JPH07176913A

JPH07176913A - 誘電体共振器装置

Info

Publication number: JPH07176913A
Application number: JP34524593A
Authority: JP
Inventors: Yukihiro Kitaichi; 幸裕北市; Hideyuki Kato; 英幸加藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1993-12-20
Filing date: 1993-12-20
Publication date: 1995-07-14

Abstract

(57)【要約】【目的】部品点数を削減して従来要した接続端子やコ
イルなどの組み込み工数を無くし、低コスト化を図るこ
と。【構成】各誘電体同軸共振器１〜７間を結合するキャ
パシタやインダクタンスからなる結合回路をパターン電
極により多層基板４１で形成する。この多層基板４１の
上面には入出力端子となるパターン電極７６〜７８を形
成する。多層基板４１を誘電体同軸共振器１〜７の開放
面１ａ〜７ａ側に配置する。多層基板４１と誘電体同軸
共振器１〜７との接続は、誘電体同軸共振器１〜７の内
導体３５と多層基板４１のパターン電極とのハンダ付け
により行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
として用いられる誘電体共振器装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図６〜図８に従来の誘電体共振器装置と
して誘電体フィルタを示す。図６は誘電体フィルタの全
体の分解斜視図を示し、図７は各種部品を実装した場合
の斜視図を、図８は等価回路図をそれぞれ示している。
まず、従来の誘電体フィルタの全体の構成について説明
する。図６及び図７に示す誘電体フィルタは、例えば、
自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用されるも
のであり、マイクロ波帯に用いられる所謂アンテナ共用
器と言われるものである。

【０００３】そして、この誘電体フィルタは送信側がバ
ンドエリミネーションフィルタで構成され、受信側がバ
ンドパスフィルタで構成されている。バンドエリミネー
ションフィルタは３段の共振器構成となっており、３個
の１／４波長形誘電体同軸共振器１〜３を有し、バンド
パスフィルタは４段の共振器構成で、４個の１／４波長
形誘電体同軸共振器４〜７を有している。

【０００４】誘電体同軸共振器１〜７は、直方体状に形
成されている誘電体の穴８の内周面に形成した電極膜状
の内導体と、該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外
導体と、図には表われていないが穴８が開口している端
面の一方に形成した電極膜状の内導体と外導体とを接続
する短絡導体とで構成され、所定の周波数で共振するよ
うになっている。この誘電体同軸共振器１〜７の穴８に
は一端側を略円筒状に形成した金属製の接続端子９がそ
れぞれ誘電体同軸共振器１〜７の開放端側より圧入され
て、穴８内の内導体と接触して導通を得ている。上記接
続端子９の他端側は舌片状に形成されていて、後述する
コンデンサ基板１０〜１２や結合基板１３の上面に形成
されている電極膜１４〜１７に半田付け等でそれぞれ接
続されるようになっている。

【０００５】上記コンデンサ基板１０〜１２は誘電体か
らなり、その上下面には電極膜がそれぞれ形成されてい
て、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる
結合基板１３の上面には複数の電極膜１４〜１７が並設
されており、電極膜１４〜１６は結合容量を多くとるた
めに、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結合
基板１３の下面の両側にも電極膜が形成されている。ま
た、コンデンサ基板１０〜１２間にはコイル状のインダ
クタＬ₁ 〜Ｌ₃ が接続される。上記インダクタＬ₁ 〜Ｌ
₃ を実装する誘電体からなる結合基板１８の上面には電
極膜１９，２０が形成されており、この結合基板１８の
下面は全面にわたってアース電極となる電極膜が形成さ
れている。

【０００６】上記各部材を上面に実装するベース基板２
２には、アンテナ側と接続される電極膜状の入出力端子
２３と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子２
４と、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子２５
とがそれぞれ形成されている。また、ベース基板２２の
上面及び下面は電極膜状のアース電極２６が略全面にわ
たって形成してある。尚、このベース基板２２は、樹脂
等の誘電体または絶縁体等で形成されている。ベース基
板２２の上面に実装される上記結合基板１３は２個のス
ペーサ２１を介して実装されるものであり、他の１個の
スペーサ２１はベース基板２２の入出力端子２４の上面
に実装される。これら３個のスペーサ２１は、金属等の
導通のある部材を用いている。

【０００７】また、ベース基板２２の上下面の入出力端
子２３〜２５の部分以外の箇所は全面にわたってアース
電極２６が形成されており、上下面のアース電極２６は
横方向に非直線状に形成した複数のスルーホール３３に
より導通を得ている。また、ベース基板２２の周囲に複
数形成した半円状の切欠部３４の端面に形成した電極膜
を介しても上下面のアース電極２６が導通している。更
に、入出力端子２３〜２５も端面に形成した電極膜を介
してベース基板２２の上下面が導通している。

【０００８】ベース基板２２を覆設するカバー２７は金
属製で構成され、カバー２７の天板には誘電体同軸共振
器１〜７の上面側外導体とカバー２７とを半田付け等を
するための細長の穴２８と、誘電体同軸共振器１〜７の
特性を調整するための治具挿入用の穴２９が穿孔してあ
る。また、カバー２７の下縁の前部・背部（図示せず）
よりベース基板２２の上面アース電極２６と接続される
アース端子３０が複数形成されている。カバー２７の側
板には、上記ベース基板２２の入出力端子２３〜２５を
露出させるための切欠部３１がそれぞれ形成してある。
また、図７に示すように、カバー２７の上面にはラベル
３２が貼付され穴２８や２９が覆われるようになってい
る。

【０００９】次に、各部材の配置構成について説明す
る。図６及び図７に示すように、バンドエリミネーショ
ンフィルタ側では、１個のスペーサ２１がベース基板２
２の入出力端子２４の上に実装され、また、結合基板１
８がベース基板２２の入出力端子２４と２３との間のア
ース電極２６の上に実装されハンダづけされる。更に、
入出力端子２３と２５の上面にスペーサ２１がそれぞれ
実装され、この２個のスペーサ２１の上面に、下面の電
極膜が接触する形で結合基板１３が架橋されハンダづけ
される。

【００１０】図７に示すように、インダクタＬ₁ の一端
がスペーサ２１の上面に実装され、その上にコンデンサ
基板１０が実装され、このコンデンサ基板１０の上面の
電極膜に誘電体同軸共振器１からの接続端子９が接続さ
れる。また、インダクタＬ₁ の他端は結合基板１８の電
極膜１９の上に実装され、インダクタＬ₂ が結合基板１
８の電極膜１９と２０との間に実装される。そして、イ
ンダクタＬ₁ とＬ₂ の接続部の上にコンデンサ基板１１
が実装され、コンデンサ基板１１の上面の電極膜に誘電
体同軸共振器２からの接続端子９が接続される。インダ
クタＬ₃ の一端が結合基板１８の電極膜２０の上に実装
され、他端は入出力端子２３の上に実装される。また、
インダクタＬ₂ とＬ₃ の接続部の上にコンデンサ基板１
２が実装され、コンデンサ基板１２の上面の電極膜に誘
電体同軸共振器３からの接続端子９が接続される。

【００１１】２個のスペーサ２１の上に実装された結合
基板１３の上面の各電極膜１４〜１７に、誘電体同軸共
振器４〜７からの接続端子９がそれぞれ接続されるよう
になっている。

【００１２】図８は上記のようにして構成されている誘
電体フィルタの等価回路図を示し、バンドエリミネーシ
ョンフィルタ側のキャパシタＣ₁ 〜Ｃ₃ は、コンデンサ
基板１０〜１２の上下の電極膜で形成され、キャパシタ
Ｃ₄ は入出力端子２４と下面のアース電極との間で形成
されるものである。キャパシタＣ₅ ，Ｃ₆ は、結合基板
１８の上面の電極膜１９，２０と下面の電極膜とで形成
されている。また、キャパシタＣ₇ は、入出力端子２３
と下面のアース電極との間で形成されるものである。

【００１３】また、バンドパスフィルタ側のキャパシタ
Ｃ₈ は、結合基板１３の電極膜１４と下面の電極膜との
間で形成され、キャパシタＣ₉ 〜Ｃ₁ ₀ は、結合基板１
３の各電極膜１４〜１６間で形成される。また、キャパ
シタＣ₁ ₁ は、結合基板１３の上面の電極膜１６と下面
の電極膜（図示せず）で形成される。また、この下面の
電極膜は図の右端のスペーサ２１に導通している。更
に、キャパシタＣ₁ ₂ は結合基板１３の上面の電極膜１
７と下面の電極膜とで形成される。尚、誘電体同軸共振
器７とキャパシタＣ₁ ₂ とで直列共振回路のトラップ回
路を構成している。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】かかる従来例の誘電体
フィルタは、ディスクリート部品を用いて構成されてお
り、この従来の構造では、コンデンサ基板１０〜１２、
インダクタ（コイル）Ｌ₁ 〜Ｌ₃ 、誘電体同軸共振器１
〜７に接続する接続端子９など部品点数が多くなる。こ
れにより誘電体フィルタの部品単価が高くなり、また、
部品の組み込み工数が多くかかり、コストアップにつな
がるという問題があった。

【００１５】一方、誘電体同軸共振器間結合や、外部接
続回路を外付けの誘電体基板上に電極を形成して得る例
に、例えば特開平４−２１１５０１号公報が挙げられ
る。この特開平４−２１１５０１号公報に記載されてい
る発明ではコストを低下できる構造であるものの、単体
（一層）の誘電体基板を用いているために、複雑な結合
回路を実現しにくいという問題があった。

【００１６】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、部品点数を削減して従来要した接続端子やコイ
ルなどの組み込み工数を無くし、低コスト化を図ること
を目的とした誘電体共振器装置を提供するものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体に設け
た一つあるいは複数の穴８の内周面に形成した電極膜状
の内導体３５及び上記誘電体の一方の端面を開放面１ａ
〜７ａとした以外の外面に形成した電極膜状の外導体３
６を設けた誘電体同軸共振器１〜７と、Ｃ成分、Ｌ成分
等の結合回路素子及び入出力端子７６〜７８をパターン
電極により形成した多層基板４１とを備え、上記誘電体
同軸共振器１〜７の上記開放面１ａ〜７ａ側に上記多層
基板４１を配設し、多層基板４１のパターン電極の一部
と誘電体同軸共振器１〜７の内導体３５とを電気的に結
合したことを特徴としている。

【００１８】

【作用】本発明によれば、Ｃ成分、Ｌ成分等の結合回路
素子及び入出力端子７６〜７８をパターン電極により形
成した多層基板４１を誘電体同軸共振器１〜７の開放面
１ａ〜７ａ側に配置していることで、誘電体同軸共振器
１〜７に組み込む部品点数が多層基板４１のみとなり、
従来要していた接続端子９、コイルＬ₁ 〜Ｌ₃ 、コンデ
ンサ基板１０〜１３等の組み込み工数を無くすことがで
き、組み立て作業性が向上すると共に、低コスト化を図
ることができる。また、誘電体同軸共振器１〜７により
構成される共振回路間の結合回路を形成した多層基板４
１が、誘電体同軸共振器１〜７の開放面１ａ〜７ａ側に
配置されるため、全体の大きさを誘電体同軸共振器１〜
７と多層基板４１の厚みを加えた大きさに形成すること
ができて、小型に構成することができる。また、多層基
板４１を用いているので、複雑な結合回路を容易且つ小
型に形成することができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。なお、誘電体同軸共振器１〜７自体は同様なの
で、同じ番号を付して説明する。図１は誘電体共振器装
置としての誘電体フィルタの全体の分解斜視図を示し、
図２は多層基板４１の分解斜視図を示すものである。

【００２０】まず、誘電体同軸共振器１の構造について
説明する。なお、他の誘電体同軸共振器２〜７の構成も
誘電体同軸共振器１と同じなので説明は省略する。図１
に示すように、誘電体同軸共振器１は１／４波長形の誘
電体同軸共振器であり、誘電体同軸共振器１の長手方向
（軸方向）には前後に穴８が貫通して穿設されている。

【００２１】図１及び図４に示すように、誘電体同軸共
振器１の一方の端面の部分を除いて電極膜状の外導体３
６が全体にわたって形成されており、また、上記穴８の
内周面にも電極膜状の内導体３５が形成されている。外
導体３６を形成していない誘電体同軸共振器１の一方の
端面を開放面１ａとし、外導体３６を形成している他方
の端面を短絡面１ｂとしている。

【００２２】図５は図１に示す誘電体フィルタの等価回
路図を示し、本実施例では３段の１／４波長形の誘電体
同軸共振器１〜３からなるバンドエリミネーションフィ
ルタと、４段の１／４波長形の誘電体同軸共振器４〜７
からなるバンドパスフィルタとで構成されている。そし
て、図５の破線で示す部分を後述するように多層基板４
１で構成しているものである。

【００２３】図５に示す等価回路の場合には、図２に示
すような多層基板４１で構成している。すなわち、多層
基板４１は本実施例では３層で構成しており、第１基板
４１ａ、第２基板４１ｂ及び第３基板４１ｃとで構成し
ている。図２において多層基板４１の第１基板４１ａの
上面が誘電体同軸共振器１〜７の開放面１ａ〜７ａ側と
なり、第３基板４１ｃの下面が外側、つまり、図１にお
ける多層基板４１の前面側となる。

【００２４】図２において、多層基板４１の第１基板４
１ａの図中上面には上記誘電体同軸共振器１〜７の内導
体３５と接続される四角状のパターン電極５１〜５７が
形成されており、各パターン電極５４〜５６にはスルー
ホール５４₁ 〜５６₁ が穿設されている。更に、他のパ
ターン電極５１〜５３、５７に対向して第１基板４１ａ
の下面にパターン電極５１ａ〜５３ａ、５７ａがそれぞ
れ形成してある。

【００２５】また、多層基板４１の第２基板４１ｂの上
面には、３つの渦巻き状のパターン電極６１〜６３と、
四角状のパターン電極６４と、略Ｌ型のパターン電極６
５〜６８が形成されている。パターン電極６１〜６３の
両端にはそれぞれスルーホール６１₁ ，６１₂ 〜６３
₁ ，６３₂ が形成されている。第２基板４１ｂのパター
ン電極６４，６８にはスルーホール６４₁ ，６８₁ が形
成されている。パターン電極６５〜６７は、第１基板４
１ａのスルーホール５４₁ 〜５６₁ を介して第１基板４
１ａのパターン電極５４〜５６と導通を得ている。

【００２６】多層基板４１の第３基板４１ｃの上面に
は、略Ｔ字型や略Ｌ型のパターン電極７１〜７４が形成
されており、また、第３基板４１ｃの端部には四角状の
パターン電極７５が形成されている。第３基板４１ｃの
両端及び中央のパターン電極７１，７４，７５にはスル
ーホール７１₁ ，７４₁ ，７５₁ が穿設されている。

【００２７】ここで、第３基板４１ｃのパターン電極７
１はスルーホール６１₁ を介して第２基板４１ｂのパタ
ーン電極６１の一端側と接続され、第３基板４１ｃのパ
ターン電極７２の一端側はスルーホール６１₂ を介して
第２基板４１ｂのパターン電極６１の他端側と接続され
る。したがって、第３基板４１ｃのパターン電極７１，
７２間に第２基板４１ｂの渦巻き状のパターン電極６１
が接続される形となる。

【００２８】また、第３基板４１ｃのパターン電極７２
の他端側は、スルーホール６２₁ を介して第２基板４１
ｂのパターン電極６２の一端側と接続され、第３基板４
１ｃのパターン電極７３の一端側はスルーホール６２₂
を介して第２基板４１ｂのパターン電極６２の他端側と
接続されるようになっている。したがって、第３基板４
１ｃのパターン電極７２，７３間に第２基板４１ｂの渦
巻き状のパターン電極６２が接続される形となる。

【００２９】更に、第３基板４１ｃのパターン電極７３
の他端側は、スルーホール６３₁ を介して第２基板４１
ｂのパターン電極６３の一端側と接続され、第３基板４
１ｃのパターン電極７４の一端側はスルーホール６３₂
を介して第２基板４１ｂのパターン電極６３の他端側と
接続されるようになっている。したがって、第３基板４
１ｃのパターン電極７３，７４間に第２基板４１ｂの渦
巻き状のパターン電極６３が接続される形となる。

【００３０】また、第３基板４１ｃのパターン電極７４
の他端側はスルーホール６４₁ を介して第２基板４１ｂ
のパターン電極６４と接続され、パターン電極７５はス
ルーホール６８₁ を介して第２基板４１ｂのパターン電
極６８と接続される。

【００３１】多層基板４１の第３基板４１ｃの外側面は
図１に示すように、スルーホール７１₁ ，７４₁ ，７５
₁ を介したパターン電極７６〜７８が形成されている。
そして、他の残りの面にはアース電極７９が略全面にわ
たって形成してある。ここで、多層基板４１の第３基板
４１ｃの一端側のパターン電極７６が送信部側の入出力
端子となり、中央のパターン電極７７がアンテナ側の入
出力端子となり、更に、他端側のパターン電極７８が受
信部側の入出力端子となる。

【００３２】上記多層基板４１を構成する各基板４１
ａ，４１ｂ，４１ｃの周端面は、図１及び図３に示すよ
うに、アース電極としての電極膜が形成されている。な
お、多層基板４１の第１基板４１ａ、第２基板４１ｂの
図２中の裏面は、それぞれ第２基板４１ｂ、第３基板４
１ｃの表面の電極（パターン電極）と電気的、機械的接
続ができるように電極が形成されている。

【００３３】また、多層基板４１を形成する場合、例え
ば、各基板４１ａ〜４１ｃとなるグリーンシートを積層
して焼成し、各基板４１ａ〜４１ｃを完成させてから電
気的、機械的に接続構成するようにしている。また、硬
化した基板を層状に接着剤で接着して形成した硬化基板
を用いても良い。

【００３４】次に、図５の等価回路図におけるインダク
タンスＬ₁ 〜Ｌ₃ とキャパシタＣ₁〜Ｃ₁ ₂ と、多層基
板４１のパターン電極との関係について説明する。イン
ダクタンスＬ₁ 〜Ｌ₃ は、図２に示すように多層基板４
１の第２基板４１ｂの渦巻き状のパターン電極６１〜６
３により形成される。

【００３５】また、キャパシタＣ₁ は多層基板４１の第
１基板４１ａの上下面のパターン電極５１，５１ａとの
間で形成され、キャパシタＣ₂ は、第１基板４１ａの上
下面のパターン電極５２，５２ａとの間で形成される。
さらに、キャパシタＣ₃ は、第１基板４１ａの上下面の
パターン電極５３，５３ａとの間で形成される。キャパ
シタＣ₄ 〜Ｃ₇ は、多層基板４１の第３基板４１ｃの上
面のパターン電極７１〜７４と下面のアース電極７９と
の間でそれぞれ形成されている。

【００３６】また、キャパシタＣ₈ は、多層基板４１の
第２基板４１ｂのパターン電極６４，６５との間の容量
で形成され、キャパシタＣ₉ は、第２基板４１ｂのパタ
ーン電極６５，６６との間の容量で形成される。キャパ
シタＣ₁ ₀ は、第２基板４１ｂのパターン電極６６，６
７との間の容量で形成され、キャパシタＣ₁ ₁ は、第２
基板４１ｂのパターン電極６７，６８との間の容量で形
成される。さらに、キャパシタＣ₁ ₂ は、多層基板４１
の第１基板４１ａの上下面のパターン電極５７，５７ａ
との間の容量で形成される。

【００３７】上記多層基板４１を入出力端子となる第３
基板４１ｃのパターン電極７６〜７８を前面にして図１
に示すように、７個一体化した誘電体同軸共振器１〜７
の開放面１ａ〜７ａ側に配設する。なお、７個の誘電体
同軸共振器１〜７は、ハンダや樹脂などの接着部材で固
定している。また、誘電体同軸共振器１〜７と多層基板
４１との接着も同様にハンダや樹脂などの接着部材で固
定する。

【００３８】ここで、多層基板４１を誘電体同軸共振器
１〜７の開放面１ａ〜７ａ側に実装する場合には以下の
ようにして行っている。すなわち、図４に示すように、
誘電体同軸共振器１〜７の各穴８内にハンダクリーム３
７を塗布しておき、リフローハンダ付けで内導体３５と
多層基板４１のパターン電極５１とを接続する。なお、
図４の場合では、誘電体同軸共振器１と多層基板４１の
第１基板４１ａのパターン電極５１との接続の場合を示
しているが、他の誘電体同軸共振器２〜７と多層基板４
１の第１基板４１ａのパターン電極５２〜５７の場合も
上記と同様にしてハンダ付けによる接続が行われる。

【００３９】多層基板４１を誘電体同軸共振器１〜７の
開放面１ａ〜７ａ側に実装した場合に、図３に示すよう
に、第３基板４１ｃのアース電極７９は、第２基板４１
ｂ及び第１基板４１ａの端面に形成した電極膜を介して
誘電体同軸共振器１〜７の外導体３６と接続され、アー
スされるようになっている。また、多層基板４１の第３
基板４１ｃの入出力端子となるパターン電極７６〜７８
は、その電極膜が端面にも形成されていて、誘電体フィ
ルタを横置きに実装した場合にも配線基板への端子にハ
ンダ付け実装できるようにしてある。なお、図３におい
ては、７個の誘電体同軸共振器１〜７は便宜上一体化し
て描いており、番号は代表して１のみ記載している。

【００４０】なお、多層基板４１を誘電体同軸共振器１
〜７の開放面１ａ〜７ａ側に配設し、配線基板へは誘電
体同軸共振器１〜７の下面及び多層基板４１の下端面を
実装面として実装したり、また、多層基板４１のアース
電極７９面を実装面として縦型に実装することもでき
る。

【００４１】そして、７個の誘電体同軸共振器１〜７の
開放面１ａ〜７ａ側に多層基板４１を配設することで、
誘電体フィルタ全体の大きさが７個の誘電体同軸共振器
１〜７に多層基板４１の厚みを加えた大きさとなり、従
来と比べると非常に小型化することができる。特に、誘
電体同軸共振器１〜７間をするキャパシタＣ₁・・・、
インダクタＬ₁・・等の結合回路を多層基板４１内で形
成しているため、誘電体フィルタ全体を小型に形成する
ことができる。また、多層基板４１の第３基板４１ｃの
アース電極７９や各基板４１ａ〜４１ｃの端面に形成し
た電極膜により、該アース電極７９等と誘電体同軸共振
器１〜７の外導体３６とで全体をアース電極として覆う
ことができ、そのため、従来用いていたカバーを不要と
することができる。

【００４２】ところで、先の実施例では個別の誘電体同
軸共振器１〜７を用いて誘電体フィルタを構成した場合
について説明したが、１個の誘電体ブロックに複数の穴
を設けて複数段の誘電体共振器を形成した誘電体フィル
タを構成しても良い。また、上記誘電体同軸共振器１〜
７の穴８は両端側に貫通した場合について説明したが、
短絡面側が閉塞された誘電体同軸共振器の場合について
も本発明を適用することができる。

【００４３】尚、実施例では、フィルタの構成として、
バンドパスフィルタとバンドエリミネーションフィルタ
の組み合わせたアンテナ共用器の例を示したが、これら
の単独構成や、他のハイパスフィルタ、ローパスフィル
タのそれぞれの単独構成、又は各種のフィルタの組み合
わせにも本発明を適用できるものである。また、共振器
の段数には制限されないものである。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、Ｃ成分、Ｌ成分等の結
合回路素子及び入出力端子をパターン電極により形成し
た多層基板を誘電体同軸共振器の開放面側に配置してい
ることで、誘電体同軸共振器に組み込む部品点数が多層
基板のみとなり、従来要していた接続端子、コイル、コ
ンデンサ基板等の組み込み工数を無くすことができ、組
み立て作業性が向上すると共に、低コスト化を図ること
ができる。また、誘電体同軸共振器により構成される共
振回路間の結合回路を形成した多層基板が、誘電体同軸
共振器の開放面側に配置されるため、全体の大きさを誘
電体同軸共振器と多層基板の厚みを加えた大きさに形成
することができて、小型に構成することができる。ま
た、多層基板を用いているので、複雑な結合回路を容易
且つ小型に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の誘電体フィルタの分解斜視図
である。

【図２】本発明の実施例の多層基板の分解斜視図であ
る。

【図３】本発明の実施例の下方から見た場合の誘電体フ
ィルタの要部斜視図である。

【図４】本発明の実施例の誘電体同軸共振器と多層基板
との接続を示す説明図である。

【図５】本発明の実施例の誘電体フィルタの等価回路図
である。

【図６】従来例の誘電体フィルタの全体の分解斜視図で
ある。

【図７】従来例の部品を実装した場合を示す誘電体フィ
ルタの斜視図である。

【図８】従来例の図６に示す誘電体フィルタの等価回路
図である。

【符号の説明】

１〜７誘電体同軸共振器１ａ〜７ａ開放面８穴３５内導体３６外導体４１多層基板４１ａ第１基板４１ｂ第２基板４１ｃ第３基板７６パターン電極（入出力端子）７７パターン電極（入出力端子）７８パターン電極（入出力端子）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体に設けた一つあるいは複数の穴
（８）の内周面に形成した電極膜状の内導体（３５）及
び上記誘電体の一方の端面を開放面（１ａ）〜（７ａ）
とした以外の外面に形成した電極膜状の外導体（３６）
を設けた誘電体同軸共振器（１）〜（７）と、Ｃ成分、
Ｌ成分等の結合回路素子及び入出力端子（７６）〜（７
８）をパターン電極により形成した多層基板（４１）と
を備え、上記誘電体同軸共振器（１）〜（７）の上記開
放面（１ａ）〜（７ａ）側に上記多層基板（４１）を配
設し、多層基板（４１）のパターン電極の一部と誘電体
同軸共振器（１）〜（７）の内導体（３５）とを電気的
に結合したことを特徴とする誘電体共振器装置。