JPH11204526A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH11204526A JPH11204526A JP624098A JP624098A JPH11204526A JP H11204526 A JPH11204526 A JP H11204526A JP 624098 A JP624098 A JP 624098A JP 624098 A JP624098 A JP 624098A JP H11204526 A JPH11204526 A JP H11204526A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】第一配線と第二配線とを電気的に接続する接続
孔において、第二配線たるアルミ金属の表面上に著しい
凹凸が発生してしまうという欠点がある。また、接続孔
内に被着される膜（アルミ金属を除く）の膜厚が増加す
るため、接続孔の電気抵抗が増加するという欠点もあ
る。 【解決手段】上記課題を解決するため、本願発明は、ア
ルミ３４と、前記アルミ３４上に形成された二酸化シリ
コン膜３５と、前記二酸化シリコン膜３５上にチタン膜
３６を介在さて形成された窒化チタン膜３７と、前記窒
化チタン膜３７の上面の所定の位置から前記アルミ３４
の上面にまで形成された接続孔３８と、少なくとも前記
接続孔３８内に形成されたアルミ４０と、前記接続孔３
８の側面と前記アルミ４０との間に形成された、前記ア
ルミ４０を前記接続孔３８に形成させやすくさせるため
のチタン膜３９とからなることを特徴とする。
孔において、第二配線たるアルミ金属の表面上に著しい
凹凸が発生してしまうという欠点がある。また、接続孔
内に被着される膜（アルミ金属を除く）の膜厚が増加す
るため、接続孔の電気抵抗が増加するという欠点もあ
る。 【解決手段】上記課題を解決するため、本願発明は、ア
ルミ３４と、前記アルミ３４上に形成された二酸化シリ
コン膜３５と、前記二酸化シリコン膜３５上にチタン膜
３６を介在さて形成された窒化チタン膜３７と、前記窒
化チタン膜３７の上面の所定の位置から前記アルミ３４
の上面にまで形成された接続孔３８と、少なくとも前記
接続孔３８内に形成されたアルミ４０と、前記接続孔３
８の側面と前記アルミ４０との間に形成された、前記ア
ルミ４０を前記接続孔３８に形成させやすくさせるため
のチタン膜３９とからなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、接続孔における
配線形成プロセスに関し、特に、第一配線へと接続され
る接続孔内に第二配線を形成するプロセスに関する。
配線形成プロセスに関し、特に、第一配線へと接続され
る接続孔内に第二配線を形成するプロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の接続孔における配線形成プロセス
について、図面を参酌しながら説明する。まず、図1 に
示したように、第一配線である金属配線1 上に二酸化シ
リコンから成る層間膜２を形成する。次に、レジストを
回転塗布法を用いて、層間膜２上に形成し、写真蝕刻法
を用いてレジストを所定の形状にパターニングする。そ
して、このパターニングされたレジストをマスクとして
異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いて、層間膜
２の上面から、金属配線１の上面へと接続される接続孔
３を形成する。次に、接続孔３の内面及び層間膜２の上
面にチタン膜４をスパッタ法を用いて被着させ、さらに
チタン膜４上に重ねるように窒化チタン膜５をスパッタ
法を用いて被着させる。
について、図面を参酌しながら説明する。まず、図1 に
示したように、第一配線である金属配線1 上に二酸化シ
リコンから成る層間膜２を形成する。次に、レジストを
回転塗布法を用いて、層間膜２上に形成し、写真蝕刻法
を用いてレジストを所定の形状にパターニングする。そ
して、このパターニングされたレジストをマスクとして
異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いて、層間膜
２の上面から、金属配線１の上面へと接続される接続孔
