JPH1074760A

JPH1074760A - 配線形成方法

Info

Publication number: JPH1074760A
Application number: JP22977696A
Authority: JP
Inventors: Setsuo Suzuki; 説男鈴木
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-08-30
Filing date: 1996-08-30
Publication date: 1998-03-17

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体装置製造等において、アスペクト比の
大きい接続孔の埋め込みも良好に行え、工程が簡略で、
コスト的に有利で、単独の配線形成材料での配線形成も
可能な配線形成方法を提供する。【解決手段】アルミニウム系材料等の配線形成材料２
を成膜することにより接続孔１を該材料で埋め込む際、
配線形成材料の成膜と、接続孔の埋め込み特性を向上さ
せる処理（高温リフロー法、高圧リフロー法その他）と
を、交互に複数回繰り返す配線形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線形成方法に関
する。本発明は、たとえば代表的には、各種半導体装置
の製造の際に配線を形成する場合の手法として、好適に
利用することができる。

【０００２】

【従来の技術】ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等に見られるよう
に、半導体装置はその微細化が進んでいる。このような
半導体装置の設計ルールの微細化に伴い、接続孔も微小
化し、たとえばその径の縮小化が要請されている。半導
体装置の製造においては、一般に、半導体基板上に設け
られた絶縁膜を開口して接続孔を形成することが行われ
ている。

【０００３】ところが、絶縁耐圧を確保するための層間
絶縁膜は、その膜厚がほとんど変わっていない。この結
果、接続孔のアスペクト比が大きくなる傾向が避けられ
ない。

【０００４】たとえば、０．２５μｍ世代の半導体装置
内では、アスペクト比が４程度の接続孔内の埋め込みが
必要とされる。この場合、接続孔の埋め込みが十分にな
されず、導通不良を起こすことがある。たとえば、アル
ミニウムのみで配線を形成した場合には、接続孔段差部
におけるアルミニウム膜の被覆性が良くないため、接続
孔で導通不良を起こし、半導体装置の信頼性を低下させ
ることがある。アスペクト比の大きい接続孔にアルミニ
ウムでの埋め込みを試みると、図７に示すごとく、配線
形成材料２であるアルミニウムは、接続孔１の開口部に
大量に付着して、いわゆるオーバーハングを起こす。こ
のため、接続孔内のアルミニウムの埋め込み特性は劣化
し、図８に模式的に示すように、接続孔１内にボイド１
１を生ずる原因となる。各図は、アルミニウムをその成
膜手段として代表的なものであるスパッタ法を用いて成
膜した場合である。図中、符号３は、接続孔１が形成さ
れている層間絶縁膜である。

【０００５】上記した問題点を解決する配線形成方法と
して、たとえば、ブランケットタングステン−ＣＶＤ法
が提案されている。この手法においては、図９に示すよ
うに、接続孔１を層間絶縁膜３に形成したのち、接続孔
１の内部に配線形成材料２１であるタングステンを埋め
込むとともに、接続孔１が形成されている層間絶縁膜３
上にもタングステン膜を形成する。

【０００６】その後、配線形成材料２１であるタングス
テンをエッチバックして、図１０に示すように、接続孔
１の内部にのみ、タングステン（配線形成材料２１）を
残す。上記のように、図９に示したごときブランケット
タングステン法と、図１０に示したごときエッチバック
技術とにより、接続孔１の内部にタングステンプラグを
形成するものである。

【０００７】しかしこの手法によれば、図１０に示し、
図１１に拡大して詳しく示すように、オーバーエッチに
より接続孔１内のタングステン（配線形成材料２１）表
面と絶縁膜３表面との間に、いわゆるプラグロス１２と
言われる段差が生じる。このプラグロス１２を埋め込む
ためには、アルミニウムを用いた埋め込みが必要とな
る。結局、アルミニウム系材料を代表的とする配線形成
材料の埋め込みは必須であり、アルミニウム等を埋め込
む技術が必要となる。

