JPH07162209A

JPH07162209A - 誘電体共振器装置

Info

Publication number: JPH07162209A
Application number: JP34163493A
Authority: JP
Inventors: Yukihiro Kitaichi; 幸裕北市; Hideyuki Kato; 英幸加藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1993-12-09
Filing date: 1993-12-09
Publication date: 1995-06-23

Abstract

(57)【要約】【目的】部品点数を削減して従来要した接続端子やコ
イルなどの組み込み工数を無くし、低コスト化を図るこ
と。【構成】各誘電体同軸共振器１〜３間を結合するキャ
パシタやインダクタンスからなる結合回路をパターン電
極により設けて多層基板４１で形成する。誘電体同軸共
振器１〜３の下面には多層基板４１のパターン電極５１
〜５３と接続される電極膜３８を形成する。多層基板４
１の位置決め用基板４１ｄの開口部８１内に誘電体同軸
共振器１〜３を配置して実装する。多層基板４１の下面
にはスルーホール７１₁ ，７３₁ を介して入出力端子と
なるパターン電極を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
として用いられる誘電体共振器装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図６〜図８に従来の誘電体共振器装置と
して誘電体フィルタを示す。図６は誘電体フィルタの全
体の分解斜視図を示し、図７は各種部品を実装した場合
の斜視図を、図８は等価回路図をそれぞれ示している。
まず、従来の誘電体フィルタの全体の構成について説明
する。図６及び図７に示す誘電体フィルタは、例えば、
自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用されるも
のであり、マイクロ波帯に用いられる所謂アンテナ共用
器と言われるものである。

【０００３】そして、この誘電体フィルタは送信側がバ
ンドエリミネーションフィルタで構成され、受信側がバ
ンドパスフィルタで構成されている。バンドエリミネー
ションフィルタは３段の共振器構成となっており、３個
の１／４波長形誘電体同軸共振器１〜３を有し、バンド
パスフィルタは４段の共振器構成で、４個の１／４波長
形誘電体同軸共振器４〜７を有している。

【０００４】誘電体同軸共振器１〜７は、直方体状に形
成されている誘電体の穴８の内周面に形成した電極膜状
の内導体と、該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外
導体と、図には表われていないが穴８が開口している端
面の一方に形成した電極膜状の内導体と外導体とを接続
する短絡導体とで構成され、所定の周波数で共振するよ
うになっている。この誘電体同軸共振器１〜７の穴８に
は一端側を略円筒状に形成した金属製の接続端子９がそ
れぞれ誘電体同軸共振器１〜７の開放端側より圧入され
て、穴８内の内導体と接触して導通を得ている。上記接
続端子９の他端側は舌片状に形成されていて、後述する
コンデンサ基板１０〜１２や結合基板１３の上面に形成
されている電極膜１４〜１７に半田付け等でそれぞれ接
続されるようになっている。

【０００５】上記コンデンサ基板１０〜１２は誘電体か
らなり、その上下面には電極膜がそれぞれ形成されてい
て、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる
結合基板１３の上面には複数の電極膜１４〜１７が並設
されており、電極膜１４〜１６は結合容量を多くとるた
めに、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結合
基板１３の下面の両側にも電極膜が形成されている。ま
た、コンデンサ基板１０〜１２間にはコイル状のインダ
クタＬ₁ 〜Ｌ₃ が接続される。上記インダクタＬ₁ 〜Ｌ
₃ を実装する誘電体からなる結合基板１８の上面には電
極膜１９，２０が形成されており、この結合基板１８の
下面は全面にわたってアース電極となる電極膜が形成さ
れている。

【０００６】上記各部材を上面に実装するベース基板２
２には、アンテナ側と接続される電極膜状の入出力端子
２３と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子２
４と、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子２５
とがそれぞれ形成されている。また、ベース基板２２の
上面及び下面は電極膜状のアース電極２６が略全面にわ
たって形成してある。尚、このベース基板２２は、樹脂
等の誘電体または絶縁体等で形成されている。ベース基
板２２の上面に実装される上記結合基板１３は２個のス
ペーサ２１を介して実装されるものであり、他の１個の
スペーサ２１はベース基板２２の入出力端子２４の上面
に実装される。これら３個のスペーサ２１は、金属等の
導通のある部材を用いている。

