JPH06326504A

JPH06326504A - 誘電体フィルタ

Info

Publication number: JPH06326504A
Application number: JP22655893A
Authority: JP
Inventors: Hajime Suemasa; 肇末政; Hiromi Wakamatsu; 弘己若松
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1993-03-18
Filing date: 1993-08-18
Publication date: 1994-11-25

Abstract

(57)【要約】【目的】製品の高さを低くすると共に、専用の治具を
不要として、製造を容易にすること。【構成】ベース基板２２に四角状の穴３５を上下面に
貫通して穿設する。この穴３５の大きさは７個の誘電体
同軸共振器１〜７を合わせた大きさである。誘電体同軸
共振器１〜７の下部がベース基板２２の下面より突出し
ないように、平板状の部分にベース基板２２を載置す
る。その上から誘電体同軸共振器１〜７を穴３５を介し
てベース基板２２に配設する。従って、誘電体同軸共振
器１〜７は穴３５内に入れるだけでベース基板２２に位
置決めされる。また、誘電体同軸共振器１〜７はベース
基板２２の厚み分だけ、低く実装できる。従って、結果
的に、誘電体フィルタの高さを低くすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図２３は従来のこの種の誘電体フィルタ
の全体の分解斜視図を示しており、バンドエリミネーシ
ョンフィルタとバンドパスフィルタとで構成された所謂
アンテナ共用器と言われているものである。図２３にお
いて、誘電体からなるベース基板２２にはアンテナ側、
送信部側、受信部側と接続される入出力端子２３〜２５
が電極膜状にそれぞれ形成されている。これら入出力端
子２３〜２５の部分を除いた他の上面及び下面には電極
膜状のアース電極２６が形成されている。

【０００３】ベース基板２２のアース電極２６の上面に
は、この例では７個の誘電体同軸共振器１〜７が半田付
け等により実装されるようになっている。また、誘電体
同軸共振器１〜７の穴内には接続端子９が圧入される。
なお、詳細な説明は実施例の部分で説明するが、誘電体
同軸共振器１〜７の他に結合基板１３，１８、スペーサ
２１等や、コンデンサ基板、インダクタ等も実装される
ようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】かかる図２３に示すよ
うな従来例においては、単に１枚のベース基板２２の上
面に誘電体同軸共振器１〜７を直接載せて半田付け等で
固定する構造であった。そのため、誘電体フィルタとし
ての製品の高さが高くなるという問題があった。また、
誘電体同軸共振器１〜７をベース基板２２の上に載置す
る場合に、誘電体同軸共振器１〜７の位置決めのため
に、専用の治具を用いていた。そのため、専用の治具を
準備する必要があり、しかも、専用の治具で位置決めを
行う分、作業時間がかかるという問題があった。

【０００５】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、製品の高さを低くすると共に、専用の治具を不
要として、製造を容易にすることを目的とした誘電体フ
ィルタを提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の誘電体フ
ィルタは、ベース基板２２の上面に誘電体同軸共振器１
〜７を配設した誘電体フィルタにおいて、上記ベース基
板２２の上面側に上記誘電体同軸共振器１〜７が嵌まる
穴３５を穿設したものである。

【０００７】また、請求項２記載の誘電体フィルタは、
誘電体同軸共振器１〜７やＣ成分，Ｌ成分を結合するた
めの結合回路素子１３，１８をベース基板２２の上面に
配設した誘電体フィルタにおいて、上記ベース基板２２
の上面に上記誘電体同軸共振器１〜７及び結合回路素子
１３，１８が嵌まる凹部４０〜４２を形成したことを特
徴としている。

