JPH11103015A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH11103015A JPH11103015A JP26216797A JP26216797A JPH11103015A JP H11103015 A JPH11103015 A JP H11103015A JP 26216797 A JP26216797 A JP 26216797A JP 26216797 A JP26216797 A JP 26216797A JP H11103015 A JPH11103015 A JP H11103015A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗分割回路を有する半導体装置の改善に関
する。 【解決手段】 Ｐ型の半導体基板１１の表面に形成され
た第１，第２のｎウエル１２，１７と、第１のｎウエル
１２の表層に形成された第１のＰ型不純物拡散層１３
と、第２のｎウエル１７の表層に形成された第２のＰ型
不純物拡散層１８と、第１のＰ型不純物拡散層１３の表
層に形成された第１，第２のＰ+ 型不純物拡散層１４，
１５と、第２のＰ型不純物拡散層１８の表層に形成され
た第３，第４のＰ+ 型不純物拡散層１９，２０と、第
２，第３のＰ+ 型不純物拡散層１５，１９とを接続する
配線２２とを有するものである。
する。 【解決手段】 Ｐ型の半導体基板１１の表面に形成され
た第１，第２のｎウエル１２，１７と、第１のｎウエル
１２の表層に形成された第１のＰ型不純物拡散層１３
と、第２のｎウエル１７の表層に形成された第２のＰ型
不純物拡散層１８と、第１のＰ型不純物拡散層１３の表
層に形成された第１，第２のＰ+ 型不純物拡散層１４，
１５と、第２のＰ型不純物拡散層１８の表層に形成され
た第３，第４のＰ+ 型不純物拡散層１９，２０と、第
２，第３のＰ+ 型不純物拡散層１５，１９とを接続する
配線２２とを有するものである。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
さらに詳しくいえば、抵抗分割で一定の電圧を生成する
回路を有する半導体装置の改善に関する。
さらに詳しくいえば、抵抗分割で一定の電圧を生成する
回路を有する半導体装置の改善に関する。
【従来の技術】テレビ用マイコン等において、キャプシ
ョン信号のデータスライサ回路という回路がある。この
回路においては、通常基準電圧として電源電圧ＶDDの１
／２の電圧である１／２ＶDDが用いられる。このよう
に、電源電圧ＶDDの１／２の電圧である１／２ＶDDを生
成する用途は他にもあるが、このような電圧１／２ＶDD
を生成するには、通常図５に示すような、抵抗Ｒ１，Ｒ
２を有する抵抗分割回路で行っている。このような回路
を半導体装置で構成する場合の一例を図４に示す。この
装置は、図４に示すように、Ｐ型の半導体基板１上にｎ
型の不純物が拡散されることでｎウエル２が形成され、
そのｎウエル２の表層にＰ型不純物拡散層３が設けられ
ている。また、ｎウエル２の表層には電源電圧ＶDDに接
続されたＮ型不純物拡散層７が設けられている。Ｐ型不
純物拡散層３の表層には、高濃度のＰ+ 型不純物拡散層
４，５，６が等間隔に形成されており、これらはそれぞ
れＶDD，１／２ＶDD，ＶSSの電極となっている。このよ
うなＰ+ 型不純物拡散層４，６間にＰＮ接合の逆方向電
圧を印加する。Ｐ型不純物拡散層３は抵抗として機能す
るが、高濃度のＰ+ 型不純物拡散層４，５，６は等間隔
になっているので、高濃度のＰ+ 型不純物拡散層４，５
の間の抵抗値（図５のＲ１）と、高濃度のＰ+ 型不純物
拡散層５，６の間の抵抗値（図５のＲ２）は等しくなる
ので、高濃度のＰ+ 型不純物拡散層５からは１／２ＶDD
