JPH1041069A - 有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェットプロセスを用いる必要のない、良好な
パターン加工精度をもつ有機電界発光素子の製造方法を
提供する。 【解決手段】陽極と陰極との間に有機化合物からなる発
光層が存在する有機電界発光素子において、該素子に含
まれるパターン加工部分が、磁力によって基板へ密着さ
せたマスクを介して形成されることを特徴とする有機電
界発光素子の製造方法。
パターン加工精度をもつ有機電界発光素子の製造方法を
提供する。 【解決手段】陽極と陰極との間に有機化合物からなる発
光層が存在する有機電界発光素子において、該素子に含
まれるパターン加工部分が、磁力によって基板へ密着さ
せたマスクを介して形成されることを特徴とする有機電
界発光素子の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリ
ア、標識、看板、電子写真機などの分野に利用可能な、
電気エネルギーを光に変換できる有機電界発光素子の製
造方法に関する。
トパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリ
ア、標識、看板、電子写真機などの分野に利用可能な、
電気エネルギーを光に変換できる有機電界発光素子の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔とが、両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合
して発光するという有機電界発光素子の研究が近年活発
に行われるようになってきた。この素子は、薄型、低駆
動電圧下での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多
色発光が特徴であり注目を集めている。
された正孔とが、両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合
して発光するという有機電界発光素子の研究が近年活発
に行われるようになってきた。この素子は、薄型、低駆
動電圧下での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多
色発光が特徴であり注目を集めている。
【０００３】有機電界発光素子が高輝度に発光すること
は、コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって初めて示
された（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）
２１，ｐ．９１３，１９８７）。コダック社の提示した
有機電界発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス基板
上に、蒸着法によって正孔輸送性のジアミン化合物、発
光層である８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、そし
て陰極としてＭｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０
Ｖ程度の駆動電圧で１０００ｃｄ／ｍ2 の緑色発光が可
能であった。現在の有機電界発光素子は、上記の素子構
成要素の他に電子輸送層を設けているものなど構成を変
えているものもあるが、基本的にはコダック社の構成を
踏襲している。高輝度および多色発光が可能であるこれ
らの有機電界発光素子を表示素子などに利用する検討は
盛んに進められている。
は、コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって初めて示
された（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）
２１，ｐ．９１３，１９８７）。コダック社の提示した
有機電界発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス基板
上に、蒸着法によって正孔輸送性のジアミン化合物、発
光層である８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、そし
て陰極としてＭｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０
Ｖ程度の駆動電圧で１０００ｃｄ／ｍ2 の緑色発光が可
能であった。現在の有機電界発光素子は、上記の素子構
成要素の他に電子輸送層を設けているものなど構成を変
えているものもあるが、基本的にはコダック社の構成を
踏襲している。高輝度および多色発光が可能であるこれ
らの有機電界発光素子を表示素子などに利用する検討は
盛んに進められている。
【０００４】しかし、日経エレクトロニクス1996.1.29
(No.654)p.102にも指摘されているように、素子のパタ
ーン加工が１つの大きな問題となっている。
(No.654)p.102にも指摘されているように、素子のパタ
ーン加工が１つの大きな問題となっている。
【０００５】例えば、フルカラーディスプレイの場合で
は、所定の位置にＲ、Ｇ、Ｂの発光層を形成する必要が
ある。通常このようなパターン加工はフォトリソ法に代
表されるウェットプロセスによって達成されるが、有機
電界発光素子を形成する有機膜は水分や有機溶媒、薬液
に対する耐久性に乏しい。特開平６ー２３４９６９号公
報に代表されるように、有機材料を工夫することにより
ウェットプロセスの可能な素子が得られることも示され
ているが、このような方法では素子に用いる有機材料が
限定されてしまう。
は、所定の位置にＲ、Ｇ、Ｂの発光層を形成する必要が
ある。通常このようなパターン加工はフォトリソ法に代
表されるウェットプロセスによって達成されるが、有機
電界発光素子を形成する有機膜は水分や有機溶媒、薬液
に対する耐久性に乏しい。特開平６ー２３４９６９号公
報に代表されるように、有機材料を工夫することにより
ウェットプロセスの可能な素子が得られることも示され
ているが、このような方法では素子に用いる有機材料が
限定されてしまう。
【０００６】さらに、表示素子には電極のパターン加工
が不可欠である。有機層上部の電極をウェットプロセス
でパターン加工する際にも、やはり有機膜にダメージを
与えることが問題となる。
が不可欠である。有機層上部の電極をウェットプロセス
でパターン加工する際にも、やはり有機膜にダメージを
与えることが問題となる。
【０００７】このような理由から、従来は、蒸着法に代
表されるドライプロセスによって有機電界発光素子を製
造し、パターン加工はマスクを利用して実現することが
多かった。つまり、素子を製造する基板前方にマスクを
配置して、マスク開口部のみに有機層あるいは電極を蒸
着するのである。
表されるドライプロセスによって有機電界発光素子を製
造し、パターン加工はマスクを利用して実現することが
多かった。つまり、素子を製造する基板前方にマスクを
配置して、マスク開口部のみに有機層あるいは電極を蒸
着するのである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微細な
パターンに対応するにはマスクの厚さを薄くする必要が
ある。強度が十分とれないために、たわみなどによって
基板とマスクとの密着性は悪化する。したがって、従来
方法では、パターンが微細であるほど蒸着物がマスクの
影に回り込む部分が無視できず、十分な精度をもって素
子のパターン加工を行うことが困難であった。このこと
は、素子の短絡や、漏れ電流の増加によるクロストーク
発生の原因にもなりえる大きな問題であった。例えば、
特開平２−６６８７３号公報によれば、パターンピッチ
３００μｍ未満というのは、マスクを用いることによる
パターン加工が可能な範囲よりも、かなり小さいピクセ
ルサイズであることが示されている。
パターンに対応するにはマスクの厚さを薄くする必要が
ある。強度が十分とれないために、たわみなどによって
基板とマスクとの密着性は悪化する。したがって、従来
方法では、パターンが微細であるほど蒸着物がマスクの
影に回り込む部分が無視できず、十分な精度をもって素
子のパターン加工を行うことが困難であった。このこと
は、素子の短絡や、漏れ電流の増加によるクロストーク
発生の原因にもなりえる大きな問題であった。例えば、
特開平２−６６８７３号公報によれば、パターンピッチ
３００μｍ未満というのは、マスクを用いることによる
パターン加工が可能な範囲よりも、かなり小さいピクセ
ルサイズであることが示されている。
【０００９】本発明は、かかる問題を解決し、ウェット
プロセスを用いることのできない有機電界発光素子にお
いて、良好なパターン加工精度を実現できる製造方法を
提供することを目的とする。つまり、マスクを基板に対
して単に固定することが目的ではなく、従来では不可能
であったマスクによる微細なパターン加工を実現するの
に必要な、マスクと基板との十分な密着性を発現する方
法を提供することが目的である。
プロセスを用いることのできない有機電界発光素子にお
いて、良好なパターン加工精度を実現できる製造方法を
提供することを目的とする。つまり、マスクを基板に対
して単に固定することが目的ではなく、従来では不可能
であったマスクによる微細なパターン加工を実現するの
に必要な、マスクと基板との十分な密着性を発現する方
法を提供することが目的である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に、本発明の製造方法は「陽極と陰極との間に有機化合
物からなる発光層が存在する有機電界発光素子におい
て、該素子に含まれるパターン加工部分が、磁力によっ
て基板へ密着させたマスクを介して形成される」ことを
特徴とするものである。
に、本発明の製造方法は「陽極と陰極との間に有機化合
物からなる発光層が存在する有機電界発光素子におい
