JPH10310870A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置

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JPH10310870A
JPH10310870A JP9136092A JP13609297A JPH10310870A JP H10310870 A JPH10310870 A JP H10310870A JP 9136092 A JP9136092 A JP 9136092A JP 13609297 A JP13609297 A JP 13609297A JP H10310870 A JPH10310870 A JP H10310870A
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electrode
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insulator
plasma
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舜平 山崎
Toru Takayama
徹 高山
Mitsunori Sakama
光範 坂間
Hisashi Abe
寿 阿部
Hiroshi Uehara
弘 上原
Mika Ishiwatari
美華 石渡
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の大型化や加工の容易さを維持しつつ、
アーク放電等の不要な放電を防止し、反応室に付着した
膜が剥がれることによるパーティクルの量を減らし、装
置の稼動時間の生産寄与の割合を高める。 【解決手段】 電源１１３、真空排気手段１１８および
反応ガス導入管１１４を有する導電性反応室１０４にお
いて、電極１１１、基板ホルダー１１２および絶縁体１
２０で囲まれた空間でプラズマ１１５を発生させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や液晶、光
ディスクなど薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置
に関するもので、特に金属などの導電体チャンバーで構
成される反応室を用いたプラズマＣＶＤ装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】基板上に薄膜を形成するための方法とし
て、減圧状態で、スパッタリング現象を利用したスパッ
タ法、蒸着現象を利用した真空蒸着法、プラズマによる
低温ガス分解を利用したプラズマＣＶＤ法、ガスの熱分
解を利用した熱ＣＶＤ法、短波長光や紫外線のエネルギ
ーによってガスを分解する光ＣＶＤ法等のＣＶＤ（Chem
ical Vaper Deposition）法等が知られている。また、
それらの複合技術や、応用技術なども数多く研究開発さ
れ、実際の製造方法にも使用されてきている。
【０００３】上記のような薄膜形成技術のうち、プラズ
マＣＶＤ法は、減圧状態で反応気体に直流または高周波
電圧を印加し、グロー放電によって反応ガスを分解、生
成し、基板上に被膜を堆積する方法である。この方法に
よる薄膜形成は、プラズマのもつ高い電子温度数ｅＶな
どのプラズマエネルギーによって、比較的に低温（５０
０℃以下）でガスを分解できることや、ガスの種類を代
えることで様々な組成の膜を真空を利用して高純度で形
成することができるために、半導体分野、液晶分野、光
ディスク分野、磁気ディスク分野など様々なところで実
施されている。
【０００４】少し前までは、基板に対して薄膜を形成す
る場合は、一度に多数の基板を処理するバッチ型のプラ
ズマＣＶＤ装置を用いることがよく知られていた。しか
し、バッチ処理の場合は同時に処理した場合でも各基板
毎に若干薄膜の特性が変化するために、精度の高い薄膜
の要求に繰り返し精度、基板間バラツキが大きく対応が
困難であった。また、基板を同時に複数枚数（４〜８枚
程度）を処理するために基板を載置しかつ基板ごと移動
するための基板ホルダーが必要であった。この基板ホル
ダーは、基板の成膜が終了するとプラズマＣＶＤ装置の
外にでて、次の基板を載置して再び装置内で処理され
る。そのため、真空加熱・大気圧室温を繰り返すために
基板ホルダーに付着した膜が剥がれるいわゆるピーリン
グ現象が発生していた。
【０００５】バッチ処理は上記のような理由により、最
近プラズマＣＶＤ装置に限らず薄膜成膜エッチングなど
ほぼ全般的に使用されなくなり、代わりに枚葉式の装置
