JPH07202514A - 誘電体共振器装置 - Google Patents
誘電体共振器装置Info
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- JPH07202514A JPH07202514A JP5352163A JP35216393A JPH07202514A JP H07202514 A JPH07202514 A JP H07202514A JP 5352163 A JP5352163 A JP 5352163A JP 35216393 A JP35216393 A JP 35216393A JP H07202514 A JPH07202514 A JP H07202514A
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- coupling
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- capacitor electrode
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2053—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other
Abstract
(57)【要約】
【目的】 結合基板自体の寸法を大きくすることなく大
きな結合容量を得ること。 【構成】 容量結合用のコンデンサ電極膜２２〜２４を
形成した結合基板２１の上面に誘電体基板３１を重ね合
わせて配置する。結合基板２１の上面のコンデンサ電極
膜２２〜２４に対する浮遊容量が誘電体基板３１を介在
することで、それぞれの浮遊容量がある容量を持つ。こ
れらの容量がコンデンサ電極膜２２と２３、２３と２４
の間で形成される容量に並列に接続される形となる。し
たがって誘電体同軸共振器２〜４間の結合容量を結合基
板２１を大きくすることなく増加させることができる。
きな結合容量を得ること。 【構成】 容量結合用のコンデンサ電極膜２２〜２４を
形成した結合基板２１の上面に誘電体基板３１を重ね合
わせて配置する。結合基板２１の上面のコンデンサ電極
膜２２〜２４に対する浮遊容量が誘電体基板３１を介在
することで、それぞれの浮遊容量がある容量を持つ。こ
れらの容量がコンデンサ電極膜２２と２３、２３と２４
の間で形成される容量に並列に接続される形となる。し
たがって誘電体同軸共振器２〜４間の結合容量を結合基
板２１を大きくすることなく増加させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
として用いられる誘電体共振器装置に関するものであ
る。
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
として用いられる誘電体共振器装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図９はこの種の従来の３段のバンドパス
フィルタからなる誘電体共振器装置の分解斜視図を示
し、３個の１／４波長形の誘電体同軸共振器２〜４で共
振器本体１を構成している。誘電体同軸共振器２〜４
は、直方体状の誘電体の一方の端面を除いた各面には電
極膜状の外導体５が形成されている。誘電体同軸共振器
２〜４の外導体５を形成していない一方の端面を開放面
とし、他方の外導体５を形成した端面を短絡面としてい
る。
フィルタからなる誘電体共振器装置の分解斜視図を示
し、３個の１／４波長形の誘電体同軸共振器２〜４で共
振器本体１を構成している。誘電体同軸共振器２〜４
は、直方体状の誘電体の一方の端面を除いた各面には電
極膜状の外導体５が形成されている。誘電体同軸共振器
２〜４の外導体５を形成していない一方の端面を開放面
とし、他方の外導体５を形成した端面を短絡面としてい
る。
【０００３】誘電体同軸共振器２〜４の中央部分には穴
６が貫通して穿設されており、この穴６の内周面には電
極膜状の内導体が形成されている。この穴６の内部に略
