JPH10322144A - 電力増幅器及びその調整方法 - Google Patents

電力増幅器及びその調整方法

Info

Publication number
JPH10322144A
JPH10322144A JP9127225A JP12722597A JPH10322144A JP H10322144 A JPH10322144 A JP H10322144A JP 9127225 A JP9127225 A JP 9127225A JP 12722597 A JP12722597 A JP 12722597A JP H10322144 A JPH10322144 A JP H10322144A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adjustment
effect transistor
power amplifier
amplification
gate voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9127225A
Other languages
English (en)
Inventor
Yohei Ichikawa
洋平 市川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP9127225A priority Critical patent/JPH10322144A/ja
Priority to US09/066,778 priority patent/US5986503A/en
Priority to EP98107974A priority patent/EP0878904A3/en
Priority to CN98108431A priority patent/CN1100382C/zh
Priority to KR1019980017469A priority patent/KR100312934B1/ko
Publication of JPH10322144A publication Critical patent/JPH10322144A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H03F3/1935High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/306Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in junction-FET amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/411Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 無線通信機器に搭載される電力増幅器におけ
る複数の増幅用トランジスタを用いた場合や電源電圧線
が周辺回路と接続されている場合のゲート電圧の調整方
法及びその構成を提供するものである。 【解決手段】 プリント基板上に実装された前段増幅用
電界効果トランジスタ1,後段増幅用電界効果トランジ
スタ2のゲート電圧を供給するバイアス回路6,9に可
変抵抗部14,15を備え、その抵抗値は調整前に増幅用電
界効果トランジスタ1,2がピンチオフされるように設
定されており、増幅用電界効果トランジスタ1,2のド
レイン電極に流れる電流値を規定値内になるように可変
抵抗部14,15の抵抗値を調整する。したがって、調整前
にはドレイン電流が流れない状態にある。そこで増幅用
電界効果トランジスタ1,2を順番に調整していけば調
整前後のドレイン電流の差よりそれぞれの増幅用電界効
果トランジスタの電流の測定ができ、ゲート電圧の調整
が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、無線通信機器に搭
載される電力増幅器及びその調整方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば携帯電話の電力増幅器は、
ガリウム砒素電界効果トランジスタ(GaAsMESFE
T)を用いて構成されている。
【0003】以下図面を参照しながら、上記した従来の
電力増幅器及びその調整方法の一例について説明する。
【0004】図7(a),(b),(c)は従来の携帯電話にお
ける電力増幅器の回路構成図を示すものである。図7
(a)は従来例の第1の構成を示しており、2は増幅用ト
ランジスタ、3は入力回路、5は負荷回路、9は増幅用
トランジスタ2のゲート電圧を供給するバイアス回路、
10,11は増幅用トランジスタ2のゲート電圧調整用の抵
抗器、13は電源チョークコイルであり、増幅用トランジ
スタ2のドレイン端子に接続されており、Vggはゲート
電圧電源であり、Vddの電圧を外部から供給する。以上
のように構成された電力増幅器について、以下その調整
方法について説明する。
【0005】一般に増幅用トランジスタ2として用いら
れるGaAsMESFETでは、電気特性の部品ばらつき