【０００８】更に、請求項３においては、上記結合回路
素子１３を配設する凹部４２の底面に空間部を形成した
ことを特徴としている。

【０００９】

【作用】本発明によれば、ベース基板２２の穴３５に誘
電体同軸共振器１〜７を入れることで、穴３５の深さの
分だけベース基板２２の上面からの誘電体同軸共振器１
〜７の高さが低くなり、結果として誘電体フィルタの高
さを低くすることができる。また、誘電体フィルタをベ
ース基板２２の穴３５に入れるだけで、ベース基板２２
への誘電体同軸共振器１〜７の位置決めが容易となる。
従って、従来のように誘電体同軸共振器１〜７の位置決
めのための専用の治具が不要となり、しかも、誘電体同
軸共振器１〜７をベース基板２２の穴３５内に入れるだ
けなので、作業時間が短くなり、且つ製造が容易とな
る。尚、穴３５の大きさとしては、誘電体同軸共振器の
単体もしくは集合体としての全体寸法と略同じ場合が考
えられるが、これに限定されることはない。

【００１０】また、請求項２記載の誘電体フィルタによ
れば、ベース基板２２に形成した凹部４０〜４２に誘電
体同軸共振器１〜７、結合回路素子１３，１８を嵌める
だけで、誘電体同軸共振器１〜７及び結合回路素子１
３，１８の位置決めが容易となる。従って、従来のよう
に誘電体同軸共振器１〜７や結合回路素子１３，１８の
位置決めのための専用の治具が不要となり、しかも、誘
電体同軸共振器１〜７、結合回路素子１３，１８をベー
ス基板２２の凹部４０〜４２内に入れるだけなので、作
業時間が短くなり、且つ製造が容易となる。また、凹部
４０の深さの分だけベース基板２２の上面からの誘電体
同軸共振器１〜７の高さが低くなり、結果として誘電体
フィルタの高さを低くすることができる。

【００１１】また、凹部４２の底面に形成した空間部に
より、特性安定用に空間を形成するために用いていた金
属製のスペーサ２１を削減することができ、部品点数の
削減により自動機による組み立ても容易となる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。まず、本発明が適用される誘電体フィルタの全体
の構成について説明する。図１は誘電体フィルタの分解
斜視図を示し、図２は各種部品を実装した状態の斜視図
を示している。図１及び図２に示す誘電体フィルタは、
例えば、自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用
されるものであり、マイクロ波帯に用いられ所謂アンテ
ナ共用器と言われるものである。

【００１３】そして、この誘電体フィルタは送信側がバ
ンドエリミネーションフィルタで構成され、受信側がバ
ンドパスフィルタで構成されている。まず、表面実装タ
イプのこの誘電体フィルタの全体の構成を図１及び図２
により説明する。バンドエリミネーションフィルタは３
段の共振器構成となっており、３個の１／４波長形誘電
体同軸共振器１〜３を有し、バンドパスフィルタは４段
の共振器構成で、４個の１／４波長形誘電体同軸共振器
４〜７を有している。

【００１４】誘電体同軸共振器１〜７は、直方体状に形
成されている誘電体の穴８の内周面に形成した電極膜状
の内導体と、該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外
導体と、前記内導体と外導体とを短絡するために穴８が
開口している端面の一方に形成した短絡導体（図示せ
ず）とで構成され、所定の周波数で共振するようになっ
ている。この誘電体同軸共振器１〜７の穴８には一端側
を略円筒状に形成した金属製の接続端子９がそれぞれ誘
電体同軸共振器１〜７の開放端側より圧入されて、穴８
内の内導体と接触して導通を得ている。上記接続端子９
の他端側は舌片状に形成されていて、後述するコンデン
サ基板１０〜１２や結合基板１３の上面に形成されてい
る電極膜１４〜１７に半田付け等でそれぞれ接続される
ようになっている。