３を形成する。次に、接続孔３の内面及び層間膜２の上
面にチタン膜４をスパッタ法を用いて被着させ、さらに
チタン膜４上に重ねるように窒化チタン膜５をスパッタ
法を用いて被着させる。
【０００３】次に、この接続孔３に第二配線となるアル
ミ６を形成していく。このとき、約２００℃の条件でア
ルミ６をスパッタリングすると、図２に示したように、
カバーレッジが悪くなり、アルミ６の膜厚が均等になら
ず、金属配線としての信頼性が低下する。即ち、アルミ
６の膜厚が薄い部分７において、断線してしまうことが
考えられる。
ミ６を形成していく。このとき、約２００℃の条件でア
ルミ６をスパッタリングすると、図２に示したように、
カバーレッジが悪くなり、アルミ６の膜厚が均等になら
ず、金属配線としての信頼性が低下する。即ち、アルミ
６の膜厚が薄い部分７において、断線してしまうことが
考えられる。
【０００４】そこで、３５０℃から５００℃程度の温度
にしてアルミ６をスパッタリングすると、図３に示した
ように、接続孔３をアルミ６で完全に埋め込むことが可
能となる。ここで、窒化チタン膜５は、アルミ６の断線
を防止するためのものである。また、チタン膜４は、ア
ルミ６の配向性をよくするため及び窒化チタン膜５と層
間膜２との密着性をよくするためのものである。
にしてアルミ６をスパッタリングすると、図３に示した
ように、接続孔３をアルミ６で完全に埋め込むことが可
能となる。ここで、窒化チタン膜５は、アルミ６の断線
を防止するためのものである。また、チタン膜４は、ア
ルミ６の配向性をよくするため及び窒化チタン膜５と層
間膜２との密着性をよくするためのものである。
【０００５】しかし、接続孔３のアスペクト比が大きく
なると、この方法では、アルミ６が窒化チタン膜５の上
を流れて接続孔３内に完全には入っていかなくなり、断
線等を発生するという欠点がある。特に近年の半導体デ
バイスにおいては、アスペクト比の大きなものが主流と
なっており、この欠点は大きな問題となる。
なると、この方法では、アルミ６が窒化チタン膜５の上
を流れて接続孔３内に完全には入っていかなくなり、断
線等を発生するという欠点がある。特に近年の半導体デ
バイスにおいては、アスペクト比の大きなものが主流と
なっており、この欠点は大きな問題となる。
【０００６】そこで、図４に示したように、まず、金属
配線1 上に、例えば二酸化シリコン膜から成る層間膜２
を形成する。次に、図示せぬレジストを回転塗布法を用
いて、層間膜２上に形成し、写真蝕刻法を用いてレジス
トを所定の形状にパターニングする。そして、このパタ
ーニングされたレジストをマスクとして異方性エッチン
グ法、例えばＲＩＥ法を用いて、層間膜２に金属配線１
へと接続される接続孔３を形成する。次に、スパッタ法
を用いて、接続孔３の底面及び側面並びに層間膜２の上
面にチタン膜４を被着させ、さらにスパッタ法によりチ
タン膜４上に窒化チタン膜５を被着させる。そして、ス
パッタ法によりこの窒化チタン膜５の表面にチタン膜８
を被着させる。このチタン膜８は、後の工程で接続孔３
内に形成することになる配線、例えばアルミを接続孔３
内に入れやすくするための膜である。
配線1 上に、例えば二酸化シリコン膜から成る層間膜２
を形成する。次に、図示せぬレジストを回転塗布法を用
いて、層間膜２上に形成し、写真蝕刻法を用いてレジス
トを所定の形状にパターニングする。そして、このパタ
ーニングされたレジストをマスクとして異方性エッチン
グ法、例えばＲＩＥ法を用いて、層間膜２に金属配線１
へと接続される接続孔３を形成する。次に、スパッタ法
を用いて、接続孔３の底面及び側面並びに層間膜２の上
面にチタン膜４を被着させ、さらにスパッタ法によりチ
タン膜４上に窒化チタン膜５を被着させる。そして、ス
パッタ法によりこの窒化チタン膜５の表面にチタン膜８
を被着させる。このチタン膜８は、後の工程で接続孔３
内に形成することになる配線、例えばアルミを接続孔３
内に入れやすくするための膜である。
【０００７】次に、図５に示したように、３５０℃から
５００℃程度の温度でアルミ６をスパッタリングするこ
とにより、第二配線となるアルミ６を接続孔３に埋め込
んでいく。ここで、前述の通り、チタン膜８により、ア
スペクト比の大きな接続孔３に対しても第二配線たるア
ルミ６を埋め込むことが出来る。また、窒化チタン膜５
