JPH11185221A

JPH11185221A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH11185221A
Application number: JP34982297A
Authority: JP
Inventors: Teruyuki Inaguma; 輝往稲熊; Ikuko Yanai; 郁子矢内
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-12-18
Filing date: 1997-12-18
Publication date: 1999-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、ヘッドと磁気記録媒体との接触状
態を改善させ、スペーシングロスを抑えるとともに、ヘ
ッドの摩耗を抑えることのできる磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを提供する。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
磁気記録媒体を摺動させて、当該磁気記録媒体からの信
号を磁気抵抗効果素子によって検出する磁気抵抗効果型
磁気ヘッドであって、磁気記録媒体の摺動面に、磁気記
録媒体の摺動方向に対して交差するように、一方の端部
から他方の端部に亘って溝が形成されていることを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体と摺
動して情報の記録再生を行う磁気ヘッド装置に搭載され
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】ビデオテープレコーダ、デジタルオーデ
ィオテープレコーダ、データストレージ装置等に搭載さ
れる磁気ヘッド装置として、図３５に示すように磁気テ
ープ１００に対して記録又は再生を行う１個以上の磁気
ヘッド１０１を回転ドラム１０２上に搭載したものが用
いられている。上記磁気ヘッド装置により情報の記録再
生を行う場合には、上記回転ドラム１０２を磁気テープ
１００に接触させた状態で回転させることにより、当該
回転ドラム１０２に搭載された磁気ヘッド１０１を磁気
テープ１００に接触した状態で走査させて、所定の記録
トラックに対して情報の記録再生を行う。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等のフレキ
シブル媒体を用いたヘリカルスキャンニング方式のよう
な高速摺動記録再生システムでは、磁気ヘッド１０１と
磁気テープ１００とが高速で摺動し、磁気ヘッド１０１
と磁気テープ１００との接触、脱離が繰り返し行われ
る。

【０００４】このとき、磁気ヘッド１０１の摺動面上に
空気の層が取り込まれると、磁気ヘッド１０１と磁気テ
ープ１００との距離すなわちスペーシング量が増加して
しまう。

【０００５】このため、いわゆるスペーシングロスによ
る再生感度の低下が懸念される。近年の高密度記録化の
ため、磁気ヘッド装置が高周波数帯域、高転送レートで
用いられることを考慮すると、更に磁気ヘッド１０１と
磁気テープ１００との相対速度の増加が予想される。

【０００６】また、磁気抵抗効果素子を用いた再生用の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドをこの磁気ヘッド装置に搭載
した場合、磁気テープ１００との摺動による偏摩耗を抑
えるために、磁気テープ１００と磁気ヘッド１０１との
接触面積を大きくする必要がある。磁気テープ１００と
磁気ヘッド１０１との接触面積を大きくすると、さらに
空気層を取り入れてしまい、スペーシング量が増してし
まう恐れがある。

【０００７】スペーシングロスと磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの偏摩耗とをともに抑制するためには、磁気記録媒
体と磁気抵抗効果型磁気ヘッドとの接触状態が問題とな
る。

【０００８】本発明は、上述したような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、ヘッドと磁気記録媒体との
接触状態を改善させ、スペーシングロスを抑えるととも
に、ヘッドの摩耗を抑えることのできる磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
磁気ヘッドは、磁気記録媒体を摺動させて、当該磁気記
録媒体からの信号を磁気抵抗効果素子によって検出する
磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、磁気記録媒体の摺
動面に、磁気記録媒体の摺動方向に対して交差するよう
に、一方の端部から他方の端部に亘って溝が形成されて
いることを特徴とする。

【００１０】上述したような本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドでは、磁気記録媒体との摺動面に、磁気記
録媒体の摺動方向に対して交差するように一方の端部か
ら他方の端部に亘って形成された溝が、磁気記録媒体と
の摺動により発生する空気流に負圧を生じさせて磁気記
録媒体をヘッドに引き寄せるとともに、空気流を逃がし
て、空気流による浮力と上記負圧との均衡を保ち、ヘッ
ドと磁気記録媒体との接触状態を良好にする。

【００１１】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
ては、上記溝は、例えば上記磁気抵抗効果素子を挟んで
磁気記録媒体の摺動方向前側と摺動方向後ろ側とに形成
する。

【００１２】この磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、上記
溝が上記磁気抵抗効果素子を挟んで磁気記録媒体の摺動
方向前側と摺動方向後ろ側とに形成されているので、負
圧が高くなり磁気記録媒体が強く引き寄せられるととも
に、空気流が効率よく逃げ、空気流による浮力と上記負
圧との均衡が保たれて、ヘッドと磁気記録媒体との接触
状態が良好になる。

【００１３】また、磁気記録媒体の摺動面に、上記磁気
抵抗効果素子を挟んで磁気記録媒体の摺動方向前側と摺
動方向後ろ側とに形成された溝の他に、磁気記録媒体の
摺動方向に沿って、上記磁気抵抗効果素子を挟むように
一対の溝を形成するようにしてもよい。

【００１４】この磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、上記
磁気抵抗効果素子の周囲が上記溝により囲まれているの
で、負圧が高くなり、磁気記録媒体がより強くヘッドに
引き寄せられる。また、上述したような本発明に係る磁
気抵抗効果型磁気ヘッドでは、上記一対の溝が磁気記録
媒体の摺動方向に沿って形成されているので、空気流が
効率よく逃げ、空気流による浮力と上記負圧との均衡が
保たれてヘッドと磁気記録媒体との接触状態が良好にな
る。

【００１５】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
においては、上記溝は、例えば、上記一方の端部から磁
気記録媒体の摺動方向前側に向けて斜めに形成された第
１の溝部と、上記他方の端部から磁気記録媒体の摺動方
向前側に向けて斜めに形成された第２の溝部とを有し、
上記第１の溝部と第２の溝部とが、上記磁気抵抗効果素
子よりも磁気記録媒体の摺動方向前側において繋がるよ
うに形成するようにしてもよい。

【００１６】この磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、第１
の溝部と、第２の溝部とが、斜めに形成されるとともに
上記磁気抵抗効果素子よりも磁気記録媒体の摺動方向前
側において繋がるように形成されているので、上記溝に
沿って空気流が効率よく逃げ、空気流による浮力と、空
気流により上記第１の溝及び第２の溝部分に生じる負圧
との均衡が保たれてヘッドと磁気記録媒体との接触状態
が良好になる。

【００１７】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
においては、上記溝は、例えば、上記磁気抵抗効果素子
よりも磁気記録媒体の摺動方向後ろ側において上記一方
の端部から磁気記録媒体の摺動方向前側に向けて斜めに
形成された第１の溝部と、上記磁気抵抗効果素子よりも
磁気記録媒体の摺動方向後ろ側において上記他方の端部
から磁気記録媒体の摺動方向前側に向けて斜めに形成さ
れた第２の溝部と、上記磁気抵抗効果素子の周囲を囲む
ように形成された第３の溝部とを有し、上記第１乃至第
３の溝部が、上記磁気抵抗効果素子よりも磁気記録媒体
の摺動方向後ろ側において繋がるように形成するように
してもよい。

【００１８】この磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、上記
第３の溝部により上記磁気抵抗効果素子の周囲が囲まれ
ているので、負圧が高くなり、磁気記録媒体がより強く
ヘッドに引き寄せられる。また、上記第１の溝部と上記
第２の溝部とが斜めに形成されているので、空気流が上
記第１の溝部及び上記第２の溝部に沿って効率よく逃
げ、空気流による浮力と上記負圧との均衡が保たれてヘ
ッドと磁気記録媒体との接触状態が良好になる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００２０】なお、以下の説明では、磁気抵抗効果を示
す磁性材料を膜にした磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素
子と称する。）を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを例
に挙げて説明する。しかし、本発明はこれに限定される
ものではなく、スピンバルブ素子等、複数の薄膜を組み
合わせた多層構造をとることによって巨大磁気抵抗効果
を示す巨大磁気抵抗効果素子を有する巨大磁気抵抗効果
型磁気ヘッドについても適用可能である。

【００２１】また、以下の説明では、ＭＲ素子を絶縁膜
を介して軟磁性体で挟み込んだシールド型の磁気抵抗効
果型磁気ヘッドを例に挙げて説明する。また、以下の説
明では、ＳＡＬ（Soft Adjacent Layer）バイアス方式
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを例に挙げて説明する。し
かし本発明はこれに限定されるものではなく、シールド
型以外の磁気抵抗効果型磁気ヘッドや、ＳＡＬバイアス
方式以外の磁気抵抗効果型磁気ヘッドについても適用可
能である。

【００２２】また、図面においては、特徴となる部分を
拡大して示している場合があり、実際の寸法と比率が同
じであるとは限らない。

【００２３】本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッド
（以下、ＭＲヘッドと称する。）の一構成例を図１及び
図２に示す。

【００２４】このＭＲヘッド１は、第１の基板２と、第
１の基板２上に形成された第１の絶縁膜３と、第１の絶
縁膜３上に形成されたＭＲヘッド素子４と、ＭＲヘッド
素子４上に形成された第２の絶縁膜５と、第２の絶縁膜
５上に形成された軟磁性膜６と、軟磁性膜６上に形成さ
れた第３の絶縁膜７と、第３の絶縁膜７上に接着された
第２の基板８とから構成され、磁気記録媒体との摺動面
１ａには第１の溝９ａと第２の溝９ｂとが形成されてい
る。

【００２５】第１の基板２は、図１中矢印Ａで示される
磁気記録媒体との摺動方向（以下、単に摺動方向と称す
る。）前端側のガード材とＭＲヘッド１の下層シールド
とを兼ねるものであり、硬質の軟磁性材料が使用され
る。また、第２の基板８は摺動方向後端側のガード材と
なるものであり、耐摩耗性に優れた非磁性材料が使用さ
れる。

【００２６】第１の絶縁膜３は、ＭＲヘッド１の下層ギ
ャップとなり、また、第２の絶縁膜５は、ＭＲヘッド１
の上層ギャップとなる。

【００２７】軟磁性膜６は、ＭＲヘッド１の上層シール
ドとなるものである。なお、このＭＲヘッド１では、軟
磁性膜６による膜シールド構造をとっているが、第２の
基板８に硬質の軟磁性材料を用いて、ＭＲヘッド１の上
層シールドとしてもよい。第２の基板８をＭＲヘッド１
の上層シールドとする場合には、この軟磁性膜６は不要
となる。

【００２８】ＭＲヘッド素子４は、第１の絶縁膜３及び
第２の絶縁膜５を介して、第１の基板２及び上記第２の
基板８に挟持されている。

【００２９】図３は、ＭＲヘッド１に使用されるＭＲヘ
ッド素子４の一構成例を示す平面図である。このＭＲヘ
ッド素子４は、その長手方向が磁気記録媒体との摺動面
１ａと略平行になるように配された平面略長方形のＭＲ
素子部１０と、上記ＭＲ素子部１０の長手方向の両端部
に形成された永久磁石膜１１ａ，１１ｂと、上記永久磁
石膜１１ａ，１１ｂから導出された引き出し導体１２
ａ，１２ｂと、上記引き出し導体１２ａ，１２ｂの一端
部に形成された外部端子１３ａ，１３ｂとを備える。

【００３０】ＭＲ素子部１０は、例えば磁気抵抗効果を
有するＭＲ素子と、ＳＡＬバイアス方式によってバイア
ス磁界を上記ＭＲ素子に印加するための軟磁性膜（いわ
ゆるＳＡＬ膜）とが積層されてなる。この軟磁性膜は、
ＭＲ素子にバイアス磁界を与えて、検出信号の直線性を
高める働きをする。

【００３１】上記ＭＲ素子としては、公知の軟磁性材料
が使用可能である。具体的には、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣ
ｏ、パーマロイ合金ＮｉＦｅ−Ｘ（ＸはＴａ、Ｃｒ、Ｎ
ｂ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ
等がある。また、Ｘとしてこれらの元素が複数種類含有
されてもよい。）、ＣｏＺｒ系アモルファス等が挙げら
れる。

【００３２】このＭＲヘッド１は、ＭＲ素子部１０の長
手方向が磁気記録媒体との摺動面１ａに対して略平行と
なるように配された、いわゆる横型のＭＲヘッドであ
る。

【００３３】上記永久磁石膜１１ａ，１１ｂは、ＭＲ素
子部１０の長手方向の両端部に設けられ、永久磁石膜１
１ａ，１１ｂからの磁場の影響によりＭＲ素子を単磁区
化し、ＭＲ素子内における磁壁の移動によるバルクハウ
ゼンノイズの発生を防止するものである。

【００３４】ところで、上記永久磁石膜１１ａ，１１ｂ
は導電性を有しているので、このＭＲヘッド１におい
て、センス電流は引き出し導体１２ａ，１２ｂから永久
磁石膜１１ａ，１１ｂを介してＭＲ素子部１０に供給さ
れる。そして、実際に磁気記録媒体からの磁界を検出す
る感磁部となる部分は、永久磁石膜１１ａ_,１１ｂ間に
設けられたＭＲ素子部１０である。したがって、永久磁
石膜１１ａと永久磁石膜１１ｂとの間隔がトラック幅Ｔ
となり、永久磁石膜１１ａ，１１ｂによってトラック幅
Ｔが規制されることになる。

【００３５】引き出し導体１２ａ，１２ｂは、導電性膜
からなり、ＭＲ素子部１０及び永久磁石膜１１ａ，１１
ｂへセンス電流を供給するための電極である。この引き
出し導体１２ａ，１２ｂは、長手方向が摺動面１ａと垂
直な方向（以下、高さ方向と称する。）となるように設
けられた略長方形状をしており、磁気記録媒体との摺動
面１ａには露出していない。引き出し導体１２ａ，１２
ｂの長手方向の一端部は上記永久磁石膜１１ａ，１１ｂ
と接続しており、この引き出し導体１２ａ，１２ｂを介
して上記永久磁石膜１１ａ，１１ｂ及びＭＲ素子部１０
にセンス電流が供給される。

【００３６】外部端子１３ａ，１３ｂは外部と電気的接
続をとるためのものであり、引き出し導体１２ａ，１２
ｂの長手方向の他端部に形成される。

【００３７】このようなＭＲヘッド１を用いて磁気記録
媒体から記録信号を読み出す際には、引き出し導体１２
ａ，１２ｂの一端部に形成された外部端子１３ａ，１３
ｂから引き出し導体１２ａ，１２ｂを介して第１のＭＲ
素子部１０にセンス電流を供給し、摺動面１ａに沿って
ＭＲ素子部１０の長手方向にセンス電流を流す。そして
このセンス電流により、磁気記録媒体からの磁界によっ
て生じるＭＲ素子部１０の抵抗変化を検出し、これによ
って磁気記録媒体からの記録信号を再生する。

【００３８】このとき、ＭＲヘッド１と磁気記録媒体と
は高速で摺動するため、ＭＲヘッド１の摺動面１ａと磁
気記録媒体との間に空気が取り込まれて空気流が発生す
る。この空気流のため、従来のＭＲヘッドでは、ＭＲヘ
ッドと磁気記録媒体との接触状態が悪くなり、スペーシ
ングロスやＭＲヘッドの偏摩耗等の問題が生じていた。

【００３９】そこで、このＭＲヘッド１では、図１及び
図２に示すように、摺動面１ａ上に、第１の溝９ａと、
第２の溝９ｂとを形成している。第１の溝９ａは、ＭＲ
ヘッド素子４よりも摺動方向前側に配され、摺動方向に
対して交差するように摺動面１ａの一方の端部から他方
の端部に亘って形成されている。第２の溝９ｂは、ＭＲ
ヘッド素子４よりも摺動方向後ろ側に配され、摺動方向
に対して交差するように摺動面１ａの一方の端部から他
方の端部に亘って形成されている。

【００４０】摺動面１ａ上に溝９ａ，９ｂを形成するこ
とにより、ＭＲヘッド１と磁気記録媒体とが高速で摺動
することにより空気流が発生しても、この溝９ａ，９ｂ
の部分は負圧となるため、磁気記録媒体が摺動面１ａに
引き寄せられる。ＭＲヘッド１では、ＭＲヘッド素子４
を挟んで磁気記録媒体の摺動方向前側と摺動方向後ろ側
とに溝９ａ，９ｂが形成されているので、負圧が高くな
り磁気記録媒体を強く引き寄せることができる。また、
この溝９ａ，９ｂによって空気流を逃がすことができ
る。空気流を逃がすことで、空気流による浮力と、溝９
ａ，９ｂによる負圧との均衡を保ち、ＭＲヘッド１と磁
気記録媒体との接触状態を改善することができる。ＭＲ
ヘッド１と磁気記録媒体との接触状態が改善されると、
スペーシングロスを抑えるとともに、ＭＲヘッド１の偏
摩耗を少なくすることができる。

【００４１】これらの溝９ａ，９ｂの幅ｔ₁や深さｔ₂は
ＭＲヘッド１と磁気記録媒体との相対速度等を考慮して
適切な値に設定されることが好ましい。

【００４２】また、ＭＲヘッド１においては、溝を以下
のように形成してもよい。

【００４３】図４及び図５に示されるＭＲヘッド１で
は、摺動面１ａ上に第１の溝１４ａと、第２の溝１４ｂ
とが形成されている。第１の溝１４ａは、摺動面１ａの
一方の端部から摺動方向前側に向けて斜めに形成されて
いる。第２の溝１４ｂは、摺動面１ａの他方の端部から
摺動方向前側に向けて斜めに形成されている。そして第
１の溝１４ａと第２の溝１４ｂとはＭＲヘッド素子４よ
りも摺動方向前側において繋がるようになされている。

【００４４】このＭＲヘッド１では、第１の溝１４ａと
第２の溝１４ｂとの間隔が、摺動方向後ろ側に向かうに
従って次第に大となっているので、空気流をこれらの溝
１４ａ，１４ｂに沿わせて効率よく逃すことができる。
空気流を効率よく逃すことで、空気流による浮力と、空
気流により溝１４ａ，１４ｂの部分に生じる負圧との均
衡を保ち、ＭＲヘッド１と磁気記録媒体との接触状態を
改善することができる。ＭＲヘッド１と磁気記録媒体と
の接触状態が改善されると、スペーシングロスを抑える
とともに、ＭＲヘッド１の偏摩耗を少なくすることがで
きる。

【００４５】このように斜めに溝１４ａ，１４ｂを形成
する場合にも、溝１４ａ，１４ｂの幅ｔ₃や深さｔ₄は適
切な値に設定されることが好ましい。また、摺動方向に
対する溝１４ａ，１４ｂの角度も適切な値に設定される
ことが好ましい。

【００４６】さらにこのＭＲヘッド１では、図６及び図
７、あるいは図８及び図９に示すように、ＭＲヘッド素
子４の周辺部を溝で囲むようにしてもよい。

【００４７】図６及び図７に示すＭＲヘッド１では、摺
動面１ａ上に、第１の溝１５ａと、第２の溝１５ｂと、
第３の溝１５ｃと、第４の溝１５ｄとが形成されてい
る。第１の溝１５ａは、ＭＲヘッド素子４よりも摺動方
向前側に配され、摺動方向に対して交差するように摺動
面１ａの一方の端部から他方の端部に亘って形成されて
いる。第２の溝１５ｂは、ＭＲヘッド素子４よりも摺動
方向後ろ側に配され、摺動方向に対して交差するように
摺動面１ａの一方の端部から他方の端部に亘って形成さ
れている。また、第３の溝１５ｃ及び第４の溝１５ｄは
摺動方向に沿って形成され、第３の溝１５ｃと第４の溝
１５ｄとによってＭＲヘッド素子４を挟むように配され
ている。そして、これら第１の溝１５ａ乃至第４の溝１
５ｄにより、ＭＲヘッド素子４の周囲が囲まれている。

【００４８】このＭＲヘッド１では、ＭＲヘッド素子４
の周囲が上記溝１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄにより
囲まれているので、負圧が高くなり、磁気記録媒体をよ
り強くヘッドに引き寄せることができる。また、ＭＲヘ
ッド１では第３の溝１５ｃ及び第４の溝１５ｄが磁気記
録媒体の摺動方向に沿って形成されているので、空気流
を効率よく逃がすことができる。空気流を効率よく逃が
すことで、空気流による浮力と溝１５ａ，１５ｂ，１５
ｃ，１５ｄの部分に生じる負圧との均衡を保ち、ＭＲヘ
ッド１と磁気記録媒体との接触状態を改善することがで
きる。ＭＲヘッド１と磁気記録媒体との接触状態が改善
されると、スペーシングロスを抑えるとともに、ＭＲヘ
ッド１の偏摩耗を少なくすることができる。

【００４９】これらの溝１５ａ，１５ｂの幅ｔ₅や深さ
ｔ₆、溝１５ｃ，１５ｄの幅ｔ₇や深さ、及びこれらの溝
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄにより囲まれた部分の
摺動方向の長さｔ₈や摺動方向に垂直な方向の長さｔ
₉は、ＭＲヘッド１と磁気記録媒体との相対速度等を考
慮して適切な数値に設定されることが好ましい。

【００５０】また、図８及び図９に示すＭＲヘッド１で
は、摺動面１ａ上に第１の溝１６ａと、第２の溝１６ｂ
と、第３の溝１６ｃとが形成されている。第１の溝１６
ａは、ＭＲヘッド素子４よりも摺動方向後ろ側に配さ
れ、摺動面１ａの一方の端部から摺動方向前側に向けて
斜めに形成されている。第２の溝１６ｂは、ＭＲヘッド
素子４よりも摺動方向後ろ側に配され、摺動面１ａの他
方の端部から摺動方向前側に向けて斜めに形成されてい
る。第３の溝１６ｃは、各辺が摺動方向に対して斜めと
なるように配された略菱形状とされ、ＭＲヘッド素子４
の周囲を囲むように形成されている。そして第１の溝１
６ａ乃至第３の溝１６ｃが、ＭＲヘッド素子４よりも摺
動方向後ろ側において繋がるようになされている。

【００５１】このＭＲヘッド１では、第３の溝１６ｃに
よりＭＲヘッド素子４の周囲が囲まれているので、負圧
が高くなり、磁気記録媒体をより強くＭＲヘッド１に引
き寄せることができる。また、ＭＲヘッド１では、第１
の溝１６ａと第２の溝１６ｂとの間隔が摺動方向後ろ側
に向かうに従って次第に大となっているので、空気流を
これらの溝１６ａ，１６ｂに沿わせて効率よく逃すこと
ができる。空気流を効率よく逃すことで、空気流による
浮力と、溝１６ａ，１６ｂ，１６ｃ部分に生じる負圧と
の均衡が保たれ、ＭＲヘッド１と磁気記録媒体との接触
状態を改善することができる。ＭＲヘッド１と磁気記録
媒体との接触状態が改善されると、スペーシングロスを
抑えるとともに、ＭＲヘッド１の偏摩耗を少なくするこ
とができる。

【００５２】これらの溝１６ａ，１６ｂ，１６ｃの深さ
ｔ₁₀や幅ｔ₁₁、及び第３の溝１６ｃによって囲まれる領
域の大きさはＭＲヘッド１と磁気記録媒体との相対速度
等を考慮して適切な値に設定されることが好ましい。ま
た、摺動方向に対する溝１６ａ，１６ｂの角度も適切な
値に設定されることが好ましい。

【００５３】以下、上述したような構成を有するＭＲヘ
ッド１の製造方法について説明する。

【００５４】まず、例えば直径が約３インチ、厚みが約
２ｍｍの円盤状の第１の基板２を用意する。この第１の
基板２は摺動方向前端側のガード材とＭＲヘッド１の下
層シールドとを兼ねるもので、硬質の軟磁性材料が使用
される。硬質の軟磁性材料として具体的には、例えばＮ
ｉ−Ｚｎフェライトや、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等があ
る。ここで、この第１の基板２上には後述するように多
数のＭＲヘッド素子４が形成されるため、表面粗度を向
上させるために、第１の基板２の表面に対して鏡面処理
を施しておく。

【００５５】次に、図１０及び図１１に示すように、表
面が鏡面状態とされた上記第１の基板２上に、下層ギャ
ップとなる第１の絶縁膜３をスパッタリング等により形
成する。この第１の絶縁膜３の材料としては、絶縁特性
や耐摩耗性等を考慮すると、例えばＡｌ₂Ｏ₃等が好適で
ある。また、この第１の絶縁膜３の厚みはシステムで扱
う周波数等に応じて決定され、例えば約１９０ｎｍとす
る。

【００５６】次に、図１２及び図１３に示すように、上
記第１の絶縁膜３上に、ＭＲ素子部１０となるＭＲ素子
部用薄膜１０ａを形成する。上述したように、ＭＲ素子
部１０は、いわゆるＳＡＬバイアス方式によってバイア
ス磁界をＭＲ素子に印加するために、ＭＲ素子と、ＭＲ
素子へバイアス磁界を印加するための軟磁性膜（いわゆ
るＳＡＬ膜）とが積層されてなる。具体的には、例えば
Ｔａを５ｎｍと、ＮｉＦｅＮｂを４３ｎｍと、Ｔａを５
ｎｍと、ＮｉＦｅを４０ｎｍと、Ｔａを１ｎｍとをこの
順にスパッタリング等により成膜してＭＲ素子部用薄膜
１０ａを形成する。ここでＮｉＦｅが磁気抵抗効果をも
つＭＲ素子となり、またＮｉＦｅＮｂがＭＲ膜にバイア
ス磁界を印加する軟磁性膜となる。上記ＭＲ素子部１０
のバイアス方式、ＭＲ素子部１０を構成する各膜の材料
や膜厚はこれに限られるものではなく、システム等の要
求に応じて任意に変更可能である。

【００５７】次に、図１４、図１５及び図１６に示すよ
うに、ＭＲ素子部１０となる部分の両端側に永久磁石膜
１１ａ，１１ｂを形成する。この永久磁石膜１１ａ，１
１ｂにより上記ＭＲ素子が磁気的に安定化される。な
お、図１５及び図１６、並びに後掲する図１７乃至図２
８では、１つのＭＲヘッド素子４に対応する部分、すな
わち図１４中の円Ｂの部分を拡大して示している。

【００５８】永久磁石膜１１ａ，１１ｂを形成するに
は、まず、上記ＭＲ素子部用薄膜１０ａ上にレジストを
塗布し、フォトリソグラフィ技術により、永久磁石膜１
１ａ，１１ｂとなる部分のみレジストが除去されたレジ
ストパターンを形成する。具体的には、１つのＭＲヘッ
ド素子４に対して、長手方向に並べられた２つの略長方
形状の開口部を有するレジストパターンとする。ここ
で、この開口部の間隔によりＭＲヘッド１のトラック幅
が決定される。具体的にはトラック幅Ｔを例えば５μｍ
とする。この開口部の大きさは例えば、長辺ｔ₁₂を５０
μｍ、短辺ｔ₁₃を１０μｍとする。

【００５９】次に、上記レジストパターンをマスクとし
てエッチングを行い、マスクから露出している部分のＭ
Ｒ素子部用薄膜１０ａを除去する。エッチングはドライ
方式でもウェット方式でも構わないが、加工のしやすさ
等を考慮すると、イオンエッチングが好適である。次
に、上記レジストパターンを残存させたまま、永久磁石
膜１１ａ，１１ｂをスパッタリング等により全面に成膜
する。この永久磁石膜１１ａ，１１ｂの材料としては、
保磁力が１０００エルステッド以上ある材料が好まし
い。保磁力が１０００エルステッド以上ある材料として
具体的には、例えばＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ等があ
る。最後に、レジストを当該レジスト上に成膜された永
久磁石膜１１ａ，１１ｂとともに除去することにより、
所定パターンの永久磁石膜１１ａ，１１ｂがＭＲ素子部
用薄膜１０ａ中に埋め込まれた状態となる。

【００６０】次に、図１７及び図１８に示すように、Ｍ
Ｒ素子部１０、及びＭＲ素子部１０にセンス電流を供給
する引き出し導体１２ａ，１２ｂを形成する。具体的に
は、まず、上記ＭＲ素子部用薄膜１０ａ上にレジストを
塗布し、フォトリソグラフィ技術により、最終的にＭＲ
素子部１０となる部分と引き出し導体１２ａ，１２ｂと
なる部分、及び永久磁石膜１１ａ，１１ｂが形成された
部分のみレジストが残存されたレジストパターンを形成
する。具体的には、引き出し導体１２ａ，１２ｂとなる
部分は、例えば短辺ｔ₁₄が８０μｍ、長辺ｔ₁₅が２ｍｍ
の略長方形状をしており、長手方向の一端部が上記永久
磁石膜１１ａ，１１ｂに接続している。そして、短辺方
向に、引き出し導体１２ａの端部から引き出し導体１２
ｂの端部までの長さｔ₁₆は例えば２００μｍである。ま
た、永久磁石膜１１ａと永久磁石膜１１ｂとの間が、Ｍ
Ｒ素子部１０となる部分である。ＭＲ素子部１０となる
部分は、略長方形状であり、長辺の長さがトラック幅Ｔ
となる。具体的には、例えば、トラック幅Ｔを約５μ
ｍ、短辺ｔ₁₇を約４μｍとする。

【００６１】次に上記レジストパターンをマスクとして
エッチングを行い、マスクから露出しているＭＲ素子部
用薄膜１０ａを除去する。エッチングはドライ方式でも
ウェット方式でも構わないが、加工のしやすさ等を考慮
すると、イオンエッチングが好適である。

【００６２】次に、引き出し導体１２ａ，１２ｂとなる
部分をより電気抵抗の小さい導電性膜に置き換える。ま
ず、レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術によ
り、引き出し導体１２ａ，１２ｂとなる部分のみレジス
トが除去されたレジストパターンを形成する。次にこの
レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、マ
スクから露出している引き出し導体１２ａ，１２ｂとな
る部分のＭＲ素子部用薄膜１０ａを除去する。エッチン
グはドライ方式でもウェット方式でも構わないが、加工
のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチングが好適で
ある。引き出し導体１２ａ，１２ｂとなる部分のＭＲ素
子部用薄膜１０ａを除去した後、上記レジストパターン
を残存させたまま導電性膜を成膜する。具体的には、例
えばＴｉを１５ｎｍと、Ｃｕを７０ｎｍと、Ｔｉを１５
ｎｍとをこの順にスパッタリング等により成膜して導電
性膜を形成する。次に、レジストを当該レジスト上に形
成された導電性膜とともに除去することにより、引き出
し導体１２ａ，１２ｂの部分に導電性膜が形成された状
態となる。

【００６３】次に、図１９及び図２０に示すように、上
層ギャップとなる第２の絶縁膜５をスパッタリング等に
より形成する。この第２の絶縁膜５の材料としては、絶
縁特性や耐摩耗性等を考慮すると、例えばＡｌ₂Ｏ₃等が
好適である。また、この第２の絶縁膜５の厚みはシステ
ムで扱う周波数等に応じて決定され、例えば約１８０ｎ
ｍとする。

【００６４】次に、図２１及び図２２に示すように、上
層シールドとなる軟磁性膜６を形成する。具体的には、
まず、例えばＮｉＦｅをスパッタリング等により全面に
成膜してメッキ下地膜を形成する。このメッキ下地膜の
厚さは、例えば１０ｎｍ程度とする。次に、このメッキ
下地膜上にレジストを塗布し、上層シールドとなる部分
のみレジストが除去されたレジストパターンをフォトリ
ソグラフィ技術により形成する。この軟磁性膜６が形成
される部分は、例えば長辺ｔ₁₈が約２５０μｍ、短辺ｔ
₁₉が約１００μｍの略長方形状とする。次に、ＮｉＦｅ
を磁場中でメッキして例えば厚さ２．５μｍ程度のＮｉ
Ｆｅ膜を形成する。次に、上記レジストを当該レジスト
上に成膜されたＮｉＦｅ膜とともに除去し、さらに不要
部分のメッキ下地膜をエッチングにより除去することに
より、図２１及び図２２に示すように、上層シールドと
なる軟磁性膜６が所定の位置に形成された状態となる。
なお、この上層シールドとなる軟磁性膜６の材料として
ＮｉＦｅの他にも、ＭＲ素子に影響を与えないものであ
れば任意の軟磁性材料が使用可能である。また、軟磁性
膜６の形成方法もメッキに限定されず、スパッタリング
や蒸着等によって形成してもよい。

【００６５】次に、図２３及び図２４に示すように、引
き出し導体１２ａ，１２ｂの端部に、外部との電気的接
続をとるための外部端子１３ａ，１３ｂを形成する。

【００６６】具体的にはまず、レジストを塗布し、外部
端子１３ａ，１３ｂとなる部分のみレジストが除去され
たレジストパターンをフォトリソグラフィ技術により形
成する。具体的に、外部端子１３ａ，１３ｂが形成され
る部分は、上記引き出し導体１２ａ，１２ｂの長手方向
で、永久磁石膜１１ａ，１１ｂと接続していないほうの
端部である。また、外部端子１３ａ，１３ｂの長さｔ₂₀
は、引き出し導体１２ａ，１２ｂの端部から例えば約５
０μｍとする。上記レジストパターンをマスクとして、
マスクから露出している絶縁膜をエッチングにより除去
する。エッチングはドライ方式でもウェット方式でも構
わないが、加工のしやすさ等を考慮すると、イオンエッ
チングが好適である。次に、例えばＣｕをスパッタリン
グ等により全面に成膜してメッキ下地膜を形成する。こ
のメッキ下地膜の厚さは、例えば０．１μｍ程度とす
る。

【００６７】次に、上記レジストパターンを残存させた
まま、硫酸銅溶液を用いた電解メッキにより、例えば厚
さ６μｍ程度のＣｕ膜を形成する。次に、上記レジスト
を当該レジスト上に成膜されたＣｕ膜とともに除去し、
さらに不要部分のメッキ下地膜をエッチングにより除去
することにより、引き出し導体１２ａ，１２ｂの後端部
に外部端子１３ａ，１３ｂが形成された状態となる。

【００６８】次に、図２５及び図２６に示すように、例
えばＡｌ₂Ｏ₃をスパッタリング等により全面に約４μｍ
の厚さに成膜して第３の絶縁膜７を形成する。この第３
の絶縁膜７の材料としては、非導電性であれば任意の材
料が使用可能であるが、絶縁特性や耐摩耗性等を考慮す
ると、例えばＡｌ₂Ｏ₃等が好適である。また第３の絶縁
膜７の形成方法もスパッタリングに限られず、蒸着等に
より形成してもよい。

【００６９】次に、図２７及び図２８に示すように、外
部端子１３ａ，１３ｂの表面が現れるまで、全面を被覆
した第３の絶縁膜７を研磨する。研磨は、粒径が約２μ
ｍのダイヤモンド砥粒により、外部端子１３ａ，１３ｂ
の表面が露出するまで大まかに研磨した後、シリコン砥
粒によりバフ研磨を施して、外部端子１３ａ，１３ｂの
表面及び第３の絶縁膜７の表面を鏡面状態とする。

【００７０】以上の工程で、第１の基板２上にＭＲヘッ
ド素子４を形成する薄膜工程が終了し、図２９に示すよ
うに、第１の基板２上に多数のＭＲヘッド素子４が形成
された状態となる。

【００７１】次に、図３０及び図３１に示すように、多
数のＭＲヘッド素子４が形成された第１の基板２をＭＲ
ヘッド素子４毎に切断する。第１の基板２は、例えば長
辺ｔ₂₁が約２ｍｍ、短辺ｔ₂₂が約３００μｍ、厚さｔ₂₃
が約０．８ｍｍのチップ状に切り出される。

【００７２】そして、図３２に示すように、ＭＲヘッド
素子４毎に切り出された第１の基板２上に、例えば厚さ
ｔ₂₄が約０．７ｍｍの第２の基板８を貼り付ける。この
第２の基板８は摺動方向後端側のガード材となる。第２
の基板８の貼り付けには、例えば樹脂等の接着剤が用い
られる。このとき、この第２の基板８の長さｔ₂₅を第１
の基板２の長さｔ₂₁よりも短くして、ＭＲヘッド素子４
の外部端子１３ａ，１３ｂを露出させて外部端子１３
ａ，１３ｂへの接続が行われるようにする。また、この
第２の基板８には耐摩耗性に優れた非磁性材料が使用さ
れる。第２の基板８に使用される非磁性材料として具体
的には、アルミナ−チタン−カーバイト等がある。

【００７３】なお、このＭＲヘッド１では、軟磁性膜６
をＭＲヘッド１の上層シールドとしているが、第２の基
板８に硬質の軟磁性材料を用いて、ＭＲヘッド１の上層
シールドとしてもよい。第２の基板８をＭＲヘッド１の
上層シールドとする場合には、軟磁性膜６は不要とな
る。

【００７４】次に、摺動面１ａとなる面に対して研削加
工を施し、円弧状とする。このときＭＲ素子部１０の摺
導面１ａ側の側面が、摺動面１ａに露出するようにす
る。

【００７５】最後に、摺動面１ａに対して、溝入れ加工
を施し、溝９ａ，９ｂを形成することにより、図１に示
されるようなＭＲヘッド１が完成する。これらの溝９
ａ，９ｂは例えば砥石により形成することができる。ま
た、パターニングを行い、パウダービームエッチング等
のエッチングにより溝９ａ，９ｂを形成することもでき
る。

【００７６】このＭＲヘッド１では、図１及び図２に示
すように、摺動面１ａ上に第１の溝９ａと第２の溝９ｂ
とを形成する。第１の溝９ａは、ＭＲヘッド素子４より
も摺動方向前側に配され、摺動方向に対して交差するよ
うに摺動面１ａの一方の端部から他方の端部に亘って形
成される。また、第２の溝９ｂは、ＭＲヘッド素子４よ
りも摺動方向後ろ側に配され、摺動方向に対して交差す
るように摺動面１ａの一方の端部から他方の端部に亘っ
て形成される。

【００７７】溝９ａ，９ｂの深さや幅はＭＲヘッド１と
磁気記録媒体との相対速度等を考慮して適切な値に設定
されることが好ましい。具体的には、例えば幅ｔ₁を１
５０μｍ、深さｔ₂を１００μｍとする。

【００７８】このＭＲヘッド１を使用する際は、図３３
に示すように、ＭＲヘッド１をチップベース１７に貼り
付けるとともに、上述したように形成した外部端子１３
ａ，１３ｂと、チップベース１７に設けられた端子１７
ａ，１７ｂとを電気的に接続する。そして、ＭＲヘッド
１は、このようにチップベース１７に取り付けられた上
で、回転ドラムに取り付けられて使用される。

【００７９】なお、このＭＲヘッド１では、摺動面１ａ
に形成する溝を、例えば図４及び図５、図６及び図７、
あるいは図８及び図９に示したように形成してもよい。

【００８０】ＭＲヘッド１では、図４及び図５に示した
ように、摺動面１ａ上に第１の溝１４ａと第２の溝１４
ｂとを形成してもよい。第１の溝１４ａは、摺動面１ａ
の一方の端部から摺動方向前側に向けて斜めに形成され
る。第２の溝１４ｂは、摺動面１ａの他方の端部から摺
動方向前側に向けて斜めに形成される。そして第１の溝
１４ａと第２の溝１４ｂとがＭＲヘッド素子４よりも摺
動方向前側において繋がるように形成される。

【００８１】このように摺動方向に斜めに溝１４ａ，１
４ｂを形成する場合にも、溝１４ａ，１４ｂの深さや幅
は適切な値に設定可能である。具体的には、例えば幅ｔ
₃を１００μｍ、深さｔ₄を３０μｍとする。また、摺動
方向に対する溝１４ａ，１４ｂの角度も適切な値に設定
されることが好ましい。

【００８２】また、ＭＲヘッド１では、図６及び図７に
示したように、摺動面１ａ上に、第１の溝１５ａと、第
２の溝１５ｂと、第３の溝１５ｃと、第４の溝１５ｄと
を形成してもよい。第１の溝１５ａは、ＭＲヘッド素子
４よりも摺動方向前側に配され、摺動方向に対して交差
するように摺動面１ａの一方の端部から他方の端部に亘
って形成される。第２の溝１５ｂは、ＭＲヘッド素子４
よりも摺動方向後ろ側に配され、摺動方向に対して交差
するように摺動面１ａの一方の端部から他方の端部に亘
って形成される。また、第３の溝１５ｃ及び第４の溝１
５ｄは、ＭＲヘッド素子４を挟むように配され、摺動方
向に沿って形成される。そして、これら第１の溝１５ａ
乃至第４の溝１５ｄによって、ＭＲヘッド素子４の周囲
が囲まれるようにする。

【００８３】これらの溝１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５
ｄの幅や深さ、及び溝１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ
により囲まれる領域の大きさは、ＭＲヘッド１と磁気記
録媒体との相対速度等を考慮して適切な数値に設定され
ることが好ましい。具体的には、例えば溝１５ａ，１５
ｂの幅ｔ₅を１５０μｍ、深さｔ₆を１００μｍとし、溝
１５ｃ，１５ｄの幅ｔ₇を３０μｍ、深さを１００μｍ
とする。そして、これらの溝により囲まれる領域の大き
さを、例えば摺動方向の長さｔ₈を１００μｍ、摺動方
向に垂直な方向の長さｔ₉を１００μｍとする。

【００８４】また、ＭＲヘッド１では、図８及び図９に
示したように、摺動面１ａ上に第１の溝１６ａと、第２
の溝１６ｂと、第３の溝１６ｃとを形成してもよい。第
１の溝１６ａは、ＭＲヘッド素子４よりも摺動方向後ろ
側に配され、摺動面１ａの一方の端部から摺動方向前側
に向けて斜めに形成される。第２の溝１６ｂは、ＭＲヘ
ッド素子４よりも摺動方向後ろ側に配され、摺動面１ａ
の他方の端部から摺動方向前側に向けて斜めに形成され
る。第３の溝１６ｃは、各辺が摺動方向に斜めとなるよ
うに配された略菱形状とされ、ＭＲヘッド素子４の周囲
を囲むように形成される。そして第１の溝１６ａ乃至第
３の溝１６ｃが、ＭＲヘッド素子４よりも摺動方向後ろ
側において繋がるようにする。

【００８５】これらの溝１６ａ，１６ｂ，１６ｃの深さ
や幅、及び第３の溝１６ｃによって囲まれる領域の大き
さはＭＲヘッド１と磁気記録媒体との相対速度等を考慮
して適切な値に設定されることが好ましい。具体的に
は、例えば溝１６ａ，１６ｂ，１６ｃの深さｔ₁₀を３０
μｍ、幅ｔ₁₁を３０μｍとする。また、摺動方向に対す
る溝１６ａ，１６ｂの角度も適切な値に設定されること
が好ましい。

【００８６】図１及び図２に示すような溝９ａ，９ｂが
形成された本発明のＭＲヘッド１、及び溝が形成されて
いない従来のＭＲヘッドについての走行試験を行った。
走行試験は、ドラムテスターを用いて行い、ＭＲ素子中
に流すセンス電流の大きさを１０ｍＡとした。

【００８７】ＭＲヘッドと磁気記録媒体との相対速度
と、ＭＲヘッドの出力との関係を調べた結果を図３４に
示す。図３４からわかるように、摺動面に溝のない従来
のＭＲヘッドでは、相対速度が大きくなるに従って、ス
ペーシングロスにより出力が大幅に低下しているのに対
し、溝９ａ，９ｂを形成した本発明のＭＲヘッド１で
は、相対速度が大きくなっても、出力の低下は少なく抑
えられている。

【００８８】従って、磁気記録媒体とヘッドとの相対速
度が大きくなっても、本発明を適用したＭＲヘッド１は
安定に動作することができる。

【００８９】なお、例えばヘリカルスキャニング方式
等、テープ状の磁気記録媒体と高速で摺動して情報の記
録再生を行うシステムでは、ＭＲヘッドと磁気記録媒体
との間に空気流が発生しやすいため、磁気記録媒体との
接触状態が良好に保たれるＭＲヘッド１は特に有効であ
る。しかし、本発明を適用したＭＲヘッド１は、ディス
ク状の磁気記録媒体と摺動して情報の記録再生を行うシ
ステムに用いることも可能である。

【００９０】

【発明の効果】本発明に係るＭＲヘッドでは、摺動面上
に溝を形成することにより、ＭＲヘッドと磁気記録媒体
との摺動により発生する空気流をこの溝によって逃がす
ことができる。空気流を逃がすことで、ヘッドと磁気記
録媒体との接触状態を改善し、ＭＲヘッドの摩耗を少な
くするとともに、スペーシングロスを少なくすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドの一構成例を示す平面
図である。

【図２】図１中、Ｘ₁−Ｘ₂線における断面図である。

【図３】図１のＭＲヘッドに用いられているＭＲヘッド
素子の一構成例を示す平面図である。

【図４】本発明に係るＭＲヘッドの他の構成例を示す平
面図である。

【図５】図４中、Ｘ₃−Ｘ₄線における断面図である。

【図６】本発明に係るＭＲヘッドの他の構成例を示す平
面図である。

【図７】図６中、Ｘ₅−Ｘ₆線における断面図である。

【図８】本発明に係るＭＲヘッドの他の構成例を示す平
面図である。

【図９】図８中、Ｘ₇−Ｘ₈線における断面図である。

【図１０】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、第１の基板上に第１の絶縁膜を形成した状態を示す
平面図である。

【図１１】図５中、Ｘ₉−Ｘ₁₀線における断面図であ
る。

【図１２】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、第１の絶縁膜上にＭＲ素子部用薄膜を形成した状態
を示す平面図である。

【図１３】図１２中、Ｘ₁₁−Ｘ₁₂線における断面図であ
る。

【図１４】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、ＭＲ素子部用薄膜上にレジストパターンが形成され
た状態を示す平面図である。

【図１５】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、永久磁石膜が形成された状態を示す平面図である。

【図１６】図１５中、Ｘ₁₃−Ｘ₁₄線における断面図であ
る。

【図１７】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、更にＭＲ素子部及び引き出し導体が形成された状態
を示す平面図である。

【図１８】図１７中、Ｘ₁₅−Ｘ₁₆線における断面図であ
る。

【図１９】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、ＭＲヘッド素子上に第２の絶縁膜が形成された状態
を示す平面図である。

【図２０】図１９中、Ｘ₁₇−Ｘ₁₈線における断面図であ
る。

【図２１】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、第２の絶縁膜上に上部シールド膜が形成された状態
を示す平面図である。

【図２２】図２１中、Ｘ₁₉−Ｘ₂₀線における断面図であ
る。

【図２３】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、外部端子が形成された状態を示す平面図である。

【図２４】図２３中、Ｘ₂₁−Ｘ₂₂線における断面図であ
る。

【図２５】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、第３の絶縁膜が形成された状態を示す平面図であ
る。

【図２６】図２５中、Ｘ₂₃−Ｘ₂₄線における断面図であ
る。

【図２７】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、第３の絶縁膜を研磨した状態を示す平面図である。

【図２８】図２７中、Ｘ₂₅−Ｘ₂₆線における断面図であ
る。

【図２９】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、第１の基板上に多数のＭＲヘッド素子が形成された
状態を示す平面図である。

【図３０】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、第１の基板がＭＲヘッド素子毎に切り分けられた状
態を示す平面図である。

【図３１】図３０中、Ｘ₂₇−Ｘ₂₈線における断面図であ
る。

【図３２】ＭＲヘッド１の製造方法を説明する図であ
り、ＭＲヘッド素子毎に切り分けられた第１の基板上に
第２の基板を貼り付けた状態を示す断面図である。

【図３３】ＭＲヘッド１が、チップベース上に貼り付け
られた状態を示す平面図である。

【図３４】磁気記録媒体とＭＲヘッドとの相対速度と、
ＭＲヘッドの出力との関係を示す図である。

【図３５】磁気ヘッド装置の一例を示す図である。

【符号の説明】

１ＭＲヘッド、２第１の基板、３第１の絶縁
膜、４ＭＲヘッド素子、５第２の絶縁膜、６
軟磁性膜、７第３の絶縁膜、８第２の基板、
９ａ，９ｂ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ，１５
ｃ，１５ｄ，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ溝

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体を摺動させて、当該磁気記
録媒体からの信号を磁気抵抗効果素子によって検出する
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体の摺動面に、磁気記録媒体の摺動方向に対
して交差するように、一方の端部から他方の端部に亘っ
て溝が形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。
【請求項２】上記溝は、上記磁気抵抗効果素子を挟ん
で磁気記録媒体の摺動方向前側と摺動方向後ろ側とに形
成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。
【請求項３】磁気記録媒体の摺動面には、上記溝の他
に、磁気記録媒体の摺動方向に沿って、上記磁気抵抗効
果素子を挟むように一対の溝が形成されていることを特
徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】上記溝は、上記一方の端部から磁気記録媒体の摺動方向前側に向け
て斜めに形成された第１の溝部と、上記他方の端部から磁気記録媒体の摺動方向前側に向け
て斜めに形成された第２の溝部とを有し、上記第１の溝部と第２の溝部とが、上記磁気抵抗効果素
子よりも磁気記録媒体の摺動方向前側において繋がるよ
うに形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁
気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項５】上記溝は、上記磁気抵抗効果素子よりも磁気記録媒体の摺動方向後
ろ側において、上記一方の端部から磁気記録媒体の摺動
方向前側に向けて斜めに形成された第１の溝部と、上記磁気抵抗効果素子よりも磁気記録媒体の摺動方向後
ろ側において、上記他方の端部から磁気記録媒体の摺動
方向前側に向けて斜めに形成された第２の溝部と、上記磁気抵抗効果素子の周囲を囲むように形成された第
３の溝部とを有し、上記第１の溝部乃至第３の溝部が、上記磁気抵抗効果素
子よりも磁気記録媒体の摺動方向後ろ側において繋がる
ように形成されていることを特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗効果型磁気ヘッド。