が取り出されることになる。
ョン信号のデータスライサ回路という回路がある。この
回路においては、通常基準電圧として電源電圧ＶDDの１
／２の電圧である１／２ＶDDが用いられる。このよう
に、電源電圧ＶDDの１／２の電圧である１／２ＶDDを生
成する用途は他にもあるが、このような電圧１／２ＶDD
を生成するには、通常図５に示すような、抵抗Ｒ１，Ｒ
２を有する抵抗分割回路で行っている。このような回路
を半導体装置で構成する場合の一例を図４に示す。この
装置は、図４に示すように、Ｐ型の半導体基板１上にｎ
型の不純物が拡散されることでｎウエル２が形成され、
そのｎウエル２の表層にＰ型不純物拡散層３が設けられ
ている。また、ｎウエル２の表層には電源電圧ＶDDに接
続されたＮ型不純物拡散層７が設けられている。Ｐ型不
純物拡散層３の表層には、高濃度のＰ+ 型不純物拡散層
４，５，６が等間隔に形成されており、これらはそれぞ
れＶDD，１／２ＶDD，ＶSSの電極となっている。このよ
うなＰ+ 型不純物拡散層４，６間にＰＮ接合の逆方向電
圧を印加する。Ｐ型不純物拡散層３は抵抗として機能す
るが、高濃度のＰ+ 型不純物拡散層４，５，６は等間隔
になっているので、高濃度のＰ+ 型不純物拡散層４，５
の間の抵抗値（図５のＲ１）と、高濃度のＰ+ 型不純物
拡散層５，６の間の抵抗値（図５のＲ２）は等しくなる
ので、高濃度のＰ+ 型不純物拡散層５からは１／２ＶDD
が取り出されることになる。
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
装置においては、以下に示すような問題が生じる。上記
の装置では、高濃度のＰ+ 型不純物拡散層４，５，６は
等間隔になっているので、Ｐ+ 型不純物拡散層４，５の
間の抵抗値Ｒ１と、Ｐ+ 型不純物拡散層５，６の間の抵
抗値Ｒ２は等しくなるはずであるが、実際には、図６に
示すように、Ｐ+ 型不純物拡散層４，６間にＰＮ接合の
逆方向電圧を印加すると、図６に示すような空乏層９が
広がる。その一部は、抵抗として用いるＰ型不純物拡散
層３の内部深くまで広がるので、Ｐ型不純物拡散層３の
うち実際に抵抗として用いることができる部分は図の斜
線に示す部分１０になってしまい、均一に分布せず、非
対称になってしまう。従って、Ｐ+ 型不純物拡散層４，
５の間の抵抗値Ｒ１と、Ｐ+ 型不純物拡散層５，６の間
の抵抗値Ｒ２が等しくなくなってしまうので、正確に１
／２ＶDDを生成することができなくなってしまうという
問題が生じていた。
装置においては、以下に示すような問題が生じる。上記
の装置では、高濃度のＰ+ 型不純物拡散層４，５，６は
等間隔になっているので、Ｐ+ 型不純物拡散層４，５の
間の抵抗値Ｒ１と、Ｐ+ 型不純物拡散層５，６の間の抵
抗値Ｒ２は等しくなるはずであるが、実際には、図６に
示すように、Ｐ+ 型不純物拡散層４，６間にＰＮ接合の
逆方向電圧を印加すると、図６に示すような空乏層９が
広がる。その一部は、抵抗として用いるＰ型不純物拡散
層３の内部深くまで広がるので、Ｐ型不純物拡散層３の
うち実際に抵抗として用いることができる部分は図の斜
線に示す部分１０になってしまい、均一に分布せず、非
対称になってしまう。従って、Ｐ+ 型不純物拡散層４，
５の間の抵抗値Ｒ１と、Ｐ+ 型不純物拡散層５，６の間
の抵抗値Ｒ２が等しくなくなってしまうので、正確に１
／２ＶDDを生成することができなくなってしまうという
問題が生じていた。
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の欠点
に鑑み成されたもので、請求項１に記載した本発明は、
Ｐ型の半導体基板１１の表面に形成された第１のｎウエ
ル１２と、該第１のｎウエル１２と離間して該基板１１