【０００８】また、タングステンを成膜するため、図９
に示すようにタングステンの下地に密着層２２を形成し
ておく必要があるが、この密着層２２もオーバーエッチ
により絶縁膜３上面より深く削られて、図１０及び図１
１に示すごとく接続孔１内部側周にトレンチング１３が
生じる。これも、結局はアルミニウム等を埋め込む技術
を必要とする要因となっている。

【０００９】アルミニウムを接続孔内部に埋め込む接続
孔内配線形成技術として、従来より知られている技術
に、リフロー法がある。図７に示したようにオーバーン
グを起こした接続孔１を有するウェハ（シリコンウェハ
等）に対し、ウェハ全体に熱処理を加え、たとえば４０
０℃以上の熱を加えて、図１２に示すごとくアルミニウ
ム（配線形成材料２）の流動特性を向上させ、図１３の
ごとく接続孔１を埋め込むのが、熱リフロー法である。
図１２の矢印Ｉは、リフロー中のアルミニウムの流動を
示すものである。以上の手法により、アスペクト比が２
程度の接続孔の埋め込みが可能となる。

【００１０】さらに熱リフローに加え、リフロー時の雰
囲気圧力（一般にチャンバー内圧力）を高くし、たとえ
ば７００気圧程度まで上げ、圧力により接続孔１内にア
ルミニウム（配線形成材料２）を埋め込む技術が、高圧
リフロー法である。この高圧リフロー法では、アルミニ
ウム（配線形成材料２）を図１４に示すように接続孔１
上にブリッジ状にかけ渡し、その後、たとえば４５０℃
程度の高温でアルミニウム（配線形成材料２）の流動性
を向上させ、高圧ガス（図１４に符号ＩＩで示す）でこ
れを接続孔１内に押し込むことで、埋め込み特性を向上
させ、図１５に示す埋め込みを達成している。この手法
により、アスペクト比が３程度の接続孔の埋め込みが可
能となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たとおり、今後の技術、たとえば０．２５μｍ世代の半
導体装置の製造技術においては、さらに高アスペクト比
の接続孔の埋め込みが必要になる。たとえば、アスペク
ト比が４程度の接続孔の埋め込みは必須となると考えら
れる。

【００１２】現状ではたとえば、ブランケットタングス
テン−ＣＶＤ法と、アルミニウム埋め込み技術との併用
により、接続孔埋め込みが行われるが、ブランケットタ
ングステン−ＣＶＤ法を用いるとアルミニウム単独の埋
め込み方法に比べてコスト的に割高である。かつ両技術
の併用ということで、工程が煩瑣になってしまう。この
ような事情から、工程が簡明でコスト的にも有利であ
り、かつ、単独の配線形成材料、たとえばアルミニウム
埋め込みのみによる接続孔埋め込みも可能であって、し
かも高アスペクト比の接続孔を良好に埋め込むことがで
きる方法が求められている。

【００１３】本発明は、上記した事情に鑑みてなされた
もので、本発明の目的は、アスペクト比の大きい接続孔
の埋め込みが良好に行われるとともに、工程が簡略で、
コスト的にも有利であり、単独の配線形成材料での配線
形成も可能とする、配線形成方法を提供することであ
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の配線形成方法
は、配線形成材料を成膜することにより接続孔を該材料
で埋め込む工程を備える配線の形成方法において、上記
配線形成材料の成膜と、上記接続孔の埋め込み特性を向
上させる処理とを、交互に複数回繰り返すことを特徴と
するものである。

【００１５】本発明において、接続孔の埋め込み特性を
向上させる処理とは、たとえば熱処理により配線形成材
料の流動特性を良くしてリフローさせる処理や、高圧処
理により配線形成材料の流動特性を良くしてリフローさ
せる処理など、配線形成材料の接続孔への埋め込み特性
を向上させる処理を総称するものである。

