JPH11185222A

JPH11185222A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH11185222A
Application number: JP34982997A
Authority: JP
Inventors: Teruyuki Inaguma; 輝往稲熊
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-12-18
Filing date: 1997-12-18
Publication date: 1999-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気記録媒体との摺動によりＭＲ素子が摩耗
しても、長時間安定して動作させることのできる磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
磁気記録媒体を摺動させて、当該磁気記録媒体からの信
号を再生する磁気抵抗効果型磁気ヘッドであり、磁気抵
抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の一方の端部に接
続された第１の導体と、上記磁気抵抗効果素子の他方の
端部に接続された第２の導体とを有する。そして本発明
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、上記磁気抵抗効果素子
と上記第１の導体との接合面と、上記磁気抵抗効果素子
と上記第２の導体との接合面との間隔が、磁気記録媒体
との摺動面からの距離に従って次第に狭くなることを特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体と摺
動して情報の記録再生を行う磁気ヘッド装置に搭載され
る、磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】ビデオテープレコーダ、デジタルオーデ
ィオテープレコーダ、データストレージ装置等に搭載さ
れる磁気ヘッド装置として、図２４に示すように、磁気
記録媒体２０に対して記録又は再生を行う１個以上の磁
気ヘッド２１を、回転ドラム２２に搭載したものが用い
られている。上記磁気ヘッド装置により情報の記録再生
を行う場合には、上記回転ドラム２２を磁気テープ等の
磁気記録媒体２０に接触させた状態で回転させることに
より、該回転ドラム２２に搭載される磁気ヘッド２１を
磁気記録媒体２０に対して接触した状態で走査させて、
所定の記録トラックに対して情報の記録再生を行う。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に磁気ヘッド２１を磁気記録媒体２０に対して接触した
状態で走査させると、磁気記録媒体２０との摺動により
磁気ヘッド２１の摺動面が摩耗してしまう。

【０００４】特にヘリカルスキャニング方式のように高
速で摺動する記録再生システムでは、ヘッド摺動面の摩
耗により出力が不安定になってしまう。また、ヘッド摺
動面の摩耗はヘッド寿命を決める上で極めて重要な問題
である。

【０００５】またこのシステムに磁気抵抗効果型素子
（以下、ＭＲ素子と称する。）を用いた再生用磁気ヘッ
ドを搭載することを想定した場合、ＭＲ素子の摩耗によ
り、感度低下、バイアス量の変化、安定動作性の低下、
抵抗値の変化等の致命的な問題を生じる恐れがある。

【０００６】そのなかでも特に問題となるのが、ＭＲ素
子の形状変化により、ＭＲ素子の抵抗値が変動してしま
うことである。ＭＲ素子を用いた磁気ヘッドでは、ＭＲ
素子の初期抵抗値に対する、磁気抵抗効果による抵抗変
動の割合を電気信号として検出している。ＭＲ素子の摩
耗により初期抵抗値が変動しても検出を行うためには、
信号処理等により補正を行わなければならず、システム
上の大きな負担となる。

【０００７】このような問題に対し、これまでに基板材
料や基板の形状等を改良することでＭＲ素子の摩耗を回
避する努力が行われてきたが、実用的に十分なレベルに
は達しておらず、磁気ヘッドを長時間安定して動作させ
ることは極めて困難な状況にある。

【０００８】本発明は上述したような従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、磁気記録媒体との摺動により
ＭＲ素子が摩耗しても、長時間安定して動作させること
のできる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目
的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
磁気ヘッドは、磁気記録媒体を摺動させて、当該磁気記
録媒体からの信号を再生する磁気抵抗効果型磁気ヘッド
であり、磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の
一方の端部に接続された第１の導体と、上記磁気抵抗効
果素子の他方の端部に接続された第２の導体とを有す
る。そして本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、上記
磁気抵抗効果素子と上記第１の導体との接合面と、上記
磁気抵抗効果素子と上記第２の導体との接合面との間隔
が、磁気記録媒体との摺動面からの距離に従って次第に
狭くなることを特徴とする。

