JPH11251673A - レーザ信号の波長制御回路 - Google Patents

レーザ信号の波長制御回路

Info

Publication number
JPH11251673A
JPH11251673A JP10047807A JP4780798A JPH11251673A JP H11251673 A JPH11251673 A JP H11251673A JP 10047807 A JP10047807 A JP 10047807A JP 4780798 A JP4780798 A JP 4780798A JP H11251673 A JPH11251673 A JP H11251673A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
signal
laser
laser signal
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10047807A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihiro Yasuda
典弘 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP10047807A priority Critical patent/JPH11251673A/ja
Priority to US09/249,240 priority patent/US6529534B1/en
Priority to EP99301478A priority patent/EP0939470B1/en
Publication of JPH11251673A publication Critical patent/JPH11251673A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/06837—Stabilising otherwise than by an applied electric field or current, e.g. by controlling the temperature

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ信号の波長制御に当たって目的の波長
に容易に設定でき、且つ、ドリフトのないレーザ信号の
波長制御回路を提供する。 【解決手段】 本発明のレーザ信号の波長制御回路は、
半導体レーザダイオード３１と温度検出素子３２と温度
調節素子３３を有するレーザダイオードモジュール３
と、光バンドパスフィルタ４２を波長弁別素子として用
い、レーザ信号の波長を光バンドパスフィルタにより波
長弁別可能な微調整範囲内を波長制御する波長制御手段
と、レーザ信号の波長が光バンドパスフィルタによる波
長弁別特性で波長を弁別可能な範囲外にある場合、レー
ザ信号の波長を粗調整し、弁別可能な範囲内に波長制御
する温度制御手段を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ光の波長を制
御するレーザ波長制御回路に関し、特にその発振波長の
粗調整機能を有するレーザ信号の波長制御回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、光伝送方式は波長多重方式化の研
究開発が活発に行われており、多くの波長信号を伝送す
る技術が要求されている。しかし、光増幅器で使用でき
る信号の波長帯域は限定されており、その中でより多く
のチャンネル数を持たせるためには、波長間隔を狭帯域
化し、レーザ信号の発振波長を高精度で安定化する必要
がある。
【０００３】従来、光送信器のレーザ信号の発振波長の
安定化としては、レーザモジュールの温度を制御する方
式が用いられている。例えば、特開平７−３０２９４８
号公報によれば、図５に示すように、半導体レーザ１４
の近くに温度センサー２０とペルチエ素子２２が配置さ
れ、温度センサー２０の出力に応じてペルチエ素子２２
を駆動する温度制御部３８が設けられている。さらに、
光源ユニット１２の前方に、偏光ビームスプリッター２
８と、１／４波長板３２と、エタロン３４と、フォトダ
イオード３６が順に配置され、フォトダイオード３６の
出力に応じた注入電流を半導体レーザ１４に供給する電
流制御部３８が設けられ、射出光の波長を安定化した波
長安定化装置が開示されている。
【０００４】また、特開平８−３７３３４号公報によれ
ば、図６に示すように、レーザ波長制御装置として、Ｌ
Ｄモジュール４３内にレーザダイオード４２とその温度
を制御するぺルチェ効果素子４１を配置している。出力
されるレーザ光４５は、光狭帯域ハイパスフィルタ４６
と光狭帯域ローパスフィルタ５１に入射され、これらの
透過光がフォトダイオード４８、５３で検出される。各
フィルタ４６、５１はレーザ光の所望の発振中心波長か
ら長波長側と短波長側に同じ波長だけわずかにずれた波
長位置の光を透過させる。したがって、フォトダイオー
ド４８、５３の検出した光が等しくなるように温度調整
回路５８でペルチェ効果素子４１の制御を行えば、レー