が大きい。例えば、図7の増幅用トランジスタ2につい
て動作時のゲート電圧(Vop)をドレイン・ソース電流Id
sが500mAのときのゲート・ソース間電圧Vgsと定義すれ
ば、Vop=-1.0〜-2.0Vとなる。
【0006】電力増幅器の特性のばらつきを抑えるため
には、個々のGaAsMESFETに対し、動作時のゲー
ト電圧(Vop)を調整して、高周波の無入力時の電流(以
下アイドル電流という)を一定にし、動作点を一定にす
る必要がある。
【0007】そのため、第1の調整方法として事前にG
aAsMESFETをVopの範囲に応じてランク分けを行
い、バイアス調整用抵抗をランクに従って定数を変え
て、アイドル電流を設定値内にする方法がある。例え
ば、図7(a)については、抵抗器10,11の定数を増幅用
トランジスタ2のランクに応じて変える。
【0008】第2の調整方法として図7(a)のゲート電
圧を供給するバイアス回路9の中の抵抗器10,11を可変
抵抗として、増幅用トランジスタ2のドレイン電流を参
照しながら可変抵抗の抵抗値を調整し、アイドル電流を
設定値内にするという方法がある。
【0009】第3の調整方法として図7(b)に示す構成
の送信電力増幅器の抵抗器21の部分に対して、図7(c)
に示すようにゲート電圧を供給しバイアス回路を制御す
る制御回路22と、ゲート電圧の設定値を記憶する記憶部
23と、負電源24及びデジタルアナログ変換器25を備え、
増幅用トランジスタ2のドレイン電流を参照しながらゲ
ート電圧を調整し、アイドル電流を設定値内にし、記憶
部に記憶させるという方法がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
調整の第1の方法では、ランク分けを非常に細かくして
アイドル電流のばらつきを小さくしなければ、特性のば
らつきを抑制することができないし、またランク分けを
細かくすると生産性に欠ける。
【0011】また、第2,第3の方法では、電源電圧線
が、プリント基板上で複数の増幅用トランジスタのドレ
イン電極に接続されている場合や、周辺回路に接続され
ている場合に、個々の増幅用トランジスタのドレイン電
流を直接測定することが困難である。そのため、例え
ば、個々の増幅用トランジスタのドレイン電源にスイッ
チを入れればそれぞれのドレイン電流の測定は可能であ
るが、小型化の妨げとなる。
【0012】従って本発明は上記問題点に鑑み、電源電
圧線が、プリント基板上で複数の増幅用トランジスタの
ドレイン電極に接続されている場合や、周辺回路に接続
されている場合のゲート電圧の調整方法及びその構成を
提供することを目的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決する目的を達成するために、プリント基板上に実装さ
れた増幅用電界効果トランジスタのゲート電圧を供給す
るバイアス回路に可変抵抗部を備え、前記可変抵抗部の
抵抗値は調整前に前記増幅用電界効果トランジスタがピ
ンチオフされるように設定されており、前記増幅用電界
効果トランジスタのドレイン電極に流れる電流値を規定
値内になるように前記可変抵抗部の抵抗値を調整するこ
とを特徴とする。
【0014】また、プリント基板上にて実装された増幅
用電界効果トランジスタのゲート電圧を供給するバイア
ス回路を制御する制御回路と、前記ゲート電圧の設定値
を記憶する記憶部を備え、ゲート電圧は、調整前では増
幅用電界効果トランジスタがピンチオフされるように設
定されており、調整時は前記増幅用電界効果トランジス
タのドレイン電極に流れる電流値を参照しつつ増加さ
せ、前記電流値が規定値内になったときに前記記憶部に
調整値を記憶させることを特徴とする。
【0015】本発明は上記した構成によって、調整前に
は、増幅用トランジスタがピンチオフしており、ドレイ
ン電流が流れない状態にある。増幅用トランジスタを順
番に調整していけば調整前後のドレイン電流の差よりそ
れぞれの増幅用のトランジスタの電流の測定が可能にな
る。
【0016】
【発明の実施の形態】以下本発明の電力増幅器の構成と
その調整方法の各実施の形態について、図面を参照しな
がら説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の実施の形態1における
電力増幅器の回路構成図である。図1において、1は前
段増幅用トランジスタ、2は後段増幅用トランジスタ、
3は入力回路、4は段間回路、5は負荷回路、6は前段
増幅用トランジスタ1のゲート電圧を供給するバイアス
回路、7は抵抗器、14は前段増幅用トランジスタ1のゲ
ート電圧調整用の可変抵抗部、9は後段増幅用トランジ
スタ2のゲート電圧を供給するバイアス回路、10は抵抗
器、15は後段増幅用トランジスタ2のゲート電圧調整用
の可変抵抗部、12,13は電源チョークコイルである。
【0017】例えば、Vdd=3.5V,Vgg=-2.5V、前
段増幅用トランジスタ1のアイドル電流の設定値を120
±5mA、後段増幅用トランジスタ2のアイドル電流の設
定値を500±10mAとする。前段増幅用トランジスタ1、
