JPH07312525A - 広帯域定インピーダンス増幅器 - Google Patents

広帯域定インピーダンス増幅器

Info

Publication number
JPH07312525A
JPH07312525A JP5288644A JP28864493A JPH07312525A JP H07312525 A JPH07312525 A JP H07312525A JP 5288644 A JP5288644 A JP 5288644A JP 28864493 A JP28864493 A JP 28864493A JP H07312525 A JPH07312525 A JP H07312525A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
output
resistance
amplifier
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5288644A
Other languages
English (en)
Inventor
Rodney J Lawton
ジェイムズ ロートン ロドニイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Plessey Semiconductors Ltd
Original Assignee
Plessey Semiconductors Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Plessey Semiconductors Ltd filed Critical Plessey Semiconductors Ltd
Publication of JPH07312525A publication Critical patent/JPH07312525A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45197—Pl types
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45098—PI types
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45484—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45488—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit by using feedback means
    • H03F3/45515—Measuring at the active amplifying circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45529—Controlling the active amplifying circuit of the differential amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45352—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a combination of a plurality of transistors, e.g. Darlington coupled transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 広帯域定インピーダンス増幅器を提供するこ
とにある。 【構成】 ２段にわたって直並列帰還を使用して定イン
ピーダンスを達成する一連の広帯域増幅器にはシングル
エンド、シングルエンド入力／差動出力及び差動入力／
差動出力の形態がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、広帯域定インピーダン
ス増幅器に関し、特に高周波伝送路や無線通信システム
で特に重要で広範囲に使用されている増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一連に既知の増幅回路は添付図面に図１
に記載した等価回路に示すように並列／直列帰還を使用
することを基本にしている。増幅器が理想的であるとす
るならば回路の特性方程式はＲＦ＝ＲＬ×Ｇ及びＲＥ＝
ＲＬ／ＧのためＲＩＮ＝ＲＬである。ここで、Ｇは増幅