て、該素子に含まれるパターン加工部分が、磁力によっ
て基板へ密着させたマスクを介して形成される」ことを
特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明における有機電界発光素子
とは、陽極と陰極との間に有機化合物からなる発光層が
存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、
陽極や陰極あるいは発光層などの素子を構成する層の少
くとも１つがパターン加工されているものである。
とは、陽極と陰極との間に有機化合物からなる発光層が
存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、
陽極や陰極あるいは発光層などの素子を構成する層の少
くとも１つがパターン加工されているものである。
【００１２】陽極と陰極は、素子の発光に十分な電流が
供給できる導電性をもてばよいが、光を取り出すために
少なくとも一方の電極が透明であることが望ましい。
供給できる導電性をもてばよいが、光を取り出すために
少なくとも一方の電極が透明であることが望ましい。
【００１３】透明な電極は可視光線透過率が３０％以上
あれば使用に大きな障害はないが、理想的には１００％
に近い方が好ましい。基本的には、可視光全域にわたっ
てほぼ同程度の透過率を持つことが好ましいが、色を変
えたい場合は積極的に吸収を持たせることも可能であ
る。その場合、カラーフィルターや干渉フィルターを用
いて変色させる方が技術的には容易である。透明電極の
材質としては、インジウム、錫、金、銀、亜鉛、アルミ
ニウム、クロム、ニッケル、酸素、窒素、水素、アルゴ
ン、炭素から選ばれる少なくとも一種類の元素からなる
ことが多いが、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなど
の導電性ポリマを用いることも可能であり、特に限定さ
れるものでない。
あれば使用に大きな障害はないが、理想的には１００％
に近い方が好ましい。基本的には、可視光全域にわたっ
てほぼ同程度の透過率を持つことが好ましいが、色を変
えたい場合は積極的に吸収を持たせることも可能であ
る。その場合、カラーフィルターや干渉フィルターを用
いて変色させる方が技術的には容易である。透明電極の
材質としては、インジウム、錫、金、銀、亜鉛、アルミ
ニウム、クロム、ニッケル、酸素、窒素、水素、アルゴ
ン、炭素から選ばれる少なくとも一種類の元素からなる
ことが多いが、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなど
の導電性ポリマを用いることも可能であり、特に限定さ
れるものでない。
【００１４】本発明において特に好ましい陽極の例とし
ては、透明基板上に置かれた酸化錫、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などをあげるこ
とができる。パターン加工などを施すディスプレイ用途
などにおいては、加工性に優れたＩＴＯが特に好適な例
としてあげることができる。表面抵抗を下げたり電圧降
下抑制のために、ＩＴＯには少量の銀や金などの金属が
含まれていても良く、また、錫、金、銀、亜鉛、インジ
ウム、アルミニウム、クロム、ニッケルをＩＴＯのガイ
ド電極として使用することも可能である。中でもクロム
はブラックマトリックスとガイド電極の両方の機能を持
たせることができることからも好適な金属である。素子
の消費電力の観点からは、ＩＴＯは低抵抗であることが
望ましい。例えば３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれ
ば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度
の基板の供給も可能になっていることから、低抵抗品を
使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に
合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常１００〜３００
ｎｍの間で用いられることが多い。透明基板の材質は特
に限定されず、ポリアクリレート、ポリカーボネート、
ポリエステル、ポリイミド、アラミドからなるプラスチ
ック板やフィルムを用いることもできるが、好適な例と
してはガラス基板を挙げることができる。ソーダライム
ガラス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも
機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、
０．７ｍｍ以上あれば十分である。ガラスの材質につい
ては、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無
アルカリガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ2 などのバリ
アコートを施したソーダライムガラスも市販されている
のでこれを使用できる。ＩＴＯ膜形成方法は、電子ビー
ム法、スパッタリング法、化学反応法など特に制限を受
けるものではない。
ては、透明基板上に置かれた酸化錫、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などをあげるこ
とができる。パターン加工などを施すディスプレイ用途
などにおいては、加工性に優れたＩＴＯが特に好適な例
としてあげることができる。表面抵抗を下げたり電圧降
下抑制のために、ＩＴＯには少量の銀や金などの金属が
含まれていても良く、また、錫、金、銀、亜鉛、インジ
ウム、アルミニウム、クロム、ニッケルをＩＴＯのガイ
ド電極として使用することも可能である。中でもクロム
はブラックマトリックスとガイド電極の両方の機能を持
たせることができることからも好適な金属である。素子
の消費電力の観点からは、ＩＴＯは低抵抗であることが
望ましい。例えば３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれ
ば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度
の基板の供給も可能になっていることから、低抵抗品を
使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に
合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常１００〜３００
ｎｍの間で用いられることが多い。透明基板の材質は特
に限定されず、ポリアクリレート、ポリカーボネート、
ポリエステル、ポリイミド、アラミドからなるプラスチ
ック板やフィルムを用いることもできるが、好適な例と
してはガラス基板を挙げることができる。ソーダライム
ガラス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも
機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、
０．７ｍｍ以上あれば十分である。ガラスの材質につい
ては、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無
アルカリガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ2 などのバリ
アコートを施したソーダライムガラスも市販されている
のでこれを使用できる。ＩＴＯ膜形成方法は、電子ビー
ム法、スパッタリング法、化学反応法など特に制限を受
けるものではない。
【００１５】陰極は、電子を本素子の発光層に効率良く
注入できる物質であれば特に限定されない。従って、ア
ルカリ金属などの低仕事関数金属の使用も可能である
が、電極の安定性を考えると、白金、金、銀、銅、鉄、
錫、アルミニウム、マグネシウム、インジウムなどの金
属、またはこれら金属と低仕事関数金属との合金などが
好ましい例として挙げられる。また、あらかじめ有機層
に低仕事関数金属を微量にドーピングしておき、その後
に比較的安定な金属を陰極として成膜することで、電子
注入効率を高く保ちながら安定な電極を得ることもでき
る。これらの電極の作製法も抵抗加熱蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング法などド
ライプロセスであればよいが、本発明では手軽にできる
抵抗加熱蒸着法を使用している。
注入できる物質であれば特に限定されない。従って、ア
ルカリ金属などの低仕事関数金属の使用も可能である
が、電極の安定性を考えると、白金、金、銀、銅、鉄、
錫、アルミニウム、マグネシウム、インジウムなどの金
属、またはこれら金属と低仕事関数金属との合金などが
好ましい例として挙げられる。また、あらかじめ有機層
に低仕事関数金属を微量にドーピングしておき、その後
に比較的安定な金属を陰極として成膜することで、電子
注入効率を高く保ちながら安定な電極を得ることもでき
る。これらの電極の作製法も抵抗加熱蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング法などド
ライプロセスであればよいが、本発明では手軽にできる
抵抗加熱蒸着法を使用している。
【００１６】有機電界発光素子に含まれる有機層として
は、１）正孔輸送層／発光層、２）正孔輸送層／発光層
／電子輸送層、３）発光層／電子輸送層、そして、４）
以上の組合わせ物質を一層に混合した形態の発光層、の
いずれであってもよい。すなわち、素子構成として有機
化合物からなる発光層が存在していれば、上記１）〜
３）の多層積層構造の他に４）のように発光材料単独ま
たは発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む発光