後段増幅用トランジスタ2のゲート電圧の設定値(Vop)
は、Vop=-1.0〜-2.0Vのばらつきがある。このとき前
段増幅用トランジスタ1,後段増幅用トランジスタ2の
ピンチオフ電圧(Vp)は、Vp=-1.4〜-2.4Vのばらつき
がある。
【0018】ここでゲート電圧電源Vggの電流(Igg)を
1mA以下とするため、抵抗器7,抵抗器10の抵抗値を4
kΩとすれば、調整終了時に可変抵抗部14,可変抵抗部1
5の抵抗値は、2〜8kΩに設定されなければならない。
さらに、調整前の可変抵抗部14,可変抵抗部15の抵抗値
は、増幅用トランジスタ1,2をピンチオフさせなけれ
ばならないので160Ω以下が必要である。したがって、
可変抵抗部14,15の抵抗値は160Ω〜8kΩが必要であ
る。
【0019】以上のように構成された電力増幅器につい
て、その調整方法を説明する。
【0020】図2は調整フロー図を示し、Vgg=-2.5
V,Vdd=3.5Vをこの順番に印加し(ステップ1、以下
「S1」という)、Vddに流れる初期電流(I0)を測定す
る(S2)。このとき、前段増幅用トランジスタ1と後段増
幅用トランジスタ2はピンチオフしているため、初期電
流(I0)は、前段増幅用トランジスタ1,後段増幅用トラ
ンジスタ2のドレイン電流以外の周辺回路の電流値を測
定することになる。
【0021】次に電流(I1)測定を行いながら、前段増幅
用トランジスタ1の可変抵抗部14を調整していく(S3,S
4)。電流(I1)は、前段増幅用トランジスタ1、後段増幅
用トランジスタ2以外の電流値と前段増幅用トランジス
タ1のドレイン電流の和になる。前段増幅用トランジス
タ1のドレイン電流(I1-I0)が設定値(120±5mA)になれ
ば可変抵抗部14の調整を終了する(S5のYes)。
【0022】さらに電流(I2)測定を行いながら、後段増
幅用トランジスタ2の可変抵抗部15を調整していく(S
6)。電流(I2)は、前段増幅用トランジスタ1,後段増幅
用トランジスタ2以外の電流値I0と前段増幅用トランジ
スタ1の設定済のアイドル電流(I1-IO=120±5mA)と後
段増幅用トランジスタ2のドレイン電流の和である(S
7)。後段増幅用トランジスタ2のドレイン電流(I2-I1)
が設定値(500±10mA)になれば可変抵抗部15の調整を終
了する(S8のYes)。
【0023】以上のように本実施の形態によれば、調整
前には増幅用トランジスタがピンチオフしており、ドレ
イン電流が流れない状態にあるため、増幅用トランジス
タを順番に調整していくことにより調整前後のドレイン
電流の差から、それぞれの増幅用トランジスタの電流の
測定ができる。また、ドレイン電極に流れる電流値の規
定値の少ない増幅用トランジスタから調整することによ
り、増幅用トランジスタでの発熱量を抑え、温度変化を
小さくして、正確に調整することができる。
【0024】(実施の形態2)しかしながら、実施の形
態1において、可変抵抗部14,15の抵抗値は、160Ω〜
8kΩが必要であり、これを1つの可変抵抗器で抵抗値
を微調整して電流値を合わせることは非常に困難であ
る。これを解決するのが本発明の実施の形態2であり、
以下これについて図面を参照しながら説明する。
【0025】図3は本発明の実施の形態2における電力
増幅器の回路構成図である。図3に示すように前記図1
における前段増幅用トランジスタ1のゲート電圧調整用
の可変抵抗部14について可変抵抗器14a,14bを2つ並列
に接続して構成し、また後段増幅用トランジスタ2のゲ
ート電圧調整用の可変抵抗部15についても可変抵抗器15
a,15bを2つ並列に接続して構成したものである。可変
抵抗器14b,15bは、2〜8kΩとする。可変抵抗器14a,
15aは初期抵抗160Ω以下であり、調整により完全に絶縁
できるものとする。例えば0Ωの抵抗器でこれをレーザ
ーカット等により絶縁させることができる。
【0026】以上のように構成された電力増幅器につい
て、その調整方法を説明する。
【0027】図4は調整フロー図を示し、Vgg=-2.5
V,Vdd=3.5Vをこの順番に印加し(S11)、Vddに流れ
る初期電流(I0)を測定する(S12)。このとき、前段増幅
用トランジスタ1と後段増幅用トランジスタ2はピンチ
オフしているため、初期電流(I0)は、前段増幅用トラン
ジスタ1,後段増幅用トランジスタ2のドレイン電流以
外の周辺回路の電流値を測定することになる。
【0028】次に可変抵抗器14aを絶縁させ、電流(I1)
測定を行いながら(S12,S13)、前段増幅用トランジスタ
1の可変抵抗器14aを調整していく(S14)。電流(I1)は、
前段増幅用トランジスタ1,後段増幅器用トランジスタ
2以外の電流値と前段増幅用トランジスタ1のドレイン
電流の和になる(S15)。前段増幅用トランジスタ1のド
レイン電流(I1-I0)が設定値(120±5mA)になれば可変抵
抗器14aの調整を終了する(S16)。
【0029】さらに可変抵抗器15aを絶縁させ電流(I2)
測定を行いながら(S17)、後段増幅用トランジスタ2の