が使われるようになった。
【０００６】枚葉式の場合は、基板と一緒に移動する基
板ホルダーを使用せず基板を一枚一枚順番に処理し、移
動も基板のみを移動させる方式である。この方式をを利
用した従来のプラズマＣＶＤ装置を図２、図３を用いて
説明する。
【０００７】図２には枚葉式のプラズマＣＶＤ装置の上
面図を示しているが、２０１に示す室が基板を搬入搬出
するロード室になる。室２０２〜２０６が反応室にな
る。
【０００８】ロード室２０１に処理をする基板をカセッ
トなどで複数枚セットする。ロード室２０１に基板をセ
ットした後に減圧にする。十分な圧力まで減圧されると
ロード室２０１と共通室２０７の間のゲート弁２１０が
開く。共通室２０７に設置された基板搬送手段２０８
は、ロード室２０１内のカセットにセットされている複
数枚の基板の中から１枚をロード室２０１から共通室２
０７へ移動する。移動された状態が図２に示されており
基板２０９は、薄膜を形成する反応室に移動する。基板
２０９の移動は、基板搬送手段２０８により反応室に移
動させる。
【０００９】共通室２０７と、各反応室２０２〜２０６
およびロード室２０１はゲイトバルブ２１０で接続され
ており、各室に基板２０９を出し入れするときにその室
のゲイトバルブを開ける。また、ロード室２０１、各反
応室２０２〜２０６および共通室２０７はそれぞれ真空
排気手段により真空にされる。薄膜形成は、アモルファ
ス太陽電池のような積層型（Ｐ層Ｉ層Ｎ層等）や、半導
体の保護膜のように単層のものなど色々なタイプがあ
る。そのため、各室での処理は形成する膜の種類や積層
型などによって異なる。
【００１０】図３は図２のＡ−Ａで切った、共通室室２
０７および反応室２０４の断面図を示す。
【００１１】反応室２０４の中には、電極２１１と基板
ホルダー２１２が設置されている。なお、電極２１１は
電源２１３に接続され、基板ホルダー２１２および反応
室２０２は接地されている。また、基板ホルダー２１２
には、図示しないが基板を加熱するためのヒーターが備
わっている。この基板ホルダー２１２は、前述のバッチ
型のものとは異なり、反応室２０４の中に存在し、基板
２１０と一緒に搬送されることはない。
【００１２】そして、基板２０９を共通室２０７より基
板ホルダー２１２上に設置し、導入管２１４より反応ガ
スを導入する。そして、電極２１１に電圧をかけてプラ
ズマを２１５で示す空間に発生させ、基板上に薄膜を形
成する。薄膜が形成された基板２１０は、再び共通室２
０７内の搬送手段２０８によって反応室２０４から、共
通室２０７に移動され次の処理に移される。そして反応
室２０４には別の基板が搬入され、同様に薄膜形成処理
が行われる。これら一連の処理では基板のみが移動され
る。
【００１３】なお、２１７および２１８は真空排気手段
であり、共通室内と反応室内をそれぞれ減圧状態に保
つ。排気手段は、通常各室独立して設けられている。
【００１４】反応室２０３〜２０６も反応室２０２と同
じ構造になっており、成膜する膜の種類や厚さにより各
反応室を使い分ける。例えば、反応室２０２では珪素膜
を、反応室２０３では酸化珪素膜を、反応室２０４では
窒化珪素膜を成膜する。または、各反応室それぞれで窒
化珪素膜、珪素膜、窒化珪素膜を積層する同一プロセス
を行い、全体としてのスループットいわゆる生産性を向
上させる。
【００１５】勿論不純物を極度に抑えるために各室毎に
成膜する膜種を決めるようにすることで、不純物を混入
させることなく各膜を順次成膜することができ、生産効
率があげることも可能である。
【００１６】上述したプラズマＣＶＤ装置の構成のうち
各室の構成材料には、主に金属などの導体、例えばアル
ミニウムやステンレススチールからなる。プラズマＣＶ
Ｄ装置の室の材料としては金属以外にも、絶縁体である
石英やアルミナなどを用いることが知られているが、枚
葉式の装置には使用されない。これは以下のような理由
による。
【００１７】枚葉式プラズマＣＶＤ装置の場合は１枚づ
つ基板を処理するために反応室を複数設けて生産性を向
上させる必要がある。複数の反応室を設けると必然的に
プラズマＣＶＤ装置は大型化する。そのために強度があ
る材料が必要になる。石英やアルミナなどの材料の場合
は、硬度はあるが破損しやすい。真空室の材料として
は、髪の毛一本ほどの傷あっても真空に保てないほど微
妙である。さらに、大型化複雑化するために加工しやす
く加工精度の高い材料が必要である。しかもできるだけ
安価なもののほうがよい。以上のような条件を満たす材
料を探すと現時点では、アルミニウムやアルミニウム合
金やステンレススチールなどの金属材料を用いて反応室
