DE4336668A1 - Breitband-Konstantwiderstands-Verstärker - Google Patents

Breitband-Konstantwiderstands-Verstärker

Info

Publication number
DE4336668A1
DE4336668A1 DE4336668A DE4336668A DE4336668A1 DE 4336668 A1 DE4336668 A1 DE 4336668A1 DE 4336668 A DE4336668 A DE 4336668A DE 4336668 A DE4336668 A DE 4336668A DE 4336668 A1 DE4336668 A1 DE 4336668A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
output
resistance
electrode
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4336668A
Other languages
English (en)
Inventor
Rodney James Lawton
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Plessey Semiconductors Ltd
Original Assignee
Plessey Semiconductors Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Plessey Semiconductors Ltd filed Critical Plessey Semiconductors Ltd
Publication of DE4336668A1 publication Critical patent/DE4336668A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45197Pl types
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45098PI types
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45484Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45488Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit by using feedback means
    • H03F3/45515Measuring at the active amplifying circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45529Controlling the active amplifying circuit of the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45352Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a combination of a plurality of transistors, e.g. Darlington coupled transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf Breitband-Konstantwiderstands- Verstärker, einer weit verbreiteten Gruppe von Verstärkern, die besonders für Hochfrequenz-Übertragungsleitungen und Funkkommunikationssysteme geeignet sind.
Eine Reihe bekannter Verstärkerschaltungen macht von einer Shunt/Reihen-Rückkopplung Gebrauch, wie sie in dem Ersatz­ schaltbild nach Fig. 1 dargestellt ist. Wenn es sich um einen idealen Verstärker handelt, gelten die folgenden Gleichungen für die Schaltung: RIN = RL, bei RF = RL × V und RE = RL/V, wobei V die Leerlaufspannungsverstärkung des Verstärkers ist.
Ein erster erfindungsgemäßer Breitband-Konstantwiderstands- Verstärker enthält einen ersten, einen zweiten und einen dritten Transistor, von denen jeder eine Steuerelektrode und einen Ausgangsstromkreis zwischen einer ersten und einer zweiten Ausgangselektrode aufweist, wobei die Steuerelektrode des ersten Transistors mit einem Eingangsanschluß des Ver­ stärkers, die erste Ausgangselektrode des ersten Transistors über den Ausgangsstromkreis des zweiten Transistors mit einem Bezugspotentialpunkt und über ein erstes Widerstandselement mit der Steuerelektrode des zweiten Transistors, die zweite Ausgangselektrode des ersten Transistors mit Belastungsmit­ teln und der Steuerelektrode des dritten Transistors, die erste Ausgangselektrode des dritten Transistors mit der Steuerelektrode des ersten Transistors über ein zweites Wi­ derstandselement und mit der Steuerelektrode des zweiten Transistors über ein drittes Widerstandselement und die zwei­ te Ausgangselektrode des dritten Transistors mit einem Aus­ gangsanschluß des Verstärkers verbunden ist.
Vorzugsweise hat das dritte Widerstandselement einen Wider­ standswert, der gleich dem gewünschten Ausgangswiderstand des Verstärkers ist, und das erste und zweite Widerstandselement Widerstandswerte aufweisen, die jeweils kleiner und größer als der erwähnte gewünschte Ausgangswiderstand sind, und zwar um einen Faktor, der gleich der Leerlaufspannungsverstärkung des ersten Transistors ist.
