JPH11149464A - マイクロコンピュータ - Google Patents
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- JPH11149464A JPH11149464A JP9317028A JP31702897A JPH11149464A JP H11149464 A JPH11149464 A JP H11149464A JP 9317028 A JP9317028 A JP 9317028A JP 31702897 A JP31702897 A JP 31702897A JP H11149464 A JPH11149464 A JP H11149464A
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F15/00—Digital computers in general; Data processing equipment in general
- G06F15/76—Architectures of general purpose stored program computers
- G06F15/78—Architectures of general purpose stored program computers comprising a single central processing unit
- G06F15/7828—Architectures of general purpose stored program computers comprising a single central processing unit without memory
- G06F15/7832—Architectures of general purpose stored program computers comprising a single central processing unit without memory on one IC chip (single chip microprocessors)
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】Ａ／Ｄ変換回路を内蔵し、外部端子を共用する
マイクロコンピュータにおいて、入出力回路におけるオ
フリーク電流に起因するＡ／Ｄ変換精度の劣化を改善す
る。 【解決手段】内部回路を形成するデータ処理回路部２お
よびＡ／Ｄ変換回路部３と、ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ８、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９およびＮＡＮ
Ｄ回路１０を含む入出力回路１と、共用化された外部端
子１１と、当該外部端子１１と入出力回路１とを接続す
る配線上に、寄生抵抗の抵抗値よりも比較的抵抗値の高
い抵抗６とを備えて構成されており、ノイズにより生じ
る入出力回路１のオフリーク電流ならびに寄生抵抗４、
５に起因するＡ／Ｄ変換回路部３に対するＡ／Ｄ変換入
力電圧の変動が抑制され、Ａ／Ｄ変換精度の向上を図る
ことができる。
マイクロコンピュータにおいて、入出力回路におけるオ
フリーク電流に起因するＡ／Ｄ変換精度の劣化を改善す
る。 【解決手段】内部回路を形成するデータ処理回路部２お
よびＡ／Ｄ変換回路部３と、ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ８、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９およびＮＡＮ
Ｄ回路１０を含む入出力回路１と、共用化された外部端
子１１と、当該外部端子１１と入出力回路１とを接続す
る配線上に、寄生抵抗の抵抗値よりも比較的抵抗値の高
い抵抗６とを備えて構成されており、ノイズにより生じ
る入出力回路１のオフリーク電流ならびに寄生抵抗４、
５に起因するＡ／Ｄ変換回路部３に対するＡ／Ｄ変換入
力電圧の変動が抑制され、Ａ／Ｄ変換精度の向上を図る
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロコンピュー
タに関し、特にＡ／Ｄ変換回路を内蔵するマイクロコン
ピュータに関する。
タに関し、特にＡ／Ｄ変換回路を内蔵するマイクロコン
ピュータに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、この種のマイクロコンピュータ
の構成の概要を示すブロック図を図５に示す。図５に示
されるように、本従来例は、内部回路を形成するデータ
処理回路部２およびＡ／Ｄ変換回路部３と、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ８、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
９およびＮＡＮＤ回路１０を含む入出力回路１と、外部
端子１１とを備えて構成されており、外部端子１１よ
り、入出力回路１およびＡ／Ｄ変換回路部３に接続され
る配線の寄生抵抗４、５および７が、それぞれの配線上
に付随して明示されている。なお、本従来例は、マイク
ロコンピュータの通常動作時に使用される外部端子と、
Ａ／Ｄ変換動作時におけるＡ／Ｄ入力端子とを共用化す
ることにより、端子数の低減を図って構成されたマイク
ロコンピュータの１例である。
の構成の概要を示すブロック図を図５に示す。図５に示
されるように、本従来例は、内部回路を形成するデータ
処理回路部２およびＡ／Ｄ変換回路部３と、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ８、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
