JPH1050617A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1050617A JPH1050617A JP8201401A JP20140196A JPH1050617A JP H1050617 A JPH1050617 A JP H1050617A JP 8201401 A JP8201401 A JP 8201401A JP 20140196 A JP20140196 A JP 20140196A JP H1050617 A JPH1050617 A JP H1050617A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 枚葉式減圧ＣＶＤ装置によって成膜を行うに
際して、異物の発生や成膜面に荒れが生じるといった現
象を防止した、半導体装置の製造方法の提供が望まれて
いる。 【解決手段】 枚葉式の反応室２を備えた減圧ＣＶＤ装
置１の反応室２内に原料ガスを導入し、予め反応室２内
に配置したウエハＷ上に原料ガスからなる堆積物を堆積
して成膜を行う、半導体装置の製造方法である。反応室
２の容積を１０〜３０リットルとする。反応室２内への
原料ガスの導入を、その流量を０sccmから無段階で漸次
上げていき、２０秒以上をかけて設定流量に到達するよ
うに行う。設定流量を５０〜１０００sccmとする。
際して、異物の発生や成膜面に荒れが生じるといった現
象を防止した、半導体装置の製造方法の提供が望まれて
いる。 【解決手段】 枚葉式の反応室２を備えた減圧ＣＶＤ装
置１の反応室２内に原料ガスを導入し、予め反応室２内
に配置したウエハＷ上に原料ガスからなる堆積物を堆積
して成膜を行う、半導体装置の製造方法である。反応室
２の容積を１０〜３０リットルとする。反応室２内への
原料ガスの導入を、その流量を０sccmから無段階で漸次
上げていき、２０秒以上をかけて設定流量に到達するよ
うに行う。設定流量を５０〜１０００sccmとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に、減圧ＣＶＤ
装置で成膜を行う際に異物の発生を防止した、半導体装
置の製造方法に関する。
装置で成膜を行う際に異物の発生を防止した、半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造するにあたって
は、特にポリシリコン膜やＳｉ3 Ｎ4膜などを形成する
場合、減圧ＣＶＤ装置がよく用いられている。減圧ＣＶ
Ｄ装置としては、現在のところ縦型のバッチ式ＣＶＤ装
置が主流である。しかし、将来的にウエハの大口径化が
見込まれ、また、開発期間の短縮のために短ＴＡＴ（tu
rn around time）化が必要となってきていることなどか
ら、縦型のバッチ式ＣＶＤ装置に代わって枚葉式のＣＶ
Ｄ装置が開発され、一部の半導体デバイス開発ラインに
導入されはじめている。
は、特にポリシリコン膜やＳｉ3 Ｎ4膜などを形成する
場合、減圧ＣＶＤ装置がよく用いられている。減圧ＣＶ
Ｄ装置としては、現在のところ縦型のバッチ式ＣＶＤ装
置が主流である。しかし、将来的にウエハの大口径化が
見込まれ、また、開発期間の短縮のために短ＴＡＴ（tu
rn around time）化が必要となってきていることなどか
ら、縦型のバッチ式ＣＶＤ装置に代わって枚葉式のＣＶ
Ｄ装置が開発され、一部の半導体デバイス開発ラインに
導入されはじめている。
【０００３】このような枚葉式の減圧ＣＶＤ装置として
は、例えば図４に示す構造のものが知られている。図４
中符号１は枚葉式の減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置
と略称する）であり、このＣＶＤ装置１には反応室２が
備えられている。反応室２には、該反応室２内にＮ2 を
導入して該反応室２内にクリーニングするためのＮ2導
入管３と、反応室２内に原料ガスを導入するための原料
ガス導入管４と、反応室２内を排気するための排気管５
とが接続されている。ここで、Ｎ2 導入管３にはＮ2 を