【００１０】上述したような本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドでは、上記磁気抵抗効果素子と上記第１の
導体との接合面と、上記磁気抵抗効果素子と上記第２の
導体との接合面との間隔が、摺動面からの距離に従って
次第に狭くなっているので、上記磁気抵抗効果素子が摩
耗しても抵抗値が大きく変化するようなことはない。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００１２】なお、以下の説明では、磁気記録媒体から
の余分な磁束がＭＲ素子に入り込むのを防ぐために、Ｍ
Ｒ素子を絶縁層を介して軟磁性体で挟み込んだシールド
型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを例に挙げて説明する。
また、以下の説明では、ＳＡＬ（Soft Adjacent Laye
r）バイアス方式の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを例に挙
げて説明する。しかし本発明はこれに限定されるもので
はなく、シールド型以外の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
や、ＳＡＬバイアス方式以外の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドについても適用可能である。

【００１３】さらに、図面においては、特徴となる部分
を拡大して示している場合があり、実際の寸法と比率が
同じであるとは限らない。

【００１４】本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッド
（以下、ＭＲヘッドと称する。）の一構成例を図１に示
す。

【００１５】このＭＲヘッド１は、第１の基板２と、第
１の基板２上に形成された第１の絶縁膜３と、第１の絶
縁膜３上に形成されたＭＲヘッド素子４と、ＭＲヘッド
素子４上に形成された第２の絶縁膜５と、第２の絶縁膜
５上に接着された第２の基板６とから構成される。

【００１６】第１の基板２は、図１中矢印Ａで示される
磁気記録媒体７との摺動方向前端側のガード材とＭＲヘ
ッド１の下層シールドとを兼ねるものである。また、第
２の基板６は、磁気記録媒体７との摺動方向後端側のガ
ード材とＭＲヘッド１の上層シールドとを兼ねるもので
ある。第１の基板２及び第２の基板６には、硬質の軟磁
性材料が使用される。

【００１７】第１の絶縁膜３は、ＭＲヘッド１の下層ギ
ャップとなり、また、第２の絶縁膜５は、ＭＲヘッド１
の上層ギャップとなる。

【００１８】ＭＲヘッド素子４は、第１の絶縁膜３及び
第２の絶縁膜５を介して、第１の基板２及び第２の基板
６に挟持されている。

【００１９】図１に示したＭＲヘッド１に用いられるＭ
Ｒヘッド素子４の一構成例を図２に示す。このＭＲヘッ
ド素子４は、平行な一対の辺が磁気記録媒体７との摺動
面１ａと略平行になるように配された平面略台形のＭＲ
素子部８と、ＭＲ素子部８の平行な一対の辺の両端部に
配された永久磁石膜９ａ，９ｂと、永久磁石膜９ａ，９
ｂから導出された引き出し導体１０ａ，１０ｂと、引き
出し導体１０ａ，１０ｂの一端部に配された外部端子１
１ａ，１１ｂとを備える。

【００２０】ＭＲヘッド素子４において、ＭＲ素子部８
は、磁気抵抗効果を有するＭＲ素子と、ＳＡＬバイアス
方式によってバイアス磁界を上記ＭＲ素子に印加するた
めの軟磁性膜（いわゆるＳＡＬ膜）とが積層されてな
る。この軟磁性膜は、ＭＲ素子にバイアス磁界を与え
て、検出信号の直線性を高める働きをする。

【００２１】上記ＭＲ素子としては、公知の軟磁性材料
が使用可能である。具体的には、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣ
ｏ、パーマロイ合金ＮｉＦｅ−Ｘ（ＸはＴａ、Ｃｒ、Ｎ
ｂ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ
等がある。また、Ｘとしてこれらの元素が複数種類含有
されてもよい。）、ＣｏＺｒ系アモルファス等が挙げら
れる。

【００２２】そして上記ＭＲ素子部８は、平面形状が略
台形とされており、平行な一対の辺が磁気記録媒体７と
の摺動面と略平行になるように配され、平行な一対の辺
のうち長辺部分が、磁気記録媒体７との摺動面１ａに露
出するようになされている。

【００２３】上記ＭＲ素子部８の形状は、図３に示され
るように平行な一対の辺のうち、長辺の長さがＴ、短辺
の長さがｔ、上記長辺及び短辺に垂直な方向（以下、高
さ方向と称する。）の長さがＨ、そして厚さがｄとされ
ている。このときのＭＲ素子の抵抗をＲ₀とする。

