JPH11238656A - 識別データー記載シリコン基板およびその製造方法 - Google Patents
識別データー記載シリコン基板およびその製造方法Info
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- JPH11238656A JPH11238656A JP10055980A JP5598098A JPH11238656A JP H11238656 A JPH11238656 A JP H11238656A JP 10055980 A JP10055980 A JP 10055980A JP 5598098 A JP5598098 A JP 5598098A JP H11238656 A JPH11238656 A JP H11238656A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬く透明なシリコンの表面に、多量のデータ
ーを記録できる二次元コードを形成して、シリコンウエ
ハーや小さな半導体チップを個別に管理することができ
る識別データー記載シリコン基板およびその製造方法を
提供するものである。 【解決手段】 シリコンウエハー１の表面に、レーザー
ビームを照射して半円球状の凹部５を加工して平面円形
の丸ドット１２を形成し、この丸ドット１２を縦横に複
数個マトリックス状に配置して明模様の単位セル４ａを
形成し、レーザービームを照射していない平滑面を暗模
様の単位セル４ｂとして、これら明暗の単位セルを組合
わせて明暗模様のマトリックスによる二次元コード３を
形成したことを特徴とするものである。
ーを記録できる二次元コードを形成して、シリコンウエ
ハーや小さな半導体チップを個別に管理することができ
る識別データー記載シリコン基板およびその製造方法を
提供するものである。 【解決手段】 シリコンウエハー１の表面に、レーザー
ビームを照射して半円球状の凹部５を加工して平面円形
の丸ドット１２を形成し、この丸ドット１２を縦横に複
数個マトリックス状に配置して明模様の単位セル４ａを
形成し、レーザービームを照射していない平滑面を暗模
様の単位セル４ｂとして、これら明暗の単位セルを組合
わせて明暗模様のマトリックスによる二次元コード３を
形成したことを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板となるシ
リコンウエハーや、半導体チップのシリコン基板などに
二次元コードによる識別データーを記載したシリコン基
板およびその製造方法に関するものである。
リコンウエハーや、半導体チップのシリコン基板などに
二次元コードによる識別データーを記載したシリコン基
板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造工程において、シリコ
ンウエハーやこの上に回路を形成した半導体チップを製
造する工程で、これらを各工程で個別に管理することが
要望されてきている。シリコンウエハーは硬く透明であ
るため、この上に材料種別や製造番号などの識別データ
を印刷することができず、従来は品番などを英文字や数
字を直接レーザーで焼付けていた。
ンウエハーやこの上に回路を形成した半導体チップを製
造する工程で、これらを各工程で個別に管理することが
要望されてきている。シリコンウエハーは硬く透明であ
るため、この上に材料種別や製造番号などの識別データ
を印刷することができず、従来は品番などを英文字や数
字を直接レーザーで焼付けていた。
【０００３】またシリコンウエハーに多数形成した半導
体回路を数センチ角に切断した半導体チップは小さいた
め、識別データを記載するスペースがなく個別に管理す
ることができなかった。このようにシリコンウエハーや
半導体チップなどのシリコン基板に、英文字や数字でデ
ータを表示すると記載されるデーター量が少なく、製造
メーカーや製造年月日、材料種別、製造番号など多数の
情報を記録することができなかった。
体回路を数センチ角に切断した半導体チップは小さいた
め、識別データを記載するスペースがなく個別に管理す
ることができなかった。このようにシリコンウエハーや
半導体チップなどのシリコン基板に、英文字や数字でデ
ータを表示すると記載されるデーター量が少なく、製造
メーカーや製造年月日、材料種別、製造番号など多数の
情報を記録することができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は係る問題点に
鑑みなされたもので、硬く透明なシリコンの表面に、多
量のデーターを記録できる二次元コードを形成して、シ
リコンウエハーや小さな半導体チップを個別に管理する
ことができる識別データー記載シリコン基板およびその
製造方法を提供するものである。
鑑みなされたもので、硬く透明なシリコンの表面に、多
量のデーターを記録できる二次元コードを形成して、シ
リコンウエハーや小さな半導体チップを個別に管理する