は、アルミ６の断線を防止するためのものである。ま
た、チタン膜４は、アルミ６の配向性向上及び窒化チタ
ン膜５と層間膜２との密着性向上のためのものである。
さらに、チタン膜８は、アルミ６が接続孔３に流れ込み
やすくするための膜である。
５００℃程度の温度でアルミ６をスパッタリングするこ
とにより、第二配線となるアルミ６を接続孔３に埋め込
んでいく。ここで、前述の通り、チタン膜８により、ア
スペクト比の大きな接続孔３に対しても第二配線たるア
ルミ６を埋め込むことが出来る。また、窒化チタン膜５
は、アルミ６の断線を防止するためのものである。ま
た、チタン膜４は、アルミ６の配向性向上及び窒化チタ
ン膜５と層間膜２との密着性向上のためのものである。
さらに、チタン膜８は、アルミ６が接続孔３に流れ込み
やすくするための膜である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術による
と、アスペクト比の大きな接続孔に配線となるアルミを
形成できないという欠点を、チタン膜８を形成すること
により解決できる。すなわち、チタン膜８の存在により
アルミ６が接続孔３に流れ込みやすくはなるものの、図
６に示したように、チタン膜８の存在により、第二配線
たるアルミ６の表面上に著しい凹凸が発生してしまうと
いう欠点が生じてしまう。そして、この凹凸により、後
のＰＥＰ工程で、合わせマークを合わせられず、パター
ニングが困難となる欠点が生じる。また、チタン膜８に
より接続孔３内に被着される膜（アルミ６を除く）の膜
厚が増加する。これにより、接続孔３の径が小さくなる
ため、電気抵抗が増加するという欠点も生じる。
と、アスペクト比の大きな接続孔に配線となるアルミを
形成できないという欠点を、チタン膜８を形成すること
により解決できる。すなわち、チタン膜８の存在により
アルミ６が接続孔３に流れ込みやすくはなるものの、図
６に示したように、チタン膜８の存在により、第二配線
たるアルミ６の表面上に著しい凹凸が発生してしまうと
いう欠点が生じてしまう。そして、この凹凸により、後
のＰＥＰ工程で、合わせマークを合わせられず、パター
ニングが困難となる欠点が生じる。また、チタン膜８に
より接続孔３内に被着される膜（アルミ６を除く）の膜
厚が増加する。これにより、接続孔３の径が小さくなる
ため、電気抵抗が増加するという欠点も生じる。
【０００９】本願発明は、上述の欠点に鑑みてなされた
ものであり、第二配線たるアルミの表面の凹凸を抑える
ほか、接続孔内に被着される膜の膜厚を薄くすること
で、接続孔の電気抵抗を従来の方法よりも減少させるこ
とを目的としている。
ものであり、第二配線たるアルミの表面の凹凸を抑える
ほか、接続孔内に被着される膜の膜厚を薄くすること
で、接続孔の電気抵抗を従来の方法よりも減少させるこ
とを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願発明は、金属配線と、前記金属配線上に形成さ
れた絶縁膜と、前記絶縁膜上に他の層を介在さて形成さ
れた導電膜と、前記導電膜の上面の所定の位置から前記
金属配線の上面にまで形成された接続孔と、少なくとも
前記接続孔内に形成された配線と、前記接続孔の側面と
前記配線との間に形成された、前記配線を前記接続孔に
形成させやすくさせるための潤滑膜とからなることを特
徴とする。
め、本願発明は、金属配線と、前記金属配線上に形成さ
れた絶縁膜と、前記絶縁膜上に他の層を介在さて形成さ
れた導電膜と、前記導電膜の上面の所定の位置から前記
金属配線の上面にまで形成された接続孔と、少なくとも
前記接続孔内に形成された配線と、前記接続孔の側面と
前記配線との間に形成された、前記配線を前記接続孔に
形成させやすくさせるための潤滑膜とからなることを特
徴とする。
【００１１】本願発明は、上述の構成を採用することに
より、第二配線たるアルミの表面の凹凸を抑えることが
できる。また、接続孔内に被着される膜の膜厚を小さく
することで、接続孔の電気抵抗を従来の方法よりも減少
させることも可能となる。
より、第二配線たるアルミの表面の凹凸を抑えることが
できる。また、接続孔内に被着される膜の膜厚を小さく
することで、接続孔の電気抵抗を従来の方法よりも減少
