JPH07170109A

JPH07170109A - 誘電体共振器装置

Info

Publication number: JPH07170109A
Application number: JP34374193A
Authority: JP
Inventors: Yukihiro Kitaichi; 幸裕北市; Hideyuki Kato; 英幸加藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1993-12-15
Filing date: 1993-12-15
Publication date: 1995-07-04

Abstract

(57)【要約】【目的】部品点数を削減して従来要した接続端子やコ
イルなどの組み込み工数を無くし、低コスト化を図るこ
と。【構成】各誘電体同軸共振器１〜７の開放面１ａ〜７
ａ側の上部に切欠部３７をそれぞれ形成する。各誘電体
同軸共振器１〜７間を結合するキャパシタやインダクタ
ンスからなる結合回路をパターン電極により多層基板４
１で形成する。この多層基板４１の上面には入出力端子
となるパターン電極７６〜７８を形成する。多層基板４
１を誘電体同軸共振器１〜７の切欠部３７内に納装配置
する。誘電体同軸共振器１〜７と多層基板４１とは、切
欠部３７の底面に形成した電極膜と多層基板４１の一部
のパターン電極との接続で電気的に結合される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
として用いられる誘電体共振器装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図８〜図１０に従来の誘電体共振器装置
として誘電体フィルタを示す。図８は誘電体フィルタの
全体の分解斜視図を示し、図９は各種部品を実装した場
合の斜視図を、図１０は等価回路図をそれぞれ示してい
る。まず、従来の誘電体フィルタの全体の構成について
説明する。図８及び図９に示す誘電体フィルタは、例え
ば、自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用され
るものであり、マイクロ波帯に用いられ所謂アンテナ共
用器と言われるものである。

【０００３】そして、この誘電体フィルタは送信側がバ
ンドエリミネーションフィルタで構成され、受信側がバ
ンドパスフィルタで構成されている。バンドエリミネー
ションフィルタは３段の共振器構成となっており、３個
の１／４波長形誘電体同軸共振器１〜３を有し、バンド
パスフィルタは４段の共振器構成で、４個の１／４波長
形誘電体同軸共振器４〜７を有している。

【０００４】誘電体同軸共振器１〜７は、直方体状に形
成されている誘電体の穴８の内周面に形成した電極膜状
の内導体と、該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外
導体と、図には表われていないが穴８が開口している端
面の一方に形成した電極膜状の内導体と外導体とを接続
する短絡導体とで構成され、所定の周波数で共振するよ
うになっている。この誘電体同軸共振器１〜７の穴８に
は一端側を略円筒状に形成した金属製の接続端子９がそ
れぞれ誘電体同軸共振器１〜７の開放端側より圧入され
て、穴８内の内導体と接触して導通を得ている。上記接
続端子９の他端側は舌片状に形成されていて、後述する
コンデンサ基板１０〜１２や結合基板１３の上面に形成
されている電極膜１４〜１７に半田付け等でそれぞれ接
続されるようになっている。

【０００５】上記コンデンサ基板１０〜１２は誘電体か
らなり、その上下面には電極膜がそれぞれ形成されてい
て、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる
結合基板１３の上面には複数の電極膜１４〜１７が並設
されており、電極膜１４〜１６は結合容量を多くとるた
めに、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結合
基板１３の下面の両側にも電極膜が形成されている。ま
た、コンデンサ基板１０〜１２間にはコイル状のインダ
クタＬ₁ 〜Ｌ₃ が接続される。上記インダクタＬ₁ 〜Ｌ
₃ を実装する誘電体からなる結合基板１８の上面には電
極膜１９，２０が形成されており、この結合基板１８の
下面は全面にわたってアース電極となる電極膜が形成さ
れている。

【０００６】上記各部材を上面に実装するベース基板２
２には、アンテナ側と接続される電極膜状の入出力端子
２３と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子２
４と、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子２５
とがそれぞれ形成されている。また、ベース基板２２の
上面及び下面は電極膜状のアース電極２６が略全面にわ
たって形成してある。尚、このベース基板２２は、樹脂
等の誘電体または絶縁体等で形成されている。ベース基
板２２の上面に実装される上記結合基板１３は２個のス
ペーサ２１を介して実装されるものであり、他の１個の
スペーサ２１はベース基板２２の入出力端子２４の上面
に実装される。これら３個のスペーサ２１は、金属等の
導通のある部材を用いている。