Ein zweiter erfindungsgemäßer Breitband-Konstantwiderstands- Verstärker enthält einen ersten, einen zweiten, einen dritten und einen vierten Transistors, die jeweils eine Steuerelek­ trode und einen Ausgangsstromkreis zwischen einer ersten und einer zweiten Ausgangselektrode aufweisen, wobei die Steuer­ elektrode des ersten Transistors mit einem Eingangsanschluß des Verstärkers verbunden ist, die erste Ausgangselektrode des ersten Transistors mit einem Bezugspotentialpunkt über ein erstes Widerstandselement verbunden ist, die zweite Aus­ gangselektrode des ersten Transistors mit Belastungsmitteln und der Steuerelektrode des zweiten Transistors verbunden ist, die ersten Ausgangselektroden des zweiten und dritten Transistors jeweils mit einer Stromquelle und über ein zwei­ tes und ein drittes Widerstandsmittel mit der Steuerelektrode des vierten Transistors verbunden sind, die erste Ausgangs­ elektrode des zweiten Transistors ebenfalls mit der Steuerelektrode des ersten Transistors über ein viertes Widerstandselement verbunden ist, die erste Ausgangselektrode des vierten Transistors mit einem Bezugspotentialpunkt ver­ bunden ist, die zweite Ausgangselektrode des vierten Transi­ stors mit Belastungsmitteln und der Steuerelektrode des drit­ ten Transistors verbunden ist und die zweiten Ausgangselek­ troden des zweiten und dritten Transistors mit jeweils einem Ausgangsanschluß des Verstärkers verbunden sind.
Vorzugsweise haben das zweite und das dritte Widerstandsele­ ment einen Widerstandswert, der gleich dem halben gewünschten Ausgangswiderstand des Verstärkers ist, und das erste und vierte Widerstandselement Widerstandswerte aufweisen, die um einen Faktor, der gleich der Leerlaufspannungsverstärkung des ersten Transistors ist, kleiner bzw. größer als der Wert des zweiten und dritten Widerstandselements sind.
Ein weiterer erfindungsgemäßer Breitband-Konstantwiderstands- Verstärker enthält einen ersten, einen zweiten, einen dritten und einen vierten Transistor, die jeweils eine Steuerelektro­ de und einen Ausgangsstromkreis zwischen einer ersten und ei­ ner zweiten Ausgangselektrode aufweisen, wobei die Steuer­ elektrode des ersten Transistors mit einem Eingangsanschluß des Verstärkers verbunden ist, die ersten Ausgangselektroden des ersten und dritten Transistors gemeinsam und über eine Stromquelle mit einem Bezugspotentialpunkt verbunden sind, die zweite Ausgangselektrode des ersten Transistors mit Be­ lastungsmitteln und der Steuerelektrode des zweiten Transi­ stors verbunden ist, die erste Ausgangselektrode des zweiten Transistors über ein erstes Widerstandselement mit einem Be­ zugspotentialpunkt und über ein zweites Widerstandselement mit der Steuerelektrode des ersten Transistors verbunden ist, die zweite Ausgangselektrode des dritten Transistors mit Be­ lastungsmitteln und der Steuerelektrode des vierten Transi­ stors verbunden ist, die Steuerelektrode des dritten Transi­ stors über ein drittes Widerstandselement mit einem Bezugs­ potentialpunkt und über ein viertes Widerstandselement mit der ersten Ausgangselektrode des vierten Transistors verbun­ den ist und die zweiten Ausgangselektroden des zweiten und vierten Transistors jeweils mit einem Ausgangsanschluß des Verstärkers verbunden sind.
Vorzugsweise hat das erste und das vierte Widerstandselement einen Widerstandswert, der gleich der Hälfte des gewünschten Ausgangswiderstands des Verstärkers ist, und das zweite und dritte Widerstandselement einen Widerstandswert, der jeweils um einen Faktor, der gleich der Leerlaufspannungsverstärkung des ersten Transistors ist, größer bzw. kleiner als der Wert des ersten und vierten Widerstandselements ist.