の表面に形成された第２のｎウエル１７と、前記第１の
ｎウエル１２の表層にＰ型不純物が拡散されることで形
成された第１のＰ型不純物拡散層１３と、前記第２のｎ
ウエル１７の表層にＰ型不純物が拡散されることで形成
された第２のＰ型不純物拡散層１８と、前記第１のＰ型
不純物拡散層１３の表層に当該第１のＰ型不純物拡散層
１３の不純物濃度よりも高濃度な不純物が拡散されるこ
とで形成され、第１の電圧（ＶDD）を印加するための電
極となる第１のＰ+ 型不純物拡散層１４と、前記第１の
Ｐ+ 型不純物拡散層１３の表層に前記第１のＰ+ 型不純
物拡散層１４と離間して当該第１のＰ+ 型不純物拡散層
１３の不純物濃度よりも高濃度な不純物が拡散されるこ
とで形成された第２のＰ+ 型不純物拡散層１５と、前記
第２のＰ型不純物拡散層１８の表層に当該第２のＰ型不
純物拡散層１８の不純物濃度よりも高濃度な不純物が拡
散されることで形成された第３のＰ+ 型不純物拡散層１
９と、前記第２のＰ型不純物拡散層１８の表層に前記第
３のＰ+ 型不純物拡散層１９と離間して前記第２のＰ型
不純物拡散層１８の不純物濃度よりも高濃度な不純物が
拡散されることで形成され、前記第１の電圧（ＶDD）よ
りも低い電圧である第２の電圧（ＶSS）を印加するため
の電極となる第４のＰ+ 型不純物拡散層２０と、前記第
２のＰ+ 型不純物拡散層１５と前記第３のＰ+ 型不純物
拡散層１９とを接続し、前記第１の電圧（ＶDD）と前記
第２の電圧（ＶSS）との電位差の１／２の電圧である第
３の電圧（１／２ＶDD）を取り出す電極となる配線２２
とを有することを特徴とするものである。また、請求項
２に記載した本発明は、前記第１のＰ型不純物拡散層１
３の不純物濃度と前記第２のＰ型不純物拡散層１８の不
純物濃度とが等しく、かつ前記第１のＰ+ 型不純物拡散
層１４と第２のＰ+ 型不純物拡散層１５の離間距離と、
前記第３のＰ+ 型不純物拡散層１９と第４のＰ+ 型不純
物拡散層２０の離間距離とが等しいことを特徴とするも
のである。
に鑑み成されたもので、請求項１に記載した本発明は、
Ｐ型の半導体基板１１の表面に形成された第１のｎウエ
ル１２と、該第１のｎウエル１２と離間して該基板１１
の表面に形成された第２のｎウエル１７と、前記第１の
ｎウエル１２の表層にＰ型不純物が拡散されることで形
成された第１のＰ型不純物拡散層１３と、前記第２のｎ
ウエル１７の表層にＰ型不純物が拡散されることで形成
された第２のＰ型不純物拡散層１８と、前記第１のＰ型
不純物拡散層１３の表層に当該第１のＰ型不純物拡散層
１３の不純物濃度よりも高濃度な不純物が拡散されるこ
とで形成され、第１の電圧（ＶDD）を印加するための電
極となる第１のＰ+ 型不純物拡散層１４と、前記第１の
Ｐ+ 型不純物拡散層１３の表層に前記第１のＰ+ 型不純
物拡散層１４と離間して当該第１のＰ+ 型不純物拡散層
１３の不純物濃度よりも高濃度な不純物が拡散されるこ
とで形成された第２のＰ+ 型不純物拡散層１５と、前記
第２のＰ型不純物拡散層１８の表層に当該第２のＰ型不
純物拡散層１８の不純物濃度よりも高濃度な不純物が拡
散されることで形成された第３のＰ+ 型不純物拡散層１
９と、前記第２のＰ型不純物拡散層１８の表層に前記第
３のＰ+ 型不純物拡散層１９と離間して前記第２のＰ型
不純物拡散層１８の不純物濃度よりも高濃度な不純物が
拡散されることで形成され、前記第１の電圧（ＶDD）よ
りも低い電圧である第２の電圧（ＶSS）を印加するため
の電極となる第４のＰ+ 型不純物拡散層２０と、前記第
２のＰ+ 型不純物拡散層１５と前記第３のＰ+ 型不純物
拡散層１９とを接続し、前記第１の電圧（ＶDD）と前記
第２の電圧（ＶSS）との電位差の１／２の電圧である第
３の電圧（１／２ＶDD）を取り出す電極となる配線２２