器の開ループ電圧利得である。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明の一態様によれ
ば、広帯域定インピーダンス増幅器はそれぞれ制御電極
と、第１，第２電極間に出力電流路を有する第１，第２
及び第３トランジスタから成り、第１トランジスタの制
御電極は増幅器の入力端子に接続され、第１トランジス
タの第１出力電極は第２トランジスタの出力電流路を介
して基準電位点にかつ第１抵抗素子を介して第２トラン
ジスタの制御電極に接続され、第１トランジスタの第２
出力電極は負荷手段にかつ第３トランジスタの制御電極
に接続され、かつ第３トランジスタの第１出力電極は第
２抵抗素子を介して第１トランジスタの制御電極にかつ
第３抵抗素子を介して第２トランジスタの制御電極に接
続され、第３トランジスタの第２出力電極は増幅器の出
力端子に接続されている。好ましくは、前記第３抵抗素
子は増幅器の所要出力抵抗に等しい抵抗値を有し、かつ
第１及び第２抵抗素子はそれぞれ上記所要出力抵抗より
第１トランジスタの開ループ電圧利得に等しいファクタ
だけ小さい及び大きい抵抗値を有することが望ましい。
【０００４】本発明の別の態様によれば、広帯域定イン
ピーダンス増幅器はそれぞれ制御電極と、第１，第２電
極間に出力電流路を有する第１，第２、第３及び第４ト
ランジスタから成り、第１トランジスタの制御電極は増
幅器の入力端子に接続され、第１トランジスタの第１出
力電極は第１抵抗素子を介して基準電位点に接続され、
第１トランジスタの第２出力電極は負荷手段にかつ第２
トランジスタの制御電極に接続され、第２及び第２トラ
ンジスタは各電流源にかつ第２及び第３抵抗手段を介し
て第４トランジスタの制御電極に接続される第１出力電
極を有し、第２トランジスタの第１出力電極もまた第４
抵抗素子を介して第１トランジスタの制御電極に接続さ
れ、第４トランジスタの第１出力電極は基準電位点に接
続されかつ第４トランジスタの第２出力電極は負荷手段
及び第３トランジスタの制御電極に接続され、第２及び
第３トランジスタの第２出力電極はそれぞれ増幅器の出
力端子に接続されている。好ましくは、前記第２及び第
３抵抗素子はそれぞれ増幅器の所要出力抵抗の半分に等
しい抵抗値を有し、かつ第１及び第４抵抗素子はそれぞ
れ個別に第２及び第３抵抗素子の値よりも第１トランジ
スタの開ループ電圧利得に等しいファクタだけ小さい及
び大きい抵抗値を有することが望ましい。
【０００５】本発明の別の態様によれば、広帯域定イン
ピーダンス増幅器はそれぞれ制御電極と、第１，第２電
極間に出力電流路を有する第１，第２、第３及び第４ト
ランジスタから成り、第１トランジスタの制御電極は増
幅器の入力端子に接続され、第１及び第３トランジスタ
の第１出力電極は互いに接続され電流源を介して基準電
位点に接続され、第１トランジスタの第２出力電極は負
荷手段にかつ第２トランジスタの制御電極に接続され、
第２トランジスタの第１出力電極は第１抵抗素子を介し
て基準電位点にかつ第２抵抗素子を介して第１トランジ
スタの制御電極に接続され、第３トランジスタの第２出
力電極は負荷手段にかつ第４トランジスタの制御電極に
接続され、かつ第３トランジスタの制御電極は第３抵抗
素子を介して基準電位点にかつ第４抵抗素子を介して第
４トランジスタの第１出力電極に接続され、第２及び第
４トランジスタの第２出力電極はそれぞれ増幅器の出力
端子に接続されている。好ましくは、前記第１及び第４
抵抗素子は増幅器の所要出力抵抗の半分に等しい抵抗値
を有し、かつ第２及び第３抵抗素子はそれぞれ個別に第
１及び第４抵抗素子の値よりも第１トランジスタの開ル
ープ電圧利得に等しいファクタだけ大きい及び小さい抵
抗値を有することが望ましい。
【０００６】本発明の別の態様によれば、差動入力差動
出力広帯域定インピーダンス増幅器はそれぞれ制御電極
と、第１，第２電極間に出力電流路を有する第１，第
２、第３及び第４トランジスタから成り、第１及び第４
トランジスタの制御電極はそれぞれ増幅器の入力端子に
接続され、第１及び第４トランジスタの第２出力電極は
それぞれ負荷手段にかつそれぞれ別個に第２及び第３ト
ランジスタの制御電極に接続され、第２及び第３トラン
ジスタの第１出力電極はそれぞれ第１及び第２抵抗素子
を介してそれぞれ別個に第１及び第４トランジスタの制
御電極に接続され、第１及び第３トランジスタの第１出
力電極は第３抵抗素子を介して相互に接続され、第２及
び第４トランジスタの第１出力電極は第４抵抗素子を介
して相互に接続され、第１及び第４トランジスタの第１
出力電極は第５抵抗素子を介して相互に接続されかつ第