などをつくることが多い。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】前述のような枚葉式プ
ラズマＣＶＤ装置によって薄膜を形成する場合、分解さ
せる反応気体は、基板上だけでなく反応室全体にまわ
る。熱ＣＶＤなどは、反応室全体を加熱するために基板
上以外にも反応室全体に被膜が形成される。プラズマＣ
ＶＤ法の場合は、プラズマが発生している基板のみに被
膜が形成されることが理想だが、基板上以外の場所にも
成膜される。すなわち、プラズマ２１５が基板２０９の
近傍以外にも広がっているために、電極２１１の表面や
反応室の内壁など露出している部分にも膜が形成され
る。
【００１９】これは、電極と基板ホルダーの間でプラズ
マを発生させるだけではなく、反応室が金属材料すなわ
ち導電体でできているために、プラズマが電極と基板ホ
ルダーの間だけで発生するのではなく、それ以上に広が
ってしまうことに原因がある。バッチ型プラズマＣＶＤ
装置の基板ホルダーとは異なり、基板以外に成膜された
被膜は、大気に触れたり、室温-高温のサイクルを繰り
返すことが無いために直ぐに剥がれるようなことはな
い。
【００２０】しかしながら、成膜を続けていくとやはり
剥がれ始める。そして、この膜は、パーティクルまたは
フレーク等となって基板上や反応室の底に落ちる。した
がって、何回か成膜をおこなった後に、基板以外の場所
に成膜、堆積した膜が剥がれ始める前に定期的に除去す
る必要がある。除去は、反応室内にエッチングガスを導
入し、プラズマを発生させて膜をエッチングしておこな
う。
【００２１】成膜の際には、ひどい場合は、電極２１１
に近い反応室の内壁との間、例えば図３の２１６で示す
空間にもアーク放電等の不要放電が起こり、内壁への成
膜膜厚が厚くなり結果として剥がれやすくなることもあ
る。
【００２２】反応室の内壁はその表面を比較的滑らかに
する。これは、壁からの脱ガスを抑えて不純物を減少さ
せることや、アーク放電を防止するため等に滑らかにし
ているものである。実際には、＃４００番以上のバフ研
磨や電解研磨、複合電解研磨などによって、鏡面に近い
状態にしている。この滑らかな表面に付着した被膜は、
密着性が悪く剥がれやすい。剥がれた膜は、パーティク
ルまたはフレークとなって反応室に落ち堆積する。一旦
剥がれてパーティクル、フレーク等になったこれらの堆
積物は、成膜時に内壁に付着した膜状のものよりもプラ
ズマエッチングによって除去しにくい。実際には、完全
に除去することができない。なぜ完全に除去できないの
か理論的には判明していないが、経験則として膜状のも
のはエッチングできるが、パーティクルやフレーク等の
固形体は完全にエッチングすることができない。
【００２３】そのために、基板以外に付着した膜が剥が
れるかなり前に、反応室のクリーニングを行う必要があ
る。そのため、装置の稼動時間のうち生産に寄与する成
膜時間と、生産に寄与しないエッチング時間の兼ね合い
によって、生産寄与の割合が減少する。反応室表面に凹
凸をつけると膜の剥がれ易さを減少できるが、表面積が
大きくなり真空引きに時間がかかり、表面積の増加した
凹凸表面からの脱ガス量が増加し真空装置を用いて純度
の高い薄膜を形成するという本来の目的からはずれてし
まう。
【００２４】本発明は、以上のような問題点を解消する
ものである。すなわち、装置の大型化や加工の容易さを
維持しつつ、アーク放電等の不要な放電を防止し、反応
室に付着した膜が剥がれることによるパーティクルの量
を減らし、装置の稼動時間の生産寄与の割合を高めるこ
とを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
は、減圧状態に保持される導電性反応室と、前記反応室
に電気エネルギーを供給される電極と、前記電極に対向
して基板を保持できる基板ホルダーと、前記反応室にガ
スを供給するガス系と、前記反応室を排気する排気系と
を少なくとも有するプラズマＣＶＤ装置であって、前記
電極と前記基板ホルダーおよび絶縁体で囲まれた空間で
プラズマを発生させることを特徴とする。また、上記構
成において、前記絶縁体はアルミナであることを特徴と
する。
【００２６】他の発明は、減圧状態に保持される導電体
から構成される搬入室、共通室および反応室と、前記共
通室内に設置された、基板を反応室に出し入れする搬送
手段と、前記反応室内に、電気エネルギーを供給される
電極と、前記電極に対向して前記基板を保持する基板ホ
ルダーと、前記反応室にガスを供給するガス系と、前記
反応室を排気する排気系とを少なくとも有し、前記電極
と前記基板ホルダーおよび絶縁体で囲まれた空間でプラ
ズマを発生するプラズマＣＶＤ装置であって、前記絶縁
