JP2626593B2 - 電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子冷却付レーザーモジ
ュールの駆動回路に関し、特に光通信システムを構成す
る光ファイバ増幅器や外部変調器の光源に用いられる電
子冷却付レーザーモジュールの駆動回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子冷却付レーザーモジュールの
駆動回路は、図７に示すように、半導体レーザー２１，
半導体レーザー２１の光出力をモニタするフォトダイオ
ード等でなる光電変換素子２２，半導体レーザー２１を
冷却するペルチェ素子等でなる電子冷却素子２３，およ
び電子冷却素子２３の温度をモニタするサーミスタ等で
なる温度検出素子２４からなる電子冷却付レーザーモジ
ュールＬＭと、半導体レーザー２１に直列に接続された
ＮＰＮ型のパワートランジスタ等でなる電流制御素子２
５と、電流制御素子２５のエミッタと電流源（−Ｖ_CC）
との間に接続されたプルダウン抵抗２６と、光電変換素
子２２からの電流出力に基づいて電流制御素子２５のベ
ース電圧を制御することにより半導体レーザー２１の光
出力を一定に制御する光出力一定制御回路（Ａｕｔｏｍ
ａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｃｉｒｃｕｉ
ｔ；以下、ＡＰＣ回路と略記する）２７と、電子冷却素
子２３に直列に接続されたＮＰＮ型のパワートランジス
タ等でなる電流制御素子２８と、電流制御素子２８のエ
ミッタと電流源（−Ｖ_CC）との間に接続されたプルダウ
ン抵抗２９と、温度検出素子２４からの電流出力に基づ
いて電流制御素子２８のベース電圧を制御することによ
り電子冷却素子２３の温度を一定に制御する温度一定制
御回路（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
Ｃｏｎｔｒｏｌ ｃｉｒｃｕｉｔ；以下、ＡＴＣ回路
と略記する）３０とから構成されていた。

【０００３】このような従来の電子冷却付レーザーモジ
ュールの駆動回路では、電流駆動素子である半導体レー
ザー２１および電子冷却素子２３を駆動するため、ＡＰ
Ｃ回路２７およびＡＴＣ回路３０は、光電変換素子２２
および温度検出素子２４により半導体レーザー２１の光
出力および電子冷却素子２３の温度をそれぞれモニタ
し、電流制御素子２５および電流制御素子２８を制御す
ることにより半導体レーザー２１の光出力および電子冷
却素子２３の温度をそれぞれ独立に制御していた。

【０００４】ところで、電子冷却付レーザーモジュール
の駆動回路は、光ファイバ増幅器の励起レーザーならび
に電気光学的光変調器および半導体吸収型変調器等の外
部変調器の連続光（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｗａｖｅ；
ＣＷ）光源に用いられるレーザーモジュールに適用され
る場合、半導体レーザー２１および電子冷却素子２３に
流す電流はそれぞれ最大で１Ａ程度となっていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電子冷
却付レーザーモジュールの駆動回路は、半導体レーザー
２１の駆動回路と電子冷却素子２３の駆動回路とが分割
構成されていたので、半導体レーザー２１および電子冷
却素子２３に別々の電流が流れることとなり、半導体レ
ーザー２１および電子冷却素子２３ともに最大１Ａ程度
の電流を流すこととなって駆動回路全体での消費電力が
大きいという問題点があった。

【０００６】また、半導体レーザー２１および電子冷却
素子２３に流れる大電流を制御するための電流制御素子
２５および電流制御素子２８は、一般に電子冷却付レー
ザーモジュールＬＭの近隣に置かれるので、電流制御素
子２５および電流制御素子２８から発生する熱が電子冷
却付レーザーモジュールＬＭの冷却効率を低下させると
いう問題点があった。

【０００７】本発明の目的は、上述の点に鑑み、半導体
レーザーと電子冷却素子とを電流源に対して直列に接続
することにより、最大消費電力を低減させるようにした
電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路を提供するこ
とにある。

【０００８】本発明の他の目的は、半導体レーザーの光
出力の厳密な波長制御を要しない場合に用いて最大消費
電力をより簡易に低減させるようにした電子冷却付レー
ザーモジュールの駆動回路を提供することにある。