層を一層設けるだけでもよい。
は、１）正孔輸送層／発光層、２）正孔輸送層／発光層
／電子輸送層、３）発光層／電子輸送層、そして、４）
以上の組合わせ物質を一層に混合した形態の発光層、の
いずれであってもよい。すなわち、素子構成として有機
化合物からなる発光層が存在していれば、上記１）〜
３）の多層積層構造の他に４）のように発光材料単独ま
たは発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む発光
層を一層設けるだけでもよい。
【００１７】正孔輸送層は正孔輸送性物質単独で、ある
いは正孔輸送性物質と高分子結着剤により形成され、正
孔輸送性物質としては、Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ
´−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル
−４，４´−ジアミン（ＴＰＤ）やＮ，Ｎ´−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ´−ジナフチル−１，１’−ジフェニル−
４，４´−ジアミン（ＮＰＤ）などに代表されるトリフ
ェニルアミン類、Ｎ−イソプロピルカルバゾールなどの
３級アミン類、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合
物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体やフ
タロシアニン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマ
ー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートや
スチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン
などが好ましいが、特に限定されるものではない。
いは正孔輸送性物質と高分子結着剤により形成され、正
孔輸送性物質としては、Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ
´−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル
−４，４´−ジアミン（ＴＰＤ）やＮ，Ｎ´−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ´−ジナフチル−１，１’−ジフェニル−
４，４´−ジアミン（ＮＰＤ）などに代表されるトリフ
ェニルアミン類、Ｎ−イソプロピルカルバゾールなどの
３級アミン類、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合
物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体やフ
タロシアニン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマ
ー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートや
スチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン
などが好ましいが、特に限定されるものではない。
【００１８】発光層材料は主に以前から発光体として知
られていたアントラセンやピレン、そして前述の８−ヒ
ドロキシキノリンアルミニウムの他にも、例えば、ビス
スチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエ
ン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、
ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペ
リノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジア
ゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ポリマー
系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェ
ニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などが使
用できる。また発光層に添加するドーパントとしては、
前述のルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン
６６０、ＤＣＭ１、ペリノン、ペリレン、クマリン５４
０、ジアザインダセン誘導体などがそのまま使用でき
る。
られていたアントラセンやピレン、そして前述の８−ヒ
ドロキシキノリンアルミニウムの他にも、例えば、ビス
スチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエ
ン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、
ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペ
リノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジア
ゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ポリマー
系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェ
ニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などが使
用できる。また発光層に添加するドーパントとしては、
前述のルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン
６６０、ＤＣＭ１、ペリノン、ペリレン、クマリン５４
０、ジアザインダセン誘導体などがそのまま使用でき
る。
【００１９】電子輸送性物質としては、電界を与えられ
た電極間において陰極からの電子を効率良く輸送するこ
とが必要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効
率良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和
力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性
に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に
発生しにくい物質であることが要求される。このような
条件を満たす物質として８−ヒドロキシキノリンアルミ
ニウム、ヒドロキシベンゾキノリンベリリウム、例えば
２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔ−ＢｕＰＢ
Ｄ）などのオキサジアゾール系誘導体、薄膜安定性を向
上させたオキサジアゾール二量体系誘導体の１，３−ビ
ス（４−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジゾ
リル）ビフェニレン（ＯＸＤ−１）、１，３−ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジゾリル）
フェニレン（ＯＸＤ−７）、トリアゾール系誘導体、フ
ェナントロリン系誘導体などがある。
た電極間において陰極からの電子を効率良く輸送するこ
とが必要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効
率良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和
力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性
に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に
発生しにくい物質であることが要求される。このような
条件を満たす物質として８−ヒドロキシキノリンアルミ
ニウム、ヒドロキシベンゾキノリンベリリウム、例えば
２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔ−ＢｕＰＢ
Ｄ）などのオキサジアゾール系誘導体、薄膜安定性を向
上させたオキサジアゾール二量体系誘導体の１，３−ビ
ス（４−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジゾ
リル）ビフェニレン（ＯＸＤ−１）、１，３−ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジゾリル）
フェニレン（ＯＸＤ−７）、トリアゾール系誘導体、フ
ェナントロリン系誘導体などがある。
【００２０】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用い
ることも可能である。
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用い
ることも可能である。
【００２１】上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層など
の有機層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング法など特に限定されるものではない
が、通常は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着などの蒸着
法が特性面で好ましい。層の厚みは、有機層の抵抗値に
もよるので限定することはできないが、経験的には１０