【０００７】また、ベース基板２２の上下面の入出力端
子２３〜２５の部分以外の箇所は全面にわたってアース
電極２６が形成されており、上下面のアース電極２６は
横方向に非直線状に形成した複数のスルーホール３３に
より導通を得ている。また、ベース基板２２の周囲に複
数形成した半円状の切欠部３４の端面に形成した電極膜
を介しても上下面のアース電極２６が導通している。更
に、入出力端子２３〜２５も端面に形成した電極膜を介
してベース基板２２の上下面が導通している。

【０００８】ベース基板２２を覆設するカバー２７は金
属製で構成され、カバー２７の天板には誘電体同軸共振
器１〜７の上面側外導体とカバー２７とを半田付け等を
するための細長の穴２８と、誘電体同軸共振器１〜７の
特性を調整するための治具挿入用の穴２９が穿孔してあ
る。また、カバー２７の下縁の前部・背部（図示せず）
よりベース基板２２の上面アース電極２６と接続される
アース端子３０が複数形成されている。カバー２７の側
板には、上記ベース基板２２の入出力端子２３〜２５を
露出させるための切欠部３１がそれぞれ形成してある。
また、図７に示すように、カバー２７の上面にはラベル
３２が貼付され穴２８や２９が覆われるようになってい
る。

【０００９】次に、各部材の配置構成について説明す
る。図６及び図７に示すように、バンドエリミネーショ
ンフィルタ側では、１個のスペーサ２１がベース基板２
２の入出力端子２４の上に実装され、また、結合基板１
８がベース基板２２の入出力端子２４と２３との間のア
ース電極２６の上に実装されハンダづけされる。更に、
入出力端子２３と２５の上面にスペーサ２１がそれぞれ
実装され、この２個のスペーサ２１の上面に、下面の電
極膜が接触する形で結合基板１３が架橋されハンダづけ
される。

【００１０】図７に示すように、インダクタＬ₁ の一端
がスペーサ２１の上面に実装され、その上にコンデンサ
基板１０が実装され、このコンデンサ基板１０の上面の
電極膜に誘電体同軸共振器１からの接続端子９が接続さ
れる。また、インダクタＬ₁ の他端は結合基板１８の電
極膜１９の上に実装され、インダクタＬ₂ が結合基板１
８の電極膜１９と２０との間に実装される。そして、イ
ンダクタＬ₁ とＬ₂ の接続部の上にコンデンサ基板１１
が実装され、コンデンサ基板１１の上面の電極膜に誘電
体同軸共振器２からの接続端子９が接続される。インダ
クタＬ₃ の一端が結合基板１８の電極膜２０の上に実装
され、他端は入出力端子２３の上に実装される。また、
インダクタＬ₂ とＬ₃ の接続部の上にコンデンサ基板１
２が実装され、コンデンサ基板１２の上面の電極膜に誘
電体同軸共振器３からの接続端子９が接続される。

【００１１】２個のスペーサ２１の上に実装された結合
基板１３の上面の各電極膜１４〜１７に、誘電体同軸共
振器４〜７からの接続端子９がそれぞれ接続されるよう
になっている。

【００１２】図８は上記のようにして構成されている誘
電体フィルタの等価回路図を示し、バンドエリミネーシ
ョンフィルタ側のキャパシタＣ₁ 〜Ｃ₃ は、コンデンサ
基板１０〜１２の上下の電極膜で形成され、キャパシタ
Ｃ₄ は入出力端子２４と下面のアース電極との間で形成
されるものである。キャパシタＣ₅ ，Ｃ₆ は、結合基板
１８の上面の電極膜１９，２０と下面の電極膜とで形成
されている。また、キャパシタＣ₇ は、入出力端子２３
と下面のアース電極との間で形成されるものである。