Sodann enthält ein erfindungsgemäßer Differentialeingangs- Differentialausgangs-Breitband-Konstantwiderstands-Verstärker einen ersten, einen zweiten, einen dritten und einen vierten Transistor, die jeweils eine Steuerelektrode und einen Aus­ gangsstromkreis zwischen einer ersten und einer zweiten Aus­ gangselektrode aufweisen, wobei die Steuerelektroden des er­ sten und vierten Transistors mit jeweils einem Eingangsan­ schluß des Verstärkers verbunden sind, die zweiten Ausgangs­ elektroden des ersten und vierten Transistors jeweils mit Belastungsmitteln und jeweils den Steuerelektroden des zwei­ ten und dritten Transistors verbunden sind, die ersten Aus­ gangselektroden des zweiten und dritten Transistors jeweils über ein erstes und zweites Widerstandselement jeweils mit den Steuerelektroden des ersten und vierten Transistors ver­ bunden sind, die ersten Ausgangselektroden des ersten und dritten Transistors durch ein drittes Widerstandselement ver­ bunden sind, die ersten Ausgangselektroden des zweiten und vierten Transistors durch ein viertes Widerstandselement ver­ bunden sind, die ersten Ausgangselektroden des ersten und vierten Transistors durch ein fünftes Widerstandselement ver­ bunden sind und die zweiten Ausgangselektroden des zweiten und dritten Transistors mit jeweils einem Ausgangsanschluß des Verstärkers verbunden sind.
Vorzugsweise haben das dritte und das vierte Widerstandsele­ ment einen Widerstandswert, der gleich dem halben gewünschten Ausgangswiderstand des Verstärkers ist, das erste und zweite Widerstandselement einen Widerstandswert, der um einen Faktor, der gleich der Leerlaufspannungsverstärkung des ersten Transistors ist, größer als der Wert des dritten und vierten Widerstandselements ist, und das fünfte Widerstands­ element einen Widerstandswert, der um den erwähnten Faktor kleiner als der erwähnte gewünschte Ausgangswiderstand ist.
Hierbei können Mittel vorgesehen sein, die in Abhängigkeit von den Potentialen an den ersten Ausgangselektroden des zweiten und dritten Transistors die den Belastungsmitteln des ersten und vierten Transistors zugeführte Spannung so ändern, daß sich eine Gleichtakt-Gegenkopplung ergibt.
Nachstehend werden beispielhafte Ausführungsformen erfin­ dungsgemäßer Breitband-Konstantwiderstands-Verstärker anhand der Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 ein Ersatzschaltbild bekannter Verstärker und die
Fig. 2 bis 6 Ausführungsformen erfindungsgemäßer Verstärker.
Nach Fig. 2 enthält eine Eintakt-Ausführungsform einen Ein­ gangstransistor 1, dessen Kollektorelektrode direkt mit der Basiselektrode eines Ausgangstransistors 2 verbunden ist, dessen Emitterelektrode über einen ohmschen Widerstand 3 auf die Basiselektrode des Transistors 1 und über einen ohmschen Widerstand 4 auf die Basiselektrode eines Transistors 5, des­ sen Kollektor-Emitter-Strecke (oder -Stromkreis) mit dem Emitterkreis des Transistors 1 verbunden ist, zurückgekoppelt ist. Die Emitter-Elektrode des Transistors 1 ist ihrerseits mit der Basiselektrode des Transistors 5 über einen ohmschen Widerstand 6 verbunden.
Bei diesem Aufbau entspricht die Spannungsverstärkung V des Verstärkers praktisch der Leerlaufspannungsverstärkung des Eingangstransistors 1. Um einen Konstantwiderstands-Verstär­ ker gemäß Fig. 1 zu erhalten, hat der Widerstand 4 einen Wert, der gleich dem gewünschten ohmschen Ausgangswiderstand ist, während die Widerstände 3 und 6 Werte haben, die jeweils größer und kleiner als der gewünschte Ausgangswiderstand sind, und zwar um einen Faktor, der gleich der Verstärkung V ist.