【０００９】なお、先行技術として、特開平３−６００
８７号公報に開示された「半導体レーザーの駆動回路」
があるが、この駆動回路は、半導体レーザーの直近に温
度検出素子を配置し、温度検出素子の検出信号によって
半導体レーザーのバイアス電流を制御するようにしたも
のにすぎず、本願発明のように電子冷却付レーザーモジ
ュールに係るものではない。

【００１０】また、他の先行技術として、特開平２−１
６６７８０号公報に開示された「光送信器」があるが、
この光送信器は、レーザーダイオードの長寿命化と電子
冷却回路付レーザーダイオード駆動回路の低消費電力化
のために、信号入力がないときにレーザーダイオードの
発光を止めると同時に電子冷却回路の駆動を停止するよ
うにしたものであり、本願発明のように１つの電流源に
半導体レーザーと電子冷却素子とを直列に接続するよう
にしたものではない。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の電子冷却付レー
ザーモジュールの駆動回路は、半導体レーザーと、この
半導体レーザーの光出力をモニタする光電変換素子と、
前記半導体レーザーを冷却する電子冷却素子と、この電
子冷却素子の温度をモニタする温度検出素子とからなる
電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路において、前
記光電変換素子の出力に基づいて制御電圧を出力する光
出力一定制御回路と、前記温度検出素子の出力に基づい
て制御電圧を出力する温度一定制御回路と、前記電子冷
却素子と前記半導体レーザーとの直列接続にさらに直列
に接続された第１の電流制御素子と、前記光出力一定制
御回路からの制御電圧および前記温度一定制御回路から
の制御電圧を入力して電圧値の大きい方の制御電圧を出
力し前記第１の電流制御素子を制御する選択回路と、前
記半導体レーザーに並列に接続された第２の電流制御素
子と、前記光出力一定制御回路からの制御電圧を入力し
前記選択回路からの非選択信号に基づいて前記第２の電
流制御素子を制御する第１の分流制御回路と、前記電子
冷却素子に並列に接続された第３の電流制御素子と、前
記温度一定制御回路からの制御電圧を入力し前記選択回
路からの非選択信号に基づいて前記第３の電流制御素子
を制御する第２の分流制御回路とを有する。

【００１２】また、本発明の電子冷却付レーザーモジュ
ールの駆動回路は、半導体レーザーと、この半導体レー
ザーの光出力をモニタする光電変換素子と、前記半導体
レーザーを冷却する電子冷却素子と、この電子冷却素子
の温度をモニタする温度検出素子とからなる電子冷却付
レーザーモジュールの駆動回路において、前記光電変換
素子の出力に基づいて制御電圧を出力する光出力一定制
御回路と、前記温度検出素子の出力に基づいて制御電圧
を出力する温度一定制御回路と、前記電子冷却素子と前
記半導体レーザーとの直列接続にさらに直列に接続され
た第１の電流制御素子と、前記光出力一定制御回路から
の制御電圧および前記温度一定制御回路からの制御電圧
を入力して電圧値の大きい方の制御電圧を出力し前記第
１の電流制御素子を制御する選択回路と、前記半導体レ
ーザーに並列に接続された第２の電流制御素子と、前記
光出力一定制御回路からの制御電圧および前記選択回路
からの制御電圧を入力し制御電圧の電位差に基づいて前
記第２の電流制御素子を制御する第１の分流制御回路
と、前記電子冷却素子に並列に接続された第３の電流制
御素子と、前記温度一定制御回路からの制御電圧および
前記選択回路からの制御電圧を入力し制御電圧の電位差
に基づいて前記第３の電流制御素子を制御する第２の分
流制御回路とを有する。

【００１３】さらに、本発明の電子冷却付レーザーモジ
ュールの駆動回路は、半導体レーザーと、この半導体レ
ーザーの光出力をモニタする光電変換素子と、前記半導
体レーザーを冷却する電子冷却素子と、この電子冷却素
子の温度をモニタする温度検出素子とからなる電子冷却
付レーザーモジュールの駆動回路において、前記光電変
換素子の出力に基づいて制御電圧を出力する光出力一定
制御回路と、前記温度検出素子の出力に基づいて制御電
圧を出力する温度一定制御回路と、前記電子冷却素子と
前記半導体レーザーとの直列接続にさらに直列に接続さ
れた第１の電流制御素子と、前記光出力一定制御回路か
らの制御電圧および前記温度一定制御回路からの制御電
圧を入力して電圧値の大きい方の制御電圧を出力し前記
第１の電流制御素子を制御する選択回路と、前記半導体
レーザーに並列に接続された第２の電流制御素子と、前
記光出力一定制御回路からの制御電圧を入力し前記選択
回路からの非選択信号に基づいて前記第２の電流制御素
子を制御する分流制御回路とを有する。