円筒状で金属製の接続端子７が圧入して、該接続端子７
と内導体との接触をそれぞれ得ている。
６が貫通して穿設されており、この穴６の内周面には電
極膜状の内導体が形成されている。この穴６の内部に略
円筒状で金属製の接続端子７が圧入して、該接続端子７
と内導体との接触をそれぞれ得ている。
【０００４】セラミック系の誘電体からなり板状のベー
ス基板１１の上面の一方側には電極膜状のアース電極１
４が形成されている。また、ベース基板１１の他端にも
アース電極１４が形成されている。ベース基板１１の下
面にも上記アース電極１４と導通した電極膜状のアース
電極が形成してある。
ス基板１１の上面の一方側には電極膜状のアース電極１
４が形成されている。また、ベース基板１１の他端にも
アース電極１４が形成されている。ベース基板１１の下
面にも上記アース電極１４と導通した電極膜状のアース
電極が形成してある。
【０００５】また、ベース基板１１の他端側の両側の上
下面には電極膜状の入出力端子１２，１３がそれぞれ形
成されており、上下面の入出力端子１２，１３は端面の
電極膜を介してそれぞれ導通を得ている。
下面には電極膜状の入出力端子１２，１３がそれぞれ形
成されており、上下面の入出力端子１２，１３は端面の
電極膜を介してそれぞれ導通を得ている。
【０００６】上記入出力端子１２，１３の上面間に実装
される結合基板２１は誘電体からなり、結合基板２１の
上面には電極膜状のコンデンサ電極膜（銀電極）２２〜
２４が形成されている。結合基板２１の下面の両端にも
コンデンサ電極膜２２，２４に対向して電極膜状のコン
デンサ電極膜（銀電極）２５，２６が形成されており、
このコンデンサ電極膜２５，２６とベース基板１１の入
出力端子１２，１３とが半田付けにより接続されるよう
になっている。
される結合基板２１は誘電体からなり、結合基板２１の
上面には電極膜状のコンデンサ電極膜（銀電極）２２〜
２４が形成されている。結合基板２１の下面の両端にも
コンデンサ電極膜２２，２４に対向して電極膜状のコン
デンサ電極膜（銀電極）２５，２６が形成されており、
このコンデンサ電極膜２５，２６とベース基板１１の入
出力端子１２，１３とが半田付けにより接続されるよう
になっている。
【０００７】上記誘電体同軸共振器２〜４からの接続端
子７が結合基板２１のコンデンサ電極膜２２〜２４に半
田付け等でそれぞれ接続されるようになっている。な
お、図９において結合基板２１の下面のコンデンサ電極
膜２５，２６は分かり易いように図面上厚みを持たせて
いる。
子７が結合基板２１のコンデンサ電極膜２２〜２４に半
田付け等でそれぞれ接続されるようになっている。な
お、図９において結合基板２１の下面のコンデンサ電極
膜２５，２６は分かり易いように図面上厚みを持たせて
いる。
【０００８】図１０は図９に示す誘電体共振器装置の等
価回路図を示し、上述のように３段のバンドパスフィル
タである。一方の入出力端子１２側のキャパシタＣ1
は、結合基板２１の上面のコンデンサ電極膜２２と下面
のコンデンサ電極膜２５との間で形成している。また、
他方の入出力端子１３側のキャパシタＣ1 は、結合基板
２１の上面のコンデンサ電極膜２４と下面のコンデンサ
電極膜２６との間で形成している。更に、左側のキャパ
シタＣ2 は、結合基板２１の上面のコンデンサ電極膜２
２とコンデンサ電極膜２３との間で形成し、また、右側
のキャパシタＣ2 は、結合基板２１のコンデンサ電極膜
２３とコンデンサ電極膜２４との間で形成している。
価回路図を示し、上述のように３段のバンドパスフィル
タである。一方の入出力端子１２側のキャパシタＣ1
は、結合基板２１の上面のコンデンサ電極膜２２と下面
のコンデンサ電極膜２５との間で形成している。また、
他方の入出力端子１３側のキャパシタＣ1 は、結合基板
２１の上面のコンデンサ電極膜２４と下面のコンデンサ
電極膜２６との間で形成している。更に、左側のキャパ
シタＣ2 は、結合基板２１の上面のコンデンサ電極膜２
２とコンデンサ電極膜２３との間で形成し、また、右側
のキャパシタＣ2 は、結合基板２１のコンデンサ電極膜