【００１５】上記コンデンサ基板１０〜１２は誘電体か
らなり、その上下面には電極膜がそれぞれ形成されてい
て、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる
結合基板１３の上面には複数の電極膜１４〜１７が並設
されており、電極膜１４〜１６は結合容量を多くとるた
めに、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結合
基板１３の下面の両側にも電極膜が形成されている。ま
た、コンデンサ基板１０〜１２間にはコイル状のインダ
クタＬ₁〜Ｌ₃が接続される。上記インダクタＬ₁〜Ｌ
₃を実装する誘電体からなる結合基板１８の上面には電
極膜１９，２０が形成されており、この結合基板１８の
下面は全面にわたってアース電極となる電極膜が形成さ
れている。

【００１６】上記各部材を上面に実装するベース基板２
２には、アンテナ側と接続される電極膜状の入出力端子
２３と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子２
４と、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子２５
とがそれぞれ形成されている。ここで、ベース基板２２
には図１及び図３に示すように、四角状の穴３５が上下
面に貫通して穿設されており、この穴３５の大きさは７
個の誘電体同軸共振器１〜７を合わせた大きさに形成し
てある。尚、誘電体同軸共振器の数に合わせて穴３５の
大きさが決定される。つまり、誘電体同軸共振器の数
が、例えば２個であれば、２個分の大きさの穴３５を穿
設する。

【００１７】また、ベース基板２２の入出力端子２３〜
２５や穴３５の部分を除いた上面及び下面は電極膜状の
アース電極２６が略全面にわたって形成してある。尚、
このベース基板２２は、誘電体または絶縁体等で形成さ
れている。ベース基板２２の上面に実装される上記結合
基板１３は２個のスペーサ２１を介して実装されるもの
であり、他の１個のスペーサ２１はベース基板２２の入
出力端子２４の上面に実装される。これら３個のスペー
サ２１は、金属等の導通のある部材を用いている。

【００１８】また、ベース基板２２の上下面の入出力端
子２３〜２５の部分以外の箇所は全面にわたってアース
電極２６が形成されており、上下面のアース電極２６は
横方向に一直線状に形成した複数のスルーホール３３に
より導通を得ている。また、ベース基板２２の周囲に複
数形成した半円状の切欠部３４の端面に形成した電極膜
を介しても上下面のアース電極２６が導通している。更
に、入出力端子２３〜２５も端面に形成した電極膜を介
してベース基板２２の上下面が導通している。

【００１９】ベース基板２２を覆設するカバー２７は金
属製で構成され、カバー２７の天板には誘電体同軸共振
器１〜７の上面側外導体とカバー２７とを半田付け等を
するための細長の穴２８と、誘電体同軸共振器１〜７の
特性を調整するための治具挿入用の穴２９が穿孔してあ
る。また、カバー２７の下縁前部・背部（図示せず）よ
りベース基板２２の上面アース電極２６と接続されるア
ース端子３０が複数形成されている。カバー２７の側板
には、上記ベース基板２２の入出力端子２３〜２５を露
出させるための切欠部３１がそれぞれ形成してある。ま
た、図２に示すように、カバー２７の上面にはラベル３
２が貼付され穴２８や２９が覆われるようになってい
る。

【００２０】尚、上記の場合においては、カバー２７を
用いた場合について説明したが、カバー２７を用いずに
誘電体フィルタを構成する場合もある。また、上記ラベ
ル３２は、耐熱性の高いカプトン（商品名）という樹脂
で形成されている。ラベル３２は、樹脂で形成した場合
はシールドの役目を有していないが、シールドの機能を
持たす場合には、金属製のものを使用するようになって
いる。

【００２１】次に、各部材の配置構成について説明す
る。図１及び図２に示すように、７個の誘電体同軸共振
器１〜７の下部はベース基板２２の穴３５内に入れるだ
けで、誘電体同軸共振器１〜７がベース基板２２に位置
決めされる。尚、誘電体同軸共振器１〜７の下部がベー
ス基板２２の下面より突出しないように、平板状の部分
にベース基板２２が載置されて、その上から誘電体同軸
共振器１〜７が穴３５を介してベース基板２２に配設さ
れるようになっている。従って、誘電体同軸共振器１〜
７は穴３５内に入れるだけでベース基板２２に位置決め
されることになる。