【００１３】また、バンドパスフィルタ側のキャパシタ
Ｃ₈ は、結合基板１３の電極膜１４と下面の電極膜との
間で形成され、キャパシタＣ₉ 〜Ｃ₁ ₀ は、結合基板１
３の各電極膜１４〜１６間で形成される。また、キャパ
シタＣ₁ ₁ は、結合基板１３の上面の電極膜１６と下面
の電極膜（図示せず）で形成される。また、この下面の
電極膜は図の右端のスペーサ２１に導通している。更
に、キャパシタＣ₁ ₂ は結合基板１３の上面の電極膜１
７と下面の電極膜とで形成される。尚、誘電体同軸共振
器７とキャパシタＣ₁ ₂ とで直列共振回路のトラップ回
路を構成している。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】かかる従来例の誘電体
フィルタは、ディスクリート部品を用いて構成されてお
り、この従来の構造では、コンデンサ基板１０〜１２、
インダクタ（コイル）Ｌ₁ 〜Ｌ₃ 、誘電体同軸共振器１
〜７に接続する接続端子９など部品点数が多くなる。こ
れにより誘電体フィルタの部品単価が高くなり、また、
部品の組み込み工数が多くかかり、コストアップにつな
がるという問題があった。

【００１５】一方、誘電体同軸共振器間結合や、外部接
続回路を外付けの誘電体基板上に電極を形成して得る例
に、例えば特開平４−２１１５０１号公報が挙げられ
る。この特開平４−２１１５０１号公報に記載されてい
る発明ではコストを低下できる構造であるものの、単体
（一層）の誘電体基板を用いているために、複雑な結合
回路を実現しにくいという問題があった。

【００１６】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、部品点数を削減して従来要した接続端子やコイ
ルなどの組み込み工数を無くし、低コスト化を図ること
を目的とした誘電体共振器装置を提供するものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体に穿孔
した一つあるいは複数の穴８の内周面に形成した電極膜
状の内導体３５及び外面に形成した電極膜状の外導体３
６を設けた誘電体同軸共振器１〜３と、Ｃ成分、Ｌ成分
等の結合回路素子及び入出力端子７５，７６をパターン
電極により形成した多層基板４１とを備え、この多層基
板４１の上面に上記誘電体同軸共振器１〜３を配設し、
上記誘電体同軸共振器１〜３の底面に形成した結合用の
電極膜３８と多層基板４１のパターン電極の一部とを電
気的に結合したことを特徴としている。

【００１８】

【作用】本発明によれば、Ｃ成分、Ｌ成分等の結合回路
素子及び入出力端子７５，７６をパターン電極により形
成した多層基板４１の上面に誘電体同軸共振器１〜３を
配設していることで、部品は誘電体同軸共振器１〜３と
多層基板４１のみとなり、従来要していたディスクリー
ト部品の接続端子９、コイルＬ₁ 〜Ｌ₃ 、コンデンサ基
板１０〜１３等の組み込み工数を無くすことができ、組
み立て作業性が向上すると共に、低コスト化を図ること
ができる。また、誘電体同軸共振器１〜３により構成さ
れる共振回路間の結合回路を形成した多層基板４１の上
面に誘電体同軸共振器１〜３を配設するため、全体の厚
みが誘電体同軸共振器１〜３に多層基板４１の厚みを加
えた厚さとなり、全体として小型に構成することができ
る。また、多層基板４１を用いているので、複雑な結合
回路を容易且つ小型に形成することができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。なお、誘電体同軸共振器の機能としては従来と本
発明においても同様なので同じ番号を付して説明する。
図１は誘電体共振器装置としての誘電体フィルタの全体
の分解斜視図を示し、図２は後述する多層基板４１の裏
面側から見た分解斜視図を示している。

【００２０】本実施例では、誘電体同軸共振器１〜３を
３個用いてバンドエリミネーションフィルタを構成した
場合について説明する。図１に示すように、誘電体同軸
共振器１〜３は１／４波長形の誘電体同軸共振器であ
り、誘電体同軸共振器１〜３の長手方向（軸方向）には
前後に穴８が貫通して穿設されている。

【００２１】誘電体同軸共振器１〜３の一方の端面と下
面の前部の部分を除いて電極膜状の外導体３６が全面に
わたって形成されており、また、上記穴８の内周面にも
電極膜状の内導体３５が形成されている。外導体３６を
形成していない誘電体同軸共振器１〜３の一方の端面を
開放面１ａ〜３ａとし、外導体３６を形成している他方
の端面を短絡面としている。誘電体同軸共振器１〜３の
下面の外導体３６を形成していない面の略中央には、上
記内導体３５と容量結合を行うための電極膜３８が形成
されている。