ことができる識別データー記載シリコン基板およびその
製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
識別データー記載シリコン基板は、シリコン基板の表面
に、平滑面を暗模様の単位セルとし、散乱面を明模様の
単位セルとして、これら明暗の単位セルを組合わせて明
暗模様のマトリックスによる二次元コードを形成したこ
とを特徴とするものである。
識別データー記載シリコン基板は、シリコン基板の表面
に、平滑面を暗模様の単位セルとし、散乱面を明模様の
単位セルとして、これら明暗の単位セルを組合わせて明
暗模様のマトリックスによる二次元コードを形成したこ
とを特徴とするものである。
【０００６】また請求項２記載の識別データー記載シリ
コン基板は、明暗模様のマトリックスで形成される二次
元コードの明模様の１セルを、平面円形のドットがｎ×
ｎ、またはｎ×ｍ（但しｎ、ｍは整数）に縦横に配置さ
れた単位セルで形成し、且つ前記円形のドットが半円球
状の凹部で形成されていることを特徴とするものであ
る。
コン基板は、明暗模様のマトリックスで形成される二次
元コードの明模様の１セルを、平面円形のドットがｎ×
ｎ、またはｎ×ｍ（但しｎ、ｍは整数）に縦横に配置さ
れた単位セルで形成し、且つ前記円形のドットが半円球
状の凹部で形成されていることを特徴とするものであ
る。
【０００７】更に請求項３記載の識別データー記載シリ
コン基板の製造方法は、シリコン基板の表面に、レーザ
ービームを照射して半円球状の凹部を加工して平面円形
のドットを形成し、このドットをｎ×ｎ、またはｎ×ｍ
（但しｎ、ｍは整数）に縦横に配置して明模様の単位セ
ルを形成し、レーザービームを照射していない平滑面を
暗模様の単位セルとして、これら明暗の単位セルを組合
わせて明暗模様のマトリックスによる二次元コードを形
成することを特徴とするものである。
コン基板の製造方法は、シリコン基板の表面に、レーザ
ービームを照射して半円球状の凹部を加工して平面円形
のドットを形成し、このドットをｎ×ｎ、またはｎ×ｍ
（但しｎ、ｍは整数）に縦横に配置して明模様の単位セ
ルを形成し、レーザービームを照射していない平滑面を
暗模様の単位セルとして、これら明暗の単位セルを組合
わせて明暗模様のマトリックスによる二次元コードを形
成することを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の一形態を図１
ないし図５を参照して詳細に説明する。図において１は
シリコンウエハーで、これはシリコンの単結晶丸棒を薄
くスライスしたもので、この上に図２に示すように回路
を形成してから、縦横に切断して四角形状の多数の半導
体チップ２を形成するものである。このシリコンウエハ
ー１の表面の縁側には二次元コード３が形成されてい
る。
ないし図５を参照して詳細に説明する。図において１は
シリコンウエハーで、これはシリコンの単結晶丸棒を薄
くスライスしたもので、この上に図２に示すように回路
を形成してから、縦横に切断して四角形状の多数の半導
体チップ２を形成するものである。このシリコンウエハ
ー１の表面の縁側には二次元コード３が形成されてい
る。
【０００９】この二次元コード３は図３に拡大して示す
ように例えば１辺が１．２mm平方のエリア内を４行４列
の方眼に分離して正方形状の１６個のセル４…を形成す
ると、各セル４は１辺が２４０μm の正方形に形成され
る。このセル４を明るい単位セル４ａと暗い単位セル４
ｂとし、これらを情報データーに応じて縦横に組合わせ
ることにより明暗模様のマトリックスによる二次元コー
ド３を形成したものである。
ように例えば１辺が１．２mm平方のエリア内を４行４列
の方眼に分離して正方形状の１６個のセル４…を形成す
ると、各セル４は１辺が２４０μm の正方形に形成され
る。このセル４を明るい単位セル４ａと暗い単位セル４
ｂとし、これらを情報データーに応じて縦横に組合わせ
ることにより明暗模様のマトリックスによる二次元コー
ド３を形成したものである。
【００１０】この二次元コード３を作成する方法は、画
像ソフトを用いてパソコン画面上で、明暗模様のマトリ
ックスによる画像データを作成し、この画像データによ
り作成された二次元コードに基づいて、シリコンウエハ
ー１の表面の明るい単位セル４ａを形成する部分にレー
ザービームを照射して加工していく。
像ソフトを用いてパソコン画面上で、明暗模様のマトリ
ックスによる画像データを作成し、この画像データによ
り作成された二次元コードに基づいて、シリコンウエハ
ー１の表面の明るい単位セル４ａを形成する部分にレー
ザービームを照射して加工していく。
【００１１】レーザービームを照射する場合、図４に示
すように、ビットマップデーターによる線画連続データ
ーを順次組み合わせていくことにより明るい単位セル４
ａを作成する。このようにしてレーザービームを間欠的
に照射しながら丸ドット１２を重ねて行くと、図５に示
すように長溝状に凹部５が形成される。この凹部５の表