２３とコンデンサ電極膜２４との間で形成している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図１１は上記
結合基板２１の平面図及び正面図を示し、結合基板２１
のコンデンサ電極膜２２，２３（２３，２４）間の容量
Ｃ2 は、図中ａ寸法を大きくすると容量大となり、ま
た、コンデンサ電極膜２２，２３間の寸法ｂを小さくす
ると容量大となる。しかし、結合容量Ｃ2 の値を大きく
したい場合でも、結合基板２１の寸法、コンデンサ電極
膜２２，２３間の寸法に制限がある時、目標値より小さ
な容量しか得られない場合がある。そのため、所望のフ
ィルタ特性が得られないという問題があった。
結合基板２１の平面図及び正面図を示し、結合基板２１
のコンデンサ電極膜２２，２３（２３，２４）間の容量
Ｃ2 は、図中ａ寸法を大きくすると容量大となり、ま
た、コンデンサ電極膜２２，２３間の寸法ｂを小さくす
ると容量大となる。しかし、結合容量Ｃ2 の値を大きく
したい場合でも、結合基板２１の寸法、コンデンサ電極
膜２２，２３間の寸法に制限がある時、目標値より小さ
な容量しか得られない場合がある。そのため、所望のフ
ィルタ特性が得られないという問題があった。
【００１０】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、結合基板自体の寸法を大きくすることなく大き
な結合容量を得ることを目的とした誘電体共振器装置を
提供するものである。
あって、結合基板自体の寸法を大きくすることなく大き
な結合容量を得ることを目的とした誘電体共振器装置を
提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数段の共振
回路を備えた誘電体同軸共振器または１段の共振回路を
備えた複数の誘電体同軸共振器２〜４からなる共振器本
体１と、この共振器本体１の共振回路間を容量結合させ
る結合基板２１とを有する誘電体共振器装置において、
上記共振回路間の結合容量を増加させる誘電体基板３１
を上記結合基板２１に重ね合わせて配置したことを特徴
としている。
回路を備えた誘電体同軸共振器または１段の共振回路を
備えた複数の誘電体同軸共振器２〜４からなる共振器本
体１と、この共振器本体１の共振回路間を容量結合させ
る結合基板２１とを有する誘電体共振器装置において、
上記共振回路間の結合容量を増加させる誘電体基板３１
を上記結合基板２１に重ね合わせて配置したことを特徴
としている。
【００１２】
【作用】本発明によれば、結合基板２１に誘電体基板３
１を重ね合わせることで共振回路間に誘電体基板３１の
浮遊容量が並列的に接続されたり、あるいは共振回路間
に誘電体基板３１が直列に介在することになって共振回
路間の結合容量を増加させることができる。したがっ
て、結合基板２１自体の寸法を大きくすることなく共振
回路間の結合容量を増加させることができる。また、誘
電体基板３１の大きさや厚み等の寸法を変化させること
で、結合基板２１自体の寸法を大きくすることなく結合
容量を増加させる方向に調整することができ、そのた
め、所望の特性を得ることができる。また、結合基板２
１の幅寸法ａが従来と同じ場合でも誘電体基板３１を重
ね合わせることで、大きな容量が得られるものであり、
更には誘電体基板３１を用いることで、従来より結合基
板２１の幅寸法ａを小さくすることができる。
１を重ね合わせることで共振回路間に誘電体基板３１の
浮遊容量が並列的に接続されたり、あるいは共振回路間
に誘電体基板３１が直列に介在することになって共振回
路間の結合容量を増加させることができる。したがっ
て、結合基板２１自体の寸法を大きくすることなく共振
回路間の結合容量を増加させることができる。また、誘
電体基板３１の大きさや厚み等の寸法を変化させること
で、結合基板２１自体の寸法を大きくすることなく結合
容量を増加させる方向に調整することができ、そのた
め、所望の特性を得ることができる。また、結合基板２
１の幅寸法ａが従来と同じ場合でも誘電体基板３１を重