９およびＮＡＮＤ回路１０を含む入出力回路１と、外部
端子１１とを備えて構成されており、外部端子１１よ
り、入出力回路１およびＡ／Ｄ変換回路部３に接続され
る配線の寄生抵抗４、５および７が、それぞれの配線上
に付随して明示されている。なお、本従来例は、マイク
ロコンピュータの通常動作時に使用される外部端子と、
Ａ／Ｄ変換動作時におけるＡ／Ｄ入力端子とを共用化す
ることにより、端子数の低減を図って構成されたマイク
ロコンピュータの１例である。
【０００３】図５において、当該マイクロコンピュータ
を、外部端子１１からのデータ信号入力に対応して、マ
イクロコンピュータ自体としての通常の処理動作を行う
場合には、データ処理回路部２より出力される制御信号
１０１および１０２は、それぞれ“Ｈ”レベルまたは
“Ｌ”レベルにて出力され、対応するＰチャネルＭＯＳ
トランジスタ８およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ９
のゲートに入力される。また、同じくデータ処理回路部
２より出力される入力制御信号１０３は“Ｌ”レベルに
てＮＡＮＤ回路１０に入力される。この状態において
は、外部端子１１より入力されるデータ信号は、Ｐチャ
ネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ９におけるＯＮ／ＯＦＦ動作状態による影響下
において、ＮＡＮＤ回路１０に入力され、“Ｌ”レベル
の入力制御信号１０３との論理積がとられて、ＬＳＩ入
力信号１０４としてデータ処理回路部２に入力され、外
部端子１１より入力される前記データ信号に対応する所
定のデータ処理作用が行われる。
を、外部端子１１からのデータ信号入力に対応して、マ
イクロコンピュータ自体としての通常の処理動作を行う
場合には、データ処理回路部２より出力される制御信号
１０１および１０２は、それぞれ“Ｈ”レベルまたは
“Ｌ”レベルにて出力され、対応するＰチャネルＭＯＳ
トランジスタ８およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ９
のゲートに入力される。また、同じくデータ処理回路部
２より出力される入力制御信号１０３は“Ｌ”レベルに
てＮＡＮＤ回路１０に入力される。この状態において
は、外部端子１１より入力されるデータ信号は、Ｐチャ
ネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ９におけるＯＮ／ＯＦＦ動作状態による影響下
において、ＮＡＮＤ回路１０に入力され、“Ｌ”レベル
の入力制御信号１０３との論理積がとられて、ＬＳＩ入
力信号１０４としてデータ処理回路部２に入力され、外
部端子１１より入力される前記データ信号に対応する所
定のデータ処理作用が行われる。
【０００４】また、当該マイクロコンピュータにおいて
Ａ／Ｄ変換作用を行う場合には、データ処理回路部２よ
り出力される制御信号１０１は“Ｈ”レベルにて出力さ
れ、制御信号１０２は“Ｌ”レベルにて出力される。こ
れらの制御信号１０１および１０２の入力を受けて、Ｐ
チャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ９は共にＯＦＦ状態となる。またデータ処
理回路部２より出力される入力制御信号１０３は“Ｈ”
レベルにて出力されて、ＮＡＮＤ回路１０４に入力され
る。この状態においては、外部端子１１より入力される
Ａ／Ｄ変換対象のデータ信号は、ＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ８およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ９によ
り形成される回路において遮断されており、またＮＡＮ
Ｄ回路１０の入力インピーダンスは開放状態となってい
るために、外部端子１１より入力されるＡ／Ｄ変換対象
のデータ信号は、寄生抵抗４および７を経由して、その
ままＡ／Ｄ変換回路部３に入力されて、所定のＡ／Ｄ変
換作用が行われる。この際には、上述のように、データ
処理回路部２より出力される入力制御信号１０３が
“Ｈ”レベルにてＮＡＮＤ回路１０４に入力されるため
に、寄生抵抗４および５を経由して入力されるデータ信
号は、ＮＡＮＤ回路１０において論理積がとられて、出
力されるＬＳＩ入力信号１０４は、常時“Ｌ”レベルに
てデータ処理回路部２に入力される。なお、このＡ／Ｄ
変換動作時において、入出力回路１においてオフリーク
電流が生じない場合には、Ａ／Ｄ変換回路部３の入力側
には、図示されてはいないが、Ａ／Ｄ変換切替用のトラ
ンスファゲートを介して容量が接続されており、これに
よりＡ／Ｄ変換回路部３の入力側においてもリーク電流
が生じないために、寄生抵抗４および７の抵抗値に関係
なく、図５における節点Ｂにおけるデータ信号の電位レ
ベルは、外部端子１１に入力された電位レベルと等しい
レベルとなっており、寄生抵抗の存在の有無に関係なく
データ信号のレベルはロスなくＡ／Ｄ変換回路部３に印
加される。
Ａ／Ｄ変換作用を行う場合には、データ処理回路部２よ
り出力される制御信号１０１は“Ｈ”レベルにて出力さ
れ、制御信号１０２は“Ｌ”レベルにて出力される。こ
れらの制御信号１０１および１０２の入力を受けて、Ｐ
チャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ９は共にＯＦＦ状態となる。またデータ処
理回路部２より出力される入力制御信号１０３は“Ｈ”
レベルにて出力されて、ＮＡＮＤ回路１０４に入力され
る。この状態においては、外部端子１１より入力される
Ａ／Ｄ変換対象のデータ信号は、ＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ８およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ９によ
