JPH11217341A - 重炭化水素の接触式熱分解によるエチレンおよびプロピレンの製造プロセス - Google Patents
重炭化水素の接触式熱分解によるエチレンおよびプロピレンの製造プロセスInfo
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- JPH11217341A JPH11217341A JP10294315A JP29431598A JPH11217341A JP H11217341 A JPH11217341 A JP H11217341A JP 10294315 A JP10294315 A JP 10294315A JP 29431598 A JP29431598 A JP 29431598A JP H11217341 A JPH11217341 A JP H11217341A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J38/00—Regeneration or reactivation of catalysts, in general
- B01J38/04—Gas or vapour treating; Treating by using liquids vaporisable upon contacting spent catalyst
- B01J38/06—Gas or vapour treating; Treating by using liquids vaporisable upon contacting spent catalyst using steam
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
- C10G2400/00—Products obtained by processes covered by groups C10G9/00 - C10G69/14
- C10G2400/20—C2-C4 olefins
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ライザーまたはダウンフロー移動ライン反応
器（riser or downflowtransfer line reactor）におい
て、重炭化水素から軽オレフィン類、特に、エチレンお
よびプロピレンを製造する新規のプロセスを提供するこ
と。 【解決手段】 反応器中において蒸気の存在下で重炭化
水素を熱い柱状層間粘土モレキュラーシーブ触媒に接触
させて触媒的に熱分解し、反応排出物、蒸気、および使
用された触媒をライザー反応器の出口において高速気体
−固体分離システムによって分離し、該反応排出物をク
エンチした後に分離することによってエチレンおよびプ
ロピレン含有気体生成物および液体生成物を得、該使用
された触媒を蒸気でストリッピングした後に除去して再
生器に移して酸素含有ガスに接触させてコークス燃焼(c
oke burning off)によって再生し、再生された触媒をス
トリッピングした後に該反応器に再循環して再使用する
ことを包含するプロセスである。
器（riser or downflowtransfer line reactor）におい
て、重炭化水素から軽オレフィン類、特に、エチレンお
よびプロピレンを製造する新規のプロセスを提供するこ
と。 【解決手段】 反応器中において蒸気の存在下で重炭化
水素を熱い柱状層間粘土モレキュラーシーブ触媒に接触
させて触媒的に熱分解し、反応排出物、蒸気、および使
用された触媒をライザー反応器の出口において高速気体
−固体分離システムによって分離し、該反応排出物をク
エンチした後に分離することによってエチレンおよびプ
ロピレン含有気体生成物および液体生成物を得、該使用
された触媒を蒸気でストリッピングした後に除去して再
生器に移して酸素含有ガスに接触させてコークス燃焼(c
oke burning off)によって再生し、再生された触媒をス
トリッピングした後に該反応器に再循環して再使用する
ことを包含するプロセスである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、重炭化水素の接触
式熱分解プロセスに関し、特に、蒸気の存在下で触媒を
用いて重炭化水素を接触式熱分解することによって、軽
オレフィン類、特に、エチレンおよびプロピレンを製造
するプロセスに関する。
式熱分解プロセスに関し、特に、蒸気の存在下で触媒を
用いて重炭化水素を接触式熱分解することによって、軽
オレフィン類、特に、エチレンおよびプロピレンを製造
するプロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のエチレン製造技術は、公知の管状
炉蒸気クラッキングであり、供給原料として、エタン、
プロパン、ブタン、天然ガス、ナフサ、または軽ガス状
油などの軽炭化水素を必要とする。
炉蒸気クラッキングであり、供給原料として、エタン、
プロパン、ブタン、天然ガス、ナフサ、または軽ガス状
油などの軽炭化水素を必要とする。
【０００３】原油が重くなり、軽炭化水素の供給が制限
されるにつれて、重炭化水素をエチレンに直接変換する
新しい技術の開発に多大な関心が示されている。例え
ば、熱キャリヤとしてコークス粒子または石英を用いる
重炭化水素熱クラッキング、アルカリ金属酸化物または
アルカリ土類金属酸化物を触媒として用いる重炭化水素
熱触媒クラッキング等である。これらの方法はすべて、
８００℃より高い反応温度を必要とする。
されるにつれて、重炭化水素をエチレンに直接変換する
新しい技術の開発に多大な関心が示されている。例え
ば、熱キャリヤとしてコークス粒子または石英を用いる
重炭化水素熱クラッキング、アルカリ金属酸化物または
アルカリ土類金属酸化物を触媒として用いる重炭化水素
熱触媒クラッキング等である。これらの方法はすべて、
８００℃より高い反応温度を必要とする。
【０００４】近年、重炭化水素を軽オレフィン類に変換
する特定の動作条件下で特定のタイプの反応器において
固体酸性触媒を用いるいくつかの方法が、様々な特許に
おいて紹介および報告されている。例えば、ＤＤ１５
２，３５６Ａは、非晶質アルミノシリケート触媒および
固定床または移動床反応器を用いて軽オレフィン類を製
造する方法を開示している。ＶＧＯを供給原料として用
いる場合、１３．５重量％のエチレンおよび６．３重量
％のプロピレンが、７００℃の反応温度および４．７の
蒸気対供給原料重量比で得られる。ＪＰ６０−２２２，
４２８は、ＺＳＭ−５ゼオライトを触媒の活性成分、お
よびＣ5からＣ25パラフィン炭化水素を供給原料として
用いるプロセスを開示している。エチレン、プロピレ
ン、およびブテンの総収量は、６００℃から７５０℃の
温度および２０から３００ｈ-1の重量毎時空間速度（we
ight hourly space velocity)で約３０重量％に到達す
る。ＵＳＰ４９８００５３は、５００℃から６５０℃の
温度、０．２から２０ｈ-1の重量毎時空間速度、および
２：１から１２：１の触媒対供給原料重量比で固体酸性