体は前記基板ホルダーが稼働し止まるときのストッパー
となることを特徴とする。また、上記構成において、前
記絶縁体はアルミナであることを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】図１に本発明のプラズマＣＶＤ装
置を示す。図１は、共通室１０７と反応室の一つ１０４
の断面図を示したものであり、ＣＶＤ装置全体は、例え
ば図２の枚葉式のように、搬入室、共通室および複数の
反応室からなっている。
【００２８】共通室１０７と反応室１０４は、先に述べ
たとおりの理由により金属材料から構成されている。そ
してゲイトバルブ１１０により接続されている。反応室
１０４においては、電極１１１および基板ホルダー１１
２が設置される。電極１１１は電源１１３に接続され、
基板ホルダー１１２および反応室１０４は接地されてい
る。また、基板ホルダー１１２には、図示していない
が、基板を加熱するためのヒーターが備わっている。
【００２９】なお、１１７および１１８は真空排気手段
であり、共通室内と反応室内をそれぞれ減圧状態に保
つ。また、１１４は反応気体を反応室１０４中に導入す
る管である。図１の場合、電極１１１は網状になってお
り、反応気体は導入管１１４を通って電極１１１より反
応室１０４に導入される。
【００３０】そして、図１に示すように、絶縁体１２
０、例えばアルミナを取り付ける。この状態で、電極１
１１に電圧をかけると、発生するプラズマ１１５は、電
極１１１、基板ホルダー１１２および絶縁体１２０に囲
まれている状態になる。したがって、絶縁体１２０によ
り、プラズマが電極と基板ホルダーの間より広がること
なく、電極１１１と反応室１０４との間でアーク放電等
の不要放電が起こることを防止できる。
【００３１】また、共通室１０７から基板１０９を反応
室１０４中に出し入れするのは搬送手段１０８によって
おこなわせる。このとき、基板ホルダー１１２は図１の
点線１１２’に示すように下に位置する。こうすること
により、絶縁体１２０が障害にならないように搬送手段
１０８により基板１０９を置くことができる。
【００３２】さらに、基板１０９上に膜を形成するとき
は、プラズマが電極１１１と基板ホルダー１１２および
絶縁体１２０に囲まれるようにするために、基板ホルダ
ー１１２が上がる。このとき、絶縁体１２０がストッパ
ーとなり、基板ホルダー１１２が止まるようにしてお
く。こうしておくと、基板ホルダー１１２が上がりすぎ
て基板１０９が電極１１１と接触する恐れがなく、装置
の自動化において安全性が増す。
【００３３】このように、プラズマ１１５が広がらない
のでプラズマ密度が上がり、アーク放電等の不要放電も
起こらないので、基板１０９上に形成する膜の成膜速度
があがる。また、成膜の際、主に電極１１１の表面や絶
縁体１２０の表面に被膜が形成してしまう。しかし、絶
縁体１２０の表面は凹凸があるので形成した被膜は金属
に比べ密着性が良く、パーティクルやフレークなどにな
って落ちにくくなる。したがって、パーティクルやフレ
ークなどの量を減らすことができ、プラズマエッチング
による反応室のクレーニングが容易になる。さらに、被
膜は主に電極１１１の表面や絶縁体１２０の表面に主に
形成され、反応室自体にはほとんど形成されないので、
クリーニングする面積が狭くなる。また、上述のように
プラズマが広がらないのでプラズマ密度が高くなる。
【００３４】以上のような理由により、クリーニング時
間が短縮し、装置の稼働時間の生産寄与の割合を高める
ことができる。
【００３５】
【実施例】
（実施例１）本実施例では、窒化珪素膜を基板上に形成
する場合を例にしながら、本実施例の枚葉式プラズマＣ
ＶＤ装置の説明をする。図４に本実施例のプラズマＣＶ
Ｄ装置の反応室の断面図を示す。
【００３６】図４において、反応室４０１中に電極４０
２および基板ホルダー４０３が設置されている。電極４
０２は網状になっており、反応気体は導入管４０９を通
り、網状の電極４０２から反応室に導入するようになっ
ている。また、電極４０２と基板ホルダー４０４との間
の空間４０５と反応室４０１との間に絶縁体、例えばア
ルミナ４０６、４０７が配置されている。
【００３７】４１０に示す部分は石英で形成されてい
る。石英４１０は次のような理由により設置する。絶縁
体４０６と４０７との間を通って反応気体が反応室の壁
に接触する。したがってこの接触するアルミニウム製の
反応室の壁の表面にも被膜が形成される。この被膜はア
ルミニウム上に形成されるので、パーティクルとなって
しまう。これを防止するために石英４１０を設置する。
また、４１１は排気管でターボ分子ポンプ、ロータリー