〜１０００ｎｍの間から選ばれる。
の有機層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング法など特に限定されるものではない
が、通常は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着などの蒸着
法が特性面で好ましい。層の厚みは、有機層の抵抗値に
もよるので限定することはできないが、経験的には１０
〜１０００ｎｍの間から選ばれる。
【００２２】電気エネルギーとは主に直流電流を指す
が、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。
電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電
力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大
の輝度が得られるようにするべきである。
が、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。
電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電
力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大
の輝度が得られるようにするべきである。
【００２３】本発明におけるパターン加工部分とは、基
本的には有機電界発光素子の発光に関与する部分を意味
するが、必要性によっては、発光に関与する部分のコン
トラストやパターン精度、電気的絶縁性を向上させる目
的で形成されるような非発光部分であってもよいので、
特に限定されるものではない。好ましくは発光層、陽
極、陰極がパターン加工される。
本的には有機電界発光素子の発光に関与する部分を意味
するが、必要性によっては、発光に関与する部分のコン
トラストやパターン精度、電気的絶縁性を向上させる目
的で形成されるような非発光部分であってもよいので、
特に限定されるものではない。好ましくは発光層、陽
極、陰極がパターン加工される。
【００２４】発光に関与する部分としては、発光層およ
び電極が特に重要である。これらの形状やサイズは特に
限定されるものではなく、用途によって最適なものが使
用される。例えば、表示素子やディスプレイの用途で
は、発光層と電極ならびに非発光領域のパターン形状に
より規定される１つ以上の発光領域が１つの画素を形成
する。つまり、本発明によって加工される発光層もしく
は電極のパターン形状やサイズが、画素の形状やサイズ
に一致している必要はない。セグメント方式やドットマ
トリクス方式などの表示方式によって、その画素の形状
は異なるが、画素サイズとしては２ｍｍ角以下が好まし
い。高精細表示の用途では、画素サイズとして５００μ
ｍ角以下が望ましく、さらに好適な画素サイズとして、
現在実用化されているフルカラー液晶ディスプレイの単
色一画素サイズである１００×３００μｍを例示するこ
とができる。
び電極が特に重要である。これらの形状やサイズは特に
限定されるものではなく、用途によって最適なものが使
用される。例えば、表示素子やディスプレイの用途で
は、発光層と電極ならびに非発光領域のパターン形状に
より規定される１つ以上の発光領域が１つの画素を形成
する。つまり、本発明によって加工される発光層もしく
は電極のパターン形状やサイズが、画素の形状やサイズ
に一致している必要はない。セグメント方式やドットマ
トリクス方式などの表示方式によって、その画素の形状
は異なるが、画素サイズとしては２ｍｍ角以下が好まし
い。高精細表示の用途では、画素サイズとして５００μ
ｍ角以下が望ましく、さらに好適な画素サイズとして、
現在実用化されているフルカラー液晶ディスプレイの単
色一画素サイズである１００×３００μｍを例示するこ
とができる。
【００２５】ディスプレイ用途では、発光層や電極のパ
ターン加工形状が繰り返しの周期をもつ場合が少なくな
い。その場合には、パターン加工サイズの最小ピッチは
２ｍｍ以下であることが好ましく、さらには５００μｍ
以下であることがより好ましい。これらディスプレイは
単純マトリクス型でも、ＴＦＴ方式に代表されるアクテ
ィブマトリクス型であってもよく、本発明はディスプレ
イの構造や駆動方式を限定するものではない。
ターン加工形状が繰り返しの周期をもつ場合が少なくな
い。その場合には、パターン加工サイズの最小ピッチは
２ｍｍ以下であることが好ましく、さらには５００μｍ
以下であることがより好ましい。これらディスプレイは
単純マトリクス型でも、ＴＦＴ方式に代表されるアクテ
ィブマトリクス型であってもよく、本発明はディスプレ
イの構造や駆動方式を限定するものではない。
【００２６】上記の電極については、有機電界発光素子
における陽極および陰極の少なくとも一方を指し、必要
性によっては両方の電極を本発明によってパターン加工
してもよい。また、電極の導電性を向上させるために付
加される、ガイド電極のようなものも含まれる。基本的
には、基板上に設けられた一方の電極が先にウェットプ
ロセスによってパターン加工されており、その上に有機
層を形成したあと、本発明による方法でもう一方の電極
をパターン加工することが好ましい。より好適な例とし
ては、透明基板上で先にパターン加工された透明電極を
陽極として、その上に有機層を形成し、有機層上部の陰
極を本発明によってパターン加工する工程が挙げられ
る。
における陽極および陰極の少なくとも一方を指し、必要
性によっては両方の電極を本発明によってパターン加工
してもよい。また、電極の導電性を向上させるために付
加される、ガイド電極のようなものも含まれる。基本的
には、基板上に設けられた一方の電極が先にウェットプ
ロセスによってパターン加工されており、その上に有機
層を形成したあと、本発明による方法でもう一方の電極
をパターン加工することが好ましい。より好適な例とし
ては、透明基板上で先にパターン加工された透明電極を
陽極として、その上に有機層を形成し、有機層上部の陰
極を本発明によってパターン加工する工程が挙げられ
る。
【００２７】本発明によってパターン加工される非発光
部分は特に限定されないが、好適な例としてブラックマ
トリクスや発光領域を規定するための絶縁層を挙げるこ
とができる。ブラックマトリクスは発光領域の隙間を黒
くして、コントラストを向上させる。絶縁層は電極エッ
ジの保護、発光領域の規定および電極間の絶縁性を向上
させる。いずれも、材質や形状、サイズを一概に示すこ
とはできず、用途によって最適なものが用いられる。
部分は特に限定されないが、好適な例としてブラックマ
トリクスや発光領域を規定するための絶縁層を挙げるこ
とができる。ブラックマトリクスは発光領域の隙間を黒
くして、コントラストを向上させる。絶縁層は電極エッ
ジの保護、発光領域の規定および電極間の絶縁性を向上
させる。いずれも、材質や形状、サイズを一概に示すこ
とはできず、用途によって最適なものが用いられる。
【００２８】本発明におけるマスクとは、板あるいはフ
ィルムのような面状のものに１つ以上の開口部が設けら
れたものである。蒸着法などによって基板に向かって飛
来してくる有機物あるいは電極材料は、基板前方に設置
されたマスク開口部を通じて基板上に堆積され、マスク
開口部形状に対応した有機電界発光素子のパターン加工
が実現される。
ィルムのような面状のものに１つ以上の開口部が設けら
れたものである。蒸着法などによって基板に向かって飛
来してくる有機物あるいは電極材料は、基板前方に設置
されたマスク開口部を通じて基板上に堆積され、マスク
開口部形状に対応した有機電界発光素子のパターン加工
が実現される。
【００２９】本発明での重要な特徴は、マスクと基板と
の密着性を磁力によって向上させている点である。この
ことによって、蒸着物などの回り込み部分、つまり、マ
スク開口部からマスクの影の部分へにじむように蒸着さ
れる部分の割合を減少させ、従来では不可能であった微
細なパターン加工が達成される。基板に対するマスクの
位置的な固定、あるいはマスク自身の重量を支えること
は本発明の直接的な目的ではないので、磁力によってな
されても機械的な接触などによってなされてもよく、特
に方法を限定するものではない。
の密着性を磁力によって向上させている点である。この
ことによって、蒸着物などの回り込み部分、つまり、マ
スク開口部からマスクの影の部分へにじむように蒸着さ
れる部分の割合を減少させ、従来では不可能であった微
細なパターン加工が達成される。基板に対するマスクの
位置的な固定、あるいはマスク自身の重量を支えること
は本発明の直接的な目的ではないので、磁力によってな
されても機械的な接触などによってなされてもよく、特
に方法を限定するものではない。
【００３０】本発明においては、マスクとその他１つ以
上の物体との間に相互に磁力が及ぼし合えば、その関係
は特に限定されるものではない。例えばマスクと有機電
界発光素子の基板とが磁力によって吸引力を及ぼし合う
とすれば、基板が磁石であってもマスク自体が磁石であ
ってもよいし、両者が磁石であってもよい。もちろん、
マスクと磁力を及ぼし合う対象は基板である必要はな
く、引力もしくは斥力かについても特に限定はされな
い。本発明における好ましい例としては、有機電界発光
素子の製造面である基板表側に、磁場によって吸引力の
及ぼされるマスク、すなわち磁石に引き寄せられる材料
でできたマスクを設置して、基板裏側に配置された磁石
によって該マスクを基板に密着させる方法が挙げられ
る。必要な磁力の大きさについては、マスクの開口部形
状やサイズ、重量、強度などによって異なるので一概に
は示せないが、マスクの固定を機械的接触によって行う
場合には必要なマスクの密着性が十分に得られる以上の
磁力が、また、マスクの固定も磁力で行う場合にはマス
クの密着性と位置的な固定とが十分できる以上の磁力が
あればよい。
上の物体との間に相互に磁力が及ぼし合えば、その関係