とを有することを特徴とするものである。また、請求項
２に記載した本発明は、前記第１のＰ型不純物拡散層１
３の不純物濃度と前記第２のＰ型不純物拡散層１８の不
純物濃度とが等しく、かつ前記第１のＰ+ 型不純物拡散
層１４と第２のＰ+ 型不純物拡散層１５の離間距離と、
前記第３のＰ+ 型不純物拡散層１９と第４のＰ+ 型不純
物拡散層２０の離間距離とが等しいことを特徴とするも
のである。
【発明の実施の形態】以下で、本発明の一実施形態に係
る半導体装置について図面を参照しながら説明する。図
１は、本発明の実施形態に係る半導体装置の構造を説明
する断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、電
源電圧ＶDDの１／２の電圧である１／２ＶDDを生成する
回路であって、テレビ用マイコン等において、キャプシ
ョン信号のデータスライサ回路の基準電圧を生成するた
めの回路を搭載している。この半導体装置は、図１に示
すように、Ｐ型の半導体基板１１と、その上に形成され
た第１のｎウエル１２と、第２のｎウエル１７とが形成
されている。なお、第１のｎウエル１２は第１の逆導電
型不純物拡散層の一例であって、第２のｎウエル１７
は、第２の逆導電型不純物拡散層の一例である。第１の
ｎウエル１２の表層には、Ｐ型不純物が拡散されること
で形成される第１のＰ型不純物拡散層１３が設けられて
いる。また、第１のＰ型不純物拡散層１３の表層には、
ＶDDの電極となる第１のＰ+型不純物拡散層１４と、１
／２ＶDDの電極となる第２のＰ+ 型不純物拡散層１５と
が一定間隔をおいて形成されている。これら第１，第２
のＰ+ 型不純物拡散層１４，１５は、それぞれ第１，第
２の高濃度拡散層の一例である。同様にして、第２のｎ
ウエル１７の表層には、Ｐ型不純物が拡散されることで
形成される第２のＰ型不純物拡散層１８が設けられてい
る。この第２のＰ型不純物拡散層１８の不純物濃度と、
第１のＰ型不純物拡散層１３の不純物濃度は同じように
している。また、第２のＰ型不純物拡散層１８の表層に
は、１／２ＶDDの電極となる第３のＰ+ 型不純物拡散層
１９と、ＶSSの電極となる第４のＰ+ 型不純物拡散層２
０とが一定間隔をおいて形成されている。なお、これら
の第３，第４のＰ+ 型不純物拡散層１９，２０は、それ
ぞれ第３，第４の高濃度拡散層の一例である。さらに、
第３，第４のＰ+ 型不純物拡散層１９，２０の離間距離
と、第１，第２のＰ+ 型不純物拡散層１４，１５の離間
距離とは同じになるようにしている。また、ともに１／
２ＶDDの取出し電極となる第２のＰ+ 型不純物拡散層１
５と第３のＰ+ 型不純物拡散層１９とは、図１に示すよ
うに配線２２などで接続されている。更に、第１のｎウ
エル１２及び第２のｎウエル１７の表層にはそれぞれ電
源電圧ＶDD及び１／２ＶDDに接続された第１のＮ型不純
物拡散層１６及び第２のＮ型不純物拡散層２１が設けら
れている。この装置の等価回路を図２に示す。このよう
に、この装置は、同じ抵抗値を有する２つの抵抗Ｒ１
１，Ｒ１２を用いて電源電圧ＶDDを抵抗分割することに
より、電源電圧ＶDDの１／２の電圧を生成する回路を構
成している。この回路図で、抵抗Ｒ１１は、第１，第２
のＰ+ 型不純物拡散層１４，１５の間の抵抗であって、
抵抗Ｒ１２は、第３，第４のＰ+ 型不純物拡散層１９，
２０の間の抵抗である。上記の装置を用いて電源電圧Ｖ
DDの１／２の電圧である１／２ＶDDを生成するには、上
記装置のＶDDの電極となる第１のＰ+ 型不純物拡散層１
４と、ＶSSの電極となる第４のＰ+ 型不純物拡散層２０
との間にＰＮ接合の逆方向電圧を印加する。すると第１
のＰ型不純物拡散層１３と、第２のＰ型不純物拡散層１
８は抵抗として機能するので、等価回路は図２に示すよ