させることも可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の第一の実施の形
態について図面を参酌して説明する。本願発明の代表的
な実施の形態として、ＤＲＡＭの周辺回路の形成に利用
する場合について説明する。
態について図面を参酌して説明する。本願発明の代表的
な実施の形態として、ＤＲＡＭの周辺回路の形成に利用
する場合について説明する。
【００１３】まず、図７に示したように、ＤＲＡＭのセ
ルアレイ部及び周辺回路部を形成する。ここではＤＲＡ
Ｍとして、例えばトレンチキャパシタ型のものを例に採
り説明する。このＤＲＡＭにおいて、Ｐ型半導体基板２
１にトレンチキャパシタ２２が形成され、ゲート電極は
ポリシリコン２５、珪化シリサイド２６、窒化シリコン
２７から成っている。また、タングステン２８を通じて
拡散層４１とタングステン３１とは電気的に接続されて
いる。このトレンチキャパシタ２２は拡散層４１を通じ
てゲート電極となる。
ルアレイ部及び周辺回路部を形成する。ここではＤＲＡ
Ｍとして、例えばトレンチキャパシタ型のものを例に採
り説明する。このＤＲＡＭにおいて、Ｐ型半導体基板２
１にトレンチキャパシタ２２が形成され、ゲート電極は
ポリシリコン２５、珪化シリサイド２６、窒化シリコン
２７から成っている。また、タングステン２８を通じて
拡散層４１とタングステン３１とは電気的に接続されて
いる。このトレンチキャパシタ２２は拡散層４１を通じ
てゲート電極となる。
【００１４】次に、図８に示したように、絶縁膜３０上
に金属配線、例えばアルミをスパッタ法を用いて形成す
る。そして、このアルミ上に図示せぬレジストを、例え
ば回転塗布法を用いて形成し、このレジストを写真蝕刻
法を用いて所定の形状にパターニングする。さらに、こ
のパターニングされたレジストをマスクとして異方性エ
ッチング法、例えばＲＩＥ法を用いて、金属配線として
使用されるアルミ３４を形成する。このアルミ３４は、
配線膜厚が数百ｎｍ程度であり、配線幅も数百ｎｍ程度
である。ここで、金属配線として、アルミの他、例えば
０．５％の重量濃度になるように銅を混ぜたアルミ合金
や、１．０％と０．５％の重量濃度になるように、それ
ぞれシリコン及び銅を混ぜたアルミ合金等、アルミを主
成分とするアルミ合金を使用することもできる。
に金属配線、例えばアルミをスパッタ法を用いて形成す
る。そして、このアルミ上に図示せぬレジストを、例え
ば回転塗布法を用いて形成し、このレジストを写真蝕刻
法を用いて所定の形状にパターニングする。さらに、こ
のパターニングされたレジストをマスクとして異方性エ
ッチング法、例えばＲＩＥ法を用いて、金属配線として
使用されるアルミ３４を形成する。このアルミ３４は、
配線膜厚が数百ｎｍ程度であり、配線幅も数百ｎｍ程度
である。ここで、金属配線として、アルミの他、例えば
０．５％の重量濃度になるように銅を混ぜたアルミ合金
や、１．０％と０．５％の重量濃度になるように、それ
ぞれシリコン及び銅を混ぜたアルミ合金等、アルミを主
成分とするアルミ合金を使用することもできる。
【００１５】次に、図９に示したように、絶縁膜３０上
にアルミ３４が埋まるように層間絶縁膜、例えば二酸化
シリコン膜３５を、温度４００℃以下程度でプラズマＣ
ＶＤ法を用いて、厚さ数百ｎｍ程度に形成する。
にアルミ３４が埋まるように層間絶縁膜、例えば二酸化
シリコン膜３５を、温度４００℃以下程度でプラズマＣ
ＶＤ法を用いて、厚さ数百ｎｍ程度に形成する。
【００１６】次に、図１０に示したように、二酸化シリ
コン膜３５上の上面に、チタン膜３６をスパッタ法を用
いて、厚さ数十ｎｍ程度に形成する。さらに、チタン膜
３６の上面に窒化チタン膜３７をスパッタ法を用いて、
厚さ数十ｎｍ程度に形成する。
コン膜３５上の上面に、チタン膜３６をスパッタ法を用
いて、厚さ数十ｎｍ程度に形成する。さらに、チタン膜
３６の上面に窒化チタン膜３７をスパッタ法を用いて、
厚さ数十ｎｍ程度に形成する。
【００１７】次に、図１１に示したように、レジストを
回転塗布法を用いて、窒化チタン膜３７上に形成し、写
真蝕刻法を用いてレジストを所定の形状にパターニング
する。さらに、このパターニングされたレジストをマス
ク材として異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用い