ザ光を所望の発振中心波長に設定できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の波長安
定化装置の場合、レーザや温度センサーの経時劣化によ
り、温度を一定に制御していても波長がドリフトしてし
まう問題がある。
【０００６】また、後者のレーザ波長制御装置の場合、
レーザや温度センサーの経時劣化による波長のドリフト
は改善されているが、任意の波長に設定することは容易
ではない本発明の目的は、レーザ信号の波長制御に当た
って目的の波長に容易に設定でき、且つ、ドリフトのな
いレーザ信号の波長制御回路を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザ信号の波
長制御回路は、半導体レーザダイオードと温度検出素子
と温度調節素子を有するレーザダイオードモジュール
と、光バンドパスフィルタを波長弁別素子として用い、
レーザ信号の波長を光バンドパスフィルタにより波長弁
別可能な微調整範囲内を波長制御する波長制御手段と、
レーザ信号の波長が光バンドパスフィルタによる波長弁
別特性で波長を弁別可能な範囲外にある場合、レーザ信
号の波長を粗調整し、弁別可能な範囲内に波長制御する
温度制御手段を有する。
【０００８】また、本発明のレーザ信号の波長制御回路
は、半導体レーザダイオードと温度検出素子と温度調節
素子を有するレーザダイオードモジュールと、半導体レ
ーザダイオードのレーザ信号出力の一部を分岐する素子
と、波長弁別素子を有するレーザ信号の波長を監視する
監視手段と、監視手段の出力に応じてレーザ信号の波長
を微調整する信号を出力する第１の調整手段と、レーザ
ダイオードモジュールの温度検出素子によって温度を監
視し、監視結果に応じてレーザ信号の波長を粗調整する
信号を出力する第２の調整手段と、レーザダイオードモ
ジュールの温度監視結果に応じて、所定の波長に達した
ことを識別し、第２の調整手段を第１の調整手段に切り
替える切替え手段と、第１および第２の調整手段の調整
信号によりレーザダイオードモジュールの温度調節素子
を駆動する駆動手段を有する。
【０００９】さらに、本発明のレーザ信号の波長制御回
路は、半導体レーザダイオードと温度検出素子と温度調
節素子を有するレーザダイオードモジュールと、半導体
レーザダイオードのレーザ信号出力の一部を分岐する素
子と、分岐されたレーザ信号を分光するビームスプリッ
タと、分光された一方のレーザ信号を受光する光波長の
透過率の異なる光バンドパスフィルタと、光バンドパス
フィルタを透過したレーザ信号を受光する第１の光検出
器と、分光された他方のレーザ信号を受光する第２の光
検出器とを有し、レーザ信号の波長を光バンドパスフィ
ルタにより波長弁別可能な範囲を監視する波長モニタ回
路と、波長モニタ回路の第２の光検出器の出力を第１の
光検出器の出力で除算する除算器と、除算器の出力信号
と基準電圧との差電圧を増幅する増幅器とを有し、レー
ザ信号の波長を微調整する信号を出力する第１の制御回
路と、レーザダイオードモジュールのサーミスタと接続
され、動作開始後、温度に比例した電圧信号を検出する
温度モニタ回路と、温度モニタ回路の出力と基準電圧と
の差を増幅する増幅器とを有し、レーザ信号の波長を粗
調整し、弁別可能な範囲内に波長制御する信号を出力す
る第２の制御回路と、レーザ信号の波長の粗調整による
温度に比例する電圧を入力し、所定電圧で起動信号を発
する比較回路と、比較回路の起動信号で作動する切替え
器を有し、レーザ信号の波長を粗調整する第２の制御回
路から微調整する第１の制御回路に切り替える切替え回
路と、第１の制御回路の微調整信号によりレーザダイオ
ードモジュールの温度調節素子を駆動する駆動回路を有
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて詳細に説明する。
【００１１】図１は本発明のレーザ信号の波長制御回路
の一実施例の構成図である。本実施例において、レーザ
ダイオードモジュール３の出力光は、光分岐カプラ８で
分岐されて、一方がレーザ信号として出力され、他方が
波長モニタ回路４に入力される。波長モニタ回路４内に
おいて、入力されたレーザ信号光はビームスプリッタ４
１で一方が光検出器４４で受光され、他方が光の波長に
よって透過率の異なる光バンドパスフィルタ４２を介し
て光検出器４３で受光される。光検出器４３の出力と光
検出器４４の出力は制御回路１の内部の除算器１１に入
力され、光検出器４３の出力を光検出器４４の出力で割
った除算値が検出される。除算器１１の出力信号は増幅
器１２に入力され、基準電圧１７との差電圧が増幅され
て、制御回路１の出力信号として出力される。また、レ
ーザダイオードモジュール３は、半導体レーザ３１と、
温度によって抵抗値が変化するサーミスタ３２と、電流
の方向で加熱／冷却が変えられるペルチエ素子３３によ
り構成されている。サーミスタ３２の一方の端子はグラ
ンドに接地され、他方は制御回路２の内部の温度モニタ
回路２１に接続されて、温度に比例した電圧信号が検出
される。温度モニタ回路２１の出力は、増幅器２２と比
較回路６に入力される。増幅器２２では基準電圧２３と
の差が増幅されて、制御回路２の出力信号として出力さ
