JPS63143888A - レ−ザ発生装置の制御方法 - Google Patents
レ−ザ発生装置の制御方法Info
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- JPS63143888A JPS63143888A JP29224586A JP29224586A JPS63143888A JP S63143888 A JPS63143888 A JP S63143888A JP 29224586 A JP29224586 A JP 29224586A JP 29224586 A JP29224586 A JP 29224586A JP S63143888 A JPS63143888 A JP S63143888A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 16
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 16
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
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- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、温度調節を必要とするレーザー光源の波長安
定化を効率良く行なうことができるレーザー発生装置の
制御方法に関するものである。
定化を効率良く行なうことができるレーザー発生装置の
制御方法に関するものである。
レーザー発生装置を構成する半導体レーザー１波長弁別
素子（例えばエタロン）、ホト・ダイオード、その他光
学系構成物は、周囲温度により特性が変化するので、安
定な波長のレーザーを得るためには、これらの各素子を
一定な温度環境下に配ｒすることが基本的に必要である
。そこで、従来からこれらの各素子を一定温度に制御さ
れた恒温槽内に配置した上で、波長安定化手段を動作さ
Ｕ安定な波長のレーザーを取出すようにしている。
素子（例えばエタロン）、ホト・ダイオード、その他光
学系構成物は、周囲温度により特性が変化するので、安
定な波長のレーザーを得るためには、これらの各素子を
一定な温度環境下に配ｒすることが基本的に必要である
。そこで、従来からこれらの各素子を一定温度に制御さ
れた恒温槽内に配置した上で、波長安定化手段を動作さ
Ｕ安定な波長のレーザーを取出すようにしている。
即ち、従来のレーザー発生装置は温度安定化１段どレー
ザー波長安定化１段とを有しており、これら２つのｆ：
段をコントロールすることにより安定な波長のシー１グ
ーを１りるようにしている。
ザー波長安定化１段とを有しており、これら２つのｆ：
段をコントロールすることにより安定な波長のシー１グ
ーを１りるようにしている。
（発明が解決しようどする問題点）
しかし、上記２つの手段相互間の制御Ｉ関係が従来確立
されていないため、次のような問題があつた。
されていないため、次のような問題があつた。
例えば、恒温槽の温度が設定された値となり、エタロン
で選択したレーザーの波長が設定値のλ１となり、レー
ザー波長安定化手段のｆｌｌ ｗ系が安定したとする。
で選択したレーザーの波長が設定値のλ１となり、レー
ザー波長安定化手段のｆｌｌ ｗ系が安定したとする。
その後、何んらかの原因でレーザー波長が変動したとす
ると、エタロンの波長−透過率特性は周期的なため、エ
タロンにおける選択波長がλ２となってしまい、その状
！ぶてレーザー波長安定化の制御系が安定してしまう場
合がある。
ると、エタロンの波長−透過率特性は周期的なため、エ
タロンにおける選択波長がλ２となってしまい、その状
！ぶてレーザー波長安定化の制御系が安定してしまう場
合がある。
即ち、レーザー発生装置としては、所望の波長λ箇と異
なるλ２のレーザーを出力する可能性があるわりである
。
なるλ２のレーザーを出力する可能性があるわりである
。
また、温度安定化手段とレーザー波長安定化手段が相互
にレーザー波長の安定に影響するため、波長が安定する
まで多くの時間を要し、また−ての安定度も改良の余地
がある。 。
にレーザー波長の安定に影響するため、波長が安定する