て、窒化チタン膜３７並びにチタン膜３６及び二酸化シ
リコン膜３５を除去し、窒化チタン膜３７の上面からア
ルミ３４の上面にまで、接続孔３８を形成する。但し、
接続孔３８は周辺回路部にのみ形成している。
回転塗布法を用いて、窒化チタン膜３７上に形成し、写
真蝕刻法を用いてレジストを所定の形状にパターニング
する。さらに、このパターニングされたレジストをマス
ク材として異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用い
て、窒化チタン膜３７並びにチタン膜３６及び二酸化シ
リコン膜３５を除去し、窒化チタン膜３７の上面からア
ルミ３４の上面にまで、接続孔３８を形成する。但し、
接続孔３８は周辺回路部にのみ形成している。
【００１８】次に、図１２に示したように、接続孔３８
内及び窒化チタン膜３７の上面にスパッタ法を用いて厚
さ数十ｎｍ程度にチタン膜３９を形成する。次に、図１
３に示したように、チタン膜３９を異方性エッチング
法、例えばＲＩＥ法を用いてエッチング除去することに
より、接続孔３８の側面にのみ残す。これにより、接続
孔３８の側面にのみチタン膜３９を形成する。
内及び窒化チタン膜３７の上面にスパッタ法を用いて厚
さ数十ｎｍ程度にチタン膜３９を形成する。次に、図１
３に示したように、チタン膜３９を異方性エッチング
法、例えばＲＩＥ法を用いてエッチング除去することに
より、接続孔３８の側面にのみ残す。これにより、接続
孔３８の側面にのみチタン膜３９を形成する。
【００１９】次に、図１４に示したように、窒化チタン
膜３７上の全面に第二配線となるアルミ４０をスパッタ
法を用いて、厚さ数百ｎｍから１μｍ程度に形成する。
窒化チタン膜３７は、第二配線たるアルミ４０の断線を
防止し、配線としての信頼性を向上させるためのもので
ある。チタン膜３６は、アルミ４０の配向性を向上させ
る。即ち、チタン膜３６の配向性は揃っており、これに
引き摺られるようにしてチタン窒化膜３７の配向性も揃
い、さらにアルミ４０の配向性も揃うこととなる。さら
にチタン膜３６は、窒化チタン膜３７と二酸化シリコン
膜３５とを直接付けることにより後の工程で窒化チタン
膜３７が二酸化シリコン膜３５から剥離することを防止
するために、相互の密着性向上を図るためのものでもあ
る。チタン膜３９は、アルミ４０を接続孔３８に流れ込
みやすくさせる性質があるため、これを形成しておくこ
とにより、アルミ４０を接続孔３８内に形成させやすく
するためのものである。なお、全面に形成したアルミ４
０のうち窒化チタン膜３７の上面より上の部分をＣＭＰ
法を用いて除去した後、全面にアルミ以外の配線、例え
ばタングステンを形成することも可能である。
膜３７上の全面に第二配線となるアルミ４０をスパッタ
法を用いて、厚さ数百ｎｍから１μｍ程度に形成する。
窒化チタン膜３７は、第二配線たるアルミ４０の断線を
防止し、配線としての信頼性を向上させるためのもので
ある。チタン膜３６は、アルミ４０の配向性を向上させ
る。即ち、チタン膜３６の配向性は揃っており、これに
引き摺られるようにしてチタン窒化膜３７の配向性も揃
い、さらにアルミ４０の配向性も揃うこととなる。さら
にチタン膜３６は、窒化チタン膜３７と二酸化シリコン
膜３５とを直接付けることにより後の工程で窒化チタン
膜３７が二酸化シリコン膜３５から剥離することを防止
するために、相互の密着性向上を図るためのものでもあ
る。チタン膜３９は、アルミ４０を接続孔３８に流れ込
みやすくさせる性質があるため、これを形成しておくこ
とにより、アルミ４０を接続孔３８内に形成させやすく
するためのものである。なお、全面に形成したアルミ４
０のうち窒化チタン膜３７の上面より上の部分をＣＭＰ
法を用いて除去した後、全面にアルミ以外の配線、例え
ばタングステンを形成することも可能である。
【００２０】また、チタン膜３９を異方性エッチング
法、例えばＲＩＥ法を用いて接続孔３８の側面にのみ残
す工程（図１３参照）において、窒化チタン膜３７の上
面に形成されていたチタン膜３９は除去されるため、We
tting Layer 膜であるチタン膜３９の存在により、第二
配線たるアルミ４０の上面に著しい凹凸が発生してしま
うという欠点を抑えることが可能となる。
法、例えばＲＩＥ法を用いて接続孔３８の側面にのみ残