は特に限定されるものではない。例えばマスクと有機電
界発光素子の基板とが磁力によって吸引力を及ぼし合う
とすれば、基板が磁石であってもマスク自体が磁石であ
ってもよいし、両者が磁石であってもよい。もちろん、
マスクと磁力を及ぼし合う対象は基板である必要はな
く、引力もしくは斥力かについても特に限定はされな
い。本発明における好ましい例としては、有機電界発光
素子の製造面である基板表側に、磁場によって吸引力の
及ぼされるマスク、すなわち磁石に引き寄せられる材料
でできたマスクを設置して、基板裏側に配置された磁石
によって該マスクを基板に密着させる方法が挙げられ
る。必要な磁力の大きさについては、マスクの開口部形
状やサイズ、重量、強度などによって異なるので一概に
は示せないが、マスクの固定を機械的接触によって行う
場合には必要なマスクの密着性が十分に得られる以上の
磁力が、また、マスクの固定も磁力で行う場合にはマス
クの密着性と位置的な固定とが十分できる以上の磁力が
あればよい。
【００３１】磁石の好適な例としては、永久磁石ならび
に電磁石を挙げることができる。その形状やサイズは特
に限定されないが、マスクの開口部全体に基板面と垂直
方向の吸引力が一様に働くように、マスク開口部以上の
大きさであることが望ましい。また、１つの磁石によっ
て要求される面積に磁場を発生させてもよいが、複数の
磁石を貼り合わせたり、所定の間隔で並べるなどしたも
のを利用することもできる。基板との距離については、
マスクに十分な磁力が及ぶ範囲であれば特に限定されな
い。
に電磁石を挙げることができる。その形状やサイズは特
に限定されないが、マスクの開口部全体に基板面と垂直
方向の吸引力が一様に働くように、マスク開口部以上の
大きさであることが望ましい。また、１つの磁石によっ
て要求される面積に磁場を発生させてもよいが、複数の
磁石を貼り合わせたり、所定の間隔で並べるなどしたも
のを利用することもできる。基板との距離については、
マスクに十分な磁力が及ぶ範囲であれば特に限定されな
い。
【００３２】永久磁石の好適な材料としては、純鉄、炭
素鋼、Ｗ鋼、Ｃｒ鋼、Ｃｏ鋼、ＫＳ鋼などの焼入硬化磁
石材料、ＭＫ鋼、Ａｌｎｉｃｏ鋼、ＮＫＳ鋼、Ｃｕｎｉ
ｃｏ鋼などの析出硬化磁石材料、ＯＰフェライト、Ｂａ
フェライトなどの焼結磁石材料ならびにＳｍ−Ｃｏ系や
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系に代表される各種希土類磁石材料など
が挙げられるが、以上のものに限定はされない。これら
の材料をバルク的に用いることが多いが、粉末をゴムや
樹脂に混入したり、粉末を加圧成型したものを磁石とし
て用いてもよい。
素鋼、Ｗ鋼、Ｃｒ鋼、Ｃｏ鋼、ＫＳ鋼などの焼入硬化磁
石材料、ＭＫ鋼、Ａｌｎｉｃｏ鋼、ＮＫＳ鋼、Ｃｕｎｉ
ｃｏ鋼などの析出硬化磁石材料、ＯＰフェライト、Ｂａ
フェライトなどの焼結磁石材料ならびにＳｍ−Ｃｏ系や
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系に代表される各種希土類磁石材料など
が挙げられるが、以上のものに限定はされない。これら
の材料をバルク的に用いることが多いが、粉末をゴムや
樹脂に混入したり、粉末を加圧成型したものを磁石とし
て用いてもよい。
【００３３】電磁石は、磁場発生のＯＮ、ＯＦＦならび
に磁力を電気的に制御できることから、本発明において
特に好適に用いられる。構造は特に限定されないが、導
線を複数回巻いたソレノイドコイル内に磁心を挿入した
ものが特に望ましい。磁心材料としては、永久磁石材料
として上記に挙げたものの他に、ケイ素鋼板、Ａｌ−Ｆ
ｅ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金（パ−マロイ）などの金属磁心
材料、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ系など
のフェライト磁心材料、カ−ボニル鉄、Ｍｏパ−マロ
イ、センダストなどの微粉末を結合剤とともに圧縮成型
させたの圧粉磁心材料などが挙げられる。このような電
磁石は単独で用いてもよいが、複数の電磁石を組み合わ
せて磁場発生源とすることもできる。
に磁力を電気的に制御できることから、本発明において
特に好適に用いられる。構造は特に限定されないが、導
線を複数回巻いたソレノイドコイル内に磁心を挿入した
ものが特に望ましい。磁心材料としては、永久磁石材料
として上記に挙げたものの他に、ケイ素鋼板、Ａｌ−Ｆ
ｅ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金（パ−マロイ）などの金属磁心
材料、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ系など
のフェライト磁心材料、カ−ボニル鉄、Ｍｏパ−マロ
イ、センダストなどの微粉末を結合剤とともに圧縮成型
させたの圧粉磁心材料などが挙げられる。このような電
磁石は単独で用いてもよいが、複数の電磁石を組み合わ
せて磁場発生源とすることもできる。
【００３４】マスクの好適な材料としても上記の磁性材
料を挙げることができる。これらの材料を薄い板状に成
型したものからマスクを作製することが好ましいが、ゴ
ムや樹脂に磁性材料の粉末を混入してフィルム状に成型
したものを用いることもできるので、マスクの材料組成
を一概に規定できない。磁石による吸引力を効率よく発
現させるには、マスクが、磁性元素であるＦｅ、Ｃｏ、
Ｎｉのうち１種類以上の元素を、組成比において合計１
％以上（１種類の場合には単独で１％以上）含んでいる
ことが望ましく、さらに、合計２０％以上含んでること
がより望ましい。作製されたマスクには磁場によって吸
引力が働くが、マスク自体は、はじめから磁化されてい
ても、そうでなくてもよい。必要に応じて、磁化した材
料からマスクを作製したり、マスクを作製してから磁化
させることもできる。
料を挙げることができる。これらの材料を薄い板状に成
型したものからマスクを作製することが好ましいが、ゴ
ムや樹脂に磁性材料の粉末を混入してフィルム状に成型
したものを用いることもできるので、マスクの材料組成
を一概に規定できない。磁石による吸引力を効率よく発
現させるには、マスクが、磁性元素であるＦｅ、Ｃｏ、
Ｎｉのうち１種類以上の元素を、組成比において合計１
％以上（１種類の場合には単独で１％以上）含んでいる
ことが望ましく、さらに、合計２０％以上含んでること
がより望ましい。作製されたマスクには磁場によって吸
引力が働くが、マスク自体は、はじめから磁化されてい
ても、そうでなくてもよい。必要に応じて、磁化した材
料からマスクを作製したり、マスクを作製してから磁化
させることもできる。
【００３５】マスク開口部の形状とサイズは、基本的に
は有機電界発光素子のパターン加工のそれに等しい。し
かしながら、有機電界発光素子におけるあるパターン加
工は、１枚のマスクを用いて一度に実現されてもよい
し、複数のマスクを組み合わせたり、１枚のマスクと基
板の相対的な位置をずらすなどして複数回に分けて実現
されてもよいので、両者のパターンが一致している必要
はない。前述のディスプレイ用途のように、素子におい
て繰り返し周期を持つパターンを１枚のマスクで実現す
る場合には、マスクのパターンピッチの好適な例として
２ｍｍ、さらに好ましい例として５００μｍを例示する
ことができる。
は有機電界発光素子のパターン加工のそれに等しい。し
かしながら、有機電界発光素子におけるあるパターン加
工は、１枚のマスクを用いて一度に実現されてもよい
し、複数のマスクを組み合わせたり、１枚のマスクと基
板の相対的な位置をずらすなどして複数回に分けて実現
されてもよいので、両者のパターンが一致している必要
はない。前述のディスプレイ用途のように、素子におい
て繰り返し周期を持つパターンを１枚のマスクで実現す
る場合には、マスクのパターンピッチの好適な例として
２ｍｍ、さらに好ましい例として５００μｍを例示する
ことができる。
【００３６】マスクの厚さについては、その強度や大き
さ、パターンサイズにもよるので一概には示せない。必
要以上に厚くマスクの強度が大きすぎると、基板との密
着性を向上させるのに大きな磁力が要求され、基板のた
わみにマスクを追従させることも難しくなる。目安とし
ては、２ｍｍ以下の厚さが好適な例として挙げられる。
本発明は微細なパターン加工について特に効果的であ
り、パターンピッチのさらに好ましい例として５００μ
ｍを例示している。この場合、例えば開口部が３００μ
ｍであればマスクの残り幅は２００μｍということにな
る。良好なパターン精度を達成するためには、マスクの
厚さは残り幅（この場合は２００μｍ）の５倍以下であ
ることが望ましく、さらに、残り幅以下であることが特
に望ましい。したがって、微細なパターン加工に対応す
るマスクのより好適な厚さとしては、５００μｍ以下を
例示することができる。
さ、パターンサイズにもよるので一概には示せない。必
要以上に厚くマスクの強度が大きすぎると、基板との密
着性を向上させるのに大きな磁力が要求され、基板のた
わみにマスクを追従させることも難しくなる。目安とし
ては、２ｍｍ以下の厚さが好適な例として挙げられる。
本発明は微細なパターン加工について特に効果的であ
り、パターンピッチのさらに好ましい例として５００μ
ｍを例示している。この場合、例えば開口部が３００μ
ｍであればマスクの残り幅は２００μｍということにな
る。良好なパターン精度を達成するためには、マスクの
厚さは残り幅（この場合は２００μｍ）の５倍以下であ
ることが望ましく、さらに、残り幅以下であることが特
に望ましい。したがって、微細なパターン加工に対応す
るマスクのより好適な厚さとしては、５００μｍ以下を
例示することができる。
【００３７】有機電界発光素子に用いられる基板の表面
が平面である場合には、マスクと基板との均一な密着性
を実現するために、高い平面性を有するマスクを使用す
