１０４は、レンズ領域１２０を溶融し形成するの
に十分なエネルギーを吸収しなければならない。石英
は、透過範囲、すなわちＣＯ2の場合でλ＝１０．６μ
ｍを超える波長（λ）の二酸化炭素（ＣＯ2）レーザか
らのレーザ・エネルギーのほとんどを吸収する。
【００１９】図３は、レンズ１３０がＣＯ2レーザ・ビ
ーム１３２を欠陥のあるマスク１００に合焦させる、好
ましい修理装置を示す。合焦装置には平凸レンズが好ま
しいが、その代わりにどのような合焦装置も使用でき
る。適当な強さとパルス幅のレーザ・エネルギーが当た
ったところで、石英の表面１０４が溶融する。ＣＯ2レ
ーザ１３２は、欠陥１０８の上の基板表面１０４を溶融
させて、凸レンズ領域１２０を形成する。凸レンズ領域
１２０は、入射するあらゆる光を拡散させる。したがっ
て、波長が短い、レンズ領域１２０に入射する融除レー
ザ・エネルギーは、欠陥１０８を通過しないで石英基板
１０６中に拡散する。このため、マスクの欠陥１０８を
通過して重合体層１１８に到達する融除レーザ・エネル
ギーはごくわずかである。したがって、重合体層中に欠
陥が形成されず、マスク１００が修理される。
ーム１３２を欠陥のあるマスク１００に合焦させる、好
ましい修理装置を示す。合焦装置には平凸レンズが好ま
しいが、その代わりにどのような合焦装置も使用でき
る。適当な強さとパルス幅のレーザ・エネルギーが当た
ったところで、石英の表面１０４が溶融する。ＣＯ2レ
ーザ１３２は、欠陥１０８の上の基板表面１０４を溶融
させて、凸レンズ領域１２０を形成する。凸レンズ領域
１２０は、入射するあらゆる光を拡散させる。したがっ
て、波長が短い、レンズ領域１２０に入射する融除レー
ザ・エネルギーは、欠陥１０８を通過しないで石英基板
１０６中に拡散する。このため、マスクの欠陥１０８を
通過して重合体層１１８に到達する融除レーザ・エネル
ギーはごくわずかである。したがって、重合体層中に欠
陥が形成されず、マスク１００が修理される。
【００２０】本発明は、技術変更（ＥＣ）用レーザ融除
マスクの製造にも使用できる。欠陥の原因が設計にあっ
ても、加工にあっても、また配線の変更によるものであ
っても、開放領域が閉鎖され、普通なら利用価値のない
マスクを修理することができる。
マスクの製造にも使用できる。欠陥の原因が設計にあっ
ても、加工にあっても、また配線の変更によるものであ
っても、開放領域が閉鎖され、普通なら利用価値のない
マスクを修理することができる。
【００２１】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００２２】（１）マスクの表面にレンズを形成し、上
記レンズはマスクの欠陥領域内に形成されることを特徴
とする、誘電マスク修理法。 （２）上記レンズが、上記マスクの表面に合焦エネルギ
ー・ビームを当てることにより形成されることを特徴と
する、上記（１）に記載の誘電マスク修理法。 （３）上記合焦エネルギーが、合焦レーザ・ビームであ
ることを特徴とする、上記（２）に記載の誘電マスク修
理法。 （４）上記合焦エネルギーが、合焦イオン・ビームであ
ることを特徴とする、上記（２）に記載の誘電マスク修
理法。 （５）上記修理用レーザが、パルス式ＣＯ2レーザであ
ることを特徴とする、上記（３）に記載の誘電マスク修
理法。 （６）上記欠陥が、上記レンズが形成される表面とは反
対面のマスク・パターン中にあることを特徴とする、上
記（１）に記載の誘電マスク修理法。 （７）識別された欠陥領域にエネルギー・ビームを合焦
させ、上記合焦されたエネルギー・ビームが誘電マスク
の表面にレンズを形成することを特徴とする、誘電マス
ク修理法。 （８）上記エネルギー・ビームがイオン・ビームである
ことを特徴とする、上記（７）に記載の誘電マスク修理
法。 （９）上記エネルギー・ビームがパルス・レーザ・ビー
ムであることを特徴とする、上記（７）に記載の誘電マ
スク修理法。 （１０）レーザがＣＯ2レーザであることを特徴とす
る、上記（９）に記載の誘電マスク修理法。 （１１）所定の波長λを有する光に実質的に透明な基板
と、１つの基板表面に形成したマスク・パターンと、上
記基板の反対面上の、少なくとも１つのレンズ領域とを
具備する、レーザ融除マスク。 （１２）上記マスク・パターンが、複数の誘電層を備え
ることを特徴とする、上記（１１）に記載のレーザ融除
マスク。 （１３）上記基板が、石英層であることを特徴とする、
上記（１１）に記載のレーザ融除マスク。 （１４）上記光の波長入が、０．２８μｍ≦λ≦２．０
μｍであることを特徴とする、上記（１１）に記載のレ
ーザ融除マスク。
記レンズはマスクの欠陥領域内に形成されることを特徴
とする、誘電マスク修理法。 （２）上記レンズが、上記マスクの表面に合焦エネルギ
ー・ビームを当てることにより形成されることを特徴と
する、上記（１）に記載の誘電マスク修理法。 （３）上記合焦エネルギーが、合焦レーザ・ビームであ
ることを特徴とする、上記（２）に記載の誘電マスク修
理法。 （４）上記合焦エネルギーが、合焦イオン・ビームであ
ることを特徴とする、上記（２）に記載の誘電マスク修
理法。 （５）上記修理用レーザが、パルス式ＣＯ2レーザであ
ることを特徴とする、上記（３）に記載の誘電マスク修
理法。 （６）上記欠陥が、上記レンズが形成される表面とは反
対面のマスク・パターン中にあることを特徴とする、上
記（１）に記載の誘電マスク修理法。 （７）識別された欠陥領域にエネルギー・ビームを合焦
させ、上記合焦されたエネルギー・ビームが誘電マスク
の表面にレンズを形成することを特徴とする、誘電マス
ク修理法。 （８）上記エネルギー・ビームがイオン・ビームである
ことを特徴とする、上記（７）に記載の誘電マスク修理
法。 （９）上記エネルギー・ビームがパルス・レーザ・ビー
ムであることを特徴とする、上記（７）に記載の誘電マ
スク修理法。 （１０）レーザがＣＯ2レーザであることを特徴とす
る、上記（９）に記載の誘電マスク修理法。 （１１）所定の波長λを有する光に実質的に透明な基板
と、１つの基板表面に形成したマスク・パターンと、上
記基板の反対面上の、少なくとも１つのレンズ領域とを
具備する、レーザ融除マスク。 （１２）上記マスク・パターンが、複数の誘電層を備え
ることを特徴とする、上記（１１）に記載のレーザ融除
マスク。 （１３）上記基板が、石英層であることを特徴とする、
上記（１１）に記載のレーザ融除マスク。 （１４）上記光の波長入が、０．２８μｍ≦λ≦２．０