【００１４】さらにまた、本発明の電子冷却付レーザー
モジュールの駆動回路は、半導体レーザーと、この半導
体レーザーの光出力をモニタする光電変換素子と、前記
半導体レーザーを冷却する電子冷却素子と、この電子冷
却素子の温度をモニタする温度検出素子とからなる電子
冷却付レーザーモジュールの駆動回路において、前記光
電変換素子の出力に基づいて制御電圧を出力する光出力
一定制御回路と、前記温度検出素子の出力に基づいて制
御電圧を出力する温度一定制御回路と、前記電子冷却素
子と前記半導体レーザーとの直列接続にさらに直列に接
続された第１の電流制御素子と、前記光出力一定制御回
路からの制御電圧および前記温度一定制御回路からの制
御電圧を入力して電圧値の大きい方の制御電圧を出力し
前記第１の電流制御素子を制御する選択回路と、前記半
導体レーザーに並列に接続された第２の電流制御素子
と、前記光出力一定制御回路からの制御電圧および前記
選択回路からの制御電圧を入力し制御電圧の電位差に基
づいて前記第２の電流制御素子を制御する分流制御回路
とを有する。

【００１５】

【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。

【００１６】図１は、本発明の第１実施例に係る電子冷
却付レーザーモジュールの駆動回路の構成を示す回路ブ
ロック図である。本実施例の電子冷却付レーザーモジュ
ールの駆動回路は、半導体レーザー１，半導体レーザ１
の光出力をモニタするフォトダイオード等でなる光電変
換素子２，半導体レーザー１に直列に接続され半導体レ
ーザー１を冷却するペルチェ素子等でなる電子冷却素子
３，および電子冷却素子３の温度をモニタするサーミス
タ等でなる温度検出素子４からなる電子冷却付レーザー
モジュールＬＭと、光電変換素子２からの電流出力に基
づいて制御電圧を出力するＡＰＣ回路５と、温度検出素
子４からの電流出力に基づいて制御電圧を出力するＡＴ
Ｃ回路６と、電子冷却素子３と半導体レーザー１との直
列接続にさらに直列に接続されたＮＰＮ型のパワートラ
ンジスタ等でなる電流制御素子７と、電流制御素子７の
エミッタと電流源（−Ｖ_CC）との間に接続されたプルダ
ウン抵抗８と、ＡＰＣ回路５からの制御電圧およびＡＴ
Ｃ回路６からの制御電圧を入力して電圧値（絶対値）の
大きい方の制御電圧を出力して電流制御素子７のベース
に印加する選択回路９と、半導体レーザー１に並列に接
続された電界効果型トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆ
ｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、ＦＥＴと略記す
る）等でなる電流制御素子１１と、ＡＰＣ回路５からの
制御電圧を入力して選択回路９からの非選択信号に基づ
いて電流制御素子１１を制御する分流制御回路１２と、
電子冷却素子３に並列に接続されたＦＥＴ等でなる電流
制御素子１３と、ＡＴＣ回路６からの制御電圧を入力し
て選択回路９からの非選択信号に基づいて電流制御素子
１３を制御する分流制御回路１４とから構成されてい
る。

【００１７】ＡＰＣ回路５は、電流／電圧変換回路（図
示せず）および反転増幅器（図示せず）から主要部が構
成され、光電変換素子２にて発生した光電流を電圧に変
換し、所定の光出力に相当する基準電圧との開きを収束
させるような制御電圧を出力する。

【００１８】ＡＴＣ回路６は、反転増幅器（図示せず）
から主要部が構成され、ある電源電圧−グランド電圧間
に温度検出素子４と抵抗（図示せず）とを直列に接続
し、所定の温度に相当する基準電圧との開きを収束させ
るような制御電圧を出力する。

