JPH11135730A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11135730A JPH11135730A JP9314227A JP31422797A JPH11135730A JP H11135730 A JPH11135730 A JP H11135730A JP 9314227 A JP9314227 A JP 9314227A JP 31422797 A JP31422797 A JP 31422797A JP H11135730 A JPH11135730 A JP H11135730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- interlayer insulating
- film
- opening
- insulating film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 下地にダメージを与えない比較的弱い出力の
レーザーで、容易かつ確実に被トリミング素子をトリミ
ングできる半導体装置を提供する。 【解決手段】 被トリミング素子３と、その上に形成さ
れた多層配線の複数の層間絶縁膜４、６と、その上に形
成され、レーザートリミング用の開口８ａが形成された
保護膜８とを有する半導体装置において、複数の層間絶
縁膜４、６のうち、最下層の層間絶縁膜４を除く被トリ
ミング素子３上の層間絶縁膜６に前記レーザートリミン
グ用の開口８ａに連通する開口６ａを形成する。
レーザーで、容易かつ確実に被トリミング素子をトリミ
ングできる半導体装置を提供する。 【解決手段】 被トリミング素子３と、その上に形成さ
れた多層配線の複数の層間絶縁膜４、６と、その上に形
成され、レーザートリミング用の開口８ａが形成された
保護膜８とを有する半導体装置において、複数の層間絶
縁膜４、６のうち、最下層の層間絶縁膜４を除く被トリ
ミング素子３上の層間絶縁膜６に前記レーザートリミン
グ用の開口８ａに連通する開口６ａを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フューズ素子や抵
抗素子その他レーザーによる溶断で固有の特性値が変化
する被トリミング素子を有する多層配線構造の半導体装
置及びその製造方法に関し、特に被トリミング素子を容
易にトリミングできる半導体装置及びその製造方法に関
する。
抗素子その他レーザーによる溶断で固有の特性値が変化
する被トリミング素子を有する多層配線構造の半導体装
置及びその製造方法に関し、特に被トリミング素子を容
易にトリミングできる半導体装置及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来技術】従来の被トリミング素子を有する多層配線
構造の半導体装置をＭＯＳＩＣを例にとり、図８に示
す。なお、図８（ａ）は上面から見た略図、図８（ｂ）
は側面断面図を示す。これらの図において、１はシリコ
ン等の半導体基板、２はフィールド酸化膜、３はポリシ
リコンからなるフューズ素子、４は酸化シリコンからな
り、多層配線の層間絶縁膜のうち最下層に当たる第１層
間絶縁膜、４ａは第１層間絶縁膜４に形成したバイアホ
ール、５はアルミニウムからなる第１層金属配線、６は
酸化シリコンからなる第２層間絶縁膜、８はリンシリケ
ートガラスや窒化シリコン等の保護膜、８ａは保護膜８
の開口を示す。
構造の半導体装置をＭＯＳＩＣを例にとり、図８に示
す。なお、図８（ａ）は上面から見た略図、図８（ｂ）
は側面断面図を示す。これらの図において、１はシリコ
ン等の半導体基板、２はフィールド酸化膜、３はポリシ
リコンからなるフューズ素子、４は酸化シリコンからな
り、多層配線の層間絶縁膜のうち最下層に当たる第１層
間絶縁膜、４ａは第１層間絶縁膜４に形成したバイアホ
ール、５はアルミニウムからなる第１層金属配線、６は
酸化シリコンからなる第２層間絶縁膜、８はリンシリケ
ートガラスや窒化シリコン等の保護膜、８ａは保護膜８
の開口を示す。
【０００３】フューズ素子３は、半導体基板１の熱酸化
によるフィールド酸化膜２の形成、ＣＶＤ法によるポリ
シリコンの堆積と不純物拡散、及びリソグラフィ工程に
おけるレジストマスク形成とエッチングによるポリシリ
コンの選択除去等の通常の工程を経て、図示しないゲー
ト電極及びセルの負荷抵抗と同時に形成することができ
る。
によるフィールド酸化膜２の形成、ＣＶＤ法によるポリ
シリコンの堆積と不純物拡散、及びリソグラフィ工程に
おけるレジストマスク形成とエッチングによるポリシリ
コンの選択除去等の通常の工程を経て、図示しないゲー
ト電極及びセルの負荷抵抗と同時に形成することができ
る。
【０００４】フューズ素子３を被覆する第１層間絶縁膜
４は、フューズ素子３形成後、ＣＶＤ法により全面に酸
化シリコンを堆積し、リソグラフィによって選択的にエ