【０００７】また、ベース基板２２の上下面の入出力端
子２３〜２５の部分以外の箇所は全面にわたってアース
電極２６が形成されており、上下面のアース電極２６は
横方向に非直線状に形成した複数のスルーホール３３に
より導通を得ている。また、ベース基板２２の周囲に複
数形成した半円状の切欠部３４の端面に形成した電極膜
を介しても上下面のアース電極２６が導通している。更
に、入出力端子２３〜２５も端面に形成した電極膜を介
してベース基板２２の上下面が導通している。

【０００８】ベース基板２２を覆設するカバー２７は金
属製で構成され、カバー２７の天板には誘電体同軸共振
器１〜７の上面側外導体とカバー２７とを半田付け等を
するための細長の穴２８と、誘電体同軸共振器１〜７の
特性を調整するための治具挿入用の穴２９が穿孔してあ
る。また、カバー２７の下縁の前部・背部（図示せず）
よりベース基板２２の上面アース電極２６と接続される
アース端子３０が複数形成されている。カバー２７の側
板には、上記ベース基板２２の入出力端子２３〜２５を
露出させるための切欠部３１がそれぞれ形成してある。
また、図９に示すように、カバー２７の上面にはラベル
３２が貼付され穴２８や２９が覆われるようになってい
る。

【０００９】次に、各部材の配置構成について説明す
る。図８及び図９に示すように、バンドエリミネーショ
ンフィルタ側では、１個のスペーサ２１がベース基板２
２の入出力端子２４の上に実装され、また、結合基板１
８がベース基板２２の入出力端子２４と２３との間のア
ース電極２６の上に実装されハンダづけされる。更に、
入出力端子２３と２５の上面にスペーサ２１がそれぞれ
実装され、この２個のスペーサ２１の上面に、下面の電
極膜が接触する形で結合基板１３が架橋されハンダづけ
される。

【００１０】図９に示すように、インダクタＬ₁ の一端
がスペーサ２１の上面に実装され、その上にコンデンサ
基板１０が実装され、このコンデンサ基板１０の上面の
電極膜に誘電体同軸共振器１からの接続端子９が接続さ
れる。また、インダクタＬ₁ の他端は結合基板１８の電
極膜１９の上に実装され、インダクタＬ₂ が結合基板１
８の電極膜１９と２０との間に実装される。そして、イ
ンダクタＬ₁ とＬ₂ の接続部の上にコンデンサ基板１１
が実装され、コンデンサ基板１１の上面の電極膜に誘電
体同軸共振器２からの接続端子９が接続される。インダ
クタＬ₃ の一端が結合基板１８の電極膜２０の上に実装
され、他端は入出力端子２３の上に実装される。また、
インダクタＬ₂ とＬ₃ の接続部の上にコンデンサ基板１
２が実装され、コンデンサ基板１２の上面の電極膜に誘
電体同軸共振器３からの接続端子９が接続される。

【００１１】２個のスペーサ２１の上に実装された結合
基板１３の上面の各電極膜１４〜１７に、誘電体同軸共
振器４〜７からの接続端子９がそれぞれ接続されるよう
になっている。

【００１２】図１０は上記のようにして構成されている
誘電体フィルタの等価回路図を示し、バンドエリミネー
ションフィルタ側のキャパシタＣ₁ 〜Ｃ₃ は、コンデン
サ基板１０〜１２の上下の電極膜で形成され、キャパシ
タＣ₄ は入出力端子２４と下面のアース電極との間で形
成されるものである。キャパシタＣ₅ ，Ｃ₆ は、結合基
板１８の上面の電極膜１９，２０と下面の電極膜とで形
成されている。また、キャパシタＣ₇ は、入出力端子２
３と下面のアース電極との間で形成されるものである。

