KR100488638B1 - 자기저항소자를구비한단일채널자기헤드 - Google Patents

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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

헤드면(1)을 가지는 단일 채널 자기 헤드는 자기 기록 캐리어(3)가 자기 헤드에 대해 상대적으로 이동할 수 있는 제 1 방향(Ⅰ) 및 제 1 방향에 가로지르는 제 2 방향(Ⅱ)으로 연장된다. 자기 헤드는 제 1 방향으로 보았을 때, 다른 층의 상부에 하나의 층이 위치하며 실질적으로 제 2 방향 및 제 1방향과 제 2 방향에 가로지르는 제 3 방향(Ⅲ)으로 연장되는 층들의 구조를 가진다. 구조는 자기 저항 측정 소자(5), 제 1 자기 소자(7), 및 제 2 자기 소자(9)가 제공된다. 자기 소자들 모두는 전기 전도성이며, 반면 측정 소자는 실질적으로 제 3 방향으로 측정 소자를 통해 측정 전류(i)를 전달하기 위해 2 개의 자기 소자들 사이에 직렬로 전기적으로 배열된다. 각각의 자기 소자는 전기 접촉면(7a, 9a)을 가진다. 좁고 잘 정의된 스캐닝 폭을 가지는 안정한 단일 채널 자기 헤드를 얻기 위하여, 헤드면까지 연장되는 적어도 하나의 자기 소자는 제 3 방향보다 제 2 방향으로가 더 큰 연장크기를 가진다. 제 2 방향의 이 연장크기는 또한 측정 소자의 유효 폭(w)보다 더 크다. 관련 자기 소자는 제 2 방향으로보다 제 3 방향으로 더 큰 상대적인 자기 투자율(μ rⅢ)을 가진다.

Description

자기 저항 소자를 구비한 단일 채널 자기 헤드
이 발명은 단일 채널 자기 헤드에 관한 것으로서, 자기 기록 캐리어가 자기 헤드에 대하여 상대적으로 이동할 수 있는 제 1 방향 및 제 1 방향에 가로지르는 제 2 방향으로 연장되는 헤드면과, 제 1 방향으로 보았을 때 한 층이 다른 층의 상부에 위치하며 실질적으로 제 2 방향 및 제 1 및 제 2 방향에 가로지르는 제 3 방향으로 연장되는 층들의 구조를 가지며, 상기 구조는 제 2 방향으로 연장되는 유효폭을 가지는 자기 저항 측정 소자와, 제 1 자기 소자 및 제 2 자기 소자가 제공되고, 반면에, 제 1 방향으로 보았을 때 상기 자기 소자들은 서로에 대하여 반대쪽에 위치하고, 상기 소자들 중 적어도 제 1 자기 소자는 상기 헤드면까지 연장되고 두 자기 소자 모두 전기 전도성이며, 측정 소자는 측정 소자를 통하여 실질적으로 제 3 방향으로 측정 전류를 통과시키도록 두 개의 자기 소자들 사이에 전기적으로 직렬로 배열되어 있으며, 각각의 자기 소자는 전기 접속면을 가진다.
이러한 유형의 자기 헤드는 US-A 5,493,467호로부터 알려진다. 알려진 자기 헤드는 자기 요크(yoke)에 포함되어 있는 스핀-밸브(spin-valve)의 자기 저항 센서를 가진다. 요크의 두 요크 부분들은 전기 전도성 갭 층에 의해 자기 헤드의 헤드면으로 전기적으로 상호 접속되고, 반면에 요크 부분들 중 한 부분은 전기 및 자기적으로 센서에 의해 브리지(bridge)되는 인터럽션(interruption)이 제공된다. 각각의 요크 부분은 요크 부분들에 가로지르는 배향된 전기 전도성 층들을 가지는 헤드면으로부터 공간적으로 떨어진 영역에 제공되고, 충들은 요크 부분들 측면에 위치된 접속면들로 종료된다. 센서는 유효부를 가지며, 그 유효부 내에서 스캐닝하는 동안 유효부 내에서 자기화의 변화들이 검출된다. 알려진 자기 헤드를 이용하여 비교적 협소한 판독 채널을 구현할 수 있지만, 이 헤드는 사용된 요크 구성으로 인해 최적의 안정성을 갖지 못한다. 특히 요크의 폭이 작은 경우, 요크 부분들이 자기 영역(magnetic domain)들로 쪼개어져 불안정 및 바르크하우젠 노이즈(barkhausen noise)가 발생하는 명백한 위험이 있기에 이러한 현상이 두드러진다.
도 1은 이 발명에 따른 자기 헤드의 제 1 실시예의 개략적인 단면도.
도 2는 제 1 실시예의 개략적인 평면도.
도 3은 제 2 실시예의 개략적인 단면도.
도 4는 제 2 실시예의 개략적인 평면도.
도 5는 제 3 실시예의 개략적인 단면도.
도 6은 제 3 실시예의 개략적인 평면도.
도 7은 제 4 실시예의 개략적인 단면도.
도 8은 제 5 실시예의 개략적인 단면도.