【００２２】バンドエリミネーションフィルタ側では、
１個のスペーサ２１がベース基板２２の入出力端子２４
の上に実装され、また、結合基板１８がベース基板２２
の入出力端子２４と２３との間のアース電極２６の上に
実装されハンダづけされる。更に、入出力端子２３と２
５の上面にスペーサ２１がそれぞれ実装され、この２個
のスペーサ２１の上面に、下面の電極膜が接触する形で
結合基板１３が架橋されハンダづけされる。

【００２３】図２に示すように、インダクタＬ₁の一端
がスペーサ２１の上面に実装され、その上にコンデンサ
基板１０が実装され、このコンデンサ基板１０の上面の
電極膜に誘電体同軸共振器１からの接続端子９が接続さ
れる。また、インダクタＬ₁の他端は結合基板１８の電
極膜１９の上に実装され、インダクタＬ₂が結合基板１
８の電極膜１９と２０との間に実装される。そして、イ
ンダクタＬ₁とＬ₂の接続部の上にコンデンサ基板１１
が実装され、コンデンサ基板１１の上面の電極膜に誘電
体同軸共振器２からの接続端子９が接続される。インダ
クタＬ₃の一端が結合基板１８の電極膜２０の上に実装
され、他端は入出力端子２３の上に実装される。また、
インダクタＬ₂とＬ₃の接続部の上にコンデンサ基板１
２が実装され、コンデンサ基板１２の上面の電極膜に誘
電体同軸共振器３からの接続端子９が接続される。

【００２４】２個のスペーサ２１の上に実装された結合
基板１３の上面の各電極膜１４〜１７に、誘電体同軸共
振器４〜７からの接続端子９がそれぞれ接続されるよう
になっている。

【００２５】図５は上記のようにして構成されている誘
電体フィルタの等価回路図を示し、バンドエリミネーシ
ョンフィルタ側のキャパシタＣ₁〜Ｃ₃は、コンデンサ
基板１０〜１２の上下の電極膜で形成され、キャパシタ
Ｃ₄は入出力端子２４と下面のアース電極との間で形成
されるものである。キャパシタＣ₅，Ｃ₆は、結合基板
１８の上面の電極膜１９，２０と下面の電極膜とで形成
されている。また、キャパシタＣ₇は、入出力端子２３
と下面のアース電極との間で形成されるものである。

【００２６】また、バンドパスフィルタ側のキャパシタ
Ｃ₈は、図８に示すように、結合基板１３の電極膜１４
と下面の一端側の電極膜３８との間で形成され、キャパ
シタＣ₉は結合基板１３の電極膜１４と１５との間で形
成される。キャパシタＣ_{1 0}は結合基板１３の電極膜１
５と１６の間で形成される。また、キャパシタＣ
_{1 1}は、結合基板１３の上面の電極膜１６と下面の他端
側の電極膜３９の間で形成される。この下面の電極膜３
９は図８の右端のスペーサ２１に導通している。尚、電
極膜３８は図８の左側のスペーサ２１と導通している。
更に、キャパシタＣ_{1 2}は結合基板１３の上面の電極膜
１７と下面の電極膜３９とで形成される。尚、誘電体同
軸共振器７とキャパシタＣ_{1 2}とで直列共振回路のトラ
ップ回路を構成している。

【００２７】誘電体フィルタは上記のようにしてベース
基板２２に配設されるものであり、誘電体同軸共振器１
〜７をベース基板２２の穴３５内に入れて実装すること
で、図４に示すように、誘電体同軸共振器１〜７はベー
ス基板２２の厚み分だけ、低く実装されることになる。
従って、結果的に、誘電体フィルタの高さを低くするこ
とができる。