Fig. 3 stellt eine Eintakt-Eingangs/Differentialausgangs-Aus­ führungsform mit einem Eingangstransistor 1 dar, dessen Kollektorelektrode direkt mit der Basiselektrode eines Ausgangstransistors 2 verbunden ist, dessen Emitterelektrode über einen ohmschen Widerstand 3 auf die Basiselektrode des Transistors 1 zurückgekoppelt ist, wie bei der Ausführungs­ form nach Fig. 2. Bei dieser Differentialausgangs-Ausfüh­ rungsform ist jedoch ein zweiter Ausgangstransistor 7 vorgesehen, wobei die Emitterelektroden der Transistoren 2 und 7 jeweils über eine Stromquelle 8 und 9 mit Masse bzw. Erde und über jeweils einen ohmschen Widerstand 11 und 12 und die Basis-Emitter-Strecke eines Transistors 13 mit einem Bezugsspannungspunkt 10 verbunden sind, während die Kollek­ torelektrode des Transistors 13 mit der Basiselektrode des Transistors 7 verbunden ist. Die Verbindungen über den Transistor 13 dienen dazu, das Potential des Verbindungspunk­ tes zwischen den ohmschen Widerständen 11 und 12 nahe bei dem des Punktes 10 zu halten, so daß die Potentiale der bzw. an den Emitterelektroden der Transistoren 2 und 7 gezwungen sind, sich differentiell zu ändern. Bei dieser Ausführung haben die Widerstände 11 und 12 jeweils den halben gewünsch­ ten Ausgangswiderstand, während der Widerstand 3 und der Emitterwiderstand 14 des Transistors 1 jeweils um den Faktor V größer bzw. kleiner als die Widerstände 11 und 12 sind.
Fig. 4 stellt einen weiteren Eintakt-Eingangs/Differential­ ausgangs-Verstärker dar. Bei dieser Ausführungsform ist die Emitterelektrode des Eingangstransistors 1 zusammen mit der eines Transistor 15 mit einer Stromquelle 16 verbunden, während die Kollektorelektroden der Transistoren 1 und 5 direkt jeweils mit den Basiselektroden der Ausgangstransisto­ ren 2 und 17 verbunden sind. Die Emitterelektrode des Transistors 2 ist bei dieser Ausführungsform mit der Basiselektrode des Transistors 1 über einen ohmschen Wider­ stand 3 und über einen ohmschen Widerstand 18 mit Masse verbunden, während die Emitterelektrode des Transistors 17 mit der Basiselektrode des Transistors 5 über einen ohmschen Widerstand 19 verbunden ist, wobei die Basiselektrode des Transistors 15 ihrerseits über einen ohmschen Widerstand 20 mit Masse verbunden ist. Die Widerstandswerte der Widerstände 18 und 19 sind in diesem Falle gleich dem halben gewünschten ohmschen Ausgangswiderstand, während die Widerstände 3 und 20 jeweils Widerstandswerte aufweisen, die jeweils um den Faktor V größer bzw. kleiner als der Wert der Widerstände 18 und 19 sind.
Die Verbindung der Emitter der Transistoren 1 und 15 mit der Stromquelle 16 dient der Differentialansteuerung der Aus­ gangstransistoren 2 und 17.
Nach den Fig. 5 und 6 enthält eine Differentialeingangs/Dif­ ferentialausgangs-Ausführungsform eine symmetrische Anord­ nung, bei der die Kollektorelektroden zweier Eingangstran­ sistoren 1 und 21 jeweils mit den Basiselektroden von Ausgangstransistoren 2 und 22 und die Emitterelektroden der Eingangstransistoren 1 und 21 jeweils mit einer Stromquelle 24 bzw. 25 und über einen ohmschen Widerstand 26 miteinander verbunden sind. Die Emitterelektroden der Transistoren 2 und 22 sind über ohmsche Widerstände 3 und 23 jeweils mit den Basiselektroden der Transistoren 1 und 21 und über ohmsche Widerstände 27 und 28 jeweils mit den Emitterelektroden der Transistoren 21 und 1 verbunden. Die Widerstände 27 und 28 haben Widerstandswerte, die gleich dem halben gewünschten Ausgangswiderstand des Verstärkers sind, während die Wider­ stände 3 und 23 Widerstandswerte haben, die um den Faktor V größer als diejenigen der Widerstände 27 und 28 sind, während der Widerstand 26 einen Widerstandswert hat, der um den Faktor V kleiner als der gewünschte Ausgangswiderstand ist.