도 9는 제 6 실시예의 개략적인 단면도.
도 10은 제 7 실시예의 개략적인 단면도.
도 11은 이 발명에 따른 장치의 실시예를 개략적으로 도시한 도면들.
도 12는 도시된 장치와 함께 사용하기에 적합한 자기 테이프 카세트의 실시예를 개략적으로 도시한 도면들.
이 발명의 목적은 비교적 협소하고 뚜렷한 스캐닝 폭을 가지는 안정된 단일 채널 자기 헤드를 제공하는 것이다.
이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드는 헤드면까지 연장되는 자기 소자가 제 3 방향보다 제 2 방향으로 더 큰 연장크기(extensiveness)를 가지고, 상기 제 2 방향의 연장크기는 측정 소자의 유효 폭보다 더 크고, 반면에 관련된 자기 소자는 제 2 방향보다 제 3 방향으로 더 큰 상대적인 자기 투자율(permeability)을 가지는 것을 특징으로 한다. 헤드면까지 연장되는 상기 넓은 소자는 제 1 자기 소자일 수도 있다. 상대적으로 넓은 자기 소자를 사용함으로써, 적절한 모양의 이방성(anisotropy)을 얻을 수 있으며, 따라서 이 소자가 자기 영역들로 나누어질 위험이 작아진다. 제 2 방향의 측정 소자 외부로 연장되는 자기 소자에 존재할 수 있는 폐쇄 영역들은 측정 소자의 영향을 받지 않거나 또는 실질적으로 받지 않는다. 결국, 그것들은 출력 신호의 노이즈에 어떠한 부정적인 영향을 전혀 또는 거의 받지 않는다. 헤드면에 가로지르는 방향으로 비교적 큰 투자율을 가지는 이방성 재료를 사용하면, 판독 채널을 정확하게 정의할 수 있다. 따라서 상기 측정들에 의해 판독 신호가 크게 안정되고, 바르크하우젠 노이즈의 위험이 작아지고 판독 또는 스캐닝 폭이 잘 정의된다.
이 발명에 따른 자기 헤드는 제공된 넓은 자기 소자의 큰 자기 안정성으로 인해 상당한 범위까지 양호한 신호 대 잡음비(signal-to-noise)를 가진다. 실제 실시예에서는, 이 소자의 제 3 방향의 폭에 비하여 적어도 두 배인 제 2 방향으로의 연장크기를 가진다.
명확하게 정의된 판독 채널은 제 2 방향에서의 상대적인 자기 투자율의 약 25배 더 높은 제 3 방향에서의 상대적인 자기 투자율로 이미 구현될 수 있는 것이 발견된다.
이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드는 바람직하게 박막 구조가 기판 상에 제공되는 박막 자기 헤드이다. 자기 소자들은 예를 들면, NiFe, CoNbZr, 또는 FeNbSi-N으로부터 형성된 박막들이다. 자기 소자들 중 하나는 대안적으로 기판에 의해 형성될 수 있다.
이방성 자기 저항(anisotropic mafnetoresustive : AMR) 소자 또는 큰 자기 저항(giant magnetoresistive : GMR) 소자가 측정 소자로서 사용될 수도 있다. AMR 소자는 예를 들면, 전도성 스트립들의 띠 구조(barberpole structure)를 가지거나 또는 가지지 않는 NiFe 합금층에 의해 형성될 수 있다. AMR 소자의 양호한 구현은 US-A 4,686,472(본 명세서에 참조로서 통합됨)에 나타난 바와 같은 유형의 적층된 자기 저항 소자이다. 예를 들면, WO-A 96/07926(PHN 14.992; 본 명세서에 참조로서 통합됨)에 양호한 GMR 소자가 설명되어 있다. AMR 소자는 자기 소자들 사이에 바람직하게 위치되어 있는 DC 전류 운반 콘덕터를 사용함으로써 바이어스될 수 있다. 예를 들면, 스핀 밸브 유형의 GMR 소자는 바이어싱이 꼭 필요하지는 않다는 이점이 있다.
이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드는 간격이 조밀하거나 조밀하지 않은 협소한 트랙들을 가지는 자기 매체를 스캐닝하는데 적합하고, 예를 들면, 테이프 스트리머(tape streamer)들, 디지털 비디오 시스템들, 하드디스크 드라이브들, 및 멀티미디어 시스템들에 사용된다.
이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드의 실시예는 헤드면까지 연장되는 전기적으로 도전성인 제 3 자기 소자가 제공되어 헤드면까지 연장되는 제 2 자기 소자와 함께 자기 저항 측정 소자에 의해 브리지되는 비자기 공간을 바운딩(bound)하며, 자기 저항 측정 소자는 상기 공간 옆에서 상기 제 2 및 제 3 자기 소자와 전기적인 접촉이고, 전기 전도성 갭 층이 제 1 자기 소자와 헤드면까지 근접하여 연장되는 제 3 자기 소자를 전기적으로 서로 접속하는 것을 특징으로 한다. 이 자기 헤드에서, 이는 요크 유형이고, 자기 소자들은 측정 소자들로 그리고 측정 소자들로부터 자기 플럭스를 공급 및 리턴하기 위해 이용된다. 그러므로, 자기 소자들은 동작하는 동안 전류 운반 플럭스 가이드들이다.