ね合わせることで、大きな容量が得られるものであり、
更には誘電体基板３１を用いることで、従来より結合基
板２１の幅寸法ａを小さくすることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。本発明は図１及び図２に示すように、誘電体同軸
共振器２〜４間の結合容量を大きくすべく、別途の誘電
体基板３１を結合基板２１の上面に重ね合わせるように
したものである。したがって、全体の構成は図９に示す
従来例と同様なので、同じ機能を有する要素には同じ番
号を付してその説明を省略し、要旨の部分について詳述
する。
する。本発明は図１及び図２に示すように、誘電体同軸
共振器２〜４間の結合容量を大きくすべく、別途の誘電
体基板３１を結合基板２１の上面に重ね合わせるように
したものである。したがって、全体の構成は図９に示す
従来例と同様なので、同じ機能を有する要素には同じ番
号を付してその説明を省略し、要旨の部分について詳述
する。
【００１４】本発明の特徴は、結合基板２１のコンデン
サ電極膜２２〜２４の上方に形成される浮遊容量につい
て誘電体基板３１を介在させることにより、誘電体同軸
共振器２〜４に影響を与えるほどの容量を形成させ、そ
の結果として、結合容量を増加させるようにしている。
サ電極膜２２〜２４の上方に形成される浮遊容量につい
て誘電体基板３１を介在させることにより、誘電体同軸
共振器２〜４に影響を与えるほどの容量を形成させ、そ
の結果として、結合容量を増加させるようにしている。
【００１５】本実施例では３個の誘電体同軸共振器２〜
４を用いたバンドパスフィルタの例を示し、図１０に示
す誘電体同軸共振器２〜４間の結合容量Ｃ2 をそれぞれ
増加させる場合について説明する。結合基板２１の上面
のコンデンサ電極膜２２〜２４に重ね合わせる誘電体基
板３１の下面には、図２に示すように、上記コンデンサ
電極膜２２〜２４に対応した電極膜状のコンデンサ電極
膜３２〜３４が形成してある。
４を用いたバンドパスフィルタの例を示し、図１０に示
す誘電体同軸共振器２〜４間の結合容量Ｃ2 をそれぞれ
増加させる場合について説明する。結合基板２１の上面
のコンデンサ電極膜２２〜２４に重ね合わせる誘電体基
板３１の下面には、図２に示すように、上記コンデンサ
電極膜２２〜２４に対応した電極膜状のコンデンサ電極
膜３２〜３４が形成してある。
【００１６】誘電体基板３１を結合基板２１の上面に載
置してコンデンサ電極膜２２〜２４、３２〜３４をそれ
ぞれ半田付け等で接触接続させる。この場合、コンデン
サ電極膜２２と２３（２３と２４）との間の容量Ｃ2 1
に、誘電体基板３１のコンデンサ電極膜３２と３３（３
３と３４）との間で該誘電体基板３１自体の誘電率や大
きさや厚み等の寸法等により決まる容量Ｃ2 2 が並列に
接続されることになる。
置してコンデンサ電極膜２２〜２４、３２〜３４をそれ
ぞれ半田付け等で接触接続させる。この場合、コンデン
サ電極膜２２と２３（２３と２４）との間の容量Ｃ2 1
に、誘電体基板３１のコンデンサ電極膜３２と３３（３
３と３４）との間で該誘電体基板３１自体の誘電率や大
きさや厚み等の寸法等により決まる容量Ｃ2 2 が並列に
接続されることになる。
【００１７】したがって、結合基板２１側の容量Ｃ2 1
に誘電体基板３１側の容量Ｃ2 2 が並列に接続されて、
より増加した容量Ｃ2 となる。なお、図１では誘電体基
板３１は結合基板２１より小さくしているが、所望の結
合容量を得るために、任意の大きさ、厚さの誘電体基板
３１を用いることは言うまでもない。
に誘電体基板３１側の容量Ｃ2 2 が並列に接続されて、
より増加した容量Ｃ2 となる。なお、図１では誘電体基
板３１は結合基板２１より小さくしているが、所望の結
合容量を得るために、任意の大きさ、厚さの誘電体基板
３１を用いることは言うまでもない。
【００１８】また、上記実施例では、バンドパスフィル
タの場合について説明したが、バンドパスフィルタの場
合に限らず、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、バ
