JP3521462B2 - 誘電体共振器装置 - Google Patents
誘電体共振器装置Info
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- JP3521462B2 JP3521462B2 JP34241193A JP34241193A JP3521462B2 JP 3521462 B2 JP3521462 B2 JP 3521462B2 JP 34241193 A JP34241193 A JP 34241193A JP 34241193 A JP34241193 A JP 34241193A JP 3521462 B2 JP3521462 B2 JP 3521462B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
として用いられる誘電体共振器装置に関するものであ
る。
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
として用いられる誘電体共振器装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図９はこの種の２段のバンドパスフィル
タからなる誘電体フィルタの分解斜視図を示し、２個の
１／４波長形の誘電体同軸共振器１，２を用いている。
なお、全体の構成は実施例で詳述するので、従来例では
構成を簡単に説明する。上記誘電体同軸共振器１，２を
半田付けにより上面に実装するベース基板１１は誘電体
からなり、該ベース基板１１の上面の一方側にはアース
電極１４が形成されている。
タからなる誘電体フィルタの分解斜視図を示し、２個の
１／４波長形の誘電体同軸共振器１，２を用いている。
なお、全体の構成は実施例で詳述するので、従来例では
構成を簡単に説明する。上記誘電体同軸共振器１，２を
半田付けにより上面に実装するベース基板１１は誘電体
からなり、該ベース基板１１の上面の一方側にはアース
電極１４が形成されている。
【０００３】ベース基板１１の下面にも略全体にわたっ
てアース電極が形成してある。このベース基板１１のア
ース電極１４の部分の端部には複数の半円状の切欠部１
５が形成されていて、該切欠部１５の端面に形成した電
極膜を介してベース基板１１の上下面のアース電極１４
と導通を得ている。また、ベース基板１１の他方側にも
アース電極１４を一部形成している。
てアース電極が形成してある。このベース基板１１のア
ース電極１４の部分の端部には複数の半円状の切欠部１
５が形成されていて、該切欠部１５の端面に形成した電
極膜を介してベース基板１１の上下面のアース電極１４
と導通を得ている。また、ベース基板１１の他方側にも
アース電極１４を一部形成している。
【０００４】ベース基板１１の他方側の両端には入出力
端子１２，１３が形成されており、この入出力端子１
２，１３は端面の電極膜を介してベース基板１１の下面
に形成した入出力端子（電極膜）と導通を得ている。ベ
ース基板１１の入出力端子１２，１３間の上面には誘電
体からなる結合基板２１が半田付け実装されるようにな
っている。
端子１２，１３が形成されており、この入出力端子１
２，１３は端面の電極膜を介してベース基板１１の下面
に形成した入出力端子（電極膜）と導通を得ている。ベ
ース基板１１の入出力端子１２，１３間の上面には誘電
体からなる結合基板２１が半田付け実装されるようにな
っている。
【０００５】結合基板２１の上面に形成してあるコンデ
ンサ電極膜２２，２３に誘電体同軸共振器１、２からの
接続端子３が接続されるようになっている。上記誘電体
同軸共振器１，２、結合基板２１を実装したベース基板
１１の上面側に金属製のカバー３１が装着される。
ンサ電極膜２２，２３に誘電体同軸共振器１、２からの
接続端子３が接続されるようになっている。上記誘電体
同軸共振器１，２、結合基板２１を実装したベース基板
１１の上面側に金属製のカバー３１が装着される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来例に示すよ
うに、製品としての誘電体フィルタにベース基板（プリ
ント基板）１１を使用する場合、回路素子面（ベース基
板１１の上面のアース電極１４）と実装面（ベース基板