【００１６】この発明によれば、配線形成材料の成膜
と、上記接続孔の埋め込み特性を向上させる処理とを、
交互に複数回繰り返すので、従来技術に比べ、埋め込み
性は格段に向上する。したがって、高アスペクト比の接
続孔を良好に埋め込むことが可能になる。しかも、ブラ
ンケットタングステン−ＣＶＤ法とアルミニウム埋め込
み法との併用のような、条件の異なる配線形成技術を２
以上用いるという必要はなく、よって工程は簡明であ
り、コスト的にも有利にできる。アルミニウム系材料の
みによる配線形成等、単独の配線形成材料での配線形成
によっても、高アスペクト比の接続孔を良好に埋め込む
ことが可能である。なお特開昭６３−２１８２９号公報
には、複数の条件で複数回スパッタする手法が開示され
ているが、これは真空度を変えてスパッタを繰り返す方
法であり、本発明とは関係がない。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
さらに詳細に説明し、また、本発明の好ましい実施の形
態の具体例について、図面を参照して説明する。但し当
然のことではあるが、本発明は図示実施の形態例に限定
されるものではない。

【００１８】本発明では、配線形成材料を成膜すること
により接続孔を該材料で埋め込む工程を備える配線の形
成方法において、配線形成材料の成膜と、接続孔の埋め
込み特性を向上させる処理とを、交互に複数回繰り返す
が、この場合、代表的には、配線形成材料の成膜と、熱
処理によるリフローとを、交互に複数回繰り返す形態を
とることができ、また、配線形成材料の成膜と、高圧処
理によるリフローとを、交互に複数回繰り返す形態をと
ることができる。

【００１９】また、本発明において、配線形成材料とし
て、アルミニウムやアルミニウムの合金等であるアルミ
ニウム系材料を用いることは好ましい態様であり、ま
た、銅や銅の合金等である銅系材料を用いることは好ま
しい態様である。たとえば、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｓ
ｉ合金、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金などを好ましく使用する
ことができる。

【００２０】また、本発明を、半導体装置の製造の際に
おける配線形成方法として採用することは、好ましい態
様である。

【００２１】本発明によれば、接続孔内配線形成を行う
際に、配線層膜の形成と、接続孔内埋め込みを良好にす
る処理を複数回、交互に行うことにより、接続孔内埋め
込みを、従来技術より低予算で、良好に行うことが可能
になる。

【００２２】たとえば本発明の実施においては、５００
ｎｍのアルミニウムを成膜し、たとえばリフロー法のよ
うな接続孔埋め込みを良好にする処理を施し、これによ
り接続孔内のアルミニウムのオーバーハング形状を無く
し、その後たとえば３００ｎｍのアルミニウム成膜を行
い、接続孔内埋め込み特性の向上を図るという形態で実
施することができる。

【００２３】上記に示したような本発明の手法を採れ
ば、従来方法、たとえば従来より一般に行われてきた通
常のアルミニウムスパッタ法や、高温によるリフロー方
法に比べ、アスペクト比の高い接続孔に対しても、良好
な埋め込みを達成できる。

【００２４】図１及び図２に示すのは、本発明を採用し
た場合の工程の１例であり、図１６に示すのは、従来の
通常のアルミニウムスパッタ法であり、図１７に示すの
は、従来のアルミニウムリフロー法である。これらを対
比して、本発明の作用効果について説明すると、次のと
おりである。

【００２５】通常のアルミニウムスパッタ法では、図１
６に示すように、絶縁膜３に形成した接続孔１（図１６
（ａ））に、配線形成材料２としてたとえばアルミニウ
ムを成膜すると、たとえば２００ｎｍ厚の成膜で図１６
（ｂ）に示すようなオーバーハング形状が現れ、埋め込
み特性が悪化する。さらにたとえば３００ｎｍのアルミ
ニウムを成膜した場合、図１６（ｃ）に示すようにボイ
ド１１が生じ、これはアスペクト比が大きい接続孔で出
現する傾向が高い。これは、通常のアルミニウムスパッ
タ法が、アルミニウムの流動性を利用せずに成膜を行う
ためと考えられる。