れる。制御回路１と制御回路２の出力信号はアナログス
イッチ５に入力される。このアナログスイッチ５のコン
トロール信号として比較回路６の出力が接続されてお
り、温度モニタ回路２１の出力電圧信号、つまりレーザ
ダイオードモジュール３の温度によって、制御回路１も
しくは制御回路２の一方が選択され、駆動回路７に入力
される。駆動回路７は制御回路１もしくは制御回路２か
ら電圧信号に基づいてレーザダイオードモジュール３内
部のペルチエ素子３３に電流を流して、レーザダイオー
ドモジュール３の温度を加熱もしくは冷却する。
【００１２】本実施例では、レーザダイオードモジュー
ル３に波長1.55μm のレーザダイオードMQW-DFB-LDを、
光分岐カプラには分岐比10:1の融着型ファイバカプラを
使用している。また、波長モニタ回路４において、ビー
ムスプリッタには分岐比 1:1のものを、光バンドパスフ
ィルタには透過中心波長1555nm、半値全幅1nm の誘電体
多層膜干渉フィルタを、光検出器には結合量子効率70%
のインジュームガリューム砒素（InGaAs）フォトダイオ
ードを使用している。
【００１３】次に、本発明のレーザ信号の波長制御回路
の動作について図面を用いて説明する。まず、本発明の
波長制御の原理について説明する。図２は波長モニタ回
路４の波長弁別特性を測定した結果である。この図はレ
ーザダイオードモジュール３のレーザ信号の波長に対し
て光検出器４３の出力を光検出器４４で割った除算値
（１ｖは比１に相当）を表しており、入力パワーに依存
しない波長弁別特性が得られている。一般的に半導体レ
ーザの発振波長は約０．１ｎｍ／℃の温度依存性を有し
ているため、図２の波長弁別曲線を用いて、除算値が一
定となるようにレーザの温度を制御すれば発振波長を制
御することができる。例えば、波長弁別曲線の長波長側
のスロープを用いて、除算値が０．５ｖとなるように、
つまり増幅器１２の基準電圧１３を０．５ｖに設定すれ
ば、波長が１５５５．５ｎｍに制御される。
【００１４】この波長弁別特性は光バンドパスフィルタ
４２の半値全幅を狭くするほど、波長の変化に対して検
出感度の高いものが得られる。しかし、半値全幅が狭く
なるほど波長をモニタできる範囲が狭くなる。この波長
弁別特性を用いて制御する場合、制御開始時に制御に使
用する波長弁別曲線のスロープ近辺にレーザダイオード
モジュール３の波長を初期設定する必要がある。
【００１５】本発明は、波長制御に使用する波長弁別曲
線のスロープ近辺にレーザダイオードの波長の初期設定
を実現するのが特徴である。本実施例では、先に記述し
たように図２の波長弁別曲線の長波長側のスロープを用
いて波長を1555.5nmに制御することを前提として、波長
の初期設定の動作について説明する。
【００１６】本回路電源投入時のレーザダイオードモジ
ュール３の波長は、環境温度により図２の波長弁別曲線
のスロープの短波長側に存在する場合と、長波長側に存
在する場合とが考えられる。レーザダイオードモジュー
ル３の波長がスロープの短波長側にある場合、スロープ
の長波長側にレーザダイオードモジュール３の波長を初
期設定する必要がある。その具体的手段について次に説
明する。
【００１７】半導体レーザの発振波長は、上述したよう
に約０．１ｎｍ／℃の温度依存性を有しており、レーザ
ダイオードチップの温度と発振波長はほぼ比例関係にあ
る。このためレーザダイオードモジュール３の温度をモ
ニタすることによって、その温度がおおよその発振波長
を検出することができる。つまり、本回路電源投入時、
レーザダイオードモジュール３の温度を温度モニタ回路
２１で検出し、その温度から発振波長が図２の弁別曲線
の長波長スロープよりも短波長側にあるか判定し、短波
長側にある場合は制御回路２を選択し、温度モニタ回路
２１による温度制御を行う。ここで基準電圧２３は、図
２の波長弁別曲線の長波長側スロープよりも充分長波長
に相当する電圧に設定する。これによりペルチエ素子３
３に加熱方向に電流が流れ、レーザダイオードモジュー
ル３の温度が上昇し、レーザダイオードモジュール３の
波長をスロープの長波長側に引き上がる。その後、制御
回路２から制御回路１に切り替え、光バンドパスフィル
タの波長弁別特性を用いた制御を行うことにより、発振
波長を1555.5nmにロックすることができる。
【００１８】レーザダイオードモジュール３の波長がス
ロープの長波長側にある場合は、制御回路１に回路を選
択し、波長弁別特性を用いた制御により、発振波長を15
55.5nmにロックさせる。制御回路１、２の切り替えはア
ナログスイッチ５で行う。
【００１９】次に、アナログスイッチ５の切替動作につ
いて説明する。アナログスイッチ５の切り替えの制御
は、比較回路６により行う。比較回路６は、温度モニタ
回路２１の監視結果に比例する電圧を入力し、所定の閾
値電圧で起動信号を発し、アナログスイッチ５を切替え
る。比較回路６は、ヒステレシス特性を有し、閾値電圧
可変の関数発生器である。比較回路６の閾値はヒステリ
シス幅を持たせ、そのヒステリシス幅は、図３に示すよ
うに、制御回路２から制御回路１に切り替わるレーザの
温度T(H)を、ロックする波長に対応する温度よりも長波
長側に設定し、制御回路１から制御回路２に切り替わる