２及び第３トランジスタの第２出力電極はそれぞれ増幅
器の出力端子に接続されている。好ましくは、前記第３
及び第４抵抗素子は増幅器の所要出力抵抗の半分に等し
い抵抗値を有し、前記第１及び第２抵抗素子は第３及び
第４抵抗素子の値よりも前記第１トランジスタの開ルー
プ電圧利得に等しいファクタだけ大きい抵抗値を有し、
かつ第５抵抗素子は前記所要出力抵抗よりも前記ファク
タだけ小さい抵抗値を有することが望ましい。これには
前記第２及び第３トランジスタの第１出力電極の電位に
応答して第１及び第４トランジスタ用の負荷手段の印加
電位を変える手段を設けて同相負帰還を備えるようにし
てもよい。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明に係る広帯
域定インピーダンス増幅器を説明する。図２を参照して
説明すると、シングルエンドの実施例は入力トランジス
タ１で構成され、そのコレクタ電極は出力トランジスタ
２のベース電極に直結され、トランジスタ２のエミッタ
電極からの帰還は動作中抵抗３を介してトランジスタ１
のベース電極にかつ抵抗４を介してトランジスタ５のベ
ース電極に印加され、トランジスタ５のコレクタ─エミ
ッタ路はトランジスタ１のエミッタ回路に接続されてい
る。この構成では増幅器の電圧利得Ｇは事実上入力トラ
ンジスタ１の開ループ電圧利得である。図１と関連して
記述した定インピーダンスの要件を満たすために、抵抗
４は所要出力抵抗と等しい値にされ、これに対して抵抗
３及び６はそれぞれ所要出力抵抗よりも利得Ｇに等しい
ファクタだけ大きい及び小さい値にされる。
【０００８】図３を参照して説明すると、シングルエン
ド入力／差動出力の実施例は入力トランジスタ１で構成
され、そのコレクタ電極は出力トランジスタ２のベース
電極に直結され、トランジスタ２のエミッタ電極からの
帰還は図２の実施例同様に抵抗３を介してトランジスタ
１のベース電極に印加されている。この差動出力の実施
例では、第２出力トランジスタ７が備わっており、トラ
ンジスタ２及び７はエミッタ電極がそれぞれ電流源８と
９を介して接地され、かつそれぞれ抵抗１１及び１２と
トランジスタ１３のベース─エミッタ路を介して基準電
圧点１０に接続され、トランジスタ１３のコレクタ電極
はトランジスタ７のベース電極に接続されている。トラ
ンジスタ１３を介しての接続は抵抗１１，１２間の接合
点の電位を点１０の電位に近い電位に維持する役目を
し、その結果トランジスタ２及び７のエミッタ電極の電
位が強制的に差動的に変えられる。この実施例で抵抗１
１と１２は所要出力抵抗の半分の値に等しくされ、これ
に対して抵抗３及びトランジスタ１のエミッタ抵抗１４
はそれぞれ抵抗１１及び１２よりもファクタＧだけ大き
く及び小さくされる。
【０００９】図４を参照して説明すると、別のシングル
エンド入力／差動出力の実施例で入力トランジスタ１は
トランジスタ１５のエミッタ電極と共に電流源１６に結
合されたエミッタ電極を有し、トランジスタ１及び１５
のコレクタ電極はそれぞれ出力トランジスタ２及び１７
のベース電極に直結されている。この実施例のトランジ
スタ２のエミッタ電極は抵抗３を介してトランジスタ１
のベース電極に接続されかつ抵抗１８を介して接地さ
れ、これに対してトランジスタ１７のエミッタ電極は抵
抗１９を介してトランジスタ１５のベース電極に接続さ
れ、次いでトランジスタ１５のベース電極は抵抗２０を
介して接地されている。この例の抵抗１８及び１９は所
要出力抵抗の半分に等しくなるようにされ、これに対し
て抵抗３及び２０はそれぞれ抵抗１８及び１９の値より
もファクタＧだけ大きい及び小さい値を持つようにされ
ている。トランジスタ１及び１５の電流源に対するエミ
ッタ結合は出力トランジスタ２及び１７に差動駆動を与
える役目をする。
【００１０】以下図５及び６を参照して説明すると、差
動入力／差動出力の実施例は対称構造で一対の入力トラ
ンジスタ１及び２１の各コレクタ電極は出力トランジス
タ２及び２２のベース電極にそれぞれ直結され、かつ各
エミッタ電極は各電流源２４及び２５に接続されると共
に抵抗２６を介して相互に接続されている。トランジス
タ２及び２２のエミッタ電極は抵抗３及び２３を介して
それぞれトランジスタ１及び２１のベース電極に個別に
接続され、かつ抵抗２７及び２８を介してそれぞれトラ
ンジスタ２１及び１に個別に接続されている。抵抗２７
及び２８は所要出力抵抗の半分の値にされ、これに対し
て抵抗３及び２３は抵抗２７及び２８の値よりもファク
タＧだけ大きい値にされ、かつ抵抗２６は所要出力抵抗