充填したボンベなどからなるＮ2 源（図示略）が接続さ
れ、原料ガス導入管４には原料ガス源（図示略）が接続
され、排気管５には真空ポンプ等の負圧源（図示略）が
接続されている。
は、例えば図４に示す構造のものが知られている。図４
中符号１は枚葉式の減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置
と略称する）であり、このＣＶＤ装置１には反応室２が
備えられている。反応室２には、該反応室２内にＮ2 を
導入して該反応室２内にクリーニングするためのＮ2導
入管３と、反応室２内に原料ガスを導入するための原料
ガス導入管４と、反応室２内を排気するための排気管５
とが接続されている。ここで、Ｎ2 導入管３にはＮ2 を
充填したボンベなどからなるＮ2 源（図示略）が接続さ
れ、原料ガス導入管４には原料ガス源（図示略）が接続
され、排気管５には真空ポンプ等の負圧源（図示略）が
接続されている。
【０００４】原料ガス導入管４と排気管５との間には、
原料ガスを反応室２に流すことなく直接排気するための
ベント管６が接続されている。また、Ｎ2 導入管３には
Ｎ2導入弁７が、原料ガス導入管４には原料ガス導入弁
８が、排気管５には圧力コントロール弁９が、ベント管
６にはベント弁１０がそれぞれ設けられている。ここ
で、原料ガス導入弁８はベント管６との分岐位置より反
応室２側に設けられており、また、圧力コントロール弁
９はベント管６との合流位置より反応室２側に設けられ
ている。
原料ガスを反応室２に流すことなく直接排気するための
ベント管６が接続されている。また、Ｎ2 導入管３には
Ｎ2導入弁７が、原料ガス導入管４には原料ガス導入弁
８が、排気管５には圧力コントロール弁９が、ベント管
６にはベント弁１０がそれぞれ設けられている。ここ
で、原料ガス導入弁８はベント管６との分岐位置より反
応室２側に設けられており、また、圧力コントロール弁
９はベント管６との合流位置より反応室２側に設けられ
ている。
【０００５】このようなＣＶＤ装置１により、ウエハＷ
に例えばポリシリコンを成膜するには、まず、反応室２
内の所定位置にウエハＷをセットし、Ｎ2 導入弁７を開
いて反応室２内にＮ2 を導入し、反応室２内をＮ2 で置
換する。さらに、Ｎ2 の導入を続け、その導入量を調節
して反応室２内を成膜条件圧力に調整しておく。また、
この状態のもとで、ベント弁１０を開いて原料ガス、こ
の例ではＳｉＨ4 をベント管６から排気管５に流してお
き、さらに、原料ガス源（図示略）側に設けられたマス
・フロー・コントローラを調節してＳｉＨ4 の流量を成
膜条件に適合する設定流量となるように調整しておく。
に例えばポリシリコンを成膜するには、まず、反応室２
内の所定位置にウエハＷをセットし、Ｎ2 導入弁７を開
いて反応室２内にＮ2 を導入し、反応室２内をＮ2 で置
換する。さらに、Ｎ2 の導入を続け、その導入量を調節
して反応室２内を成膜条件圧力に調整しておく。また、
この状態のもとで、ベント弁１０を開いて原料ガス、こ
の例ではＳｉＨ4 をベント管６から排気管５に流してお
き、さらに、原料ガス源（図示略）側に設けられたマス
・フロー・コントローラを調節してＳｉＨ4 の流量を成
膜条件に適合する設定流量となるように調整しておく。
【０００６】次いで、Ｎ2 導入弁７およびベント弁１０
を閉じ、かつ原料ガス導入弁８を開いて原料ガスを先に
調整した設定流量で反応室２内に導入する。そして、こ
のように設定流量の原料ガス（ＳｉＨ4 ）を導入し、ウ
エハＷに所定の成膜を行ったら、原料ガス導入弁８を閉
じて原料ガスの反応室２内への導入を停止し、その状態
で真空ポンプ（負圧源）による真空引きを続けて反応室
２内を真空排気する。
を閉じ、かつ原料ガス導入弁８を開いて原料ガスを先に
調整した設定流量で反応室２内に導入する。そして、こ
のように設定流量の原料ガス（ＳｉＨ4 ）を導入し、ウ
エハＷに所定の成膜を行ったら、原料ガス導入弁８を閉
じて原料ガスの反応室２内への導入を停止し、その状態
で真空ポンプ（負圧源）による真空引きを続けて反応室