【００２６】アルミニウムリフロー法では、上記アルミ
ニウムスパッタ法と同様にまずたとえば５００ｎｍ厚の
配線形成材料膜（アルミニウム膜）を一度に成膜して、
たとえば図１６（ｂ）あるいは図１６（ｃ）に示すよう
な埋め込み形状を得る。このとき、大きなオーバーハン
グ形状や、もしくはボイド形状となるが、このアルミニ
ウムをリフロー法により接続孔１に埋め込んで、図１７
に示すような埋め込み形状を得る。しかし、ボイド形状
となってしまったアルミニウムを接続孔に完全に埋め込
むのは難しく、必然的にに、リフロー法で埋め込める接
続孔のアスペクト比は２程度が限界になっている。

【００２７】一方、図１及び図２に示す本発明の構成例
では、複数回、配線形成材料２であるアルミニウムの成
膜と、埋め込み性を良好にする処理であるリフローと
を、繰り返すことにより、良好な埋め込み形状を得てい
る。

【００２８】たとえば、まず図１（ａ）に示すように、
絶縁膜３に接続孔１が形成された構造にたとえば２００
ｎｍの配線形成材料２（アルミニウム）の成膜を行い、
図１（ｂ）に示すように、リフローを行う。接続孔１の
開口部に存在したオーバーハング形状が無くなる。

【００２９】続いて、さらに、減圧（真空）雰囲気でた
とえば３００ｎｍの配線形成材料２（アルミニウム）の
成膜を行い、図２（ａ）に示す構造とする。さらにリフ
リーを施して、図２（ｂ）に示す構造を得る。従来技術
の手法に比して、リフリー前の埋め込み特性は、最初の
成膜時（図１（ａ））のオーバーハング形状が無くなる
（図１（ｂ））ため、格段に向上しており、この第２回
のリフリーの結果、図２（ｂ）に示すように良好な埋め
込み構造が得られる。埋め込み特性の向上により、ボイ
ドが発生する接続孔のアスペクト比は従来技術に比べて
深くなり、すなわちボイド無く埋め込める接続孔のアス
ペクト比は従来より大きくなる。よって、リフロー後に
良好な埋め込み特性を示す接続孔のアスペクト比も、従
来より大きくなって、有利である。

【００３０】本発明の実施に際しては、上記成膜と埋め
込み性を良好にする処理（ここではリフロー）は、３回
以上繰り返してもよいことは、もちろんである。

【００３１】以下に、本発明の具体的な実施の形態例を
説明する。実施の形態例１本実施の形態例においては、アルミニウム成膜と、アル
ミニウム高温リフローとを繰り返し行うことで、接続孔
内配線の成膜を、良好に行う。図３及び図４を参照す
る。

【００３２】本実施の形態例においては、半導体基板
（ここではシリコン基板）上の下層配線層（または基板
の拡散層）上に、Ｐ−ＴＥＯＳによる二酸化シリコンを
１０００ｎｍ成膜して層間絶縁膜３とし、これに接続孔
１として、０．４μｍ径のコンタクトホールを形成す
る。この構造のウェハに成膜を行って、アルミニウム配
線を形成するが、本例における配線構造は、出来上がり
構造で、上から以下のとおりのものである。ＴｉＮ／Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ／ＴｉＮ（１００／５
００／５０ｎｍ）すなわち、本例では配線形成材料２とするアルミニウム
系材料としてアルミニウムと銅の合金を用い、バリア作
用及びアルミニウムの濡れ性を向上させる作用を示すＴ
ｉＮ膜でこれを挟んだ構造を用いている。図４（ｂ）中
に、符号５１で下層のＴｉＮ膜を示し、符号５２で上層
のＴｉＮ膜を示す。

【００３３】本例において、配線の形成はすべて減圧
（真空）雰囲気で行う。まず、下層のＴｉＮ５０ｎｍ
を、スパッタ装置内のチタンチャンバーで成膜する。続
いて、Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕをまず２００ｎｍ成膜す
る。これが、第１回の配線形成材料２の成膜の工程であ
る。