り形成される回路において遮断されており、またＮＡＮ
Ｄ回路１０の入力インピーダンスは開放状態となってい
るために、外部端子１１より入力されるＡ／Ｄ変換対象
のデータ信号は、寄生抵抗４および７を経由して、その
ままＡ／Ｄ変換回路部３に入力されて、所定のＡ／Ｄ変
換作用が行われる。この際には、上述のように、データ
処理回路部２より出力される入力制御信号１０３が
“Ｈ”レベルにてＮＡＮＤ回路１０４に入力されるため
に、寄生抵抗４および５を経由して入力されるデータ信
号は、ＮＡＮＤ回路１０において論理積がとられて、出
力されるＬＳＩ入力信号１０４は、常時“Ｌ”レベルに
てデータ処理回路部２に入力される。なお、このＡ／Ｄ
変換動作時において、入出力回路１においてオフリーク
電流が生じない場合には、Ａ／Ｄ変換回路部３の入力側
には、図示されてはいないが、Ａ／Ｄ変換切替用のトラ
ンスファゲートを介して容量が接続されており、これに
よりＡ／Ｄ変換回路部３の入力側においてもリーク電流
が生じないために、寄生抵抗４および７の抵抗値に関係
なく、図５における節点Ｂにおけるデータ信号の電位レ
ベルは、外部端子１１に入力された電位レベルと等しい
レベルとなっており、寄生抵抗の存在の有無に関係なく
データ信号のレベルはロスなくＡ／Ｄ変換回路部３に印
加される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の外部端
子の共用化を図ったマイクロコンピュータにおいては、
当該マイクロコンピュータを形成する半導体集積回路の
高集積化に伴ない、入出力回路１を、不特定ノイズ源よ
り十分に距離を置いて配置することができないために、
当該ノイズ源より発生されるノイズを要因として、Ｐチ
ャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ９のゲートにレベル変動が生じ、これにより
入出力回路１において発生するオフリーク電流によっ
て、外部端子１１よりＡ／Ｄ変換回路部３に入力される
データ信号のレベル値が、寄生抵抗４により変動する。
今、外部端子１１に入力されるデータ信号の電圧レベル
をＶiとして表わし、寄生抵抗４および５の抵抗値をそ
れぞれｒ4 およびｒ5 とし、入出力回路１のオフリーク
電流により、節点Ａに発生する電圧変動値をαとする
と、外部端子１１に入力されるデータ信号の電圧レベル
Ｖi に対応して、Ａ／Ｄ変換回路部３の入力端の節点Ｂ
におけるデータ信号の電位レベルＶB は、次式により表
わされる。
子の共用化を図ったマイクロコンピュータにおいては、
当該マイクロコンピュータを形成する半導体集積回路の
高集積化に伴ない、入出力回路１を、不特定ノイズ源よ
り十分に距離を置いて配置することができないために、
当該ノイズ源より発生されるノイズを要因として、Ｐチ
ャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ９のゲートにレベル変動が生じ、これにより
入出力回路１において発生するオフリーク電流によっ
て、外部端子１１よりＡ／Ｄ変換回路部３に入力される
データ信号のレベル値が、寄生抵抗４により変動する。
今、外部端子１１に入力されるデータ信号の電圧レベル
をＶiとして表わし、寄生抵抗４および５の抵抗値をそ
れぞれｒ4 およびｒ5 とし、入出力回路１のオフリーク
電流により、節点Ａに発生する電圧変動値をαとする
と、外部端子１１に入力されるデータ信号の電圧レベル
Ｖi に対応して、Ａ／Ｄ変換回路部３の入力端の節点Ｂ
におけるデータ信号の電位レベルＶB は、次式により表
わされる。
【０００６】 ＶB ＝Ｖi ＋α〔ｒ4 ／（ｒ4 ＋ｒ5 ）〕…………（１） 従って、Ａ／Ｄ変換回路部３に入力されるデータ信号の
電位レベルＶB は、上記（１）式に示されるように、入
出力回路１におけるオフリーク電流に起因する電圧変動
値αと、寄生抵抗４および５の抵抗値により変動し、Ａ
／Ｄ変換精度が劣化するという欠点がある。
電位レベルＶB は、上記（１）式に示されるように、入
出力回路１におけるオフリーク電流に起因する電圧変動
値αと、寄生抵抗４および５の抵抗値により変動し、Ａ
／Ｄ変換精度が劣化するという欠点がある。
【０００７】本発明の目的は、外部端子とＡ／Ｄ入力端
子を共用化して端子数を低減し、半導体集積回路の小型
軽量化を図ることができるとともに、当該端子数の低減
に伴ない発生するＡ／Ｄ変換精度の劣化を排除すること
のできる、Ａ／Ｄ変換回路を内蔵するマイクロコンピュ
ータを実現することにある。
子を共用化して端子数を低減し、半導体集積回路の小型
軽量化を図ることができるとともに、当該端子数の低減
に伴ない発生するＡ／Ｄ変換精度の劣化を排除すること
のできる、Ａ／Ｄ変換回路を内蔵するマイクロコンピュ
ータを実現することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロコンピ
ュータは、データ処理機能を有する内部回路に併せてＡ
／Ｄ変換回路を内蔵し、当該Ａ／Ｄ変換回路に対する入
力端子と共用される入出力用の外部端子を、第１の分岐
配線および所定の入出力回路を介して前記内部回路に接
続し、前記外部端子を第２の分岐配線を介して前記Ａ／
Ｄ変換回路に接続して構成されるマイクロコンピュータ
において、前記外部端子と前記入出力回路との間の第１
の分岐配線上に、当該第１の分岐配線における寄生抵抗
値よりも十分に高い抵抗値の特定の抵抗を挿入接続する
ことを特徴としている。なお、前記第１および第２の分
岐配線の分岐点と、前記外部端子との間に主配線を設け
るようにしてもよい。
ュータは、データ処理機能を有する内部回路に併せてＡ
／Ｄ変換回路を内蔵し、当該Ａ／Ｄ変換回路に対する入