触媒を用いて、流動床または移動床反応器でプロピレン
およびブテンを製造するプロセスを開示している。５．
９重量％のエチレン、２１．９重量％のプロピレン、お
よび１５．６重量％のブチレンが、５８０℃の反応温度
で、ＶＧＯを供給原料、ＺＳＭ−５ゼオライトを有する
触媒を活性成分、およびカオリンをマトリクスとして用
いることによって得られる。ＣＮ１０６９０１６Ａは、
主要な反応条件：６５０から９００℃の温度、０．１３
から０．２８ＭＰａの圧力、５から３５の触媒／油の
比、および０．１から３秒の定時間で、重炭化水素を流
動床またはピストンフロー反応器内で変換することによ
って、Ｃ2 =、ならびにＣ3 =およびＣ4 =を製造するプロセ
スを開示している。Ｃ2 =の収量は、１７から２７重量％
に到達し、Ｃ2 =からＣ4 =の総収率は３０から４０重量％
までである。
する特定の動作条件下で特定のタイプの反応器において
固体酸性触媒を用いるいくつかの方法が、様々な特許に
おいて紹介および報告されている。例えば、ＤＤ１５
２，３５６Ａは、非晶質アルミノシリケート触媒および
固定床または移動床反応器を用いて軽オレフィン類を製
造する方法を開示している。ＶＧＯを供給原料として用
いる場合、１３．５重量％のエチレンおよび６．３重量
％のプロピレンが、７００℃の反応温度および４．７の
蒸気対供給原料重量比で得られる。ＪＰ６０−２２２，
４２８は、ＺＳＭ−５ゼオライトを触媒の活性成分、お
よびＣ5からＣ25パラフィン炭化水素を供給原料として
用いるプロセスを開示している。エチレン、プロピレ
ン、およびブテンの総収量は、６００℃から７５０℃の
温度および２０から３００ｈ-1の重量毎時空間速度（we
ight hourly space velocity)で約３０重量％に到達す
る。ＵＳＰ４９８００５３は、５００℃から６５０℃の
温度、０．２から２０ｈ-1の重量毎時空間速度、および
２：１から１２：１の触媒対供給原料重量比で固体酸性
触媒を用いて、流動床または移動床反応器でプロピレン
およびブテンを製造するプロセスを開示している。５．
９重量％のエチレン、２１．９重量％のプロピレン、お
よび１５．６重量％のブチレンが、５８０℃の反応温度
で、ＶＧＯを供給原料、ＺＳＭ−５ゼオライトを有する
触媒を活性成分、およびカオリンをマトリクスとして用
いることによって得られる。ＣＮ１０６９０１６Ａは、
主要な反応条件：６５０から９００℃の温度、０．１３
から０．２８ＭＰａの圧力、５から３５の触媒／油の
比、および０．１から３秒の定時間で、重炭化水素を流
動床またはピストンフロー反応器内で変換することによ
って、Ｃ2 =、ならびにＣ3 =およびＣ4 =を製造するプロセ
スを開示している。Ｃ2 =の収量は、１７から２７重量％
に到達し、Ｃ2 =からＣ4 =の総収率は３０から４０重量％
までである。
【０００５】ＣＮ１０８３０９２Ａにおいて、柱状層間
粘土（pillared interlayered clay）を含むモレキュラ
ーシーブ触媒および／または希土類元素（rare earth）
を含む高シリカゼオライト触媒は、６８０から７８０
℃、１．５から４．０×ＭＰａ、０．１から３．０秒の
反応時間、０．２から２．０の水／油比、および５から
４０の触媒／油比の条件下で重炭化水素をクラッキング
するために用いられ、２３重量％収率のＣ2 =が得られ、
Ｃ2 =からＣ4 =の収率は５０重量％である。
粘土（pillared interlayered clay）を含むモレキュラ
ーシーブ触媒および／または希土類元素（rare earth）
を含む高シリカゼオライト触媒は、６８０から７８０
℃、１．５から４．０×ＭＰａ、０．１から３．０秒の
反応時間、０．２から２．０の水／油比、および５から
４０の触媒／油比の条件下で重炭化水素をクラッキング
するために用いられ、２３重量％収率のＣ2 =が得られ、
Ｃ2 =からＣ4 =の収率は５０重量％である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ライ
ザーまたはダウンフロー移動ライン反応器（riser or d
ownflow transfer line reactor）において、重炭化水
素から軽オレフィン類、特に、エチレンおよびプロピレ
ンを製造する新規のプロセスを提供することである。本
発明の他の目的は、請求項を含む本発明の明細書の内容
から理解され得る。
ザーまたはダウンフロー移動ライン反応器（riser or d
ownflow transfer line reactor）において、重炭化水
素から軽オレフィン類、特に、エチレンおよびプロピレ
ンを製造する新規のプロセスを提供することである。本
発明の他の目的は、請求項を含む本発明の明細書の内容
から理解され得る。
【０００７】本発明の目的は、下記の技術的解決法によ
って成し遂げられる。
って成し遂げられる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、エチレンおよ
びプロピレンを生成するためのプロセスを提供し、上記
プロセスは、反応器中において蒸気の存在下で重炭化水
素を熱い柱状層間粘土モレキュラーシーブ触媒に接触さ
せて触媒的に熱分解し、反応排出物、蒸気、および使用
された触媒をライザー反応器の出口において高速気体−
固体分離システムによって分離し、この反応排出物をク
エンチした後に分離することによってエチレンおよびプ
ロピレン含有気体生成物および液体生成物を得、この使
用された触媒を蒸気でストリッピングした後に除去して
再生器に移して酸素含有ガスに接触させてコークス燃焼
(coke burning off)によって再生し、再生された触媒を
ストリッピングした後にこの反応器に再循環して再使用
することを包含し、この重炭化水素は、熱い柱状層間粘
土モレキュラーシーブおよび／またはリンとアルミニウ
ムまたはマグネシウムまたはカルシウムとによって変性
されたペンタシル構造を有する高シリカゼオライトを含
有する触媒に、ライザーまたはダウンフロー移動ライン
反応器中において接触され、６５０℃から７５０℃の温
度、０．１５から０．４ＭＰａの圧力、０．２から５秒
の接触時間、触媒対供給原料の重量比が１５：１から４
０：１、および蒸気対供給原料の重量比が０．３：１か
ら１：１で接触式熱分解される。
びプロピレンを生成するためのプロセスを提供し、上記
プロセスは、反応器中において蒸気の存在下で重炭化水
素を熱い柱状層間粘土モレキュラーシーブ触媒に接触さ
せて触媒的に熱分解し、反応排出物、蒸気、および使用
された触媒をライザー反応器の出口において高速気体−
固体分離システムによって分離し、この反応排出物をク
エンチした後に分離することによってエチレンおよびプ
ロピレン含有気体生成物および液体生成物を得、この使
用された触媒を蒸気でストリッピングした後に除去して
再生器に移して酸素含有ガスに接触させてコークス燃焼
(coke burning off)によって再生し、再生された触媒を
ストリッピングした後にこの反応器に再循環して再使用
することを包含し、この重炭化水素は、熱い柱状層間粘
土モレキュラーシーブおよび／またはリンとアルミニウ