２内を真空排気する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな枚葉式減圧ＣＶＤ装置によるポリシリコンの成膜で
は、例えば８インチのウエハ１枚に対して２００〜３０
０個の異物（パーティクル）の発生が起こったり、成膜
面に荒れが生じるといった、従来の縦型減圧ＣＶＤ装置
では見られない現象が起こった。
うな枚葉式減圧ＣＶＤ装置によるポリシリコンの成膜で
は、例えば８インチのウエハ１枚に対して２００〜３０
０個の異物（パーティクル）の発生が起こったり、成膜
面に荒れが生じるといった、従来の縦型減圧ＣＶＤ装置
では見られない現象が起こった。
【０００８】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、枚葉式減圧ＣＶＤ装置に
よって成膜を行うに際して、異物の発生や成膜面に荒れ
が生じるといった現象を防止した、半導体装置の製造方
法を提供することにある。
で、その目的とするところは、枚葉式減圧ＣＶＤ装置に
よって成膜を行うに際して、異物の発生や成膜面に荒れ
が生じるといった現象を防止した、半導体装置の製造方
法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、異物の発生や成膜面
に荒れが生じるといった現象が以下の機構に基づくとの
考えに到った。枚葉式減圧ＣＶＤ装置では、従来の縦型
減圧ＣＶＤ装置に比較して反応室の大きさ（容積）が当
然小さくなっている。このため、前述したように従来の
縦型減圧ＣＶＤ装置の場合と同様に、成膜開始時に設定
流量のままで直接原料ガスを反応室に導入すると、反応
室内には、その容積に対して一度に大量の原料ガスが流
れ込むことになってしまう。そして、このように一度に
大量の原料ガスが流れ込むと、当然導入された原料ガス
の流速が従来の縦型減圧ＣＶＤ装置の場合に比べて非常
に速くなってしまい、これに起因して正規の反応でない
気相反応が起こり、シリコン粒が発生してこれが異物と
なったり、ウエハＷの成膜面が荒らされるといった現象
が引き起こされる。
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、異物の発生や成膜面
に荒れが生じるといった現象が以下の機構に基づくとの
考えに到った。枚葉式減圧ＣＶＤ装置では、従来の縦型
減圧ＣＶＤ装置に比較して反応室の大きさ（容積）が当
然小さくなっている。このため、前述したように従来の
縦型減圧ＣＶＤ装置の場合と同様に、成膜開始時に設定
流量のままで直接原料ガスを反応室に導入すると、反応
室内には、その容積に対して一度に大量の原料ガスが流
れ込むことになってしまう。そして、このように一度に
大量の原料ガスが流れ込むと、当然導入された原料ガス
の流速が従来の縦型減圧ＣＶＤ装置の場合に比べて非常
に速くなってしまい、これに起因して正規の反応でない
気相反応が起こり、シリコン粒が発生してこれが異物と
なったり、ウエハＷの成膜面が荒らされるといった現象
が引き起こされる。
【００１０】そして、本発明者は、このような現象が起
こるのを抑えるべくさらに研究を重ねた結果、本発明を
完成させた。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
では、枚葉式の反応室を備えた減圧ＣＶＤ装置の反応室
内に原料ガスを導入し、予め反応室内に配置したウエハ
上に原料ガスからなる堆積物を堆積して成膜を行う方法
において、前記反応室の容積を１０〜３０リットルと
し、前記反応室内への原料ガスの導入を、その流量を０
sccmから無段階で漸次上げていき、２０秒以上をかけて
設定流量に到達するように行うとともに、該設定流量を
５０〜１０００sccmとすることを前記課題の解決手段と
した。
こるのを抑えるべくさらに研究を重ねた結果、本発明を
完成させた。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
では、枚葉式の反応室を備えた減圧ＣＶＤ装置の反応室
内に原料ガスを導入し、予め反応室内に配置したウエハ