Nach Fig. 6 kann dem Verstärker nach Fig. 5 mittels eines Meßtransistors 29 und eines weiteren Transistors 30 ein Gleichtakt-Rückkopplungssignal zugeführt werden, wobei die Transistoren 29 und 30 das den Kollektor-Belastungen der Transistoren 1 und 21 zugeführte Potential in Abhängigkeit vom Mittelwert der Potentiale an den Emitterelektroden der Transistoren 2 und 22 steuern.
In den Zeichnungen sind zwar npn-Transistoren dargestellt, doch können auch pnp-Bauelemente, Transistoren in Darlington- Schaltung oder Feldeffekttransistoren verwendet werden.

Claims (9)

1. Breitband-Konstantwiderstands-Verstärker mit einem ersten, einem zweiten und einem dritten Transistor, von denen jeder eine Steuerelektrode und einen Ausgangsstromkreis zwischen einer ersten und einer zweiten Ausgangselektrode aufweist, wobei die Steuerelektrode des ersten Transistors mit einem Eingangsanschluß des Verstärkers, die erste Ausgangselektrode des ersten Transistors über den Ausgangsstromkreis des zwei­ ten Transistors mit einem Bezugspotentialpunkt und über ein erstes Widerstandselement mit der Steuerelektrode des zweiten Transistors, die zweite Ausgangselektrode des ersten Transi­ stors mit Belastungsmitteln und der Steuerelektrode des drit­ ten Transistors, die erste Ausgangselektrode des dritten Transistors mit der Steuerelektrode des ersten Transistors über ein zweites Widerstandselement und mit der Steuerelek­ trode des zweiten Transistors über ein drittes Widerstands­ element und die zweite Ausgangselektrode des dritten Transi­ stors mit einem Ausgangsanschluß des Verstärkers verbunden ist.
2. Verstärker nach Anspruch 1, bei dem das dritte Wider­ standselement einen Widerstandswert aufweist, der gleich dem gewünschten Ausgangswiderstand des Verstärkers ist, und das erste und zweite Widerstandselement Widerstandswerte aufwei­ sen, die jeweils kleiner und größer als der erwähnte gewünschte Ausgangswiderstand sind, und zwar um einen Faktor, der gleich der Leerlaufspannungsverstärkung des ersten Transistors ist.
3. Breitband-Konstantwiderstands-Verstärker mit einem ersten, einem zweiten, einem dritten und einem vierten Transistor, die jeweils eine Steuerelektrode und einen Ausgangsstromkreis zwischen einer ersten und einer zweiten Ausgangselektrode aufweisen, wobei die Steuerelektrode des ersten Transistors mit einem Eingangsanschluß des Verstärkers verbunden ist, die erste Ausgangselektrode des ersten Transistors mit einem Bezugspotentialpunkt über ein erstes Widerstandselement ver­ bunden ist, die zweite Ausgangselektrode des ersten Transi­ stors mit Belastungsmitteln und der Steuerelektrode des zwei­ ten Transistors verbunden ist, die ersten Ausgangselektroden des zweiten und dritten Transistors jeweils mit einer Strom­ quelle und über ein zweites und ein drittes Widerstandsmittel mit der Steuerelektrode des vierten Transistors verbunden sind, die erste Ausgangselektrode des zweiten Transistors ebenfalls mit der Steuerelektrode des ersten Transistors über ein viertes Widerstandselement verbunden ist, die erste Aus­ gangselektrode des vierten Transistors mit einem Bezugspoten­ tialpunkt verbunden ist, die zweite Ausgangselektrode des vierten Transistors mit Belastungsmitteln und der Steuerelek­ trode des dritten Transistors verbunden ist und die zweiten Ausgangselektroden des zweiten und dritten Transistors mit jeweils einem Ausgangsanschluß des Verstärkers verbunden sind.