ムまたはマグネシウムまたはカルシウムとによって変性
されたペンタシル構造を有する高シリカゼオライトを含
有する触媒に、ライザーまたはダウンフロー移動ライン
反応器中において接触され、６５０℃から７５０℃の温
度、０．１５から０．４ＭＰａの圧力、０．２から５秒
の接触時間、触媒対供給原料の重量比が１５：１から４
０：１、および蒸気対供給原料の重量比が０．３：１か
ら１：１で接触式熱分解される。
【０００９】好適な実施態様では、上記触媒はＹモレキ
ュラーシーブをさらに包含し得る。
ュラーシーブをさらに包含し得る。
【００１０】好適な実施態様では、上記柱状層間粘土モ
レキュラーシーブは柱状層間レクトライトである。
レキュラーシーブは柱状層間レクトライトである。
【００１１】好適な実施態様では、上記リンとアルミニ
ウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとによって変
性された、ペンタシル構造を有する高シリカゼオライト
は、２〜８重量％リンおよび０．３〜３．０重量％アル
ミニウムまたはマグネシウムまたはカルシウム（ゼオラ
イトの重量に基づき、酸化物として計算）を含有してお
りペンタシル構造を有する、Ｓｉ／Ａｌモル比が１５〜
６０の高シリカゼオライトである。
ウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとによって変
性された、ペンタシル構造を有する高シリカゼオライト
は、２〜８重量％リンおよび０．３〜３．０重量％アル
ミニウムまたはマグネシウムまたはカルシウム（ゼオラ
イトの重量に基づき、酸化物として計算）を含有してお
りペンタシル構造を有する、Ｓｉ／Ａｌモル比が１５〜
６０の高シリカゼオライトである。
【００１２】より好適な実施態様では、上記ペンタシル
構造を有する変性された高シリカゼオライトは、０．３
〜３．０重量％のニッケル（ゼオライトの重量に基づ
き、酸化物として計算）をさらに含有し得る。
構造を有する変性された高シリカゼオライトは、０．３
〜３．０重量％のニッケル（ゼオライトの重量に基づ
き、酸化物として計算）をさらに含有し得る。
【００１３】より好適な実施態様では、上記ペンタシル
構造を有する変性された高シリカゼオライトは、ペンタ
シル構造を有する高シリカゼオライトおよび、アルミニ
ウムホスフェートゾルまたはマグネシウムホスフェート
ゾルまたはカルシウムホスフェートゾルを均質に混合し
た後、６０〜１００％蒸気の存在下において４００〜６
００℃で３〜６時間か焼することによって調製される。
構造を有する変性された高シリカゼオライトは、ペンタ
シル構造を有する高シリカゼオライトおよび、アルミニ
ウムホスフェートゾルまたはマグネシウムホスフェート
ゾルまたはカルシウムホスフェートゾルを均質に混合し
た後、６０〜１００％蒸気の存在下において４００〜６
００℃で３〜６時間か焼することによって調製される。
【００１４】より好適な実施態様では、上記ペンタシル
構造を有する変性された高シリカゼオライトは、ペンタ
シル構造を有する高シリカゼオライトおよび、リンとア
ルミニウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとを含
有する水溶液を均質に混合した後、０．５〜４時間の浸
漬、乾燥、および４５０〜６５０℃で１〜４時間か焼す
ることによって調製される。
構造を有する変性された高シリカゼオライトは、ペンタ
シル構造を有する高シリカゼオライトおよび、リンとア
ルミニウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとを含
有する水溶液を均質に混合した後、０．５〜４時間の浸
漬、乾燥、および４５０〜６５０℃で１〜４時間か焼す
ることによって調製される。
【００１５】さらにより好適な実施態様では、上記ペン
タシル構造を有する変性された高シリカゼオライト中の
前記ニッケルは、ニッケル化合物および、ペンタシル構
造を有する高シリカゼオライトおよび、リンとアルミニ
ウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとを含有する
水溶液とを均質に混合した後、０．５〜４時間の浸漬、
乾燥、および４５０〜６５０℃で１〜４時間か焼するこ
とによって導入される。
タシル構造を有する変性された高シリカゼオライト中の
前記ニッケルは、ニッケル化合物および、ペンタシル構
造を有する高シリカゼオライトおよび、リンとアルミニ
ウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとを含有する
水溶液とを均質に混合した後、０．５〜４時間の浸漬、
乾燥、および４５０〜６５０℃で１〜４時間か焼するこ
とによって導入される。
【００１６】より好適な実施態様では、上記ペンタシル
構造を有する変性された高シリカゼオライトは、ＺＳＭ
−５、ＺＳＭ−８、またはＺＳＭ−１１タイプの構造を
有する高シリカゼオライト群より選択される。
構造を有する変性された高シリカゼオライトは、ＺＳＭ
−５、ＺＳＭ−８、またはＺＳＭ−１１タイプの構造を
有する高シリカゼオライト群より選択される。
【００１７】より好適な実施態様では、上記ペンタシル
構造を有する高シリカゼオライトは、水ガラス、アルミ
ニウムホスフェート、および無機酸を原材料として用
い、Ｙゼオライトを結晶種として用い、１３０〜２００
℃で１２〜６０時間結晶化を行うことによって調製され
る。
構造を有する高シリカゼオライトは、水ガラス、アルミ
ニウムホスフェート、および無機酸を原材料として用
い、Ｙゼオライトを結晶種として用い、１３０〜２００
℃で１２〜６０時間結晶化を行うことによって調製され
る。
【００１８】好適な実施態様では、上記反応排出物は、
軽炭化水素を前記ライザー出口に急速冷却材として注入
することによってクエンチされる。
軽炭化水素を前記ライザー出口に急速冷却材として注入
することによってクエンチされる。
【００１９】好適な実施態様では、上記重炭化水素供給
材料は、大気圧ガス状油、真空ガス状油、またはその混
合物、ならびに残留油または原油である。
材料は、大気圧ガス状油、真空ガス状油、またはその混
合物、ならびに残留油または原油である。
【００２０】本発明のプロセスでは、重炭化水素を、ラ
イザーまたはダウンフロー移動ライン反応器において、
熱い柱状層間粘土モレキュラーシーブならびに／または
ペンタシル（pentasil）の構造を有するリンとアルミニ
ウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとで変性され
た高シリカゼオライトを含む触媒と接触させ、所定の動
作条件下で触媒によって熱分解させる。反応排出物、蒸
気、および使用した触媒を、高速気体−固体分離システ
ムによって分離する。反応排出物をさらに分離し、気体
生成物および液体生成物を含むエチレンおよびプロピレ
ンを得る。使用した触媒をさらに、ストリッパー（stri
pper）でストリッピングする。蒸気でストリッピングし
た後、使用した触媒を再生器で除去する。再生器におい