よりもファクタＧだけ小さい値にされている。図６に示
すように図５の増幅器でセンシングトランジスタ２９と
更にトランジスタ３０を用いて同相帰還させるようにし
てもよい。これはトランジスタ１及び２１のコレクタ負
荷に印加する電位をトランジスタ２及び２２のエミッタ
電極の電位の平均値に依存して制御するように配列され
る。
【００１１】トランジスタは図示例ではＮＰＮ接合トラ
ンジスタで示しているが、明らかにＰＮＰトランジスタ
やダーリントン対あるいは電界効果トランジスタを用い
ることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】既知の増幅器の等価回路を示した回路図であ
る。
【図２】本発明の実施例を示した増幅器の回路図であ
る。
【図３】本発明の別の実施例を示した増幅器の回路図で
ある。
【図４】本発明の別の実施例を示した増幅器の回路図で
ある。
【図５】本発明の別の実施例を示した増幅器の回路図で
ある。
【図６】図５の変形例を示した増幅器の回路図である。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 それぞれ制御電極と、第１，第２電極間
    に出力電流路を有する第１，第２及び第３トランジスタ
    から成り、第１トランジスタの制御電極は増幅器の入力
    端子に接続され、第１トランジスタの第１出力電極は第
    ２トランジスタの出力電流路を介して基準電位点にかつ
    第１抵抗素子を介して第２トランジスタの制御電極に接
    続され、第１トランジスタの第２出力電極は負荷手段に
    かつ第３トランジスタの制御電極に接続され、かつ第３
    トランジスタの第１出力電極は第２抵抗素子を介して第
    １トランジスタの制御電極にかつ第３抵抗素子を介して
    第２トランジスタの制御電極に接続され、第３トランジ
    スタの第２出力電極は増幅器の出力端子に接続されてい
    ることを特徴とする広帯域定インピーダンス増幅器。
  2. 【請求項２】 前記第３抵抗素子は増幅器の所要出力抵
    抗に等しい抵抗値を有し、かつ第１及び第２抵抗素子は
    それぞれ上記所要出力抵抗より第１トランジスタの開ル
    ープ電圧利得に等しいファクタだけ小さい及び大きい抵
    抗値を有することを特徴とする請求項１記載の増幅器。
  3. 【請求項３】 それぞれ制御電極と、第１，第２電極間
    に出力電流路を有する第１，第２、第３及び第４トラン
    ジスタから成り、第１トランジスタの制御電極は増幅器
    の入力端子に接続され、第１トランジスタの第１出力電
    極は第１抵抗素子を介して基準電位点に接続され、第１
    トランジスタの第２出力電極は負荷手段にかつ第２トラ
    ンジスタの制御電極に接続され、第２及び第２トランジ
    スタは各電流源にかつ第２及び第３抵抗手段を介して第
    ４トランジスタの制御電極に接続される第１出力電極を
    有し、第２トランジスタの第１出力電極もまた第４抵抗
    素子を介して第１トランジスタの制御電極に接続され、
    第４トランジスタの第１出力電極は基準電位点に接続さ
    れかつ第４トランジスタの第２出力電極は負荷手段及び
    第３トランジスタの制御電極に接続され、第２及び第３
    トランジスタの第２出力電極はそれぞれ増幅器の出力端
    子に接続されていることを特徴とする広帯域定インピー
    ダンス増幅器。
  4. 【請求項４】 前記第２及び第３抵抗素子はそれぞれ増
    幅器の所要出力抵抗の半分に等しい抵抗値を有し、かつ
    第１及び第４抵抗素子はそれぞれ個別に第２及び第３抵
    抗素子の値よりも第１トランジスタの開ループ電圧利得
    に等しいファクタだけ小さい及び大きい抵抗値を有する
    ことを特徴とする増幅器。
  5. 【請求項５】 それぞれ制御電極と、第１，第２電極間
    に出力電流路を有する第１，第２、第３及び第４トラン
    ジスタから成り、第１トランジスタの制御電極は増幅器
    の入力端子に接続され、第１及び第３トランジスタの第
    １出力電極は互いに接続され電流源を介して基準電位点
    に接続され、第１トランジスタの第２出力電極は負荷手
    段にかつ第２トランジスタの制御電極に接続され、第２
    トランジスタの第１出力電極は第１抵抗素子を介して基
    準電位点にかつ第２抵抗素子を介して第１トランジスタ
    の制御電極に接続され、第３トランジスタの第２出力電