うな回路になる。このとき、本実施形態では従来と異な
り、ｎウエルを分割して、その各々に抵抗となる第１の
Ｐ型不純物拡散層１３と、第２のＰ型不純物拡散層１８
をそれぞれ設けており、第２のＰ+ 型不純物拡散層１５
と第３のＰ+ 型不純物拡散層１９とを配線で接続し、１
／２ＶDDの取出し電極としている。このため、従来と異
なり、電圧印加によって空乏層が広がっても、第１のＰ
型不純物拡散層１３，第２のＰ型不純物拡散層１８の不
純物濃度は同じであって、かつ第１のＰ+ 型不純物拡散
層１４，第２のＰ+ 型不純物拡散層１５との間の距離
と、第３のＰ+ 型不純物拡散層１９，第４のＰ+ 型不純
物拡散層２０との間の距離とは同じになっているので、
ＰＮ接合に加わる逆方向電圧によって空乏層が広がって
も、図３に示すように、第１のＰ型不純物拡散層１３に
広がる空乏層２３と、第２のＰ型不純物拡散層１７に広
がる空乏層２４とは、同じように広がる。これにより、
第１のＰ型不純物拡散層１３において抵抗として用いる
ことができる領域２５と、第２のＰ型不純物拡散層１７
において抵抗として用いることができる領域２６とも同
じように広がる。従って、空乏層２３，２４の広がりに
よって各々の抵抗値が多少上下しても、その上下する値
は第１のＰ型不純物拡散層１３，第２のＰ型不純物拡散
層１８とで同じになるので、両者の抵抗値Ｒ１１，Ｒ１
２はほぼ同一になり、抵抗値の比Ｒ１１：Ｒ１２はほと
んど変わらず、ほぼ１：１になる。よって、空乏層の広
がりによって抵抗値の比が変動していた従来の装置に比
して、正確に１／２ＶDDを得ることが可能になる。な
お、本実施形態では、キャプション信号のデータスライ
サ回路の基準電圧を生成するための回路について説明し
ているが、本発明はこれに限らず、電源電圧の１／２電
圧である１／２ＶDDを生成する用途であれば、同様の効
果を奏する。また、本実施形態の回路を直列に複数個接
続し、例えば４個接続することで電源電圧ＶDDを４等分
するような回路を構成してもよい。
る半導体装置について図面を参照しながら説明する。図
１は、本発明の実施形態に係る半導体装置の構造を説明
する断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、電
源電圧ＶDDの１／２の電圧である１／２ＶDDを生成する
回路であって、テレビ用マイコン等において、キャプシ
ョン信号のデータスライサ回路の基準電圧を生成するた
めの回路を搭載している。この半導体装置は、図１に示
すように、Ｐ型の半導体基板１１と、その上に形成され
た第１のｎウエル１２と、第２のｎウエル１７とが形成
されている。なお、第１のｎウエル１２は第１の逆導電
型不純物拡散層の一例であって、第２のｎウエル１７
は、第２の逆導電型不純物拡散層の一例である。第１の
ｎウエル１２の表層には、Ｐ型不純物が拡散されること
で形成される第１のＰ型不純物拡散層１３が設けられて
いる。また、第１のＰ型不純物拡散層１３の表層には、
ＶDDの電極となる第１のＰ+型不純物拡散層１４と、１
／２ＶDDの電極となる第２のＰ+ 型不純物拡散層１５と
が一定間隔をおいて形成されている。これら第１，第２
のＰ+ 型不純物拡散層１４，１５は、それぞれ第１，第
２の高濃度拡散層の一例である。同様にして、第２のｎ
ウエル１７の表層には、Ｐ型不純物が拡散されることで
形成される第２のＰ型不純物拡散層１８が設けられてい
る。この第２のＰ型不純物拡散層１８の不純物濃度と、
第１のＰ型不純物拡散層１３の不純物濃度は同じように
している。また、第２のＰ型不純物拡散層１８の表層に
は、１／２ＶDDの電極となる第３のＰ+ 型不純物拡散層
１９と、ＶSSの電極となる第４のＰ+ 型不純物拡散層２
０とが一定間隔をおいて形成されている。なお、これら