る方が有利である。しかしながら、微細なパターンに対
応するために上述のようにマスクの厚さを薄くすると、
マスクの作製工程の途中で変形を受けやすくなり、マス
クにうねりが生ずるなどして平面性が損なわれることが
ある。このような場合には、焼き鈍しなどの方法を利用
してマスクの平面性を向上させてもよい。さらに、マス
クは適当な形状のフレームに固定された状態で使用され
ることが多いが、その際も、マスクにテンションを掛け
ながらフレームに固定するなどして、マスクの平面性を
理想状態に近づけるようにすべきである。
が平面である場合には、マスクと基板との均一な密着性
を実現するために、高い平面性を有するマスクを使用す
る方が有利である。しかしながら、微細なパターンに対
応するために上述のようにマスクの厚さを薄くすると、
マスクの作製工程の途中で変形を受けやすくなり、マス
クにうねりが生ずるなどして平面性が損なわれることが
ある。このような場合には、焼き鈍しなどの方法を利用
してマスクの平面性を向上させてもよい。さらに、マス
クは適当な形状のフレームに固定された状態で使用され
ることが多いが、その際も、マスクにテンションを掛け
ながらフレームに固定するなどして、マスクの平面性を
理想状態に近づけるようにすべきである。
【００３８】本発明の製造方法では、有機電界発光素子
の製造面とマスクとを密着させた際に、マスクが基板上
に成膜された有機層などを傷つけるのを防ぐために、有
機電界素子の非発光部分にクッションの役割を果たすス
ペーサーを配置することが好ましい。このスペーサーは
前記ブラックマトリクスの全部あるいは一部を兼用する
こともできる。スペーサーの作製方法や材質は特に限定
されるものではないが、フォトリソグラフィー法などを
利用して、マスクの接触から発光部分を効率よく保護で
きるように、あらかじめ基板上に配置しておくことが工
程的には容易である。スペーサーの高さは、有機電界発
光素子の発光部分の厚さより高く、蒸着物の回り込みに
よりパターン加工精度が悪化しない程度に必要であり、
通常は０．５〜１００μｍの範囲で形成されるが、特に
限定されるものではなく、条件に応じて最適化すればよ
い。
の製造面とマスクとを密着させた際に、マスクが基板上
に成膜された有機層などを傷つけるのを防ぐために、有
機電界素子の非発光部分にクッションの役割を果たすス
ペーサーを配置することが好ましい。このスペーサーは
前記ブラックマトリクスの全部あるいは一部を兼用する
こともできる。スペーサーの作製方法や材質は特に限定
されるものではないが、フォトリソグラフィー法などを
利用して、マスクの接触から発光部分を効率よく保護で
きるように、あらかじめ基板上に配置しておくことが工
程的には容易である。スペーサーの高さは、有機電界発
光素子の発光部分の厚さより高く、蒸着物の回り込みに
よりパターン加工精度が悪化しない程度に必要であり、
通常は０．５〜１００μｍの範囲で形成されるが、特に
限定されるものではなく、条件に応じて最適化すればよ
い。
【００３９】上記スペーサーの機能は、マスクの基板接
触面に部分的に突起を設けて、その突起を有機電界発光
素子の非発光部分に接触させることで、あるいは、マス
ク全面に樹脂などの比較的柔軟性のある物質をコーティ
ングすることでも達成できる。突起やコーティングの材
料は特に限定されるものではないが、フォトレジストな
どを利用して形成するのが工程的に容易である。
触面に部分的に突起を設けて、その突起を有機電界発光
素子の非発光部分に接触させることで、あるいは、マス
ク全面に樹脂などの比較的柔軟性のある物質をコーティ
ングすることでも達成できる。突起やコーティングの材
料は特に限定されるものではないが、フォトレジストな
どを利用して形成するのが工程的に容易である。
【００４０】
【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
【００４１】実施例１ ２８×３６ｍｍ、厚さ５０μｍのコバ−ル（組成比はＦ
ｅ５４％、Ｎｉ２９％、Ｃｏ１７％）板に、ウェットエ
ッチングによって開口部を設けたマスクを用意した。１
つの開口部の主な部分は長方形であり、短辺、長辺方向
の長さはそれぞれ２００μｍ、１５ｍｍである。この開
口部は短辺方向にピッチ３００μｍで１６個繰り返され
ている。すなわち、中央部分はピッチ３００μｍ（開口
部幅２００μｍ、残り幅１００μｍ）×１６本のストラ
イプ形状のマスクである。また、外部との電気的接続を
容易にするために、この長方形開口部の長辺方向両側
は、さらに７．５ｍｍの間に１．２７ｍｍピッチ（開口
部幅６００μｍ）まで連続的に広げられている。上記の
マスクは外形が等しい２ｍｍ幅のステンレス鋼枠にレ−
ザ−融着によって固定されている。このマスクをステン
レス鋼枠側が蒸着源（下側）を向くように真空蒸着装置
内に固定して、反対のコバ−ル板側（上側）に、３８×
４６ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板、３４×４２ｍ
ｍ、厚さ３ｍｍの板磁石を順に置いて固定した。板磁石
は日立金属株式会社製の希土類磁石（Ｈ−２３ＣＶ）を
用いた。装置内の真空度が５×１０-4Ｐａ以下になるま
で排気した後、アルミナるつぼを用いた抵抗加熱蒸着法
によって金属Ａｌを１ｎｍ／ｓの速度で１５０ｎｍ蒸着
した。なお、膜厚分布を平均化するために、蒸着中は基
板を回転させた。
ｅ５４％、Ｎｉ２９％、Ｃｏ１７％）板に、ウェットエ
ッチングによって開口部を設けたマスクを用意した。１
つの開口部の主な部分は長方形であり、短辺、長辺方向
の長さはそれぞれ２００μｍ、１５ｍｍである。この開
口部は短辺方向にピッチ３００μｍで１６個繰り返され
ている。すなわち、中央部分はピッチ３００μｍ（開口
部幅２００μｍ、残り幅１００μｍ）×１６本のストラ
イプ形状のマスクである。また、外部との電気的接続を
容易にするために、この長方形開口部の長辺方向両側
は、さらに７．５ｍｍの間に１．２７ｍｍピッチ（開口
部幅６００μｍ）まで連続的に広げられている。上記の
マスクは外形が等しい２ｍｍ幅のステンレス鋼枠にレ−
ザ−融着によって固定されている。このマスクをステン
レス鋼枠側が蒸着源（下側）を向くように真空蒸着装置
内に固定して、反対のコバ−ル板側（上側）に、３８×
４６ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板、３４×４２ｍ
ｍ、厚さ３ｍｍの板磁石を順に置いて固定した。板磁石
は日立金属株式会社製の希土類磁石（Ｈ−２３ＣＶ）を
用いた。装置内の真空度が５×１０-4Ｐａ以下になるま
で排気した後、アルミナるつぼを用いた抵抗加熱蒸着法
によって金属Ａｌを１ｎｍ／ｓの速度で１５０ｎｍ蒸着
した。なお、膜厚分布を平均化するために、蒸着中は基
板を回転させた。
【００４２】蒸着後にガラス基板を取り出し、基板表面
に蒸着されたＡｌ電極を顕微鏡で観察した写真が図１で
ある。長辺方向の中央部における電極幅は２００μｍで
あった。また、電極ピッチを広げた部分を利用してテス
タで抵抗値を測定したところ、１６本の電極間に電気的
短絡は皆無であり、隣り合う電極間の抵抗は測定限界で
ある２０ＭΩ以上であった。
に蒸着されたＡｌ電極を顕微鏡で観察した写真が図１で
ある。長辺方向の中央部における電極幅は２００μｍで
あった。また、電極ピッチを広げた部分を利用してテス
タで抵抗値を測定したところ、１６本の電極間に電気的
短絡は皆無であり、隣り合う電極間の抵抗は測定限界で
ある２０ＭΩ以上であった。
【００４３】比較例１ 蒸着の際に磁石を使用しなかった以外は実施例１と同様
にしてＡｌ電極をパターン加工したところ、図２に示す
とおり、電極幅の平均値は２７０μｍであった。しか
し、複数箇所において蒸着されたＡｌの大きな回り込み
が見られ、１６本中隣り合う１０組の電極間が電気的に
短絡していた。
にしてＡｌ電極をパターン加工したところ、図２に示す
とおり、電極幅の平均値は２７０μｍであった。しか
し、複数箇所において蒸着されたＡｌの大きな回り込み
が見られ、１６本中隣り合う１０組の電極間が電気的に
短絡していた。
【００４４】実施例２ 開口部幅が２５０μｍ、残り幅が５０μｍ（ピッチは３
００μｍと同じである）であること以外は、実施例１と
同様にしてＡｌ電極をパターン加工した。蒸着されたＡ
ｌ電極を顕微鏡で観察した写真が図３である。電極幅は
２５５μｍであった。また、電極間の電気的短絡は皆無
であり、隣り合う電極間の抵抗は測定限界である２０Ｍ
Ω以上であった。
００μｍと同じである）であること以外は、実施例１と
同様にしてＡｌ電極をパターン加工した。蒸着されたＡ
ｌ電極を顕微鏡で観察した写真が図３である。電極幅は
２５５μｍであった。また、電極間の電気的短絡は皆無
であり、隣り合う電極間の抵抗は測定限界である２０Ｍ
Ω以上であった。
【００４５】比較例２ 蒸着の際に磁石を使用しなかった以外は実施例２と同様
にしてＡｌ電極をパターン加工したところ、図４に示す
とおり、隣り合うすべての電極同士が重なり合い、電極
幅は測定不可能だった。抵抗値の測定においても、隣り
合うすべての電極間は電気的に短絡状態となっていた。
にしてＡｌ電極をパターン加工したところ、図４に示す
とおり、隣り合うすべての電極同士が重なり合い、電極
幅は測定不可能だった。抵抗値の測定においても、隣り
合うすべての電極間は電気的に短絡状態となっていた。
【００４６】実施例３ ＩＴＯ透明電極膜（電子ビーム蒸着品、１５Ω／□）の
付いた厚さ１．１ｍｍのガラス基板を３８×４６ｍｍの
大きさに切断し、フォトリソグラフィー法によってＩＴ
Ｏを３００μｍピッチ（ＩＴＯ残り幅２７０μｍ）×３
２本のストライプ状にパターン加工した。ＩＴＯストラ
イプの長辺方向片側は、外部との電気的接続を容易にす
るために１．２７ｍｍピッチ（開口部幅８００μｍ）ま
で広げられている。この基板の洗浄を行い、ＵＶ−オゾ
ン処理を施した。これを真空蒸着装置内に固定して、装