て、触媒を、酸素含有ガスと接触させ、再生し、熱い再
生触媒をストリッピングし、再利用のために反応器に再
循環させる。
イザーまたはダウンフロー移動ライン反応器において、
熱い柱状層間粘土モレキュラーシーブならびに／または
ペンタシル（pentasil）の構造を有するリンとアルミニ
ウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとで変性され
た高シリカゼオライトを含む触媒と接触させ、所定の動
作条件下で触媒によって熱分解させる。反応排出物、蒸
気、および使用した触媒を、高速気体−固体分離システ
ムによって分離する。反応排出物をさらに分離し、気体
生成物および液体生成物を含むエチレンおよびプロピレ
ンを得る。使用した触媒をさらに、ストリッパー（stri
pper）でストリッピングする。蒸気でストリッピングし
た後、使用した触媒を再生器で除去する。再生器におい
て、触媒を、酸素含有ガスと接触させ、再生し、熱い再
生触媒をストリッピングし、再利用のために反応器に再
循環させる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明によって提供されるプロセ
スは、以下の工程を包含する：予熱した重炭化水素を、
ライザーまたはダウンフロー移動ライン反応器におい
て、熱い柱状中間層粘土モレキュラーシーブならびに／
またはペンタシル（pentasil）の構造を有するリンとア
ルミニウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとで変
性された高シリカゼオライトを含む触媒と接触させ、６
５０℃から７５０℃の温度、０．１５から０．４ＭＰａ
の圧力、０．２から５秒の定時間、１５：１から４０：
１の触媒対供給原料の重量比、および０．３：１から
１：１の蒸気対供給原料の重量比で接触式熱分解させ
る。反応排出物、蒸気、および使用した触媒を高速気体
−固体分離システムで分離し、反応器から除去した反応
排出物を軽炭化水素でクエンチし、さらに分離し、気体
生成物および液体生成物を含むエチレンおよびプロピレ
ンを得る。使用した触媒をさらに剥離剤でストリッピン
グする。蒸気でストリッピングした後、触媒に吸着した
炭化水素生成物をストリッピング（strippedout）す
る。次に、上部にコークスが堆積した使用済みの触媒を
再生器で除去する。再生器では、触媒を、コークスを焼
き払うための空気などの熱い酸素含有ガスと接触させる
ことによって再生が行われる。再生触媒を蒸気および／
または他の不活性ガスでストリッピングし、担持される
非炭化水素不純物を脱着し、次いで再利用のために反応
器に再循環させる。熱い再生触媒は、重炭化水素の接触
式熱分解用の反応熱を提供する。これに対して、再生器
内で再生中に使用済みの触媒から放出された熱は、再生
触媒で吸収され、再生触媒は、反応器に戻されて再循環
されるときに、接触式熱分解反応を起こさせるための熱
を吸収した重炭化水素供給原料を提供する。
スは、以下の工程を包含する：予熱した重炭化水素を、
ライザーまたはダウンフロー移動ライン反応器におい
て、熱い柱状中間層粘土モレキュラーシーブならびに／
またはペンタシル（pentasil）の構造を有するリンとア
ルミニウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとで変
性された高シリカゼオライトを含む触媒と接触させ、６
５０℃から７５０℃の温度、０．１５から０．４ＭＰａ
の圧力、０．２から５秒の定時間、１５：１から４０：
１の触媒対供給原料の重量比、および０．３：１から
１：１の蒸気対供給原料の重量比で接触式熱分解させ
る。反応排出物、蒸気、および使用した触媒を高速気体
−固体分離システムで分離し、反応器から除去した反応
排出物を軽炭化水素でクエンチし、さらに分離し、気体
生成物および液体生成物を含むエチレンおよびプロピレ
ンを得る。使用した触媒をさらに剥離剤でストリッピン
グする。蒸気でストリッピングした後、触媒に吸着した
炭化水素生成物をストリッピング（strippedout）す
る。次に、上部にコークスが堆積した使用済みの触媒を
再生器で除去する。再生器では、触媒を、コークスを焼
き払うための空気などの熱い酸素含有ガスと接触させる
ことによって再生が行われる。再生触媒を蒸気および／
または他の不活性ガスでストリッピングし、担持される
非炭化水素不純物を脱着し、次いで再利用のために反応
器に再循環させる。熱い再生触媒は、重炭化水素の接触
式熱分解用の反応熱を提供する。これに対して、再生器
内で再生中に使用済みの触媒から放出された熱は、再生
触媒で吸収され、再生触媒は、反応器に戻されて再循環
されるときに、接触式熱分解反応を起こさせるための熱
を吸収した重炭化水素供給原料を提供する。
【００２２】本発明のプロセスにおいて用いられる触媒
は、１から７０重量％の粘土、５から８５重量％の無機
酸化物、および１０から７０重量％の活性成分を含み、
粘土は、カオリンおよび／またはカオリン多水和物（ka
olin polyhydrate）から選択され、無機酸化物は、非晶
質アルミノシリケート、シリカ、またはアルミナから選
択され、活性成分は、柱状層間粘土モレキュラーシーブ
ならびに／またはペンタシルの構造を有するリンとアル
ミニウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとで変性
された高シリカゼオライトから選択される。
は、１から７０重量％の粘土、５から８５重量％の無機
酸化物、および１０から７０重量％の活性成分を含み、
粘土は、カオリンおよび／またはカオリン多水和物（ka
olin polyhydrate）から選択され、無機酸化物は、非晶
質アルミノシリケート、シリカ、またはアルミナから選
択され、活性成分は、柱状層間粘土モレキュラーシーブ
ならびに／またはペンタシルの構造を有するリンとアル
ミニウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとで変性
された高シリカゼオライトから選択される。
【００２３】本発明で使用される活性成分の１つは、柱
状層間粘土モレキュラーシーブであり、これは、アルミ
ニウム含有化学成分を柱引剤（pillaring agent）とし
て用いる、規則的に介在（interstratified)したまたは
単層(monostratified）のミネラル粘土構造を有するア
ルミニウム柱状天然または合成粘土材料である。この中
でも特に良好なものは、アルミニウム柱状層間レクトラ
イトまたはアルミニウム柱状層間モンモリロナイトであ
り、好ましいのは、アルミニウム柱状層間レクトライト
である。レクトライトの構造特性、ならびにアルミニウ
ム柱状層間レクトライトおよびアルミニウム柱状層間レ
クトライト含有触媒の調製については、従来技術、例え
ば、ＵＳＰ４７５７０４０で参照され得る。
状層間粘土モレキュラーシーブであり、これは、アルミ
ニウム含有化学成分を柱引剤（pillaring agent）とし