上に原料ガスからなる堆積物を堆積して成膜を行う方法
において、前記反応室の容積を１０〜３０リットルと
し、前記反応室内への原料ガスの導入を、その流量を０
sccmから無段階で漸次上げていき、２０秒以上をかけて
設定流量に到達するように行うとともに、該設定流量を
５０〜１０００sccmとすることを前記課題の解決手段と
した。
【００１１】この半導体装置の製造方法によれば、従来
のごとく原料ガスをいきなり設定流量で導入することな
く、容積が１０〜３０リットルである反応室内へ、原料
ガスを、その流量を０sccmから無段階で漸次上げてい
き、２０秒以上をかけて５０〜１０００sccmの範囲の設
定流量に到達するようにしたので、従来のように一度に
大量の原料ガスが導入されることに起因して、正規の反
応でない気相反応が起こることが防止される。
のごとく原料ガスをいきなり設定流量で導入することな
く、容積が１０〜３０リットルである反応室内へ、原料
ガスを、その流量を０sccmから無段階で漸次上げてい
き、２０秒以上をかけて５０〜１０００sccmの範囲の設
定流量に到達するようにしたので、従来のように一度に
大量の原料ガスが導入されることに起因して、正規の反
応でない気相反応が起こることが防止される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施形態例に
基づいて詳しく説明する。図１（ａ）、（ｂ）、図２
（ａ）、（ｂ）、図３は本発明の半導体装置の製造方法
の一実施形態例を工程順に説明するための図である。こ
の実施形態例では、図４に示したＣＶＤ装置１を用いて
ポリシリコンの成膜を行うようにしている。なお、ここ
で用いるＣＶＤ装置１として具体的には、反応室２を、
その容積が１０〜３０リットル（１００００〜３０００
０ｃｍ3 ）のものとしている。このような容積の反応室
は、枚葉式のものとして好適であり、かつ一般的であ
る。
基づいて詳しく説明する。図１（ａ）、（ｂ）、図２
（ａ）、（ｂ）、図３は本発明の半導体装置の製造方法
の一実施形態例を工程順に説明するための図である。こ
の実施形態例では、図４に示したＣＶＤ装置１を用いて
ポリシリコンの成膜を行うようにしている。なお、ここ
で用いるＣＶＤ装置１として具体的には、反応室２を、
その容積が１０〜３０リットル（１００００〜３０００
０ｃｍ3 ）のものとしている。このような容積の反応室
は、枚葉式のものとして好適であり、かつ一般的であ
る。
【００１３】すなわち、１０リットル未満であると、ウ
エハに対する相対的な容積が小さくなりすぎ、将来的に
ウエハの大口径化などに対応し得ないからであり、ま
た、３０リットルを越えると、ウエハに対する相対的な
容積が大きくなりすぎ、反応室内において原料ガスに滞
留ムラが生じたり、反応副生成物などが十分に排気され
なくなるおそれがあるからである。また、本実施形態例
においては、反応室２としてその容積、正確には反応室
２の容積に、Ｎ2 導入管３におけるＮ2 導入弁７から反
応室２までの間の容積、および原料ガス導入管４におけ
る原料ガス導入弁８から反応室２までの間の容積を加え
た容積が、約２０リットルのものを用いている。
エハに対する相対的な容積が小さくなりすぎ、将来的に
ウエハの大口径化などに対応し得ないからであり、ま
た、３０リットルを越えると、ウエハに対する相対的な
容積が大きくなりすぎ、反応室内において原料ガスに滞
留ムラが生じたり、反応副生成物などが十分に排気され
なくなるおそれがあるからである。また、本実施形態例
においては、反応室２としてその容積、正確には反応室
２の容積に、Ｎ2 導入管３におけるＮ2 導入弁７から反
応室２までの間の容積、および原料ガス導入管４におけ
る原料ガス導入弁８から反応室２までの間の容積を加え
た容積が、約２０リットルのものを用いている。
【００１４】このようなＣＶＤ装置１を用いてウエハＷ
にポリシリコンを成膜するには、まず、反応室２内の温
度を成膜設定温度である６５０℃に調整しておく、その
状態で従来と同様にウエハＷを反応室２内の所定位置に
セットする。続いて、図１（ａ）に示すようにＮ2 導入