置内の真空度が２×１０-4Ｐａ以下になるまで排気し
た。正孔輸送材料であるビス（ｍ−メチルフェニルカル
バゾール）をタンタルボートから抵抗加熱方式によって
０．３ｎｍ／秒の速度で１２０ｎｍ蒸着し、０．３５ｗ
ｔ％キナクリドンをドーピングした８−ヒドロキシキノ
リンアルミニウム（Ａｌｑ３）を０．３ｎｍ／秒の速度
で３０ｎｍ、さらに、Ａｌｑ３を０．３ｎｍ／秒の速度
で７０ｎｍを順次蒸着した。以上の有機物の蒸着は基板
全面に行った。次に、実施例１と同様に磁石を用いて、
ＩＴＯと電極のストライプパターンが直交するようにマ
スクをセットした。真空中において、すでに成膜された
有機層をリチウム蒸気にさらしてドーピング（膜厚換算
量１ｎｍ）した後、Ａｌを０．５ｎｍ／秒の速度で１５
０ｎｍの厚さに蒸着した。
付いた厚さ１．１ｍｍのガラス基板を３８×４６ｍｍの
大きさに切断し、フォトリソグラフィー法によってＩＴ
Ｏを３００μｍピッチ（ＩＴＯ残り幅２７０μｍ）×３
２本のストライプ状にパターン加工した。ＩＴＯストラ
イプの長辺方向片側は、外部との電気的接続を容易にす
るために１．２７ｍｍピッチ（開口部幅８００μｍ）ま
で広げられている。この基板の洗浄を行い、ＵＶ−オゾ
ン処理を施した。これを真空蒸着装置内に固定して、装
置内の真空度が２×１０-4Ｐａ以下になるまで排気し
た。正孔輸送材料であるビス（ｍ−メチルフェニルカル
バゾール）をタンタルボートから抵抗加熱方式によって
０．３ｎｍ／秒の速度で１２０ｎｍ蒸着し、０．３５ｗ
ｔ％キナクリドンをドーピングした８−ヒドロキシキノ
リンアルミニウム（Ａｌｑ３）を０．３ｎｍ／秒の速度
で３０ｎｍ、さらに、Ａｌｑ３を０．３ｎｍ／秒の速度
で７０ｎｍを順次蒸着した。以上の有機物の蒸着は基板
全面に行った。次に、実施例１と同様に磁石を用いて、
ＩＴＯと電極のストライプパターンが直交するようにマ
スクをセットした。真空中において、すでに成膜された
有機層をリチウム蒸気にさらしてドーピング（膜厚換算
量１ｎｍ）した後、Ａｌを０．５ｎｍ／秒の速度で１５
０ｎｍの厚さに蒸着した。
【００４７】得られた３２×１６画素の単純マトリクス
有機電界発光素子を線順次駆動により発光させたとこ
ろ、明瞭な文字表示が可能であった。発光領域を顕微鏡
で観察した写真を図５に示す。１つの画素は２７０μｍ
×２５５μｍであり、それぞれの辺の長さは実際にパタ
ーン加工されたＩＴＯおよびＡｌ電極幅に対応してい
た。
有機電界発光素子を線順次駆動により発光させたとこ
ろ、明瞭な文字表示が可能であった。発光領域を顕微鏡
で観察した写真を図５に示す。１つの画素は２７０μｍ
×２５５μｍであり、それぞれの辺の長さは実際にパタ
ーン加工されたＩＴＯおよびＡｌ電極幅に対応してい
た。
【００４８】実施例４ 発光層用マスクとして、外形１２０×８４ｍｍ、厚さ２
５μｍのＮｉ板に開口部を設けたマスクを用意した。開
口部の基本形状は長さ６７．２ｍｍ、幅１００μｍのス
トライプであり、ピッチ３００μｍで幅方向に２７２本
が並んでいる。図６に模式的に示すように、各ストライ
プ状開口部２ａには、開口部の変形を防止するために
４．８ｍｍごとに幅２０μｍの渡り線３が存在してい
る。陰極用マスクとしては、外形１２０×８４ｍｍ、厚
さ１００μｍのコバール板に、ウェットエッチングによ
って開口部を設けたマスクを用意した。図７に模式的に
示すように、各ストライプ状開口部２ｂは長さ１００ｍ
ｍ、幅２７０μｍであり、ピッチ６００μｍで幅方向に
１００本が並んでいる。上記２種類のマスクを、その平
面性を損なわないように注意しながら、電子ビーム溶接
法によって外形が等しい２ｍｍ幅のステンレス鋼枠に固
定した。
５μｍのＮｉ板に開口部を設けたマスクを用意した。開
口部の基本形状は長さ６７．２ｍｍ、幅１００μｍのス
トライプであり、ピッチ３００μｍで幅方向に２７２本
が並んでいる。図６に模式的に示すように、各ストライ
プ状開口部２ａには、開口部の変形を防止するために
４．８ｍｍごとに幅２０μｍの渡り線３が存在してい
る。陰極用マスクとしては、外形１２０×８４ｍｍ、厚
さ１００μｍのコバール板に、ウェットエッチングによ
って開口部を設けたマスクを用意した。図７に模式的に
示すように、各ストライプ状開口部２ｂは長さ１００ｍ
ｍ、幅２７０μｍであり、ピッチ６００μｍで幅方向に
１００本が並んでいる。上記２種類のマスクを、その平
面性を損なわないように注意しながら、電子ビーム溶接
法によって外形が等しい２ｍｍ幅のステンレス鋼枠に固
定した。
【００４９】実施例３と同じＩＴＯ透明電極膜のついた
ガラス基板１０を１２０×１００ｍｍの大きさに切断
し、図８のように通常のフォトリソグラフィー法によっ
てＩＴＯを１００μｍピッチ（ＩＴＯ残り幅９０μｍ）
×８１６本のストライプ２０にパターン加工した。次
に、非感光性ポリイミドにフタロシアニン系酸化縮合物
を主成分とする黒色顔料を混合したペーストを上記基板
上にスピンコート法により塗布し、クリーンオーブンに
よる窒素雰囲気下で１４０℃、１０分間のセミキュアを
行った。ポジ型フォトレジストを用いた通常のフォトリ
ソグラフィー法により上記ポリイミド層をパターン加工
した後で、２８０℃、３０分間のキュアを行い、スペー
サーとブラックマトリクスとを兼ねた厚さ１．０μｍの
黒色層を形成した。図９に示すように、この黒色層３０
には７０×２５０μｍの開口部３１が設けられており、
開口部からは下地のＩＴＯストライプ２０の中心部分が
露出している。また、黒色層の体積抵抗率は１０8 Ωｃ
ｍ以上あり、良好な絶縁性を有していた。
ガラス基板１０を１２０×１００ｍｍの大きさに切断
し、図８のように通常のフォトリソグラフィー法によっ
てＩＴＯを１００μｍピッチ（ＩＴＯ残り幅９０μｍ）
×８１６本のストライプ２０にパターン加工した。次
に、非感光性ポリイミドにフタロシアニン系酸化縮合物
を主成分とする黒色顔料を混合したペーストを上記基板
上にスピンコート法により塗布し、クリーンオーブンに
よる窒素雰囲気下で１４０℃、１０分間のセミキュアを
行った。ポジ型フォトレジストを用いた通常のフォトリ
ソグラフィー法により上記ポリイミド層をパターン加工
した後で、２８０℃、３０分間のキュアを行い、スペー
サーとブラックマトリクスとを兼ねた厚さ１．０μｍの
黒色層を形成した。図９に示すように、この黒色層３０
には７０×２５０μｍの開口部３１が設けられており、
開口部からは下地のＩＴＯストライプ２０の中心部分が
露出している。また、黒色層の体積抵抗率は１０8 Ωｃ
ｍ以上あり、良好な絶縁性を有していた。
【００５０】この基板を洗浄し、ＵＶ−オゾン処理を施
した後で、真空蒸着機に固定して装置内の真空度が２×
１０-4Ｐａ以下になるまで排気した。まず、それぞれ正
孔輸送材料として、銅フタロシアニンを２０ｎｍ、ビス
（ｍ−メチルフェニルカルバゾール）を１００ｎｍ、基
板全面に蒸着して正孔輸送層３２を形成した。次に、発
光層用マスクを基板前方に配置し、基板後方に１１０×
１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍ、残留磁束密度０．３Ｔのフ
ェライト系板磁石を置いて、これらを固定した。この
際、マスクのストライプ状開口部２ａと基板のＩＴＯス
トライプ２０との中心線が一致し、かつ、渡り線３が黒
色層開口部３１を干渉しないように位置をあわせた。真
空中で、青色発光層４０として０．３ｗｔ％のペリレン
をドーピングしたビス（２−メチル−８−ヒドロキシキ
ノリノラト）−パラフェニルフェノラトアルミニウム
（ＢＡｌｑ3 ）を３０ｎｍ、さらに、ＢＡｌｑ3 を７０
ｎｍ順次蒸着した。発光層用マスクを基板に対して１／
３ピッチだけずらしてから基板と磁石とを固定し、隣の
ＩＴＯストライプ上に緑色発光層４１として０．３ｗｔ
％のキナクリドンをドーピングしたＡｌｑ3 を３０ｎ
ｍ、さらに、Ａｌｑ3 を９０ｎｍ順次蒸着した。同様に
して、さらに隣のＩＴＯストライプ上に赤色発光層４２
として０．３ｗｔ％の４−（ジシアノメチレン）−２−
メチル−６−（パラジメチルアミノスチリル）−４−ピ
ラン（ＤＣＭ）をドーピングしたＡｌｑ3を３０ｎｍ、
さらに、Ａｌｑ3 を８０ｎｍ順次蒸着した。それぞれの
発光層は図１０のようにＩＴＯストライプ２０の３本お
きに配置され、ＩＴＯ露出部分を完全に覆っている。こ
の後、発光層用マスクを取り外し、基板全面に発光層被
覆層４３としてＡｌｑ3 を２０ｎｍ蒸着した。次に、陰
極用マスクを基板前方に配置し、基板後方に前記と同じ
磁石を置いて、これらを固定した。この際、マスクのス
トライプ状開口部２ｂが、基板のＩＴＯストライプ２０
と直交し、しかも、黒色層開口部３１の中心に一致する
ように位置をあわせた。真空中において、すでに成膜さ
れた有機層をリチウム蒸気にさらしてドーピング（膜厚
換算量１ｎｍ）した後、Ａｌを２００ｎｍの厚さに蒸着
して陰極とした。この段階では、陰極５０ａは図１１の
ようにピッチ６００μｍ（電極幅２７５μｍ）である。
さらに、陰極用蒸着マスクを基板に対して１／２ピッチ
だけずらしてから基板と磁石とを固定し、同様にＬｉド
ーピングとＡｌ陰極の蒸着をすることで、１回目に成膜
した陰極の隙間に同じ電極幅の陰極５０ｂを形成した。
図１２および１３に模式的に示すように、最終的に８１
６本のＩＴＯストライプ上に赤、緑、青色（ＲＧＢ）の
発光層が交互に並び、ＩＴＯと直交するようにピッチ３
００μｍの陰極が２００本並ぶ単純マトリクス型カラー
ディスプレイが得られた。ＲＧＢからなる３つの発光領
域が１画素を形成するので、本ディスプレイは３００μ
ｍピッチで２７２×２００画素を有することになる。な
お、図１３では説明を容易にするために黒色層３０の厚
さが発光部分より薄く描かれているが、実際には発光部
分より厚く形成されており、マスクとの接触から発光部
分を保護するスペーサーとしての機能を十分に果たして
いた。
した後で、真空蒸着機に固定して装置内の真空度が２×
１０-4Ｐａ以下になるまで排気した。まず、それぞれ正