4. Verstärker nach Anspruch 3, bei dem das zweite und dritte Widerstandselement einen Widerstandswert aufweisen, der gleich dem halben gewünschten Ausgangswiderstand des Verstär­ kers ist, und das erste und vierte Widerstandselement Wider­ standswerte aufweisen, die um einen Faktor, der gleich der Leerlaufspannungsverstärkung des ersten Transistors ist, kleiner bzw. größer als der Wert des zweiten und dritten Widerstandselements sind.
5. Breitband-Konstantwiderstands-Verstärker mit einem ersten, einem zweiten, einem dritten und einem vierten Transistor, die jeweils eine Steuerelektrode und einen Ausgangsstromkreis zwischen einer ersten und einer zweiten Ausgangselektrode aufweisen, wobei die Steuerelektrode des ersten Transistors mit einem Eingangsanschluß des Verstärkers verbunden ist, die ersten Ausgangselektroden des ersten und dritten Transistors gemeinsam und über eine Stromquelle mit einem Bezugs­ potentialpunkt verbunden sind, die zweite Ausgangselektrode des ersten Transistors mit Belastungsmitteln und der Steuer­ elektrode des zweiten Transistors verbunden ist, die erste Ausgangselektrode des zweiten Transistors über ein erstes Widerstandselement mit einem Bezugspotentialpunkt und über ein zweites Widerstandselement mit der Steuerelektrode des ersten Transistors verbunden ist, die zweite Ausgangselektro­ de des dritten Transistors mit Belastungsmitteln und der Steuerelektrode des vierten Transistors verbunden ist, die Steuerelektrode des dritten Transistors über ein drittes Wi­ derstandselement mit einem Bezugspotentialpunkt und über ein viertes Widerstandselement mit der ersten Ausgangselektrode des vierten Transistors verbunden ist und die zweiten Ausgangselektroden des zweiten und vierten Transistors jeweils mit einem Ausgangsanschluß des Verstärkers verbunden sind.
6. Verstärker nach Anspruch 5, bei dem das erste und vierte Widerstandselement einen Widerstandswert aufweisen, der gleich der Hälfte des gewünschten Ausgangswiderstands des Verstärkers ist, und das zweite und dritte Widerstandselement einen Widerstandswert aufweisen, der jeweils um einen Faktor, der gleich der Leerlaufspannungsverstärkung des ersten Tran­ sistors ist, größer bzw. kleiner als der Wert des ersten und vierten Widerstandselements ist.
7. Differentialeingangs-Differentialausgangs-Breitband-Kon­ stantwiderstands-Verstärker mit einem ersten, einem zweiten, einem dritten und einem vierten Transistor, die jeweils eine Steuerelektrode und einen Ausgangsstromkreis zwischen einer ersten und einer zweiten Ausgangselektrode aufweisen, wobei die Steuerelektroden des ersten und vierten Transistors mit jeweils einem Eingangsanschluß des Verstärkers verbunden sind, die zweiten Ausgangselektroden des ersten und vierten Transistors jeweils mit Belastungsmitteln und jeweils den Steuerelektroden des zweiten und dritten Transistors verbun­ den sind, die ersten Ausgangselektroden des zweiten und drit­ ten Transistors jeweils über ein erstes und zweites Wider­ standselement jeweils mit den Steuerelektroden des ersten und vierten Transistors verbunden sind, die ersten Ausgangs­ elektroden des ersten und dritten Transistors durch ein drit­ tes Widerstandselement verbunden sind, die ersten Ausgangs­ elektroden des zweiten und vierten Transistors durch ein viertes Widerstandselement verbunden sind, die ersten Aus­ gangselektroden des ersten und vierten Transistors durch ein fünftes Widerstandselement verbunden sind und die zweiten Ausgangselektroden des zweiten und dritten Transistors mit jeweils einem Ausgangsanschluß des Verstärkers verbunden sind.
8. Verstärker nach Anspruch 7, bei dem das dritte und vierte Widerstandselement einen Widerstandswert aufweisen, der gleich dem halben gewünschten Ausgangswiderstand des Verstär­ kers ist, das erste und zweite Widerstandselement einen Wi­ derstandswert aufweisen, der um einen Faktor, der gleich der Leerlaufspannungsverstärkung des ersten Transistors ist, größer als der Wert des dritten und vierten Widerstandsele­ ments ist, und das fünfte Widerstandselement einen Wider­ standswert aufweist, der um den erwähnten Faktor kleiner als der erwähnte gewünschte Ausgangswiderstand ist.