    極は負荷手段にかつ第４トランジスタの制御電極に接続
    され、かつ第３トランジスタの制御電極は第３抵抗素子
    を介して基準電位点にかつ第４抵抗素子を介して第４ト
    ランジスタの第１出力電極に接続され、第２及び第４ト
    ランジスタの第２出力電極はそれぞれ増幅器の出力端子
    に接続されていることを特徴とする広帯域定インピーダ
    ンス増幅器。
  6. 【請求項６】 前記第１及び第４抵抗素子は増幅器の所
    要出力抵抗の半分に等しい抵抗値を有し、かつ第２及び
    第３抵抗素子はそれぞれ個別に第１及び第４抵抗素子の
    値よりも第１トランジスタの開ループ電圧利得に等しい
    ファクタだけ大きい及び小さい抵抗値を有することを特
    徴とする請求項５記載の増幅器。
  7. 【請求項７】 それぞれ制御電極と、第１，第２電極間
    に出力電流路を有する第１，第２、第３及び第４トラン
    ジスタから成り、第１及び第４トランジスタの制御電極
    はそれぞれ増幅器の入力端子に接続され、第１及び第４
    トランジスタの第２出力電極はそれぞれ負荷手段にかつ
    それぞれ別個に第２及び第３トランジスタの制御電極に
    接続され、第２及び第３トランジスタの第１出力電極は
    それぞれ第１及び第２抵抗素子を介してそれぞれ別個に
    第１及び第４トランジスタの制御電極に接続され、第１
    及び第３トランジスタの第１出力電極は第３抵抗素子を
    介して相互に接続され、第２及び第４トランジスタの第
    １出力電極は第４抵抗素子を介して相互に接続され、第
    １及び第４トランジスタの第１出力電極は第５抵抗素子
    を介して相互に接続されかつ第２及び第３トランジスタ
    の第２出力電極はそれぞれ増幅器の出力端子に接続され
    ていることを特徴とする差動入力差動出力広帯域定イン
    ピーダンス増幅器。
  8. 【請求項８】 前記第３及び第４抵抗素子は増幅器の所
    要出力抵抗の半分に等しい抵抗値を有し、前記第１及び
    第２抵抗素子は第３及び第４抵抗素子の値よりも前記第
    １トランジスタの開ループ電圧利得に等しいファクタだ
    け大きい抵抗値を有し、かつ第５抵抗素子は前記所要出
    力抵抗よりも前記ファクタだけ小さい抵抗値を有するこ
    とを特徴とする請求項７記載の増幅器。
  9. 【請求項９】 同相負帰還を設けるために前記第２及び
    第３トランジスタの第１出力電極の電位に応答して第１
    及び第４トランジスタ用の負荷手段の印加電位を変える
    手段を設けたことを特徴とする請求項７又は８記載の増
    幅器。
  10. 【請求項１０】実質的に添付図面の図２〜６のいずれか
    を参照して記述された広帯域定インピーダンス増幅器。
JP5288644A 1992-10-28 1993-10-25 広帯域定インピーダンス増幅器 Pending JPH07312525A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9222665.3 1992-10-28
GB9222665A GB2272122B (en) 1992-10-28 1992-10-28 Wideband constant impedance amplifiers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07312525A true JPH07312525A (ja) 1995-11-28

Family

ID=10724209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5288644A Pending JPH07312525A (ja) 1992-10-28 1993-10-25 広帯域定インピーダンス増幅器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5382919A (ja)
JP (1) JPH07312525A (ja)
DE (1) DE4336668A1 (ja)
GB (4) GB2295287B (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2107351B1 (es) * 1994-11-30 1998-06-16 Iglesias Angel Sa Dispositivo amplificador de banda ancha.