可変抵抗器15aを調整していく(S18)。電流(I2)は、前段
増幅用トランジスタ1,後段増幅用トランジスタ2以外
の電流値I0と前段増幅用トランジスタ1の設定済のアイ
ドル電流(I1-I0=120±5mA)と後段増幅用トランジスタ
2のドレイン電流の和である(S19)。後段増幅用トラン
ジスタ2のドレイン電流(I2-I1)が設定値(500±10mA)に
なれば可変抵抗器15aの調整を終了する(S20のYes)。
【0030】以上のように、可変抵抗部について可変抵
抗器を2つ並列に接続して構成したことにより、可変幅
の小さい可変抵抗器の使用が可能となり、抵抗値の微調
整が容易にできる。
【0031】なお、可変抵抗器14a,15aは初期抵抗160
Ω以下であり、調整により完全に絶縁できるものとした
が、完全に絶縁できなくても可変抵抗器14b,15bに比
べ、十分に高い抵抗値であれば良い。また、可変抵抗器
14a,15aの代わりにプリント基板上のパターンで接続し
ても同じ効果が得られる。電流調整前はパターンは接続
されており、増幅用トランジスタはピンチオフされてい
る。電流調整時にパターンを切断して可変抵抗器14b,1
5bを調整すれば良い。
【0032】(実施の形態3)図5(a)は本発明の実施
の形態3における電力増幅器の回路構成図、図5(b)は
調整方法を説明するブロック図である。図5(b)におい
て、制御回路22は記憶部23に接続され、制御回路22の出
力及び負電源24がデジタルアナログ変換器25,26に接続
され、それぞれ、Vgg1,Vgg2を生成し、図5(a)の前
段増幅用トランジスタ1,後段増幅用トランジスタ2の
各ゲート電圧を与える構成になっている。ここで制御回
路22,記憶部23は、無線通信機器に備えられているもの
を用いることができる。
【0033】以上のように構成された電力増幅器につい
て、その調整方法を説明する。
【0034】図6は調整フロー図を示し、Vgg1=-2.5
V,Vgg2=-2.5V,Vdd=3.5Vをこの順番に印加し(S
31)、Vddに流れる初期電流(I0)を測定する(S32)。この
とき、前段増幅用トランジスタ1と後段増幅用トランジ
スタ2はピンチオフしているため、初期電流(I0)は前段
増幅用トランジスタ1,後段増幅用トランジスタ2のド
レイン電流以外の周辺回路の電流値を測定することにな
る(S32)。
【0035】次にVgg1を調整しながら(S33)電流(I1)測
定を行い(S34)、前段増幅用トランジスタ1のVgg1を調
整していく。電流(I1)は、前段増幅用トランジスタ1,
後段増幅用トランジスタ2以外の電流値と前段増幅用ト
ランジスタ1のドレイン電流の和になる。前段増幅用ト
ランジスタ1のドレイン電流(I1-I0)が設定値(120±5m
A)になればVgg1の調整を終了し(S35のYes)、デジタル
アナログ変換器25の出力電圧設定を記憶部23に記憶させ
る(S36)。
【0036】さらに電流(I2)測定を行いながら、後段増
幅用トランジスタ2のVgg2を調整していく(S37,S3
8)。電流(I2)は、前段増幅用トランジスタ1,後段増幅
用トランジスタ2以外の電流値I0と前段増幅用トランジ
スタ1の設定済のアイドル電流(I1-I0=120±5mA)と後
段増幅用トランジスタ2のドレイン電流の和である(S3
8)。後段増幅用トランジスタ2のドレイン電流(I2-I1)
が設定値(500±10mA)になればVgg2の調整を終了し(S39
のYes)、デジタルアナログ変換器26の出力電圧設定値を
記憶部23に記憶させる(S40)。動作時には、制御回路22
が記憶部23から出力電圧設定値を呼び出し、その設定値
がデジタルアナログ変換器25,26に送られ、それぞれV
gg1,Vgg2を生成する。
【0037】以上のように本実施の形態によれば、無線
通信機器に備えられている制御回路22,記憶部23を用い
て増幅用トランジスタの電流調整を行うものであり、実
施の形態1,2で必要な可変抵抗器の調整などの設備が
不要である。
【0038】なお、各実施の形態において電力増幅器を
2段構成としたが、1段又は、3段以上の電力増幅器で
も同様にして調整することができる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、調整前に
は増幅用トランジスタがピンチオフしており、ドレイン
電流が流れない状態にある。電源電圧線が、プリント基
板上で複数の増幅用トランジスタのドレイン電極に接続
されている場合や、周辺回路に接続されている場合の増
幅用トランジスタのゲート電圧の調整について、増幅用
トランジスタを順番に調整していけば調整前後のドレイ
ン電流の差よりそれぞれの増幅用トランジスタの電流の
測定ができ、調整が可能となる。
【0040】これにより、増幅用トランジスタのランク
による抵抗値の変更は不要になり、また、各増幅用トラ
ンジスタごとにドレイン電源のスイッチを設ける必要も
なく、小型でばらつきの少ない電力増幅器を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における電力増幅器の回