す工程（図１３参照）において、窒化チタン膜３７の上
面に形成されていたチタン膜３９は除去されるため、We
tting Layer 膜であるチタン膜３９の存在により、第二
配線たるアルミ４０の上面に著しい凹凸が発生してしま
うという欠点を抑えることが可能となる。
【００２１】以上詳述したように、従来は接続孔のアス
ペクト比が１前後でないと、第二配線となるアルミの形
成工程をすることができなかったものの、本実施例によ
れば、アスペクト比が２又は２．５程度であっても、こ
の形成工程（図１３参照）を行うことが出来るようにな
る。
ペクト比が１前後でないと、第二配線となるアルミの形
成工程をすることができなかったものの、本実施例によ
れば、アスペクト比が２又は２．５程度であっても、こ
の形成工程（図１３参照）を行うことが出来るようにな
る。
【００２２】また、従来は接続孔内にチタン膜４及びチ
タン窒化膜５並びにチタン膜８の３層が形成されていた
のに対し（図５参照）、本願発明によれば、接続孔３８
内には、チタン膜３９が形成されているだけで、このチ
タン膜３９の膜厚はそれほど厚くないため、接続孔の電
気抵抗の増加を抑えることも可能となる。
タン窒化膜５並びにチタン膜８の３層が形成されていた
のに対し（図５参照）、本願発明によれば、接続孔３８
内には、チタン膜３９が形成されているだけで、このチ
タン膜３９の膜厚はそれほど厚くないため、接続孔の電
気抵抗の増加を抑えることも可能となる。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳述したように、本願発明によれ
ば、接続孔内に被着される膜の膜厚を小さくすること
で、接続孔の電気抵抗を従来の方法よりも減少させるこ
とが可能となる。
ば、接続孔内に被着される膜の膜厚を小さくすること
で、接続孔の電気抵抗を従来の方法よりも減少させるこ
とが可能となる。
【図１】接続孔における配線形成に関する従来技術を示
す工程断面図。
す工程断面図。
【図２】接続孔における配線形成に関する従来技術の欠
点を示す工程断面図。
点を示す工程断面図。
【図３】接続孔における配線形成に関する従来技術を示
す工程断面図。
す工程断面図。
【図４】接続孔における配線形成に関する従来技術を示
す工程断面図。
す工程断面図。
【図５】接続孔における配線形成に関する従来技術を示
す工程断面図。
す工程断面図。
【図６】接続孔における配線形成に関する従来技術の欠
点を示す工程断面図。
点を示す工程断面図。
【図７】本願発明の実施の形態の説明に用いるトレンチ
型ＤＲＡＭの断面図。
型ＤＲＡＭの断面図。
【図８】本願発明の実施の形態を示す工程断面図。
【図９】本願発明の実施の形態を示す工程断面図。
【図１０】本願発明の実施の形態を示す工程断面図。
【図１１】本願発明の実施の形態を示す工程断面図。
【図１２】本願発明の実施の形態を示す工程断面図。
【図１３】本願発明の実施の形態を示す工程断面図。
【図１４】本願発明の実施の形態を示す工程断面図。
１・・・・金属配線 ２・・・・層間膜 ３・・・・接続孔 ４・・・・チタン膜 ５・・・・窒化チタン膜 ６・・・・アルミ ７・・・・アルミ６の膜厚が薄い部分 ８・・・・チタン膜 ２１・・・・Ｐ型半導体基板 ２２・・・・トレンチキャパシタ ２３・・・・ＴＥＯＳ膜 ２４・・・・酸化膜 ２５・・・・ポリシリコン ２６・・・・珪化シリサイド ２７・・・・窒化シリコン ２８・・・・タングステン ２９・・・・絶縁膜 ３０・・・・絶縁膜 ３１・・・・タングステン膜 ３２・・・・ポリシリコン ３３・・・・タングステン ３４・・・・アルミ ３５・・・・二酸化シリコン膜 ３６・・・・チタン膜 ３７・・・・窒化チタン膜 ３８・・・・接続孔 ３９・・・・チタン膜 ４０・・・・アルミ ４１・・・・拡散層
Claims (11)
- 【請求項１】 金属配線と、 前記金属配線上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に他の層を介在して形成された導電膜と、 前記導電膜の上面の所定の位置から前記金属配線の上面
にまで形成された接続孔と、 少なくとも前記接続孔内に形成された配線と、 前記接続孔の側面と前記配線との間に形成され、前記配
線を前記接続孔に形成させやすくさせるための潤滑膜と