ポンプの順に接続され、反応室内を減圧状態に保つ。本
実施例では、まず反応室内を0.3torrにする。
【００３８】次に基板ホルダー４０３と電極４０２との
距離を65mmにした状態で、図示しない搬送手段により基
板ホルダー４０３上にガラス基板４０４を設置する。こ
の状態において絶縁体４０６、４０７は基板４０４を設
置する際の障害にはならない。そして、基板ホルダーを
上げて、基板ホルダー４０３と電極４０２との距離を15
〜25mmとし、図に示す状態にする。本実施例では20mmと
する。
【００３９】このように、基板ホルダー４０３は上下に
動くようになっており、基板４０４を置くときは、基板
がスムーズに置けるように基板ホルダー４０３と絶縁体
４０７とが十分離れるよう下がった状態にし、この基板
上に成膜するときに図４のように上に上がる。基板の位
置（基板と電極との距離）は調節ができるようになって
いる。絶縁体４０７は基板ホルダー４０３が上に上がっ
たときのストッパーの役割もしており、基板ホルダー４
０３が上がるときの安全性を上げている。
【００４０】また、図示されてないが、基板ホルダー４
０３中に基板４０４を加熱するためのヒーターが装備さ
れている。
【００４１】そして、シラン、アンモニア、窒素及び水
素の混合気体を、シラン/アンモニア/窒素/水素=30/150
/250/100SCCMで、網状の電極４０２より反応室に導入す
る。そして全圧0.2〜１torrの条件下で100〜300WのRFを
図示しない電源より電極４０２にかけて、空間４０５に
プラズマを発生させる。このときの基板温度は250〜400
℃とする。本実施例では、全圧0.5torr、RFを200W、基
板温度を325℃とする。また、電極の大きさは200mmφで
あるので、電極にかかる電圧はおよそ0.3〜1W/cm2であ
る。このとき発生したプラズマは絶縁体４０６、４０７
により広がらず、また、反応室の壁と電極との間でアー
ク放電等は起こっていない。
【００４２】以上のようにして窒化珪素膜を成膜する。
本実施例の条件下での窒化珪素膜の成膜速度はおよそ14
00Å/minである。従来のプラズマＣＶＤ装置で成膜する
場合の成膜速度はおよそ300Å/minであるので、成膜速
度が格段にあがることがわかる。
【００４３】なお、絶縁物４０６と４０７との間はなる
べく平行にした方が膜質のよい膜を得ることができる。
特に膜質のよいものを得たいときはこの間隔をやや広め
にとるとよい。本実施例では3〜5mmとする。
【００４４】そして、窒化珪素膜は絶縁物４０６、４０
７の空間４０５側の表面などにも形成されている。しか
し、反応室の表面にはほとんど被膜されていない。これ
らの膜はアルミナの表面に形成されているのでパーティ
クルなどとして落ちにくく、反応室中のパーティクルな
どの量が減る。
【００４５】そしてある程度成膜をおこない、絶縁物４
０６、４０７の表面等にある程度被膜が形成された後、
クリーニングをおこなう。本実施例では、絶縁物に膜が
およそ10〜20μｍついた時点でクリーニングをおこな
う。
【００４６】エッチングガスはふっ化窒素及び窒素の混
合気体を用いる。反応室中は、ふっ化窒素/窒素=80/300
SCCMで混合気体を流し全圧をおよそ0.2〜１torrにす
る。本実施例では0.5torrでおこなう。また、基板ホル
ダー４０３と電極との距離はおよそ50mmとする。これは
絶縁物４０８と４０７との間の、それぞれの表面にも窒
化珪素膜が付着している。これらをエッチングするため
に、基板ホルダーを下げ、絶縁物４０７と４０８との間
をあけておく。
【００４７】そしておよそ100〜200Wの高周波を電極に
かけ、クリーニングをおこなう。本実施例では200Wでお
こなう。この場合エッチングはおよそ４０分で終了す
る。従来では５〜６時間もかかっていたところ、その約
1/8〜1/9のエッチング時間に短縮する。
【００４８】このように、アルミナなど絶縁体の表面
は、反応室の内壁の表面すなわち金属表面よりも凹凸が
ある。したがって、形成された被膜膜は剥がれにくくな
っており、基板や反応室の底に落ちるパーティクル等の
量を減らすことができ、クリーニングが容易になる。ま
た、絶縁体４０６、４０７が配置されているので、プラ
ズマが広がることを防ぐことができる。したがって、電
極と反応室の内壁との間にアーク放電等の不要な放電が
発生せず、プラズマ密度も高くなっている。さらに、被
膜は反応室の壁にはほとんど形成されていなく、絶縁体
や電極等に主に被膜されているので、クリーニングしな
くてはならない面積は狭い。
【００４９】以上のことより、クリーニングが簡単にな