レーザ温度T(L)を弁別曲線の中心波長よりも短波長側に
設定してある。これより一旦比較回路６の出力が「高」
に切り替わった後、比較回路６の出力が「低」に切り替
わる前に、制御回路１によりレーザダイオードモジュー
ル３の発振波長がロックされることになる。
【００２０】電源投入時、レーザダイオードモジュール
３の波長がスロープの短波長側に存在する場合の具体的
な動作過程を図４に示す。電源投入後、アナログスイッ
チ５は制御回路２側に接続され、ペルチエ素子３３に加
熱方向に電流が流れるため、レーザダイオードモジュー
ル３の波長が長波長側に引き上げられる。レーザダイオ
ードモジュール３の波長が1560.0nmまで引き上げられた
後、比較回路６の出力が「高」に切り替わり、アナログ
スイッチ５を制御回路１側に切り替え、波長弁別特性の
制御により、ロック波長側にレーザダイオードモジュー
ル３の波長が引き込まれ、1555.5nmで波長がロックされ
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明によればレーザ信号の波長を直接
検出してフィードバックする方式として、光フィルタの
透過特性を利用した波長モニタモジュールを用いて制御
するため、半導体レーザの経時劣化やサーミスタの経時
変化による波長ドリフトが生じない効果がある。
【００２２】また、レーザ信号の波長制御回路として、
光バンドパスフィルタを波長弁別素子として用いた波長
制御回路と温度制御回路の二つの制御回路を併せ持つた
め、制御開始時の環境温度等がいかなる場合において
も、光バンドパスフィルタを用いた制御回路の制御可能
範囲に波長を初期設定でき誤動作することなく高信頼度
な波長制御が可能となる効果がある。
【００２３】したがって、上記の理由より、光バンドパ
スフィルタの半値全幅を狭くできて、高精度な波長制御
が可能となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるレーザ信号の波長制御回路の一実
施例の形態を示す構成図である。
【図２】本発明によるレーザ信号の波長制御回路の一実
施例における除算器の出力特性を示す図である。
【図３】本発明によるレーザ信号の波長制御回路の一実
施例におけるアナログスイッチの切替制御図である。
【図４】本発明によるレーザ信号の波長制御回路の一実
施例の動作過程を示す図である。
【図５】従来のレーザ信号の波長制御回路の実施例を示
す構成図である。
【図６】従来のレーザ信号の他の波長制御回路の実施例
を示す構成図である。
【符号の説明】
１、２ 制御回路 ３ レーザダイオードモジュール ４ 波長モニタ回路 ５ アナログスイッチ ６ 比較回路 ７ 駆動回路 ８ 光分岐カプラ １１ 除算器 １２ 増幅器 １３ 基準電圧 ２１ 温度モニタ回路 ２２ 増幅器 ２３ 基準電圧 ３１ 半導体レーザ ３２ サーミスタ ３３ ペルチエ素子 ４１ 光ビームスプリッタ ４２ 光バンドパスフィルタ ４３、４４ 光検出器

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体レーザダイオードと温度検出素
    子と温度調節素子を有するレーザダイオードモジュール
    と、 光バンドパスフィルタを波長弁別素子として用い、レー
    ザ信号の波長を光バンドパスフィルタにより波長弁別可
    能な微調整範囲内を波長制御する波長制御手段と、 レーザ信号の波長が光バンドパスフィルタによる波長弁
    別特性で波長を弁別可能な範囲外にある場合、レーザ信
    号の波長を粗調整し、弁別可能な範囲内に波長制御する
    温度制御手段を有するレーザ信号の波長制御回路。
  2. 【請求項２】 レーザ信号の波長制御回路であって、 半導体レーザダイオードと温度検出素子と温度調節素子
    を有するレーザダイオードモジュールと、 前記半導体レーザダイオードのレーザ信号出力の一部を
    分岐する素子と、波長弁別素子を有するレーザ信号の波
    長を監視する監視手段と、 前記監視手段の出力に応じてレーザ信号の波長を微調整
    する信号を出力する第１の調整手段と、 前記レーザダイオードモジュールの温度検出素子によっ
    て温度を監視し、監視結果に応じてレーザ信号の波長を
    粗調整する信号を出力する第２の調整手段と、 前記レーザダイオードモジュールの温度監視結果に応じ
    て、所定の波長に達したことを識別し 、第２の調整手
    段を第１の調整手段に切り替える切替え手段と、 前記第１および第２の調整手段の調整信号により前記レ
    ーザダイオードモジュールの温度調節素子を駆動する駆
    動手段を有するレーザ信号の波長制御回路。
  3. 【請求項３】 前記微調整範囲内を波長制御する波長制
    御手段が、 前記半導体レーザダイオードのレーザ信号出力の一部を
    分岐する素子と、波長弁別素子を有するレーザ信号の波
    長を監視する監視手段と、 前記監視手段の出力に応じてレーザ信号の波長を微調整
    する信号を出力する第１の調整手段を有する請求項１記
    載のレーザ信号の波長制御回路。
  4. 【請求項４】 前記レーザ信号の波長を監視する監視手