て用いる、規則的に介在（interstratified)したまたは
単層(monostratified）のミネラル粘土構造を有するア
ルミニウム柱状天然または合成粘土材料である。この中
でも特に良好なものは、アルミニウム柱状層間レクトラ
イトまたはアルミニウム柱状層間モンモリロナイトであ
り、好ましいのは、アルミニウム柱状層間レクトライト
である。レクトライトの構造特性、ならびにアルミニウ
ム柱状層間レクトライトおよびアルミニウム柱状層間レ
クトライト含有触媒の調製については、従来技術、例え
ば、ＵＳＰ４７５７０４０で参照され得る。
【００２４】本発明で使用される他の活性成分は、ペン
タシルの構造を有するリンとアルミニウムまたはマグネ
シウムまたはカルシウムとで変性された高シリカゼオラ
イトである。これは、最適Ｓｉ／Ａｌモル比が１５から
６０のＺＳＭ−５、ＺＳＭ−８、またはＺＳＭ−１１の
構造を有する、２から８重量％のリンおよび０．３から
３．０重量％のアルミニウムまたはマグネシウムまたは
カルシウム（ゼオライト重量に基づいて、酸化物として
算出した）を含む高シリカゼオライトである。ペンタシ
ルの構造を有する上記の高シリカゼオライトは、従来技
術において開示されている様々な公知の技術によって調
製され得るが、好ましい調製方法は以下の通りである。
水ガラス、アルミニウムホスフェート、および無機酸を
原料として用い、Ｙゼオライトを結晶種として用いて、
１３０から２２０℃で１２から６０時間結晶化させる。
この方法の詳細な調製手順は、ＵＳＰ５２３２６７５で
参照され得る。唯一の相違点は、本発明の結晶種が、希
土類元素なしでＹゼオライトを用いる点である。ペンタ
シルの構造を有する変性高シリカゼオライトにおけるリ
ンおよびアルミニウムまたはマグネシウムまたはカルシ
ウムは、選択される割合に応じて、ペンタシルの構造を
有する予め調製されるかまたは購入された高シリカゼオ
ライトと、アルミニウムホスフェートゾルまたはマグネ
シウムホスフェートゾルまたはカルシウムホスフェート
ゾルとを均質に混合し、６０から１００％の蒸気の存在
下で４００から６００℃で３から６時間焼成することに
よって導入され得る。これはまた、ペンタシルの構造を
有する予め調製されるかまたは購入された高シリカゼオ
ライトと、リンとアルミニウムまたはマグネシウムまた
はカルシウムとを含有する水溶液とを均質に混合し、次
いで、０．５から４時間浸漬し、乾燥し、そして４５０
から６５０℃で１から４時間焼成することによっても導
入され得る。
タシルの構造を有するリンとアルミニウムまたはマグネ
シウムまたはカルシウムとで変性された高シリカゼオラ
イトである。これは、最適Ｓｉ／Ａｌモル比が１５から
６０のＺＳＭ−５、ＺＳＭ−８、またはＺＳＭ−１１の
構造を有する、２から８重量％のリンおよび０．３から
３．０重量％のアルミニウムまたはマグネシウムまたは
カルシウム（ゼオライト重量に基づいて、酸化物として
算出した）を含む高シリカゼオライトである。ペンタシ
ルの構造を有する上記の高シリカゼオライトは、従来技
術において開示されている様々な公知の技術によって調
製され得るが、好ましい調製方法は以下の通りである。
水ガラス、アルミニウムホスフェート、および無機酸を
原料として用い、Ｙゼオライトを結晶種として用いて、
１３０から２２０℃で１２から６０時間結晶化させる。
この方法の詳細な調製手順は、ＵＳＰ５２３２６７５で
参照され得る。唯一の相違点は、本発明の結晶種が、希
土類元素なしでＹゼオライトを用いる点である。ペンタ
シルの構造を有する変性高シリカゼオライトにおけるリ
ンおよびアルミニウムまたはマグネシウムまたはカルシ
ウムは、選択される割合に応じて、ペンタシルの構造を
有する予め調製されるかまたは購入された高シリカゼオ
ライトと、アルミニウムホスフェートゾルまたはマグネ
シウムホスフェートゾルまたはカルシウムホスフェート
ゾルとを均質に混合し、６０から１００％の蒸気の存在
下で４００から６００℃で３から６時間焼成することに
よって導入され得る。これはまた、ペンタシルの構造を
有する予め調製されるかまたは購入された高シリカゼオ
ライトと、リンとアルミニウムまたはマグネシウムまた
はカルシウムとを含有する水溶液とを均質に混合し、次
いで、０．５から４時間浸漬し、乾燥し、そして４５０
から６５０℃で１から４時間焼成することによっても導
入され得る。
【００２５】上記変性された、ペンタシル構造を有する
高シリカゼオライトはさらに、０．３〜３重量％（ゼオ
ライト重量を基準にして、酸化物として計算）のニッケ
ルを含み得る。ニッケル含有化合物を、ペンタシル構造
を有する予め調製した又は購入した高シリカゼオライト
およびリンとアルミニウムまたはマグネシウムまたはカ
ルシウムとを含有する水溶液と均質に混合し、次いで、
０．５〜４時間浸漬し、乾燥し、次いで４５０〜６５０
℃で１〜４時間か焼することにより、ペンタシル構造を
有する変性された高シリカゼオライト内のニッケルが導
入される。
高シリカゼオライトはさらに、０．３〜３重量％（ゼオ
ライト重量を基準にして、酸化物として計算）のニッケ
ルを含み得る。ニッケル含有化合物を、ペンタシル構造
を有する予め調製した又は購入した高シリカゼオライト
およびリンとアルミニウムまたはマグネシウムまたはカ
ルシウムとを含有する水溶液と均質に混合し、次いで、
０．５〜４時間浸漬し、乾燥し、次いで４５０〜６５０
℃で１〜４時間か焼することにより、ペンタシル構造を
有する変性された高シリカゼオライト内のニッケルが導
入される。
【００２６】本発明で用いられる適切な重炭化水素供給
原料は、大気圧ガス状油または真空ガス状油またはそれ
らの混合物であり得、残留油または原油もまた直接処理
され得る。反応器へのフィード注入パターンは、一点注
入または多点注入であり得る。
原料は、大気圧ガス状油または真空ガス状油またはそれ
らの混合物であり得、残留油または原油もまた直接処理
され得る。反応器へのフィード注入パターンは、一点注
入または多点注入であり得る。
【００２７】先行技術と比較した本発明の利点は、以下
の通りである。
の通りである。
【００２８】１．従来の接触式クラッキングプロセスと
比較すると、本発明により提供されるプロセスは、柱状
層間粘土モレキュラーシーブおよび／またはリンとアル
ミニウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとで変性
されたペンタシル構造を有する高シリカゼオライトを用
いる。上記高シリカゼオライトは、比較的低い水素移動
活性と、比較的高いエチレン選択性と、反応温度を上昇
させる能力とを有する触媒を含む。そのため本発明によ
り提供されるプロセスは、軽オレフィン類、特にエチレ
ンおよびプロピレンの収率を増加させる。
比較すると、本発明により提供されるプロセスは、柱状
層間粘土モレキュラーシーブおよび／またはリンとアル
ミニウムまたはマグネシウムまたはカルシウムとで変性
されたペンタシル構造を有する高シリカゼオライトを用
いる。上記高シリカゼオライトは、比較的低い水素移動
活性と、比較的高いエチレン選択性と、反応温度を上昇
させる能力とを有する触媒を含む。そのため本発明によ
