JPH10308607A

JPH10308607A - 誘電体デュプレクサ装置

Info

Publication number: JPH10308607A
Application number: JP9134349A
Authority: JP
Inventors: Kenji Ito; 憲治伊藤
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1997-05-07
Filing date: 1997-05-07
Publication date: 1998-11-17
Also published as: EP0877436A1; US6057746A

Abstract

(57)【要約】【課題】小型で、製造容易な誘電体デュプレクサ装置
を提供する。【解決手段】誘電体磁器ブロック２の開放端面８に、
複数の誘電体層１１ａ〜１１ｆ，２１ａ〜２１ｅを積層
してなる回路積層体１０ａ，１０ｂを配設して、その結
合回路Ｌ，Ｂを共振器回路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃと
結合してなる誘電体フィルタ１ａ，１ｂを基板４０上に
実装して、これを金属ケース３５で覆ったものであり、
このため、その全体を整一な単純形状とすることがで
き、濾波回路が小型化し、基板４０を小面積とできて、
その全体を小さくすることができる。また、誘電体デュ
プレクサ１ａ，１ｂ及び誘電体層１１ａ〜１１ｆのみに
より、濾波回路が構成され、誘電体基板上での配線が簡
易となり、製造が容易となり、さらには機械的強度が増
して、耐衝撃性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話、携帯
電話等の移動体通信機器に用いられる、共振器を複数並
設してなる誘電体デュプレクサ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】共振器を複数個一方向に並設し、かつ貫
通孔が開口する開放端面を除く所要外周面にアース導体
を被覆してなる誘電体デュプレクサを、基板上に載置
し、基板上に結合回路を付設して、所要共振器に結合す
るようにし、さらに金属ケース内に誘電体磁器ブロック
と結合回路とを覆うようにした誘電体デュプレクサ装置
は、特開昭６３−３１１８０１号等種々提案されてい
る。

【０００３】これらのものは、各共振器間をＬＣ結合す
る結合用コンデンサ等の回路部材を基板上に実装した
り、該基板上の所要回路を構成するための電路を形成し
ており、これらをシールドケースとなる金属ケースで覆
い、さらに該基板に外部電路と接続する入出力電極を形
成することによりユニット状としてなる。そして、この
ようにユニット状とすることにより、取扱いが容易とな
る。この構成にあっては、結合用コンデンサ等を基板上
に別途実装するものであるから、適宜に回路定数等を設
定でき、設計に自由度が与えられる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来構成に
あっては、各共振器をＬＣ結合するために、各共振器
に、金属端子を夫々嵌入して、該金属端子を、基板上に
形成した所要電路に接続するようにしており、結線が面
倒であり、基板上に結合用コンデンサを別途実装する必
要があり、組み付け工数が増加し、かつ雑然とした回路
配列となって、回路設計が複雑化する等の問題があっ
た。本発明は、かかる問題点を除去することを目的とす
るものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、共振器を複数
個一方向に並設し、該共振器群を二つに区分して、片側
区分群を送波部とし、他側区分群を受波部としてなる誘
電体デュプレクサを、基板上に載置すると共に、基板上
にＬＣ結合回路を付設して、誘電体デュプレクサの所要
共振器に結合するようにした誘電体デュプレクサ装置に
おいて、前記誘電体デュプレクサの開放端面に、複数の
誘電体層を積層することによりＬＣ結合回路を構成して
なる回路積層体を配設し、そのＬＣ結合回路を送波部又
は／及び受波部の所要共振器と結合して、所要送受波回
路を構成するようにしたことを特徴とする誘電体デュプ
レクサ装置である。

【０００６】かかる構成にあって、誘電体デュプレクサ
の開口端面に誘電体層が配設された単純構成により、Ｌ
Ｃ結合回路が構成されることとなり、整一な形状となる
と共に、回路積層体の構造を選定することにより、任意
の回路定数のものを構成することができる。

【０００７】上述の構成にあって、前記誘電体デュプレ
クサは、誘電体ブロックに、単一の貫通孔を形成して、
その内周面に内導体を被覆することにより構成される同
軸型共振器を、基板上に複数並設することにより構成さ
れ得る。このように、構成することにより、各同軸型共
振器の特性を夫々別途に調整でき、適正な特性の誘電体
デュプレクサを構成し得る利点がある。この場合に、各
同軸型共振器は、別途、あらかじめ一体化するか、夫々
直接に基板に固定することにより組み付けられる。