孔輸送材料として、銅フタロシアニンを２０ｎｍ、ビス
（ｍ−メチルフェニルカルバゾール）を１００ｎｍ、基
板全面に蒸着して正孔輸送層３２を形成した。次に、発
光層用マスクを基板前方に配置し、基板後方に１１０×
１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍ、残留磁束密度０．３Ｔのフ
ェライト系板磁石を置いて、これらを固定した。この
際、マスクのストライプ状開口部２ａと基板のＩＴＯス
トライプ２０との中心線が一致し、かつ、渡り線３が黒
色層開口部３１を干渉しないように位置をあわせた。真
空中で、青色発光層４０として０．３ｗｔ％のペリレン
をドーピングしたビス（２−メチル−８−ヒドロキシキ
ノリノラト）−パラフェニルフェノラトアルミニウム
（ＢＡｌｑ3 ）を３０ｎｍ、さらに、ＢＡｌｑ3 を７０
ｎｍ順次蒸着した。発光層用マスクを基板に対して１／
３ピッチだけずらしてから基板と磁石とを固定し、隣の
ＩＴＯストライプ上に緑色発光層４１として０．３ｗｔ
％のキナクリドンをドーピングしたＡｌｑ3 を３０ｎ
ｍ、さらに、Ａｌｑ3 を９０ｎｍ順次蒸着した。同様に
して、さらに隣のＩＴＯストライプ上に赤色発光層４２
として０．３ｗｔ％の４−（ジシアノメチレン）−２−
メチル−６−（パラジメチルアミノスチリル）−４−ピ
ラン（ＤＣＭ）をドーピングしたＡｌｑ3を３０ｎｍ、
さらに、Ａｌｑ3 を８０ｎｍ順次蒸着した。それぞれの
発光層は図１０のようにＩＴＯストライプ２０の３本お
きに配置され、ＩＴＯ露出部分を完全に覆っている。こ
の後、発光層用マスクを取り外し、基板全面に発光層被
覆層４３としてＡｌｑ3 を２０ｎｍ蒸着した。次に、陰
極用マスクを基板前方に配置し、基板後方に前記と同じ
磁石を置いて、これらを固定した。この際、マスクのス
トライプ状開口部２ｂが、基板のＩＴＯストライプ２０
と直交し、しかも、黒色層開口部３１の中心に一致する
ように位置をあわせた。真空中において、すでに成膜さ
れた有機層をリチウム蒸気にさらしてドーピング（膜厚
換算量１ｎｍ）した後、Ａｌを２００ｎｍの厚さに蒸着
して陰極とした。この段階では、陰極５０ａは図１１の
ようにピッチ６００μｍ（電極幅２７５μｍ）である。
さらに、陰極用蒸着マスクを基板に対して１／２ピッチ
だけずらしてから基板と磁石とを固定し、同様にＬｉド
ーピングとＡｌ陰極の蒸着をすることで、１回目に成膜
した陰極の隙間に同じ電極幅の陰極５０ｂを形成した。
図１２および１３に模式的に示すように、最終的に８１
６本のＩＴＯストライプ上に赤、緑、青色（ＲＧＢ）の
発光層が交互に並び、ＩＴＯと直交するようにピッチ３
００μｍの陰極が２００本並ぶ単純マトリクス型カラー
ディスプレイが得られた。ＲＧＢからなる３つの発光領
域が１画素を形成するので、本ディスプレイは３００μ
ｍピッチで２７２×２００画素を有することになる。な
お、図１３では説明を容易にするために黒色層３０の厚
さが発光部分より薄く描かれているが、実際には発光部
分より厚く形成されており、マスクとの接触から発光部
分を保護するスペーサーとしての機能を十分に果たして
いた。
【００５１】作製したディスプレイを発光させたとこ
ろ、各発光領域はＲＧＢそれぞれ独立の色で発光してお
り、発光層を蒸着する際に蒸着物が他の発光領域に回り
込むことに起因する発光色のにじみなどは認められなか
った。同様にストライプ状の陰極同士の短絡も皆無であ
った。発光領域の大きさは７０×２５０μｍであり、黒
色層の開口部サイズと一致していた。また、線順次駆動
により明瞭なパターン表示と、そのマルチカラー化が可
能であった。
ろ、各発光領域はＲＧＢそれぞれ独立の色で発光してお
り、発光層を蒸着する際に蒸着物が他の発光領域に回り
込むことに起因する発光色のにじみなどは認められなか
った。同様にストライプ状の陰極同士の短絡も皆無であ
った。発光領域の大きさは７０×２５０μｍであり、黒
色層の開口部サイズと一致していた。また、線順次駆動
により明瞭なパターン表示と、そのマルチカラー化が可
能であった。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、ウェットプロセスを用
いることなく、良好なパターン加工精度をもつ有機電界
発光素子を製造することができる。
いることなく、良好なパターン加工精度をもつ有機電界
発光素子を製造することができる。
【図１】実施例１によってパターン加工されたＡｌ電極
のパターンの顕微鏡写真である。
のパターンの顕微鏡写真である。
【図２】比較例１によってパターン加工されたＡｌ電極
のパターンの顕微鏡写真である。
のパターンの顕微鏡写真である。
【図３】実施例２によってパターン加工されたＡｌ電極
のパターンの顕微鏡写真である。
のパターンの顕微鏡写真である。
【図４】比較例２によってパターン加工されたＡｌ電極
のパターンの顕微鏡写真である。
のパターンの顕微鏡写真である。
【図５】実施例３によってパターン加工された有機電界
発光素子の画素部分のパターンの顕微鏡写真である。
発光素子の画素部分のパターンの顕微鏡写真である。
【図６】実施例４で使用した発光層用マスクの概要を説
明する平面図である。
明する平面図である。
【図７】実施例４で使用した陰極用マスクの概要を説明
する平面図である。
する平面図である。
【図８】実施例４の有機電界発光素子の概要を説明する
平面図である（ＩＴＯパターン加工段階）。
平面図である（ＩＴＯパターン加工段階）。
【図９】実施例４の有機電界発光素子の概要を説明する
平面図である（黒色層形成段階）。
平面図である（黒色層形成段階）。
【図１０】実施例４の有機電界発光素子の概要を説明す
る平面図である（ＲＧＢ発光層形成段階）。
る平面図である（ＲＧＢ発光層形成段階）。
【図１１】実施例４の有機電界発光素子の概要を説明す
る平面図である（１回目の陰極形成段階）。
る平面図である（１回目の陰極形成段階）。
【図１２】実施例４で作製した有機電界発光素子の概要
を説明する平面図である。
を説明する平面図である。
【図１３】図１２のＡＡ′断面図である。
１ａ、１ｂ マスク部分 ２ａ、２ｂ ストライプ状開口部 ３ 渡り線 １０ ガラス基板 ２０ ＩＴＯストライプ ３０ 黒色層 ３１ 黒色層開口部 ３２ 正孔輸送層 ４０ 青色発光層 ４１ 緑色発光層 ４２ 赤色発光層 ４３ 発光層被覆層 ５０ａ、５０ｂ 陰極
Claims (17)
- 【請求項１】陽極と陰極との間に有機化合物からなる発
光層が存在する有機電界発光素子において、該素子に含
まれるパターン加工部分が、磁力によって基板へ密着さ
せたマスクを介して形成されることを特徴とする有機電
界発光素子の製造方法。 - 【請求項２】有機電界発光素子の製造面である基板表側
に磁場によって吸引力の及ぼされるマスクを配置し、基
板裏側には磁場発生源を配置することを特徴とする請求
項１記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項３】マスクが、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち１種類
以上の元素を合計１％以上含むことを特徴とする請求項
１または２記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項４】マスクが、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち１種類
以上の元素を合計２０％以上含むことを特徴とする請求
項１または２記載有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項５】マスクの厚さが２ｍｍ以下であることを特
徴とする請求項１または２記載の有機電界発光素子の製
造方法。 - 【請求項６】マスクの厚さが５００μｍ以下であること
を特徴とする請求項１または２記載の有機電界発光素子
の製造方法。 - 【請求項７】マスクの最小パターンピッチが２ｍｍ以下
であることを特徴とする請求項１または２記載の有機電
界発光素子の製造方法。 - 【請求項８】マスクの最小パターンピッチが５００μｍ
以下であることを特徴とする請求項１または２記載の有
機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項９】磁場発生源が電磁石であることを特徴とす
る請求項２記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１０】磁場発生源が永久磁石であることを特徴
とする請求項２記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１１】陽極または陰極の少なくとも一方が透明
であることを特徴とする請求項１または２記載の有機電
界発光素子の製造方法。 - 【請求項１２】透明な基板上に透明な陽極が設けられて
いることを特徴とする請求項１または２記載の有機電界
発光素子の製造方法。 - 【請求項１３】パターン加工部分が発光層であることを
特徴とする請求項１または２記載の有機電界発光素子の
製造方法。 - 【請求項１４】発光層を蒸着法によって形成することを
特徴とする請求項１３記載の有機電界発光素子の製造方
法。 - 【請求項１５】パターン加工部分が陽極または陰極の少
なくとも一方であることを特徴とする請求項１または２
記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１６】陽極あるいは陰極を蒸着法もしくはスパ
ッタリング法によって形成することを特徴とする請求項
１５記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１７】有機電界発光素子の非発光部分にスペー
サーを設けることを特徴とする請求項１または２記載の
有機電界発光素子の製造方法。
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