【００３４】本例におけるＴｉＮ及びＡｌ−０．５ｗｔ
％Ｃｕの成膜条件は、以下のとおりである。ＴｉＮ成膜条件：スパッタパワー：８ｋＷ圧力：３ｍＴｏｒｒスパッタ温度：１５０℃ 雰囲気ガス：Ｎ₂ １３５ｓｃｃｍ、Ａｒ１５ｓｃｃｍＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕの成膜条件スパッタパワー：１５ｋＷ圧力：３ｍＴｏｒｒスパッタ温度：２５０℃

【００３５】続いて、リフローチャンバーにウェハを減
圧（真空）雰囲気で搬送し、以下の条件でリフローす
る。リフロー条件：４５０℃、６０秒これが、第１回の埋め込み特性を向上させる処理（ここ
では上記高温リフロー）である。

【００３６】このリフロー後の接続孔１内は、オーバー
ハング形状は無く、図３の状態になっている。図中、符
号５１は、下層のＴｉＮであり、この上に配線形成材料
２であるＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕが成膜されている。

【００３７】続いて、ウェハを再び減圧（真空）雰囲気
でアルミニウムスパッタチャンバーに戻し、３００ｎｍ
のＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕの成膜を行う。これが、第２
回の配線形成材料２の成膜の工程である。このときの成
膜条件は、以下のとおりである。Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕの成膜条件スパッタパワー：１５ｋＷ圧力：３ｍＴｏｒｒスパッタ温度：２５０℃ これにより、図４（ａ）の構造とする。

【００３８】上記成膜後、ウェハをリフローチャンバー
に減圧（真空）雰囲気で搬送し、以下の条件でリフロー
する。リフロー条件：４５０℃、６０秒これが、第２回の埋め込み特性を向上させる処理（ここ
では上記高温リフロー）である。

【００３９】このリフローにより、リフロー前に存在し
ていた接続孔１の開口部のオーバーハング形状（図４
（ａ）参照）は無くなり、接続孔１は配線形成材料２で
あるアルミニウム系材料により良好に埋め込まれる。

【００４０】続いて、ウェハをスパッタ装置内のチタン
チャンバーに搬送し、ＴｉＮを以下の成膜条件で形成す
る。ＴｉＮ成膜条件：スパッタパワー：８ｋＷ圧力：３ｍＴｏｒｒスパッタ温度：１５０℃ 雰囲気ガス：Ｎ₂ １３５ｓｃｃｍ、Ａｒ１５ｓｃｃｍ

【００４１】以上の工程で、図４（ｂ）に示したよう
に、接続孔１に良好に配線形成材料２（アルミニウム系
材料）が形成された構造が得られる。図中、符号５２
で、上記形成した上層のＴｉＮを示す。

【００４２】以上述べた実施の形態例によれば、以下に
記す効果がもたらされる。すなわち、本発明を適用した
ことにより、従来のアルミニウム埋め込み技術より、さ
らに大きいアスペクト比の接続孔の良好な埋め込みが可
能になるという効果がある。

【００４３】また、本発明を適用したことにより、従来
のたとえばブランケットタングステンＣＶＤ法よりも低
コストで配線が形成でき、従来より低コストで半導体装
置等を製造することが可能になるという効果がある。

【００４４】また、本発明を適用したことにより、従来
のたとえばブランケットタングステンＣＶＤ法に比較し
て、工程を簡略化できるという効果がある。

【００４５】実施の形態例２本実施の形態例は、アルミニウム成膜と、高圧リフロー
とを２回繰り返すことで、接続孔内配線の成膜を、良好
に行うようにしたものである。図５及び図６を参照す
る。