路構成図である。
【図2】図1の電力増幅器の調整フロー図である。
【図3】本発明の実施の形態2における電力増幅器の回
路構成図である。
【図4】図3の電力増幅器の調整フロー図である。
【図5】本発明の実施の形態3における電力増幅器の回
路構成図(a)と調整方法を説明するブロック図である。
【図6】図5の電力増幅器の調整フロー図である。
【図7】従来の携帯電話における電力増幅器の回路構成
図である。
【符号の説明】
1…前段増幅用トランジスタ、 2…後段増幅用トラン
ジスタ、 3…入力回路、 4…段間回路、 5…負荷
回路、 6…前段増幅用トランジスタのゲートバイアス
回路、 7,10…抵抗器、 9…後段増幅用トランジス
タのゲートバイアス回路、 12…前段増幅用トランジス
タの電源チョークコイル、 13…後段増幅用トランジス
タの電源チョークコイル、 14,15…可変抵抗部、 14
a,14b,15a,15b…可変抵抗器、 22…制御回路、 23
…記憶部、 25,26…デジタルアナログ変換器。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プリント基板上に実装された増幅用電界
    効果トランジスタのゲート電圧を供給するバイアス回路
    に可変抵抗部を備え、前記可変抵抗部の抵抗値は調整前
    に前記増幅用電界効果トランジスタがピンチオフされる
    ように設定されており、前記増幅用電界効果トランジス
    タのドレイン電極に流れる電流値を規定値内になるよう
    に前記可変抵抗器の抵抗値が調整されていることを特徴
    とする電力増幅器。
  2. 【請求項2】 前記バイアス回路の可変抵抗部は、2つ
    以上の可変抵抗器を並列に接続して構成されていること
    を特徴とする請求項1記載の電力増幅器。
  3. 【請求項3】 前記バイアス回路の可変抵抗部は、調整
    前には可変抵抗器と並列に前記プリント基板上のパター
    ンで電気的に接続して構成されており、調整後は前記パ
    ターンを切断されていることを特徴とする請求項1記載
    の電力増幅器。
  4. 【請求項4】 プリント基板上に実装された増幅用電界
    効果トランジスタのゲート電圧を供給するバイアス回路
    を制御する制御回路と、前記ゲート電圧の設定値を記憶
    する記憶部を備え、ゲート電圧は、調整前では増幅用電
    界効果トランジスタがピンチオフされるように設定され
    ており、調整時は前記増幅用電界効果トランジスタのド
    レイン電極に流れる電流値を参照しつつ増加させ、前記
    電流値が規定値内になったときには前記記憶部に調整値
    が記憶されていることを特徴とする電力増幅器。
  5. 【請求項5】 プリント基板上に実装された増幅用電界
    効果トランジスタのゲート電圧を供給するバイアス回路
    に可変抵抗部を備えた電力増幅器において、前記可変抵
    抗部の抵抗値は調整前に前記増幅用電界効果トランジス
    タがピンチオフされるように設定されており、前記増幅
    用電界効果トランジスタのドレイン電極に流れる電流値
    を規定値内になるように前記可変抵抗部の抵抗値が調整
    されることを特徴とする電力増幅器の調整方法。
  6. 【請求項6】 前記バイアス回路の可変抵抗部は、2つ
    以上の可変抵抗器を並列に接続して構成されていること
    を特徴とする請求項5記載の電力増幅器の調整方法。
  7. 【請求項7】 バイアス回路の可変抵抗部は、調整前に
    は可変抵抗器と並列に前記プリント基板上のパターンで
    電気的に接続して構成されており、調整後は前記パター
    ンを切断されていることを特徴とする請求項5記載の電
    力増幅器の調整方法。
  8. 【請求項8】 プリント基板上に実装された増幅用電界
    効果トランジスタのゲート電圧を供給するバイアス回路
    を制御する制御回路と、増幅用電界効果トランジスタの
    ドレイン電極に流れる電流値を規定値内になるようなゲ
    ート電圧の設定値を記憶する記憶部を備えた電力増幅器
    において、ゲート電圧は、調整前では増幅用電界効果ト
    ランジスタがピンチオフされるように設定されており、
    調整時は前記増幅用電界効果トランジスタのドレイン電
    極に流れる電流値を参照しつつ増加させ、前記電流値が
    規定値内になったときに前記記憶部に調整値が記憶され
    ていることを特徴とする電力増幅器の調整方法。
  9. 【請求項9】 ドレイン電極に流れる電流値の規定値の
    少ない増幅用電界効果トランジスタから調整することを
    特徴とする請求項5ないし8のいずれか1項に記載の電
    力増幅器の調整方法。
JP9127225A 1997-05-16 1997-05-16 電力増幅器及びその調整方法 Pending JPH10322144A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9127225A JPH10322144A (ja) 1997-05-16 1997-05-16 電力増幅器及びその調整方法