面は粗面６となって明るい単位セル４ａが形成され、ま
た暗い単位セル４ｂの部分は、何ら加工せずそのままの
状態にしておき、これを組合せていくことにより図３に
示す明暗模様のマトリックスによる二次元コード３を形
成することができる。
すように、ビットマップデーターによる線画連続データ
ーを順次組み合わせていくことにより明るい単位セル４
ａを作成する。このようにしてレーザービームを間欠的
に照射しながら丸ドット１２を重ねて行くと、図５に示
すように長溝状に凹部５が形成される。この凹部５の表
面は粗面６となって明るい単位セル４ａが形成され、ま
た暗い単位セル４ｂの部分は、何ら加工せずそのままの
状態にしておき、これを組合せていくことにより図３に
示す明暗模様のマトリックスによる二次元コード３を形
成することができる。
【００１２】この二次元コード３を光反射式の読取装置
で読取る場合、図５に示すようにシリコンウエハー１は
透明であり、何ら加工せずそのままの状態の部分は光７
が透過して反射がないため読取装置では暗い単位セル４
ｂとして認識される。また凹部５の表面は粗面６が形成
されているので、光７はここで乱反射して読取装置では
明るい単位セル４ａとして認識される。従ってこれらの
組合わせにより、明暗模様を印刷した二次元コード３と
同様に読取ることができるものである。
で読取る場合、図５に示すようにシリコンウエハー１は
透明であり、何ら加工せずそのままの状態の部分は光７
が透過して反射がないため読取装置では暗い単位セル４
ｂとして認識される。また凹部５の表面は粗面６が形成
されているので、光７はここで乱反射して読取装置では
明るい単位セル４ａとして認識される。従ってこれらの
組合わせにより、明暗模様を印刷した二次元コード３と
同様に読取ることができるものである。
【００１３】この二次元コード３は１mm平方当り英数１
２文字も記録でき単位面積当たりのデーター量がバーコ
ードに比べて極めて多く、多量の情報を記録できると共
に、３６０度どの方向からも読取ることができる利点が
ある。更にコードの一部が破損したり汚れたりしていて
もデーターを回復できる機能がある上、データーを暗号
化することにより情報を秘密裏に管理することもでき
る。
２文字も記録でき単位面積当たりのデーター量がバーコ
ードに比べて極めて多く、多量の情報を記録できると共
に、３６０度どの方向からも読取ることができる利点が
ある。更にコードの一部が破損したり汚れたりしていて
もデーターを回復できる機能がある上、データーを暗号
化することにより情報を秘密裏に管理することもでき
る。
【００１４】このように明るい単位セル４ａをシリコン
ウエハー１の表面に形成する場合、レーザービームを左
右に走査させてその熱により順次下側に向かって線状に
焼付けていく。この方式ではレーザーの照射間隔に規則
性がないため１つのセルのエリア外まで照射され、例え
ば図６に示すように左右にずれて飛び出し部分８や、空
白部分９を生じることがある。このような不揃のセル４
を含んだ二次元コード３が形成されると、読取装置で誤
ったデーターとして読取られてしまう恐れがあり、特に
セルの１辺が１mm平方程度の微細な二次元コード３の場
合には読取り誤差が多くなる問題がある。
ウエハー１の表面に形成する場合、レーザービームを左
右に走査させてその熱により順次下側に向かって線状に
焼付けていく。この方式ではレーザーの照射間隔に規則
性がないため１つのセルのエリア外まで照射され、例え
ば図６に示すように左右にずれて飛び出し部分８や、空
白部分９を生じることがある。このような不揃のセル４
を含んだ二次元コード３が形成されると、読取装置で誤
ったデーターとして読取られてしまう恐れがあり、特に
セルの１辺が１mm平方程度の微細な二次元コード３の場
合には読取り誤差が多くなる問題がある。
【００１５】これは１つのセルを形成するために必要な
ベクトルデーターがセルエリア内にだけ存在するという
定義がなされていないからである。つまり４行４列のマ
トリックス内に形成された１６個のセル４を１個ずつの
単位セルとして認識するのではなく、画像データーに基
づいてビットマップデーターによる線画連続データーを
順次組み合わせていくことにより二次元コード３を作成
するため、マーキングの始点や終点認識という座標管理
方式が採られておらず不揃のセルが形成されてしまう。
また図５に示すようにレーザービームを重ねながら照射
して連続した凹部５を形成すると、細かいダストが多量
に飛散して半導体回路の形成に悪影響を及ぼす場合もあ
る。
ベクトルデーターがセルエリア内にだけ存在するという
定義がなされていないからである。つまり４行４列のマ
トリックス内に形成された１６個のセル４を１個ずつの
単位セルとして認識するのではなく、画像データーに基
づいてビットマップデーターによる線画連続データーを
順次組み合わせていくことにより二次元コード３を作成
するため、マーキングの始点や終点認識という座標管理