【００２２】図３は図１に示す誘電体フィルタの等価回
路図を示し、本実施例では３段の１／４波長形の誘電体
同軸共振器１〜３からなるバンドエリミネーションフィ
ルタで構成されている。図３の破線で示す部分を多層基
板４１で構成するものであり、誘電体同軸共振器１〜３
と直列に接続された形となっている結合容量であるキャ
パシタＣ₁ 〜Ｃ₃ は、図１に示すように、各誘電体同軸
共振器１〜３の下面に形成した電極膜３８と内導体３５
との間で形成されるものである。

【００２３】図３に示す等価回路の場合には、図１及び
図２に示すような多層基板４１で構成している。すなわ
ち、多層基板４１は本実施例では４層で構成しており、
第１基板４１ａ、第２基板４１ｂ及び第３基板４１ｃと
で構成している。そして、第４の基板として四角枠状の
位置決め用基板４１ｄを設けており、これら４層の基板
４１ａ〜４１ｄで多層基板４１を構成している。

【００２４】図１において、誘電体同軸共振器１〜３を
実装する多層基板４１の第１基板４１ａの上面には上記
誘電体同軸共振器１〜３の電極膜３８と接続される四角
状のパターン電極５１〜５３が形成されており、各パタ
ーン電極５１〜５３にはスルーホール５１₁ 〜５３₁ が
穿設されている。また、第１基板４１ａの他の面にはア
ース電極５４としてのパターン電極が形成されている。

【００２５】また、第１基板４１ａの裏面は図２に示す
ように、パターン電極５５〜５７が３つ形成されてお
り、これらパターン電極５５〜５７は上記スルーホール
５１₁〜５３₁ を介して上面のパターン電極５１〜５３
と導通している。この第１基板４１ａの周囲の端面及び
裏面の周縁にはアース電極５４としてのパターン電極が
形成されていて、上面のアース電極５４と一体に形成さ
れている。

【００２６】また、多層基板４１の第２基板４１ｂの上
面には、図１に示すように、２つの渦巻き状のパターン
電極６１，６２と、四角状のパターン電極６３が形成さ
れている。パターン電極６１，６２の両端にはそれぞれ
スルーホール６１₁ ，６１₂、６２₁ ，６２₂ が形成さ
れ、パターン電極６１，６２の一端側の部分及びパター
ン電極６３は第１基板４１ａのスルーホール５１₁ 〜５
３₁ を介して第１基板４１ａのパターン電極５１〜５３
と導通を得ている。また、第２基板４１ｂの上面の一端
側と他端側の端部にはアース電極６４としてのパターン
電極が形成されている。

【００２７】更に、第２基板４１ｂの裏面は図２に示す
ように、パターン電極６１，６２の両端及びパターン電
極６３に対応したパターン電極６５〜６９が形成されて
いる。このパターン電極６５〜６９はスルーホール６１
₁ ，６１₂ 〜６３₁ を介して上面のパターン電極６１〜
６３とそれぞれ導通を図っている。また、第２基板４１
ｂの裏面の端部及び端面にもアース電極６４が形成して
ある。この第２基板４１ｂの上面のアース電極６４と裏
面のアース電極６４とは端面の電極膜を介して導通して
いる。

【００２８】多層基板４１の第３基板４１ｃの上面に
は、３つのパターン電極７１〜７３が形成されており、
また、第３基板４１ｃの他の部分には端部にはアース電
極７４としてのパターン電極が形成されている。第３基
板４１ｃの両端のパターン電極７１，７３の端部側には
スルーホール７１₁ ，７３₁ が穿設されている。また、
第３基板４１ｃの下面の両端には図２に示すようにスル
ーホール７１₁，７３₁ を介した入出力端子となるパタ
ーン電極７５，７６が形成されており、他の全面はアー
ス電極７４となるパターン電極が形成してある。なお、
第３基板４１ｃの周囲の端面にもアース電極となる電極
膜が形成されていて、上下面のアース電極７４の導通を
図っている。

【００２９】ここで、第３基板４１ｃのパターン電極７
１はスルーホール６１₁ を介して第２基板４１ｂのパタ
ーン電極６１の一端側と接続され、第３基板４１ｃのパ
ターン電極７２の一端側はスルーホール６１₂ を介して
第２基板４１ｂのパターン電極６１の他端側と接続され
る。したがって、第３基板４１ｃのパターン電極７１，
７２間に第２基板４１ｂの渦巻き状のパターン電極６１
が接続される形となる。