【００１９】選択回路９は、比較器（図示せず）から主
要部が構成され、ＡＰＣ回路５およびＡＴＣ回路６から
の制御電圧をそれぞれ入力し、より多くの電流を必要と
する側の制御電圧、すなわち電圧値（絶対値）の大きい
方の制御電圧を選択して出力し、電流制御素子７に流す
電流を一定に制御する。さらに、選択回路９は、必要と
する電流が少ない側、すなわち選択されなかった制御電
圧側の分流制御回路１２または１４に非選択信号を送
り、分流制御回路１２または１４内のアナログスイッチ
（図示せず）をオンにする。

【００２０】分流制御回路１２は、反転増幅器（図示せ
ず）とアナログスイッチとから主要部が構成され、ＡＰ
Ｃ回路５からの制御電圧を入力し、選択回路９からの非
選択信号が入力されたときにアナログスイッチをオンと
して、半導体レーザー１に流す電流を電流制御素子１１
を分流パスとして用いて制御する。

【００２１】分流制御回路１４は、反転増幅器（図示せ
ず）とアナログスイッチとから主要部が構成され、ＡＴ
Ｃ回路６からの制御電圧を入力し、選択回路９からの非
選択信号が入力されたときにアナログスイッチをオンと
して、電子冷却素子３に流す電流を電流制御素子１３を
分流パスとして用いて制御する。

【００２２】図２は、第１実施例の電子冷却付レーザー
モジュールの駆動回路において、半導体レーザー１に流
す電流Ｉ₁ が電子冷却素子３に流す電流Ｉ₂ より大きい
場合の等価回路を示す回路ブロック図である。

【００２３】図３は、第１実施例の電子冷却付レーザー
モジュールの駆動回路において、半導体レーザー１に流
す電流Ｉ₁ が電子冷却素子３に流す電流Ｉ₂ より小さい
場合の等価回路を示す回路ブロック図である。

【００２４】次に、このように構成された第１実施例の
電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路の動作につい
て説明する。

【００２５】（１） 周囲温度の低下により温度検出素
子４が所定の温度以下になったことを検出する場合（半
導体レーザー１に流す電流Ｉ₁ が電子冷却素子３に流す
電流Ｉ₂ より大きい場合）（図２参照）

【００２６】いま、光電変換素子２は、半導体レーザー
１の光出力を検出し、光出力に相当する電流出力をＡＰ
Ｃ回路５に入力する。また、温度検出素子４は、電子冷
却素子３の温度に応じた抵抗値を示し、この抵抗値に応
じた電圧値をＡＴＣ回路６に入力する。

【００２７】ＡＰＣ回路５は、光電変換素子２からの電
流出力に基づいて半導体レーザー１の光出力を一定にす
るような制御電圧Ｖ₁ を出力する。また、ＡＴＣ回路６
は、温度検出素子４からの出力に基づいて電子冷却素子
３の温度を一定にするような制御電圧Ｖ₂ を出力する。

【００２８】選択回路９は、ＡＰＣ回路５からの制御電
圧Ｖ₁ およびＡＴＣ回路６からの制御電圧Ｖ₂ を入力し
て、いま電圧値（絶対値）の大きい方の制御電圧Ｖ₁ を
選択して出力し、電流制御素子７のベースに印加する。
これにより、電流制御素子７には、半導体レーザー１が
所定の光出力を発生するような電流Ｉ₁ が流れる。

【００２９】また、選択回路９は、選択されなかった側
の分流制御回路１４に非選択信号を出力する。非選択信
号を受けた分流制御回路１４は、アナログスイッチをオ
ンして、電流制御素子１３のゲートに制御電圧Ｖ₃ を印
加して自身に電流Ｉ₁ −Ｉ₂が流れるように制御し、電
子冷却素子３に流れる電流を所定の温度に相当する電流
Ｉ₂ に制御する。

【００３０】（２） 周囲温度の上昇により温度検出素
子４が所定の温度以上になったことを検出する場合（半
導体レーザー１に流す電流Ｉ₁ が電子冷却素子３に流す
電流Ｉ₂ より小さい場合）（図３参照）

【００３１】いま、光電変換素子２は、半導体レーザー
１の光出力を検出し、光出力に相当する電流出力をＡＰ
Ｃ回路５に入力する。また、温度検出素子４は、電子冷
却素子３の温度に応じた抵抗値を示し、この抵抗値に応
じた電圧値をＡＴＣ回路６に入力する。