方式が採られておらず不揃のセルが形成されてしまう。
また図５に示すようにレーザービームを重ねながら照射
して連続した凹部５を形成すると、細かいダストが多量
に飛散して半導体回路の形成に悪影響を及ぼす場合もあ
る。
【００１６】図７ないし図１０は本発明の他の実施の形
態を示すもので、パソコン画面上で、明暗模様のマトリ
ックスによる画像データを作成し、この画像データによ
り作成された二次元コードに基づいて、明るい単位セル
４ａを形成する部分に図７に示すように例えば１辺が２
４０ミクロンの正方形をなすセル４の中を、４行４列の
合計１６個の照射エリア１０…に分割し、この分割され
た各照射エリア１０…内にＸ−Ｙ方向に位置制御してレ
ーザービームをシリコンウエハー１の表面に順次照射し
て円形に焼付け、図８に示すように丸ドット１２を１６
個形成する。つまり画像データ上の明るい単位セルを、
１６個の丸ドット１２がマトリックス状に配置された単
位セルに置換して加工するものである。
態を示すもので、パソコン画面上で、明暗模様のマトリ
ックスによる画像データを作成し、この画像データによ
り作成された二次元コードに基づいて、明るい単位セル
４ａを形成する部分に図７に示すように例えば１辺が２
４０ミクロンの正方形をなすセル４の中を、４行４列の
合計１６個の照射エリア１０…に分割し、この分割され
た各照射エリア１０…内にＸ−Ｙ方向に位置制御してレ
ーザービームをシリコンウエハー１の表面に順次照射し
て円形に焼付け、図８に示すように丸ドット１２を１６
個形成する。つまり画像データ上の明るい単位セルを、
１６個の丸ドット１２がマトリックス状に配置された単
位セルに置換して加工するものである。
【００１７】この場合、各丸ドット１２は隣接する丸ド
ット１２と接しており重なる必要はない。またレーザー
ビームを照射して形成した丸ドット１２は平面円形をな
し、その断面状態は図１０に示すように、半円球形の凹
部５が間隔をおいて形成され、これが縦横に４行４列の
マトリックス状に配置されて図８に示すように明るい単
位セル４ａが形成されている。
ット１２と接しており重なる必要はない。またレーザー
ビームを照射して形成した丸ドット１２は平面円形をな
し、その断面状態は図１０に示すように、半円球形の凹
部５が間隔をおいて形成され、これが縦横に４行４列の
マトリックス状に配置されて図８に示すように明るい単
位セル４ａが形成されている。
【００１８】またこの丸ドット１２は、レーザービーム
をＸーＹ方向に位置制御させながらビームを照射エリア
１０に間欠的に照射して形成できるので、レーザービー
ムを左右に走査させて上から順次下側に向かって線状に
焼付ける方法に比べて形成速度を大幅に短縮し、発生す
るダストも少なくすることができる。しかも丸ドット１
２の直径をレーザービームのビーム直径と同じにすれ
ば、レーザービームの照射間隔で丸ドット１２を形成で
き、レーザービームが重ならないように照射できるので
セル輪郭が明確になり、しかも焼付深さの調整も容易
で、二次元コード１を短時間で作成することができる。
をＸーＹ方向に位置制御させながらビームを照射エリア
１０に間欠的に照射して形成できるので、レーザービー
ムを左右に走査させて上から順次下側に向かって線状に
焼付ける方法に比べて形成速度を大幅に短縮し、発生す
るダストも少なくすることができる。しかも丸ドット１
２の直径をレーザービームのビーム直径と同じにすれ
ば、レーザービームの照射間隔で丸ドット１２を形成で
き、レーザービームが重ならないように照射できるので
セル輪郭が明確になり、しかも焼付深さの調整も容易
で、二次元コード１を短時間で作成することができる。
【００１９】このようにレーザービームを照射して形成
した明るい単位セル４ａとレーザービームを照射しない
暗い単位セル４ｂを図９に示すようにマトリックス状に
配置して明暗模様の二次元コード３を形成する。シリコ
ンウエハー１の表面に形成した二次元コード３を光反射
式の読取装置で読取ると、暗い単位セル４ｂのコーナー
部分を認識することにより黒いセルとして判断される。
このことからコーナー部分に白い丸ドット１２を配置し
た明るい単位セル４ａは内部に多少黒い部分があって
も、従来の印刷した白い単位セルと同様に、明模様のセ
ルとして認識することができる。
した明るい単位セル４ａとレーザービームを照射しない
暗い単位セル４ｂを図９に示すようにマトリックス状に
配置して明暗模様の二次元コード３を形成する。シリコ
ンウエハー１の表面に形成した二次元コード３を光反射
式の読取装置で読取ると、暗い単位セル４ｂのコーナー
部分を認識することにより黒いセルとして判断される。
このことからコーナー部分に白い丸ドット１２を配置し
た明るい単位セル４ａは内部に多少黒い部分があって
も、従来の印刷した白い単位セルと同様に、明模様のセ
ルとして認識することができる。
【００２０】このようにパソコン画面上の画像データで
黒く塗り潰された１個のセル４を、ｎ行ｎ列（但しｎは