り提供されるプロセスは、軽オレフィン類、特にエチレ
ンおよびプロピレンの収率を増加させる。
【００２９】２．軽オレフィンを生成する先行技術の接
触式変換プロセスと比較すると、本発明により提供され
るプロセスは、希釈相移動ライン反応器と柱状層間粘土
モレキュラーシーブおよび／またはリンとアルミニウム
またはマグネシウムまたはカルシウムとで変性されたペ
ンタシル構造を有する高シリカゼオライトを用いる。上
記高シリカゼオライトは、比較的高いクラッキング活性
と比較的高いオレフィン選択性とを有する。そのため本
発明により提供されるプロセスは、軽オレフィン類、特
にエチレンおよびプロピレンの歩留まりを増加させる。
触式変換プロセスと比較すると、本発明により提供され
るプロセスは、希釈相移動ライン反応器と柱状層間粘土
モレキュラーシーブおよび／またはリンとアルミニウム
またはマグネシウムまたはカルシウムとで変性されたペ
ンタシル構造を有する高シリカゼオライトを用いる。上
記高シリカゼオライトは、比較的高いクラッキング活性
と比較的高いオレフィン選択性とを有する。そのため本
発明により提供されるプロセスは、軽オレフィン類、特
にエチレンおよびプロピレンの歩留まりを増加させる。
【００３０】３．本発明のプロセスは、適切な触媒、反
応器タイプ、および動作条件を提供し、それにより軽オ
レフィン類、特にエチレンの比較的高い収率を得る。エ
チレンおよびプロピレンの収率は、それぞれ１８重量％
を越え得る。
応器タイプ、および動作条件を提供し、それにより軽オ
レフィン類、特にエチレンの比較的高い収率を得る。エ
チレンおよびプロピレンの収率は、それぞれ１８重量％
を越え得る。
【００３１】４．本発明のプロセスにおいて用いられる
供給原料は、広い沸騰範囲を有する。上記沸騰範囲は、
大気圧ガス状油または真空ガス状油またはそれらの混合
物の沸騰範囲であり得、残留油または原油の沸騰範囲で
もあり得る。
供給原料は、広い沸騰範囲を有する。上記沸騰範囲は、
大気圧ガス状油または真空ガス状油またはそれらの混合
物の沸騰範囲であり得、残留油または原油の沸騰範囲で
もあり得る。
【００３２】
【実施例】以下の実施例は、本発明により提供される接
触式熱分解をさらに説明するために役立つ。しかし、こ
れらの実施例は、本発明の範囲を限定するものではな
い。
触式熱分解をさらに説明するために役立つ。しかし、こ
れらの実施例は、本発明の範囲を限定するものではな
い。
【００３３】本発明の以下の実施例において用いられる
触媒は、以下の通りである。
触媒は、以下の通りである。
【００３４】触媒Ａは、米国特許第４，７５７，０４０
号に記載されている方法により調製される。５０重量％
の柱状層間レクトライトと、１５重量％のリンおよびマ
グネシウムを含有するペンタシル構造を有する高シリカ
ゼオライトと、３０重量％のアルミナとを含み、残りは
カオリンである。
号に記載されている方法により調製される。５０重量％
の柱状層間レクトライトと、１５重量％のリンおよびマ
グネシウムを含有するペンタシル構造を有する高シリカ
ゼオライトと、３０重量％のアルミナとを含み、残りは
カオリンである。
【００３５】触媒Ｂは、従来のＦＣＣ触媒の方法により
調製される。１５重量％のリンおよびカルシウムを含有
するペンタシル構造を有する高シリカゼオライトと、５
７重量％の非晶質アルミノシリケートとを含み、残りは
カオリンである。
調製される。１５重量％のリンおよびカルシウムを含有
するペンタシル構造を有する高シリカゼオライトと、５
７重量％の非晶質アルミノシリケートとを含み、残りは
カオリンである。
【００３６】触媒Ｃは、従来のＦＣＣ触媒の方法により
調製される。１５重量％のリンおよびマグネシウムを含
有するペンタシル構造を有する高シリカゼオライトと、
５７重量％の非晶質アルミノシリケートとを含み、残り
はカオリンである。
調製される。１５重量％のリンおよびマグネシウムを含
有するペンタシル構造を有する高シリカゼオライトと、
５７重量％の非晶質アルミノシリケートとを含み、残り
はカオリンである。
【００３７】触媒Ｄは、従来のＦＣＣ触媒の方法により
調製される。１５重量％のリンおよびアルミニウムを含
有するペンタシル構造を有する高シリカゼオライトと、
５７重量％の非晶質アルミノシリケートとを含み、残り
はカオリンである。
調製される。１５重量％のリンおよびアルミニウムを含
有するペンタシル構造を有する高シリカゼオライトと、
５７重量％の非晶質アルミノシリケートとを含み、残り
はカオリンである。
【００３８】触媒Ｅは、従来のＦＣＣ触媒の方法により
調製される。２０重量％のリンおよびマグネシウムを有
するペンタシル構造を有する高シリカゼオライトと、
３．５重量％のＲＥＹゼオライトと、２５重量％のアル
ミナとを含み、残りはカオリンである。
調製される。２０重量％のリンおよびマグネシウムを有
するペンタシル構造を有する高シリカゼオライトと、
３．５重量％のＲＥＹゼオライトと、２５重量％のアル
ミナとを含み、残りはカオリンである。
【００３９】触媒Ｆは、従来のＦＣＣ触媒の方法により
調製される。２０重量％のリン、マグネシウム、および
ニッケルを含有するペンタシル構造を有する高シリカゼ
オライトと、２５重量％のアルミナとを含み、残りはカ
オリンである。
調製される。２０重量％のリン、マグネシウム、および
ニッケルを含有するペンタシル構造を有する高シリカゼ
オライトと、２５重量％のアルミナとを含み、残りはカ
オリンである。
【００４０】触媒Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦにおいて
用いられるペンタシル構造を有する高シリカゼオライト
は、中国ＨｕｎａｎのＣａｔａｌｙｓｔ Ｆａｃｔｏｒ
ｙｏｆ Ｃｈａｎｇｌｉｎｇ Ｐｅｔｒｏｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ製の、Ｓｉ／Ａｌモル比が２５の
ＺＳＭ−５ゼオライトである。
用いられるペンタシル構造を有する高シリカゼオライト
は、中国ＨｕｎａｎのＣａｔａｌｙｓｔ Ｆａｃｔｏｒ
ｙｏｆ Ｃｈａｎｇｌｉｎｇ Ｐｅｔｒｏｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ製の、Ｓｉ／Ａｌモル比が２５の
ＺＳＭ−５ゼオライトである。
【００４１】触媒Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦの主要な
物理化学特性を表１に挙げる。
物理化学特性を表１に挙げる。
【００４２】これらの実施例で用いられる供給原料の主
要な特性を表２に挙げる。
要な特性を表２に挙げる。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】（実施例１）本実施例は、本発明により提
供される、移動ライン反応器において重炭化水素の接触
式熱分解によってエチレンおよびプロピレンを生成する
プロセスを説明する。
供される、移動ライン反応器において重炭化水素の接触
式熱分解によってエチレンおよびプロピレンを生成する