力端子と共用される入出力用の外部端子を、第１の分岐
配線および所定の入出力回路を介して前記内部回路に接
続し、前記外部端子を第２の分岐配線を介して前記Ａ／
Ｄ変換回路に接続して構成されるマイクロコンピュータ
において、前記外部端子と前記入出力回路との間の第１
の分岐配線上に、当該第１の分岐配線における寄生抵抗
値よりも十分に高い抵抗値の特定の抵抗を挿入接続する
ことを特徴としている。なお、前記第１および第２の分
岐配線の分岐点と、前記外部端子との間に主配線を設け
るようにしてもよい。
【０００９】また、前記入出力回路は、ソースが高電位
電源に接続され、ゲートに前記内部回路からの第１の制
御信号が入力されて、ドレインが前記特定の抵抗の内部
回路側の端末に接続される第１種導電型電界効果トラン
ジスタと、ドレインが前記第１種導電型電界効果トラン
ジスタのドレインに接続され、ゲートに前記内部回路か
らの第２の制御信号が入力されて、ソースが低電位電源
に接続される第２種導電型電界効果トランジスタと、第
１の入力端が前記特定の抵抗の内部回路側の端末に接続
され、第２の入力端に前記内部回路からの入力制御信号
が入力されて、出力端が前記内部回路に接続されるＮＡ
ＮＤ回路とを備えて構成するようにしてもよい。
電源に接続され、ゲートに前記内部回路からの第１の制
御信号が入力されて、ドレインが前記特定の抵抗の内部
回路側の端末に接続される第１種導電型電界効果トラン
ジスタと、ドレインが前記第１種導電型電界効果トラン
ジスタのドレインに接続され、ゲートに前記内部回路か
らの第２の制御信号が入力されて、ソースが低電位電源
に接続される第２種導電型電界効果トランジスタと、第
１の入力端が前記特定の抵抗の内部回路側の端末に接続
され、第２の入力端に前記内部回路からの入力制御信号
が入力されて、出力端が前記内部回路に接続されるＮＡ
ＮＤ回路とを備えて構成するようにしてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１１】図１は本発明の第１の実施形態を示すブロ
ック図である。図１に示されるように、本実施形態は、
内部回路を形成するデータ処理回路部２およびＡ／Ｄ変
換回路部３と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８、Ｎチ
ャネルＭＯＳトランジスタ９およびＮＡＮＤ回路１０を
含む入出力回路１と、共用化された外部端子１１と、当
該外部端子１１と入出力回路１とを接続する配線上に、
寄生抵抗の抵抗値よりも比較的抵抗値の高い抵抗６とを
備えて構成されており、外部端子１１より、入出力回路
１およびＡ／Ｄ変換回路部３に接続される配線の寄生抵
抗４、５および７が、それぞれの当該配線上に付随して
明示されている。
ック図である。図１に示されるように、本実施形態は、
内部回路を形成するデータ処理回路部２およびＡ／Ｄ変
換回路部３と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８、Ｎチ
ャネルＭＯＳトランジスタ９およびＮＡＮＤ回路１０を
含む入出力回路１と、共用化された外部端子１１と、当
該外部端子１１と入出力回路１とを接続する配線上に、
寄生抵抗の抵抗値よりも比較的抵抗値の高い抵抗６とを
備えて構成されており、外部端子１１より、入出力回路
１およびＡ／Ｄ変換回路部３に接続される配線の寄生抵
抗４、５および７が、それぞれの当該配線上に付随して
明示されている。
【００１２】図１において、当該マイクロコンピュータ
を、外部端子１１からのデータ信号入力に対応して、マ
イクロコンピュータ自体としての通常の処理動作を行う
場合には、前述の従来例の場合と同様に、データ処理回
路部２より出力される制御信号１０１および１０２は、
それぞれ“Ｈ”レベルまたは“Ｌ”レベルにて出力さ
れ、対応するＰチャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮ
チャネルＭＯＳトランジスタ９のゲートに入力され、こ
れらのＰチャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ９は、共にＯＦＦ状態に設定され
る。また、同じくデータ処理回路部２より出力される入
力制御信号１０３は“Ｌ”レベルにてＮＡＮＤ回路１０
に入力され、外部端子１１より入力されるデータ信号
は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネル
ＭＯＳトランジスタ９におけるＯＮ／ＯＦＦ動作状態に
よる影響下において、ＮＡＮＤ回路１０に入力され、
“Ｌ”レベルの入力制御信号１０３との論理積がとられ
て、ＬＳＩ入力信号１０４としてデータ処理回路部２に
入力され、外部端子１１より入力される前記データ信号
に対応する所定のデータ処理作用が行われる。
を、外部端子１１からのデータ信号入力に対応して、マ
イクロコンピュータ自体としての通常の処理動作を行う
場合には、前述の従来例の場合と同様に、データ処理回
路部２より出力される制御信号１０１および１０２は、
それぞれ“Ｈ”レベルまたは“Ｌ”レベルにて出力さ
れ、対応するＰチャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮ
チャネルＭＯＳトランジスタ９のゲートに入力され、こ
れらのＰチャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ９は、共にＯＦＦ状態に設定され
る。また、同じくデータ処理回路部２より出力される入
力制御信号１０３は“Ｌ”レベルにてＮＡＮＤ回路１０
に入力され、外部端子１１より入力されるデータ信号
は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネル
ＭＯＳトランジスタ９におけるＯＮ／ＯＦＦ動作状態に