【００２４】そして図４に示されるように、上記ＭＲ素
子部８が磁気記録媒体７との摺動により高さ方向にｈだ
け摩耗すると、短辺の長さｔ及び厚さｄはそのままであ
るが、長辺の長さがＴ₁、高さが（Ｈ−ｈ）となる。こ
のときのＭＲ素子の抵抗をＲ₁とする。

【００２５】上記ＭＲ素子部８の形状として、初期段階
での長辺の長さＴ、高さＨ、及び厚さｄは、使用するシ
ステムに応じ、使用周波数、ダイナミックレンジ、磁気
記録媒体７の磁化量により適切な値に決定される。一
方、ＭＲ素子部８の短辺の長さｔは、Ｒ₀とＲ₁とが略等
しくなるように決定される。このｔの大きさは、ＭＲ素
子が摩耗しても、ＭＲ素子としての機能を失わない限界
の摩耗量等に依存する。

【００２６】実際には、膜厚や形状によりＭＲ素子の抵
抗率が異なることや、ＭＲ素子部８中を流れるセンス電
流が必ずしも均一ではないため、計算によりｔを求める
ことは難しく、実験を行うことによりＭＲ素子部８の形
状を決定することが好ましい。

【００２７】具体的には、例えば、ＭＲ素子部８の長辺
の長さＴを約５μｍ、高さＨを約４μｍ、膜厚ｄを約９
５ｎｍ、限界摩耗量を約２．５μｍとしたとき、短辺の
長さｔは約４μｍ程度となる。

【００２８】永久磁石膜９ａ，９ｂは、図２に示すよう
に、上記ＭＲ素子部８の平行な一対の辺の両端部に設け
られ、永久磁石膜９ａ，９ｂからの磁場の影響によりＭ
Ｒ素子を単磁区化し、ＭＲ素子内における磁壁の移動に
よるバルクハウゼンノイズの発生を防止するものであ
る。

【００２９】これらの永久磁石膜９ａ，９ｂには例えば
ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ等、保磁力が１０００エル
ステッド以上である材料を用いることが好ましい。

【００３０】ところで、上記永久磁石膜９ａ，９ｂは導
電性を有しているので、このＭＲヘッド１において、セ
ンス電流は後述する引き出し導体１０ａ，１０ｂから永
久磁石膜９ａ，９ｂを介してＭＲ素子部８に供給され
る。そして、実際に磁気記録媒体７からの磁界を検出す
る感磁部となる部分は、永久磁石膜９ａ，９ｂ間に設け
られたＭＲ素子部８である。したがって、永久磁石膜９
ａと永久磁石膜９ｂとの間隔がトラック幅となり、永久
磁石膜９ａ，９ｂによってトラック幅が規制されること
になる。

【００３１】ここで、永久磁石膜９ａはＭＲ素子部８の
一方の端部に接続され、また永久磁石膜９ｂはＭＲ素子
部８の他方の端部に接続される。そして永久磁石膜９ａ
とＭＲ素子部８との接合面と、永久磁石膜９ｂとＭＲ素
子部８との接合面との間隔、すなわちトラック幅が、磁
気記録媒体との摺動面からの距離に従って次第に狭くな
っている。

【００３２】引き出し導体１０ａ，１０ｂは、導電性膜
からなり、ＭＲ素子部８及び永久磁石膜９ａ，９ｂへセ
ンス電流を供給するための電極である。この引き出し導
体１０ａ，１０ｂは、長手方向が高さ方向となるように
設けられた略長方形状をしており、磁気記録媒体７との
摺動面には露出していない。引き出し導体１０ａ，１０
ｂの長手方向の一端部は上記永久磁石膜９ａ，９ｂと接
続しており、この引き出し導体１０ａ，１０ｂを介して
上記永久磁石膜９ａ，９ｂ及びＭＲ素子部８にセンス電
流が供給される。