    段が、 前記半導体レーザダイオードのレーザ信号出力の一部を
    分岐する素子と、 分岐されたレーザ信号を分光するビームスプリッタと、
    分光された一方のレーザ信号を受光する光波長の透過率
    の異なる光バンドパスフィルタと、前記光バンドパスフ
    ィルタを透過したレーザ信号を受光する第１の光検出器
    と、分光された他方のレーザ信号を受光する第２の光検
    出器とを含む波長モニタ回路を有する請求項２または３
    記載のレーザ信号の波長制御回路。
  5. 【請求項５】 前記監視手段の出力に応じてレーザ信号
    の波長を微調整する信号を出力する第１の調整手段が、 前記第１の光検出器の出力を第２の光検出器の出力で除
    算する除算器と、 前記除算器の出力信号と基準電圧との差電圧を増幅する
    増幅器とを有する第１の制御回路である請求項２または
    ３記載のレーザ信号の波長制御回路。
  6. 【請求項６】 前記監視結果に応じてレーザ信号の波長
    を粗調整する信号を出力する第２の調整手段が、 レーザダイオードモジュールのサーミスタと接続され、
    温度に比例した電圧信号を検出する温度モニタ回路と、 温度モニタ回路の出力と基準電圧との差を増幅する増幅
    器とを有する第２の制御回路である請求項２記載のレー
    ザ信号の波長制御回路。
  7. 【請求項７】 前記第２の調整手段を第１の調整手段に
    切り替える切替え手段が、 前記温度の監視結果に比例する電圧を入力し、所定電圧
    で起動信号を発する比較回路と、 前記比較回路の起動信号で作動する切替え器を有する切
    替え回路である請求項２記載のレーザ信号の波長制御回
    路。
  8. 【請求項８】 前記比較回路が、 ヒステレシス特性を有し、立ち上がり入力電圧可変の関
    数発生器である請求項７記載のレーザ信号の波長制御回
    路。
  9. 【請求項９】 レーザ信号の波長制御回路であって、 半導体レーザダイオードと温度検出素子と温度調節素子
    を有するレーザダイオードモジュールと、 前記半導体レーザダイオードのレーザ信号出力の一部を
    分岐する素子と、 分岐されたレーザ信号を分光するビームスプリッタと、
    分光された一方のレーザ信号を受光する光波長の透過率
    の異なる光バンドパスフィルタと、前記光バンドパスフ
    ィルタを透過したレーザ信号を受光する第１の光検出器
    と、分光された他方のレーザ信号を受光する第２の光検
    出器とを有し、レーザ信号の波長を光バンドパスフィル
    タにより波長弁別可能な範囲を監視する波長モニタ回路
    と、 前記波長モニタ回路の第２の光検出器の出力を第１の光
    検出器の出力で除算する除算器と、前記除算器の出力信
    号と基準電圧との差電圧を増幅する増幅器とを有し、レ
    ーザ信号の波長を微調整する信号を出力する第１の制御
    回路と、 レーザダイオードモジュールのサーミスタと接続され、
    動作開始後、温度に比例した電圧信号を検出する温度モ
    ニタ回路と、温度モニタ回路の出力と基準電圧との差を
    増幅する増幅器とを有し、レーザ信号の波長を粗調整
    し、弁別可能な範囲内に波長制御する信号を出力する第
    ２の制御回路と、 レーザ信号の波長の粗調整による前記温度に比例する電
    圧を入力し、所定電圧で起動信号を発する比較回路と、
    前記比較回路の起動信号で作動する切替え器を有し、レ
    ーザ信号の波長を粗調整する第２の制御回路から微調整
    する第１の制御回路に切り替える切替え回路と、 前記第１の制御回路の微調整信号により前記レーザダイ
    オードモジュールの温度調節素子を駆動する駆動回路を
    有するレーザ信号の波長制御回路。
JP10047807A 1998-02-27 1998-02-27 レーザ信号の波長制御回路 Pending JPH11251673A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10047807A JPH11251673A (ja) 1998-02-27 1998-02-27 レーザ信号の波長制御回路
US09/249,240 US6529534B1 (en) 1998-02-27 1999-02-11 Wavelength controlling circuit for laser signal
EP99301478A EP0939470B1 (en) 1998-02-27 1999-02-26 Wavelength controlling circuit for laser signal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10047807A JPH11251673A (ja) 1998-02-27 1998-02-27 レーザ信号の波長制御回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11251673A true JPH11251673A (ja) 1999-09-17