弁７を開いて反応室２内にＮ2 を導入するとともに、圧
力コントロール弁９を開いて排気を行うことにより、反
応室２内をＮ2 で置換する。
にポリシリコンを成膜するには、まず、反応室２内の温
度を成膜設定温度である６５０℃に調整しておく、その
状態で従来と同様にウエハＷを反応室２内の所定位置に
セットする。続いて、図１（ａ）に示すようにＮ2 導入
弁７を開いて反応室２内にＮ2 を導入するとともに、圧
力コントロール弁９を開いて排気を行うことにより、反
応室２内をＮ2 で置換する。
【００１５】このようにして反応室２内をＮ2 で十分に
置換したら、図１（ｂ）に示すようにＮ2 導入弁７のみ
を閉め、反応室２内の真空引きを行う。次いで、原料ガ
ス源（図示略）側に設けられたマス・フロー・コントロ
ーラを調節し、ＳｉＨ4 の流量を成膜条件に適合する設
定流量、この例では４００sccmとなるように調整してお
き、その状態で、原料ガス導入弁８を閉じた状態から図
２（ａ）に示すように無段階式で徐々に開いていく。す
ると、原料ガス導入管４から導入される原料ガス（Ｓｉ
Ｈ4 ）の流量は、原料ガス導入弁８が閉じられた状態で
は当然０sccmであり、この状態から原料ガス導入弁８が
無段階式で徐々に開かれることにより、流量も漸次上昇
することになる。
置換したら、図１（ｂ）に示すようにＮ2 導入弁７のみ
を閉め、反応室２内の真空引きを行う。次いで、原料ガ
ス源（図示略）側に設けられたマス・フロー・コントロ
ーラを調節し、ＳｉＨ4 の流量を成膜条件に適合する設
定流量、この例では４００sccmとなるように調整してお
き、その状態で、原料ガス導入弁８を閉じた状態から図
２（ａ）に示すように無段階式で徐々に開いていく。す
ると、原料ガス導入管４から導入される原料ガス（Ｓｉ
Ｈ4 ）の流量は、原料ガス導入弁８が閉じられた状態で
は当然０sccmであり、この状態から原料ガス導入弁８が
無段階式で徐々に開かれることにより、流量も漸次上昇
することになる。
【００１６】ここで、このように原料ガス導入弁８を徐
々に開いていき、全開にして導入する原料ガスの流量を
設定流量にするまでの操作を、２０秒以上（本実施形態
例では約２５秒）かけて行う。すなわち、本実施形態例
では、反応室２内への原料ガス（ＳｉＨ4 ）の導入を、
その流量を０sccmから無段階で漸次上げていき、約２５
秒かけて図２（ｂ）に示すように前記マス・フロー・コ
ントローラで調節された設定流量に到達させるのであ
る。原料ガス導入弁８を徐々に開いていく操作を、２０
秒以上かけて行うのは、２０秒未満では反応室２内に導
入される原料ガスの流量変化が大きく、従来と同様に正
規の反応でない気相反応が起こるおそれがあるからであ
る。なお、この操作については、時間を長くする分には
特に制限はないものの、スループットの観点から、６０
秒程度を上限値とするのが好ましい。
々に開いていき、全開にして導入する原料ガスの流量を
設定流量にするまでの操作を、２０秒以上（本実施形態
例では約２５秒）かけて行う。すなわち、本実施形態例
では、反応室２内への原料ガス（ＳｉＨ4 ）の導入を、
その流量を０sccmから無段階で漸次上げていき、約２５
秒かけて図２（ｂ）に示すように前記マス・フロー・コ
ントローラで調節された設定流量に到達させるのであ
る。原料ガス導入弁８を徐々に開いていく操作を、２０
秒以上かけて行うのは、２０秒未満では反応室２内に導
入される原料ガスの流量変化が大きく、従来と同様に正
規の反応でない気相反応が起こるおそれがあるからであ
る。なお、この操作については、時間を長くする分には
特に制限はないものの、スループットの観点から、６０
秒程度を上限値とするのが好ましい。
【００１７】そして、このように原料ガス導入弁８を全
開にし、原料ガス（ＳｉＨ4 ）を設定流量である４００
sccmで反応室２内に導入し、かつ圧力コントロール弁９
を調整して反応室２内を成膜設定圧力である６０Ｐａに
調整し、これによりポリシリコンの成膜を実質的に開始
する。このときの成膜レートは約３０ｎｍ／ｍｉｎであ
った。
開にし、原料ガス（ＳｉＨ4 ）を設定流量である４００