US09/066,778 US5986503A (en) 1997-05-16 1998-04-27 Power amplifier with an idle current trimmed and a method of trimming the power amplifier
EP98107974A EP0878904A3 (en) 1997-05-16 1998-04-30 A power amplifier with an idle current trimmed and a method of trimming the power amplifier
CN98108431A CN1100382C (zh) 1997-05-16 1998-05-15 静态电流经微调的功率放大器及其微调方法
KR1019980017469A KR100312934B1 (ko) 1997-05-16 1998-05-15 전력증폭기및그트리밍방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9127225A JPH10322144A (ja) 1997-05-16 1997-05-16 電力増幅器及びその調整方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10322144A true JPH10322144A (ja) 1998-12-04

Family

ID=14954833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9127225A Pending JPH10322144A (ja) 1997-05-16 1997-05-16 電力増幅器及びその調整方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5986503A (ja)
EP (1) EP0878904A3 (ja)
JP (1) JPH10322144A (ja)
KR (1) KR100312934B1 (ja)
CN (1) CN1100382C (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030034638A (ko) * 2001-10-26 2003-05-09 엘지이노텍 주식회사 절전형 전력 증폭 모듈
JP2010175333A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Japan Radio Co Ltd 電力増幅器
JP2013131994A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Renesas Electronics Corp 無線通信装置
JP2015149593A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 株式会社東芝 増幅器
JP2020022163A (ja) * 2018-08-01 2020-02-06 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 可変電力増幅器バイアスインピーダンス

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3107035B2 (ja) * 1998-03-18 2000-11-06 日本電気株式会社 低雑音増幅器及びその制御回路
US6522197B2 (en) 2000-04-21 2003-02-18 Paradigm Wireless Systems, Inc. Method and apparatus for optimum biasing of cascaded MOSFET radio-frequency devices
KR100594556B1 (ko) * 2000-08-28 2006-07-03 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 다단 증폭기
JP2002111400A (ja) * 2000-10-03 2002-04-12 Nec Corp 電力増幅器
US6323731B1 (en) * 2000-10-06 2001-11-27 Tropion, Inc. Corp. Variable bias control for switch mode RF amplifier
US6734724B1 (en) 2000-10-06 2004-05-11 Tropian, Inc. Power control and modulation of switched-mode power amplifiers with one or more stages
JP2002141759A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Murata Mfg Co Ltd 利得可変増幅器