よる影響下において、ＮＡＮＤ回路１０に入力され、
“Ｌ”レベルの入力制御信号１０３との論理積がとられ
て、ＬＳＩ入力信号１０４としてデータ処理回路部２に
入力され、外部端子１１より入力される前記データ信号
に対応する所定のデータ処理作用が行われる。
【００１３】また、当該マイクロコンピュータにおいて
Ａ／Ｄ変換作用を行う場合には、従来例と同様に、デー
タ処理回路部２からの“Ｈ”レベルの制御信号１０１、
および“Ｌ”レベルの制御信号１０２の入力を受けて、
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ９は共にＯＦＦ状態となり、これらのＭ
ＯＳトランジスタ回路は遮断状態となる。またＮＡＮＤ
回路１０の入力インピーダンスは開放状態となっている
ために、外部端子１１より入力されるＡ／Ｄ変換対象の
データ信号は、寄生抵抗４および７を経由して、そのま
まＡ／Ｄ変換回路部３に入力されて、所定のＡ／Ｄ変換
作用が行われる。その際には、データ処理回路部２より
出力される入力制御信号１０３が“Ｈ”レベルにてＮＡ
ＮＤ回路１０４に入力されるために、寄生抵抗４および
５と、抵抗６を経由して入力されるデータ信号は、ＮＡ
ＮＤ回路１０において論理積がとられて、出力されるＬ
ＳＩ入力信号１０４は、常時“Ｌ”レベルにてデータ処
理回路部２に入力される。前述したように、半導体集積
回路の高集積化に伴ない、ノイズ源より発生されるノイ
ズを要因とする入出力回路１におけるオフリーク電流に
よって、外部端子１１よりＡ／Ｄ変換回路部３に入力さ
れるデータ信号のレベル値が、寄生抵抗４および５と、
抵抗６により変動する。前述の場合と同様に、外部端子
１１に入力されるデータ信号の電圧レベルをＶi とし、
寄生抵抗４および５の抵抗値をそれぞれｒ4 およびｒ5
とし、抵抗６の抵抗値をＲ6 として、入出力回路１のオ
フリーク電流により、節点Ａに発生する電圧変動値をα
とすると、外部端子１１に入力されるデータ信号の電圧
レベルＶi に対応して、Ａ／Ｄ変換回路部３の入力端の
節点Ｂにおけるデータ信号の電位レベルＶB は、次式に
より表わされる。
Ａ／Ｄ変換作用を行う場合には、従来例と同様に、デー
タ処理回路部２からの“Ｈ”レベルの制御信号１０１、
および“Ｌ”レベルの制御信号１０２の入力を受けて、
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８およびＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ９は共にＯＦＦ状態となり、これらのＭ
ＯＳトランジスタ回路は遮断状態となる。またＮＡＮＤ
回路１０の入力インピーダンスは開放状態となっている
ために、外部端子１１より入力されるＡ／Ｄ変換対象の
データ信号は、寄生抵抗４および７を経由して、そのま
まＡ／Ｄ変換回路部３に入力されて、所定のＡ／Ｄ変換
作用が行われる。その際には、データ処理回路部２より
出力される入力制御信号１０３が“Ｈ”レベルにてＮＡ
ＮＤ回路１０４に入力されるために、寄生抵抗４および
５と、抵抗６を経由して入力されるデータ信号は、ＮＡ
ＮＤ回路１０において論理積がとられて、出力されるＬ
ＳＩ入力信号１０４は、常時“Ｌ”レベルにてデータ処
理回路部２に入力される。前述したように、半導体集積
回路の高集積化に伴ない、ノイズ源より発生されるノイ
ズを要因とする入出力回路１におけるオフリーク電流に
よって、外部端子１１よりＡ／Ｄ変換回路部３に入力さ
れるデータ信号のレベル値が、寄生抵抗４および５と、
抵抗６により変動する。前述の場合と同様に、外部端子
１１に入力されるデータ信号の電圧レベルをＶi とし、
寄生抵抗４および５の抵抗値をそれぞれｒ4 およびｒ5
とし、抵抗６の抵抗値をＲ6 として、入出力回路１のオ
フリーク電流により、節点Ａに発生する電圧変動値をα
とすると、外部端子１１に入力されるデータ信号の電圧
レベルＶi に対応して、Ａ／Ｄ変換回路部３の入力端の
節点Ｂにおけるデータ信号の電位レベルＶB は、次式に
より表わされる。
【００１４】 ＶB ＝Ｖi ＋α〔ｒ4 ／（ｒ4 ＋ｒ5 ＋Ｒ6 ）〕…………（２） 上記（２）式において、抵抗６の抵抗値Ｒ6 は、寄生抵
抗の抵抗値ｒ4 およびｒ5 に比較して十分に高い抵抗値
に設定されているために、上式は、近似的に下式により
表わされる。
抗の抵抗値ｒ4 およびｒ5 に比較して十分に高い抵抗値
に設定されているために、上式は、近似的に下式により
表わされる。
【００１５】 ＶB Ｖi ＋α（ｒ4 ／Ｒ6 ） ……………………………（３） Ｖi ……………………………（４） 例えば、Ｒ6 ：ｒ4 ＝Ｒ6 ：ｒ6 ＝１００とすると、従
来例においては、前記（１）式より、変動電圧はα／２
であるのに対して、本実施形態においては、上記（２）
式より、変動電圧はα／１０２となり、（３）の近似式
によればα／１０２となる。
来例においては、前記（１）式より、変動電圧はα／２
であるのに対して、本実施形態においては、上記（２）
式より、変動電圧はα／１０２となり、（３）の近似式
によればα／１０２となる。
【００１６】即ち、上記（２）式、（３）式および
（４）式より明らかなように、外部端子１１から入出力
回路１に接続される配線上に、寄生抵抗よりも十分に抵
抗値の高い抵抗を挿入接続することにより、Ａ／Ｄ変換
動作時において、外部端子１１に入力されるデータ信号
の電位レベルに対する、寄生抵抗の存在による電位変動
の影響が、実用面においては回避することが可能とな
り、当該データ信号に対応するＡ／Ｄ変換精度の劣化を
防止することができる。
（４）式より明らかなように、外部端子１１から入出力
回路１に接続される配線上に、寄生抵抗よりも十分に抵
抗値の高い抵抗を挿入接続することにより、Ａ／Ｄ変換