【００２８】（実施例２）実施例２を図６及び図７に示
す。本実施例では、ベース基板２２を２枚の基板３６，
３７で形成したものであり、所謂多層基板でベース基板
２２を構成したものである。そして、本実施例では、上
側の基板３６に穴３５を穿孔したものであり、下側の基
板３７には穴を穿設していない。

【００２９】従って、ベース基板２２の上側の基板３６
の穴３５に誘電体同軸共振器１〜７を入れることで、基
板３６の厚み分だけ誘電体フィルタの高さを低くするこ
とができる。また、本実施例の場合には、ベース基板２
２の下側の基板３７が誘電体同軸共振器１〜７の下方へ
の位置決めとなり、先の実施例の場合と比べて、前後、
左右、上下の誘電体同軸共振器１〜７の位置決めが非常
に容易となる。

【００３０】尚、実施例２の場合には、ベース基板２２
の上側の基板３６だけに穴３５を穿設したが、下側の基
板３７にも穴を穿設して、先の実施例と同様に上下面に
貫通した穴としても良い。また、実施例２の場合には、
ベース基板２２を２枚の基板３６，３７で多層基板で構
成したが、２枚に限らず、２枚以上の基板でベース基板
２２を構成しても良い。この場合には、上の基板だけ穴
を穿設しても良く、また、下側の基板の任意の数に穴を
あけるようにしても良い。

【００３１】また、実施例では、各誘電体同軸共振器１
〜７は、１つの誘電体ブロックに１つの共振器が構成さ
れたものから構成されているが、１つの誘電体ブロック
に複数段の共振器が一体に構成されている場合について
も本発明を適用できるものである。更に、穴３５の大き
さとしては、誘電体同軸共振器の単体もしくは集合体と
しての全体寸法と略同じ場合が考えられるが、これに限
定されることはない。

【００３２】（実施例３）ところで、図２に示すよう
に、結合回路素子としての結合基板１３，１８はベース
基板２２の上面にスペーサ２１を介して半田付け等によ
り実装されるものであり、そのため、結合基板１３，１
８を実装するための専用の治具が必要となる。

【００３３】また、図８に示すように、結合基板１３の
下面に電極膜３８，３９を有する場合、ベース基板２２
からの影響を避けるために、金属製のスペーサ２１を用
いてベース基板２２より浮かせて空間部Ｓを形成してい
る。つまり、結合基板１３とベース基板２２との間に上
記空間部Ｓによる空間を持たせないと特性が安定しない
という問題がある。そのため、スペーサ２１により空間
部Ｓを形成しているが、このスペーサ２１のため、部品
点数が増え、自動機による組み立ての障害となるという
問題が発生していた。

【００３４】そこで、本実施例では、結合基板１３，１
８の組み立てを容易にすると共に、スペーサ２１を無く
して部品点数の削減を図るものである。図１１に示すよ
うに、ベース基板２２の上面に誘電体同軸共振器１〜
７、結合基板１８が嵌まる凹部４０，４１を座ぐりによ
り凹設し、更に、結合基板１３の下面に対応するベース
基板２２の上面にも座ぐりにより凹部４２を形成したも
のである。

【００３５】また、上記凹部４０，４１の底面には全体
にわたってアース電極４３，４４を形成し、凹部４０の
アース電極４３は複数のスルーホール３３を介して下面
のアース電極２６と導通を得ている。更に、ベース基板
２２の凹部４１の底面のアース電極４１もスルーホール
４５を介して下面のアース電極２６と導通を得ている。
また、結合基板１３を配設する凹部４２の底面には電極
は形成していない。

【００３６】図９に図１１におけるベース基板２２のＡ
−Ａ断面図を示す。尚、誘電体同軸共振器１〜７のベー
ス基板２２の凹部４０への実装は先の実施例と同じなの
で、本実施例では、結合基板１８と１３の実装方法につ
いて詳述する。図１０は、結合基板１８と１３をベース
基板２２に実装した状態を示すものであり、結合基板１
８に対してはベース基板２２の凹部４１内に丁度嵌まり
込む大きさに該凹部４１を凹設している。