整数）の丸ドット１２…の集合体に置換することにより
明るい単位セル４ａとして捉え、これを座標管理して焼
付けるので、飛び出し部分８や空白部分９が形成され
ず、読取り精度を向上させることができる。
黒く塗り潰された１個のセル４を、ｎ行ｎ列（但しｎは
整数）の丸ドット１２…の集合体に置換することにより
明るい単位セル４ａとして捉え、これを座標管理して焼
付けるので、飛び出し部分８や空白部分９が形成され
ず、読取り精度を向上させることができる。
【００２１】従ってシリコンウエハー１の表面にデータ
ー量が多い二次元コード３を容易に形成できるので、製
造メーカーや製造年月日、材料種別、製造番号など多数
の識別データーを記録でき、製品の管理のみならず工程
の管理も行なうことができる。またシリコンウエハー１
上に形成される多数の半導体チップ２に加工する場合に
は、それぞれシリコンウエハー１の裏面から、半導体チ
ップ２の作成部分に二次元コード３を形成しておけば、
分割した各半導体チップ２についても、製品管理や工程
管理を行なうことができる。
ー量が多い二次元コード３を容易に形成できるので、製
造メーカーや製造年月日、材料種別、製造番号など多数
の識別データーを記録でき、製品の管理のみならず工程
の管理も行なうことができる。またシリコンウエハー１
上に形成される多数の半導体チップ２に加工する場合に
は、それぞれシリコンウエハー１の裏面から、半導体チ
ップ２の作成部分に二次元コード３を形成しておけば、
分割した各半導体チップ２についても、製品管理や工程
管理を行なうことができる。
【００２２】図１１は本発明の他の実施の形態を示すも
ので、二次元コード３を６行６列の合計３６個の照射エ
リア１０…に分割する。明暗模様の単位セルをマトリッ
クス状に配置して構成される二次元コードのうち、明る
い単位セル４ａに対応する照射エリア１０…内にＸ−Ｙ
方向に位置制御してレーザービームを順次照射して円形
の丸ドット１２を１個焼付ける。この場合、丸ドット１
２の直径は単位セルの１辺の長さと同じにする。つまり
この場合、明るい単位セル４ａは１個の丸ドット１２で
構成されているのでマトリックスｎ×ｎはｎ＝１の場合
になる。
ので、二次元コード３を６行６列の合計３６個の照射エ
リア１０…に分割する。明暗模様の単位セルをマトリッ
クス状に配置して構成される二次元コードのうち、明る
い単位セル４ａに対応する照射エリア１０…内にＸ−Ｙ
方向に位置制御してレーザービームを順次照射して円形
の丸ドット１２を１個焼付ける。この場合、丸ドット１
２の直径は単位セルの１辺の長さと同じにする。つまり
この場合、明るい単位セル４ａは１個の丸ドット１２で
構成されているのでマトリックスｎ×ｎはｎ＝１の場合
になる。
【００２３】上記方法をシリコンウエハー１に適用した
場合について説明すると、１辺の長さが４８０μｍの二
次元コード３を縦横１６に分割して、１辺の長さが３０
μｍの照射エリア１０を２５６個形成する。二次元コー
ドの画像データーのうち、明るい模様のセルに対応する
照射エリア１０…内にＸ−Ｙ方向に位置制御してレーザ
ービームを照射して直径３０μｍの丸ドット１２を図１
１に示すように１個だけ焼付ける。このようにしてシリ
コンウエハー１の表面に焼付けた二次元コード３には、
英数１２文字記録することができた。
場合について説明すると、１辺の長さが４８０μｍの二
次元コード３を縦横１６に分割して、１辺の長さが３０
μｍの照射エリア１０を２５６個形成する。二次元コー
ドの画像データーのうち、明るい模様のセルに対応する
照射エリア１０…内にＸ−Ｙ方向に位置制御してレーザ
ービームを照射して直径３０μｍの丸ドット１２を図１
１に示すように１個だけ焼付ける。このようにしてシリ
コンウエハー１の表面に焼付けた二次元コード３には、
英数１２文字記録することができた。
【００２４】なお上記説明では、丸ドット１２を１行１
列、および４行４列に配置して１つの明るい単位セル４
ａを形成する場合について示したが、２行２列、３行３
列または６行６列などｎ次正方行列に配置したものでも
良い。またセルの形状は２行４列、または図１２に示す
ように３行６列などｎ×ｍ行列（但しｍは整数）の長方
形配置のものでも良い。更に本発明はシリコン基板に限
らず、透明なガラスや宝石などの透明物品の識別データ
として使用することができる。
列、および４行４列に配置して１つの明るい単位セル４
ａを形成する場合について示したが、２行２列、３行３
列または６行６列などｎ次正方行列に配置したものでも
良い。またセルの形状は２行４列、または図１２に示す
ように３行６列などｎ×ｍ行列（但しｍは整数）の長方
形配置のものでも良い。更に本発明はシリコン基板に限
らず、透明なガラスや宝石などの透明物品の識別データ
として使用することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の請求項１記載
の識別データー記載シリコン基板は、平滑面を暗模様の
単位セルとし、散乱面を明模様の単位セルとして、これ