まで多くの時間を要し、また−ての安定度も改良の余地
がある。 。
本発明の目的は、レーザー波長の安定化が確実かつ迅速
に得られるレーザー発生装置の制御方法を提供すること
である。
に得られるレーザー発生装置の制御方法を提供すること
である。
本発明は、上記問題点を解決するために半導体レーザー
と、この半導体レーザーの光を分岐する複数個の分岐手
段と、１つの分岐した光を受ける波長弁別素子と、半導
体レーザーと波長弁別素子の温度を安定に保つ恒温槽と
、この半導体レーＩ７’−から発生する光の波長の安定
化を図る波長安定化手段と、恒温槽の温度の安定化を図
る温度安定化手段と、を備えたレーザー発生装置におい
て、 光の波長または恒温槽の温度が設定範囲から外れた場合
、波長安定化手段の制御ループを一旦開放して、基準電
流を半導体レーザーに流した後に、波長安定化手段の制
御ループを閉じるように制御したものである。
と、この半導体レーザーの光を分岐する複数個の分岐手
段と、１つの分岐した光を受ける波長弁別素子と、半導
体レーザーと波長弁別素子の温度を安定に保つ恒温槽と
、この半導体レーＩ７’−から発生する光の波長の安定
化を図る波長安定化手段と、恒温槽の温度の安定化を図
る温度安定化手段と、を備えたレーザー発生装置におい
て、 光の波長または恒温槽の温度が設定範囲から外れた場合
、波長安定化手段の制御ループを一旦開放して、基準電
流を半導体レーザーに流した後に、波長安定化手段の制
御ループを閉じるように制御したものである。
（実施例〕
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明に係る制御方法を備えたレーザー発生
に置の一実施例を示した図である。同図において、１は
半導体レーザーであり、定電流源２５から加えられる電
流によりその波長が制御される。また、温度によっても
半導体レーザーの波長を制御できるが、ここでは温度を
一定に保つようにしているので、定電流源２５からの電
流のみによりその波長が制御されている。この半導体レ
ーザー１からのレーザー光はレンズ２によりコリメート
され、絞り板３を通ってハーフミラ−５により２方向に
分岐される。分岐された一方の光はホトダイオード８に
入射し、そこで入射光強度に応じた電気信号ＶＡに変換
される。また、分岐された他方の光は、ハーフミラ−６
に照射され、そこで更に２方向に分岐される。このハー
フミラ−６で分岐された一方の光は出力光となり、レー
ザー発生装Ｖから取出される。また、ハーフミラ−６で
分岐された他方の光は基準となる波長（狭帯域）の光を
透過する波長弁別素子１０（本川ＳＯＷではエタロンを
用いた例で説明する）に導かれ、エタロン１０の波長−
透過率特性に応じてパワーの減衰を受けて、ホトダイオ
ード１１に照ｒＪＪフる。そして、このホトダイオード
１１にて入射・光強度に応じた電気信Ｆ３ Ｖ Ｂに変
換される。
に置の一実施例を示した図である。同図において、１は
半導体レーザーであり、定電流源２５から加えられる電
流によりその波長が制御される。また、温度によっても
半導体レーザーの波長を制御できるが、ここでは温度を
一定に保つようにしているので、定電流源２５からの電
流のみによりその波長が制御されている。この半導体レ
ーザー１からのレーザー光はレンズ２によりコリメート
され、絞り板３を通ってハーフミラ−５により２方向に
分岐される。分岐された一方の光はホトダイオード８に
入射し、そこで入射光強度に応じた電気信号ＶＡに変換
される。また、分岐された他方の光は、ハーフミラ−６
に照射され、そこで更に２方向に分岐される。このハー
フミラ−６で分岐された一方の光は出力光となり、レー
ザー発生装Ｖから取出される。また、ハーフミラ−６で
分岐された他方の光は基準となる波長（狭帯域）の光を
透過する波長弁別素子１０（本川ＳＯＷではエタロンを
用いた例で説明する）に導かれ、エタロン１０の波長−
透過率特性に応じてパワーの減衰を受けて、ホトダイオ
ード１１に照ｒＪＪフる。そして、このホトダイオード
１１にて入射・光強度に応じた電気信Ｆ３ Ｖ Ｂに変
換される。
この２つの電気信号Ｖ＾、Ｖａは割算器２１に入力され
、そこでＶａ／ＶＡの演口が施される。この割輝器２１