【０００８】また、前記誘電体デュプレクサは、誘電体
磁器ブロックに、複数の貫通孔を形成し、夫々の内周面
に内導体を被覆することにより、単一誘電体磁器ブロッ
ク内に共振器を複数並成して構成することもできる。こ
の場合には、誘電体デュプレクサは単一構造であるか
ら、組み付けが容易となる。

【０００９】上述の構成にあって、前記誘電体デュプレ
クサの開放端面に、複数の誘電体層を積層して焼結する
ことにより、送波部の各共振器と結合するローパスフィ
ルタ回路部と、受波部の各共振器と結合するバンドパス
フィルタ回路部とを備えるＬＣ結合回路を構成してなる
回路積層体を接合することにより、所要送受波回路を構
成するようにしたものが提案される。

【００１０】このように、回路積層体を複数の誘電体層
を積層して焼結することにより、１チップ構造とするこ
とができ、誘電体デュプレクサの開放端面に、該チップ
を接合するだけで、容易に誘電体デュプレクサ装置を構
成し得ることとなる。

【００１１】さらには、前記誘電体デュプレクサの開放
端面の送波部領域上に、複数の誘電体層を積層して焼結
することにより、送波部の各共振器と結合するローパス
フィルタ回路部を備えてなる回路積層体を接合し、さら
に、受波部領域に各共振器の内導体と接続する導電層を
形成して、該導電層相互を容量結合することにより、バ
ンドパスフィルタ回路部を構成するようにしたものも提
案される。

【００１２】この構成にあって、回路積層体は、誘電体
層表面に所要のパターン導体を形成することにより、容
易にインダクタを形成できるから、複数のインダクタを
備えるローパスフィルタ回路部を構成するためにのみ回
路積層体を用いて、該回路積層体を開放端面の送波部領
域上に接合するようにし、一方、コンデンサのみからな
るバンドパスフィルタ回路部を、従来のように、ザグリ
内に導電被膜を形成したり、または、パターン導体を直
接印刷する等により、共振器の内導体と接続する導電層
を形成して、各導電層相互を容量結合するようして構成
したものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】添付図面に従って、本発明の各実
施例を説明する。尚、各実施例は、いずれも図６で示す
送受波回路を構成するものである。

【００１４】図１，２は、本発明の一実施例を示し、八
個の同軸型共振器３Ａ〜３Ｃ，４Ａ〜４Ｅを形成してこ
れを二つに区分して、三つの共振器３Ａ，３Ｂ，３Ｃか
らなる片側区分群を三ポール型送波部Ｔとし、五つの共
振器４Ａ〜４Ｅからなる他側区分群を五ポール型受波部
Ｒとし、さらに送波部Ｔと受波部Ｒとの間にスペーサ共
振器６を配設し、これらを隣接方向で相互に接合するこ
とにより誘電体デュプレクサ１ａを構成し、各同軸型共
振器３Ａ〜３Ｃ，４Ａ〜４Ｅの全開放端面８を覆うよう
に回路積層体１０ａを接合して、基板４０上に実装し、
さらに誘電体デュプレクサ１ａを覆うようにシールドケ
ースとしての金属ケース４５を被着してなる誘電体デュ
プレクサ装置の構成を示すものである。尚、各同軸型共
振器３Ａ〜３Ｃ，４Ａ〜４Ｅは、夫々を並列状に接合せ
ずに、基板４０上に実装した状態で隣接するようにして
も良い。

【００１５】この共振器３Ａ〜３Ｃ，４Ａ〜４Ｅは、図
５で示すように、酸化チタン系，酸化バリウム系等の誘
電体セラミック材料を焼結してなる誘電体磁器ブロック
２に貫通孔５を形成し、該貫通孔５の内周面に内導体６
を塗着形成してなり、さらに、その貫通孔５が開口する
開放端面８を除く所要外周面にアース導体７を被覆して
いる。この共振器３Ａ〜３Ｃ，４Ａ〜４Ｅは、共振周波
数のλ／４に相当する共振長寸法にほぼ一致させてい
る。そして、この各共振器３Ａ〜３Ｃ，４Ａ〜４Ｅによ
り、図６で示す共振器回路Ｘが構成される。