US5710522A (en) * 1996-07-15 1998-01-20 Pass Laboratories, Inc. Amplifier having an active current source
US6285259B1 (en) 1999-04-21 2001-09-04 Infineon Technologies North America Corp. System and method for converting from single-ended to differential signals
GB2358532A (en) 2000-01-22 2001-07-25 Mitel Semiconductor Ltd AC voltage amplifier using current mode stages
GB2364190A (en) * 2000-05-12 2002-01-16 Mitel Semiconductor Ltd Low noise rf amplifier with good input impedance matching using two tranconductance stages and feedback
US6744308B1 (en) * 2002-08-30 2004-06-01 Microtune (Texas), L.P. System and method for establishing the input impedance of an amplifier in a stacked configuration
WO2006109214A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Nxp B.V. Broadband amplifier
DE102005055426B4 (de) * 2005-11-21 2011-12-29 Xignal Technologies Ag Schaltungsanordnung mit einem rückgekoppelten, voll-differentiellen Operationsverstärker
DE102006043902B4 (de) * 2006-09-19 2016-09-22 Intel Deutschland Gmbh Stromwandler, Frequenzmischer und Verfahren zur Frequenzmischung
DE102009057225B4 (de) * 2009-12-02 2012-10-31 Gerd Sauermann Elektronische Leistungsverstärkerstufe und Leistungsverstärkerendstufe

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB940980A (en) * 1959-02-17 1963-11-06 Emi Ltd Improvements in or relating to circuit arrangements embodying transistors
US3208000A (en) * 1963-02-28 1965-09-21 Hewlett Packard Co Stabilized amplifiers
US3432616A (en) * 1965-04-15 1969-03-11 Ibm Data transmission apparatus utilizing frequency shift keying
GB1274660A (en) * 1968-11-08 1972-05-17 Soil Mechanics Equipment Ltd Vibration detector
JPS5111554A (ja) * 1974-07-19 1976-01-29 Sony Corp
JPS54101306A (en) * 1978-01-27 1979-08-09 Hitachi Ltd Reproduction amplifier circuit for hall head
DE2854704C2 (de) * 1978-12-18 1981-02-26 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Monolithisch integrierbare Schaltung mit größer werdender Verstärkung bei fallender Frequenz
US4468628A (en) * 1983-01-17 1984-08-28 Tektronix, Inc. Differential amplifier with high common-mode rejection
EP0124983A3 (en) * 1983-04-08 1987-07-29 Fujitsu Limited Feedback amplifier
US4553108A (en) * 1983-11-09 1985-11-12 Rockwell International Corporation Low noise feedback amplifier
US4879525A (en) * 1988-12-05 1989-11-07 Q-Bit Corporation High gain RF amplifier with directional coupler feedback
FR2665034A1 (fr) * 1990-07-17 1992-01-24 Philips Composants Amplificateur large bande presentant des sorties separees.

Also Published As

Publication number Publication date
GB2295287B (en) 1996-07-17
GB2272122B (en) 1996-07-17
GB9601566D0 (en) 1996-03-27
GB9601565D0 (en) 1996-03-27
GB2295289B (en) 1996-07-17
GB2272122A (en) 1994-05-04
GB9222665D0 (en) 1992-12-09
GB2295287A (en) 1996-05-22
GB2295288B (en) 1996-07-17
GB2295288A (en) 1996-05-22
DE4336668A1 (de) 1994-05-05
US5382919A (en) 1995-01-17
GB9601567D0 (en) 1996-03-27
GB2295289A (en) 1996-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07312525A (ja) 広帯域定インピーダンス増幅器
JPH11340785A (ja) 能動低域通過フィルタ
US3914704A (en) Feedback amplifier
US4451800A (en) Input bias adjustment circuit for amplifier
JPH04227106A (ja) 高周波数クロス接合折返しカスコード回路
JPH04369107A (ja) 差動増幅器
JP3833530B2 (ja) 差動増幅器
JP3219346B2 (ja) 自動利得制御増幅器
US5166983A (en) Mute circuit for audio amplifiers
US4123723A (en) Transistor amplifier circuit
JP3093687B2 (ja) 利得可変増幅回路
JPS60236509A (ja) 差動可変増幅回路
JPH10126215A (ja) 可変減衰装置
JPS6119133B2 (ja)
JPS58154911A (ja) 利得制御増幅器
JPH07321570A (ja) 演算増幅器
JPH07321569A (ja) 広帯域反転増幅器
JPH02151109A (ja) 半導体増幅回路
JP2001168660A (ja) 利得可変増幅回路
JP3000737B2 (ja) 出力バッファ回路
JPH0570325B2 (ja)
JPH05175754A (ja) 差動増幅器
JPH05315888A (ja) 移相回路
JPH06152263A (ja) 増幅器
JP2003318676A (ja) 可変利得増幅回路及び可変利得周波数変換回路並びに無線通信装置