の出力はＭｅ増幅器２２の反転入力端子に入力され、基
準電圧２３どの差が増幅さ゛れる。イして差動増幅器２
２の出力により制御回路２４の出力がｔｄＪ ＩＩＩさ
れ、この出力に基づいて定電流源２５の出力１ｌｊｔｌ
ｌがｆｌなわれる。
、そこでＶａ／ＶＡの演口が施される。この割輝器２１
の出力はＭｅ増幅器２２の反転入力端子に入力され、基
準電圧２３どの差が増幅さ゛れる。イして差動増幅器２
２の出力により制御回路２４の出力がｔｄＪ ＩＩＩさ
れ、この出力に基づいて定電流源２５の出力１ｌｊｔｌ
ｌがｆｌなわれる。
以上の半導体レーザー１〜ボトダイオード１１までは恒
温槽３０の中に配置され、設定された温度環境下に置か
れる。
温槽３０の中に配置され、設定された温度環境下に置か
れる。
このような構成により定電流源２５からの電流を制御し
、エタロン１０の波長−透過率特性上の一点に半導体レ
ーザー１の発振波長を固定し波長の安定化を図っている
。
、エタロン１０の波長−透過率特性上の一点に半導体レ
ーザー１の発振波長を固定し波長の安定化を図っている
。
以上に説明したレーザー波長安定化手段の構成は公知な
ものであり、本発明で特徴とする構成ではない。そして
本発明で備えるレーザー波長安定化手段は第１図に限定
せず、波長を安定に制御するものであればどのような構
成であってもよい。
ものであり、本発明で特徴とする構成ではない。そして
本発明で備えるレーザー波長安定化手段は第１図に限定
せず、波長を安定に制御するものであればどのような構
成であってもよい。
また、発熱素子１３と温度センサ１５ど潟度制御回路２
７は温度安定化手段を構成している。即ち、温度センナ
１５にて恒温Ｗ４３θ内の温度を検出し、この検出信号
を温度制御回路２γに導入する。ぞして、この検出信号
に基づいて、恒温槽３０内の温度が設定温度となるよう
に発熱素子１３を制御するようにしている。このような
温度安定化手段は公知のものであるため、その具体的構
成は省略する。
７は温度安定化手段を構成している。即ち、温度センナ
１５にて恒温Ｗ４３θ内の温度を検出し、この検出信号
を温度制御回路２γに導入する。ぞして、この検出信号
に基づいて、恒温槽３０内の温度が設定温度となるよう
に発熱素子１３を制御するようにしている。このような
温度安定化手段は公知のものであるため、その具体的構
成は省略する。
前記差動増幅器２２の出力Ｓ１は出力レーザーの波長が
設定範囲内にあるか否かを示す信号であり、また瀉ｆｆ
ｉ制御回ｊ’ｌ’ｉ２７の出力Ｓ２は恒温槽３０の温
度が設定範囲内にあるか否かを示す信号である。この２
つの信号ｓ１． ｓ２は判別回路２６に導入され、判別
回路２６はこの２つの信号からレーザー波長と恒温槽の
温度が設定範囲にあるか否かを判断し、ぞの結果信号３
３を制御回路２４に出力する。
設定範囲内にあるか否かを示す信号であり、また瀉ｆｆ
ｉ制御回ｊ’ｌ’ｉ２７の出力Ｓ２は恒温槽３０の温
度が設定範囲内にあるか否かを示す信号である。この２
つの信号ｓ１． ｓ２は判別回路２６に導入され、判別
回路２６はこの２つの信号からレーザー波長と恒温槽の
温度が設定範囲にあるか否かを判断し、ぞの結果信号３
３を制御回路２４に出力する。
以上に説明した第１図装置は次の順序で動作づる。
（１＞ ８度センサ１５、発熱素子１３、温度１ＩＩ
ＩｉＸ１回路２７からなる温度安定化手段を駆動させ、
恒温槽３０内の温度が設定値となるように動作させると
ともに、半導体レーザー１へ定電流源２５から基ｔ１！
電流■。
ＩｉＸ１回路２７からなる温度安定化手段を駆動させ、
恒温槽３０内の温度が設定値となるように動作させると
ともに、半導体レーザー１へ定電流源２５から基ｔ１！
電流■。
を加える。この基準電流■１は、今、設定された波長の
レーザーを出力するために適当と推定される値の電流１
０であり、制御回路２４からの指令により定められる電
流値である。従って、この基＊ｒ！ｉ流１＋を出力づる
（１）工程の動作段階では波長安定化手段の制御系はル
ープが開放状態である。・（２）温度安定化手段が動作
した結果、恒温槽３０内の温度が設定値の範囲に入ると
、波長安定化手段の１１１１ ｒＪＤループをｍじる（
この制御ループの間ｍ手段は制御回路２４内にあるが第
１図では図示していない）。即ち、割１ｉ２１にて、Ｖ