제 1 및/또는 제 2 자기 소자와 함께 또는 함께 하지 않고, 헤드면까지 연장되는 제 3 자기 소자는 제 3 방향의 폭보다 더 큰 제 2 방향의 연장크기를 가지며, 제 2 방향의 연장크기는 자기 저항 측정 소자의 유효 폭보다 더 크다. 또한 이러한 측정은 바르크하우젠 노이즈를 감소를 감소시켜 안정성을 향상시킨다. 또한, 제 3 자기 소자는 바람직하게 제 2 방향으로보다 제 3 방향으로 더 큰 상대적인 자기 투자율을 가진다. 이것은 잘 정의된 판독 폭을 위해 양호하다. 갭 층은 바람직하게, 예를 들면 금 또는 구리로 구성된 금속층이다.
이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드의 실시예는 제 2 자기 소자뿐만 아니라 자기 저항 측정 소자는 헤드면까지 연장되고, 반면 헤드면 부근에 위치된 측정 소자의 일부분은 제 1 자기 소자 또는 제 2 자기 소자와 전기 접촉하고, 헤드면으로부터 공간을 두고 떨어져 있는 측정 소자의 일부분은 앞에 언급된 자기 소자들 중 다른 자기 소자와 전기 접촉하는 것을 특징으로 한다. 이 자기 헤드에서, 이는 실드 유형(shielded type)이고, 자기 소자들은 전기적으로 측정 전류를 전도하고 측정 소자를 자기적으로 차폐하는데 사용된다. 따라서 제 1 및 제 2 자기 소자들은 동작에 있어서 전류 운반 실드들이다.
제 1 자기 소자와 함께 또는 함께 하지 않고, 헤드면까지 연장되는 상기 제 2 자기 소자는 제 3 방향의 폭보다 제 2 방향으로 더 큰 연장크기를 가지며, 제 2 방향의 폭은 자기 저항 측정 소자의 유효 폭보다 더 크다. 이러한 측정의 장점은 바르크하우젠 노이즈를 감소시켜 안정성을 다시 향상시킨다는 것이다. 또한, 제 2 자기 소자는 바람직하게 제 2 방향보다 제 3 방향으로 더 큰 상대적인 자기 투자율을 가진다. 잘 정의된 스캐닝 폭을 위해서는 이렇게 하는 것이 양호하다. 측정 소자는 상기 자기 소자들과 직접 접촉하거나, 전기 전도성 중간층, 예를 들면, 금속층을 통하여 자기 소자들과 접촉할 수 있다.
실드 유형의 자기 헤드는 EP-A 0 457 278로부터 알려져 있는 것에 유의한다. 알려진 자기 헤드는 실드 MR 소자를 가진 박막 자기 헤드이다. 자기 헤드는 하위 및 상위 실딩 자기층이 제공되며, 층들 사이에 MR 소자는 연장된다. 자기 헤드의 헤드면에 인접한 MR 소자의 일부분과 헤드면으로부터 공간적으로 떨어져 있는 일부분은 전극이 제공된다. 헤드면 상의 전극은 전기 전도성 층을 통하여 상위 실딩층에 전기적으로 접속되고, 실딩층은 전선을 통하여 접지되며, 반면 헤드면으로부터 공간적으로 떨어져 있는 전극은 전선을 통하여 증폭기 유닛의 입력에 전기적으로 접속된다.
이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드의 실시예는 제 1 및 제 2 자기 소자들의 접속면이 헤드면까지 연장되는 자기 소자의 제 2 방향의 연장크기에 의해 결정되는 제 2 방향의 연장크기를 가지는 영역 내에 위치되는 것을 특징으로 한다. 이 실시예에서, 웨이퍼 표면 영역은 제조 과정동안 효과적으로 이용된다.
이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드의 일실시예는 상기 제 1 및 제 2 자기 소자들의 접속면들이 관련 소자들 상에 위치되는 것을 특징으로 한다. 이 실시예에서는, 제 3 방향으로 서로 오프셋된 접속면들의 구현은 적은 수의 기술 단계들만을 요구한다.
이 발명은 또한 자기 테이프 또는 자기 디스크와 같은 기록 캐리어를 스캐닝하기 위한 장치에 관한 것이고, 이 장치는 이 발명에 따른 자기 헤드가 제공된다.
이 발명의 이들 및 다른 양상들은 이하에 설명되는 실시예들로부터 명백하고 그것에 관련하여 설명될 것이다.