プロセスを説明する。
【００４６】テストは、連続的反応および再生成動作シ
ステムを有するライザーパイロットプラント(riser pil
ot plant)において行った。供給原料としてＶＧＯを用
い、触媒Ｃを用いて、単一経路動作モードで動作させ
た。供給原料を約３５０℃まで予備加熱し、ライザー反
応器の入口に注入した。高温蒸気をプレヒーターの出口
とライザー反応器の入口とに注入した。蒸気対供給原料
の重量比は０．８：１である。供給原料はライザー反応
器内で熱い触媒と接触し、ライザー出口温度６８５℃お
よび圧力０．２５ＭＰａ、接触時間２．５秒で接触式熱
分解した。触媒対供給原料の重量比は、２５：１とし
た。反応溶出物、蒸気、および使用後の触媒を、ライザ
ー反応器の出口において、急速気体−固体分離システム
により分離した。反応溶出物を、炭化水素でクエンチ
し、さらに気体生成物と液体生成物とを得るように分離
した。使用後の触媒をさらに除去してストリッパーに送
った。使用後の触媒を、蒸気によってストリッピングし
た後、除去して再生成器に送った。再生成器において、
触媒は加熱した空気に接触して再生された。再生された
触媒を蒸気でストリッピングして、担持された非炭化水
素不純物を脱着し、次いで再使用するために反応器に再
循環した。テストの結果を表３に示す。
ステムを有するライザーパイロットプラント(riser pil
ot plant)において行った。供給原料としてＶＧＯを用
い、触媒Ｃを用いて、単一経路動作モードで動作させ
た。供給原料を約３５０℃まで予備加熱し、ライザー反
応器の入口に注入した。高温蒸気をプレヒーターの出口
とライザー反応器の入口とに注入した。蒸気対供給原料
の重量比は０．８：１である。供給原料はライザー反応
器内で熱い触媒と接触し、ライザー出口温度６８５℃お
よび圧力０．２５ＭＰａ、接触時間２．５秒で接触式熱
分解した。触媒対供給原料の重量比は、２５：１とし
た。反応溶出物、蒸気、および使用後の触媒を、ライザ
ー反応器の出口において、急速気体−固体分離システム
により分離した。反応溶出物を、炭化水素でクエンチ
し、さらに気体生成物と液体生成物とを得るように分離
した。使用後の触媒をさらに除去してストリッパーに送
った。使用後の触媒を、蒸気によってストリッピングし
た後、除去して再生成器に送った。再生成器において、
触媒は加熱した空気に接触して再生された。再生された
触媒を蒸気でストリッピングして、担持された非炭化水
素不純物を脱着し、次いで再使用するために反応器に再
循環した。テストの結果を表３に示す。
【００４７】
【表３】
【００４８】（実施例２）本実施例は、本発明により提
供される、本発明から選択された様々な触媒を用いてエ
チレンおよびプロピレンを生成するプロセスを説明す
る。
供される、本発明から選択された様々な触媒を用いてエ
チレンおよびプロピレンを生成するプロセスを説明す
る。
【００４９】テストは、ベンチスケール固定流動床反応
器内において、６８０℃の温度で行った。触媒対供給原
料の重量比を１５：１とし、蒸気対供給原料の重量比を
０．８：１とした。重量毎時空間速度は、１０ｈ-1とし
た。テストの結果を表４に示す。
器内において、６８０℃の温度で行った。触媒対供給原
料の重量比を１５：１とし、蒸気対供給原料の重量比を
０．８：１とした。重量毎時空間速度は、１０ｈ-1とし
た。テストの結果を表４に示す。
【００５０】表４のデータから、触媒Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
ＥおよびＦは全て、高いエチレンおよびプロピレン収率
を示すことが理解され得る。
ＥおよびＦは全て、高いエチレンおよびプロピレン収率
を示すことが理解され得る。
【００５１】
【表４】
【００５２】（実施例３）本実施例は、本発明により提
供されるプロセスにおいて、異なる沸騰範囲を有する重
炭化水素が供給原料として用いられ得ることを説明す
る。
供されるプロセスにおいて、異なる沸騰範囲を有する重
炭化水素が供給原料として用いられ得ることを説明す
る。
【００５３】テストは、ベンチスケール固定床反応器内
において、異なる触媒を用いて行った。テストの動作条
件および結果を表５に示す。 （実施例４）本実施例は、本発明により提供されるプロ
セスにおいて、フルレンジの原油が供給原料として用い
られ得ることを説明する。
において、異なる触媒を用いて行った。テストの動作条
件および結果を表５に示す。 （実施例４）本実施例は、本発明により提供されるプロ
セスにおいて、フルレンジの原油が供給原料として用い
られ得ることを説明する。
【００５４】テストは、ベンチスケール固定床反応器内
において、触媒Ａを用いて行った。テストの動作条件お
よび結果を表６に示す。
において、触媒Ａを用いて行った。テストの動作条件お
よび結果を表６に示す。
【００５５】
【表５】
【００５６】
【表６】
【００５７】重炭化水素からエチレンおよびプロピレン
を生成するための接触式熱分解プロセスであって、重炭
化水素を、柱状層間粘土モレキュラーシーブおよび／ま
たはリンとアルミニウムまたはマグネシウムまたはカル
シウムとによって変性されたペンタシル構造を有する高
シリカゼオライトを含有する触媒に、ライザーまたはダ
ウンフロー移動ライン反応器中において蒸気の存在下で
接触させ、６５０℃から７５０℃の温度、０．１５から
０．４ＭＰａの圧力、０．２から５秒の接触時間、触媒
対供給原料の重量比が１５：１から４０：１、および蒸
気対供給原料の重量比が０．３：１から１：１で触媒的
に熱分解することを包含する、プロセス。本発明による
エチレンおよびプロピレンの収量は１８重量％を越え
る。
を生成するための接触式熱分解プロセスであって、重炭
化水素を、柱状層間粘土モレキュラーシーブおよび／ま
たはリンとアルミニウムまたはマグネシウムまたはカル
シウムとによって変性されたペンタシル構造を有する高
シリカゼオライトを含有する触媒に、ライザーまたはダ
ウンフロー移動ライン反応器中において蒸気の存在下で
接触させ、６５０℃から７５０℃の温度、０．１５から
０．４ＭＰａの圧力、０．２から５秒の接触時間、触媒
対供給原料の重量比が１５：１から４０：１、および蒸
気対供給原料の重量比が０．３：１から１：１で触媒的
に熱分解することを包含する、プロセス。本発明による
エチレンおよびプロピレンの収量は１８重量％を越え
る。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、ライザーまたはダウン
フロー移動ライン反応器において、重炭化水素から軽オ
レフィン類、特に、エチレンおよびプロピレンを製造す
る新規のプロセスが提供された。
フロー移動ライン反応器において、重炭化水素から軽オ
レフィン類、特に、エチレンおよびプロピレンを製造す
る新規のプロセスが提供された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ１０Ｇ 11/05 Ｃ１０Ｇ 11/05 11/20 11/20 55/06 55/06 (72)発明者 李 再▲亭▼ 中華人民共和国北京市▲海▼澱區學院路18 號 (72)発明者 施 文元 中華人民共和国北京市▲海▼澱區學院路18 號 (72)発明者 汪 燮卿 中華人民共和国北京市▲海▼澱區學院路18 號