【００１６】前記回路積層体１０ａは、ガラスセラミッ
ク，ガラスと誘電体セラミック材料の複合材料、あるい
は低融点酸化物等からなり、しかも誘電体デュプレクサ
１ａの全開放端面８を整一に覆う長方形状の複数の誘電
体層１１ａ〜１１ｆを積層して、これを一体焼結するこ
とにより形成される。また、この回路積層体１０ａは、
誘電体層１１ａ〜１１ｆの積層のみにより、ローパスフ
ィルタ回路部Ｆ₁ とバンドパスフィルタ回路部Ｆ₂ とを
備えるＬＣ結合回路Ｙを構成している。このように、こ
の回路積層体１０ａは誘電体層１１ａ〜１１ｆを一体焼
結して、１チップ化されているため、開放端面８上への
接合により、全体が一様な直方体をなす、整一な誘電体
デュプレクサ装置１ａを容易に構成し得ることとなる。

【００１７】前記開放端面８には、ローパスフィルタ結
合回路Ｌを構成する回路積層体１０ａが接合される。こ
の回路積層体１０ａは、ガラスセラミックス，ガラスと
誘電体セラミックスとの複合材料あるいは低融点酸化物
等の誘電体セラミック材料からなり、しかも誘電体磁器
ブロック２の開放端面８の形状と一致した長方形状の複
数の誘電体層１１ａ〜１１ｆを積層し、これを一体焼結
して、１チップ構造とすることにより形成される。ま
た、この回路積層体１０ａは、誘電体層１１ａ〜１１ｆ
の積層のみにより、ローパスフィルタ結合回路Ｌが共振
器回路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、ローパス
フィルタを構成している。このように、この回路積層体
１０ａは誘電体層１１ａ〜１１ｆを一体焼結して、１チ
ップ化されているため、誘電体デュプレクサ１ａの開放
端面８上への接合により、全体が扁平状の直方体をな
す、整一な形状に容易に構成し得ることとなる。

【００１８】各誘電体層１１ａ〜１１ｆは、その上面に
所要のパターン導体を印刷形成し、さらに、スルホール
を穿設してなるものであり、その具体的構成につき説明
する。

【００１９】誘電体層１１ａの上面には、共振器３Ａ〜
３Ｃに対向する部位に、スルホールと電極層１２ａ，１
２ｂ，１２ｃが形成され、共振器４Ｂ，４Ｄに対向する
部位に、スルホールと電極層１２ｄ，１２ｅが形成さ
れ、さらに共振器４Ａ，４Ｃ，４Ｅと対向する位置にス
ルホールｈが夫々形成され、共振器３Ａ〜３Ｃ，４Ａ〜
４Ｅとスルホールｈで接続される。

【００２０】また、誘電体層１１ｂの上面にも、共振器
３Ａ〜３Ｃに対向する部位に、電極層１３ａ，１３ｂ，
１３ｃが形成され、共振器４Ｂ，４Ｄに対向する部位
に、電極層１３ｄ，１３ｅが形成され、さらに共振器４
Ａ，４Ｃ，４Ｅと対向する位置にスルホールｈが夫々形
成されている。そして、これにより、共振器３Ａ〜３
Ｂ、共振器４Ｂ，４Ｄと、電極層１３ａ，１３ｂ，１３
ｃ間で、誘電体層１１ｂの厚さと、電極層１２ａ〜１２
ｅ、１３ａ〜１３ｅの電極面積により容量が定まるロー
パスフィルタ回路部Ｆ₁ のコンデンサＣ₁ 〜Ｃ₃ 、及び
受波部ＲのコンデンサＣ₄ ，Ｃ₅ が構成されることとな
る。

【００２１】さらに、誘電体層１１ｃには、前記電極層
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ及び共振器４
Ａ，４Ｃ，４Ｅと接続するスルホールｈが貫通状に形成
され、その上面に各電極層１３ａ，１３ｂ，１３ｃと接
続するスルホールｈ間に、蛇行状の導電路からなるイン
ダクタＬ₁ ，Ｌ₂ が形成される。また、共振器４Ａ〜４
Ｅと接続又は結合する部位のスルホールｈ間には、イン
タデジタル状電極層を面方向で対峙して構成されるコン
デンサＣ₇ 〜Ｃ₁₀が形成されることとなる。さらに、共
振器４Ｅと対向する部位には、電極層１４が形成され
る。そしてさらには、電極層１３ｃと接続するスルホー
ルとアンテナ端子と接続するポイント１５でインダクタ
Ｌ₃ が形成され、共振器４Ａとポイント１５でコンデン
サＣ₆ が形成される。