μｍであることを特徴とする、上記（１１）に記載のレ
ーザ融除マスク。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、レ
ーザ融除マスクの修理を簡単に短時間で行うことが可能
になり、レーザ融除マスクのコストを低減することがで
きる。
ーザ融除マスクの修理を簡単に短時間で行うことが可能
になり、レーザ融除マスクのコストを低減することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】欠陥のある誘電体レーザ融除マスクを示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明の好ましい実施例に従って修理された図
１のマスクを示す図である。
１のマスクを示す図である。
【図３】本発明の好ましい実施例に従って図１の欠陥の
あるマスクを修理する方法を示す図である。
あるマスクを修理する方法を示す図である。
１００ 欠陥のあるレーザ融除マスク １０２ レーザ・エネルギー １０４ 石英表面 １０６ 基板 １０８ 欠陥 １１０ 誘電体パターン層 １２０ レンズ領域 １３０ レンズ １３２ ＣＯ2レーザ・ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/82 (72)発明者 ジョン・ロバート・ランカード・シニア アメリカ合衆国10541 ニューヨーク州マ ホパック アーチャー・ロード 46 (72)発明者 マーク・ジョセフ・ラプランテ アメリカ合衆国12586 ニューヨーク州ウ ォルデン ウォルナット・ストリート 60
Claims (14)
- 【請求項１】マスクの表面にレンズを形成し、上記レン
ズはマスクの欠陥領域内に形成されることを特徴とす
る、誘電マスク修理法。 - 【請求項２】上記レンズが、上記マスクの表面に合焦エ
ネルギー・ビームを当てることにより形成されることを
特徴とする、請求項１に記載の誘電マスク修理法。 - 【請求項３】上記合焦エネルギーが、合焦レーザ・ビー
ムであることを特徴とする、請求項２に記載の誘電マス
ク修理法。 - 【請求項４】上記合焦エネルギーが、合焦イオン・ビー
ムであることを特徴とする、請求項２に記載の誘電マス
ク修理法。 - 【請求項５】上記修理用レーザが、パルス式ＣＯ2レー
ザであることを特徴とする、請求項３に記載の誘電マス
ク修理法。 - 【請求項６】上記欠陥が、上記レンズが形成される表面
とは反対面のマスク・パターン中にあることを特徴とす
る、請求項１に記載の誘電マスク修理法。 - 【請求項７】識別された欠陥領域にエネルギー・ビーム
を合焦させ、上記合焦されたエネルギー・ビームが誘電
マスクの表面にレンズを形成することを特徴とする、誘
電マスク修理法。 - 【請求項８】上記エネルギー・ビームがイオン・ビーム
であることを特徴とする、請求項７に記載の誘電マスク
修理法。 - 【請求項９】上記エネルギー・ビームがパルス・レーザ
・ビームであることを特徴とする、請求項７に記載の誘
電マスク修理法。 - 【請求項１０】レーザがＣＯ2レーザであることを特徴
とする、請求項９に記載の誘電マスク修理法。 - 【請求項１１】所定の波長λを有する光に実質的に透明
な基板と、 １つの基板表面に形成したマスク・パターンと、 上記基板の反対面上の、少なくとも１つのレンズ領域と
を具備する、 レーザ融除マスク。 - 【請求項１２】上記マスク・パターンが、複数の誘電層
を備えることを特徴とする、請求項１１に記載のレーザ
融除マスク。 - 【請求項１３】上記基板が、石英層であることを特徴と
する、請求項１１に記載のレーザ融除マスク。 - 【請求項１４】上記光の波長入が、０．２８μｍ≦λ≦
２．０μｍであることを特徴とする、請求項１１に記載
のレーザ融除マスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US220776 | 1994-03-30 | ||
| US08/220,776 US5441836A (en) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | Laser ablation mask repair method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07281418A true JPH07281418A (ja) | 1995-10-27 |
| JP3074635B2 JP3074635B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=22824926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3189295A Expired - Lifetime JP3074635B2 (ja) | 1994-03-30 | 1995-02-21 | レーザ融除マスクの修理法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5441836A (ja) |
| JP (1) | JP3074635B2 (ja) |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007052187A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Sk Electronics:Kk | フォトマスク及びレンズ |
| JP2007157962A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 型成形工具 |
| JP2008241787A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Lasertec Corp | 欠陥修正方法及び装置 |
| JP2009097901A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｘ線用屈折レンズユニットおよびｘ線用屈折レンズの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US5817271A (en) * | 1996-12-18 | 1998-10-06 | Congleton; Stephen D. | Altering the surfaces of functional absorbent materials for use in absorbent articles |