GB0028689D0 (en) * 2000-11-24 2001-01-10 Qualcomm Uk Ltd Amplifier circuit
US6407623B1 (en) * 2001-01-31 2002-06-18 Qualcomm Incorporated Bias circuit for maintaining a constant value of transconductance divided by load capacitance
US7064611B2 (en) * 2003-04-12 2006-06-20 Chung-Shan Institute Of Science And Technology IDSS RF amplifier
US20060017607A1 (en) * 2004-07-26 2006-01-26 Kyocera Corporation Amplitude modulator, selector switch, high frequency transmitting/receiving apparatus including the same, and radar apparatus, and radar apparatus-mounting vehicle and radar apparatus-mounting small ship
KR101133532B1 (ko) * 2005-04-06 2012-04-05 매그나칩 반도체 유한회사 비휘발성 메모리 셀을 구비한 가변 저항기
EP2110832A4 (en) * 2007-02-05 2010-07-14 Panasonic Corp KEY SHEET, PRESSURE SWITCH, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE PRESSURE SWITCH
US20090085664A1 (en) * 2007-09-29 2009-04-02 Po-Tang Yang Power amplifier having an adaptive amplifying mechanism
CN101442292B (zh) * 2007-11-19 2011-04-13 华为技术有限公司 射频放大器数字偏置电路、方法及通信设备
US9166533B2 (en) * 2009-07-30 2015-10-20 Qualcomm Incorporated Bias current monitor and control mechanism for amplifiers
KR101709811B1 (ko) * 2012-06-25 2017-02-23 삼성전기주식회사 무선랜용 전력증폭기 회로
KR102584911B1 (ko) * 2016-05-17 2023-10-05 (주)웨이비스 고주파 전력 증폭기
JP6806231B2 (ja) * 2017-02-22 2021-01-06 住友電気工業株式会社 バイアス回路
US11929769B2 (en) 2021-05-28 2024-03-12 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier trimming based on coefficients for digital pre-distortion
US11621672B2 (en) * 2021-08-05 2023-04-04 Wolfspeed, Inc. Compensation of trapping in field effect transistors

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5060294A (en) * 1990-07-05 1991-10-22 Motorola, Inc. Dual mode power amplifier for radiotelephone
JPH04209501A (ja) * 1990-12-04 1992-07-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用基板
JPH05299944A (ja) * 1991-05-30 1993-11-12 Nec Corp Rf電力増幅器
JPH0697748A (ja) * 1992-07-27 1994-04-08 Oki Electric Ind Co Ltd 電力増幅器
JP2853483B2 (ja) * 1992-10-28 1999-02-03 日本電気株式会社 化合物半導体マイクロ波用モノリシックic増幅回路
JPH0794961A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Toshiba Corp 高周波増幅モジュール
JPH08125465A (ja) * 1994-10-27 1996-05-17 Oki Electric Ind Co Ltd 電力増幅器の調整方法