ッチング除去してバイアホール４ａを形成して得られ
る。
４は、フューズ素子３形成後、ＣＶＤ法により全面に酸
化シリコンを堆積し、リソグラフィによって選択的にエ
ッチング除去してバイアホール４ａを形成して得られ
る。
【０００５】ヒューズ素子３上に第１層間絶縁膜４を介
して形成された第１層金属配線５は、アルミニウムを全
面にスパッタリングしてからリソグラフィによって不要
部分を選択的にエッチング除去して得られ、バイアホー
ル４ａを通してヒューズ素子３の両端部と接続される。
して形成された第１層金属配線５は、アルミニウムを全
面にスパッタリングしてからリソグラフィによって不要
部分を選択的にエッチング除去して得られ、バイアホー
ル４ａを通してヒューズ素子３の両端部と接続される。
【０００６】同様にして第２層間絶縁膜６と図示しない
第２層金属配線が積層形成され、これら多層配線が形成
された後、窒化シリコン等で全面を覆い、リソグラフィ
により図示しないボンディングパッドの開口部及び開口
８ａを形成し、保護膜８が得られる。ヒューズ素子３の
トリミングは、この開口８ａ内にレーザ光を照射するこ
とによってヒューズ素子３を溶断して行う。
第２層金属配線が積層形成され、これら多層配線が形成
された後、窒化シリコン等で全面を覆い、リソグラフィ
により図示しないボンディングパッドの開口部及び開口
８ａを形成し、保護膜８が得られる。ヒューズ素子３の
トリミングは、この開口８ａ内にレーザ光を照射するこ
とによってヒューズ素子３を溶断して行う。
【０００７】ところで、多層配線を有する半導体装置内
部の上記ヒューズ素子等の被トリミング素子をトリミン
グする場合、被トリミング素子上の保護膜や層間絶縁膜
を介してレーザー光を照射しなければならない。これら
保護膜や層間絶縁膜は、レーザー光を減衰させ、十分に
トリミングが行われなくなる場合がある。かといってレ
ーザーの出力を上げると、下地のフィールド酸化膜や半
導体基板にダメージを与えてしまう虞がある。
部の上記ヒューズ素子等の被トリミング素子をトリミン
グする場合、被トリミング素子上の保護膜や層間絶縁膜
を介してレーザー光を照射しなければならない。これら
保護膜や層間絶縁膜は、レーザー光を減衰させ、十分に
トリミングが行われなくなる場合がある。かといってレ
ーザーの出力を上げると、下地のフィールド酸化膜や半
導体基板にダメージを与えてしまう虞がある。
【０００８】図８に示す開口８ａはこのような問題に対
処して設けられたもので、その大きさはトリミング時に
フューズ素子３を溶断するに十分なレーザー走査ができ
るように設定されている。従って、トリミング時にレー
ザーが保護膜８に当たらないので、その分の減衰が発生
しない。
処して設けられたもので、その大きさはトリミング時に
フューズ素子３を溶断するに十分なレーザー走査ができ
るように設定されている。従って、トリミング時にレー
ザーが保護膜８に当たらないので、その分の減衰が発生
しない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような半導体装置では、配線が多層になればなるほど層
間絶縁膜の厚みが増し、レーザーの減衰を防止すること
ができなくなる。この対策として、層間絶縁膜も開口し
ようとすると、その制御が困難であり、特に、ウェット
エッチングによればオーバーエッチングとなり易く、ヒ
ューズ下の絶縁膜も除去されてしまう虞があった。
ような半導体装置では、配線が多層になればなるほど層
間絶縁膜の厚みが増し、レーザーの減衰を防止すること
ができなくなる。この対策として、層間絶縁膜も開口し
ようとすると、その制御が困難であり、特に、ウェット
エッチングによればオーバーエッチングとなり易く、ヒ
ューズ下の絶縁膜も除去されてしまう虞があった。
【００１０】本発明は、上記問題点を解消し、下地にダ
メージを与えない比較的弱い出力のレーザーで、容易か
つ確実に被トリミング素子をトリミングできる半導体装
置を提供することを目的とする。
メージを与えない比較的弱い出力のレーザーで、容易か
つ確実に被トリミング素子をトリミングできる半導体装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置は、被トリミング素子と、該被
トリミング素子上に形成された多層配線の複数の層間絶
縁膜と、該層間絶縁膜上に形成されレーザートリミング
用の開口が形成された保護膜とを有する半導体装置にお
いて、前記複数の層間絶縁膜のうち、最下層の層間絶縁
膜を除く前記被トリミング素子上の層間絶縁膜の全てに
前記レーザートリミング用の開口に連通する開口を有す
ることを特徴とする。
め、本発明の半導体装置は、被トリミング素子と、該被
トリミング素子上に形成された多層配線の複数の層間絶
縁膜と、該層間絶縁膜上に形成されレーザートリミング
用の開口が形成された保護膜とを有する半導体装置にお