【００３７】また、結合基板１３は凹部４２内に嵌まり
込むのではなく、ベース基板２２の入出力端子２３，２
５間に架橋される形で実装されるようになっている。す
なわち、結合基板１３の下面の両側の電極膜３８，３９
をベース基板２２の入出力端子２３，２５の電極膜に直
接半田付け等で接続するようにしている。そして、結合
基板１３とベース基板２２との間に空間を持たせるため
に、凹部４２が特性安定用の空間としての働きを有して
いるものである。したがって、結合基板１８を配設する
凹部４１とは異なり、この凹部４２の底面には上述した
ように電極は形成していない。

【００３８】ところで、図１２〜図１４は結合基板１３
の電極膜の配置構成をより詳細に説明した図であり、先
の実施例の補足説明用である。図１２は、結合基板１３
の上面の電極膜１４〜１７に、バンドパスフィルタを構
成する誘電体同軸共振器４〜７からの接続端子９がそれ
ぞれ接続される状態を示している。また、図１３は結合
基板１３の下面を示し、該下面の両側には上述の電極膜
３８，３９がそれぞれ形成されている。

【００３９】図１４は図１０における結合基板１３側の
要部拡大断面図を示し、結合基板１３の下面の両側の電
極膜３８，３９がベース基板２２の入出力端子２３，２
５と直接半田付け等により接続される。また、ベース基
板２２に形成した凹部４２により結合基板１３とベース
基板２２との間に空間を持たせて特性を安定させるよう
にしている。

【００４０】（実施例４）図１５及び図１６に実施例４
を示す。本実施例では、結合基板１３の位置決めを容易
にするために、凹部４２を２段構成としたものである。
すなわち、ベース基板２２を基板２２₁と２２₂との２
層構造とし、上側の基板２２₁に結合基板１３が嵌まる
穴状の凹部４２を穿孔し、下側の基板２２₂には特性安
定用の空間を持たせるための凹部４２’を形成してい
る。基板２２₂の凹部４２’は、基板２２₁の凹部４２
よりは小さく形成されており、下側の基板２２₂の上面
には電極膜４６，４７を形成している。

【００４１】ベース基板２２の下側の基板２２₂に形成
した電極膜４６は入出力端子２３と導通し、また、他方
の電極膜４７は入出力端子２５と導通している。そし
て、結合基板１３を基板２２₁の凹部４２に嵌め込み、
基板２２₂の上に配設すると、結合基板１３の下面の両
側の電極膜３８，３９は上記電極膜４６，４７の上面に
配設され、半田付け等で実装されることになる。

【００４２】尚、本実施例では、他方の結合基板１８
は、基板２２₁に穿設した穴状の凹部４１に嵌め込ま
れ、下側の基板２２₂の上面に形成したアース電極４４
に半田付け等により実装されるようになっている。従っ
て、本実施例では、２つの結合基板１８，１３を、凹部
４１，４２に単に嵌め込むだけでベース基板２２への結
合基板１８，１３の位置決めが容易となり、自動機によ
る組み立てが容易となるものである。

【００４３】（実施例５）図１７は実施例５を示し、バ
ンドエリミネーションフィルタを構成するコンデンサ基
板１０〜１２とインダクタＬ₁〜Ｌ₃を位置決めするた
めに、ベース基板２２の上面に凹部４８〜５３を形成し
たものである。コンデンサ基板１０〜１２を嵌め込む凹
部４８〜５０の底面には電極膜が形成されており、この
電極膜により各コンデンサ基板１０〜１２とインダクタ
Ｌ₁〜Ｌ₃との半田付け接続を容易にし、また、ベース
基板２２の下面のアース電極とでストレー容量をとるよ
うにしている。