도 1 및 2에 도시된 이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드는 실드 유형이다. 도 1에 도시된 단면도는 도 2에서 라인 I-I을 절취하여 얻은 것이다. 자기 헤드는 이 실시예에서는 자기 테이프인 자기 기록 캐리어(3)와 함께 사용하기 위한 헤드면(1)을 가진다. 헤드면(1)은 기록 캐리어(3)가 이동 가능한 제 1 방향(Ⅰ) 및 상기 제 1 방향에 가로지르는 제 2 방향(Ⅱ)으로 연장된다. 자기 헤드는 제 1 방향(Ⅰ)으로 보았을 때, 층이 다른 층의 상부에 위치되는 층들을 가지는 박막 구조를 포함한다. 층들은 실질적으로 제 2 방향(Ⅱ) 및 상기 제 1 및 제 2 방향에 가로지르는 제 3 방향(Ⅲ)으로 연장된다. 박막 구조는 제 2 방향으로 연장되는 유효 폭(w)을 가지는 자기 저항 측정 소자(5)가 제공된다. 측정 소자(5)는 GMR 소자 또는 AMR 소자가 사용될 수 있다. 구조는 또한 제 1 자기 소자(7) 및 제 2 자기 소자(9)로서 불리는 두 개의 전기 전도성 및 자기 투자성 층들, 예를 들면 NiFe 층들이 제공된다. 자기 소자들(7 및 9)과 이들 소자들 사이에 위치된 측정 소자(5)는 헤드면(1)까지 연장된다. 이 실시예에서는 자기 실드로서 또한 기능하는 자기 소자들(7 및 9)은 각각 전류원과 전기 접속하기 위하여 전기 접속면(7a, 9a)을 각각 가진다. 접속면(7a 및 9a)은 전기 전도성 층(11, 13), 예를 들면, 금층 상에 각각 위치한다. 이들 층들(11 및 13)은 알려진 침착 및 평탄화 방법들에 의해서 형성되고 제 1 자기 소자(7) 및 제 2 자기 소자(9)에 각각 전기적으로 전도하는 방식으로 접속된다. 박막 구조는 알려진 기술에 의해, 예를 들면, Al2O3/TiC의 비자기 기판(19)로부터 시작하여 구현될 수 있다. 예를 들면, SiO2 또는 Al2O3의 절연층들은 다양한 자기층들 및/또는 전기 전도성 층들 사이에 위치된다. 도 1에서, 이들 층들은 참조 번호 21로 묶어서 표시된다.
알려진 침착, 구조화 및 평탄화 방법은 EP-A 0 617 409 및 EP-A 0 617 410(PHN 14.428 및 14.429, 본 명세서에 참조로서 통합됨)에 설명된다. 측정 소자(5)는 두 개의 전기 전도성 중간층들(15 및 17), 예를 들면, 금 또는 구리의 금속층들에 의해 두 자기 소자(7 및 9) 사이에 직렬로 전기적으로 배열되고, 전기 전도성 층(15)은 헤드면(1) 상에 위치하여 측정 소자(5)를 제 1 자기 소자(7)에 전기적으로 접속하며, 전기 전도성 층(17)은 상기 헤드면(1)으로부터 공간적으로 떨어져 있으며 측정 소자(5)를 제 2 자기 소자(9)에 접속한다. 이와 같은 구조 때문에, 측정 전류(i)는 동작 동안 제 3 방향(Ⅲ)으로 측정 소자(5)를 통과한다. 또한 도 2에 도시된 전류 방향은 물론 180° 회전될 수 있다.
자기 저항 측정 소자(5)에 바이어스를 인가하기 위하여, 헤드면(1)으로부터 공간적으로 떨어져 있는 전도성 중간층(17)이 FeMn 합금과 같은 전기 전도성 반강자성체 재료(antiferomagnetic)의 전도층, 또는 CoPt 합금과 같은 전기 전도성 경화 자성(hard-magnetic) 재료로 구성될 수 있다.
도시된 실시예에서, 자기 소자들(7 및 9)은 모두 제 3 방향보다 제 2 방향으로의 크기가 더 크며, 제 2 자기 소자(9)에 대한 두 크기 사이의 비는 팩터 2보다 크다. 상기 제 2 방향의 크기는 또한 측정 소자(5)의 유효 폭(w)보다 더 크며, 따라서 두 소자(7 및 9)는 모두 측정 소자(5)의 두 측면들으로 연장된다. 이 실시예에서, 자기 소자들(7 및 9)이 모두 제 2 방향보다 제 3 방향으로 더 큰 상대적인 자기 투자율을 가진다. 제 3 방향의 상대적인 투자율(μ rⅢ)은 각각 25의 팩터(factor)이거나 제 2 방향의 상대적인 투자율(μ rⅡ)보다 더 크다.
도 2에 명백한 바와 같이, 접속면들(7a 및 9a)은 자기 소자들(7 및 9)을 제 2 방향으로의 각각 연장크기에 의해 결정되는 제 2 방향으로 연장크기를 가진 영역내에 위치된다.
불필요한 반복을 피하기 위하여, 다른 실시예들에 대한 다음 설명들은 주로 이미 설명된 실시예와 다른 특징들로 제한될 것이다. 도입된 방향 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ은 모든 실시예들에 적용될 수 있다.
도 3, 및 4에 도시된 본 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드는 박막 구조가 제공되는 비자기 기판(119)을 가진다. 도 3에 도시된 단면도는 도 4의 라인 Ⅲ-Ⅲ을 따라서 절취한 도면이다. 박막 구조는 두 개의 전기 전도성 및 자기 투자층, 예를 들면, CoNbZr이며, 이들 중 한 층은 제 1 자기 소자(107)를 구성하고 다른 충은 제 2 및 제 3 자기 소자(109, 110)를 각각 구성한다. 제 2 및 제 3 자기 소자 사이에는 비자기 투자 공간(112)이 존재한다. 구조는 공간(112)을 브리지하는, 예를 들면, GMR 유형의 자기 저항 측정 소자(105)가 더 제공된다. 도시된 자기 헤드는 자기 소자들(107 및 110)에 인접한 헤드면(101)을 가진다. 금 또는 구리와 같은 전기전도성 갭 층(116)은 헤드면(101) 부근에 위치하여 박막 구조의 일부분을 형성하며, 제 1 자기 소자(107)를 측정 소자(105)에 전기적으로 접속하며, 측정 소자(105)는 그 자체가 제 2 자기 소자(109)와의 공통 전기 접촉부를 구성하며, 따라서 측정 소자(105)는 자기 소자들(107 및 109) 사이에 전기적으로 직렬로 배열된다. 측정 소스에 접속하기 위한 전기 접속면(107a, 109a)은 전술된 두 개의 소자들(107 및 109) 상에 각각 위치된다. 따라서 동작 동안, 제 1 자기 소자(107) 및 제 3 자기 소자(109)는 전류를 운반하며, 측정 소자(105)를 통과하는 전류는 헤드면(101)에 가로지르는 방향(i)을 가진다. 이 실시예에서, 제 3 자기 소자(110)는 측정 소자(105)의 유효 폭(w)보다 더 크고, 제 3 방향으로 제 3 소자(110)의 연장크기보다 2방향으로 적어도 두 배 더 큰 연장크기를 가진다. 제 1 자기 소자(107)는 바람직하게 소자(107)에 가능하게 현재 영역 웰들이 측정 소자(105)로부터 비교적 멀리 떨어져 있는 제 2 방향(Ⅱ)으로 그와 같이 큰 연장크기를 가지고, 가능한 영역 월의 변위들이 출력 신호에 대하여 어떠한 영향도 주지 않거나 단지 약간의 영향만을 준다.
도 5 및 6에 도시된 이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드는 자기 저항 측정 소자(205), 제 1 자기 소자(207), 제 2 자기 소자(209), 및 제 3 자기 소자(210)를 구비하는 비자기 기판(219) 상에 제공되는 박막 구조를 포함한다. 도 5에 도시된 단면도는 도 6의 라인 V - V를 따라 절취한 도면이다. 요크 유형의 자기 헤드는 자기 소자(207 및 210)의 종단부에 헤드면(201)을 가진다. 측정 소자(205)는 제 2 자기 소자(209)와 제 3 자기 소자(210) 사이의 비자기 공간(212)을 브리지한다. 전술한 세 개의 자기 소자들(207, 209, 및 210) 모두는 FeNbSi-N과 같은 전기 전도성이 고 자기 투자율 재료로부터 형성되며, 제 3 방향으로 가장 큰 자기 투자율을 가진다. 헤드면(201)에 인접하게 위치된 전기 전도성이고 비자기적인 갭층(216)은 제 1 자기 소자(207)와 제 3 자기 소자(210) 사이의 전기 접촉층으로서 기능한다. 측정 소자(205)는 제 2 자기 소자(209) 및 제 3 자기 소자(210) 모두와 전기 접촉하기 때문에, 측정 소자(205)는 제 1 자기 소자(207)와 제 2 자기 소자(209) 사이에 전기적으로 배열된다. 전술한 소자들(207 및 209)은 각각 전기 접속면(207a, 209a)이 제공된다. 접속면들(207a 및 209a)은 제 3 방향(Ⅲ)으로 보여지는 것처럼, 소자들(207 및 209)과 일렬로 연장되는 박막 구조의 전기적으로 전도층(211 및 213) 상에 제공된다. 제 2 방향(Ⅱ)으로, 제 1 자기 소자(207)는 제 3 방향(Ⅲ)으로보다 적어도 팩터 2보다 큰 크기를 가지며, 그 크기는 또한 제 2 방향의 측정 소자(205)의 크기보다 더 크다.
도 7 내지 10은 이미 도시한 실시예들의 변형들을 도시한 것으로, 변형들로 도시된 자기 소자들은 전술된 자기 소자들에 대응하는 특성들 및 크기들을 가진다. 전술한 실시예와의 밀접한 관계를 고려하여, 이 변형들의 평면도는 생략한다.
도 7에 도시된 이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드는 제 1 자기 소자(307), 제 2 자기 소자(309), 제 3 자기 소자(310), 및 자기 저항 측정 소자(305)를 포함하는 자기 요크를 가지는 층 구조가 제공되는 비자기 기판(319)과 헤드면(301)을 가진다. 자기 소자들(307, 309, 및 310)은 전기 전도성 재료의 소프트 자기층으로부터 형성된다. 측정 소자(305)는 AMR 소자이다. 측정 소자(305)는 자기 소자들(309 및 310)을 결합하고, 따라서 전기 접촉부를 형성하고 소자들(309 및 310) 사이에 비자기적이고 비전기 전도성의 스페이스 또는 갭(312)을 브리지한다. 비자기적이고 전기 전도성 갭 층(316)은 자기 소자들(307 및 310)을 서로 접속하며, 헤드면(301) 상에 위치된다. 자기 소자들(307 및 309)은 접속면(307a, 309a)을 가지며, 접속면들은 자기 소자들(307 및 309)에 전기적으로 접속된 전도성의 비자기층들(311 및 313) 상에 제공되어, 측정 소자(305)와 자기 소자들(307, 309, 및 310)을 포함하는 전기 회로가 접속면들(307a 및 309a) 사이에 형성된다. 측정 소자(305)에 바이어스를 인가하기 위하여, NiOx와 같은 반강자성 재료 층(312)이 측정 소자(305) 상에 제공된다.
도 8에 도시된 이 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드는 요크 유형이며, 자기 저항 측정 소자(405)를 포함하며, 자기 저항 측정 소자는 도 7을 참조하여 유사하게 설명된 바와 같이 제 1 자기 소자(407), 제 2 자기 소자(409), 및 제 3 자기 소자(410)를 가지는 전류 회로에 포함된다. 전기 전도성 갭 층(416)은 헤드 면(401) 상에 위치된다. 자기 소자들(407 및 409)은 접속면(407a 및 409a)을 각각 가진다. 전기 전도성 바이어스 권선(winding)(414)은 측정 소자(405)에 바이어스를 인가하기 위해 제공된다.
도 9에 도시된 본 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드는 예를 들면, NiFe, CoNBZr 또는 FeTa-N의 자기 투자층(514), 자기 저항 측정 소자(505), 두 개의 공간적으로 떨어져있는 자기 투자층들, 즉 이 설명의 전문용어, 제 2 자기 소자(509), 제 3 자기 소자(510)를 포함하는 박막 구조가 제공되는 비자기 기판(519)과 헤드면(501)을 가지며, 자기 투자층, 즉, 사용된 용어로 제 1 자기 소자(507)를 더 포함한다. 자기 소자들(507 및 509)은 전기 전도성 층(511, 513)에 각각 제공된 전기 접속면(507a, 509a)을 가진다. 전기 전도성 비자기 갭 층(516)은 자기 소자들(507 및 510)을 전기적으로 서로 접속하고, 반면 측정 소자(505)는 자기 소자(510)와 상기 자기 소자(509)를 서로 접속하여, 동작 동안 측정 소자(505)를 통하여 상기 헤드면(501)에 가로지르는 방향(i)으로 전류가 흐른다. 이 실시예에서, 자기 소자들(507, 509, 및 510)은 모두 동작 동안 전류 운반 플럭스 가이드이며, 자기 투자층(514)은 긴 자기파에 대한 실드를 구성한다.
도 10에 도시된 변형은 다중층 구조를 구비하는 비자기 기판(619)과 헤드면(601), 자기 저항 측정 소자(605), 두 개의 전기 전도성 자기 투자층들(607A 및 607B)로 형성된 제 1 자기 소자, 전기 전도성 자기 투자층으로 형성된 제 2 자기 소자(609), 전기 전도성 자기 투자층으로 형성된 제 3 자기 소자(610)를 가진다. 측정 소자(605)는 제 2 자기 소자(609)와 제 3 자기 소자(610) 사이에 비전기적인 비자기 공간(612)을 전기 및 기계적으로 브리지한다. 헤드면(601)에 가까운 제 3 자기 소자(610)는 전기 전도성 층들(616a 및 616b)에 의해 층들(607A 및 607B)에 각각 전기적으로 접속된다. 제 2 자기 소자(609), 층들(607A 및 607B)은 전기 접속면(609a, 607Aa, 607Bb)을 각각 가진다.
제 1 자기 소자의 층들(607A 및 607B)을 통과하는 전류들의 합과 동일한 전류가 도 10에 도시된 자기 헤드에 사용된 전기 회로 내의 측정 소자(605)를 통하여 흐르고, 측정 소자(605) 내의 전류의 방향은 헤드면(601)에 가로지른다. 층들(607A 및 607B)은 긴 자기파에 대하여 차폐 효과를 가지며, 거기에 관련된 도 1 및 도 9에 도시된 자기 헤드와 같은 상기 자기 헤드는 도 3, 5, 7, 및 8에 도시된 실시예와 비교해볼 때 실질적으로 공간적으로 상이한 효과를 가진다.