り、時間も短縮でき、装置の稼働時間の生産寄与の割合
を高めることができる。
【００５０】（実施例２）図４に示す装置を用いて基板
上に酸化珪素膜を形成する場合について述べる。
【００５１】図４に示す装置において、反応ガスをＴＥ
ＯＳ/酸素=10/300SCCMで反応室に導入し、全圧をおよそ
0.5〜1torrにする。本実施例では0.75torrでおこなう。
【００５２】また、基板温度は300〜400℃、RFは150〜3
00W、基板と電極との距離は10〜15mmとして、基板上に
酸化珪素膜を形成する。本実施例では基板温度を350
℃、RFを200W、距離を13.5mmとする。
【００５３】このときの成膜速度はおよそ2000〜2300Å
/minであり、従来の約３倍の成膜速度である。
【００５４】また、クリーニングは実施例１と同様にお
こなう。ただし、反応室内の全圧はおよそ1torrとし、
基板ホルダー４０３と電極との距離は50〜60mmとする。
【００５５】本実施例においてもエッチング時間は２０
〜４０分と大幅に短縮する。
【００５６】
【発明の効果】このように、プラズマＣＶＤ装置におい
て、大型化や加工の容易さに有利な導電性の材料を用い
ながら、アーク放電等の余計な放電の起こらない装置を
得ることができる。また、反応室の内壁に膜は付着せず
絶縁体表面に付着するので、反応室内のパーティクルな
どの量が減らすことができる。さらにクリーニング時間
が短縮し、装置の稼働時間の生産寄与の割合を高めるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のプラズマＣＶＤ装置の共通室および
反応室の断面図
【図２】 枚葉式のプラズマＣＶＤ装置の上面図
【図３】 従来のプラズマＣＶＤ装置の共通室および反
応室の断面図
【図４】 本発明のプラズマＣＶＤ装置の実施例の反応
室の断面図
【符号の説明】
１０４ 反応室 １０７ 共通室 １０８ 基板搬送手段 １０９ 基板 １１０ ゲイトバルブ １１１ 電極 １１２、１１２’ 基板ホルダー １１３ 電源 １１４ 反応気体の導入管 １１５ プラズマ空間 １１７、１１８ 真空排気手段 １２０ 絶縁体 ４０１ 反応室 ４０２ 電極 ４０３ 基板ホルダー ４０４ 基板 ４０５ プラズマ空間 ４０６、４０７、４０８ 絶縁体 ４０９ 導入管 ４１０ 石英 ４１１ 排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 寿 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 上原 弘 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 石渡 美華 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】減圧状態に保持される導電体から構成され
    る反応室と、 前記反応室内に、電気エネルギーを供給される電極と、 前記電極に対向して基板を保持する基板ホルダーと、 前記反応室にガスを供給するガス系と、 前記反応室を排気する排気系とを少なくとも有するプラ
    ズマＣＶＤ装置であって、 前記電極と前記基板ホルダーおよび絶縁体で囲まれた空
    間でプラズマを発生させることを特徴とするプラズマＣ
    ＶＤ装置。
  2. 【請求項２】請求項１において、前記絶縁体はアルミナ
    であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
  3. 【請求項３】減圧状態に保持される導電体から構成され
    る搬入室、共通室および反応室と、 前記共通室内に設置された、基板を反応室に出し入れす
    る搬送手段と、 前記反応室内に、電気エネルギーを供給される電極と、 前記電極に対向して前記基板を保持する基板ホルダー
    と、 前記反応室にガスを供給するガス系と、 前記反応室を排気する排気系とを少なくとも有し、 前記電極と前記基板ホルダーおよび絶縁体で囲まれた空
    間でプラズマを発生するプラズマＣＶＤ装置であって、 前記絶縁体は前記基板ホルダーが稼働し止まるときのス
    トッパーとなることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
  4. 【請求項４】請求項３において、前記絶縁体はアルミナ
    であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
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