【００２２】誘電体層１１ｄの上面には、前記電極層１
３ａとスルホールｈを介して接続される入力延出路１６
と、誘電体層１１ｃ上のインダクタＬ₃ とコンデンサＣ
₆ とを結線する電路とスルホールｈを介して接続される
アンテナ延出路１７と、誘電体層１１ｄの厚さを介して
電極層１４と対峙してコンデンサＣ₁₁を構成する電極層
１８及び該電極層１８から延出する出力延出路１９とが
形成される。

【００２３】誘電体層１１ｅの上面には、電極層２０
ａ，２０ｂ，２０ｃが形成されて、夫々スルホールｈを
介して電極層１３ａ，１３ｂ，１３ｃと接続される。ま
た、誘電体層１１ｃ上のインダクタＬ₃ とコンデンサＣ
₆ とを結線する電路にスルホールｈを介して接続する電
極層２０ｄが形成され、該電極層２０ｄに一端が接続す
る蛇行状の導電路からなるインダクタＬ₄ が形成され
る。

【００２４】さらに誘電体層１１ｆは、その表面にアー
ス導体２１が形成される。また、この誘電体層１１ｆに
は該アース導体２１と接続するスルホールｈが形成さ
れ、誘電体層１１ｅに形成されたインダクタＬ₄ の他端
をアース導体７に接続するようにしている。さらには、
このアース導体７と、電極層２０ａ〜２０ｄが誘電体層
１１ｆを介して対峙してコンデンサＣ₁₂〜Ｃ₁₅を構成し
ている。

【００２５】かかる誘電体層１１ａ〜１１ｆが積層され
た後に、その積層体の上面には、前記入力延出路１６と
接続する入力端子パッド２１と、前記アンテナ延出路１
７と接続するアンテナ端子パッド２２と、出力延出路１
９と接続する出力端子パッド２３と、回路積層体１０ａ
のアース導体２７と誘電磁器ブロック２のア−ス導体７
と接続するアース導体２８，２９とが形成される。

【００２６】而して、誘電体磁器ブロック２の開放端に
複数の誘電体層１１ａ〜１１ｆを積層するだけで、送波
部Ｔの共振器３Ａ〜３Ｃには、コンデンサＣ₁ 〜Ｃ₃ ，
Ｃ₁₂〜Ｃ₁₄，インダクタＬ₁ 〜Ｌ₃ からなるローパスフ
ィルタ回路部Ｆ₁ が結合し、受波部Ｒの共振器４Ａ〜４
ＥにはコンデンサＣ₄ 〜Ｃ₁₁からなるバンドパスフィル
タ回路部Ｆ₂ が結合し、アンテナ端子とコンデンサＣ₁₅
とインダクタＬ₆ で結合してなるＬＣ結合回路Ｙが構成
され、該ＬＣ結合回路Ｙと、送波部Ｔの共振器３Ａ〜３
Ｃ，受波部Ｒの共振器４Ａ〜４Ｅからなる共振器回路Ｘ
とで、図６で示す送受波回路が構成されることとなる。

【００２７】図７，８は本発明の第二実施例を示し、送
波部Ｔには共振器３Ａ〜３Ｃを隣接方向に接合して構成
すると共に、その開放端面に複数の誘電体層１１ａ’〜
１１ｆ’を積層してなる回路積層体１０ｂを接合し、さ
らに、受波部Ｒには、単一の誘電体磁器ブロック２’
に、内導体を被覆した貫通孔を形成して、該内導体によ
り共振器４Ａ〜４Ｅを構成し、さらにその開放端面で、
各共振器４Ａ〜４Ｅの内導体と接続する導電層３０ａ〜
３０ｅを形成して、結合用コンデンサを導電層３０ａ〜
３０ｅ間に結合用コンデンサをで構成したものである。