の第３，第４のＰ+ 型不純物拡散層１９，２０は、それ
ぞれ第３，第４の高濃度拡散層の一例である。さらに、
第３，第４のＰ+ 型不純物拡散層１９，２０の離間距離
と、第１，第２のＰ+ 型不純物拡散層１４，１５の離間
距離とは同じになるようにしている。また、ともに１／
２ＶDDの取出し電極となる第２のＰ+ 型不純物拡散層１
５と第３のＰ+ 型不純物拡散層１９とは、図１に示すよ
うに配線２２などで接続されている。更に、第１のｎウ
エル１２及び第２のｎウエル１７の表層にはそれぞれ電
源電圧ＶDD及び１／２ＶDDに接続された第１のＮ型不純
物拡散層１６及び第２のＮ型不純物拡散層２１が設けら
れている。この装置の等価回路を図２に示す。このよう
に、この装置は、同じ抵抗値を有する２つの抵抗Ｒ１
１，Ｒ１２を用いて電源電圧ＶDDを抵抗分割することに
より、電源電圧ＶDDの１／２の電圧を生成する回路を構
成している。この回路図で、抵抗Ｒ１１は、第１，第２
のＰ+ 型不純物拡散層１４，１５の間の抵抗であって、
抵抗Ｒ１２は、第３，第４のＰ+ 型不純物拡散層１９，
２０の間の抵抗である。上記の装置を用いて電源電圧Ｖ
DDの１／２の電圧である１／２ＶDDを生成するには、上
記装置のＶDDの電極となる第１のＰ+ 型不純物拡散層１
４と、ＶSSの電極となる第４のＰ+ 型不純物拡散層２０
との間にＰＮ接合の逆方向電圧を印加する。すると第１
のＰ型不純物拡散層１３と、第２のＰ型不純物拡散層１
８は抵抗として機能するので、等価回路は図２に示すよ
うな回路になる。このとき、本実施形態では従来と異な
り、ｎウエルを分割して、その各々に抵抗となる第１の
Ｐ型不純物拡散層１３と、第２のＰ型不純物拡散層１８
をそれぞれ設けており、第２のＰ+ 型不純物拡散層１５
と第３のＰ+ 型不純物拡散層１９とを配線で接続し、１
／２ＶDDの取出し電極としている。このため、従来と異
なり、電圧印加によって空乏層が広がっても、第１のＰ
型不純物拡散層１３，第２のＰ型不純物拡散層１８の不
純物濃度は同じであって、かつ第１のＰ+ 型不純物拡散
層１４，第２のＰ+ 型不純物拡散層１５との間の距離
と、第３のＰ+ 型不純物拡散層１９，第４のＰ+ 型不純
物拡散層２０との間の距離とは同じになっているので、
ＰＮ接合に加わる逆方向電圧によって空乏層が広がって
も、図３に示すように、第１のＰ型不純物拡散層１３に
広がる空乏層２３と、第２のＰ型不純物拡散層１７に広
がる空乏層２４とは、同じように広がる。これにより、
第１のＰ型不純物拡散層１３において抵抗として用いる
ことができる領域２５と、第２のＰ型不純物拡散層１７
において抵抗として用いることができる領域２６とも同
じように広がる。従って、空乏層２３，２４の広がりに
よって各々の抵抗値が多少上下しても、その上下する値
は第１のＰ型不純物拡散層１３，第２のＰ型不純物拡散
層１８とで同じになるので、両者の抵抗値Ｒ１１，Ｒ１
２はほぼ同一になり、抵抗値の比Ｒ１１：Ｒ１２はほと
んど変わらず、ほぼ１：１になる。よって、空乏層の広
がりによって抵抗値の比が変動していた従来の装置に比
して、正確に１／２ＶDDを得ることが可能になる。な
お、本実施形態では、キャプション信号のデータスライ
サ回路の基準電圧を生成するための回路について説明し
ているが、本発明はこれに限らず、電源電圧の１／２電
圧である１／２ＶDDを生成する用途であれば、同様の効
果を奏する。また、本実施形態の回路を直列に複数個接
続し、例えば４個接続することで電源電圧ＶDDを４等分
するような回路を構成してもよい。
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置によれば、抵抗を構成する第１の一導電型不純物
拡散層と、第２の一導電型不純物拡散層とを分離し、そ