ａ／Ｖ＾のＨ界をし、この値と基準電圧２３の差をＭ切
崩幅器で取出づ。そして、この差の出力Ｓ１が零となる
ように制御回路２４は定電流源２５を駆動してエタロン
１０の波長−透過率特性上の一点に半導体レー普アー１
の発振波長を固定し、そこで波長安定化手段の系が安定
する。
レーザーを出力するために適当と推定される値の電流１
０であり、制御回路２４からの指令により定められる電
流値である。従って、この基＊ｒ！ｉ流１＋を出力づる
（１）工程の動作段階では波長安定化手段の制御系はル
ープが開放状態である。・（２）温度安定化手段が動作
した結果、恒温槽３０内の温度が設定値の範囲に入ると
、波長安定化手段の１１１１ ｒＪＤループをｍじる（
この制御ループの間ｍ手段は制御回路２４内にあるが第
１図では図示していない）。即ち、割１ｉ２１にて、Ｖ
ａ／Ｖ＾のＨ界をし、この値と基準電圧２３の差をＭ切
崩幅器で取出づ。そして、この差の出力Ｓ１が零となる
ように制御回路２４は定電流源２５を駆動してエタロン
１０の波長−透過率特性上の一点に半導体レー普アー１
の発振波長を固定し、そこで波長安定化手段の系が安定
する。
なお、第２図は１タロンと半導体レーザーの波長−光強
痘特性を示した図である。同図において、ａ（点線）は
半導体レーザーの特性であり、ｂ（点線）はエタロンを
通過し得る波長の光を示したものであり、Ｃ（実線）は
ａの特性の光をエタロンに加えた場合エタロンから取出
される波長の光を示したものである。
痘特性を示した図である。同図において、ａ（点線）は
半導体レーザーの特性であり、ｂ（点線）はエタロンを
通過し得る波長の光を示したものであり、Ｃ（実線）は
ａの特性の光をエタロンに加えた場合エタロンから取出
される波長の光を示したものである。
以上の（１）、（２）の工程を経て１１１１図のレーザ
ー発生装置からは、設定された波長のレーザーが取出さ
れるが、（＋）、（２）までのｔ、ＩＩ Ｉ１１方法は
公知のものである。本発明では、以下に記す制御方法に
特徴がある。
ー発生装置からは、設定された波長のレーザーが取出さ
れるが、（＋）、（２）までのｔ、ＩＩ Ｉ１１方法は
公知のものである。本発明では、以下に記す制御方法に
特徴がある。
（３）恒温槽３０の温度が何んらかの原因で設定値から
外れた場合、温度制御回路２１から信＠Ｓ２を導入した
判別回路２８はその旨を知ることができる。そして、Ｉ
ＩＪｔ１１回路２４へ信号Ｓ３を加え、その結果、制御
回路２４は波長安定化手段のｉｌｌ Ｉｎループを開放
して、半導体レー’ｆ−１には基準電流ｒ１のみを流す
。この際、温度安定化手段の方は恒温槽３０の温度が設
定値となるように動作している。
外れた場合、温度制御回路２１から信＠Ｓ２を導入した
判別回路２８はその旨を知ることができる。そして、Ｉ
ＩＪｔ１１回路２４へ信号Ｓ３を加え、その結果、制御
回路２４は波長安定化手段のｉｌｌ Ｉｎループを開放
して、半導体レー’ｆ−１には基準電流ｒ１のみを流す
。この際、温度安定化手段の方は恒温槽３０の温度が設
定値となるように動作している。
（４） （３）の動作により恒温ｌｌｌ３０の温度が
設定値の範囲内になると、判別回路２Ｇは信号Ｓ２によ
りその旨を知ることができ、ｍｉｌ＋御回路２４に信号
Ｓ３を加えて、波長安定化手段の制御ループを開じ、−
１１記（２）の動作を行ない設定された波長のレーザー
を出力する。
設定値の範囲内になると、判別回路２Ｇは信号Ｓ２によ
りその旨を知ることができ、ｍｉｌ＋御回路２４に信号
Ｓ３を加えて、波長安定化手段の制御ループを開じ、−
１１記（２）の動作を行ない設定された波長のレーザー
を出力する。
即ち、一旦、温度が設定範囲から外れると、第２図に示
す半導体レーザーの特性ａｄＢｌ線と、エタロンの特性
す曲線がＸ軸（波長軸）に沿って移動するため、所望の
波長λ１が変化し、波長の１ｊｌＪ ＩＩＩ系が不定な
状態となる。
す半導体レーザーの特性ａｄＢｌ線と、エタロンの特性
す曲線がＸ軸（波長軸）に沿って移動するため、所望の
波長λ１が変化し、波長の１ｊｌＪ ＩＩＩ系が不定な
状態となる。
しかし、本発明ではこのような状態が発生しないように
一旦波長安定化の制御ループを開放し、まず温度安定化
を図ることにより迅速な安定化を行なうようにしている
。即ち、所定の温度とな９・た時に、エタロンの所望の