Family

ID=12785647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10047807A Pending JPH11251673A (ja) 1998-02-27 1998-02-27 レーザ信号の波長制御回路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6529534B1 (ja)
EP (1) EP0939470B1 (ja)
JP (1) JPH11251673A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1241750A1 (en) * 2001-03-14 2002-09-18 OpNext Japan, Inc. Optical wavelength stabilization circuit, optical transmitter and optical transmission system
US6885684B2 (en) 2002-04-25 2005-04-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser control circuit and laser module
JP2006324636A (ja) * 2006-03-03 2006-11-30 Yamatake Corp レーザ発振波長検出方法、制御方法および装置
KR100794870B1 (ko) 2001-08-30 2008-01-14 마이크론 테크놀로지, 인크 고속 메모리 시스템에서의 광 상호접속
JP2008103766A (ja) * 2003-01-14 2008-05-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高速波長可変分布帰還型半導体レーザアレイ及び分布帰還型半導体レーザ
CN100440654C (zh) * 2002-10-03 2008-12-03 英特尔公司 背面波长锁定装置的调整和装配方法
JP2010258350A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置、情報取得装置および物体検出装置
JP2015106665A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 波長可変レーザの制御方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6120190A (en) 1997-11-26 2000-09-19 Lasertron, Inc. Spatially variable bandpass filter monitoring and feedback control of laser wavelength especially in wavelength division multiplexing communication systems
ATE272905T1 (de) * 1999-03-01 2004-08-15 Univ California Abstimmbarer laser mit einer integrierten vorrichtung zur wellenlängenüberwachung und zugehöriges betriebsverfahren
GB2360628A (en) * 2000-03-25 2001-09-26 Marconi Comm Ltd A stabilised radiation source
JP4071917B2 (ja) * 2000-04-21 2008-04-02 ユーディナデバイス株式会社 光半導体装置
US6898221B2 (en) * 2001-03-15 2005-05-24 Iolon, Inc. Apparatus for frequency tuning and locking and method for operating same
JP2002319736A (ja) * 2001-04-23 2002-10-31 Furukawa Electric Co Ltd:The レーザ光の波長調整装置
EP1265325A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-11 Alcatel Optical device with temperature insensitive etalon
JP2003163407A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Fujitsu Ltd 光半導体装置
US6785308B2 (en) * 2002-03-28 2004-08-31 Nortel Networks Limited Spectral conditioning system and method
WO2003088436A1 (fr) * 2002-04-15 2003-10-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Appareil de controle de longueur d'onde