이러한 도시된 것과는 다른 실시예들은 이 발명의 범위 내에서 대안적으로 가능하다는 것이 주지되어야 한다. 예를 들면, 이 발명에 따른 자기 헤드는 결합된 판독/기록 자기 헤드 유닛의 일부를 형성할 수 있다. 또한, 측정 소자의 유효 폭, 즉, 측정 소자가 실제로는 센서로서 작용하는 제 2 방향으로의 폭이 측정 소자의 기하학적인 폭과 같은 실시예들에서 나타나는 것과 대조하여, 측정 소자의 실제 폭은 이 유효 폭보다 더 클 수 있다. 이것은 예를 들면, 제 2 방향으로 보여지는 바와 같이, 경화 자성 재료 또는 반강자성 재료의 바이어스 층들이 측정 소자의 종단에 존재하는 경우일 수 있다. 또한, 실제 실시예의 자기 헤드는 일반적으로 다중층 구조가 보호되도록 카운터 블록이 제공된다.
도 11에 도시된 이 발명에 따른 장치는 이 실시예에서 도 12에 도시된 카세트(801)에 제공되는 자기 테이프(803)를 기록 및/또는 판독하는데 적합하다. 장치는 프레임(703)을 가지는 하우징(701)을 가진다. 하우징(701)은 특히 드라이브 롤(drive roll)(707)을 구동하는 드라이브 모터(705)와 본 발명에 따른 단일 채널 자기 헤드(711)를 수용하고, 이 실시예에서는 자기 헤드가 드라이브 모터(713)에 의해 안내축(715)을 따라서 이동할 수 있는 서브프레임(709)에 고정된다. 장치는 또한 카세트(801)를 하우징(701)으로 또는 하우징으로부터 슬라이딩하기 위해 직선 안내 부재(717)를 가진다. 카세트(801)는 예를 들면, 정보를 디지털 형태로 저장하는데 사용될 수도 있다. 카세트는 자기 테이프(803)의 일부분이 존재하는 두 개의 릴(reel)들(805 및 807)을 가진다. 두 개의 릴들 사이에 존재하는 자기 테이프(803)의 부분은 이 실시예에서 고정되어 있는 두 개의 테이프 안내 부재(809 및 811)를 따라서 안내되어 캡스탄(capstan)(813)을 따라서 진행한다. 카세트(801)는 캡스턴(813)과 릴(805 및 807)과 두 개의 벨트 안내 부재(817 및 819)을 따라서 진행하는 순환 드라이브 벨트(endless drive belt)(815)를 포함한다. 동작 상태에서, 카세트(801)는 이 발명에 따른 장치(701)와 협력하며, 자기 헤드(711)가 카세트의 리세스(821)로 돌출하여 자기 테이프(803)와 접촉한다. 동시에, 드라이브 롤(707)은 캡스턴(813)과 접촉하고, 이 캡스턴을 통하여 자기 테이프(803)는 한 쪽 릴로부터 다른 쪽 릴로 길이 방향으로 이동할 수 있다.
도시된 장치는 데이터 기억 장치인데, 예를 들면, 오디오 및/또는 비디오 장치일 수 있다. 장치는 또한 기록 캐리어가 자기 테잎 대신 자기 디스크이거나 자기 카드를 인 그러한 방식으로 적응될 수 있다.

Claims (8)

  1. 단일 채널 자기 헤드로서, 상기 자기 헤드는 자기 기록 캐리어가 상기 자기 헤드에 대하여 상대적으로 이동할 수 있는 제 1 방향 및 상기 제 1 방향에 가로지르는 제 2 방향으로 연장되는 헤드면과, 제 1 방향으로 보았을 때 다른 층의 상부에 층이 위치되고 상기 제 2 방향과, 상기 제 1 방향 및 제 2 방향에 가로지르는 제 3 방향으로 실질적으로 연장되는 층들의 구조를 가지며, 상기 구조는 상기 제 2 방향으로 연장되는 유효 폭을 가지는 자기 저항 측정 소자와 제 1 자기 소자 및 제 2 자기 소자가 제공되며, 반면 상기 제 1 방향으로 보았을 때 상기 자기 소자들은 서로 반대쪽에 위치하며, 상기 소자들 중 적어도 상기 제 1 자기 소자는 헤드면까지 연장되고 두 자기 소자들 모두 전기 전도성이며, 상기 측정 소자는 실질적으로 상기 제 3 방향으로 상기 측정 소자를 통해 측정 전류를 전달하기 위해 상기 두 개의 자기 소자들 사이에 전기적으로 직렬로 배열되고, 각각의 자기 소자는 전기 접속면을 가지는, 단일 채널 자기 헤드에 있어서,
    상기 헤드면까지 연장되는 자기 소자는 상기 제 3 방향보다 상기 제 2 방향으로 더 큰 연장크기(extensiveness)를 가지고, 상기 제 2 방향으로 연장크기는 상기 측정 소자의 유효 폭보다 크고, 반면에 관련 자기 소자는 상기 제 2 방향보다 상기 제 3 방향으로 더 큰 상대적인 자기 투자율을 가지는 것을 특징으로 하는, 단일 채널 자기 헤드.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 헤드까지 연장되는 상기 자기 소자의 연장크기는 상기 제 3 방향보다 상기 제 2 방향으로 적어도 2 배 더 큰 것을 특징으로 하는, 단일 채널 자기 헤드.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제 3 방향으로의 상대적인 자기 투자율은 상기 제 2 방향으로의 상대적인 자기 투자율보다 적어도 팩터 25(a factor of 25)가 더 큰 것을 특징으로 하는, 단일 채널 자기 헤드.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 헤드면까지 연장되는 전기 전도성 제 3 자기 소자가 제공되고 이는, 상기 헤드면까지 연장되지 않는 상기 제 2 자기 소자와 함께 상기 자기 저항 측정 소자에 의해 브리지되는 비자기 공간을 바운딩하며, 상기 자기 저항 측정 소자는, 상기 공간 옆에서 상기 제 2 및 상기 제 3 자기 소자와 전기 접촉하고, 전기 전도성 갭 층은 상기 제 1 자기 소자와 상기 헤드면 가까이 까지 연장되는 상기 제 3 자기 소자를 전기적으로 상호 접속하는 것을 특징으로 하는, 단일 채널 자기 헤드.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제 2 자기 소자뿐만 아니라 상기 자기 저항 측정 소자는 상기 헤드면까지 연장되고, 반면 상기 헤드면 부근에 위치된 상기 자기 저항 측정 소자의 부분은 상기 제 1 자기 소자 또는 상기 제 2 자기 소자와 전기 접촉하고, 상기 헤드면으로부터 공간을 두고 떨어져 있는 상기 측정 소자의 부분은 상기 위에 언급된 자기 소자들 중 다른 하나와 전기 접촉하는 것을 특징으로 하는, 단일 채널 자기 헤드.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 자기 소자들의 접속면들은 상기 헤드면까지 연장되는 상기 자기 소자의 상기 제 2 방향으로의 연장크기에 의해 결정되는 상기 제 2 방향으로의 연장크기를 가지는 영역 내에 위치되는 것을 특징으로 하는, 단일 채널 자기 헤드.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 자기 소자들의 상기 접속면들은 관련 소자들 상에 위치되는 것을 특징으로 하는, 단일 채널 자기 헤드.
  8. 자기 기록 캐리어를 스캐닝하기 위한 장치에 있어서,
    청구항 제 1항 또는 제 2항에 청구된 바와 같은 단일 채널 자기 헤드를 포함하는, 자기 기록 캐리어를 스캐닝하기 위한 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6747854B1 (en) * 1997-02-20 2004-06-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-channel magnetic head with magnetoresistive elements
US6064552A (en) * 1997-03-18 2000-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head having magnetic yoke and giant magnetoresistive element such that a first electrode is formed on the giant magnetoresistive element which in turn is formed on the magnetic yoke which acts as a second electrode
US6456465B1 (en) * 1999-11-09 2002-09-24 Read-Rite Corporation Vertical giant magnetoresistance sensor using a recessed shield

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8101962A (nl) * 1981-04-22 1982-11-16 Philips Nv Magnetische sensor.
JPH0421916A (ja) * 1990-05-16 1992-01-24 Sony Corp 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
US5390061A (en) * 1990-06-08 1995-02-14 Hitachi, Ltd. Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head
US5193039A (en) * 1991-04-17 1993-03-09 Digital Equipment Corporation Permanet magnet easy-axis biased magnetoresistive head
EP0617410B1 (en) * 1993-03-22 1999-09-22 OnStream, Inc. Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method
DE69419642T2 (de) * 1993-03-22 2000-02-17 Onstream, Inc. Herstellungsverfahren eines Dünnfilmmagnetkopfes und danach hergestellter Magnetkopf
JPH0778309A (ja) * 1993-07-14 1995-03-20 Sony Corp 薄膜磁気ヘッド及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド並びに複合型磁気ヘッド
US5446613A (en) * 1994-02-28 1995-08-29 Read-Rite Corporation Magnetic head assembly with MR sensor
JPH09505177A (ja) * 1994-08-28 1997-05-20 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 磁界検出装置
US5493467A (en) * 1994-12-27 1996-02-20 International Business Machines Corporation Yoke spin valve MR read head
US5515221A (en) * 1994-12-30 1996-05-07 International Business Machines Corporation Magnetically stable shields for MR head
US5627704A (en) * 1996-02-12 1997-05-06 Read-Rite Corporation Thin film giant magnetoresistive CPP transducer with flux guide yoke structure
US5668688A (en) * 1996-05-24 1997-09-16 Quantum Peripherals Colorado, Inc. Current perpendicular-to-the-plane spin valve type magnetoresistive transducer
US5729410A (en) * 1996-11-27 1998-03-17 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction device with longitudinal biasing

Also Published As

Publication number Publication date
WO1998037551A2 (en) 1998-08-27
EP0935799A1 (en) 1999-08-18
CN1222998A (zh) 1999-07-14
WO1998037551A3 (en) 1998-11-19
US5973889A (en) 1999-10-26
EP0935799B1 (en) 2003-06-11
TW369649B (en) 1999-09-11
DE69815490T2 (de) 2004-04-15
JP2000508816A (ja) 2000-07-11
KR20000064955A (ko) 2000-11-06
DE69815490D1 (de) 2003-07-17
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