波長（例えばλ１）で制御系が安定するように基準電流
を流している。
一旦波長安定化の制御ループを開放し、まず温度安定化
を図ることにより迅速な安定化を行なうようにしている
。即ち、所定の温度とな９・た時に、エタロンの所望の
波長（例えばλ１）で制御系が安定するように基準電流
を流している。
従って、誤った波長（例えばλ２）で波長制御ループが
安定するようなことはない。
安定するようなことはない。
（５） レーザー発生装置の出力波長が何んらかの原
因で設定範囲から外れた場合、（ｊ 、Ｑ ３ ｉを導
入している判別回路２６は、この旨を知ることができる
。
因で設定範囲から外れた場合、（ｊ 、Ｑ ３ ｉを導
入している判別回路２６は、この旨を知ることができる
。
イして制御回路２４へ０１号Ｓ３を加え、その結果、制
御回路２４は波長安定化手段の制御ループを開放して、
半導体レーＩＪ″−１には基準電流■１のみを流し、そ
の後波長安定化手段のループを再び閉じて、（りの■稈
の動作を行なって所望の波長のレーザーを出力する。
御回路２４は波長安定化手段の制御ループを開放して、
半導体レーＩＪ″−１には基準電流■１のみを流し、そ
の後波長安定化手段のループを再び閉じて、（りの■稈
の動作を行なって所望の波長のレーザーを出力する。
即ち、レーザー波長が設定範囲から外れることによって
第２図に示す半導体レーザーの特性８曲線がＸ輪（波長
軸）沿って移動して、誤った波長（例えばλ２）で波長
制御ループが安定するようなことはない。 。
第２図に示す半導体レーザーの特性８曲線がＸ輪（波長
軸）沿って移動して、誤った波長（例えばλ２）で波長
制御ループが安定するようなことはない。 。
（本発明の効果〕
以上の説明の中でも述べたが、本発明によれば、次の効
果が（７られる。
果が（７られる。
■ 出力レーザーの波長が設定範囲から外れた場合、波
長安定化手段の制御ループを一旦開放して、！！準電電
流半導体レーザーに流した後に、波長安定化手段の制御
ループを閉じるようにｉｌ制御しているのでエタロンの
所望の波長で制御系が必ず安定し、誤った波長で波長制
御ループが安定するようなことはない。
長安定化手段の制御ループを一旦開放して、！！準電電
流半導体レーザーに流した後に、波長安定化手段の制御
ループを閉じるようにｉｌ制御しているのでエタロンの
所望の波長で制御系が必ず安定し、誤った波長で波長制
御ループが安定するようなことはない。
■ 恒温槽の温度が設定範囲から外れた場合、まず温度
の安定化を行なうので、波長の安定化が成されなかった
り、波長の安定度が目標値に）！ルなかったりすること
がない。
の安定化を行なうので、波長の安定化が成されなかった
り、波長の安定度が目標値に）！ルなかったりすること
がない。
■ 温度の安定と同時に波長の安定化が開始されるので
迅速に安定な状態を実現できる。
迅速に安定な状態を実現できる。
第１図は本発明に係る制御方法を備えたレーザー発生装
置の一実ＦＭ例を示した図、第２図はエタ［１ンと半導
体レープ−の波長−光強度特性を示した図である。 １・・・半導体レープ゛＋、５．６・・・ハーフミラ−
１１０・・・エタロン、８．１１・・・ホトダイオード
、２１・・・割算器、２２・・・差動増幅器、２４・・
・制御回路、２５・・・定電流源、２６・・・判別回路
、２１・・・温度制御回路、３０・・・恒温槽。 第１図 坂贅χ□
置の一実ＦＭ例を示した図、第２図はエタ［１ンと半導
体レープ−の波長−光強度特性を示した図である。 １・・・半導体レープ゛＋、５．６・・・ハーフミラ−
１１０・・・エタロン、８．１１・・・ホトダイオード
、２１・・・割算器、２２・・・差動増幅器、２４・・
・制御回路、２５・・・定電流源、２６・・・判別回路
、２１・・・温度制御回路、３０・・・恒温槽。 第１図 坂贅χ□
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザーと、この半導体レーザーの光を分岐する
複数個の分岐手段と、１つの分岐した光を受ける波長弁
別素子と、半導体レーザーと波長弁別素子の温度を安定
に保つ恒温槽と、この半導体レーザーから発生する光の
波長の安定化を図る波長安定化手段と、恒温槽の温度の
安定化を図る濃度安定化手段と、を備えたレーザー発生