ンドエリミネーションフィルタやこれらの各種のフィル
タを組み合わせた場合に、結合容量を大きくする場合
に、本発明を適用することができる。なお、図１の場合
において、ベース基板は便宜上記載していないが、従来
と同様に誘電体同軸共振器２〜４や結合基板２１はベー
ス基板の上面に実装されるようになっている。
タの場合について説明したが、バンドパスフィルタの場
合に限らず、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、バ
ンドエリミネーションフィルタやこれらの各種のフィル
タを組み合わせた場合に、結合容量を大きくする場合
に、本発明を適用することができる。なお、図１の場合
において、ベース基板は便宜上記載していないが、従来
と同様に誘電体同軸共振器２〜４や結合基板２１はベー
ス基板の上面に実装されるようになっている。
【００１９】（実施例２）図３は実施例２を示し、２個
の誘電体基板３１ａ，３１ｂを用いた場合である。なお
図中の○印は接続端子７の位置を示している。また、図
３以降の実施例における○印も接続端子７の位置を示し
ている。本実施例では誘電体同軸共振器を４個用いた場
合であり、結合基板２１の上面にはコンデンサ電極膜２
２〜２５を４つ形成している。そして、各コンデンサ電
極膜２２〜２５に接続するためのコンデンサ電極膜３２
〜３５を２個の誘電体基板３１ａ，３１ｂで形成してい
る。
の誘電体基板３１ａ，３１ｂを用いた場合である。なお
図中の○印は接続端子７の位置を示している。また、図
３以降の実施例における○印も接続端子７の位置を示し
ている。本実施例では誘電体同軸共振器を４個用いた場
合であり、結合基板２１の上面にはコンデンサ電極膜２
２〜２５を４つ形成している。そして、各コンデンサ電
極膜２２〜２５に接続するためのコンデンサ電極膜３２
〜３５を２個の誘電体基板３１ａ，３１ｂで形成してい
る。
【００２０】結合基板２１のコンデンサ電極膜２２と２
３には誘電体基板３１ａのコンデンサ電極膜３２と３３
とを半田付け等により接続し、コンデンサ電極膜３２と
３３との間に形成される誘電体基板３１にて介在する浮
遊容量をコンデンサ電極膜２２と２３との間で形成され
る容量に並列に接続する形となっている。また、同様
に、誘電体基板３１ｂのコンデンサ電極膜３４と３５と
の間に形成される容量を、結合基板２１のコンデンサ電
極膜２４と２５との間に形成される容量に並列に接続す
るようにしている。
３には誘電体基板３１ａのコンデンサ電極膜３２と３３
とを半田付け等により接続し、コンデンサ電極膜３２と
３３との間に形成される誘電体基板３１にて介在する浮
遊容量をコンデンサ電極膜２２と２３との間で形成され
る容量に並列に接続する形となっている。また、同様
に、誘電体基板３１ｂのコンデンサ電極膜３４と３５と
の間に形成される容量を、結合基板２１のコンデンサ電
極膜２４と２５との間に形成される容量に並列に接続す
るようにしている。
【００２１】（実施例３）実施例３を図４に示す。本実
施例では、３個の誘電体同軸共振器を用いた場合であ
り、誘電体基板３１の下面の両端に結合基板２１のコン
デンサ電極膜２２，２４に半田付け接続するためのコン
デンサ電極膜３２，３３を形成し、この誘電体基板３１
を結合基板２１の上面に重ね合わせて配置したものであ
る。
施例では、３個の誘電体同軸共振器を用いた場合であ
り、誘電体基板３１の下面の両端に結合基板２１のコン
デンサ電極膜２２，２４に半田付け接続するためのコン
デンサ電極膜３２，３３を形成し、この誘電体基板３１
を結合基板２１の上面に重ね合わせて配置したものであ
る。
【００２２】この場合、結合基板２１のコンデンサ電極
膜２２と２３との間で形成される容量Ｃ2 1 に、誘電体
基板３１が介在することにより形成される容量Ｃ2 2 が
並列に接続される形となって、増加した容量Ｃ2 （図１
０参照）を形成することができる。また、同様に結合基
板２１のコンデンサ電極膜２３と２４との間で形成され
る容量Ｃ2 1 に、誘電体基板３１にて形成される容量Ｃ