【００３０】また、第３基板４１ｃのパターン電極７２
の他端側は、スルーホール６２₁ を介して第２基板４１
ｂのパターン電極６２の一端側と接続され、第３基板４
１ｃのパターン電極７３の一端側はスルーホール６２₂
を介して第２基板４１ｂのパターン電極６２の他端側と
接続されるようになっている。したがって、第３基板４
１ｃのパターン電極７２，７３間に第２基板４１ｂの渦
巻き状のパターン電極６２が接続される形となる。

【００３１】更に、第３基板４１ｃのパターン電極７３
は、スルーホール６３₁ を介して第２基板４１ｂパター
ン電極６３と接続されている。ここで、多層基板４１の
第３基板４１ｃの一端側のパターン電極７５が入力側
（あるいは出力側）の入出力端子となり、他端のパター
ン電極７６が出力側（あるいは入力側）の入出力端子と
なる。

【００３２】また、第１基板４１ａの上面に配置される
位置決め用基板４１ｄの中央の四角状の開口部８１の大
きさは、本実施例の場合では誘電体同軸共振器１〜３を
３個用いているので、誘電体同軸共振器１〜３の３個分
の大きさに形成している。したがって、誘電体同軸共振
器の数に合わせて位置決め用基板４１ｄの開口部８１の
大きさが変わることは言うまでもない。なお、図２に示
すように位置決め用基板４１ｄの裏面の周縁にはアース
電極８２としてのパターン電極が形成してある。

【００３３】ところで、図１及び図２に示すように、各
基板４１ａ〜４１ｃのアース電極は、それぞれ形成した
端面の電極膜を介して裏面側のアース電極と接続してい
るが、図４に示すような方法でも良い。すなわち、例え
ば図４に示す基板を第１基板４１ａとした場合、第１基
板４１ａの各辺の端部に半円状の切欠部９１を形成し、
この切欠部９１の内面に電極膜９２を形成する。そし
て、この電極膜９２を介して上下面のアース電極５４の
導通を得るようにしても良い。

【００３４】また、多層基板４１を形成する場合、例え
ば、各基板４１ａ〜４１ｄとなるグリーンシートを積層
して焼成し、各基板４１ａ〜４１ｄを完成させてから電
気的、機械的に接続構成するようにしている。また、硬
化した基板を層状に接着剤で接着して形成した硬化基板
を用いても良い。

【００３５】次に、図３の等価回路図におけるインダク
タンスＬ₁ 〜Ｌ₃ とキャパシタＣ₁〜Ｃ₆ と、多層基板
４１のパターン電極との関係について説明する。インダ
クタンスＬ₁ 〜Ｌ₃ は、図１に示すように多層基板４１
の第２基板４１ｂの渦巻き状のパターン電極６１，６２
により形成される。また、キャパシタＣ₁ 〜Ｃ₃ は、誘
電体同軸共振器１〜３の電極膜３８と内導体３５との間
の容量で形成される。さらに、キャパシタＣ₄ 〜Ｃ₆
は、多層基板４１の第３基板４１ｃの上面のパターン電
極７１〜７３と下面のアース電極７４との間でそれぞれ
形成されている。

【００３６】上記多層基板４１の位置決め用基板４１ｄ
の開口部８１内に誘電体同軸共振器１〜３を配設して半
田付け等により実装する。そして、誘電体フィルタの入
出力端子となるパターン電極７５，７６は第３基板４１
ｃにより多層基板４１の下面に形成されることになる。
本実施例の場合においては、多層基板４１の位置決め用
基板４１ｄの開口部８１内に誘電体同軸共振器１〜３を
入れて位置決めしていることで、誘電体同軸共振器１〜
３の位置決めが非常に容易となる。

【００３７】なお、３個の誘電体同軸共振器１〜３は、
予めハンダや樹脂などの接着部材で固定するようにして
おいても良い。また、本実施例では、誘電体フィルタの
厚みが誘電体同軸共振器１〜３の厚みに多層基板４１の
厚みを加えた厚さとなり、偏平ないし小型に形成するこ
とができる。