【００３３】外部端子１１ａ，１１ｂは外部と電気的接
続をとるためのものであり、引き出し導体１０ａ，１０
ｂの長手方向の他端部に形成される。

【００３４】このようなＭＲヘッド１を用いて磁気記録
媒体７から記録信号を読み出す際には、引き出し導体１
０ａ，１０ｂの一端部に形成された外部端子１１ａ，１
１ｂから引き出し導体１０ａ，１０ｂを介して第１のＭ
Ｒ素子部８にセンス電流を供給し、摺動面に沿ってＭＲ
素子部８にセンス電流を流す。そしてこのセンス電流に
より、磁気記録媒体７からの磁界によって生じるＭＲ素
子部８の抵抗変化を検出し、これによって磁気記録媒体
７からの記録信号を再生する。このとき、上記ＭＲ素子
部８は磁気記録媒体との摺動により摩耗するが、上記Ｍ
Ｒ素子部８の抵抗値はほとんど変化しないため、ＭＲヘ
ッド１は安定に動作することができる。

【００３５】以下、上述したような構成を有するＭＲヘ
ッド１の製造方法について説明する。

【００３６】まず、例えば直径が約３インチ、厚みが約
２ｍｍの円盤状の第１の基板２を用意する。この第１の
基板２は摺動方向前端側のガード材とＭＲヘッド１の下
層シールドとを兼ねるもので、硬質の軟磁性材料が使用
される。硬質の軟磁性材料として具体的には、例えばＮ
ｉ−Ｚｎフェライトや、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等があ
る。ここで、この第１の基板２上には後述するように多
数のＭＲヘッド素子４が形成されるため、表面粗度を向
上させるために、第１の基板２の表面に対して鏡面処理
を施しておく。

【００３７】次に、図５及び図６に示すように、表面が
鏡面状態とされた上記第１の基板２上に、下層ギャップ
となる絶縁膜３をスパッタリング等により形成する。こ
の絶縁膜３の材料としては、絶縁特性や耐摩耗性等を考
慮すると、例えばＡｌ₂Ｏ₃等が好適である。また、この
絶縁膜３の厚みはシステムで扱う周波数等に応じて決定
され、例えば約１９０ｎｍとする。

【００３８】次に、図７及び図８に示すように、上記絶
縁膜３上に、ＭＲ素子部８となるＭＲ素子部用薄膜８ａ
を形成する。上述したように、ＭＲ素子部８は、いわゆ
るＳＡＬバイアス方式によってバイアス磁界をＭＲ素子
に印加するために、ＭＲ素子と、ＭＲ素子へバイアス磁
界を印加するための軟磁性膜（いわゆるＳＡＬ膜）とが
積層されてなる。具体的には、例えばＴａを５ｎｍと、
ＮｉＦｅＮｂを４３ｎｍと、Ｔａを５ｎｍと、ＮｉＦｅ
を４０ｎｍと、Ｔａを１ｎｍとをこの順にスパッタリン
グ等により成膜してＭＲ素子部用薄膜８ａを形成する。
ここでＮｉＦｅが磁気抵抗効果をもつＭＲ膜となり、ま
たＮｉＦｅＮｂがＭＲ膜にバイアス磁界を印加する軟磁
性膜となる。上記ＭＲ素子部８のバイアス方式、ＭＲ素
子部８を構成する各膜の材料や膜厚はこれに限られるも
のではなく、システム等の要求に応じて任意に変更可能
である。

【００３９】次に、図９、図１０及び図１１に示すよう
に、ＭＲ素子部８となる部分の両端側に永久磁石膜９
ａ，９ｂを形成する。この永久磁石膜９ａ，９ｂにより
上記ＭＲ素子が磁気的に安定化される。なお、図１０及
び図１１、並びに後掲する図１２乃至図１７では、１つ
のＭＲヘッド素子に対応する部分、すなわち図９中の円
Ｂの部分を拡大して示している。

【００４０】永久磁石膜９ａ，９ｂを形成するには、ま
ず、上記ＭＲ素子部用薄膜８ａ上にレジストを塗布し、
フォトリソグラフィ技術により、永久磁石膜９ａ，９ｂ
となる部分のみレジストが除去されたレジストパターン
を形成する。具体的には、１つのＭＲヘッド素子４に対
して、長手方向に並べられた２つの略台形状の開口部を
有するレジストパターンを形成する。ここで、この開口
部の間隔によりＭＲヘッド１のトラック幅が決定され
る。具体的には初期のトラック幅Ｔを例えば５μｍとす
る。また、このトラック幅は、高さ方向にしたがって次
第に小となるようにされている。この開口部の大きさは
例えば、平行な一対の辺の短辺ｔ₁を４０μｍ、高さｔ₂
を１０μｍとする。