【００４６】本実施の形態例においては、半導体基板
（ここではシリコン基板）上の下層配線層（または基板
の拡散層）上に、Ｐ−ＴＥＯＳによる二酸化シリコンを
１０００ｎｍ成膜して層間絶縁膜３とし、これに接続孔
１として、０．４μｍ径のコンタクトホールを形成す
る。この構造のウェハに成膜を行って、アルミニウム配
線を形成するが、本例における配線構造は、出来上がり
構造で、上から以下のとおりのものである。ＴｉＮ／Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ／ＴｉＮ（１００／５
００／５０ｎｍ）すなわち、本例では配線形成材料２とするアルミニウム
系材料としてアルミニウムと銅の合金を用い、バリア作
用を呈するＴｉＮ膜でこれを挟んだ構造を用いている。
図６（ｂ）中に、符号５１で下層のＴｉＮ膜を示し、符
号５２で上層のＴｉＮ膜を示す。下層のＴｉＮ膜５１
は、アルミニウムと基板の拡散層の間でのアルミニウム
の突き抜けを防ぐバリアメタルとしての役割だけでな
く、リフローの際にアルミニウムの濡れ性を向上させる
役割を果たす。

【００４７】本例において、配線の形成はすべて減圧
（真空）雰囲気で行う。まず、下層のＴｉＮ５０ｎｍ
を、スパッタ装置内のチタンチャンバーで成膜する。続
いて、Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕをまず２００ｎｍ成膜す
る。これが、第１回の配線形成材料の成膜の工程であ
る。

【００４８】本例におけるＴｉＮ及びＡｌ−０．５ｗｔ
％Ｃｕの成膜条件は、以下のとおりである。ＴｉＮ成膜条件：スパッタパワー：８ｋＷ圧力：３ｍＴｏｒｒスパッタ温度：１５０℃ 雰囲気ガス：Ｎ₂ １３５ｓｃｃｍ、Ａｒ１５ｓｃｃｍＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕの成膜条件スパッタパワー：１５ｋＷ圧力：３ｍＴｏｒｒスパッタ温度：２５０℃

【００４９】このとき、形成されたアルミニウム系材料
は、接続孔１の上に、ブリッジ状に形成されている。こ
の状態を図５（ａ）に示す。図５（ａ）中、この第１回
配線形成材料成膜の工程で形成されたＡｌ−０．５ｗｔ
％Ｃｕ膜を、符号２ａで示す。ＴｉＮ膜を符号５１で示
す。

【００５０】続いて、リフローチャンバーにウェハを減
圧（真空）雰囲気で搬送し、以下の温度及び圧力条件で
リフローする。リフロー条件：４５０℃、７．５×１０⁷ Ｐａ、６０秒これが、第１回の埋め込み特性を向上させる処理（ここ
では上記高圧リフロー）である。

【００５１】このリフロー後の接続孔１内は、アルミニ
ウム系材料が押し込まれ、図５（ｂ）に示すように接続
孔１の内壁に密着した状態になる。図５（ｂ）中、この
ときのＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ膜を、符号２Ａで示す。

【００５２】続いて、ウェハを再び減圧（真空）雰囲気
でアルミニウムスパッタチャンバーに戻し、３００ｎｍ
のＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕの成膜を行う。これが、第２
回の配線形成材料の成膜の工程である。このときの成膜
条件は、以下のとおりである。Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕの成膜条件スパッタパワー：１５ｋＷ圧力：３ｍＴｏｒｒスパッタ温度：２５０℃ これにより、図６（ａ）の構造とする。成膜されたＡｌ
−０．５ｗｔ％Ｃｕは、やはり接続孔１上にブリッジ状
に成膜されている。図６（ａ）中、このときのＡｌ−
０．５ｗｔ％Ｃｕ膜を、符号２ｂで示す。

【００５３】次に、ウェハをリフローチャンバーに減圧
（真空）雰囲気で搬送し、以下の温度及び圧力条件でリ
フローする。リフロー条件：４５０℃、７．５×１０⁷ Ｐａ、６０秒これが、第２回の埋め込み特性を向上させる処理（ここ
では上記高圧リフロー）である。