動作時において、外部端子１１に入力されるデータ信号
の電位レベルに対する、寄生抵抗の存在による電位変動
の影響が、実用面においては回避することが可能とな
り、当該データ信号に対応するＡ／Ｄ変換精度の劣化を
防止することができる。
【００１７】本実施形態の１実施例において、図１にお
ける節点Ａにおけるオフリーク電流による変動電位が１
００ｍＶの場合に、寄生抵抗４および５が、ｒ4 ＝ｒ5
＝１０Ωであり、抵抗６が、Ｒ6 ＝１ｋΩの状態におい
ては、（３）式より、Ａ／Ｄ変換回路部３の入力端にお
いて、データ信号の電位レベルに重畳される変動電圧
は、α／１００＝１ｍＶとなる。これに対して、従来例
の場合について、同一条件のもとに数値例を引用してみ
ると、Ａ／Ｄ変換回路部３の入力端における変動電圧
は、（１）より、α／２＝５０ｍＶとなり、明らかに、
Ａ／Ｄ変換回路部３に入力される電圧レベルには５０ｍ
Ｖの偏移が生じて、高精度のＡ／Ｄ変換特性を実現する
ことができない状態となる。
ける節点Ａにおけるオフリーク電流による変動電位が１
００ｍＶの場合に、寄生抵抗４および５が、ｒ4 ＝ｒ5
＝１０Ωであり、抵抗６が、Ｒ6 ＝１ｋΩの状態におい
ては、（３）式より、Ａ／Ｄ変換回路部３の入力端にお
いて、データ信号の電位レベルに重畳される変動電圧
は、α／１００＝１ｍＶとなる。これに対して、従来例
の場合について、同一条件のもとに数値例を引用してみ
ると、Ａ／Ｄ変換回路部３の入力端における変動電圧
は、（１）より、α／２＝５０ｍＶとなり、明らかに、
Ａ／Ｄ変換回路部３に入力される電圧レベルには５０ｍ
Ｖの偏移が生じて、高精度のＡ／Ｄ変換特性を実現する
ことができない状態となる。
【００１８】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図２は、当該第２の実施形態を示すブロック図
である。図２に示されるように、本実施形態は、内部回
路を形成するデータ処理回路部２およびＡ／Ｄ変換回路
部３と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８、Ｎチャネル
ＭＯＳトランジスタ９およびＮＡＮＤ回路１０を含む入
出力回路１と、共用化された外部端子１１と、当該外部
端子１１と入出力回路１とを接続する配線上に、寄生抵
抗の抵抗値よりも比較的抵抗値の高い抵抗６とを備えて
構成されている。なお、本実施形態においては、外部端
子１１より、入出力回路１およびＡ／Ｄ変換回路部３に
接続される配線の寄生抵抗５および７が、それぞれの当
該配線上に付随して明示されており、第１の実施形態の
場合とは異なり、外部端子１１が、当該マイクロコンピ
ュータを形成する半導体集積回路に直結されていて、図
１に示される寄生抵抗４は無視される。従って、外部端
子１１より、入出力回路１およびＡ／Ｄ変換回路部３に
接続される配線は、直接、外部端子１１において分岐さ
れている。本実施形態においては、当該半導体集積回路
内の寄生抵抗は、寄生抵抗４と７のみであり（図１にお
いて、ｒ4 ０）、抵抗６の挿入接続によって、前記
（３）式を参照しても明らかなように、第１の実施形態
において得られる効果を更に上回る効果を実現すること
ができる。なお、当該マイクロコンピュータを、マイク
ロコンピュータ自体としての通常の処理動作を行う場合
における動作、およびＡ／Ｄ変換時における動作につい
ては、第１の実施形態の場合と同様である。
明する。図２は、当該第２の実施形態を示すブロック図
である。図２に示されるように、本実施形態は、内部回
路を形成するデータ処理回路部２およびＡ／Ｄ変換回路
部３と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８、Ｎチャネル
ＭＯＳトランジスタ９およびＮＡＮＤ回路１０を含む入
出力回路１と、共用化された外部端子１１と、当該外部
端子１１と入出力回路１とを接続する配線上に、寄生抵
抗の抵抗値よりも比較的抵抗値の高い抵抗６とを備えて
構成されている。なお、本実施形態においては、外部端
子１１より、入出力回路１およびＡ／Ｄ変換回路部３に
接続される配線の寄生抵抗５および７が、それぞれの当
該配線上に付随して明示されており、第１の実施形態の
場合とは異なり、外部端子１１が、当該マイクロコンピ
ュータを形成する半導体集積回路に直結されていて、図
１に示される寄生抵抗４は無視される。従って、外部端
子１１より、入出力回路１およびＡ／Ｄ変換回路部３に
接続される配線は、直接、外部端子１１において分岐さ
れている。本実施形態においては、当該半導体集積回路
内の寄生抵抗は、寄生抵抗４と７のみであり（図１にお
いて、ｒ4 ０）、抵抗６の挿入接続によって、前記
（３）式を参照しても明らかなように、第１の実施形態
において得られる効果を更に上回る効果を実現すること
ができる。なお、当該マイクロコンピュータを、マイク
ロコンピュータ自体としての通常の処理動作を行う場合
における動作、およびＡ／Ｄ変換時における動作につい
ては、第１の実施形態の場合と同様である。
【００１９】図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）
は、それぞれ本発明における、制御信号１０１、１０
２、節点Ａの電位および節点Ｂの電位を示しており、図
４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ従
来例における、制御信号１０１、１０２、節点Ａの電位
および節点Ｂの電位を示している。図３（ｄ）と、図４
（ｄ）との対比により明らかなように、本発明において
は、節点Ａにおける電位の変動による、Ａ／Ｄ変換回路
部３の入力端（節点Ｂ）におけるレベル変動は、従来例
に比較して格段に小レベルに抑制されている。
は、それぞれ本発明における、制御信号１０１、１０
２、節点Ａの電位および節点Ｂの電位を示しており、図