9. Verstärker nach Anspruch 7 oder 8, bei dem Mittel vorge­ sehen sind, die in Abhängigkeit von den Potentialen an den ersten Ausgangselektroden des zweiten und dritten Transistors die den Belastungsmitteln des ersten und vierten Transistors zugeführte Spannung so ändern, daß sich eine Gleichtakt-Ge­ genkopplung ergibt.
DE4336668A 1992-10-28 1993-10-27 Breitband-Konstantwiderstands-Verstärker Withdrawn DE4336668A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9222665A GB2272122B (en) 1992-10-28 1992-10-28 Wideband constant impedance amplifiers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4336668A1 true DE4336668A1 (de) 1994-05-05

Family

ID=10724209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4336668A Withdrawn DE4336668A1 (de) 1992-10-28 1993-10-27 Breitband-Konstantwiderstands-Verstärker

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5382919A (de)
JP (1) JPH07312525A (de)
DE (1) DE4336668A1 (de)
GB (4) GB2295288B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005055426A1 (de) * 2005-11-21 2007-05-31 Xignal Technologies Ag Schaltungsanordnung mit einem rückgekoppelten, voll-differentiellen Operationsverstärker
DE102006043902A1 (de) * 2006-09-19 2008-04-03 Infineon Technologies Ag Stromwandler, Frequenzmischer und Verfahren zur Frequenzmischung
DE102009057225A1 (de) * 2009-12-02 2011-08-04 Sauermann, Gerd, Dipl.-Ing.(FH), 53117 Spannungsakkurater Konstantstromverstärker

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2107351B1 (es) * 1994-11-30 1998-06-16 Iglesias Angel Sa Dispositivo amplificador de banda ancha.
US5710522A (en) * 1996-07-15 1998-01-20 Pass Laboratories, Inc. Amplifier having an active current source
US6285259B1 (en) 1999-04-21 2001-09-04 Infineon Technologies North America Corp. System and method for converting from single-ended to differential signals
GB2358532A (en) * 2000-01-22 2001-07-25 Mitel Semiconductor Ltd AC voltage amplifier using current mode stages
GB2364190A (en) * 2000-05-12 2002-01-16 Mitel Semiconductor Ltd Low noise rf amplifier with good input impedance matching using two tranconductance stages and feedback
US6744308B1 (en) * 2002-08-30 2004-06-01 Microtune (Texas), L.P. System and method for establishing the input impedance of an amplifier in a stacked configuration
WO2006109214A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Nxp B.V. Broadband amplifier

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB940980A (en) * 1959-02-17 1963-11-06 Emi Ltd Improvements in or relating to circuit arrangements embodying transistors
US3208000A (en) * 1963-02-28 1965-09-21 Hewlett Packard Co Stabilized amplifiers
US3432616A (en) * 1965-04-15 1969-03-11 Ibm Data transmission apparatus utilizing frequency shift keying
GB1274660A (en) * 1968-11-08 1972-05-17 Soil Mechanics Equipment Ltd Vibration detector
JPS5111554A (de) * 1974-07-19 1976-01-29 Sony Corp
JPS54101306A (en) * 1978-01-27 1979-08-09 Hitachi Ltd Reproduction amplifier circuit for hall head
DE2854704C2 (de) * 1978-12-18 1981-02-26 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Monolithisch integrierbare Schaltung mit größer werdender Verstärkung bei fallender Frequenz
US4468628A (en) * 1983-01-17 1984-08-28 Tektronix, Inc. Differential amplifier with high common-mode rejection
EP0124983A3 (de) * 1983-04-08 1987-07-29 Fujitsu Limited Rückgekoppelter Verstärker
US4553108A (en) * 1983-11-09 1985-11-12 Rockwell International Corporation Low noise feedback amplifier
US4879525A (en) * 1988-12-05 1989-11-07 Q-Bit Corporation High gain RF amplifier with directional coupler feedback
FR2665034A1 (fr) * 1990-07-17 1992-01-24 Philips Composants Amplificateur large bande presentant des sorties separees.