【００３２】ＡＰＣ回路５は、光電変換素子２からの電
流出力に基づいて半導体レーザー１の光出力を一定にす
るような制御電圧Ｖ₁ を出力する。また、ＡＴＣ回路６
は、温度検出素子４からの出力に基づいて電子冷却素子
３の温度を一定にするような制御電圧Ｖ₂ を出力する。

【００３３】選択回路９は、ＡＰＣ回路５からの制御電
圧Ｖ₁ およびＡＴＣ回路６からの制御電圧Ｖ₂ を入力し
て、いま電圧値（絶対値）の大きい方の制御電圧Ｖ₂ を
選択して出力し、電流制御素子７のベースに印加する。
これにより、電流制御素子７には、電子冷却素子３が所
定の温度となるような電流Ｉ₂ が流れる。

【００３４】また、選択回路９は、選択されなかった側
の分流制御回路１２に非選択信号を出力する。非選択信
号を受けた分流制御回路１２は、アナログスイッチをオ
ンして、電流制御素子１１のゲートに制御電圧Ｖ₄ を印
加して自身に電流Ｉ₂ −Ｉ₁が流れるように制御し、半
導体レーザー１に流れる電流を所定の光出力に相当する
電流Ｉ₁ に制御する。

【００３５】図４は、本発明の第２実施例に係る電子冷
却付レーザーモジュールの駆動回路の構成を示す回路ブ
ロック図である。本実施例の電子冷却付レーザーモジュ
ールの駆動回路は、図１に示した第１実施例の電子冷却
付レーザーモジュールの駆動回路においては選択回路９
から分流制御回路１２および分流制御回路１４に非選択
信号を出力するようにしていたのに代えて、選択回路９
からの制御電圧を分流制御回路１２および分流制御回路
１４に入力し、分流制御回路１２および分流制御回路１
４内でＡＰＣ回路５からの制御電圧と選択回路９からの
制御電圧との電位差およびＡＴＣ回路６からの制御電圧
と選択回路９からの制御電圧との電位差に基づいて電流
制御素子１１および電流制御素子１３を制御するように
したものである。したがって、第１実施例の電子冷却付
レーザーモジュールの駆動回路における部分と対応する
部分には同一の符号を付して、それらの詳しい説明を省
略する。なお、分流制御回路１２および分流制御回路１
４内にアナログスイッチが不要になることはもちろんで
ある。

【００３６】このように構成された第２実施例の電子冷
却付レーザーモジュールの駆動回路でも、第１実施例の
電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路とほぼ同様の
作用および効果が得られることはいうまでもない。

【００３７】図５は、半導体レーザー１の光出力の厳密
な波長精度を必要としない場合に用いられる本発明の第
３実施例に係る電子冷却付レーザーモジュールの駆動回
路の構成を示す回路ブロック図である。本実施例の電子
冷却付レーザーモジュールの駆動回路は、図１に示した
第１実施例の電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路
から、電流制御素子１３および分流制御回路１４を取り
除くようにしたものである。したがって、第１実施例の
電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路における部分
と対応する部分には同一の符号を付して、それらの詳し
い説明を省略する。

【００３８】このように構成された第３実施例の電子冷
却付レーザーモジュールの駆動回路では、半導体レーザ
ー１に流れる電流が電子冷却素子３に流れる電流よりも
大きい場合でも、電子冷却素子３に半導体レーザー１に
流れる電流が流れることになるので、電子冷却素子３が
過冷却されて半導体レーザー１の光出力の波長が長くな
るおそれがあるが、厳密な波長精度を必要としないため
に許容されることになる。

【００３９】図６は、半導体レーザー１の光出力の厳密
な波長精度を必要としない場合に用いられる本発明の第
４実施例に係る電子冷却付レーザーモジュールの駆動回
路の構成を示す回路ブロック図である。本実施例の電子
冷却付レーザーモジュールの駆動回路は、図４に示した
第２実施例の電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路
から、電流制御素子１３および分流制御回路１４を取り
除くようにしたものである。したがって、第２実施例の
電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路における部分
と対応する部分には同一の符号を付して、それらの詳し
い説明を省略する。

【００４０】このように構成された第４実施例の電子冷
却付レーザーモジュールの駆動回路では、第３実施例の
電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路とほぼ同様の
作用および効果が得られることはいうまでもない。

【００４１】なお、上記各実施例では、半導体レーザー
１を電流源（−Ｖ_CC）側に、電子冷却素子３をグランド
側にして直列に接続するように図示したが、半導体レー
ザー１をグランド側に、電子冷却素子３を電流源（−Ｖ
_CC）側に接続するようにしてもよいことはもちろんであ
る。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、光出力一
定制御回路，温度一定制御回路，第１の電流制御素子，
選択回路，第２の電流制御素子，第１の分流制御回路，
第３の電流制御素子および第２の分流制御回路を設け、
半導体レーザーと電子冷却素子とを電流源に対して直列
に接続して制御するようにしたことにより、従来の駆動
回路にて用いていた２つの電流源を１つの電流源とする
ことができ、最大消費電力を大幅に低減させることがで
きるという効果がある。

【００４３】また、光出力一定制御回路，温度一定制御
回路，第１の電流制御素子，選択回路，第２の電流制御
素子および分流制御回路を設け、半導体レーザーと電子
冷却素子とを電流源に対して直列に接続して制御するよ
うにしたことにより、従来の駆動回路にて用いていた２
つの電流源を１つの電流源とすることができ、半導体レ
ーザーの光出力の厳密な波長制御を要しない場合に最大
消費電力をより簡易に低減させることができるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る電子冷却付レーザー
モジュールの駆動回路の構成を示す回路ブロック図であ
る。

【図２】第１実施例の電子冷却付レーザーモジュールの
駆動回路において、半導体レーザーに流す電流が電子冷
却素子に流す電流より大きい場合の等価回路を示す回路
ブロック図である。

【図３】第１実施例の電子冷却付レーザーモジュールの
駆動回路において、半導体レーザーに流す電流が電子冷
却素子に流す電流より小さい場合の等価回路を示す回路
ブロック図である。

【図４】本発明の第２実施例に係る電子冷却付レーザー
モジュールの駆動回路の構成を示す回路ブロック図であ
る。

【図５】本発明の第３実施例に係る電子冷却付レーザー
モジュールの駆動回路の構成を示す回路ブロック図であ
る。

【図６】本発明の第４実施例に係る電子冷却付レーザー
モジュールの駆動回路の構成を示す回路ブロック図であ
る。

【図７】従来の電子冷却付レーザーモジュールの駆動回
路の構成を示すブロック図である。

【符号の説明】

１ 半導体レーザー ２ 光電変換素子 ３ 電子冷却素子 ４ 温度検出素子 ５ ＡＰＣ回路 ６ ＡＴＣ回路 ７ 電流制御素子（第１の電流制御素子） ８ プルダウン抵抗 ９ 選択回路 １１ 電流制御素子（第２の電流制御素子） １２ 分流制御回路（第１の分流制御回路） １３ 電流制御素子（第３の電流制御素子） １４ 分流制御回路（第２の分流制御回路） ＬＭ 電子冷却付レーザーモジュール

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザーと、この半導体レーザー
   の光出力をモニタする光電変換素子と、前記半導体レー
   ザーを冷却する電子冷却素子と、この電子冷却素子の温
   度をモニタする温度検出素子とからなる電子冷却付レー
   ザーモジュールの駆動回路において、 前記光電変換素子の出力に基づいて制御電圧を出力する
   光出力一定制御回路と、 前記温度検出素子の出力に基づいて制御電圧を出力する
   温度一定制御回路と、 前記電子冷却素子と前記半導体レーザーとの直列接続に
   さらに直列に接続された第１の電流制御素子と、 前記光出力一定制御回路からの制御電圧および前記温度
   一定制御回路からの制御電圧を入力して電圧値の大きい
   方の制御電圧を出力し前記第１の電流制御素子を制御す
   る選択回路と、 前記半導体レーザーに並列に接続された第２の電流制御
   素子と、 前記光出力一定制御回路からの制御電圧を入力し前記選
   択回路からの非選択信号に基づいて前記第２の電流制御
   素子を制御する第１の分流制御回路と、 前記電子冷却素子に並列に接続された第３の電流制御素
   子と、 前記温度一定制御回路からの制御電圧を入力し前記選択
   回路からの非選択信号に基づいて前記第３の電流制御素
   子を制御する第２の分流制御回路とを有することを特徴
   とする電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路。
2. 【請求項２】 半導体レーザーと、この半導体レーザー
   の光出力をモニタする光電変換素子と、前記半導体レー
   ザーを冷却する電子冷却素子と、この電子冷却素子の温
   度をモニタする温度検出素子とからなる電子冷却付レー
   ザーモジュールの駆動回路において、 前記光電変換素子の出力に基づいて制御電圧を出力する
   光出力一定制御回路と、 前記温度検出素子の出力に基づいて制御電圧を出力する
   温度一定制御回路と、 前記電子冷却素子と前記半導体レーザーとの直列接続に
   さらに直列に接続された第１の電流制御素子と、 前記光出力一定制御回路からの制御電圧および前記温度
   一定制御回路からの制御電圧を入力して電圧値の大きい
   方の制御電圧を出力し前記第１の電流制御素子を制御す
   る選択回路と、 前記半導体レーザーに並列に接続された第２の電流制御
   素子と、 前記光出力一定制御回路からの制御電圧および前記選択
   回路からの制御電圧を入力し制御電圧の電位差に基づい
   て前記第２の電流制御素子を制御する第１の分流制御回
   路と、 前記電子冷却素子に並列に接続された第３の電流制御素
   子と、 前記温度一定制御回路からの制御電圧および前記選択回
   路からの制御電圧を入力し制御電圧の電位差に基づいて
   前記第３の電流制御素子を制御する第２の分流制御回路
   とを有することを特徴とする電子冷却付レーザーモジュ
   ールの駆動回路。
3. 【請求項３】 半導体レーザーと、この半導体レーザー
   の光出力をモニタする光電変換素子と、前記半導体レー
   ザーを冷却する電子冷却素子と、この電子冷却素子の温
   度をモニタする温度検出素子とからなる電子冷却付レー
   ザーモジュールの駆動回路において、 前記光電変換素子の出力に基づいて制御電圧を出力する
   光出力一定制御回路と、 前記温度検出素子の出力に基づいて制御電圧を出力する
   温度一定制御回路と、 前記電子冷却素子と前記半導体レーザーとの直列接続に
   さらに直列に接続された第１の電流制御素子と、 前記光出力一定制御回路からの制御電圧および前記温度
   一定制御回路からの制御電圧を入力して電圧値の大きい
   方の制御電圧を出力し前記第１の電流制御素子を制御す
   る選択回路と、 前記半導体レーザーに並列に接続された第２の電流制御
   素子と、 前記光出力一定制御回路からの制御電圧を入力し前記選
   択回路からの非選択信号に基づいて前記第２の電流制御
   素子を制御する分流制御回路とを有することを特徴とす
   る電子冷却付レーザーモジュールの駆動回路。
4. 【請求項４】 半導体レーザーと、この半導体レーザー
   の光出力をモニタする光電変換素子と、前記半導体レー
   ザーを冷却する電子冷却素子と、この電子冷却素子の温
   度をモニタする温度検出素子とからなる電子冷却付レー
   ザーモジュールの駆動回路において、 前記光電変換素子の出力に基づいて制御電圧を出力する
   光出力一定制御回路と、 前記温度検出素子の出力に基づいて制御電圧を出力する
   温度一定制御回路と、 前記電子冷却素子と前記半導体レーザーとの直列接続に
   さらに直列に接続された第１の電流制御素子と、 前記光出力一定制御回路からの制御電圧および前記温度
   一定制御回路からの制御電圧を入力して電圧値の大きい
   方の制御電圧を出力し前記第１の電流制御素子を制御す
   る選択回路と、 前記半導体レーザーに並列に接続された第２の電流制御
   素子と、 前記光出力一定制御回路からの制御電圧および前記選択
   回路からの制御電圧を入力し制御電圧の電位差に基づい
   て前記第２の電流制御素子を制御する分流制御回路とを
   有することを特徴とする電子冷却付レーザーモジュール
   の駆動回路。
5. 【請求項５】 前記第１の電流制御素子が、パワートラ
   ンジスタでなる請求項１ないし４記載の電子冷却付レー
   ザーモジュールの駆動回路。
6. 【請求項６】 前記第２の電流制御素子が、電界効果型
   トランジスタでなる請求項１ないし４記載の電子冷却付
   レーザーモジュールの駆動回路。
7. 【請求項７】 前記第３の電流制御素子が、電界効果型
   トランジスタでなる請求項１または２記載の電子冷却付
   レーザーモジュールの駆動回路。