４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ従
来例における、制御信号１０１、１０２、節点Ａの電位
および節点Ｂの電位を示している。図３（ｄ）と、図４
（ｄ）との対比により明らかなように、本発明において
は、節点Ａにおける電位の変動による、Ａ／Ｄ変換回路
部３の入力端（節点Ｂ）におけるレベル変動は、従来例
に比較して格段に小レベルに抑制されている。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、Ａ／Ｄ
変換回路を内蔵するマイクロコンピュータに適用され
て、Ａ／Ｄ変換用入力端子を、マイクロコンピュータ固
有の入出力用の外部端子と共用化し、当該外部端子と、
マイクロコンピュータの内部回路に対応する入出力回路
とを接続する配線上に、当該配線の寄生抵抗値よりも十
分に大きい抵抗値を有する抵抗を挿入接続することによ
り、ノイズの影響により生じる前記入出力回路のオフリ
ーク電流に起因するＡ／Ｄ変換入力電圧の変動を抑制す
ることが可能となり、Ａ／Ｄ変換精度を向上させること
ができるという効果がある。
変換回路を内蔵するマイクロコンピュータに適用され
て、Ａ／Ｄ変換用入力端子を、マイクロコンピュータ固
有の入出力用の外部端子と共用化し、当該外部端子と、
マイクロコンピュータの内部回路に対応する入出力回路
とを接続する配線上に、当該配線の寄生抵抗値よりも十
分に大きい抵抗値を有する抵抗を挿入接続することによ
り、ノイズの影響により生じる前記入出力回路のオフリ
ーク電流に起因するＡ／Ｄ変換入力電圧の変動を抑制す
ることが可能となり、Ａ／Ｄ変換精度を向上させること
ができるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す構成図である。
【図２】本発明の第２の実施形態を示す構成図である。
【図３】本発明における動作タイミング図である。
【図４】従来例における動作タイミング図である。
【図５】従来例を示す構成図である。
１ 入出力回路 ２ データ処理回路部 ３ Ａ／Ｄ変換回路部 ４、５、７ 寄生抵抗 ６ 抵抗 ８ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ ９ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ １０ ＮＡＮＤ回路 １１ 外部端子
Claims (3)
- 【請求項１】 データ処理機能を有する内部回路に併せ
てＡ／Ｄ変換回路を内蔵し、当該Ａ／Ｄ変換回路に対す
る入力端子と共用される入出力用の外部端子を、第１の
分岐配線および所定の入出力回路を介して前記内部回路
に接続し、前記外部端子を第２の分岐配線を介して前記
Ａ／Ｄ変換回路に接続して構成されるマイクロコンピュ
ータにおいて、 前記外部端子と前記入出力回路との間の第１の分岐配線
上に、当該第１の分岐配線における寄生抵抗値よりも十
分に高い抵抗値の特定の抵抗を挿入接続することを特徴
とするマイクロコンピュータ。 - 【請求項２】 前記第１および第２の分岐配線の分岐点
と、前記外部端子との間に主配線が設けられている請求
項１記載のマイクロコンピュータ。 - 【請求項３】 前記入出力回路が、ソースが高電位電源
に接続され、ゲートに前記内部回路からの第１の制御信
号が入力されて、ドレインが前記特定の抵抗の内部回路
側の端末に接続される第１種導電型電界効果トランジス
タと、 ドレインが前記第１種導電型電界効果トランジスタのド
レインに接続され、ゲートに前記内部回路からの第２の
制御信号が入力されて、ソースが低電位電源に接続され
る第２種導電型電界効果トランジスタと、 第１の入力端が前記特定の抵抗の内部回路側の端末に接
続され、第２の入力端に前記内部回路からの入力制御信
号が入力されて、出力端が前記内部回路に接続されるＮ
ＡＮＤ回路とを備えて構成される請求項１または請求項
２記載のマイクロコンピュータ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31702897A JP3694710B2 (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | マイクロコンピュータ |
| KR1019980049337A KR100283870B1 (ko) | 1997-11-18 | 1998-11-17 | 마이크로컴퓨터 |
| US09/193,847 US6286065B1 (en) | 1997-11-18 | 1998-11-18 | Microcomputer having a built-in A/D converter with a resistor between an external terminal and an I/O circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31702897A JP3694710B2 (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | マイクロコンピュータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149464A true JPH11149464A (ja) | 1999-06-02 |
| JP3694710B2 JP3694710B2 (ja) | 2005-09-14 |
Family
ID=18083627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31702897A Expired - Fee Related JP3694710B2 (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | マイクロコンピュータ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6286065B1 (ja) |