１１の下面のアース電極）を電気接続するために、端面
に電極膜を形成した切欠部１５を用いている。また、同
様に回路素子（誘電体同軸共振器１，２）と回路素子面
（ベース基板１１の上面のアース電極１４）を電気接続
するためには半田付けという方法を用いる。
うに、製品としての誘電体フィルタにベース基板（プリ
ント基板）１１を使用する場合、回路素子面（ベース基
板１１の上面のアース電極１４）と実装面（ベース基板
１１の下面のアース電極）を電気接続するために、端面
に電極膜を形成した切欠部１５を用いている。また、同
様に回路素子（誘電体同軸共振器１，２）と回路素子面
（ベース基板１１の上面のアース電極１４）を電気接続
するためには半田付けという方法を用いる。
【０００７】しかしながら、図１０に示すように誘電体
同軸共振器１，２とベース基板１１の上面のアース電極
１４とを半田付けした場合に、図１０の矢印に示すよう
にその半田付けの際に溶融したハンダが切欠部１５の端
面の電極膜を介してベース基板１１の下面（実装面）に
流れ込み、その流れ込んだハンダが固まって実装面を凹
凸状にしてしまうという問題がある。ベース基板１１の
実装面（下面）がハンダにより凹凸状になると、ユーザ
ー側でのベース基板１１が配線基板に対して浮いてしま
い、うまく半田付けができず信頼性を損ねるという問題
があった。
同軸共振器１，２とベース基板１１の上面のアース電極
１４とを半田付けした場合に、図１０の矢印に示すよう
にその半田付けの際に溶融したハンダが切欠部１５の端
面の電極膜を介してベース基板１１の下面（実装面）に
流れ込み、その流れ込んだハンダが固まって実装面を凹
凸状にしてしまうという問題がある。ベース基板１１の
実装面（下面）がハンダにより凹凸状になると、ユーザ
ー側でのベース基板１１が配線基板に対して浮いてしま
い、うまく半田付けができず信頼性を損ねるという問題
があった。
【０００８】かかる問題の防止策としては、半田付けを
する部分以外のベース基板１１の表面に樹脂膜を形成す
る等の方法があるが、コスト高となってしまう。
する部分以外のベース基板１１の表面に樹脂膜を形成す
る等の方法があるが、コスト高となってしまう。
【０００９】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、コストを高くすることなく半田付けにおけるハ
ンダのベース基板の実装面への流れ込みを防止し、ベー
ス基板の下面である実装面が凹凸になるのを防止するこ
とを目的とした誘電体共振器装置を提供するものであ
る。
あって、コストを高くすることなく半田付けにおけるハ
ンダのベース基板の実装面への流れ込みを防止し、ベー
ス基板の下面である実装面が凹凸になるのを防止するこ
とを目的とした誘電体共振器装置を提供するものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体同軸共
振器１，２と、上下面に電極膜状のアース電極１４を有
し該上面に上記誘電体同軸共振器１，２を半田付けによ
り実装するベース基板１１とを備え、上記ベース基板１
１の端部に切欠部１５を形成し、該切欠部１５の端面に
形成した電極膜を介してベース基板１１の上下面のアー
ス電極１４と導通を得るようにした誘電体共振器装置に
おいて、上記ベース基板１１の上面の切欠部１５の近傍
に電極膜を非形成とした無電極部分の絶縁帯１６を形成
すると共に、該絶縁帯１６は上記切欠部１５の回りを覆
う形で形成されており、上記誘電体同軸共振器１，２を
上記絶縁帯１６より内側のアース電極１４の上面に半田
付け実装していることを特徴としている。
振器１，２と、上下面に電極膜状のアース電極１４を有
し該上面に上記誘電体同軸共振器１，２を半田付けによ
り実装するベース基板１１とを備え、上記ベース基板１
１の端部に切欠部１５を形成し、該切欠部１５の端面に
形成した電極膜を介してベース基板１１の上下面のアー
ス電極１４と導通を得るようにした誘電体共振器装置に
おいて、上記ベース基板１１の上面の切欠部１５の近傍
に電極膜を非形成とした無電極部分の絶縁帯１６を形成
すると共に、該絶縁帯１６は上記切欠部１５の回りを覆
う形で形成されており、上記誘電体同軸共振器１，２を
上記絶縁帯１６より内側のアース電極１４の上面に半田
付け実装していることを特徴としている。
【００１１】また、請求項２においては、配線基板に半
田付け実装されるベース基板１１の下面の切欠部１５の
近傍に電極膜を非形成とした無電極部分の絶縁帯１６を
形成すると共に、該絶縁帯１６は上記切欠部１５の回り
を覆う形で形成されており、上記絶縁帯１６と切欠部１
５との間の部分を半田付け用としたことを特徴としてい
る。
田付け実装されるベース基板１１の下面の切欠部１５の
近傍に電極膜を非形成とした無電極部分の絶縁帯１６を
形成すると共に、該絶縁帯１６は上記切欠部１５の回り
を覆う形で形成されており、上記絶縁帯１６と切欠部１
５との間の部分を半田付け用としたことを特徴としてい
る。
【００１２】
【作用】本発明によれば、誘電体同軸共振器１，２をベ
ース基板１１のアース電極１４に半田付けする際に溶融
したハンダが絶縁帯１６により阻止されて、切欠部１５
の端面の電極膜を介してハンダがベース基板１１の下面
の実装面に流れ込むのを防止することができる。したが
ってベース基板１１の下面の実装面が凹凸となることは
ない。よってユーザー側で配線基板に誘電体共振器装置
を半田付け実装する場合にも、配線基板に対してベース
基板１１を密着させて半田付けをすることができ、信頼
性を損ねることがないものである。また、絶縁帯１６を
形成するのに単にアース電極１４の部分を形成しないだ
けなので、コストをアップすることなく、ハンダのベー
ス基板の下面への流れ込みを防止することができる。ま
た、誘電体共振器装置を配線基板に実装する際に、ベー
ス基板１１に形成した絶縁帯１６が実装面からの熱の伝
導を妨げる機能として働き、内部の誘電体同軸共振器
１，２等の回路素子が半田付けの際の熱から逃げること
ができ、信頼性を損ねることがない。
ース基板１１のアース電極１４に半田付けする際に溶融
したハンダが絶縁帯１６により阻止されて、切欠部１５
の端面の電極膜を介してハンダがベース基板１１の下面
の実装面に流れ込むのを防止することができる。したが
ってベース基板１１の下面の実装面が凹凸となることは
ない。よってユーザー側で配線基板に誘電体共振器装置
を半田付け実装する場合にも、配線基板に対してベース
基板１１を密着させて半田付けをすることができ、信頼
性を損ねることがないものである。また、絶縁帯１６を
形成するのに単にアース電極１４の部分を形成しないだ
けなので、コストをアップすることなく、ハンダのベー
ス基板の下面への流れ込みを防止することができる。ま
た、誘電体共振器装置を配線基板に実装する際に、ベー
ス基板１１に形成した絶縁帯１６が実装面からの熱の伝
導を妨げる機能として働き、内部の誘電体同軸共振器
１，２等の回路素子が半田付けの際の熱から逃げること
ができ、信頼性を損ねることがない。
【００１３】また、請求項２によれば、配線基板に半田
付け実装されるベース基板１１の下面の切欠部１５の近
傍に電極膜を非形成とした無電極部分の絶縁帯１６を形
成すると共に、該絶縁帯１６は上記切欠部１５の回りを
覆う形で形成されており、上記絶縁帯１６と切欠部１５
との間の部分を半田付け用としていることで、ユーザー
側で絶縁帯１６と切欠部１５との間の部分に半田付けす
れば、ハンダが他の部分に流れることがなく、半田付け
の信頼性が向上する。
付け実装されるベース基板１１の下面の切欠部１５の近
傍に電極膜を非形成とした無電極部分の絶縁帯１６を形
成すると共に、該絶縁帯１６は上記切欠部１５の回りを
覆う形で形成されており、上記絶縁帯１６と切欠部１５
との間の部分を半田付け用としていることで、ユーザー
側で絶縁帯１６と切欠部１５との間の部分に半田付けす
れば、ハンダが他の部分に流れることがなく、半田付け
の信頼性が向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は誘電体共振器装置としての誘電体フィルタ
の全体の分解斜視図を示し、誘電体同軸共振器１，２を
２個用いた２段のバンドパスフィルタである。誘電体同
軸共振器１，２は１／４波長形であり、直方体状の誘電
体の一方の端面を除いた各面には電極膜状の外導体４が
形成されている。誘電体同軸共振器１，２の外導体４を
形成していない一方の端面を開放面とし、他方の外導体
４を形成した端面を短絡面としている。
する。図１は誘電体共振器装置としての誘電体フィルタ
の全体の分解斜視図を示し、誘電体同軸共振器１，２を
２個用いた２段のバンドパスフィルタである。誘電体同
軸共振器１，２は１／４波長形であり、直方体状の誘電
体の一方の端面を除いた各面には電極膜状の外導体４が
形成されている。誘電体同軸共振器１，２の外導体４を
形成していない一方の端面を開放面とし、他方の外導体
４を形成した端面を短絡面としている。
【００１５】誘電体同軸共振器１，２の中央部分には穴
５が貫通して穿設されており、この穴５の内周面には電
極膜状の内導体が形成されている。この穴５の内部に略
円筒状で金属製の接続端子３が圧入して、該接続端子３
と内導体との接触をそれぞれ得ている。
５が貫通して穿設されており、この穴５の内周面には電
極膜状の内導体が形成されている。この穴５の内部に略
円筒状で金属製の接続端子３が圧入して、該接続端子３
と内導体との接触をそれぞれ得ている。
【００１６】セラミック系の誘電体からなり板状のベー
ス基板１１は従来と略同様に形成されており、ベース基
板１１の上面の一方側には電極膜状のアース電極１４が
形成されている。また、ベース基板１１の他端にもアー
ス電極１４が形成されている。ベース基板１１のアース
電極１４の部分の端部の両側には複数、例えば２個の半
円状の切欠部１５を従来と同様に形成している。そし
て、図４に示すように、切欠部１５の端面に形成した電
極膜を介してベース基板１１の下面（実装面）のアース
電極１４と導通を得ている。上記ベース基板１１の下面
のアース電極１４は略全面にわたって形成してある。
ス基板１１は従来と略同様に形成されており、ベース基
板１１の上面の一方側には電極膜状のアース電極１４が
形成されている。また、ベース基板１１の他端にもアー
ス電極１４が形成されている。ベース基板１１のアース
電極１４の部分の端部の両側には複数、例えば２個の半
円状の切欠部１５を従来と同様に形成している。そし
て、図４に示すように、切欠部１５の端面に形成した電
極膜を介してベース基板１１の下面（実装面）のアース
電極１４と導通を得ている。上記ベース基板１１の下面
のアース電極１４は略全面にわたって形成してある。
【００１７】また、ベース基板１１の他端側の両側の上
下面には電極膜状の入出力端子１２，１３がそれぞれ形
成されており、上下面の入出力端子１２，１３は端面の
電極膜を介してそれぞれ導通を得ている。
下面には電極膜状の入出力端子１２，１３がそれぞれ形
成されており、上下面の入出力端子１２，１３は端面の
電極膜を介してそれぞれ導通を得ている。
【００１８】上記入出力端子１２，１３の上面間に実装
される結合基板（セラミック基板）２１は誘電体からな
り、結合基板２１の上面には電極膜状のコンデンサ電極
膜２２，２３が櫛歯状に形成されている。結合基板２１
の下面にも図３に示すように、３つの電極膜２４〜２６
が形成されており、この両側の電極膜２４，２６とベー
ス基板１１の入出力端子１２，１３とが半田付けにより
接続されるようになっている。
される結合基板（セラミック基板）２１は誘電体からな
り、結合基板２１の上面には電極膜状のコンデンサ電極
膜２２，２３が櫛歯状に形成されている。結合基板２１
の下面にも図３に示すように、３つの電極膜２４〜２６
が形成されており、この両側の電極膜２４，２６とベー
ス基板１１の入出力端子１２，１３とが半田付けにより
接続されるようになっている。
【００１９】また、金属製のカバー３１がベース基板１
１に上面に半田付け実装した誘電体同軸共振器１，２、
結合基板２１等を覆設するようになっている。カバー３
１の一端の下端にはベース基板１１の一端のアース電極
１４と接続されるアース用端子３２が形成されている。
またカバー３１の天板には調整治具挿入用の穴３３が長
穴状に形成されていて、この穴３３を介して治具にて誘
電体同軸共振器１，２の外導体４を削って共振周波数を
調整するようになっている。
１に上面に半田付け実装した誘電体同軸共振器１，２、
結合基板２１等を覆設するようになっている。カバー３
１の一端の下端にはベース基板１１の一端のアース電極
１４と接続されるアース用端子３２が形成されている。
またカバー３１の天板には調整治具挿入用の穴３３が長
穴状に形成されていて、この穴３３を介して治具にて誘
電体同軸共振器１，２の外導体４を削って共振周波数を
調整するようになっている。
【００２０】ところで、図７は図１に示す誘電体フィル
タの等価回路図を示し、キャパシタＣ1 は結合基板２１
のコンデンサ電極膜２２と下面の電極膜２４との間で形
成している。キャパシタＣ2 は結合基板２１の上面のコ
ンデンサ電極膜２２とコンデンサ電極膜２３との間で形
成している。また、キャパシタＣ3 は結合基板２１のコ
ンデンサ電極膜２３と下面の電極膜２６との間で形成し
ているものである。なお、結合基板２１の下面の中央の
コンデンサ電極膜２５は、それぞれ上面のコンデンサ電
極膜２２と２３との間で形成されるそれぞれの容量がコ
ンデンサ電極膜２２，２３間の容量Ｃ2 （図７参照）に
対して並列的に接続される形となり、当該キャパシタＣ
2 の容量を大きくする機能を有している。
タの等価回路図を示し、キャパシタＣ1 は結合基板２１
のコンデンサ電極膜２２と下面の電極膜２４との間で形
成している。キャパシタＣ2 は結合基板２１の上面のコ
ンデンサ電極膜２２とコンデンサ電極膜２３との間で形
成している。また、キャパシタＣ3 は結合基板２１のコ
ンデンサ電極膜２３と下面の電極膜２６との間で形成し
ているものである。なお、結合基板２１の下面の中央の
コンデンサ電極膜２５は、それぞれ上面のコンデンサ電
極膜２２と２３との間で形成されるそれぞれの容量がコ
ンデンサ電極膜２２，２３間の容量Ｃ2 （図７参照）に
対して並列的に接続される形となり、当該キャパシタＣ
2 の容量を大きくする機能を有している。
【００２１】次に、本発明の要旨について詳述する。図
１に示すように、ベース基板１１の上面のアース電極１
４の切欠部１５の近傍には略三日月形の絶縁帯１６を形
成している。すなわち、アース電極１４の一部を無電極
部分とし、この無電極部分を絶縁帯１６としているもの
である。この絶縁帯１６は切欠部１５の回りを覆う形で
形成しており、誘電体同軸共振器１，２をベース基板１
１のアース電極１４上に半田付け実装した際のハンダの
切欠部１５への流れ込みを防止している。なお、ベース
基板１１の絶縁帯１６の内側に誘電体同軸共振器１，２
が位置するようにベース基板１１のアース電極１４の上
面に誘電体同軸共振器１，２が実装される。
１に示すように、ベース基板１１の上面のアース電極１
４の切欠部１５の近傍には略三日月形の絶縁帯１６を形
成している。すなわち、アース電極１４の一部を無電極
部分とし、この無電極部分を絶縁帯１６としているもの
である。この絶縁帯１６は切欠部１５の回りを覆う形で
形成しており、誘電体同軸共振器１，２をベース基板１
１のアース電極１４上に半田付け実装した際のハンダの
切欠部１５への流れ込みを防止している。なお、ベース
基板１１の絶縁帯１６の内側に誘電体同軸共振器１，２
が位置するようにベース基板１１のアース電極１４の上
面に誘電体同軸共振器１，２が実装される。
【００２２】図２はベース基板１１の上面のアース電極
１４に誘電体同軸共振器１，２を半田付け実装した場合
のハンダの流れの状態を示し、半田付けを行った場合、
図２の矢印に示すように、絶縁帯１６の存在のためにハ
ンダは絶縁帯１６の外側に沿って流れる。したがって、
ハンダは絶縁帯１６によって切欠部１５への流れが阻止
されて、切欠部１５の端面の電極膜を介してのベース基
板１１の下面（ユーザー先での実装面）のアース電極１
４へのハンダの流れ込みを防止することができる。よっ
てベース基板１１の下面のアース電極１４の面は凹凸状
とはならない。
１４に誘電体同軸共振器１，２を半田付け実装した場合
のハンダの流れの状態を示し、半田付けを行った場合、
図２の矢印に示すように、絶縁帯１６の存在のためにハ
ンダは絶縁帯１６の外側に沿って流れる。したがって、
ハンダは絶縁帯１６によって切欠部１５への流れが阻止
されて、切欠部１５の端面の電極膜を介してのベース基
板１１の下面（ユーザー先での実装面）のアース電極１
４へのハンダの流れ込みを防止することができる。よっ
てベース基板１１の下面のアース電極１４の面は凹凸状
とはならない。
【００２３】図５は絶縁帯１６の他の実施例を示し、絶
縁帯１６の形状を略コ字型としたものである。この場合
にも無電極部分によって絶縁帯１６を形成し、該絶縁帯
１６で切欠部１５を覆う形で形成している。
縁帯１６の形状を略コ字型としたものである。この場合
にも無電極部分によって絶縁帯１６を形成し、該絶縁帯
１６で切欠部１５を覆う形で形成している。
【００２４】図６は絶縁帯１６の更に他の実施例を示
し、絶縁帯１６の形状を直線状としたものである。この
場合には絶縁帯１６の長さを切欠部１５より長く形成
し、絶縁帯１６によりハンダの流れ込みを防止してい
る。
し、絶縁帯１６の形状を直線状としたものである。この
場合には絶縁帯１６の長さを切欠部１５より長く形成
し、絶縁帯１６によりハンダの流れ込みを防止してい
る。
【００２５】図８はベース基板１１の下面（実装面）の
アース電極１４の部分に絶縁帯１６を形成した実施例を
示している。本実施例ではユーザー先での製品（誘電体
フィルタ）の配線基板への半田付け実装の場合を考慮し
たものである。つまり、ベース基板１１の下面の切欠部
１５と絶縁帯１６との間の部分（例えば、図８に示す楕
円形の部分）に半田付けをすれば、ハンダが絶縁帯１６
により他の部分に流れるのを防止することができる。こ
のようにベース基板１１の下面のアース電極１４に絶縁
帯１６を形成することで、ハンダ流れ防止用の樹脂膜を
形成することなく必要な場所にのみ半田付けを限定する
ことができる。なお、図８では図中の上面がベース基板
１１の下面（実装面）を示し、図中の下面が誘電体同軸
共振器１，２を実装する回路素子面である。
アース電極１４の部分に絶縁帯１６を形成した実施例を
示している。本実施例ではユーザー先での製品（誘電体
フィルタ）の配線基板への半田付け実装の場合を考慮し
たものである。つまり、ベース基板１１の下面の切欠部
１５と絶縁帯１６との間の部分（例えば、図８に示す楕
円形の部分）に半田付けをすれば、ハンダが絶縁帯１６
により他の部分に流れるのを防止することができる。こ
のようにベース基板１１の下面のアース電極１４に絶縁
帯１６を形成することで、ハンダ流れ防止用の樹脂膜を
形成することなく必要な場所にのみ半田付けを限定する
ことができる。なお、図８では図中の上面がベース基板
１１の下面（実装面）を示し、図中の下面が誘電体同軸
共振器１，２を実装する回路素子面である。
【００２６】なお、先の実施例では個別の誘電体同軸共
振器１，２を用いて誘電体フィルタを構成した場合につ
いて説明したが、１個の誘電体同軸共振器に複数の穴を
穿孔して複数段の誘電体フィルタを構成しても良い。ま
た、上記誘電体同軸共振器１，２の穴５は両端側に貫通
した場合について説明したが、短絡面側が閉塞された誘
電体同軸共振器の場合についても本発明を適用すること
ができる。
振器１，２を用いて誘電体フィルタを構成した場合につ
いて説明したが、１個の誘電体同軸共振器に複数の穴を
穿孔して複数段の誘電体フィルタを構成しても良い。ま
た、上記誘電体同軸共振器１，２の穴５は両端側に貫通
した場合について説明したが、短絡面側が閉塞された誘
電体同軸共振器の場合についても本発明を適用すること
ができる。
【００２７】更に、上記の実施例では２個の誘電体同軸
共振器１，２を用いたバンドパスフィルタの場合につい
て説明したが、誘電体同軸共振器の数はこれに限定され
るものではなく、２個以上用いた場合についても本発明
を適用できる。また、切欠部１５の数や絶縁帯１６の数
は、説明した場合に限らず、任意の数を形成しても良い
のはもちろんである。
共振器１，２を用いたバンドパスフィルタの場合につい
て説明したが、誘電体同軸共振器の数はこれに限定され
るものではなく、２個以上用いた場合についても本発明
を適用できる。また、切欠部１５の数や絶縁帯１６の数
は、説明した場合に限らず、任意の数を形成しても良い
のはもちろんである。
【００２８】また、バンドパスフィルタの場合に限ら
ず、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、バンドエリ
ミネーションフィルタの場合、あるいは、これら各種の
フィルタを組み合わせ構成した、例えばアンテナ共用器
の場合についても本発明を適用することができる。
ず、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、バンドエリ
ミネーションフィルタの場合、あるいは、これら各種の
フィルタを組み合わせ構成した、例えばアンテナ共用器
の場合についても本発明を適用することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体同軸共振器をベ
ース基板のアース電極に半田付けする際に溶融したハン
ダが絶縁帯により阻止されて、切欠部の端面の電極膜を
介してハンダがベース基板の下面の実装面に流れ込むの
を防止することができる。したがってベース基板の下面
の実装面が凹凸となることはない。よってユーザー側で
配線基板に誘電体共振器装置を半田付け実装する場合に
も、配線基板に対してベース基板を密着させて半田付け
をすることができ、信頼性を損ねることがないという効
果を奏するものである。また、絶縁帯を形成するのに単
にアース電極の部分を形成しないだけなので、コストを
アップすることなく、ハンダのベース基板の下面への流
れ込みを防止することができる。また、誘電体共振器装
置を配線基板に実装する際に、ベース基板に形成した絶
縁帯が実装面からの熱の伝導を妨げる機能として働き、
内部の誘電体同軸共振器等の回路素子が半田付けの際の
熱から逃げることができ、信頼性を損ねることがない。
ース基板のアース電極に半田付けする際に溶融したハン
ダが絶縁帯により阻止されて、切欠部の端面の電極膜を
介してハンダがベース基板の下面の実装面に流れ込むの
を防止することができる。したがってベース基板の下面
の実装面が凹凸となることはない。よってユーザー側で
配線基板に誘電体共振器装置を半田付け実装する場合に
も、配線基板に対してベース基板を密着させて半田付け
をすることができ、信頼性を損ねることがないという効
果を奏するものである。また、絶縁帯を形成するのに単
にアース電極の部分を形成しないだけなので、コストを
アップすることなく、ハンダのベース基板の下面への流
れ込みを防止することができる。また、誘電体共振器装
置を配線基板に実装する際に、ベース基板に形成した絶
縁帯が実装面からの熱の伝導を妨げる機能として働き、
内部の誘電体同軸共振器等の回路素子が半田付けの際の
熱から逃げることができ、信頼性を損ねることがない。
【００３０】また、請求項２によれば、配線基板に半田
付け実装されるベース基板の下面の切欠部の近傍に電極
膜を非形成とした無電極部分の絶縁帯を形成すると共
に、該絶縁帯１６は上記切欠部１５の回りを覆う形で形
成されており、上記絶縁帯と切欠部との間の部分を半田
付け用としていることで、ユーザー側で絶縁帯と切欠部
との間の部分に半田付けすれば、ハンダが他の部分に流
れることがなく、半田付けの信頼性が向上する。
付け実装されるベース基板の下面の切欠部の近傍に電極
膜を非形成とした無電極部分の絶縁帯を形成すると共
に、該絶縁帯１６は上記切欠部１５の回りを覆う形で形
成されており、上記絶縁帯と切欠部との間の部分を半田
付け用としていることで、ユーザー側で絶縁帯と切欠部
との間の部分に半田付けすれば、ハンダが他の部分に流
れることがなく、半田付けの信頼性が向上する。
【図１】本発明の実施例の誘電体フィルタの全体の分解
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の実施例のベース基板の要部斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例の結合基板の底面図である。
【図４】（ａ）は本発明の実施例のベース基板の平面図
である。（ｂ）は本発明の実施例のベース基板の左側面
図である。（ｃ）は本発明の実施例のベース基板の右側
面図である。（ｄ）は本発明の実施例のベース基板の背
面図である。（ｅ）は本発明の実施例のベース基板の正
面図である。（ｆ）は本発明の実施例のベース基板の底
面図である。
である。（ｂ）は本発明の実施例のベース基板の左側面
図である。（ｃ）は本発明の実施例のベース基板の右側
面図である。（ｄ）は本発明の実施例のベース基板の背
面図である。（ｅ）は本発明の実施例のベース基板の正
面図である。（ｆ）は本発明の実施例のベース基板の底
面図である。
【図５】本発明の実施例の絶縁帯の他の実施例の要部斜
視図である。
視図である。
【図６】本発明の実施例の絶縁帯の更に他の実施例の要
部斜視図である。
部斜視図である。
【図７】本発明の実施例の図１に示す誘電体フィルタの
等価回路図である。
等価回路図である。
【図８】本発明の実施例の絶縁帯をベース基板の下面に
形成した場合の要部斜視図である。
形成した場合の要部斜視図である。
【図９】従来例の誘電体フィルタの分解斜視図である。
【図１０】従来例のベース基板の要部斜視図である。
１ 誘電体同軸共振器
２ 誘電体同軸共振器
３ 接続端子
４ 外導体
５ 穴
１１ ベース基板
１２ 入出力端子
１３ 入出力端子
１４ アース電極
１５ 切欠部
１６ 絶縁帯
２１ 結合基板
３１ カバー
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体同軸共振器（１）（２）と、上下
面に電極膜状のアース電極（１４）を有し該上面に上記
誘電体同軸共振器（１）（２）を半田付けにより実装す
るベース基板（１１）とを備え、上記ベース基板（１
１）の端部に切欠部（１５）を形成し、該切欠部（１
５）の端面に形成した電極膜を介してベース基板（１
１）の上下面のアース電極（１４）と導通を得るように
した誘電体共振器装置において、上記ベース基板（１
１）の上面の切欠部（１５）の近傍に電極膜を非形成と
した無電極部分の絶縁帯（１６）を形成すると共に、該
絶縁帯（１６）は上記切欠部（１５）の回りを覆う形で
形成されており、上記誘電体同軸共振器（１）（２）を
上記絶縁帯（１６）より内側のアース電極（１４）の上
面に半田付け実装していることを特徴とする誘電体共振
器装置。 - 【請求項２】 配線基板に半田付け実装されるベース基
板（１１）の下面の切欠部（１５）の近傍に電極膜を非
形成とした無電極部分の絶縁帯（１６）を形成すると共
に、該絶縁帯（１６）は上記切欠部（１５）の回りを覆
う形で形成されており、上記絶縁帯（１６）と切欠部
（１５）との間の部分を半田付け用としたことを特徴と
する請求項１記載の誘電体共振器装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34241193A JP3521462B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 誘電体共振器装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34241193A JP3521462B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 誘電体共振器装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07170106A JPH07170106A (ja) | 1995-07-04 |
| JP3521462B2 true JP3521462B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=18353527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34241193A Expired - Lifetime JP3521462B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 誘電体共振器装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3521462B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11513797A (ja) * | 1995-10-17 | 1999-11-24 | サイエンティフィック ジェネリクス リミテッド | 位置検出エンコーダー |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP34241193A patent/JP3521462B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07170106A (ja) | 1995-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031209 |
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