の各々に第１，第２の高濃度拡散層と、第３，第４の高
濃度拡散層を形成し、これら第１，第２の高濃度拡散層
の離間距離と第３，第４の高濃度拡散層の離間距離を同
じにして、これらの間の一導電型不純物拡散層を抵抗と
して用いている。このため、電圧を印加することによっ
て空乏層がこれら第１，第２の一導電型不純物拡散層内
に広がって抵抗値が上下しても、この上下する値は第
１，第２の一導電型不純物拡散層において同じ値になる
ので、第１，第２の高濃度拡散層の間の抵抗と、第３，
第４の高濃度拡散層の間の抵抗との比は、同じになる。
従って、第１の高濃度拡散層に印加される第１の電圧
と、第４の高濃度拡散層に印加される第２の電圧との電
位差の１／２の電圧である第３の電圧を取り出す際に、
空乏層の広がりによって抵抗値の比が変動していた従来
よりも、精度の高い電圧を生成することが可能になる。
体装置によれば、抵抗を構成する第１の一導電型不純物
拡散層と、第２の一導電型不純物拡散層とを分離し、そ
の各々に第１，第２の高濃度拡散層と、第３，第４の高
濃度拡散層を形成し、これら第１，第２の高濃度拡散層
の離間距離と第３，第４の高濃度拡散層の離間距離を同
じにして、これらの間の一導電型不純物拡散層を抵抗と
して用いている。このため、電圧を印加することによっ
て空乏層がこれら第１，第２の一導電型不純物拡散層内
に広がって抵抗値が上下しても、この上下する値は第
１，第２の一導電型不純物拡散層において同じ値になる
ので、第１，第２の高濃度拡散層の間の抵抗と、第３，
第４の高濃度拡散層の間の抵抗との比は、同じになる。
従って、第１の高濃度拡散層に印加される第１の電圧
と、第４の高濃度拡散層に印加される第２の電圧との電
位差の１／２の電圧である第３の電圧を取り出す際に、
空乏層の広がりによって抵抗値の比が変動していた従来
よりも、精度の高い電圧を生成することが可能になる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の等価回
路図である。
路図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の作用効
果を説明する図である。
果を説明する図である。
【図４】従来の半導体装置の構造を説明する断面図であ
る。
る。
【図５】従来の半導体装置の等価回路図である。
【図６】従来の問題点を説明する図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 一導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の表層に形成された第１の逆導電型不純
物拡散層と、 前記第１の逆導電型不純物拡散層と離間して前記半導体
基板の表層に形成された第２の逆導電型不純物拡散層
と、 前記第１の逆導電型不純物拡散層の表層に一導電型不純
物が拡散されることで形成された第１の一導電型不純物
拡散層と、 前記第２の逆導電型不純物拡散層の表層に一導電型不純
物が拡散されることで形成された第２の一導電型不純物
拡散層と、 前記第１の一導電型不純物拡散層の表層に当該第１の一
導電型不純物拡散層の不純物濃度よりも高濃度な不純物
が拡散されることで形成され、第１の電圧を印加するた
めの電極となる第１の高濃度拡散層と、 前記第１の一導電型不純物拡散層の表層に、前記第１の
高濃度拡散層と離間して当該第１の一導電型不純物拡散
層の不純物濃度よりも高濃度な不純物が拡散されること
で形成された第２の高濃度拡散層と、 前記第２の一導電型不純物拡散層の表層に当該第２の一
導電型不純物拡散層の不純物濃度よりも高濃度な不純物
が拡散されることで形成された第３の高濃度拡散層と、 前記第２の一導電型不純物拡散層の表層に前記第３の高