【００１３】また、バンドパスフィルタ側のキャパシタ
Ｃ₈ は、結合基板１３の電極膜１４と下面の電極膜との
間で形成され、キャパシタＣ₉ 〜Ｃ₁ ₀ は、結合基板１
３の各電極膜１４〜１６間で形成される。また、キャパ
シタＣ₁ ₁ は、結合基板１３の上面の電極膜１６と下面
の電極膜（図示せず）で形成される。また、この下面の
電極膜は図の右端のスペーサ２１に導通している。更
に、キャパシタＣ₁ ₂ は結合基板１３の上面の電極膜１
７と下面の電極膜とで形成される。尚、誘電体同軸共振
器７とキャパシタＣ₁ ₂ とで直列共振回路のトラップ回
路を構成している。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】かかる従来例の誘電体
フィルタは、ディスクリート部品を用いて構成されてお
り、この従来の構造では、コンデンサ基板１０〜１２、
インダクタ（コイル）Ｌ₁ 〜Ｌ₃ 、誘電体同軸共振器１
〜７に接続する接続端子９など部品点数が多くなる。こ
れにより誘電体フィルタの部品単価が高くなり、また、
部品の組み込み工数が多くかかり、コストアップにつな
がるという問題があった。

【００１５】一方、誘電体同軸共振器間結合や、外部接
続回路を外付けの誘電体基板上に電極を形成して得る例
に、例えば特開平４−２１１５０１号公報が挙げられ
る。この特開平４−２１１５０１号公報に記載されてい
る発明ではコストを低下できる構造であるものの、単体
（一層）の誘電体基板を用いているために、複雑な結合
回路を実現しにくいという問題があった。

【００１６】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、部品点数を削減して従来要した接続端子やコイ
ルなどの組み込み工数を無くし、低コスト化を図ること
を目的とした誘電体共振器装置を提供するものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体に設け
た一つあるいは複数の穴８の内周面に形成した電極膜状
の内導体３５及び外面に形成した電極膜状の外導体３６
を設けた誘電体同軸共振器１〜７と、Ｃ成分、Ｌ成分等
の結合回路素子及び入出力端子７６〜７８をパターン電
極により形成した多層基板４１とを備え、上記誘電体同
軸共振器１〜７の端部の一面に上記多層基板４１を納装
配置する切欠部３７を形成し、この切欠部３７内に上記
多層基板４１を配設し、上記切欠部３７の底面に形成し
た結合用の電極膜３８と多層基板４１のパターン電極の
一部とを電気的に結合したことを特徴としている。

【００１８】

【作用】本発明によれば、Ｃ成分、Ｌ成分等の結合回路
素子及び入出力端子７６〜７８をパターン電極により形
成した多層基板４１を誘電体同軸共振器１〜７の切欠部
３７内に納装配置していることで、誘電体同軸共振器１
〜７に組み込む部品点数が多層基板４１のみとなり、従
来要していた接続端子９、コイルＬ₁ 〜Ｌ₃ 、コンデン
サ基板１０〜１３等の組み込み工数を無くすことがで
き、組み立て作業性が向上すると共に、低コスト化を図
ることができる。また、誘電体同軸共振器１〜７により
構成される共振回路間の結合回路を形成した多層基板４
１が、誘電体同軸共振器１〜７の切欠部３７内配置され
るため、全体の大きさを誘電体同軸共振器１〜７の大き
さに形成することができて、小型に構成することができ
る。また、多層基板４１を用いているので、複雑な結合
回路を容易且つ小型に形成することができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。なお、誘電体同軸共振器の機能としては従来と本
発明においても同様なので同じ番号を付して説明する。
図１は誘電体共振器装置としての誘電体フィルタの全体
の斜視図を示し、図２は１つの誘電体同軸共振器１（２
〜７）の斜視図を示すものである。また、図３は後述す
る多層基板４１の分解斜視図を示している。

【００２０】まず、誘電体同軸共振器１の構造について
説明する。なお、他の誘電体同軸共振器２〜７の構成も
誘電体同軸共振器１と同じなので説明は省略する。図２
に示すように、誘電体同軸共振器１は１／４波長形の誘
電体同軸共振器であり、誘電体同軸共振器１の長手方向
（軸方向）には前後に穴８が貫通して穿設されており、
一方側の上面には多層基板４１の厚みとほぼ同様の深さ
の切欠部３７を凹段状に凹設してある。

【００２１】誘電体同軸共振器１の一方の端面と切欠部
３７の部分を除いて電極膜状の外導体３６が全面にわた
って形成されており、また、上記穴８の内周面にも電極
膜状の内導体３５が形成されている。外導体３６を形成
していない誘電体同軸共振器１の一方の端面を開放面１
ａとし、外導体３６を形成している他方の端面を短絡面
１ｂとしている。誘電体同軸共振器１の切欠部３７の底
面部分には上記内導体３５と容量結合を行うための電極
膜３８が形成されている。

