JPH11191080A - メモリ試験装置 - Google Patents

メモリ試験装置

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Publication number
JPH11191080A
JPH11191080A JP9359625A JP35962597A JPH11191080A JP H11191080 A JPH11191080 A JP H11191080A JP 9359625 A JP9359625 A JP 9359625A JP 35962597 A JP35962597 A JP 35962597A JP H11191080 A JPH11191080 A JP H11191080A
Authority
JP
Japan
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address
burst
memory
pattern generator
counter
Prior art date
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Pending
Application number
JP9359625A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Kurosaki
寛 黒▲崎▼
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Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 被試験メモリがバースト・モードで動作する
場合に、パターン発生器よりファストアドレスのみを発
生し、以降のバーストアドレスの発生を不要にする。 【解決手段】 バーストアドレス生成回路8を追加する
ことによって、被試験メモリ3がバースト・モードで動
作する場合、パターン発生器2より入力されるファスト
アドレスを用いて、全てのバーストアドレスを演算し、
その演算したバーストアドレスをフェイルメモリ5に与
える。バーストアドレス生成回路8には、ファストアド
レスを保持する回路9と、カウンタ10と、そのカウン
タ10の出力及びアドレス保持回路9のデータとから全
てのバーストアドレスを演算する演算器(加算器)1
1,演算器11の出力とパターン発生器2のアドレス信
号とのいずれかを切換選択してフェイルメモリ5に与え
るマルチプレクサ12が設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は被試験メモリがバ
ースト・モードで動作する場合に、パターン発生器から
ファストアドレスのみを発生し、そのファストアドレス
に適合するように全てのバーストアドレスをハードウェ
アで演算してフェイルメモリに供給するようにして、パ
ターン発生プログラムの作成を容易にしたメモリ試験装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のメモリ試験装置の概要を図3を参
照して説明する。パターン発生器2から試験パターン信
号S1が被試験メモリ(MUTとも言う)3に、期待値
パターン信号S2が論理比較器4にそれぞれ与えられ
る。またパターン発生器2より、試験パターン信号S1
及び期待値パターン信号S2に付加されているアドレス
信号と同じアドレスを指すアドレス信号ADが不良解析
メモリ(フェイルメモリとも言う)5に与えられる。
【0003】MUT3より試験パターン信号S1に対す
る応答出力S3が論理比較器4に与えられると、論理比
較器4ではその応答出力S3と期待値パターン信号S2
とが比較され、不一致が検出される。そして不一致が検
出されるたびに論理“1”のフェイルデータFDがフェ
イルメモリ5に与えられる。不一致となった応答出力を
発生したMUT3の不良セルのアドレスと同じ内容のア
ドレス信号ADがパターン発生器2からフェイルメモリ
5に直接与えられるので、そのアドレスに論理“1”の
フェイルデータFDが書き込まれる。
【0004】ところで、順々に転送されるデータの内、
特定の規定によって1単位として扱われる信号データの
固まりをバースト(burst)と呼ぶが、MUT3がバース
ト・モードで動作する場合には、パターン発生器2から
試験パターン信号S1に付加してMUT3に与えるアド
レスはバースト開始アドレス(ファストアドレスと言
う)のみであり、それ以降のアドレスはMUT3の内部
で自動生成される。
【0005】バースト・モードで動作中のMUT3の全
てのアドレスのフェイル情報をフェイルメモリ5に取り
込むためには、ファストアドレスのみならず、MUT3
の内部で自動生成されているアドレスもパターン発生器
2で生成して、フェイルメモリ5に与える必要がある。
このため、パターン発生器2への命令となるパターン発
生プログラム(システムコントローラ6のメモリに格納
される)では、MUT3を動作させるための実アドレス
・データに加えて、フェイルメモリ5に与えるアドレス
・データも発生するようにプログラムを作成する。
【0006】いま、一例としてバースト長が4アドレス
で、バーストアドレスが1→2→3→0と変化する場合