sccmで反応室２内に導入し、かつ圧力コントロール弁９
を調整して反応室２内を成膜設定圧力である６０Ｐａに
調整し、これによりポリシリコンの成膜を実質的に開始
する。このときの成膜レートは約３０ｎｍ／ｍｉｎであ
った。
【００１８】このようにして所望する厚さにポリシリコ
ンを成膜したら、図３に示すように原料ガス導入弁８を
閉め、この状態で引き続き反応室２内の排気を行うこと
により、反応室２内に残存する原料ガスや反応副生成物
などを排出する。その後、反応室２内からウエハＷを取
り出す。取り出したウエハＷのポリシリコン膜を観察し
たところ、異物（パーティクル）は数個〜数十個程度で
あり、従来に比べ異物の発生が格段に低下していること
が確認され、また、成膜面に荒れも認められなかった。
ンを成膜したら、図３に示すように原料ガス導入弁８を
閉め、この状態で引き続き反応室２内の排気を行うこと
により、反応室２内に残存する原料ガスや反応副生成物
などを排出する。その後、反応室２内からウエハＷを取
り出す。取り出したウエハＷのポリシリコン膜を観察し
たところ、異物（パーティクル）は数個〜数十個程度で
あり、従来に比べ異物の発生が格段に低下していること
が確認され、また、成膜面に荒れも認められなかった。
【００１９】このような製造方法にあっては、従来のご
とく原料ガスをいきなり設定流量で反応室内に導入する
ことなく、その流量を０sccmから無段階で漸次上げてい
き、２０秒以上をかけて設定流量に到達するようにした
ので、従来のように一度に大量の原料ガスが導入される
ことに起因して、正規の反応でない気相反応が起こるこ
とを防止することができ、これにより成膜時に異物の発
生や成膜面に荒れが生じるといった現象が起こるのを防
止することができる。
とく原料ガスをいきなり設定流量で反応室内に導入する
ことなく、その流量を０sccmから無段階で漸次上げてい
き、２０秒以上をかけて設定流量に到達するようにした
ので、従来のように一度に大量の原料ガスが導入される
ことに起因して、正規の反応でない気相反応が起こるこ
とを防止することができ、これにより成膜時に異物の発
生や成膜面に荒れが生じるといった現象が起こるのを防
止することができる。
【００２０】なお、前記実施形態例では、反応室２内に
導入する原料ガスの設定流量を４００sccmとしたが、本
発明はこれに限定されることなく、一般に減圧ＣＶＤで
採られる流量である、５０〜１０００sccmの範囲の流量
を採用することができる。また、前記実施形態例では、
本発明をポリシリコン膜の形成に適用した場合について
説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例え
ば原料ガス種をＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 とに変えること
により、Ｓｉ3 Ｎ4 の成膜にも適用することができるな
ど、減圧ＣＶＤにより成膜可能なプロセスには全て適用
することができる。
導入する原料ガスの設定流量を４００sccmとしたが、本
発明はこれに限定されることなく、一般に減圧ＣＶＤで
採られる流量である、５０〜１０００sccmの範囲の流量
を採用することができる。また、前記実施形態例では、
本発明をポリシリコン膜の形成に適用した場合について
説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例え
ば原料ガス種をＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 とに変えること
により、Ｓｉ3 Ｎ4 の成膜にも適用することができるな
ど、減圧ＣＶＤにより成膜可能なプロセスには全て適用
することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
の製造方法は、従来のごとく原料ガスをいきなり設定流
量で導入することなく、容積が１０〜３０リットルであ
る反応室内へ、原料ガスを、その流量を０sccmから無段
階で漸次上げていき、２０秒以上をかけて５０〜１００