【００２２】図５は図１に示す誘電体フィルタの等価回
路図を示し、本実施例では３段の１／４波長形の誘電体
同軸共振器１〜３からなるバンドエリミネーションフィ
ルタと、４段の１／４波長形の誘電体同軸共振器４〜７
からなるバンドパスフィルタとで構成されている。図５
の破線で示す部分を多層基板４１で構成するものであ
り、誘電体同軸共振器１〜７と直列に接続された形とな
っている結合容量であるキャパシタＣ₁ 〜Ｃ₇ は各誘電
体同軸共振器１〜７の切欠部３７に形成した電極膜３８
と内導体３５との間でそれぞれ形成されるものである。

【００２３】図５に示す等価回路の場合には、図３に示
すような多層基板４１で構成している。すなわち、多層
基板４１は本実施例では３層で構成しており、第１基板
４１ａ、第２基板４１ｂ及び第３基板４１ｃとで構成し
ている。図３において多層基板４１の第１基板４１ａの
上面が誘電体同軸共振器１〜７側となり、第３基板４１
ｃの下面が外側、つまり、図１における多層基板４１の
上面となる。

【００２４】図３において、多層基板４１の第１基板４
１ａの図中上面には上記誘電体同軸共振器１〜７の電極
膜３８と接触接続される四角状のパターン電極５１〜５
７が形成されており、各パターン電極５１〜５７にはス
ルーホール５１₁ 〜５７₁ がそれぞれ穿設されている。

【００２５】また、多層基板４１の第２基板４１ｂの上
面には、３つの渦巻き状のパターン電極６１〜６３と、
略Ｌ型のパターン電極６４〜６７が形成されている。パ
ターン電極６１〜６３の両端にはそれぞれスルーホール
６１₁ ，６１₂ 〜６３₁ ，６３₂ が形成され、パターン
電極６１〜６３の一端側の部分は第１基板４１ａのスル
ーホール５１₁ 〜５３₁ を介して第１基板４１ａのパタ
ーン電極５１〜５３と導通を得ている。第２基板４１ｂ
のパターン電極６４，６７にはスルーホール６４₁ ，６
７₁ が形成されている。パターン電極６４〜６７は、第
１基板４１ａのスルーホール５４₁ 〜５７₁ を介して第
１基板４１ａのパターン電極５４〜５７と導通を得てい
る。

【００２６】多層基板４１の第３基板４１ｃの上面に
は、略Ｔ字型や略Ｌ型のパターン電極７１〜７４が形成
されており、また、第３基板４１ｃの端部には四角状の
パターン電極７５が形成されている。第３基板４１ｃの
両端及び中央のパターン電極７１，７４，７５にはスル
ーホール７１₁ ，７４₁ ，７５₁ が穿設されている。

【００２７】ここで、第３基板４１ｃのパターン電極７
１はスルーホール６１₁ を介して第２基板４１ｂのパタ
ーン電極６１の一端側と接続され、第３基板４１ｃのパ
ターン電極７２の一端側はスルーホール６１₂ を介して
第２基板４１ｂのパターン電極６１の他端側と接続され
る。したがって、第３基板４１ｃのパターン電極７１，
７２間に第２基板４１ｂの渦巻き状のパターン電極６１
が接続される形となる。

【００２８】また、第３基板４１ｃのパターン電極７２
の他端側は、スルーホール６２₁ を介して第２基板４１
ｂのパターン電極６２の一端側と接続され、第３基板４
１ｃのパターン電極７３の一端側はスルーホール６２₂
を介して第２基板４１ｂのパターン電極６２の他端側と
接続されるようになっている。したがって、第３基板４
１ｃのパターン電極７２，７３間に第２基板４１ｂの渦
巻き状のパターン電極６２が接続される形となる。

【００２９】更に、第３基板４１ｃのパターン電極７３
の他端側は、スルーホール６３₁ を介して第２基板４１
ｂのパターン電極６３の一端側と接続され、第３基板４
１ｃのパターン電極７４の一端側はスルーホール６３₂
を介して第２基板４１ｂのパターン電極６３の他端側と
接続されるようになっている。したがって、第３基板４
１ｃのパターン電極７３，７４間に第２基板４１ｂの渦
巻き状のパターン電極６３が接続される形となる。