【００４４】次に、誘電体同軸共振器１〜７、結合基板
１３や１８を実装する凹部４１〜４２の座ぐり方法につ
いて説明する。図１８は結合基板１３を配設する凹部４
２のように底面に電極膜を形成しない場合であり、両面
に電極膜を形成した基板２２の上面をエンドミルのルー
ター５４により加工を行うものである。このルーター５
４による加工により凹部４２を形成するものであり、ル
ーター５４の直径は最小１ｍｍの加工が可能である。従
って、直径１ｍｍのルーター５４を用いた場合には、角
部には０．５のアール（Ｒ）がつく。また、凹部４２の
深さ、残差公差は±４０μｍが可能である。

【００４５】ルーター５４による加工形状は、Ｎ／Ｃ制
御できる形ならどんな形でも加工することができる。例
えば、図１９の（ａ）〜（ｃ）に示すような必要とする
あらゆる形状の凹部４２を加工することができる。尚、
図１９の矢印は、ルーター５４加工によるアールがつく
ところを示している。

【００４６】次に、図２０及び図２１に示すように、図
１５及び図１６に示すような中間に電極膜を設けた多層
基板の場合の凹部の加工方法について説明する。結合基
板１８を配設する凹部４１を形成する場合には、まず、
図２０に示すように、内部には予め７０μｍ程度の厚い
電極膜４４を形成すると共に、スルーホール４５を形成
すべくスルーホール処理を行っておく。そして、図２１
に示すように、ルーター５４により加工を行って凹部４
２を形成する。この時、ルーター５４により電極膜４４
の表面は少し削られることになる。そのため、電極膜４
４が予め厚めに形成しておくものである。

【００４７】次に、図２２に多層基板を使用せずに、１
枚の基板により中間電極（電極膜４４）を形成する方法
について説明する。まず、図２２（ａ）に示すように、
ルーター５４で穴あけ加工して凹部４２を形成する。そ
して、（ｂ）に示すように凹部４２の内面をメッキして
電極膜４４を形成し、凹部４２の内側面の電極膜４４を
ルーター５４で削ることで、（ｃ）に示すように、凹部
４２の底面にのみ電極膜４４を設けた凹部４２を形成す
ることができる。

【００４８】尚、上記各実施例では、フィルタの構成と
して、バンドパスフィルタとバンドエリミネーションフ
ィルタの組み合わせたアンテナ共用器の例を示したが、
これらの単独構成や、他のハイパスフィルタ、ローパス
フィルタのそれぞれの単独構成、又は各フィルタの組み
合わせにも本発明を適用できるものである。また、共振
器の段数には制限されないものである。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、ベース基板の上面に誘
電体同軸共振器を配設した誘電体フィルタにおいて、上
記ベース基板の上面側に上記誘電体同軸共振器が嵌まる
穴を穿設したものであるから、ベース基板の穴に誘電体
同軸共振器を入れることで、穴の深さの分だけベース基
板の上面からの誘電体同軸共振器の高さが低くなり、結
果として誘電体フィルタの高さを低くすることができ
る。また、誘電体フィルタをベース基板の穴に入れるだ
けで、ベース基板への誘電体同軸共振器の位置決めが容
易となる。従って、従来のように誘電体同軸共振器の位
置決めのための専用の治具が不要となり、しかも、誘電
体同軸共振器をベース基板の穴内に入れるだけなので、
作業時間が短くなり、且つ製造が容易となるという効果
を奏するものである。尚、穴の大きさとしては、誘電体
同軸共振器の単体もしくは集合体としての全体寸法と略
同じ場合が考えられるが、これに限定されることはな
い。