KR0129844B1 (ko) * 1994-12-21 1998-10-01 양승택 아날로그 및 디지털 휴대용 전화기 겸용 전력증폭기
JPH0951238A (ja) * 1995-08-09 1997-02-18 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波増幅器回路

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030034638A (ko) * 2001-10-26 2003-05-09 엘지이노텍 주식회사 절전형 전력 증폭 모듈
JP2010175333A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Japan Radio Co Ltd 電力増幅器
JP2013131994A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Renesas Electronics Corp 無線通信装置
JP2015149593A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 株式会社東芝 増幅器
JP2020022163A (ja) * 2018-08-01 2020-02-06 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 可変電力増幅器バイアスインピーダンス
US11894808B2 (en) 2018-08-01 2024-02-06 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier with variable bias impedance

Also Published As

Publication number Publication date
EP0878904A3 (en) 2001-08-08
US5986503A (en) 1999-11-16
KR19980087072A (ko) 1998-12-05
EP0878904A2 (en) 1998-11-18
CN1201294A (zh) 1998-12-09
KR100312934B1 (ko) 2001-12-28
CN1100382C (zh) 2003-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10322144A (ja) 電力増幅器及びその調整方法
US7397309B2 (en) Bias circuit for a wideband amplifier driven with low voltage
EP0734118A1 (en) Bias control circuit for an RF power amplifier
US4959623A (en) Low impedance buffer circuit
KR100547236B1 (ko) 전력증폭기에서의 바이어스 안정화 회로
US5150076A (en) Emitter-grounded amplifier circuit with bias circuit
US6437647B1 (en) Current mirror compensation system for power amplifiers
US7372332B2 (en) Optimizing power consumption in amplifiers
JPH10290129A (ja) 高周波増幅器
JP2002124842A (ja) 可変利得増幅器
JPH0661766A (ja) 出力バッファアンプ回路
KR930002040B1 (ko) 증폭기
US6509798B2 (en) Variable gain amplifier
JPH07312525A (ja) 広帯域定インピーダンス増幅器
EP1326328B1 (en) High-frequency amplifier
US6020727A (en) Setting of a linear regulator to stand-by
JP2004080356A (ja) バイアス回路およびそれを用いた電力増幅装置
US7489183B2 (en) Bias control system for a power amplifier
US5570064A (en) Automatic gain control amplifier for use in radio transmitter-receiver
JPS60198907A (ja) トランスレス式プツシユプル出力回路
JPH05175747A (ja) 高出力fet増幅器
JP2000031753A (ja) 電力増幅器及びその調整方法
JPH08340219A (ja) 無線周波数で作動するaクラス増幅器
JPH09283710A (ja) Fetのゲートバイアス回路
JPH10145162A (ja) 増幅器、送信回路及び受信回路