【００３０】また、第３基板４１ｃのパターン電極７４
の他端側はスルーホール６４₁ を介して第２基板４１ｂ
のパターン電極６４と接続され、パターン電極７５はス
ルーホール６７₁ を介して第２基板４１ｂのパターン電
極６７と接続される。

【００３１】多層基板４１の第３基板４１ｃの外側面は
図１及び図４に示すように、スルーホール７１₁ ，７４
₁ ，７５₁ を介したパターン電極７６〜７８が形成され
ている。そして、他の残りの面にはアース電極７９が略
全面にわたって形成してある。ここで、多層基板４１の
第３基板４１ｃの一端側のパターン電極７６が送信部側
の入出力端子となり、中央のパターン電極７７がアンテ
ナ側の入出力端子となり、更に、他端側のパターン電極
７８が受信部側の入出力端子となる。

【００３２】なお、多層基板４１の第１基板４１ａ、第
２基板４１ｂの図３中の裏面は、それぞれ第２基板４１
ｂ、第３基板４１ｃの表面の電極（パターン電極）と電
気的、機械的接続ができるように電極が形成されてい
る。また、多層基板４１を形成する場合、例えば、各基
板４１ａ〜４１ｃとなるグリーンシートを積層して焼成
し、各基板４１ａ〜４１ｃを完成させてから電気的、機
械的に接続構成するようにしている。また、硬化した基
板を層状に接着剤で接着して形成した硬化基板を用いて
も良い。

【００３３】次に、図５の等価回路図におけるインダク
タンスＬ₁ 〜Ｌ₃ とキャパシタＣ₈〜Ｃ₁ ₄ と、多層基
板４１のパターン電極との関係について説明する。イン
ダクタンスＬ₁ 〜Ｌ₃ は、図３に示すように多層基板４
１の第２基板４１ｂの渦巻き状のパターン電極６１〜６
３により形成される。また、キャパシタＣ₈ 〜Ｃ₁ ₁
は、多層基板４１の第３基板４１ｃの上面のパターン電
極７１〜７４と下面のアース電極７９との間でそれぞれ
形成されている。

【００３４】更に、キャパシタＣ₁ ₂ は、図３に示すよ
うに第２基板４１ｂのパターン電極６４，６５との間の
容量で形成され、キャパシタＣ₁ ₃ は、第２基板４１ｂ
のパターン電極６５，６６との間の容量で形成されてい
る。また、キャパシタＣ₁ ₄は、第２基板４１ｂのパタ
ーン電極６６，６７との間の容量で形成されている。

【００３５】上記多層基板４１を入出力端子となる第３
基板４１ｃのパターン電極７６〜７８を上面にして図１
に示すように、７個一体化した誘電体同軸共振器１〜７
の切欠部３７に配設する。なお、７個の誘電体同軸共振
器１〜７は、ハンダや樹脂などの接着部材で固定してい
る。そして、７個の誘電体同軸共振器１〜７で形成され
る凹段部となった切欠部３７内に多層基板４１を配設す
ることで、誘電体フィルタ全体の大きさが丁度切欠部３
７を形成しない場合の大きさと同じとなる。多層基板４
１を誘電体同軸共振器１〜７の切欠部３７内に配設した
場合に、誘電体同軸共振器１〜７の各電極膜３８と多層
基板４１のパターン電極５１〜５７とはハンダ付け等に
より接続される。

【００３６】すなわち、複数の切欠部３７の大きさの範
囲内で多層基板４１を形成したものであり、特に、多層
基板４１内で形成される誘電体同軸共振器１〜７間の結
合回路が、共振器の軸長内で構成しているため、誘電体
フィルタ全体を小型に形成することができる。また、多
層基板４１の第３基板４１ｃのアース電極７９が上面と
なっているので、該アース電極７９と誘電体同軸共振器
１〜７の外導体３６とで全体をアース電極で覆うことが
でき、そのため、従来用いていたカバーを不要とするこ
とができる。