Claims (12)
- 【請求項１】 エチレンおよびプロピレンを生成するた
めのプロセスであって、反応器中において蒸気の存在下
で重炭化水素を熱い柱状層間粘土モレキュラーシーブ触
媒に接触させて触媒的に熱分解し、反応排出物、蒸気、
および使用された触媒をライザー反応器の出口において
高速気体−固体分離システムによって分離し、該反応排
出物をクエンチした後に分離することによってエチレン
およびプロピレン含有気体生成物および液体生成物を
得、該使用された触媒を蒸気でストリッピングした後に
除去して再生器に移して酸素含有ガスに接触させてコー
クス燃焼(coke burning off)によって再生し、再生され
た触媒をストリッピングした後に該反応器に再循環して
再使用することを包含するプロセスであり、該重炭化水
素は、熱い柱状層間粘土モレキュラーシーブおよび／ま
たはリンとアルミニウムまたはマグネシウムまたはカル
シウムとによって変性されたペンタシル構造を有する高
シリカゼオライトを含有する触媒に、ライザーまたはダ
ウンフロー移動ライン反応器中において接触され、６５
０℃から７５０℃の温度、０．１５から０．４ＭＰａの
圧力、０．２から５秒の接触時間、触媒対供給原料の重
量比が１５：１から４０：１、および蒸気対供給原料の
重量比が０．３：１から１：１で接触式熱分解される、
プロセス。 - 【請求項２】 前記触媒はＹモレキュラーシーブをさら
に包含し得る、請求項１に記載のプロセス。 - 【請求項３】 前記柱状層間粘土モレキュラーシーブは
柱状層間レクトライトである、請求項１に記載のプロセ
ス。 - 【請求項４】 前記リンとアルミニウムまたはマグネシ
ウムまたはカルシウムとによって変性された、ペンタシ
ル構造を有する高シリカゼオライトは、２〜８重量％リ
ンおよび０．３〜３．０重量％アルミニウムまたはマグ
ネシウムまたはカルシウム（ゼオライトの重量に基づ
き、酸化物として計算）を含有しておりペンタシル構造
を有する、Ｓｉ／Ａｌモル比が１５〜６０の高シリカゼ
オライトである、請求項１に記載のプロセス。 - 【請求項５】 前記ペンタシル構造を有する変性された
高シリカゼオライトは、０．３〜３．０重量％のニッケ
ル（ゼオライトの重量に基づき、酸化物として計算）を
さらに含有し得る、請求項４に記載のプロセス。 - 【請求項６】 前記ペンタシル構造を有する変性された
高シリカゼオライトは、ペンタシル構造を有する高シリ
カゼオライトおよび、アルミニウムホスフェートゾルま
たはマグネシウムホスフェートゾルまたはカルシウムホ
スフェートゾルを均質に混合した後、６０〜１００％蒸
気の存在下において４００〜６００℃で３〜６時間か焼
することによって調製される、請求項４に記載のプロセ
ス。 - 【請求項７】 前記ペンタシル構造を有する変性された
高シリカゼオライトは、ペンタシル構造を有する高シリ
カゼオライトおよび、リンとアルミニウムまたはマグネ
シウムまたはカルシウムとを含有する水溶液を均質に混
合した後、０．５〜４時間の浸漬、乾燥、および４５０
〜６５０℃で１〜４時間か焼することによって調製され
る、請求項４に記載のプロセス。 - 【請求項８】 前記ペンタシル構造を有する変性された
高シリカゼオライト中の前記ニッケルは、ニッケル化合
物および、ペンタシル構造を有する高シリカゼオライト
および、リンとアルミニウムまたはマグネシウムまたは
カルシウムとを含有する水溶液とを均質に混合した後、
０．５〜４時間の浸漬、乾燥、および４５０〜６５０℃
で１〜４時間か焼することによって導入される、請求項
５に記載のプロセス。 - 【請求項９】 前記ペンタシル構造を有する変性された
高シリカゼオライトは、ＺＳＭ−５、ＺＳＭ−８、また
はＺＳＭ−１１タイプの構造を有する高シリカゼオライ
ト群より選択される、請求項４または５に記載のプロセ
ス。 - 【請求項１０】 前記ペンタシル構造を有する高シリカ
ゼオライトは、水ガラス、アルミニウムホスフェート、
および無機酸を原材料として用い、Ｙゼオライトを結晶
種として用い、１３０〜２００℃で１２〜６０時間結晶
化を行うことによって調製される、請求項４または５に
記載のプロセス。 - 【請求項１１】 前記反応排出物は、軽炭化水素を前記
ライザー出口に急速冷却材として注入することによって
クエンチされる、請求項１に記載のプロセス。 - 【請求項１２】 前記重炭化水素供給材料は、大気圧ガ
ス状油、真空ガス状油、またはその混合物、ならびに残
留油または原油である、請求項１に記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN97119011 | 1997-10-15 | ||
| CN97119011.9 | 1997-10-15 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007185084A Division JP4590435B2 (ja) | 1997-10-15 | 2007-07-13 | 重炭化水素の接触式熱分解によるエチレンおよびプロピレンの製造プロセス |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11217341A true JPH11217341A (ja) | 1999-08-10 |
Family
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Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10294315A Withdrawn JPH11217341A (ja) | 1997-10-15 | 1998-10-15 | 重炭化水素の接触式熱分解によるエチレンおよびプロピレンの製造プロセス |
| JP2007185084A Expired - Lifetime JP4590435B2 (ja) | 1997-10-15 | 2007-07-13 | 重炭化水素の接触式熱分解によるエチレンおよびプロピレンの製造プロセス |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007185084A Expired - Lifetime JP4590435B2 (ja) | 1997-10-15 | 2007-07-13 | 重炭化水素の接触式熱分解によるエチレンおよびプロピレンの製造プロセス |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0909804B1 (ja) |
| JP (2) | JPH11217341A (ja) |
| DE (1) | DE69841882D1 (ja) |
| NO (1) | NO319519B1 (ja) |
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