いて、前記複数の層間絶縁膜のうち、最下層の層間絶縁
膜を除く前記被トリミング素子上の層間絶縁膜の全てに
前記レーザートリミング用の開口に連通する開口を有す
ることを特徴とする。
【００１２】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に絶縁膜を介して被トリミング素子を形成
し、該被トリミング素子上に多層配線の複数の層間絶縁
膜を形成し、該層間絶縁膜上にレーザートリミング用の
開口を有する保護膜を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、最下層の層間絶縁膜上に金属配線を形成すると
共に前記被トリミング素子に重畳して金属膜を形成し、
該金属膜上に積層形成した層間絶縁膜のうち最上層の層
間絶縁膜のバイアホール形成と同時に該金属膜上の層間
絶縁膜の全てに開口を形成し、前記最上層の層間絶縁膜
上の金属配線の形成時に余分な金属の除去と共に前記金
属膜を除去し、前記開口に前記レーザートリミング用の
開口が連通するように前記保護膜を形成することを特徴
とする。
半導体基板上に絶縁膜を介して被トリミング素子を形成
し、該被トリミング素子上に多層配線の複数の層間絶縁
膜を形成し、該層間絶縁膜上にレーザートリミング用の
開口を有する保護膜を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、最下層の層間絶縁膜上に金属配線を形成すると
共に前記被トリミング素子に重畳して金属膜を形成し、
該金属膜上に積層形成した層間絶縁膜のうち最上層の層
間絶縁膜のバイアホール形成と同時に該金属膜上の層間
絶縁膜の全てに開口を形成し、前記最上層の層間絶縁膜
上の金属配線の形成時に余分な金属の除去と共に前記金
属膜を除去し、前記開口に前記レーザートリミング用の
開口が連通するように前記保護膜を形成することを特徴
とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面に沿って説明する。但し、複数の図面において、同一
または相当するものには同一の符号を付し、説明の重複
を避けた。
面に沿って説明する。但し、複数の図面において、同一
または相当するものには同一の符号を付し、説明の重複
を避けた。
【００１４】図１は本発明の半導体装置の実施の形態を
示す図であり、図１（ａ）は上面を、図１（ｂ）は側面
断面をそれぞれ示す。図１（ｂ）に示すとおり、第２層
間絶縁膜６の一部は除去されて下地の第１層間絶縁膜が
露出し、第２層間絶縁膜６の開口６ａ周縁の直下には第
１層金属配線と同時に形成した金属膜５ａが残存してい
る。また、レーザートリミング用の開口８ａは開口６ａ
と連通している。
示す図であり、図１（ａ）は上面を、図１（ｂ）は側面
断面をそれぞれ示す。図１（ｂ）に示すとおり、第２層
間絶縁膜６の一部は除去されて下地の第１層間絶縁膜が
露出し、第２層間絶縁膜６の開口６ａ周縁の直下には第
１層金属配線と同時に形成した金属膜５ａが残存してい
る。また、レーザートリミング用の開口８ａは開口６ａ
と連通している。
【００１５】これら開口の上面視における位置関係は、
図１（ａ）に示す通りとなる。即ち、開口８ａの外側に
開口６ａが位置し、開口８ａからは第１層間絶縁膜４を
介してヒューズ素子３を臨むことができる。
図１（ａ）に示す通りとなる。即ち、開口８ａの外側に
開口６ａが位置し、開口８ａからは第１層間絶縁膜４を
介してヒューズ素子３を臨むことができる。
【００１６】本実施の形態の半導体装置は、このような
構造であるため、フューズ素子３を被覆する複数の層間
絶縁膜の一部が、最下層にあたる第１層間絶縁膜４のみ
を残して開口されているため、トリミング時にレーザー
が入射するフューズ素子上の層間絶縁膜部分が薄くな
り、レーザーの減衰を低下させる。
構造であるため、フューズ素子３を被覆する複数の層間
絶縁膜の一部が、最下層にあたる第１層間絶縁膜４のみ
を残して開口されているため、トリミング時にレーザー
が入射するフューズ素子上の層間絶縁膜部分が薄くな
り、レーザーの減衰を低下させる。
【００１７】図２〜図７は上述の半導体装置の製造方法
を示す図である。まず、図２に示すように、従来どおり
フィールド酸化膜２を形成後、その上にヒューズ素子３
を形成し、さらにその上にＣＶＤ法によって酸化シリコ
ンを堆積し、フォトリソグラフによりヒューズ素子３上
の一部をエッチング除去してバイアホール４ａを形成
し、第１層間絶縁膜４を形成する。
を示す図である。まず、図２に示すように、従来どおり
フィールド酸化膜２を形成後、その上にヒューズ素子３
を形成し、さらにその上にＣＶＤ法によって酸化シリコ
ンを堆積し、フォトリソグラフによりヒューズ素子３上
の一部をエッチング除去してバイアホール４ａを形成
し、第１層間絶縁膜４を形成する。
【００１８】次に、全面にアルミニウムをスパッタリン