【００２８】さらに詳細に述べると、誘電体磁器ブロッ
ク２’の開放端にあって、共振器４Ａ〜４Ｅの口端に
は、夫々ザグリを形成して、その表面に導電被膜を被覆
したり、パターン導体を印刷する等により導電層３０ａ
〜３０ｅを形成して、該導電層３０ａ〜３０ｅ相互を容
量結合することにより、コンデンサＣ₇ 〜Ｃ₁₀を形成し
たものである。さらには、回路積層体１０ｂの端部上に
入力端子パッド３１を形成すると共に、、誘電体磁器ブ
ロック２の中央部にアンテナ端子パッド３２を、側部に
出力端子パッド３３を夫々形成し、アンテナ端子パッド
３２を共振器４Ａに対峙することによりコンデンサＣ₆
を形成し、同じく誘電体磁器ブロック２の端部側面に形
成した出力端子パッド３３を共振器４Ｅに対峙すること
によりコンデンサＣ₁₁を形成したものである。一方、回
路積層体１０ｂの構成は、上述の回路積層体１０ａの誘
電体層１１ａ〜１１ｆの、誘電体磁器ブロック２の開放
端面８の送波部Ｔの領域上に対応する部分に相当する誘
電体層１１ａ’〜１１ｆ’を積層したものであって、図
６で同一符号を付して、その説明を省略する。尚、回路
積層体は、インダクタＬ₁ 〜Ｌ₃ を容易に形成できるた
め、該インダクタＬ₁〜Ｌ₃ を備えるローパスフィルタ
回路部Ｆ₁ を、１チップからなる回路積層体で構成して
いるものである。

【００２９】尚、この構成にあって、誘電体層表面に所
要のパターン導体を形成することにより、インダクタの
形成を容易に行ない得ることから、回路積層体１０ｂ
を、インダクタＬ₁ 〜Ｌ₃ を備えるローパスフィルタ回
路部Ｆ₁ を構成するために用いて、該回路積層体１０ｂ
を開放端面の送波部領域上に接合するようにし、一方、
コンデンサからなるバンドパスフィルタ回路部Ｆ₂ を、
従来構成で構成したものである。

【００３０】上述したように、回路積層体１０ａ（１０
ｂ）を一体化した誘電体デュプレクサ１ａ（１ｂ）は、
図１，２で示すように、各パッドを下方にして基板４０
上に実装される。この基板４０にはあらかじめ、外部電
路と接続可能とした入力端子４１ａ，アンテナ端子４１
ｂ，出力端子４１ｃが配設される。そして、前記誘電体
フィルタ１ａ，１ｂを、入力端子パッド２１，３１、ア
ンテナ端子パッド２２，３２及び出力端子パッド２３，
３３を、端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃと接続された基板
４０上の電路４２ａ，４２ｂ，４２ｃに電気的に接続す
ることにより、入力端子４１ａ，アンテナ端子４１ｂ，
出力端子４１ｃを、誘電体デュプレクサ１ａ，１ｂと回
路積層体１０ａ，１０ｂとで構成される所要濾波回路と
接続する。

【００３１】また、基板４０上に、誘電体フィルタ１
ａ，１ｂを実装した後に、金属ケース３５が前記誘電体
フィルタ１ａ，１ｂを覆うように被着してもよい。前記
入力端子４１ａ，アンテナ端子４１ｂ，出力端子４１ｃ
が外部に露出し、外部電路との接続が可能となる。而し
て、該誘電体デュプレクサ装置はユニット化され、移動
体通信機器等に、簡易に適用され得ることとなる。

【００３２】上述の各実施例にあって、前記誘電体デュ
プレクサを複数の同軸型共振器により構成するようにし
ているが、単一の誘電体磁器ブロックに、複数の貫通孔
を形成し、夫々の内周面に内導体を被覆することによ
り、単一誘電体磁器ブロック内に共振器を複数並成して
構成するようにしても良い。

【００３３】

【発明の効果】本発明は、上述のように、基板４０上
で、誘電体デュプレクサ１ａ，１ｂの開放端面８に、複
数の誘電体層１１ａ〜１１ｆを積層してなる回路積層体
１０ａ，１０ｂを配設して、そのＬＣ結合回路Ｙを送波
部Ｔ又は／及び受波部Ｒの所要共振器３Ａ〜３Ｃ，４Ａ
〜４Ｅと結合して、所要送受波回路を構成するように
し、これを金属ケース４５で覆ってユニット化したもの
であり、このため、 1) その全体を整一な単純形状とすることができ、濾波
回路が小型化し、誘電体基板を小面積とできて、その全
体を小さくすることができる。 2) 誘電体デュプレクサ１ａ，１ｂ及び誘電体層１１ａ
〜１１ｆのみにより、濾波回路が構成され、基板上での
配線が簡易となり、製造が容易となる。3) 誘電体デュ
プレクサ１ａ，１ｂ及び誘電体層１１ａ〜１１ｆのみに
より、濾波回路が構成され、機械的強度が増して、耐
衝撃性が向上する。 4) ＬＣ結合回路Ｙが回路積層体１０ａ，１０ｂ内に閉
じ込められた構造となるため、外部雰囲気と遮断され、
湿度やメカニカルショック等の外部の影響が受けにくく
なり、特性上安定する。 5) 回路積層体により、ＬＣ結合回路を構成するもので
あるから、任意の回路定数のものを容易に構成すること
ができ、デュプレクサ装置の設計に自由度が与えられ
る。 6) 回路積層体を複数の誘電体層を積層して焼結するこ
とにより１チップ化した場合には、誘電体デュプレクサ
１ａ，１ｂの開放端面８に、回路積層体１０ａ，１０ｂ
を接合するだけで組み付けることができ、製造容易で、
量産性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る誘電体デュプレクサ装
置の分離斜視図である。