JP3766347B2 (ja) * 2002-05-16 2006-04-12 東芝電子エンジニアリング株式会社 光送信用デバイス
GB2402544A (en) * 2003-06-03 2004-12-08 Agilent Technologies Inc Electromagnetic Radiation Emission Apparatus
JP2006173213A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Advantest Corp 温度安定化装置及び発振装置
US7693420B2 (en) * 2005-08-09 2010-04-06 The Boeing Company Thermal drift compensation system and method for optical networks
US7975493B2 (en) * 2006-02-10 2011-07-12 Finisar Corporation Thermoelectric cooler with inrush current control
GB2454693A (en) * 2007-11-15 2009-05-20 Bookham Technology Plc Optical amplifiers
JP2010232336A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Fujitsu Optical Components Ltd 光源制御装置および光源装置
CN104300360B (zh) * 2014-10-16 2018-04-20 浙江大学 一种改善超辐射发光二极管光源波长稳定性的装置和方法
DE102018209995A1 (de) 2018-06-20 2019-12-24 Robert Bosch Gmbh Stabilisiertes LiDAR-System und Verfahren zur Stabilisierung
DE102018128630A1 (de) 2018-11-15 2020-05-20 Sick Ag Sensoren und Verfahren zur Erfassung von Objekten

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0728077B2 (ja) * 1986-04-16 1995-03-29 株式会社トプコン 半導体レ−ザ−の発振周波数・発振出力安定化装置
JPS63143888A (ja) 1986-12-08 1988-06-16 Yokogawa Electric Corp レ−ザ発生装置の制御方法
GB2224389B (en) * 1988-10-20 1993-04-21 Mitsubishi Electric Corp Laser device with wavelength stabilization control and method of operating the same
JP3490476B2 (ja) 1993-04-20 2004-01-26 オリンパス株式会社 波長安定化装置
WO1994015388A1 (en) * 1992-12-18 1994-07-07 Olympus Optical Co., Ltd. Apparatus for stabilizing wavelength
JPH07249817A (ja) 1994-03-09 1995-09-26 Toshiba Corp 波長安定化光源
JPH0818145A (ja) 1994-04-28 1996-01-19 Olympus Optical Co Ltd 波長安定化装置
JPH07302948A (ja) 1994-05-02 1995-11-14 Olympus Optical Co Ltd 波長安定化装置
JP3006822B2 (ja) 1994-07-22 2000-02-07 日本電気株式会社 レーザ波長制御装置
JP2626593B2 (ja) 1994-11-14 1997-07-02 日本電気株式会社 電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路
JPH08237203A (ja) * 1995-02-23 1996-09-13 Fujitsu Ltd 光フィルタアレイ、光送信機及び光送信システム
JP3681447B2 (ja) * 1995-10-25 2005-08-10 富士通株式会社 光波長安定化システム
JPH09219554A (ja) 1996-02-08 1997-08-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レーザダイオードの光出力制御装置
JP2871623B2 (ja) 1996-07-11 1999-03-17 日本電気株式会社 半導体レーザ装置
JPH10164018A (ja) * 1996-11-26 1998-06-19 Fujitsu Ltd 光送信機並びに該光送信機を有する端局装置及び光通信システム
JP4124845B2 (ja) * 1997-10-24 2008-07-23 日本オプネクスト株式会社 光波長安定制御装置
JP3139435B2 (ja) * 1998-01-05 2001-02-26 日本電気株式会社 レーザダイオード光波長制御装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1241750A1 (en) * 2001-03-14 2002-09-18 OpNext Japan, Inc. Optical wavelength stabilization circuit, optical transmitter and optical transmission system
KR100794870B1 (ko) 2001-08-30 2008-01-14 마이크론 테크놀로지, 인크 고속 메모리 시스템에서의 광 상호접속
US6885684B2 (en) 2002-04-25 2005-04-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser control circuit and laser module
CN100440654C (zh) * 2002-10-03 2008-12-03 英特尔公司 背面波长锁定装置的调整和装配方法
JP2008103766A (ja) * 2003-01-14 2008-05-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高速波長可変分布帰還型半導体レーザアレイ及び分布帰還型半導体レーザ
JP2006324636A (ja) * 2006-03-03 2006-11-30 Yamatake Corp レーザ発振波長検出方法、制御方法および装置
JP2010258350A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置、情報取得装置および物体検出装置
JP2015106665A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 波長可変レーザの制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0939470A3 (en) 2001-04-25
EP0939470A2 (en) 1999-09-01
EP0939470B1 (en) 2008-12-24
US6529534B1 (en) 2003-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11251673A (ja) レーザ信号の波長制御回路
US6101200A (en) Laser module allowing simultaneous wavelength and power control
US5781572A (en) Optical wavelength stabilizing system
JP2723067B2 (ja) 光増幅装置
EP0615665B1 (en) Wavelength stabilization
US8340525B2 (en) Method and device for stabilizing multi-channel optical signal wavelengths
JP2962211B2 (ja) 光送信装置
KR100478506B1 (ko) 높은 소광비 및 넓은 입력 다이너믹 영역을 갖는 ｘｇｍ방식의 광 파장변환장치
EP1137207B1 (en) Optical attenuator including dual control loops
US20050157290A1 (en) Optical modulating apparatus having bias controller and bias control method
JPH09219554A (ja) 半導体レーザダイオードの光出力制御装置
JP2546151B2 (ja) レーザダイオード発光波長制御装置
JP3180746B2 (ja) 光増幅装置並びに光増幅器利得制御方法及び装置
JP4222469B2 (ja) 波長モニタ及び半導体レーザモジュール
JPH07249817A (ja) 波長安定化光源
JPH04320385A (ja) 半導体レーザ温度制御方式
JP3398929B2 (ja) 光変調器のバイアス制御回路
KR100211583B1 (ko) 파장 분할 다중방식 광전송 시스템을 위한 광원 안정화 시스템
JPH0834328B2 (ja) Ｌｄ発光波長制御装置
JP2939840B2 (ja) 光波長可変フィルタ制御方法及び装置
JP2000068581A (ja) 光源モジュール
JPH04285830A (ja) 半導体レーザの光周波数偏移量の測定，制御装置
JP2004055974A (ja) 波長安定化制御回路および波長安定化光源
JPH0993193A (ja) 光送信装置
JPH0716069B2 (ja) レ−ザ装置の発振周波数制御法