装置において、 光の波長または恒温槽の温度が設定範囲から外れた場合
、波長安定化手段の制御ループを一旦開放して、基準電
流を半導体レーザーに流した後に、波長安定化手段の制
御ループを閉じるように制御したことを特徴とするレー
ザー発生装置の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29224586A JPS63143888A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | レ−ザ発生装置の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29224586A JPS63143888A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | レ−ザ発生装置の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143888A true JPS63143888A (ja) | 1988-06-16 |
| JPH0482192B2 JPH0482192B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17779333
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP29224586A Granted JPS63143888A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | レ−ザ発生装置の制御方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPS63143888A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0596463A1 (en) * | 1992-11-04 | 1994-05-11 | Nec Corporation | Wavelength switching light source |
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| WO2001043244A3 (de) * | 1999-12-10 | 2002-02-21 | Infineon Technologies Ag | Lasermodul für wellenlängenmultiplexbetrieb |
| EP1241750A1 (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | OpNext Japan, Inc. | Optical wavelength stabilization circuit, optical transmitter and optical transmission system |
| EP2498150A1 (fr) * | 2011-03-09 | 2012-09-12 | CSEM Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique SA | Horloge atomique |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP29224586A patent/JPS63143888A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0939470A2 (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-01 | Nec Corporation | Wavelength controlling circuit for laser signal |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0482192B2 (ja) | 1992-12-25 |
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