JPH06334403A

JPH06334403A - 誘電体フィルタ

Info

Publication number: JPH06334403A
Application number: JP14000993A
Authority: JP
Inventors: Takashi Maruyama; 貴司丸山
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1993-05-18
Filing date: 1993-05-18
Publication date: 1994-12-02

Abstract

(57)【要約】【目的】低コスト化を図り、しかも不要な容量の発生
を低減し、特性バラツキを抑えること。【構成】入出力端子４３，４４を銅箔５１と、この銅
箔５１の表面に施したＣｕメッキ層５２とで構成する。
そして、入出力端子４３，４４の上面の内側に所定の厚
みを有するレジスト膜５３を形成する。ここで、結合基
板４５の電極膜４９，５０の厚みを含めたレジスト膜５
３の厚みを３０μｍ、入出力端子４３，４４のＣｕメッ
キ層５２の厚みを１８μｍ、銅箔５１の厚みを１８μｍ
とした場合、結合基板４５の下面とベース基板２２の上
面との距離ｄを７８μｍとなる。従って、ベース基板２
２の上面に結合基板４５を配設しても、結合基板４５と
ベース基板２２との距離ｄが７８μｍあるので、ベース
基板２２のアース電極２６の影響を受けることがなく、
不要な容量の発生を低減することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は従来の誘電体フィルタの分解斜視
図を示し、図７は各種部品を実装した状態の斜視図を示
している。まず、従来の誘電体フィルタの全体の構成に
ついて説明する。図６及び図７に示す誘電体フィルタ
は、例えば、自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に
使用されるものであり、マイクロ波帯に用いられ所謂ア
ンテナ共用器と言われるものである。

【０００３】そして、この誘電体フィルタは送信側がバ
ンドエリミネーションフィルタで構成され、受信側がバ
ンドパスフィルタで構成されている。まず、表面実装タ
イプのこの誘電体フィルタの全体の構成を図６及び図７
により説明する。バンドエリミネーションフィルタは３
段の共振器構成となっており、３個の１／４波長形誘電
体同軸共振器１〜３を有し、バンドパスフィルタは４段
の共振器構成で、４個の１／４波長形誘電体同軸共振器
４〜７を有している。

【０００４】誘電体同軸共振器１〜７は、直方体状に形
成されている誘電体の穴８の内周面に形成した電極膜状
の内導体と、該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外
導体と、前記内導体と外導体とを短絡するために穴８が
開口している端面の一方に形成した短絡導体（図示せ
ず）とで構成され、所定の周波数で共振するようになっ
ている。この誘電体同軸共振器１〜７の穴８には一端側
を略円筒状に形成した金属製の接続端子９がそれぞれ誘
電体同軸共振器１〜７の開放端側より圧入されて、穴８
内の内導体と接触して導通を得ている。上記接続端子９
の他端側は舌片状に形成されていて、後述するコンデン
サ基板１０〜１２や結合基板１３の上面に形成されてい
る電極膜１４〜１７に半田付け等でそれぞれ接続される
ようになっている。

【０００５】上記コンデンサ基板１０〜１２は誘電体か
らなり、その上下面には電極膜がそれぞれ形成されてい
て、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる
結合基板１３の上面には複数の電極膜１４〜１７が並設
されており、電極膜１４〜１６は結合容量を多くとるた
めに、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結合
基板１３の下面の両側にも電極膜が形成されている。ま
た、コンデンサ基板１０〜１２間にはコイル状のインダ
クタＬ₁〜Ｌ₃が接続される。上記インダクタＬ₁〜Ｌ
₃を実装する誘電体からなる結合基板１８の上面には電
極膜１９，２０が形成されており、この結合基板１８の
下面は全面にわたってアース電極となる電極膜が形成さ
れている。

【０００６】上記各部材を上面に実装するベース基板２
２には、アンテナ側と接続される電極膜状の入出力端子
２３と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子２
４と、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子２５
とがそれぞれ形成されている。また、ベース基板２２の
上面及び下面は電極膜状のアース電極２６が略全面にわ
たって形成してある。尚、このベース基板２２は、誘電
体または絶縁体等で形成されている。ベース基板２２の
上面に実装される上記結合基板１３は２個のスペーサ２
１を介して実装されるものであり、他の１個のスペーサ
２１はベース基板２２の入出力端子２４の上面に実装さ
れる。これら３個のスペーサ２１は、金属等の導通のあ
る部材を用いている。

【０００７】また、ベース基板２２の上下面の入出力端
子２３〜２５の部分以外の箇所は全面にわたってアース
電極２６が形成されており、上下面のアース電極２６は
横方向に一直線状に形成した複数のスルーホール３３に
より導通を得ている。また、ベース基板２２の周囲に複
数形成した半円状の切欠部３４の端面に形成した電極膜
を介しても上下面のアース電極２６が導通している。更
に、入出力端子２３〜２５も端面に形成した電極膜を介
してベース基板２２の上下面が導通している。

【０００８】ベース基板２２を覆設するカバー２７は金
属製で構成され、カバー２７の天板には誘電体同軸共振
器１〜７の上面側外導体とカバー２７とを半田付け等を
するための細長の穴２８と、誘電体同軸共振器１〜７の
特性を調整するための治具挿入用の穴２９が穿孔してあ
る。また、カバー２７の下縁前部よりベース基板２２の
上面アース電極２６と接続されるアース端子３０が複数
形成されている。カバー２７の側板には、上記ベース基
板２２の入出力端子２３〜２５を露出させるための切欠
部３１がそれぞれ形成してある。また、図７に示すよう
に、カバー２７の上面にはラベル３２が貼付され穴２８
や２９が覆われるようになっている。

【０００９】尚、上記の場合においては、カバー２７を
用いた場合について説明したが、カバー２７を用いずに
誘電体フィルタを構成する場合もある。また、上記ラベ
ル３２は、カプトン（商品名）という樹脂で形成されて
いる。ラベル３２は、樹脂で形成した場合はシールドの
役目を有していないが、シールドの機能を持たす場合に
は、金属製のものを使用するようになっている。

【００１０】次に、各部材の配置構成について説明す
る。図６及び図７に示すように、バンドエリミネーショ
ンフィルタ側では、１個のスペーサ２１がベース基板２
２の入出力端子２４の上に実装され、また、結合基板１
８がベース基板２２の入出力端子２４と２３との間のア
ース電極２６の上に実装されハンダづけされる。更に、
入出力端子２３と２５の上面にスペーサ２１がそれぞれ
実装され、この２個のスペーサ２１の上面に、下面の電
極膜が接触する形で結合基板１３が架橋されハンダづけ
される。

【００１１】図７に示すように、インダクタＬ₁の一端
がスペーサ２１の上面に実装され、その上にコンデンサ
基板１０が実装され、このコンデンサ基板１０の上面の
電極膜に誘電体同軸共振器１からの接続端子９が接続さ
れる。また、インダクタＬ₁の他端は結合基板１８の電
極膜１９の上に実装され、インダクタＬ₂が結合基板１
８の電極膜１９と２０との間に実装される。そして、イ
ンダクタＬ₁とＬ₂の接続部の上にコンデンサ基板１１
が実装され、コンデンサ基板１１の上面の電極膜に誘電
体同軸共振器２からの接続端子９が接続される。インダ
クタＬ₃の一端が結合基板１８の電極膜２０の上に実装
され、他端は入出力端子２３の上に実装される。また、
インダクタＬ₂とＬ₃の接続部の上にコンデンサ基板１
２が実装され、コンデンサ基板１２の上面の電極膜に誘
電体同軸共振器３からの接続端子９が接続される。

【００１２】２個のスペーサ２１の上に実装された結合
基板１３の上面の各電極膜１４〜１７に、誘電体同軸共
振器４〜７からの接続端子９がそれぞれ接続されるよう
になっている。

【００１３】図８は上記のようにして構成されている誘
電体フィルタの等価回路図を示し、バンドエリミネーシ
ョンフィルタ側のキャパシタＣ₁〜Ｃ₃は、コンデンサ
基板１０〜１２の上下の電極膜で形成され、キャパシタ
Ｃ₄は入出力端子２４と下面のアース電極との間で形成
されるものである。キャパシタＣ₅，Ｃ₆は、結合基板
１８の上面の電極膜１９，２０と下面の電極膜とで形成
されている。また、キャパシタＣ₇は、入出力端子２３
と下面のアース電極との間で形成されるものである。

【００１４】また、バンドパスフィルタ側のキャパシタ
Ｃ₈は、結合基板１３の電極膜１４と下面の電極膜との
間で形成され、キャパシタＣ₉〜Ｃ_{1 0}は、結合基板１
３の各電極膜１４〜１６間で形成される。また、キャパ
シタＣ_{1 1}は、結合基板１３の上面の電極膜１６と下面
の電極膜（図示せず）で形成される。この下面の電極膜
は図７における右端スペーサ２１に導通している。更
に、キャパシタＣ_{1 2}は結合基板１３の上面の電極膜１
７と下面の電極膜とで形成される。尚、誘電体同軸共振
器７とキャパシタＣ_{1 2}とで直列共振回路のトラップ回
路を構成している。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図９は結合
基板１３をベース基板２２の入出力端子２３，２５間に
架橋して、上記金属製のスペーサ２１を介さずに半田付
けをした場合を示している。すなわち、結合基板１３の
下面の両側に形成した電極膜４１，４２をベース基板２
２の電極膜状に形成した入出力端子２３，２５間の上面
に配設し、ハンダ４０により両電極膜４２，２３、４
１，２５を半田付け接続したものである。

【００１６】図９に示すＣｃは結合基板１３の電極膜１
４・・間で形成される結合容量を示している。また、ス
ペーサ２１を介さずに結合基板１３をベース基板２２に
直接に半田付け固定した場合には、結合基板１３の上面
に形成した電極膜１５，１６とベース基板２２のアース
電極２６との距離が短くなり、図に示すように不要な浮
遊容量Ｃｓが発生し、この浮遊容量Ｃｓにより見掛け上
上記結合容量Ｃｃをばらつかせることになる。

【００１７】そこで、従来より図６及び図７に示すよう
に結合基板１３とベース基板２２との間にスペーサ２１
を介装し、このスペーサ２１よりエアーギャップを設け
て結合基板１３の結合容量Ｃｃがベース基板２２のアー
ス電極２６の影響を受けてばらつくのを防止している。
図１０はこの状態を示し、スペーサ２１及びハンダ４０
の厚みＳを例えば、０．３ｍｍ程度とすることで、不要
な容量の発生を少なくすることができる。

【００１８】しかしながら、かかる従来例においては、
スペーサ２１を使用しているため、スペーサ２１の材料
費、取扱いで余分なコストがかかるという問題があっ
た。また、リフロー半田中にスペーサ２１が移動して、
半田付け不良の増加が起こり易いという問題があった。

【００１９】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、低コスト化を図り、しかも不要な容量の発生を
低減し、特性バラツキを抑えることを目的とした誘電体
フィルタを提供するものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体からな
るベース基板の表面に電極膜状の入出力端子及びアース
電極を形成し、結合容量等を形成すべく表面に電極膜を
形成した誘電体からなる結合基板を上記入出力端子間に
架橋し、上記ベース基板のアース電極上に実装される誘
電体同軸共振器から導出した接続端子の先端部を上記結
合基板上の電極膜に接続し、結合基板の下面の電極膜と
ベース基板の入出力端子の電極膜とを半田付け結合する
ようにした誘電体フィルタにおいて、上記結合基板の下
面とベース基板の上面との間の寸法を所定寸法以上に持
たせるための厚みを有するレジスト膜をベース基板か結
合基板の少なくとも一方に設けたものである。

【００２１】また、請求項２においては、上記ベース基
板の電極膜の厚みを厚くしている。

【００２２】更に、請求項３においては、ベース基板の
結合基板側の電極膜のみを厚く形成している。

【００２３】また、請求項４においては、上記レジスト
膜表面に所定の厚みを有するシルク印刷を施している。

【００２４】

【作用】本発明によれば、所定の厚みを有するレジスト
膜を設けることで、レジスト膜の厚みにより結合基板と
ベース基板との距離を一定以上に離すことができて、ベ
ース基板のアース電極の影響を無くして不要な容量の発
生を少なくすることができる。このように、従来用いて
いた金属製のスペーサを無くすことができるため、材料
コスト、組立コストの削減を図れ、しかも、リフロー半
田中のスペーサの移動による半田付け不良の発生の低減
を図ることができる。更には、金属製のスペーサを削除
しても、不要な容量の発生が低減され、フィルタの特性
のバラツキを抑えることができる。

【００２５】また、請求項２によれば、上記ベース基板
の電極膜の厚みを厚くしていることで、電極膜の厚みに
より結合基板とベース基板との距離を一定以上に離すこ
とができて、請求項１の場合と同様に、ベース基板のア
ース電極の影響を無くして不要な容量の発生を少なくす
ることができる。このように、従来用いていた金属製の
スペーサを無くすことができるため、材料コスト、組立
コストの削減を図れ、しかも、リフロー半田中のスペー
サの移動による半田付け不良の発生の低減を図ることが
できる。更には、金属製のスペーサを削除しても、不要
な容量の発生が低減され、フィルタの特性のバラツキを
抑えることができる。

【００２６】更に、請求項３によれば、ベース基板の結
合基板側の電極膜のみを厚く形成していることで、電極
膜の厚みにより結合基板とベース基板との距離を一定以
上に離すことができて、請求項１，２の場合と同様に、
ベース基板のアース電極の影響を無くして不要な容量の
発生を少なくすることができる。このように、従来用い
ていた金属製のスペーサを無くすことができるため、材
料コスト、組立コストの削減を図れ、しかも、リフロー
半田中のスペーサの移動による半田付け不良の発生の低
減を図ることができる。更には、金属製のスペーサを削
除しても、不要な容量の発生が低減され、フィルタの特
性のバラツキを抑えることができる。

【００２７】また、請求項４においては、上記レジスト
膜表面に所定の厚みを有するシルク印刷を施しているこ
とで、レジスト膜及びシルク印刷の厚みにより結合基板
とベース基板との距離を一定以上に離すことができて、
請求項１〜３の場合と同様に、ベース基板のアース電極
の影響を無くして不要な容量の発生を少なくすることが
できる。このように、従来用いていた金属製のスペーサ
を無くすことができるため、材料コスト、組立コストの
削減を図れ、しかも、リフロー半田中のスペーサの移動
による半田付け不良の発生の低減を図ることができる。
更には、金属製のスペーサを削除しても、不要な容量の
発生が低減され、フィルタの特性のバラツキを抑えるこ
とができる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。尚、従来例では、バンドエリミネーションフィル
タとバンドパスフィルタからなるアンテナ共用器の場合
について説明したが、本実施例では、３個の誘電体同軸
共振器を用いた３段構成のバンドパスフィルタを例にと
って説明する。また、従来と同じ機能を有する部材は従
来例と同じ番号を付している。

【００２９】図４は誘電体同軸共振器１〜３を３個用い
て３段のバンドパスフィルタを構成した誘電体フィルタ
を示し、この誘電体同軸共振器１〜３は誘電体からなる
ベース基板２２のアース電極２６の上面に半田付けによ
り実装されるようになっている。図３はベース基板２２
を示し、図３及び図４に示すように、ベース基板２２の
上面及び下面には電極膜状のアース電極２６が形成して
ある。

【００３０】ベース基板２２の一端側の両側には入出力
端子４３，４４が電極膜状に形成してある。この入出力
端子４３，４４間の従来の結合基板１３と同様な誘電体
からなる結合基板４５が架橋されて半田付け接続される
ようになっている。結合基板４５の上面には図１及び図
４（ａ）に示すように３つの電極膜４６〜４８が形成さ
れており、また、結合基板４５の下面の両側にも電極膜
４９，５０が形成されている。

【００３１】図２は上記バンドパスフィルタの等価回路
図を示し、Ｃ₁〜Ｃ₄は、結合基板４５の各電極膜４
６，４９、４６，４７、４７，４８、４８，５０の間で
形成されるキャパシタである（図１参照）。また、１〜
３は誘電体同軸共振器を示している。

【００３２】ここで、入出力端子４３，４４は図１に示
すように、銅箔５１と、この銅箔５１の表面に施したＣ
ｕメッキ層５２とで構成されている。そして、このＣｕ
メッキ層５２は上下面の銅箔５１の表面とベース基板２
２の端面に施されており、Ｃｕメッキ層５２を介して上
下に導通した入出力端子４３，４４を形成している。ま
た、アース電極２６も同様に銅箔５１とＣｕメッキ層５
２の二重構成となっている。

【００３３】そして、本実施例では入出力端子４３，４
４の上面の内側に所定の厚みを有するレジスト膜５３を
形成している。図３（ａ）に示す左下がりの破線で示す
部分が上記塗布したレジスト膜５３であり、ベース基板
２２の上面のアース電極２６の周囲にもレジスト膜５３
を形成している。従って、図３（ａ）に示すように、ベ
ース基板２２の中央部分にはレジスト膜５３が塗布され
ず、この部分（右下がりの斜線部分）に誘電体同軸共振
器１〜３の半田付け箇所が限定されることになり、位置
決めが容易で、且つ誘電体同軸共振器１〜３の電極であ
る外導体がレジスト膜５３によりハンダに喰われるのを
防ぐことができる。

【００３４】ここで、図１に示すように、結合基板４５
の電極膜４９，５０の厚みを１２μｍ、レジスト膜５３
の厚みを３０μｍ、入出力端子４３，４４のＣｕメッキ
層５２の厚みを１８μｍ、銅箔５１の厚みを１８μｍと
した場合、結合基板４５の下面とベース基板２２の上面
との距離ｄを７８μｍとすることができる。従って、ベ
ース基板２２の上面に結合基板４５を配設しても、結合
基板４５とベース基板２２との距離ｄが７８μｍあるの
で、従来のようにベース基板２２のアース電極２６の影
響を受けることがなく、不要な容量の発生を低減するこ
とができる。

【００３５】尚、図４では誘電体フィルタにカバーを覆
設していない場合について説明したが、誘電体同軸共振
器１〜３や結合基板４５等をカバーにて覆設し、該カバ
ーをベース基板２２に半田付けするようにした誘電体フ
ィルタについても本発明を適用できるものである。

【００３６】（実施例２）実施例２として、入出力端子
４３，４４のＣｕメッキ層５２の厚みを１８μｍから３
０μｍ程度に増加させ、且つ銅箔５１の厚みを１８μｍ
から、３５μｍ又は７０μｍに増加させるようにしても
良い。この場合には、結合基板４５とベース基板２２と
の間の距離を先の実施例の場合よりも、より大きくする
ことができるので、不要な容量の発生をより少なくする
ことができる。

【００３７】（実施例３）実施例１の場合では、結合基
板４５の上下面の銅箔５１の厚さを同じ（１８μｍ）と
したが、本実施例では、結合基板４５側の銅箔５１の厚
さのみを厚くして、誘電体フィルタ全体の厚みの増加を
小さくしている。例えば、入出力端子４３，４４の結合
基板４５側の銅箔５１の厚みを３５μｍとし、Ｃｕメッ
キ層５２の厚みを１８μｍとする。また、入出力端子４
３，４４の結合基板４５側の銅箔５１の厚みを７０μｍ
とし、Ｃｕメッキ層５２の厚みを１８μｍとする。

【００３８】（実施例４）実施例４を図５に示す。本実
施例では、レジスト膜５３の上面に所定の厚みを有する
シルク印刷５４を施したものである。このシルク印刷５
４により内部の部品の位置表示を行えるものである。こ
こで、図５に示すように、結合基板４５の電極５０の厚
みを１２μｍ、シルク印刷５４の厚みを３０μｍ、レジ
スト膜５３の厚みを３０μｍ、Ｃｕメッキ層５２の厚み
を３０μｍ、銅箔５１の厚みを７０μｍとすると、結合
基板４５とベース基板２２との間の距離ｄは、１７２μ
ｍとなり、先の実施例と比べて、不要な容量の発生をよ
り少なくすることができる。

【００３９】尚、先の実施例では、フィルタの構成とし
て、従来例の場合にはバンドパスフィルタとバンドエリ
ミネーションフィルタの組み合わせたアンテナ共用器の
例、本発明の場合にはバンドパスフィルタの例を示した
が、バンドエリミネーションフィルタの単独構成や、他
のハイパスフィルタ、ローパスフィルタのそれぞれの単
独構成、又は各フィルタの組み合わせにも本発明を適用
できるものである。また、共振器の段数には制限されな
いものである。

【００４０】なお、本発明の目的を達成する範囲内にお
いて、レジスト膜の形状、大きさは任意であり、また、
結合基板側に形成しても良いし、ベース基板と結合基板
の両方に形成しても良い。

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、誘電体からなるベース
基板の表面に電極膜状の入出力端子及びアース電極を形
成し、結合容量等を形成すべく表面に電極膜を形成した
誘電体からなる結合基板を上記入出力端子間に架橋し、
上記ベース基板のアース電極上に実装される誘電体同軸
共振器から導出した接続端子の先端部を上記結合基板上
の電極膜に接続し、結合基板の下面の電極膜とベース基
板の入出力端子の電極膜とを半田付け結合するようにし
た誘電体フィルタにおいて、上記結合基板の下面とベー
ス基板の上面との間の寸法を所定寸法以上に持たせるた
めの厚みを有するレジスト膜をベース基板か結合基板の
少なくとも一方に設けたものであるから、所定の厚みを
有するレジスト膜を形成することで、レジスト膜の厚み
により結合基板とベース基板との距離を一定以上に離す
ことができて、ベース基板のアース電極の影響を無くし
て不要な容量の発生を少なくすることができる。このよ
うに、従来用いていた金属製のスペーサを無くすことが
できるため、材料コスト、組立コストの削減を図れ、し
かも、リフロー半田中のスペーサの移動による半田付け
不良の発生の低減を図ることができる。更には、金属製
のスペーサを削除しても、不要な容量の発生が低減さ
れ、フィルタの特性のバラツキを抑えることができると
いう効果を奏するものである。

【００４２】また、請求項２によれば、上記ベース基板
の電極膜の厚みを厚くしていることで、電極膜の厚みに
より結合基板とベース基板との距離を一定以上に離すこ
とができて、請求項１の場合と同様に、ベース基板のア
ース電極の影響を無くして不要な容量の発生を少なくす
ることができる。このように、従来用いていた金属製の
スペーサを無くすことができるため、材料コスト、組立
コストの削減を図れ、しかも、リフロー半田中のスペー
サの移動による半田付け不良の発生の低減を図ることが
できる。更には、金属製のスペーサを削除しても、不要
な容量の発生が低減され、フィルタの特性のバラツキを
抑えることができる。

【００４３】更に、請求項３によれば、ベース基板の結
合基板側の電極膜のみを厚く形成していることで、電極
膜の厚みにより結合基板とベース基板との距離を一定以
上に離すことができて、請求項１，２の場合と同様に、
ベース基板のアース電極の影響を無くして不要な容量の
発生を少なくすることができる。このように、従来用い
ていた金属製のスペーサを無くすことができるため、材
料コスト、組立コストの削減を図れ、しかも、リフロー
半田中のスペーサの移動による半田付け不良の発生の低
減を図ることができる。更には、金属製のスペーサを削
除しても、不要な容量の発生が低減され、フィルタの特
性のバラツキを抑えることができる。

【００４４】また、請求項４においては、上記レジスト
膜表面に所定の厚みを有するシルク印刷を施しているこ
とで、レジスト膜及びシルク印刷の厚みにより結合基板
とベース基板との距離を一定以上に離すことができて、
請求項１〜３の場合と同様に、ベース基板のアース電極
の影響を無くして不要な容量の発生を少なくすることが
できる。このように、従来用いていた金属製のスペーサ
を無くすことができるため、材料コスト、組立コストの
削減を図れ、しかも、リフロー半田中のスペーサの移動
による半田付け不良の発生の低減を図ることができる。
更には、金属製のスペーサを削除しても、不要な容量の
発生が低減され、フィルタの特性のバラツキを抑えるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の誘電体フィルタの要部断面図
である。

【図２】本発明の実施例のバンドパスフィルタの回路図
である。

【図３】（ａ）は本発明の実施例のベース基板の平面図
である。（ｂ）は本発明の実施例のベース基板の側面図
である。（ｃ）は本発明の実施例のベース基板の底面図
である。（ｄ）は本発明の実施例のベース基板の正面図
である。

【図４】（ａ）は本発明の実施例の誘電体フィルタの平
面図である。（ｂ）は本発明の実施例の誘電体フィルタ
の側面図である。（ｃ）は本発明の実施例の誘電体フィ
ルタの底面図である。（ｄ）は本発明の実施例の誘電体
フィルタの正面図である。

【図５】本発明の実施例２の誘電体フィルタの要部断面
図である。

【図６】従来例の誘電体フィルタの全体の分解斜視図で
ある。

【図７】従来例の誘電体フィルタの実装状態を示す斜視
図である。

【図８】従来例の図６に示す誘電体フィルタの等価回路
図である。

【図９】従来例のスペーサを介しない場合の誘電体フィ
ルタの要部断面図である。

【図１０】従来例の誘電体フィルタ要部断面図である。

【符号の説明】

１〜３誘電体同軸共振器９接続端子２２ベース基板２６アース電極４０ハンダ４３入出力端子４４入出力端子４５結合基板４６〜５０電極膜５１銅箔５２Ｃｕメッキ層５３レジスト膜５４シルク印刷

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体からなるベース基板の表面に電極
膜状の入出力端子及びアース電極を形成し、結合容量等
を形成すべく表面に電極膜を形成した誘電体からなる結
合基板を上記入出力端子間に架橋し、上記ベース基板の
アース電極上に実装される誘電体同軸共振器から導出し
た接続端子の先端部を上記結合基板上の電極膜に接続
し、結合基板の下面の電極膜とベース基板の入出力端子
の電極膜とを半田付け結合するようにした誘電体フィル
タにおいて、上記結合基板の下面とベース基板の上面と
の間の寸法を所定寸法以上に持たせるための厚みを有す
るレジスト膜をベース基板か結合基板の少なくとも一方
に設けたことを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】上記ベース基板の電極膜の厚みを厚くし
たことを特徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。
【請求項３】ベース基板の結合基板側の電極膜のみを
厚く形成したことを特徴とする請求項１記載の誘電体フ
ィルタ。
【請求項４】上記レジスト膜表面に所定の厚みを有す
るシルク印刷を施したことを特徴とする請求項１記載の
誘電体フィルタ。