【００５４】このリフローにより、アルミニウム系材料
は接続孔１内部に押し込まれて、接続孔１は配線形成材
料であるＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕにより良好に埋め込ま
れる。

【００５５】続いて、ウェハをスパッタ装置内のチタン
チャンバーに搬送し、ＴｉＮを以下の成膜条件で形成す
る。ＴｉＮ成膜条件：スパッタパワー：８ｋＷ圧力：３ｍＴｏｒｒスパッタ温度：１５０℃ 雰囲気ガス：Ｎ₂ １３５ｓｃｃｍ、Ａｒ１５ｓｃｃｍ

【００５６】以上の工程で、図６（ｂ）に示したよう
に、接続孔１に良好に配線形成材料２（アルミニウム系
材料）が形成された構造が得られる。図中、符号５２
で、上記形成した上層のＴｉＮを示す。

【００５７】以上述べた実施の形態例により、上述した
実施の形態例１と同様の具体的な効果を得ることができ
る。

【００５８】

【発明の効果】上述したように本発明の配線形成本発明
は、アスペクト比の大きい接続孔も良好に埋め込むこと
ができ、工程が簡略で、コスト的にも有利であり、単独
の配線形成材料での配線形成も可能であるという効果を
有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の構成例を説明する断面略示図である
（１）。

【図２】本発明の構成例を説明する断面略示図である
（２）。

【図３】実施の形態例１の工程を順に断面図で示すも
のである（１）。

【図４】実施の形態例１の工程を順に断面図で示すも
のである（２）。

【図５】実施の形態例２の工程を順に断面図で示すも
のである（１）。

【図６】実施の形態例２の工程を順に断面図で示すも
のである（２）。

【図７】従来技術の問題点を示す図であって、オーバ
ーハングの発生を示すものである。

【図８】従来技術の問題点を示す図であって、ボイド
の発生を示すものである。

【図９】従来の技術を示す図であって、ブランケット
タングステン法を説明するものである。

【図１０】従来の技術を示す図であって、タングステ
ンエッチバック法を説明するものである。

【図１１】従来技術の問題点を示す図であって、プラ
グロス及びトレンチングの発生を示すものである。

【図１２】従来の技術を示す図であって、リフロー法
を説明するものである（１）。

【図１３】従来の技術を示す図であって、リフロー法
を説明するものである（２）。

【図１４】従来の技術を示す図であって、高圧リフロ
ー法を説明するものである（１）。

【図１５】従来の技術を示す図であって、高圧リフロ
ー法を説明するものである（２）。

【図１６】従来例１（通常のアルミニウムスパッタ
法）を説明する図である。

【図１７】従来例２（アルミニウムリフロー法）を説
明する図である。

【符号の説明】

１・・・接続孔（コンタクトホール）、２，２ａ，２
ｂ，２Ａ・・・配線形成材料（アルミニウム系材料）、
３（層間）絶縁膜（ＴＥＯＳ二酸化シリコン）、４・・
・下層配線層、５１．５２・・・ＴｉＮ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線形成材料を成膜することにより接続孔
を該材料で埋め込む工程を備える配線の形成方法におい
て、上記配線形成材料の成膜と、上記接続孔の埋め込み特性
を向上させる処理とを、交互に複数回繰り返すことを特
徴とする配線形成方法。
【請求項２】請求項１に記載の配線形成方法であって、配線形成材料の成膜と、熱処理によるリフローとを、交
互に複数回繰り返すことを特徴とする配線形成方法。
【請求項３】請求項１に記載の配線形成方法であって、配線形成材料の成膜と、高圧処理によるリフローとを、
交互に複数回繰り返すことを特徴とする配線形成方法。
【請求項４】請求項１に記載の配線形成方法であって、配線形成材料がアルミニウム、銅、または、アルミニウ
ムまたは銅の合金であることを特徴とする配線形成方
法。
【請求項５】請求項１に記載の配線形成方法であって、形成する配線が、半導体装置における配線であることを
特徴とする配線形成方法。