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005055426A1 (de) * 2005-11-21 2007-05-31 Xignal Technologies Ag Schaltungsanordnung mit einem rückgekoppelten, voll-differentiellen Operationsverstärker
US7414467B2 (en) 2005-11-21 2008-08-19 National Semiconductor Germany Ag Circuit configuration having a feedback, fully-differential operational amplifier
DE102005055426B4 (de) * 2005-11-21 2011-12-29 Xignal Technologies Ag Schaltungsanordnung mit einem rückgekoppelten, voll-differentiellen Operationsverstärker
DE102006043902A1 (de) * 2006-09-19 2008-04-03 Infineon Technologies Ag Stromwandler, Frequenzmischer und Verfahren zur Frequenzmischung
US7773969B2 (en) 2006-09-19 2010-08-10 Infineon Technologies Ag Current converter, frequency mixer, radiofrequency transmission system and method for frequency mixing
DE102006043902B4 (de) * 2006-09-19 2016-09-22 Intel Deutschland Gmbh Stromwandler, Frequenzmischer und Verfahren zur Frequenzmischung
DE102009057225A1 (de) * 2009-12-02 2011-08-04 Sauermann, Gerd, Dipl.-Ing.(FH), 53117 Spannungsakkurater Konstantstromverstärker
DE102009057225B4 (de) * 2009-12-02 2012-10-31 Gerd Sauermann Elektronische Leistungsverstärkerstufe und Leistungsverstärkerendstufe

Also Published As

Publication number Publication date
GB2295287B (en) 1996-07-17
GB9601566D0 (en) 1996-03-27
GB2272122A (en) 1994-05-04
GB2295288A (en) 1996-05-22
GB9601565D0 (en) 1996-03-27
US5382919A (en) 1995-01-17
GB9222665D0 (en) 1992-12-09
GB2295287A (en) 1996-05-22
GB2295288B (en) 1996-07-17
GB2295289B (en) 1996-07-17
GB2295289A (en) 1996-05-22
GB2272122B (en) 1996-07-17
JPH07312525A (ja) 1995-11-28
GB9601567D0 (en) 1996-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE826148C (de) Transistorverstaerker fuer elektrische Schwingungen
DE3035272C2 (de)
DE3323277C2 (de)
DE2204419C3 (de) Vorrichtung zur Umwandlung einer Eingangsspannung in einen Ausgangsstrom oder umgekehrt
DE3420068C2 (de)
DE1487396B2 (de) Spannungsteilerschaltung
DE3309897C2 (de)
DE2420158A1 (de) Differenzverstaerker
DE4336668A1 (de) Breitband-Konstantwiderstands-Verstärker
DE2216409C2 (de) Differenzverstärkerschaltung
DE3017669A1 (de) Regelverstaerker
DE3408220A1 (de) Steuerbarer integrator
DE2648577A1 (de) Elektrisch veraenderbare impedanzschaltung
EP0106088B1 (de) Halbleiter-Verstärkerschaltung
EP0351639B1 (de) Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker
DE2529966C3 (de) Transistorverstärker
DE2946952C2 (de)
DE1902724A1 (de) Komplementaerer Emitterfolger
DE1903913B2 (de) Breitband-verstaerkerschaltung
DE3824105A1 (de) Spannungsregelschaltung
EP0275582B1 (de) Stromspiegelschaltung
EP0429717B1 (de) Transkonduktanzverstärker
DE2554770C2 (de) Transistor-Gegentaktverstärker
DE1774527C3 (de) Schaltungsanordnung zur Bildung des Betrages einer elektrischen Zeitfunktion
DE1814887C3 (de) Transistorverstärker

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee