JPH07170107A - 誘電体共振器装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 部品点数を少なくして、組立時間を短縮し、
低コスト化を図ると共に、無駄なスペースをなくして小
型化を図ること。 【構成】 結合用のキャパシタや入出力端子７１〜７３
を第１基板４１ａと第２基板４１ｂからなる多層基板４
１で形成する。第１基板４１ａには誘電体同軸共振器１
〜４の穴８に圧入して内導体３５と接続するための突起
部４２を形成する。第１基板４１ａの上面にはアース電
極としてのパターン電極５５を形成し、突起部４２の下
面には内導体３５と接続するためのパターン電極を形成
する。第２基板４１ｂの上面には結合用のキャパシタを
形成すべく複数のパターン電極６１〜６７を形成する。
第２基板４１ｂの下面にはアース電極を形成する。第１
基板４１ａと第２基板４１ｂとは半田付けにより結合
し、突起部４２を誘電体同軸共振器１〜４の穴８に圧入
して固定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
として用いられる誘電体共振器装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図１８〜図２０に従来の誘電体共振器装
置として誘電体フィルタを示す。図１８は誘電体フィル
タの全体の分解斜視図を示し、図１９は各種部品を実装
した場合の斜視図を、図２０は等価回路図をそれぞれ示
している。まず、従来の誘電体フィルタの全体の構成に
ついて説明する。図１８及び図１９に示す誘電体フィル
タは、例えば、自動車電話、携帯電話等の移動通信機器
に使用されるものであり、マイクロ波帯に用いられ所謂
アンテナ共用器と言われるものである。

【０００３】そして、この誘電体フィルタは送信側がバ
ンドエリミネーションフィルタで構成され、受信側がバ
ンドパスフィルタで構成されている。バンドエリミネー
ションフィルタは３段の共振器構成となっており、３個
の１／４波長形誘電体同軸共振器１〜３を有し、バンド
パスフィルタは４段の共振器構成で、４個の１／４波長
形誘電体同軸共振器４〜７を有している。

【０００４】誘電体同軸共振器１〜７は、直方体状に形
成されている誘電体の穴８の内周面に形成した電極膜状
の内導体と、該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外
導体と、図には表われていないが穴８が開口している端
面の一方に形成した電極膜状の内導体と外導体とを接続
する短絡導体とで構成され、所定の周波数で共振するよ
うになっている。この誘電体同軸共振器１〜７の穴８に
は一端側を略円筒状に形成した金属製の接続端子９がそ
れぞれ誘電体同軸共振器１〜７の開放端側より圧入され
て、穴８内の内導体と接触して導通を得ている。上記接
続端子９の他端側は舌片状に形成されていて、後述する
コンデンサ基板１０〜１２や結合基板１３の上面に形成
されている電極膜１４〜１７に半田付け等でそれぞれ接
続されるようになっている。

【０００５】上記コンデンサ基板１０〜１２は誘電体か
らなり、その上下面には電極膜がそれぞれ形成されてい
て、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる
結合基板１３の上面には複数の電極膜１４〜１７が並設
されており、電極膜１４〜１６は結合容量を多くとるた
めに、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結合
基板１３の下面の両側にも電極膜が形成されている。ま
た、コンデンサ基板１０〜１２間にはコイル状のインダ
クタＬ₁ 〜Ｌ₃ が接続される。上記インダクタＬ₁ 〜Ｌ
₃ を実装する誘電体からなる結合基板１８の上面には電
極膜１９，２０が形成されており、この結合基板１８の
下面は全面にわたってアース電極となる電極膜が形成さ
れている。

【０００６】上記各部材を上面に実装するベース基板２
２には、アンテナ側と接続される電極膜状の入出力端子
２３と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子２
４と、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子２５
とがそれぞれ形成されている。また、ベース基板２２の
上面及び下面は電極膜状のアース電極２６が略全面にわ
たって形成してある。尚、このベース基板２２は、樹脂
等の誘電体または絶縁体等で形成されている。ベース基
板２２の上面に実装される上記結合基板１３は２個のス
ペーサ２１を介して実装されるものであり、他の１個の
スペーサ２１はベース基板２２の入出力端子２４の上面
に実装される。これら３個のスペーサ２１は、金属等の
導通のある部材を用いている。

【０００７】また、ベース基板２２の上下面の入出力端
子２３〜２５の部分以外の箇所は全面にわたってアース
電極２６が形成されており、上下面のアース電極２６は
横方向に非直線状に形成した複数のスルーホール３３に
より導通を得ている。また、ベース基板２２の周囲に複
数形成した半円状の切欠部３４の端面に形成した電極膜
を介しても上下面のアース電極２６が導通している。更
に、入出力端子２３〜２５も端面に形成した電極膜を介
してベース基板２２の上下面が導通している。

【０００８】ベース基板２２を覆設するカバー２７は金
属製で構成され、カバー２７の天板には誘電体同軸共振
器１〜７の上面側外導体とカバー２７とを半田付け等を
するための細長の穴２８と、誘電体同軸共振器１〜７の
特性を調整するための治具挿入用の穴２９が穿孔してあ
る。また、カバー２７の下縁の前部・背部（図示せず）
よりベース基板２２の上面アース電極２６と接続される
アース端子３０が複数形成されている。カバー２７の側
板には、上記ベース基板２２の入出力端子２３〜２５を
露出させるための切欠部３１がそれぞれ形成してある。
また、図１９に示すように、カバー２７の上面にはラベ
ル３２が貼付され穴２８や２９が覆われるようになって
いる。

【０００９】次に、各部材の配置構成について説明す
る。図１８及び図１９に示すように、バンドエリミネー
ションフィルタ側では、１個のスペーサ２１がベース基
板２２の入出力端子２４の上に実装され、また、結合基
板１８がベース基板２２の入出力端子２４と２３との間
のアース電極２６の上に実装されハンダづけされる。更
に、入出力端子２３と２５の上面にスペーサ２１がそれ
ぞれ実装され、この２個のスペーサ２１の上面に、下面
の電極膜が接触する形で結合基板１３が架橋されハンダ
づけされる。

【００１０】図１９に示すように、インダクタＬ₁ の一
端がスペーサ２１の上面に実装され、その上にコンデン
サ基板１０が実装され、このコンデンサ基板１０の上面
の電極膜に誘電体同軸共振器１からの接続端子９が接続
される。また、インダクタＬ₁ の他端は結合基板１８の
電極膜１９の上に実装され、インダクタＬ₂ が結合基板
１８の電極膜１９と２０との間に実装される。そして、
インダクタＬ₁ とＬ₂ の接続部の上にコンデンサ基板１
１が実装され、コンデンサ基板１１の上面の電極膜に誘
電体同軸共振器２からの接続端子９が接続される。イン
ダクタＬ₃ の一端が結合基板１８の電極膜２０の上に実
装され、他端は入出力端子２３の上に実装される。ま
た、インダクタＬ₂ とＬ₃ の接続部の上にコンデンサ基
板１２が実装され、コンデンサ基板１２の上面の電極膜
に誘電体同軸共振器３からの接続端子９が接続される。

【００１１】２個のスペーサ２１の上に実装された結合
基板１３の上面の各電極膜１４〜１７に、誘電体同軸共
振器４〜７からの接続端子９がそれぞれ接続されるよう
になっている。

【００１２】図２０は上記のようにして構成されている
誘電体フィルタの等価回路図を示し、バンドエリミネー
ションフィルタ側のキャパシタＣ₁ 〜Ｃ₃ は、コンデン
サ基板１０〜１２の上下の電極膜で形成され、キャパシ
タＣ₄ は入出力端子２４と下面のアース電極との間で形
成されるものである。キャパシタＣ₅ ，Ｃ₆ は、結合基
板１８の上面の電極膜１９，２０と下面の電極膜とで形
成されている。また、キャパシタＣ₇ は、入出力端子２
３と下面のアース電極との間で形成されるものである。

【００１３】また、バンドパスフィルタ側のキャパシタ
Ｃ₈ は、結合基板１３の電極膜１４と下面の電極膜との
間で形成され、キャパシタＣ₉ 〜Ｃ_{1 0} は、結合基板１
３の各電極膜１４〜１６間で形成される。また、キャパ
シタＣ_{1 1} は、結合基板１３の上面の電極膜１６と下面
の電極膜（図示せず）で形成される。また、この下面の
電極膜は図の右端のスペーサ２１に導通している。更
に、キャパシタＣ_{1 2} は結合基板１３の上面の電極膜１
７と下面の電極膜とで形成される。尚、誘電体同軸共振
器７とキャパシタＣ_{1 2} とで直列共振回路のトラップ回
路を構成している。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】かかる従来例の誘電体
フィルタは、ディスクリート部品を用いて構成されてお
り、この従来の構造では、コンデンサ基板１０〜１２、
インダクタ（コイル）Ｌ₁ 〜Ｌ₃ 、誘電体同軸共振器１
〜７に接続する接続端子９など部品点数が多くなる。ま
た、組立に時間がかかっていた。そのため、当然、コス
トも高くなるという問題があった。また、サイズ的にも
無駄なスペースができてしまい、小型化の妨げとなる場
合があった。

【００１５】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、部品点数を少なくして、組立時間を短縮し、低
コスト化を図ると共に、無駄なスペースをなくして小型
化を図ることを目的とした誘電体共振器装置を提供する
ものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体に設け
た一つあるいは複数の穴８の内周面に形成した電極膜状
の内導体３５及び上記誘電体の一方の端面を開放面１ａ
〜４ａとし、それ以外の外面に電極膜状の外導体３６を
設けた誘電体同軸共振器１〜４と、Ｃ成分、Ｌ成分等の
結合回路素子及び入出力端子７１〜７３をパターン電極
により形成した基板４１とを備え、上記基板４１の一方
の端部より上記誘電体同軸共振器１〜４の穴８内に上記
開放面１ａ〜４ａ側から圧入する突起部４２を一体に突
設し、誘電体同軸共振器１〜４の穴８の内導体３５と基
板４１のパターン電極６２，６３，６５，６６とを電気
的に結合する電気回路伝送用のパターン電極５１〜５４
を上記基板４１の突起部４２に形成したことを特徴とし
ている。

【００１７】

【作用】本発明によれば、Ｃ成分、Ｌ成分等の結合回路
素子及び入出力端子７１〜７３をパターン電極により形
成した基板４１の突起部４２を誘電体同軸共振器１〜４
の開放面１ａ〜４ａ側から穴８に圧入していることで、
誘電体同軸共振器１〜４に組み込む部品点数が基板４１
のみとなり、従来要していた接続端子９、コイルＬ₁ 〜
Ｌ₃ 、コンデンサ基板１０〜１３等の組み込み工数を無
くすことができ、組み立て作業性が向上して組立時間が
短縮されることになる。したがって製品を低コストで作
ることができる。また、従来の表面実装タイプの製品と
比べて無駄なスペースがなくなり、小型化することがで
きるものである。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。なお、従来例の説明では、７個の誘電体同軸共振
器を用いてバンドエリミネーションフィルタとバンドパ
スフィルタからアンテナ共用器の場合について説明した
が、本実施例では、図６に示すように、４個の誘電体同
軸共振器１〜４を用いて２つのバンドパスフィルタから
なるアンテナ共用器の場合について説明する。

【００１９】図１は誘電体共振器装置としての誘電体フ
ィルタの分解斜視図を示し、誘電体同軸共振器１〜４
は、図１及び図５に示すように、１／４波長形の誘電体
同軸共振器であり、誘電体同軸共振器１〜４の長手方向
（軸方向）には前後に四角状の穴８が貫通して穿設され
ている。図１及び図５に示すように、誘電体同軸共振器
１〜４の一方の端面の部分を除いて電極膜状の外導体３
６が全体にわたって形成されており、また、上記穴８の
内周面にも電極膜状の内導体３５が形成されている。外
導体３６を形成していない誘電体同軸共振器１〜４の一
方の端面を開放面１ａ〜４ａとし、外導体３６を形成し
ている他方の端面を短絡面１ｂとしている。

【００２０】図６は図１に示す誘電体フィルタの等価回
路図を示し、本実施例では２段の１／４波長形の誘電体
同軸共振器１，２、キャパシタＣ₁ 〜Ｃ₃ 等からなるバ
ンドパスフィルタと、２段の１／４波長形の誘電体同軸
共振器３，４、キャパシタＣ₄ 〜Ｃ₆ からなるバンドパ
スフィルタとで構成されている。そして、図６の破線で
示す部分を後述するように多層基板４１で構成している
ものである。

【００２１】図６に示す等価回路の場合には、図１〜図
３に示すような多層基板４１で構成している。すなわ
ち、多層基板４１は本実施例では２枚の第１基板４１ａ
と第２基板４１ｂとで構成し、いわゆるプリント基板で
構成している。一方の第１基板４１ａの端部には、１つ
の穴８を有する誘電体同軸共振器１〜４の数に合わせて
４つの突起部４２を一体に突設している。この突起部４
２の形状は誘電体同軸共振器１〜４の穴８の形状に合わ
せて角柱状に形成しており、突起部４２を誘電体同軸共
振器１〜４の穴８にそれぞれ圧入するようになってい
る。

【００２２】また、第１基板４１ａの上面には突起部４
２の部分を除いて略全面に電界シールド用のパターン電
極５５が形成されている。そして、図２に示すように、
第１基板４１ａの下面の端部の両側にも細帯状に電界シ
ールド用のパターン電極５５が形成されている。なお、
図２は下面側から見た第１基板４１ａの斜視図である。
上記第１基板４１ａの他方の端部には半円状の切欠部４
３が形成されており、この切欠部４３の内周面に形成し
た電極膜を介して上下のパターン電極５５の導通を図っ
ている。

【００２３】さらに、多層基板４１の第１基板４１ａの
各突起部４２の下面には図２に示すように、電気回路伝
送用のパターン電極５１〜５４がそれぞれ形成してあ
る。第１基板４１ａの突起部４２を誘電体同軸共振器１
〜４の穴８内に圧入した時に、突起部４２のパターン電
極５１〜５４と穴８の内周面に形成した内導体３５とが
接触して導通を得るようになっている。

【００２４】次に、多層基板４１の第２基板４１ｂの構
成について説明する。図１に示すように、第２基板４１
ｂの上面には櫛歯状に形成した複数のパターン電極６１
〜６７が形成されており、両側のパターン電極６１，６
７と中央のパターン電極６４とを入出力端子７１〜７３
としている（図６参照）。また、第２基板４１ｂの上面
の端部の両側には、細帯の電界シールド用のパターン電
極６０が形成してある。

【００２５】第２基板４１ｂの下面は図３に示すよう
に、その両側及び中央部分には入出力端子７１〜７３と
なるパターン電極６８〜７０が形成されており、他の部
分は略全面にわたってアース電極となるパターン電極６
０が形成してある。そして、入出力端子７１〜７３の部
分には上記と同様に半円状の切欠部４５が形成されてい
て、この切欠部４５の内周面に形成した電極膜を介して
上下面のパターン電極６１，６４，６７と６８〜７０が
導通している。更に、パターン電極６０の部分に対応し
た第２基板４１ｂの端部にも４つの切欠部４４が形成さ
れており、この切欠部４４の内周面に形成した電極膜を
介して上下面のパターン電極６０が導通している。

【００２６】第１基板４１ａと第２基板４１ｂとは対向
面を半田付けして多層基板４１を構成しているものであ
り、第１基板４１ａの各突起部４２のパターン電極５１
〜５４が、第２基板４１ｂの上面のパターン電極６２，
６３，６５，６６と半田付けされる。また、第１基板４
１ａの下面の端部の帯状のパターン電極５５と、第２基
板４１ｂの上面の端部の帯状のパターン電極６０とが半
田付け接続されるようになっている。

【００２７】したがって、第１基板４１ａと第２基板４
１ｂとを半田付け接続した場合には、図４に示すよう
に、電界シールド用の上下のパターン電極５５，６０が
半田付け接続されることになって、多層基板４１の上下
面のパターン電極５５，６０により電界シールド部とな
る。なお、図４において、４６はパターン電極を半田付
けするためのハンダである。

【００２８】図５は多層基板４１の突起部４２を誘電体
同軸共振器１〜４の穴８内に圧入した状態を示し、突起
部４２の下面のパターン電極５１と内導体３５とが接触
して導通を得ている状態を示すものである。

【００２９】ここで、図６に示すキャパシタＣ₁ 〜Ｃ₆
と、多層基板４１の第２基板４１ｂとの関係を説明す
る。キャパシタＣ₁ は、第２基板４１ｂの上面のパター
ン電極６１と６２との間の容量で形成され、キャパシタ
Ｃ₂ は、第２基板４１ｂのパターン電極６２と６３との
間の容量で形成される。また、キャパシタＣ₃ は、第２
基板４１ｂのパターン電極６３と６４との間の容量で形
成され、キャパシタＣ₄ は、第２基板４１ｂのパターン
電極６４と６５との間の容量で形成される。さらに、キ
ャパシタＣ₅ は、第２基板４１ｂのパターン電極６５と
６６との間の容量で形成され、キャパシタＣ₆ は、第２
基板４１ｂのパターン電極６６と６７との間の容量で形
成されるものである。

【００３０】（実施例２）図７は実施例２を示し、誘電
体同軸共振器１の穴８の形状を丸形にした場合を示し、
この場合、多層基板４１の第１基板４１ａの突起部４２
の形状は先の実施例と同様に角柱状としている。他の構
成は先の実施例と同様である。図７（ａ）は多層基板４
１の突起部４２を誘電体同軸共振器１〜４の穴８内に圧
入しようとする場合を示し、図７（ｂ）は突起部４２を
穴８内に圧入した状態の正面図を示している。なお、図
７（ｂ）では第１基板４１ａのみを示している。

【００３１】（実施例３）実施例３を図８に示す。本実
施例では、誘電体同軸共振器１の穴８の形状を六角形状
とした場合であり、他の構成は先の実施例と同じであ
る。

【００３２】（実施例４）実施例４を示す図９において
は、誘電体同軸共振器１の穴８の形状を長方形状にした
ものであり、他の構成は先の実施例と同様である。

【００３３】（実施例５）更に、図１０は実施例５を示
し、本実施例では、誘電体同軸共振器１の穴８の形状を
長穴状に形成したものである。

【００３４】また、上記の実施例では、多層基板４１を
樹脂からなる所謂プリント基板で構成した場合について
説明したが、プリント基板の代わりに、電極付きのセラ
ミック基板で形成しても良い。

【００３５】（実施例６）図１１に実施例６を示す。本
実施例は、多層基板４１の第１基板４１ａの下面に電気
回路伝送用のパターン電極５１・・と一体に結合容量を
とるためのパターン電極５１ａ・・を形成したものであ
る。これらのパターン電極５１ａ・・間の容量でキャパ
シタＣ₁ ・・を形成するようにしている。なお、この場
合、第２基板４１ｂはアース電極としてのパターン電極
だけを形成する。

【００３６】（実施例７）上記実施例においては、多層
基板４１を第１基板４１ａと第２基板４１ｂとの２枚の
構成としたが、Ｌ成分等を構成すべく多機能化のため
に、３枚以上の基板で多層基板４１を構成するようにし
ても良い。以下その具体例を示す。本実施例では図１２
に示すように、多層基板４１の第２基板４１ｂを多層化
したものであり、表面電極板４１₁ 、内部電極板４１
₂ 、裏面電極板４１₃ 及び樹脂基板４１₄ ，４１₅ 等で
構成している。

【００３７】表面電極板４１₁ は、図１２に示すよう
に、図１に示したのと同様のパターン電極６０〜６７が
形成してあり、内部電極板４１₂ には２つのパターン電
極８１，８２が形成してある。また、裏面電極板４１₃
には図２に示したのと同様のパターン電極６０，６８〜
７０が形成してある。そして、表面電極板４１₁ と内部
電極板４１₂ との間に樹脂基板４１₄ を介装し、内部電
極板４１₂ と裏面電極板４１₃ との間には樹脂基板４１
₅ を介装して、これら５つの板部材を図１３に示すよう
に、積層して第２基板４１ｂを多層化している。

【００３８】図１４は内部電極板４１₂ のパターン電極
８１，８２の機能を説明するための断面図を示すもので
あり、図中入出力端子７１〜７３となる上下のパターン
電極６１，６８、６４，６９、６７，７０は、スルーホ
ールあるいは先の実施例と同様に切欠部の内周面に形成
した電極膜を介して導通をとっている。図１４におい
て、表面電極板４１₁ のパターン電極６２と内部電極板
４１₂ のパターン電極８１との間でキャパシタＣ_{2 1} が
形成され、また、表面電極板４１₁ のパターン電極６３
と内部電極板４１₂ のパターン電極８１との間でキャパ
シタＣ_{2 2} が形成される。内部電極板４１₂ のパターン
電極８１により形成されるキャパシタＣ_{2 1} ，Ｃ_{2 2} に
よりキャパシタＣ₂ （図６参照）の容量を大きくするこ
とができる。これにより高機能化を図ることができる。

【００３９】さらに、図１４において、表面電極板４１
₁ のパターン電極６５と内部電極板４１₂ のパターン電
極８２との間でキャパシタＣ_{5 1} が形成され、また、表
面電極板４１₁ のパターン電極６６と内部電極板４１₂
のパターン電極８２との間でキャパシタＣ_{5 2} が形成さ
れる。内部電極板４１₂ のパターン電極８２により形成
されるキャパシタＣ_{5 1} ，Ｃ_{5 2} によりキャパシタＣ₅
（図６参照）の容量を大きくすることができる。これに
より高機能化を図ることができる。

【００４０】（実施例８）実施例８を図１５〜図１７に
示す。本実施例では、多層基板４１の第１基板４１ａを
多層化したものである。すなわち、図１及び図２に示す
ような第１基板４１ａをパターン電極５５、樹脂基板４
１₆ 、パターン電極８３，８４、樹脂基板４１₇ 、パタ
ーン電極５１〜５５の５層としている。なお、本実施例
では第２基板４１ｂは図１５に示すように、先の実施例
と同様である。

【００４１】樹脂基板４１₆ の上面にアース電極となる
パターン電極５５が配置され、樹脂基板４１₆ と４１₇
との間にパターン電極８３，８４が介装され、樹脂基板
４１₇ の下面にパターン電極５１〜５５が先の実施例と
同様に配置されるようになっている。また、樹脂基板４
１₆ の突起部４２₁ と、樹脂基板４１₇ の突起部４２₂
とで、図１に示すような突起部４２が構成される。

【００４２】本実施例においても先の実施例７の場合と
同様に図１５に示すように、樹脂基板４１₆ と４１₇ と
の間に積層したパターン電極８３，８４によりキャパシ
タＣ₂ とキャパシタＣ₅ の容量を大きくすることができ
る。すなわち、図１５に示すように、パターン電極８３
とパターン電極５１，５２との間で形成される容量が、
第２基板４１ｂのパターン電極６２と６３との間の容量
で形成されるキャパシタＣ₂ に並列的に接続されて、該
キャパシタＣ₂ の容量を大きくすることができる。

【００４３】また、図１５に示すように、パターン電極
８４とパターン電極５３，５４との間で形成される容量
が、第２基板４１ｂのパターン電極６５と６６との間の
容量で形成されるキャパシタＣ₅ に並列的に接続され
て、該キャパシタＣ₅ の容量を大きくすることができる
ものである。

【００４４】また、上記各実施例では、多層基板４１に
誘電体同軸共振器の数に合わせて突起部４２を形成した
が、誘電体同軸共振器の数に対応させてそれぞれ基板を
形成し、各基板に誘電体同軸共振器の穴８に圧入する突
起部４２を形成するようにしても良い。

【００４５】ところで、先の実施例では個別の誘電体同
軸共振器１〜４を用いて誘電体フィルタを構成した場合
について説明したが、１個の誘電体同軸共振器に複数の
穴を穿孔して複数段の誘電体フィルタを構成しても良
い。また、上記誘電体同軸共振器１〜４の穴８は両端側
に貫通した場合について説明したが、短絡面側が閉塞さ
れた誘電体同軸共振器の場合についても本発明を適用す
ることができる。

【００４６】尚、実施例では、フィルタの構成として、
バンドパスフィルタとバンドパスフィルタを組み合わせ
たアンテナ共用器の例を示したが、これらの単独構成
や、他のハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、バンド
エリミネーションフィルタのそれぞれの単独構成、又は
各種のフィルタの組み合わせにも本発明を適用できるも
のである。また、共振器の段数には制限されないもので
ある。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、Ｃ成分、Ｌ成分等の結
合回路素子及び入出力端子をパターン電極により形成し
た基板の突起部を誘電体同軸共振器の開放面側から穴に
圧入していることで、誘電体同軸共振器に組み込む部品
点数が基板のみとなり、従来要していた接続端子、コイ
ル、コンデンサ基板等の組み込み工数を無くすことがで
き、組み立て作業性が向上して組立時間が短縮されるこ
とになる。したがって製品を低コストで作ることができ
る。また、従来の表面実装タイプの製品と比べて無駄な
スペースがなくなり、小型化することができるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の誘電体フィルタの分解斜視図
である。

【図２】本発明の実施例の第１基板の下面から見た斜視
図である。

【図３】本発明の実施例の第２基板の下面から見た斜視
図である。

【図４】本発明の実施例の第１基板と第２基板とのパタ
ーン電極の半田付け状態を示す説明図である。

【図５】本発明の実施例の多層基板の突起部の誘電体同
軸共振器の穴への圧入状態を示す説明図である。

【図６】本発明の実施例の図１に示す誘電体フィルタの
等価回路図である。

【図７】（ａ）は本発明の実施例２の多層基板の突起部
を誘電体同軸共振器の穴へ圧入する場合の要部斜視図で
ある。（ｂ）は本発明の実施例の多層基板の突起部を誘
電体同軸共振器の穴へ圧入した状態を示す要部正面図で
ある。

【図８】本発明の実施例３の誘電体同軸共振器の斜視図
である。

【図９】本発明の実施例４の誘電体同軸共振器の斜視図
である。

【図１０】本発明の実施例５の誘電体同軸共振器の斜視
図である。

【図１１】本発明の実施例６の多層基板の第１基板の要
部背面図である。

【図１２】本発明の実施例７の第２基板の分解斜視図で
ある。

【図１３】本発明の実施例７の第２基板の断面図であ
る。

【図１４】本発明の実施例７の説明図である。

【図１５】本発明の実施例８の多層基板の説明図であ
る。

【図１６】本発明の実施例８の第１基板の分解斜視図で
ある。

【図１７】本発明の実施例８の第１基板の分解平面図で
ある。

【図１８】従来例の誘電体フィルタの全体の分解斜視図
である。

【図１９】従来例の部品を実装した場合を示す誘電体フ
ィルタの斜視図である。

【図２０】従来例の図１８に示す誘電体フィルタの等価
回路図である。

【符号の説明】

１〜４ 誘電体同軸共振器 ８ 穴 ３５ 内導体 ３６ 外導体 ４１ 多層基板 ４１ａ 第１基板 ４１ｂ 第２基板 ４２ 突起部 ５１〜５４ パターン電極 ６１〜６７ パターン電極 ７１〜７３ 入出力端子

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体に設けた一つあるいは複数の穴
   （８）の内周面に形成した電極膜状の内導体（３５）及
   び上記誘電体の一方の端面を開放面（１ａ）〜（４ａ）
   とし、それ以外の外面に電極膜状の外導体（３６）を設
   けた誘電体同軸共振器（１）〜（４）と、Ｃ成分、Ｌ成
   分等の結合回路素子及び入出力端子（７１）〜（７３）
   をパターン電極により形成した基板（４１）とを備え、
   上記基板（４１）の一方の端部より上記誘電体同軸共振
   器（１）〜（４）の穴（８）内に上記開放面（１ａ）〜
   （４ａ）側から圧入する突起部（４２）を一体に突設
   し、誘電体同軸共振器（１）〜（４）の穴（８）の内導
   体（３５）と基板（４１）のパターン電極（６２）（６
   ３）（６５）（６６）とを電気的に結合する電気回路伝
   送用のパターン電極（５１）〜（５４）を上記基板（４
   １）の突起部（４２）に形成したことを特徴とする誘電
   体共振器装置。