ら明暗の単位セルを組合わせて二次元コードを形成する
ので、硬く透明なシリコンの表面に多量のデーターを記
録でき、シリコンウエハーや小さな半導体チップを個別
に管理することができる。
の識別データー記載シリコン基板は、平滑面を暗模様の
単位セルとし、散乱面を明模様の単位セルとして、これ
ら明暗の単位セルを組合わせて二次元コードを形成する
ので、硬く透明なシリコンの表面に多量のデーターを記
録でき、シリコンウエハーや小さな半導体チップを個別
に管理することができる。
【００２６】また請求項２記載の識別データー記載シリ
コン基板は、明模様の１セルを平面円形のドットが縦横
にマトリックス状に配置された単位セルで形成し、且つ
前記円形のドットが半円球状の凹部で形成されているの
で、セル輪郭が明確になり、読取り精度を向上させるこ
とができる。
コン基板は、明模様の１セルを平面円形のドットが縦横
にマトリックス状に配置された単位セルで形成し、且つ
前記円形のドットが半円球状の凹部で形成されているの
で、セル輪郭が明確になり、読取り精度を向上させるこ
とができる。
【００２７】更に請求項３載の識別データー記載シリコ
ン基板の製造方法は、レーザービームをＸーＹ方向に位
置制御させながら照射エリアに間欠的に照射するので、
線状に連続して焼付ける方法に比べて形成速度を大幅に
短縮し、発生するダストも少なくすることができる。し
かも平面円形のドットの直径をレーザービームのビーム
直径と同じにすれば、レーザービームの照射間隔でドッ
トを形成でき、二次元コードを短時間で作成することが
できる。
ン基板の製造方法は、レーザービームをＸーＹ方向に位
置制御させながら照射エリアに間欠的に照射するので、
線状に連続して焼付ける方法に比べて形成速度を大幅に
短縮し、発生するダストも少なくすることができる。し
かも平面円形のドットの直径をレーザービームのビーム
直径と同じにすれば、レーザービームの照射間隔でドッ
トを形成でき、二次元コードを短時間で作成することが
できる。
【図１】本発明の実施の一形態による二次元コードを形
成したシリコンウエハーの平面図である。
成したシリコンウエハーの平面図である。
【図２】図１のリコンウエハーに半導体チップの回路を
形成した状態を示す平面図である。
形成した状態を示す平面図である。
【図３】図１に示す二次元コードを拡大して示す平面図
である。
である。
【図４】レーザービームを照射して丸ドットを重ねて加
工し、明るいセルを形成した状態を示す平面図である。
工し、明るいセルを形成した状態を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線拡大断面図である。
【図６】レーザービームを照射して丸ドットを重ねて加
工し、飛び出し部分や空白部分が形成された明るいセル
を示す平面図である。
工し、飛び出し部分や空白部分が形成された明るいセル
を示す平面図である。
【図７】セルの中を複数の照射エリアに分割した状態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】図７に示す照射エリアにそれぞれ丸ドットを加
工して形成した明るい単位セルを示す平面図である。
工して形成した明るい単位セルを示す平面図である。
【図９】図８に示す明るい単位セルと、暗い単位セルを
組合せた二次元コードを示す平面図である。
組合せた二次元コードを示す平面図である。
【図１０】図８のＢ−Ｂ線拡大断面図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態による１個の丸ドッ
トで１個の明るい単位セルを形成した場合の二次元コー
ドを示す平面図である。
トで１個の明るい単位セルを形成した場合の二次元コー
ドを示す平面図である。
【図１２】本発明の他の実施の形態による丸ドットを３
行６列の長方形配置にした場合を示す平面図である。
行６列の長方形配置にした場合を示す平面図である。
１ シリコンウエハー ２ 半導体チップ ３ 二次元コード ４ａ 明るい単位セル ４ｂ 暗い単位セル ５ 凹部 ６ 粗面 ７ 光 ８ 飛び出し部分 ９ 空白部分 １０ 照射エリア １２ 丸ドット
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板の表面に、平滑面を暗模様
の単位セルとし、散乱面を明模様の単位セルとして、こ
れら明暗の単位セルを組合わせて明暗模様のマトリック
スによる二次元コードを形成したことを特徴とする識別
データー記載シリコン基板。 - 【請求項２】 明暗模様のマトリックスで形成される二
次元コードの明模様の１セルを、平面円形のドットがｎ
×ｎ、またはｎ×ｍ（但しｎ、ｍは整数）に縦横に配置
された単位セルで形成し、且つ前記円形のドットが半円
球状の凹部で形成されていることを特徴とする請求項１
記載の識別データー記載シリコン基板。 - 【請求項３】 シリコン基板の表面に、レーザービーム
を照射して半円球状の凹部を加工して平面円形のドット
を形成し、このドットをｎ×ｎ、またはｎ×ｍ（但し
ｎ、ｍは整数）に縦横に配置して明模様の単位セルを形
成し、レーザービームを照射していない平滑面を暗模様
の単位セルとして、これら明暗の単位セルを組合わせて
明暗模様のマトリックスによる二次元コードを形成する
ことを特徴とする識別データー記載シリコン基板の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10055980A JP2881418B1 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 識別データー記載シリコン基板およびその製造方法 |
| US09/253,522 US6218199B1 (en) | 1998-02-20 | 1999-02-19 | Silicon substrate with identification data |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10055980A JP2881418B1 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 識別データー記載シリコン基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2881418B1 JP2881418B1 (ja) | 1999-04-12 |
| JPH11238656A true JPH11238656A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=13014236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10055980A Expired - Fee Related JP2881418B1 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 識別データー記載シリコン基板およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6218199B1 (ja) |
| JP (1) | JP2881418B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001080297A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-27 | Kazuo Sato | 透明体の文字図形作成方法 |
| WO2001069661A1 (fr) * | 2000-03-16 | 2001-09-20 | Toray Engineering Company,Limited | Dispositif d'exposition a laser |
| WO2012093684A1 (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-12 | 日立金属株式会社 | 炭化珪素単結晶基板への識別マークの形成方法、及び炭化珪素単結晶基板 |
| US11660899B2 (en) | 2017-11-07 | 2023-05-30 | Sumitomo Electric Sintered Alloy. Ltd. | Iron-based sintered body, method for laser-marking the same, and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6760472B1 (en) * | 1998-12-14 | 2004-07-06 | Hitachi, Ltd. | Identification method for an article using crystal defects |
| US6817527B2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-11-16 | Nokia Corporation | Carriers for printed circuit board marking |
| JP2005203695A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Casio Micronics Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4460903B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2010-05-12 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハのｉｄマーク認識方法 |
| JP4570389B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-10-27 | アライ株式会社 | レーザマーキングによる２次元コードの形成方法、及びレーザマーキング装置 |
| US20060065985A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Berman Michael J | Substrate edge scribe |
| JP4151652B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2008-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 識別コード描画方法 |
| US20070011883A1 (en) * | 2005-07-06 | 2007-01-18 | Chang Ming Y | Mark having identifying device |
| CN101765910B (zh) * | 2007-08-10 | 2013-01-02 | 富士通半导体股份有限公司 | 半导体元件的选取方法、半导体器件及其制造方法 |
| US9733847B2 (en) | 2014-06-02 | 2017-08-15 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for transmitting packets in a scalable memory system protocol |
| PL3615261T3 (pl) | 2018-05-25 | 2022-05-09 | Laserax Inc | Metalowy przedmiot obrabiany ze znacznikami odpornymi na śrutowanie, sposób znakowania laserowego takich znaczników na metalowym przedmiocie obrabianym |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719828A (en) * | 1990-01-04 | 1998-02-17 | Temtec, Inc. | Patterned indicators |
| JP2991138B2 (ja) * | 1996-12-09 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | メモリｌｓｉの不良解析方法 |
| US5962862A (en) * | 1997-08-12 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for verifying the presence or absence of a component |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP10055980A patent/JP2881418B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-19 US US09/253,522 patent/US6218199B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001080297A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-27 | Kazuo Sato | 透明体の文字図形作成方法 |
| WO2001069661A1 (fr) * | 2000-03-16 | 2001-09-20 | Toray Engineering Company,Limited | Dispositif d'exposition a laser |
| WO2012093684A1 (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-12 | 日立金属株式会社 | 炭化珪素単結晶基板への識別マークの形成方法、及び炭化珪素単結晶基板 |
| US11660899B2 (en) | 2017-11-07 | 2023-05-30 | Sumitomo Electric Sintered Alloy. Ltd. | Iron-based sintered body, method for laser-marking the same, and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6218199B1 (en) | 2001-04-17 |
| JP2881418B1 (ja) | 1999-04-12 |
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