【００５０】また、請求項２によれば、誘電体同軸共振
器やＣ成分，Ｌ成分を結合するための結合回路素子をベ
ース基板の上面に配設した誘電体フィルタにおいて、上
記ベース基板の上面に上記誘電体同軸共振器及び結合回
路素子が嵌まる凹部を形成したことを特徴としているも
のであるから、ベース基板に形成した凹部に誘電体同軸
共振器、結合回路素子を嵌めるだけで、誘電体同軸共振
器及び結合回路素子の位置決めが容易となる。従って、
従来のように誘電体同軸共振器や結合回路素子の位置決
めのための専用の治具が不要となり、しかも、誘電体同
軸共振器、結合回路素子をベース基板の凹部内に入れる
だけなので、作業時間が短くなり、且つ製造が容易とな
る。また、凹部の深さの分だけベース基板の上面からの
誘電体同軸共振器の高さが低くなり、結果として誘電体
フィルタの高さを低くすることができる。

【００５１】更に、請求項３においては、上記結合回路
素子を配設する凹部の底面に空間部を形成したことを特
徴としていることで、凹部の底面に形成した空間部によ
り、特性安定用に空間を形成するために用いていた金属
製のスペーサを削減することができ、部品点数の削減に
より自動機による組み立ても容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の誘電体フィルタの全体の分解
斜視図である。

【図２】本発明の実施例の実装状態を示す誘電体フィル
タの斜視図である。

【図３】本発明の実施例のベース基板の拡大斜視図であ
る。

【図４】本発明の実施例の誘電体同軸共振器をベース基
板に実装した状態の断面図である。

【図５】本発明の実施例の誘電体フィルタの等価回路図
である。

【図６】本発明の実施例２のベース基板の拡大斜視図で
ある。

【図７】本発明の実施例２の誘電体同軸共振器をベース
基板に実装した状態の断面図である。

【図８】本発明の実施例２の結合基板を実装する場合の
説明図である。

【図９】本発明の実施例３のベース基板の断面図であ
る。

【図１０】本発明の実施例３のベース基板に結合基板を
実装した状態を示す断面図である。

【図１１】本発明の実施例３の誘電体フィルタの全体の
分解斜視図である。

【図１２】本発明の実施例３の誘電体同軸共振器と結合
基板との接続状態を示す説明図である。

【図１３】本発明の実施例３の結合基板の背面図であ
る。

【図１４】本発明の実施例３の結合基板とベース基板と
の実装状態を示す断面図である。

【図１５】本発明の実施例４の結合基板をベース基板の
凹部に実装した状態を示す断面図である。

【図１６】本発明の実施例４のベース基板の要部斜視図
である。

【図１７】本発明の実施例５の要部分解斜視図である。

【図１８】本発明の実施例の中間電極がない場合の凹部
を形成する場合の説明図である。

【図１９】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例の凹部の加
工形状を示す図である。

【図２０】本発明の実施例の中間電極がある場合の凹部
を形成する場合の説明図である。

【図２１】本発明の実施例の中間電極がある場合の凹部
を形成する場合の説明図である。

【図２２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例の１枚の基
板により中間電極を形成する場合の工程図である。

【図２３】従来例の誘電体フィルタの全体の分解斜視図
である。

【符号の説明】

１〜７誘電体同軸共振器１３結合基板１８結合基板２２ベース基板３５穴４０凹部４１凹部４２凹部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベース基板（２２）の上面に誘電体同軸
共振器（１）〜（７）を配設した誘電体フィルタにおい
て、上記ベース基板（２２）の上面側に上記誘電体同軸
共振器（１）〜（７）が嵌まる穴（３５）を穿設したこ
とを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】誘電体同軸共振器（１）〜（７）やＣ成
分，Ｌ成分を結合するための結合回路素子（１３）（１
８）をベース基板（２２）の上面に配設した誘電体フィ
ルタにおいて、上記ベース基板（２２）の上面に上記誘
電体同軸共振器（１）〜（７）及び結合回路素子（１
３）（１８）が嵌まる凹部（４０）〜（４２）を形成し
たことを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項３】上記結合回路素子（１３）を配設する凹
部（４２）の底面に空間部を形成したことを特徴とする
請求項２記載の誘電体フィルタ。