グし、リソグラフィによってアルミニウムを選択的にエ
ッチング除去し第１層金属配線５を形成すると共に、ヒ
ューズ素子３上に重畳するようアルミニウムを残し、金
属膜５ａを形成する（図３）。
グし、リソグラフィによってアルミニウムを選択的にエ
ッチング除去し第１層金属配線５を形成すると共に、ヒ
ューズ素子３上に重畳するようアルミニウムを残し、金
属膜５ａを形成する（図３）。
【００１９】次に、全面にＣＶＤ法によって酸化シリコ
ンを堆積し、これをリソグラフィによって選択的にエッ
チング除去し、図４に示すような第２層間絶縁膜６を形
成する。この際のエッチングは、ＨＦ−ＮＨＦ等の溶液
を使ったウェットエッチングが採用できる。このエッチ
ングによって、第１層金属配線５と第２層金属配線の電
気的接続をするバイアホール（図示せず）と共に、開口
６ａを形成する。但し、開口６ａを形成するとき、金属
膜５ａをエッチングストッパーとするため、開口６ａは
金属膜５ａの大きさよりも小さく形成されている。
ンを堆積し、これをリソグラフィによって選択的にエッ
チング除去し、図４に示すような第２層間絶縁膜６を形
成する。この際のエッチングは、ＨＦ−ＮＨＦ等の溶液
を使ったウェットエッチングが採用できる。このエッチ
ングによって、第１層金属配線５と第２層金属配線の電
気的接続をするバイアホール（図示せず）と共に、開口
６ａを形成する。但し、開口６ａを形成するとき、金属
膜５ａをエッチングストッパーとするため、開口６ａは
金属膜５ａの大きさよりも小さく形成されている。
【００２０】次に、図５に示すように、第２層金属配線
形成のためのアルミニウムを全面にスパッタリングし、
金属膜７を形成する。
形成のためのアルミニウムを全面にスパッタリングし、
金属膜７を形成する。
【００２１】次に、リソグラフィによって金属膜７を選
択的にエッチング除去して第２層金属配線を形成すると
共に、ヒューズ素子３に重畳する金属膜７および金属膜
５ａを除去する。この際これら金属膜の除去にはＨ3Ｐ
Ｏ4−ＣＨ3ＯＯＨ−ＨＮＯ3等の溶液を使ったウェット
エッチングが採用できる（図６）。
択的にエッチング除去して第２層金属配線を形成すると
共に、ヒューズ素子３に重畳する金属膜７および金属膜
５ａを除去する。この際これら金属膜の除去にはＨ3Ｐ
Ｏ4−ＣＨ3ＯＯＨ−ＨＮＯ3等の溶液を使ったウェット
エッチングが採用できる（図６）。
【００２２】最後に、従来方法で全面に窒化シリコンを
被着し、従来同様ボンディングパッドの開口部の形成と
同時に開口８ａを形成して最終形状を得る（図７）。
被着し、従来同様ボンディングパッドの開口部の形成と
同時に開口８ａを形成して最終形状を得る（図７）。
【００２３】本実施の形態では、第２層間絶縁膜６の開
口６ａを形成する際、金属膜５ａをエッチングストッパ
ーにできる。酸化シリコンとアルミニウム間で材料選択
性が高いエッチングを採用することは容易であり、従来
の層間絶縁膜のみが重なった層を最下層（第１層間絶縁
膜）のみ残してエッチングするよりも制御性のよいエッ
チングができる。これは金属膜５ａ及び７を除去する場
合にも同様のことが言える。
口６ａを形成する際、金属膜５ａをエッチングストッパ
ーにできる。酸化シリコンとアルミニウム間で材料選択
性が高いエッチングを採用することは容易であり、従来
の層間絶縁膜のみが重なった層を最下層（第１層間絶縁
膜）のみ残してエッチングするよりも制御性のよいエッ
チングができる。これは金属膜５ａ及び７を除去する場
合にも同様のことが言える。
【００２４】また、これら開口６ａの形成と金属膜５ａ
の除去は従来の工程と同時に行うことができるため、工
程を増やさないにもかかわらず、制御性よく層間絶縁膜
を開口できる。
の除去は従来の工程と同時に行うことができるため、工
程を増やさないにもかかわらず、制御性よく層間絶縁膜
を開口できる。
【００２５】以上、実施の形態について述べたが、本発
明はこれに限らず、種々の変更が可能である。例えば、
上記実施の形態では、層間絶縁膜の開口形成にウェット
エッチングを採用したが、ドライエッチングによっても
可能である。
明はこれに限らず、種々の変更が可能である。例えば、
上記実施の形態では、層間絶縁膜の開口形成にウェット
エッチングを採用したが、ドライエッチングによっても
可能である。
【００２６】また、上記実施の形態では、層間絶縁膜の
開口周縁の直下に金属膜が残存する構成としたが、全て
をエッチング除去して金属膜が残存しない構成としても
よい。また、上記実施の形態では多層配線が２層のみの
場合を例示したが、これ以上の多層配線であっても適用
できることは言うまでもない。この際、フューズ素子上
に最下層の層間絶縁膜を介して金属膜を形成後、通常の
工程で層間絶縁膜を積層形成して行き、最上層の層間絶
縁膜のバイアホール形成と同時に金属膜上にある層間絶
縁膜の全てに開口を形成する。その後全面に金属膜を被