のアドレスのタイミングチャートを図4に示す。Aはパ
ターン発生プログラムより得られるバーストアドレスで
あり、Bはパターン発生器2からMUT3に与えるファ
ストアドレス、Cはパターン発生器2よりフェイルメモ
リ5に与えるバーストアドレスである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来のメモリ試験装置
では、バースト・モードで動作するMUT3の不良セル
情報をフェイルメモリ5に取り込む場合、パターン発生
器2からMUT3に与えるアドレスはスタートアドレス
のみでよいが、フェイルメモリ5に対しては全てのバー
ストアドレスを発生させる必要がある。このためのパタ
ーン発生プロクラムは複雑となり、プロクラマにとって
大変な負担となっている。
【0008】この発明の目的は、バースト・モードで動
作するMUTを試験する場合に、パターン発生器よりフ
ァストアドレスのみ発生すればよいようにして、パター
ン発生プログラムを簡単化できるようにしたメモリ試験
装置を提供しようとするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】(1)請求項1の発明
は、パターン発生器から被試験メモリに試験パターン信
号を与え、被試験メモリの応答出力と前記パターン発生
器から出力される期待値パターンとを論理比較器で比較
し、不一致を検出すると、フェイルメモリの前記不一致
の発生した被試験メモリのアドレスと同じアドレスにフ
ェイルデータが書き込まれるメモリ試験装置に関する。
【0010】請求項1では特に被試験メモリがバースト
・モードで動作する場合、パターン発生器より入力され
るファストアドレスを用いて、全てのバーストアドレス
を演算し、その演算したバーストアドレスをフェイルメ
モリに与えるバーストアドレス生成回路を備えたもので
ある。 (2)請求項2の発明は、前記(1)において、バース
トアドレス生成回路は、被試験メモリがバースト・モー
ドで動作するとき前記の演算したバーストアドレスを、
またバースト・モードで無いとき前記パターン発生器よ
り入力されるアドレス信号をそれぞれ切換選択して前記
フェイルメモリに与えるマルチプレクサを備えているも
のである。
【0011】(3)請求項3の発明は、前記(1)にお
いて、バーストアドレス生成回路が、ファストアドレス
を保持するアドレス保持回路と、カウンタと、そのカウ
ンタの出力及びアドレス保持回路より出力されるファス
トアドレスから全てのバーストアドレスを演算する演算
器とを具備するものである。 (4)請求項4の発明は、前記(3)において、カウン
タは予めバースト長Nに応じて最大カウント数N−1が
設定され、クロックを計数して0→1→2→…→(N−
1)→0→1…と変化する計数値を出力するようにした
ものである。
【0012】(5)請求項5の発明は、前記(3)にお
いて、演算器が加算器より成るものである。
【0013】
【発明の実施の形態】この発明の実施例を図1に、図3
と対応する部分に同じ符号を付して示し、重複説明を省
略する。この発明では、MUT3がバースト・モードで
動作する場合に、パターン発生器2よりファストアドレ
スのみを与えられ、そのファストアドレスに適合するよ
うに全てのバーストアドレスを演算してフェイルメモリ
5に与えることのできるバーストアドレス生成回路8を
追加している。これによって、パターン発生器2では従
来MUT3に与えていたファストアドレスのみをアドレ
ス信号ADとしてバーストアドレス生成回路8に与えれ
ばよくなり、パターン発生プロクラムが極めて簡単にな
る。
【0014】バーストアドレス生成回路8は、アドレス
保持回路9と、カウンタ10と、加算器11と、マルチ
プレクサ12で構成される。バースト・モードのMUT
3を試験する場合は、システムコントローラ6から与え
られるセレクト信号によってマルチプレクサ12ではb
〜c間が接続される。また、システムコントローラ6よ
りカウンタ10出力が0→1→2…(N−1)と変化す
るときの最大カウント数N−1がバースト長N(アドレ
ス)に合わせて予めカウンタ10に設定される。
【0015】パターン発生器2よりアドレス信号ADと
してスタートアドレス(図2A)が出力され、アドレス
保持回路9に書き込まれる(図2B)。カウンタ10は
タイミング発生器7より与えられるクロックパルスCL
K(図2D)を計数して、バースト長N=4で、最大カ
ウント数N−1が3の場合、つまり2進、2桁の場合
は、0→1→2→3→0→1→2→3→0→1…と変化
する計数値を出力する(図2C)。この計数出力は加算
器11でアドレス保持回路9より出力されるファストア
ドレス“1”と加算されて、1→2→3→0→1→2→
3→0→1→2…と変化する加算後のデータがマルチプ
レクサ12を介してフェイルメモリ5のアドレス入力端
子Aに与えられる(図2E)。
【0016】なお、MUT3がバースト・モードで無い
ときは、マルチプレクサ12はa〜c間が接続され、パ
ターン発生器2のアドレス信号ADが従来と同様にフェ
イルメモリ5に与えられる。
【0017】
【発明の効果】この発明では、MUT3がバースト・モ
ードで動作する場合、パターン発生器2よりファストア
ドレスのみが与えられ、そのファストアドレスに適合す
るように全てのバーストアドレスを演算し、その演算し
たアドレスをフェイルメモリ5に与えるバーストアドレ
ス生成回路8を追加したので、パターン発生器2に対す
るパターン発生プログラムでは、バーストアドレス生成
回路8に与えるアドレス信号ADとして従来よりMUT
3に与えていたファストアドレスと同じアドレスを与え
るようにプログラムを作成すればよいので、従来に比べ
て大幅に簡単化できる。
【0018】パターン発生器2よりバーストアドレス生
成回路8に与えるファストアドレス以降は、任意のアド
レスを発生するようにして、そのアドレスを例えばMU
T3内のメモリバンクのプリチャージに使用するなど、
種々の応用が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を示すブロック図。
【図2】図1の要部の信号波形図。
【図3】従来のメモリ試験装置のブロック図。
【図4】図3の要部の信号波形図。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パターン発生器から被試験メモリに試験
    パターン信号を与え、被試験メモリの応答出力と前記パ
    ターン発生器から出力される期待値パターンとを論理比
    較器で比較し、不一致を検出すると、フェイルメモリの
    前記不一致の発生した被試験メモリのアドレスと同じア
    ドレスにフェイルデータが書き込まれるメモリ試験装置
    において、 被試験メモリがバースト・モードで動作する場合、前記
    パターン発生器より入力されるファストアドレスを用い
    て、全てのバーストアドレスを演算し、その演算したバ
    ーストアドレスを前記フェイルメモリに与えるバースト
    アドレス生成回路を備えたことを特徴とするメモリ試験
    装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記バーストアドレ
    ス生成回路は、被試験メモリがバースト・モードで動作
    するとき前記の演算したバーストアドレスを、またバー
    スト・モードで無いとき前記パターン発生器より入力さ
    れるアドレス信号をそれぞれ切換選択して前記フェイル
    メモリに与えるマルチプレクサを備えていることを特徴
    とするメモリ試験装置。
  3. 【請求項3】 請求項1において、前記バーストアドレ
    ス生成回路が、前記ファストアドレスを保持するアドレ
    ス保持回路と、カウンタと、そのカウンタの出力及び前
    記アドレス保持回路より出力されるファストアドレスか
    ら全てのバーストアドレスを演算する演算器とを具備す
    ることを特徴とするメモリ試験装置。
  4. 【請求項4】 請求項3において、前記カウンタは予め
    バースト長Nに応じて最大カウント数N−1が設定さ
    れ、クロックを計数して0→1→2→…→(N−1)→
    0→1…と変化する計数値を出力することを特徴とする
    メモリ試験装置。
  5. 【請求項5】 請求項3において、前記演算器が加算器
    より成ることを特徴とするメモリ試験装置。
JP9359625A 1997-12-26 1997-12-26 メモリ試験装置 Pending JPH11191080A (ja)

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JP9359625A JPH11191080A (ja) 1997-12-26 1997-12-26 メモリ試験装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008052770A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Yokogawa Electric Corp 半導体試験装置
JP2008243323A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Yokogawa Electric Corp 半導体試験装置
KR100869682B1 (ko) 2006-03-23 2008-11-21 요코가와 덴키 가부시키가이샤 메모리 테스트 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100869682B1 (ko) 2006-03-23 2008-11-21 요코가와 덴키 가부시키가이샤 메모리 테스트 장치
JP2008052770A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Yokogawa Electric Corp 半導体試験装置
JP2008243323A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Yokogawa Electric Corp 半導体試験装置

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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20030506