【００４１】次に、上記レジストパターンをマスクとし
てエッチングを行い、マスクから露出している部分のＭ
Ｒ素子部用薄膜８ａを除去する。エッチングはドライ方
式でもウェット方式でも構わないが、加工のしやすさ等
を考慮すると、イオンエッチングが好適である。次に、
上記レジストパターンを残存させたまま、永久磁石膜を
スパッタリング等により全面に成膜する。この永久磁石
膜の材料としては、保磁力が１０００エルステッド以上
ある材料が好ましい。保磁力が１０００エルステッド以
上ある材料として具体的には、例えばＣｏＮｉＰｔ、Ｃ
ｏＣｒＰｔ等がある。最後に、レジストを当該レジスト
上に成膜された永久磁石膜とともに除去することによ
り、所定パターンの永久磁石膜９ａ，９ｂがＭＲ素子用
薄膜８ａ中に埋め込まれた状態となる。

【００４２】次に、図１２及び図１３に示すように、Ｍ
Ｒ素子部８、及びＭＲ素子部８にセンス電流を供給する
引き出し導体１０ａ，１０ｂを形成する。具体的には、
まず、上記ＭＲ素子部用薄膜８ａ上にレジストを塗布
し、フォトリソグラフィ技術により、最終的にＭＲ素子
部８となる部分と引き出し導体１０ａ，１０ｂとなる部
分、及び永久磁石膜９ａ，９ｂが形成された部分のみレ
ジストが残存されたレジストパターンを形成する。具体
的には、引き出し導体１０ａ，１０ｂとなる部分は、例
えば短辺ｔ₃が８０μｍ、長辺ｔ₄が２ｍｍの略長方形状
とされ、長手方向の一端部が上記永久磁石膜９ａ，９ｂ
に接続している。そして、短辺方向に、引き出し導体１
０ａの端部から引き出し導体１０ｂの端部までの長さｔ
₅は例えば２００μｍとする。また、上記永久磁石膜９
ａ，９ｂの間が、ＭＲ素子部８となる部分である。ＭＲ
素子部８となる部分は略台形状であり、具体的には、例
えば、長辺Ｔを約５μｍ、短辺ｔを約４μｍ、高さＨを
約４μｍとする。

【００４３】次に上記レジストパターンをマスクとして
エッチングを行い、マスクから露出しているＭＲ素子部
用薄膜８ａを除去する。エッチングはドライ方式でもウ
ェット方式でも構わないが、加工のしやすさ等を考慮す
ると、イオンエッチングが好適である。

【００４４】次に、引き出し導体１０ａ，１０ｂとなる
部分をより電気抵抗の小さい導電性膜に置き換える。ま
ず、レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術によ
り、引き出し導体１０ａ，１０ｂとなる部分のみレジス
トが塗布されたレジストパターンを形成する。次にこの
レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、マ
スクから露出している引き出し導体１０ａ，１０ｂとな
る部分のＭＲ素子部用薄膜８ａを除去する。エッチング
はドライ方式でもウェット方式でも構わないが、加工の
しやすさ等を考慮すると、イオンエッチングが好適であ
る。引き出し導体１０ａ，１０ｂとなる部分のＭＲ素子
部用薄膜８ａを除去した後、上記レジストパターンを残
存させたまま導電性膜を成膜する。具体的には、例えば
Ｔｉを１５ｎｍと、Ｃｕを７０ｎｍと、Ｔｉを１５ｎｍ
とをこの順にスパッタリング等により成膜して導電性膜
を形成する。次に、レジストを当該レジスト上に形成さ
れた導電性膜とともに除去することにより、引き出し導
体１０ａ，１０ｂの部分に導電性膜が形成された状態と
なる。

【００４５】次に、図１４及び図１５に示すように、上
層ギャップとなる絶縁膜５をスパッタリング等により形
成する。この絶縁膜５の材料としては、絶縁特性や耐摩
耗性等を考慮すると、例えばＡｌ₂Ｏ₃等が好適である。
また、この絶縁膜５の厚みはシステムで扱う周波数等に
応じて決定され、例えば約１８０ｎｍとする。