からなる半導体装置。 - 【請求項２】 前記配線としてアルミを用いることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記導電膜を窒化チタン膜とし、前記他
の層をチタン膜とすることを特徴とする請求項1 記載の
半導体装置。 - 【請求項４】 前記配線としてアルミを用い、かつ前記
潤滑膜をチタン膜とすることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。 - 【請求項５】 金属配線と、 前記金属配線上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された導電膜と、 前記導電膜の上面の所定の位置から前記金属配線の上面
にまで形成された接続孔と、 少なくとも前記接続孔内に形成された配線と、 前記接続孔の側面と前記配線との間に形成された、前記
配線を前記接続孔に形成させやすくさせるための潤滑膜
とからなる半導体装置。 - 【請求項６】 前記配線としてアルミを用いることを特
徴とする請求項５記載の半導体装置。 - 【請求項７】 前記導電膜を窒化チタン膜とすることを
特徴とする請求項５記載の半導体装置。 - 【請求項８】 前記配線としてアルミを用い、かつ前記
潤滑膜をチタン膜とすることを特徴とする請求項５記載
の半導体装置。 - 【請求項９】 前記配線としてアルミを用い、前記導電
膜として窒化チタン膜を用い、かつ、前記潤滑膜として
チタン膜を用いることを特徴とする請求項５記載の半導
体装置。 - 【請求項１０】 金属配線上に絶縁膜を形成する工程
と、 前記絶縁膜上に他の層を介在させて導電膜を形成する工
程と、 前記導電膜の面上の所定の位置から前記金属配線の上面
に接続するように接続孔を形成する工程と、 前記接続孔の側面に所定の膜を形成する工程と、 少なくとも前記接続孔内に配線を形成する工程とからな
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 金属配線上に絶縁膜を形成する工程
と、 前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、 前記導電膜の面上の所定の位置から前記金属配線の上面
に接続するように接続孔を形成する工程と、 前記接続孔の側面に所定の膜を形成する工程と、 少なくとも前記接続孔内に配線を形成する工程とからな
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP624098A JPH11204526A (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP624098A JPH11204526A (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204526A true JPH11204526A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11632992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP624098A Pending JPH11204526A (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6509649B1 (en) | 1999-02-08 | 2003-01-21 | Nec Corporation | Semiconductor device and fabricating method thereof |
-
1998
- 1998-01-16 JP JP624098A patent/JPH11204526A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6509649B1 (en) | 1999-02-08 | 2003-01-21 | Nec Corporation | Semiconductor device and fabricating method thereof |
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