【００３８】特に、誘電体同軸共振器１〜３間の結合回
路を多層基板４１のパターン電極により形成しているた
め、誘電体フィルタ全体を小型に形成することができ
る。また、多層基板４１の第３基板４１ｃのアース電極
７４と誘電体同軸共振器１〜３の外導体３６とで全体を
アース電極で覆うことができ、そのため、従来用いてい
たカバーを不要とすることができる。

【００３９】また、先の実施例では、１／４波長形の誘
電体同軸共振器の場合について説明したが、図５に示す
ように、全面に外導体３６を形成し、誘電体に穿設した
穴８内の一部に電極非形成部分を設けて内導体３５を形
成した共振器１の場合についても本発明を適用すること
ができる。特に、本実施例の場合には誘電体同軸共振器
１の端面は開放面とはなっていないので、この部分の外
導体３６がシールドの役目を果たすので、カバーは全く
不要とすることができる。

【００４０】ところで、先の実施例では個別の誘電体同
軸共振器１〜３を用いて誘電体フィルタを構成した場合
について説明したが、１個の誘電体同軸共振器に複数の
穴を穿孔して複数段の誘電体フィルタを構成しても良
い。また、上記誘電体同軸共振器１〜３の穴８は両端側
に貫通した場合について説明したが、短絡面側が閉塞さ
れた誘電体同軸共振器の場合についても本発明を適用す
ることができる。

【００４１】尚、実施例では、フィルタの構成として、
バンドエリミネーションフィルタの場合について説明し
たが、バンドパスフィルタ、ハイパスフィルタ、ローパ
スフィルタ等の単独のフィルタの場合にも本発明を適用
できる。また、バンドエリミネーションフィルタとバン
ドパスフィルタとを組み合わせたアンテナ共用器のよう
な各種のフィルタを組み合わせた場合にも本発明を適用
することができる。もちろん、誘電体同軸共振器の段数
にも制限されないものである。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、Ｃ成分、Ｌ成分等の結
合回路素子及び入出力端子をパターン電極により形成し
た多層基板の上面に誘電体同軸共振器を配設しているこ
とで、部品は誘電体同軸共振器と多層基板のみとなり、
従来要していたディスクリート部品の接続端子、コイ
ル、コンデンサ基板等の組み込み工数を無くすことがで
き、組み立て作業性が向上すると共に、低コスト化を図
ることができる。また、誘電体同軸共振器により構成さ
れる共振回路間の結合回路を形成した多層基板の上面に
誘電体同軸共振器を配設するため、全体の厚みが誘電体
同軸共振器に多層基板の厚みを加えた厚さとなり、全体
として小型に構成することができる。また、多層基板を
用いているので、複雑な結合回路を容易且つ小型に形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の誘電体フィルタの多層基板の
分解斜視図である。

【図２】本発明の実施例の多層基板を裏面側から見た分
解斜視図である。

【図３】本発明の実施例の誘電体フィルタの等価回路図
である。

【図４】本発明の実施例の基板のアース電極の導通をと
る場合の他の例を示す要部斜視図である。

【図５】本発明の実施例の穴の内部に電極非形成部分を
形成した場合の誘電体同軸共振器の斜視図である。

【図６】従来例の誘電体フィルタの全体の分解斜視図で
ある。

【図７】従来例の部品を実装した場合を示す誘電体フィ
ルタの斜視図である。

【図８】従来例の図６に示す誘電体フィルタの等価回路
図である。

【符号の説明】

１〜３誘電体同軸共振器８穴３５内導体３６外導体３８電極膜４１多層基板４１ａ第１基板４１ｂ第２基板４１ｃ第３基板４１ｄ位置決め用基板７５パターン電極（入出力端子）７６パターン電極（入出力端子）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体に穿孔した一つあるいは複数の穴
（８）の内周面に形成した電極膜状の内導体（３５）及
び外面に形成した電極膜状の外導体（３６）を設けた誘
電体同軸共振器（１）〜（３）と、Ｃ成分、Ｌ成分等の
結合回路素子及び入出力端子をパターン電極により形成
した多層基板（４１）とを備え、この多層基板（４１）
の上面に上記誘電体同軸共振器（１）〜（３）を配設
し、上記誘電体同軸共振器（１）〜（３）の底面に形成
した結合用の電極膜（３８）と多層基板（４１）のパタ
ーン電極の一部とを電気的に結合したことを特徴とする
誘電体共振器装置。