【００３７】（実施例２）図６は実施例２を示し、誘電
体同軸共振器１〜４を４個用いてバンドパスフィルタを
構成した場合である。各誘電体同軸共振器１〜４に開放
面側の上面に切欠部３７を形成し、この切欠部３７内に
多層基板４１を配設したものである。本実施例では、バ
ンドパスフィルタを例としているので、入出力端子とな
るパターン電極８０，８１は多層基板４１の両端に形成
している。

【００３８】ところで、先の実施例では個別の誘電体同
軸共振器１〜７を用いて誘電体フィルタを構成した場合
について説明したが、１個の誘電体同軸共振器に複数の
穴を穿孔して複数段の誘電体フィルタを構成しても良
い。また、上記誘電体同軸共振器１〜７の穴８は両端側
に貫通した場合について説明したが、短絡面側が閉塞さ
れた誘電体同軸共振器の場合についても本発明を適用す
ることができる。

【００３９】尚、実施例では、フィルタの構成として、
バンドパスフィルタとバンドエリミネーションフィルタ
の組み合わせたアンテナ共用器とバンドパスフィルタの
例を示したが、上記バンドエリミネーションフィルタの
単独構成や、他のハイパスフィルタ、ローパスフィルタ
のそれぞれの単独構成、又は各種のフィルタの組み合わ
せにも本発明を適用できるものである。また、共振器の
段数には制限されないものである。

【００４０】また、先の実施例では、１／４波長形の誘
電体同軸共振器の場合について説明したが、図７に示す
ように、全面に外導体３６を形成し、誘電体に設けた穴
８内の一部に電極非形成部分を設けて内導体３５を形成
した共振器１の場合についても本発明を適用することが
できる。

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、Ｃ成分、Ｌ成分等の結
合回路素子及び入出力端子をパターン電極により形成し
た多層基板を誘電体同軸共振器の切欠部内に納装配置し
ていることで、誘電体同軸共振器に組み込む部品点数が
多層基板のみとなり、従来要していた接続端子、コイ
ル、コンデンサ基板等の組み込み工数を無くすことがで
き、組み立て作業性が向上すると共に、低コスト化を図
ることができる。また、誘電体同軸共振器により構成さ
れる共振回路間の結合回路を形成した多層基板が、誘電
体同軸共振器の切欠部内配置されるため、全体の大きさ
を誘電体同軸共振器の大きさに形成することができて、
小型に構成することができる。また、多層基板を用いて
いるので、複雑な結合回路を容易且つ小型に形成するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の誘電体フィルタの斜視図であ
る。

【図２】本発明の実施例の誘電体同軸共振器の斜視図で
ある。

【図３】本発明の実施例の多層基板の分解斜視図であ
る。

【図４】本発明の実施例の多層基板の第３基板の外側か
ら見た斜視図である。

【図５】本発明の実施例の等価回路図である。

【図６】本発明の実施例２の誘電体フィルタの斜視図で
ある。

【図７】本発明の実施例の穴の内部に電極非形成部分を
形成した場合の誘電体同軸共振器の斜視図である。

【図８】従来例の誘電体フィルタの全体の分解斜視図で
ある。

【図９】従来例の部品を実装した場合を示す誘電体フィ
ルタの斜視図である。

【図１０】従来例の図８に示す誘電体フィルタの等価回
路図である。

【符号の説明】

１〜７誘電体同軸共振器８穴３５内導体３６外導体３７切欠部３８電極膜４１多層基板４１ａ第１基板４１ｂ第２基板４１ｃ第３基板７６パターン電極（入出力端子）７７パターン電極（入出力端子）７８パターン電極（入出力端子）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体に設けた一つあるいは複数の穴
（８）の内周面に形成した電極膜状の内導体（３５）及
び外面に形成した電極膜状の外導体（３６）を設けた誘
電体同軸共振器（１）〜（７）と、Ｃ成分、Ｌ成分等の
結合回路素子及び入出力端子（７６）〜（７８）をパタ
ーン電極により形成した多層基板（４１）とを備え、上
記誘電体同軸共振器（１）〜（７）の端部の一面に上記
多層基板（４１）を納装配置する切欠部（３７）を形成
し、この切欠部（３７）内に上記多層基板（４１）を配
設し、上記切欠部（３７）の底面に形成した結合用の電
極膜（３８）と多層基板（４１）のパターン電極の一部
とを電気的に結合したことを特徴とする誘電体共振器装
置。