【００４６】次に、図１６及び図１７に示すように、引
き出し導体１０ａ，１０ｂの一端部に、外部との電気的
接続をとるための外部端子１１ａ，１１ｂを形成する。
具体的にはまず、レジストを塗布し、フォトリソグラフ
ィ技術により、外部端子１１ａ，１１ｂとなる部分のみ
レジストが除去されたレジストパターンを形成する。具
体的に、外部端子１１ａ，１１ｂが形成される部分は、
上記引き出し導体１０ａ，１０ｂの長手方向で、永久磁
石膜９ａ，９ｂと接続していないほうの端部である。ま
た、外部端子１１ａ，１１ｂの長さｔ₆は、引き出し導
体１０ａ，１０ｂの端部から例えば約５０μｍとする。
次に、上記レジストをマスクとして、マスクから露出し
ている絶縁膜５をエッチングにより除去する。エッチン
グはドライ方式でもウェット方式でも構わないが、加工
のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチングが好適で
ある。

【００４７】次に、上記レジストパターンを残存させた
状態で、外部端子用導電性膜を成膜する。具体的には、
例えばＣｕを５００ｎｍと、Ａｕを５００ｎｍとをこの
順にスパッタリング等により成膜して外部端子用導電性
膜を形成する。次に、レジストを当該レジスト上に形成
された外部端子用導電性膜とともに除去することで、引
き出し導体１０ａ，１０ｂの端部に外部端子１１ａ，１
１ｂが形成された状態となる。

【００４８】以上の工程で、第１の基板２上にＭＲヘッ
ド素子４を形成する薄膜工程が終了し、図１８に示すよ
うに、第１の基板２上に多数のＭＲヘッド素子４が形成
された状態となる。

【００４９】次に、図１９及び図２０に示すように、多
数のＭＲヘッド素子４が形成された第１の基板２をＭＲ
ヘッド素子毎に切断する。第１の基板２は、例えば長辺
ｔ₇が約２ｍｍ、短辺ｔ₈が約２５０μｍ、厚さｔ₉が約
０．８ｍｍのチップ状に切り出される。

【００５０】そして、図２１に示すように、ＭＲヘッド
素子毎に切り出された第１の基板２上に、例えば厚さｔ
₁₀が約０．７ｍｍの第２の基板６を貼り付ける。この第
２の基板６は摺動方向後端側のガード材とＭＲヘッド１
の上層シールドとを兼ねるものとなる。第２の基板６の
貼り付けには、例えば樹脂等の接着剤が用いられる。こ
のとき、この第２の基板６の長さｔ₁₁を第１の基板２の
長さｔ₇よりも短くして、ＭＲヘッド素子の外部端子１
１ａ，１１ｂを露出させて外部端子１１ａ，１１ｂへの
接続が行われるようにする。また、この第２の基板６に
は硬質の軟磁性材料が使用される。第２の基板６に使用
される硬質の軟磁性材料として具体的にはＮｉ−Ｚｎフ
ェライト等がある。

【００５１】最後に、摺動面１ａとなる面に対して研削
加工を施し、円弧状とすることにより、図１に示される
ようなＭＲヘッド１が完成する。このとき、ＭＲ素子部
８の摺動面１ａ側の端部が、摺動面１ａに露出するよう
にする。

【００５２】このＭＲヘッド１を使用する際は、図２２
に示すように、ＭＲヘッド１をチップベース１２に貼り
付けるとともに、上述したように形成した外部端子１１
ａ，１１ｂと、チップベース１３に設けられた端子１２
ａ，１２ｂとを電気的に接続する。そして、ＭＲヘッド
１は、このようにチップベース１２に取り付けられた上
で、回転ドラムに取り付けられて使用される。

【００５３】上述したようなＭＲヘッド１は、例えばヘ
リカルスキャニング方式等、テープ状の磁気記録媒体と
高速で摺動して情報の記録再生を行うシステムに用いら
れるときに、ＭＲ素子の摩耗が大きく、特に有効であ
る。しかし、このＭＲヘッド１は、ディスク状の磁気記
録媒体と摺動して情報の記録再生を行うシステムに用い
ることも可能である。

【００５４】上述したような構成を有する、略台形状の
ＭＲ素子を用いたＭＲヘッド、及び略長方形状のＭＲ素
子を用いた従来のＭＲヘッドについての走行試験を行っ
た。

【００５５】走行試験は、ドラムテスターを用いて行っ
た。ＭＲヘッドと磁気記録媒体との相対速度を約５ｍ／
分程度とし、ＭＲ素子中に流すセンス電流の大きさを１
０ｍＡとした。

【００５６】走行時間とＭＲ素子の抵抗値との関係を図
２３に示す。従来の略長方形状のＭＲ素子を用いたＭＲ
ヘッドでは、長時間走行すると、磁気記録媒体との摺動
によりＭＲ素子の高さが減少し、そのため抵抗値が増加
してしまう。また、ＭＲ素子の偏摩耗のため、抵抗値の
増加量は一定ではなく、図２３のような曲線となる。

【００５７】一方、本発明に係る略台形状のＭＲ素子を
用いたＭＲヘッドでは、長時間走行してもＭＲ素子の抵
抗値はほぼ一定であることがわかる。

【００５８】

【発明の効果】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドで
は、ＭＲ素子が磁気記録媒体との摺動により摩耗しても
その電気抵抗値が大きく変化することはない。したがっ
て、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、ＭＲ素子
が摩耗しても安定に動作する優れた磁気ヘッドを実現す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドの一構成例を示す断面
図である。

【図２】図１のＭＲヘッド素子の一構成例を示す平面図
である。

【図３】ＭＲ素子部の形状の一例を示す平面図である。

【図４】図３のＭＲ素子部の摩耗後の形状の一例を示す
平面図である。

【図５】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、第
１の基板上に第１の絶縁膜を形成した状態を示す平面図
である。

【図６】図５中、Ｘ₁−Ｘ₂線における断面図である。

【図７】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、Ｍ
Ｒ素子部用薄膜を形成した状態を示す平面図である。

【図８】図７中、Ｘ₃−Ｘ₄線における断面図である。

【図９】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、Ｍ
Ｒ素子部用薄膜上にレジストパターンが形成された状態
を示す平面図である。

【図１０】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
永久磁石膜が形成された状態を示す平面図である。

【図１１】図１０中、Ｘ₅−Ｘ₆線における断面図であ
る。

【図１２】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
更にＭＲ素子部及び引き出し導体が形成された状態を示
す平面図である。

【図１３】図１２中、Ｘ₇−Ｘ₈線における断面図であ
る。

【図１４】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
ＭＲヘッド素子上に第２の絶縁膜が形成された状態を示
す平面図である。

【図１５】図１４中、Ｘ₉−Ｘ₁₀線における断面図であ
る。

【図１６】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
外部端子が形成された状態を示す平面図である。

【図１７】図１６中、Ｘ₁₁−Ｘ₁₂線における断面図であ
る。

【図１８】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
第１の基板上に多数のＭＲヘッド素子が形成された状態
を示す平面図である。

【図１９】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
第１の基板がＭＲヘッド素子毎に切り分けられた状態を
示す平面図である。

【図２０】図１９中、Ｘ₁₃−Ｘ₁₄線における断面図であ
る。

【図２１】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
ＭＲヘッド素子毎に切り分けられた第１の基板上に第２
の基板を貼り付けた状態を示す断面図である。

【図２２】ＭＲヘッドが、チップベース上に貼り付けら
れた状態を示す平面図である。

【図２３】走行時間とＭＲ素子の抵抗値との関係を示す
図である。

【図２４】磁気ヘッド装置の一例を示す平面図である。

【符号の説明】

１ＭＲヘッド、２第１の基板、３第１の絶縁
膜、４ＭＲヘッド素子、５第２の絶縁膜、６
第２の基板、８ＭＲ素子部、９ａ，９ｂ永久
磁石膜、１０ａ，１０ｂ引き出し導体、１１ａ，
１１ｂ外部端子、１２チップベース

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体を摺動させて、当該磁気記
録媒体からの信号を再生する磁気抵抗効果型磁気ヘッド
において、磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の一方の端部に接続された第１の
導体と、上記磁気抵抗効果素子の他方の端部に接続された第２の
導体と、上記磁気抵抗効果素子と上記第１の導体との接合面と、
上記磁気抵抗効果素子と上記第２の導体との接合面との
間隔が、磁気記録媒体との摺動面からの距離に従って次
第に狭くなっていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁
気ヘッド。
【請求項２】上記磁気抵抗効果素子は、磁気記録媒体
との摺動により摩耗しても、抵抗値が略一定となるよう
にされていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。