濃度拡散層と離間して当該第２の一導電型不純物拡散層
の不純物濃度よりも高濃度な不純物が拡散されることで
形成され、前記第１の電圧よりも低い電圧である第２の
電圧を印加するための電極となる第４の高濃度拡散層
と、 前記第２の高濃度拡散層と前記第３の高濃度拡散層とを
接続し、前記第１の電圧と前記第２の電圧との電位差の
１／２の電圧である第３の電圧を取り出す電極となる接
続配線とを有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記第１の一導電型不純物拡散層の前記
一導電型不純物の不純物濃度と前記第２の一導電型不純
物拡散層の前記一導電型不純物の不純物濃度とが等し
く、 かつ前記第１の高濃度拡散層と第２の高濃度拡散層の離
間距離と、前記第３の高濃度拡散層と第４の高濃度拡散
層の離間距離とが等しいことを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26216797A JPH11103015A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26216797A JPH11103015A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11103015A true JPH11103015A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17372000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26216797A Pending JPH11103015A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11103015A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102931185A (zh) * | 2011-08-08 | 2013-02-13 | 富士通半导体股份有限公司 | 半导体器件及分压器 |
| TWI565244B (zh) * | 2015-03-19 | 2017-01-01 | 禾瑞亞科技股份有限公司 | 電源產生電路、頻率產生電路與頻率控制系統 |
-
1997
- 1997-09-26 JP JP26216797A patent/JPH11103015A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102931185A (zh) * | 2011-08-08 | 2013-02-13 | 富士通半导体股份有限公司 | 半导体器件及分压器 |
| US20130038385A1 (en) * | 2011-08-08 | 2013-02-14 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and voltage divider |
| JP2013038234A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及び分圧回路 |
| US8928397B2 (en) * | 2011-08-08 | 2015-01-06 | Spansion Llc | Semiconductor device and voltage divider |
| TWI565244B (zh) * | 2015-03-19 | 2017-01-01 | 禾瑞亞科技股份有限公司 | 電源產生電路、頻率產生電路與頻率控制系統 |
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