| WO2003071358A1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-08-28 | U.C.Laser Ltd. | Method and system for repairing defected photomasks |
| EP1870388B1 (en) * | 2005-04-15 | 2010-09-08 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for reducing diameter of bubble existing inside of glass plate |
| EP2323138B1 (en) * | 2008-09-12 | 2013-10-23 | Asahi Glass Company, Limited | Method for smoothing optical member for euvl |
| US8327684B2 (en) * | 2008-10-21 | 2012-12-11 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Method for adjusting resonance frequencies of a vibrating microelectromechanical device |
| KR101179269B1 (ko) * | 2010-11-30 | 2012-09-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 그 형성방법 |
| WO2016183210A1 (en) * | 2015-05-11 | 2016-11-17 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Optical-coherence-tomography guided additive manufacturing and laser ablation of 3d-printed parts |
| CN111929982B (zh) * | 2020-08-28 | 2024-03-29 | 上海华力微电子有限公司 | 金属层光刻工艺热点的修复方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4340654A (en) * | 1980-06-19 | 1982-07-20 | Campi James G | Defect-free photomask |
| JPS586127A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Hitachi Ltd | フオトマスク欠陥修正方法とその装置 |
| US4414059A (en) * | 1982-12-09 | 1983-11-08 | International Business Machines Corporation | Far UV patterning of resist materials |
| US4508749A (en) * | 1983-12-27 | 1985-04-02 | International Business Machines Corporation | Patterning of polyimide films with ultraviolet light |
| US4923772A (en) * | 1986-10-29 | 1990-05-08 | Kirch Steven J | High energy laser mask and method of making same |
| DE3785737T2 (de) * | 1986-12-26 | 1993-09-02 | Seiko Instr Inc | Geraet zur ausbesserung eines gemusterten films. |
| JPH0320733A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | ホトマスク |
| JP2634289B2 (ja) * | 1990-04-18 | 1997-07-23 | 三菱電機株式会社 | 位相シフトマスクの修正方法 |
-
1994
- 1994-03-30 US US08/220,776 patent/US5441836A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-21 JP JP3189295A patent/JP3074635B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007052187A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Sk Electronics:Kk | フォトマスク及びレンズ |
| JP4685545B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2011-05-18 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスク及びレンズ |
| JP2007157962A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 型成形工具 |
| JP2008241787A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Lasertec Corp | 欠陥修正方法及び装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3074635B2 (ja) | 2000-08-07 |
| US5441836A (en) | 1995-08-15 |
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