【図２】誘電体デュプレクサ１ａ，回路積層体１０ａ及
び基板４０を分離して示す誘電体デュプレクサ装置の斜
視図である。

【図３】誘電体デュプレクサ１ａと回路積層体１０ａの
分離斜視図である。

【図４】誘電体デュプレクサ１ａと回路積層体１０ａと
を結合した状態の斜視図である。

【図５】同軸型共振器３Ａ〜３Ｃ，４Ａ〜４Ｅの縦断側
面図である。

【図６】本発明の等価回路図である。

【図７】誘電体デュプレクサ１ｂと回路積層体１０ｂの
分離斜視図である。

【図８】誘電体デュプレクサ１ｂと回路積層体１０ｂと
を結合した状態の斜視図である。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ誘電体デュプレクサ２誘電体磁器ブロック３Ａ〜３Ｃ，４Ａ〜４Ｅ共振器６内導体７アース導体８開放端面１０ａ，１０ｂ回路積層体１１ａ〜１１ｆ誘電体層１１ａ’〜１１ｆ’ 誘電体層２０入力端子パッド２１，３１アンテナ端子パッド２２，３２出力端子パッド４０基板４５金属ケースＴ送波部Ｒ受波部Ｆ₁ ローパスフィルタ回路部Ｆ₂ バンドパスフィルタ回路部Ｘ共振器回路ＹＬＣ結合回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】共振器を複数個一方向に並設し、該共振器
群を二つに区分して、片側区分群を送波部とし、他側区
分群を受波部としてなる誘電体デュプレクサを、基板上
に載置すると共に、基板上にＬＣ結合回路を付設して、
誘電体デュプレクサの所要共振器に結合するようにした
誘電体デュプレクサ装置において、前記誘電体デュプレクサの開放端面に、複数の誘電体層
を積層することによりＬＣ結合回路を構成してなる回路
積層体を配設し、そのＬＣ結合回路を送波部又は／及び
受波部の所要共振器と結合して、所要送受波回路を構成
するようにしたことを特徴とする誘電体デュプレクサ装
置。
【請求項２】前記誘電体デュプレクサが、誘電体ブロッ
クに、単一の貫通孔を形成して、その内周面に内導体を
被覆することにより構成される同軸型共振器を、基板上
に複数並設して構成されたものであることを特徴とする
請求項１記載の誘電体デュプレクサ装置。
【請求項３】前記誘電体デュプレクサが、単一の誘電体
磁器ブロックに、複数の貫通孔を形成し、夫々の内周面
に内導体を被覆することにより、該誘電体磁器ブロック
内に共振器を複数並成して構成されたものであることを
特徴とする請求項１記載の誘電体デュプレクサ装置。
【請求項４】前記誘電体デュプレクサの開放端面に、複
数の誘電体層を積層して焼結することにより、送波部の
各共振器と結合するローパスフィルタ回路部と、受波部
の各共振器と結合するバンドパスフィルタ回路部とを備
えるＬＣ結合回路を構成してなる回路積層体を接合する
ことにより、所要送受波回路を構成するようにしたこと
を特徴とする請求項１乃至請求項３記載の誘電体デュプ
レクサ装置。
【請求項５】前記誘電体デュプレクサの開放端面の送波
部領域上に、複数の誘電体層を積層して焼結することに
より、送波部の各共振器と結合するローパスフィルタ回
路部を備えてなる回路積層体を接合し、さらに、受波部
領域に各共振器の内導体と接続する導電層を形成して、
該導電層相互を容量結合することにより、バンドパスフ
ィルタ回路部を構成するようにしたことを特徴とする請
求項１乃至請求項３記載の誘電体デュプレクサ装置。