| JP (1) | JP3694710B2 (ja) |
| KR (1) | KR100283870B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014086528A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995808B2 (en) * | 2002-01-24 | 2006-02-07 | Sige Semiconductor Inc. | Television tuner |
| JP2004040960A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116147A (en) | 1980-02-20 | 1981-09-11 | Hitachi Ltd | Digital semiconductor integrated circuit and digital control system using it |
| JPS5850765A (ja) | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| US4607274A (en) * | 1982-10-15 | 1986-08-19 | Nec Corporation | Complementary MOS field effect transistor integrated circuit with protection function |
| JPH0746969B2 (ja) * | 1985-07-18 | 1995-05-24 | 塩水港精糖株式会社 | 保存性の改善された抹茶とその製法 |
| US5014054A (en) * | 1987-07-22 | 1991-05-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Digital-to-analog converter of the resistor string type |
| JPS6345667A (ja) | 1987-08-10 | 1988-02-26 | Hitachi Ltd | マイクロプロセツサ |
| US4935649A (en) * | 1988-07-11 | 1990-06-19 | Cypress Semiconductor Corporation | Clamped sense amplifier |
| JPH02234259A (ja) | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH0614367B2 (ja) | 1989-09-11 | 1994-02-23 | 株式会社日立製作所 | マイクロプロセッサ |
| JPH02255993A (ja) | 1989-09-11 | 1990-10-16 | Hitachi Ltd | モノリシック半導体集積回路 |
| US5066858A (en) * | 1990-04-18 | 1991-11-19 | Digital Instruments, Inc. | Scanning tunneling microscopes with correction for coupling effects |
| JPH0583113A (ja) | 1991-09-18 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置とマイクロプロセツサ及びマイクロコンピユータ |
| US5917385A (en) * | 1996-06-05 | 1999-06-29 | Trw Inc. | Attenuator control circuit having a plurality of branches |
| US6169764B1 (en) * | 1998-03-19 | 2001-01-02 | Plato Labs, Inc. | Analog adaptive line equalizer |
| US6139131A (en) * | 1999-08-30 | 2000-10-31 | Hewlett-Packard Company | High drop generator density printhead |
-
1997
- 1997-11-18 JP JP31702897A patent/JP3694710B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-11-17 KR KR1019980049337A patent/KR100283870B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-18 US US09/193,847 patent/US6286065B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014086528A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100283870B1 (ko) | 2001-03-02 |
| US6286065B1 (en) | 2001-09-04 |
| KR19990045351A (ko) | 1999-06-25 |
| JP3694710B2 (ja) | 2005-09-14 |
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