０sccmの範囲の設定流量に到達するようにしたものであ
るから、従来のように一度に大量の原料ガスが導入され
ることに起因して、正規の反応でない気相反応が起こる
ことを防止することができ、これにより成膜時に異物の
発生や成膜面に荒れが生じるといった現象が起こるのを
防止し、良好な成膜を行うことができる。
の製造方法は、従来のごとく原料ガスをいきなり設定流
量で導入することなく、容積が１０〜３０リットルであ
る反応室内へ、原料ガスを、その流量を０sccmから無段
階で漸次上げていき、２０秒以上をかけて５０〜１００
０sccmの範囲の設定流量に到達するようにしたものであ
るから、従来のように一度に大量の原料ガスが導入され
ることに起因して、正規の反応でない気相反応が起こる
ことを防止することができ、これにより成膜時に異物の
発生や成膜面に荒れが生じるといった現象が起こるのを
防止し、良好な成膜を行うことができる。
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、本発明における半導体装置
の製造方法の一実施形態例を工程順に説明するための図
である。
の製造方法の一実施形態例を工程順に説明するための図
である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、図１（ｂ）に続く製造工程
をその工程順に説明するための図である。
をその工程順に説明するための図である。
【図３】図２（ｂ）に続く製造工程を説明するための図
である。
である。
【図４】本発明に係る枚葉式減圧ＣＶＤ装置の概略構成
図である。
図である。
１ 枚葉式の減圧ＣＶＤ装置 ２ 反応室 ３ Ｎ
2 導入管 ４ 原料ガス導入管 ５ 排気管 ６ ベント管
７ Ｎ2 導入管 ８ 原料ガス導入管 ９ 圧力コントロール弁 １
０ ベント管 Ｗ ウエハ
2 導入管 ４ 原料ガス導入管 ５ 排気管 ６ ベント管
７ Ｎ2 導入管 ８ 原料ガス導入管 ９ 圧力コントロール弁 １
０ ベント管 Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板谷 秀治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 枚葉式の反応室を備えた減圧ＣＶＤ装置
の反応室内に原料ガスを導入し、予め反応室内に配置し
たウエハ上に原料ガスからなる堆積物を堆積して成膜を
行う、半導体装置の製造方法であって、 前記反応室の容積が１０〜３０リットルであり、 前記反応室内への原料ガスの導入を、その流量を０sccm
から無段階で漸次上げていき、２０秒以上をかけて設定
流量に到達するように行うとともに、該設定流量を５０
〜１０００sccmとすることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8201401A JPH1050617A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8201401A JPH1050617A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050617A true JPH1050617A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16440482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8201401A Pending JPH1050617A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050617A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-07-31 JP JP8201401A patent/JPH1050617A/ja active Pending
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