着し、リソグラフィによる余分な金属膜の除去と共に最
初に形成した金属膜も除去すればよい。
開口周縁の直下に金属膜が残存する構成としたが、全て
をエッチング除去して金属膜が残存しない構成としても
よい。また、上記実施の形態では多層配線が２層のみの
場合を例示したが、これ以上の多層配線であっても適用
できることは言うまでもない。この際、フューズ素子上
に最下層の層間絶縁膜を介して金属膜を形成後、通常の
工程で層間絶縁膜を積層形成して行き、最上層の層間絶
縁膜のバイアホール形成と同時に金属膜上にある層間絶
縁膜の全てに開口を形成する。その後全面に金属膜を被
着し、リソグラフィによる余分な金属膜の除去と共に最
初に形成した金属膜も除去すればよい。
【００２７】また、上記実施の形態では、ＭＯＳＩＣに
ついて例示したが、バイポーラＩＣその他多層配線構造
を有する半導体装置にも適用することができる。
ついて例示したが、バイポーラＩＣその他多層配線構造
を有する半導体装置にも適用することができる。
【００２８】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の半導体
装置は被トリミング素子上の層間絶縁膜を薄く形成で
き、その分レーザーの減衰を抑制することができるた
め、比較的弱い出力のレーザーであっても、容易かつ確
実にフューズ素子をトリミングでき、下地のフィールド
酸化膜及び半導体基板にダメージを与えることがない。
装置は被トリミング素子上の層間絶縁膜を薄く形成で
き、その分レーザーの減衰を抑制することができるた
め、比較的弱い出力のレーザーであっても、容易かつ確
実にフューズ素子をトリミングでき、下地のフィールド
酸化膜及び半導体基板にダメージを与えることがない。
【００２９】また、本発明の半導体装置の製造方法は金
属膜をエッチングストッパーとすることができるので、
層間絶縁膜に制御性良くレーザートリミング用の開口を
形成することが可能である。また、この開口は従来の工
程と同時に形成できるので、工程の増加を伴わない。
属膜をエッチングストッパーとすることができるので、
層間絶縁膜に制御性良くレーザートリミング用の開口を
形成することが可能である。また、この開口は従来の工
程と同時に形成できるので、工程の増加を伴わない。
【図１】本発明に係る半導体装置の実施の形態を示す図
である。
である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す図である。
示す図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す図である。
示す図である。
【図６】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す図である。
示す図である。
【図７】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す図である。
示す図である。
【図８】従来の半導体装置を示す図である。
１：半導体基板 ２：フィールド酸化膜 ３：フューズ素子 ４：第１層間絶縁膜 ５：第１層金属配線 ５ａ、７：金属膜 ５ｂ、６ａ、８ａ：開口 ６：第２層間絶縁膜 ８：保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 被トリミング素子と、該被トリミング素
子上に形成された多層配線の複数の層間絶縁膜と、該層
間絶縁膜上に形成されレーザートリミング用の開口が形
成された保護膜とを有する半導体装置において、前記複
数の層間絶縁膜のうち、最下層の層間絶縁膜を除く前記
被トリミング素子上の層間絶縁膜の全てに前記レーザー
トリミング用の開口に連通する開口を有することを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に絶縁膜を介して被トリミ
ング素子を形成し、該被トリミング素子上に多層配線の
複数の層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜上にレーザー
トリミング用の開口を有する保護膜を形成する半導体装
置の製造方法において、最下層の層間絶縁膜上に金属配
線を形成すると共に前記被トリミング素子に重畳して金
属膜を形成し、該金属膜上に積層形成した層間絶縁膜の
うち最上層の層間絶縁膜のバイアホール形成と同時に該
金属膜上の層間絶縁膜の全てに開口を形成し、前記最上
層の層間絶縁膜上の金属配線の形成時に余分な金属の除
去と共に前記金属膜を除去し、前記開口に前記レーザー
トリミング用の開口が連通するように前記保護膜を形成
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9314227A JPH11135730A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9314227A JPH11135730A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135730A true JPH11135730A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=18050822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9314227A Pending JPH11135730A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135730A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7042065B2 (en) | 2003-03-05 | 2006-05-09 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP9314227A patent/JPH11135730A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7042065B2 (en) | 2003-03-05 | 2006-05-09 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002093911A (ja) | 半導体装置および製造方法 | |
| JP2002231753A (ja) | 半導体素子のボンディングパッド及びその製造方法 | |
| JPH09139431A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP2845828B2 (ja) | 多層配線半導体装置とその製造方法 | |
| JPH11135730A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2809131B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06260554A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2551030B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS5863150A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07153756A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3103912B2 (ja) | 半導体ウエハのストリート構造およびその製造方法 | |
| JPS6180836A (ja) | 多層配線を有する半導体装置 | |
| JP3039163B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06310597A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2699454B2 (ja) | メモリ装置の製造方法 | |
| JP2800525B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05275656A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH04109654A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6347952A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59117236A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0621229A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH09270425A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH065654A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS59194432A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0582511A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050104 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050510 |