2 2 が並列に接続されることになって、増加した結合容
量Ｃ2 を形成することができる。
膜２２と２３との間で形成される容量Ｃ2 1 に、誘電体
基板３１が介在することにより形成される容量Ｃ2 2 が
並列に接続される形となって、増加した容量Ｃ2 （図１
０参照）を形成することができる。また、同様に結合基
板２１のコンデンサ電極膜２３と２４との間で形成され
る容量Ｃ2 1 に、誘電体基板３１にて形成される容量Ｃ
2 2 が並列に接続されることになって、増加した結合容
量Ｃ2 を形成することができる。
【００２３】（実施例４）図５に実施例４を示す。本実
施例は先の実施例３と基本的に同じであり、本実施例で
は、５個の誘電体同軸共振器を用いた場合である。誘電
体基板３１の下面の両端には、結合基板２１のコンデン
サ電極膜２２，２６に半田付け接続するためのコンデン
サ電極膜３２，３３を形成している。
施例は先の実施例３と基本的に同じであり、本実施例で
は、５個の誘電体同軸共振器を用いた場合である。誘電
体基板３１の下面の両端には、結合基板２１のコンデン
サ電極膜２２，２６に半田付け接続するためのコンデン
サ電極膜３２，３３を形成している。
【００２４】ここで、結合基板２１の各コンデンサ電極
膜２２〜２６の間で形成される容量を図５に示すように
Ｃ2 1 、Ｃ3 1 、Ｃ3 1 、Ｃ2 1 とする。一方、誘電体
基板３１が結合基板２１の上面に位置することで、結合
基板２１のコンデンサ電極膜２２〜２６間の浮遊容量に
ついて誘電体基板３１が介在することになり、誘電体基
板３１にて形成される容量Ｃ2 2 、Ｃ3 2 、Ｃ3 2 、Ｃ
2 2 が上記容量Ｃ2 1、Ｃ3 1 、Ｃ3 1 、Ｃ2 1 にそれ
ぞれ並列に接続され、コンデンサ電極膜２２〜２６の間
の結合容量を増加させることができる。
膜２２〜２６の間で形成される容量を図５に示すように
Ｃ2 1 、Ｃ3 1 、Ｃ3 1 、Ｃ2 1 とする。一方、誘電体
基板３１が結合基板２１の上面に位置することで、結合
基板２１のコンデンサ電極膜２２〜２６間の浮遊容量に
ついて誘電体基板３１が介在することになり、誘電体基
板３１にて形成される容量Ｃ2 2 、Ｃ3 2 、Ｃ3 2 、Ｃ
2 2 が上記容量Ｃ2 1、Ｃ3 1 、Ｃ3 1 、Ｃ2 1 にそれ
ぞれ並列に接続され、コンデンサ電極膜２２〜２６の間
の結合容量を増加させることができる。
【００２５】（実施例５）実施例５を図６に示す。本実
施例では結合基板２１のコンデンサ電極膜２３と２４と
の間の容量Ｃ3 1 、コンデンサ電極膜２４と２５との間
の容量Ｃ3 1 をそれぞれ増加させるようにしたものであ
る。
施例では結合基板２１のコンデンサ電極膜２３と２４と
の間の容量Ｃ3 1 、コンデンサ電極膜２４と２５との間
の容量Ｃ3 1 をそれぞれ増加させるようにしたものであ
る。
【００２６】誘電体基板３１の下面の両側には、結合基
板２１のコンデンサ電極膜２３，２５に半田付けするた
めのコンデンサ電極膜３２，３３を形成している。本実
施例の場合にも先の実施例と同様に、浮遊容量について
誘電体基板３１が介在することで容量Ｃ3 2 、Ｃ3 2 を
得て、この容量Ｃ3 2 、Ｃ3 2 がそれぞれ上記の容量Ｃ
3 1 、Ｃ3 1 に並列に接続される形となって、結合容量
を増加させることができる。
板２１のコンデンサ電極膜２３，２５に半田付けするた
めのコンデンサ電極膜３２，３３を形成している。本実
施例の場合にも先の実施例と同様に、浮遊容量について
誘電体基板３１が介在することで容量Ｃ3 2 、Ｃ3 2 を
得て、この容量Ｃ3 2 、Ｃ3 2 がそれぞれ上記の容量Ｃ
3 1 、Ｃ3 1 に並列に接続される形となって、結合容量
を増加させることができる。
【００２７】（実施例６）実施例６は図７に示すよう
に、３個の誘電体同軸共振器を用い、中央の誘電体同軸
共振器と両側の誘電体同軸共振器との間のそれぞれ容量
結合させるのに誘電体基板３１を用いたものである。誘
電体基板３１の下面の両側のコンデンサ電極膜３２，３
３は、結合基板２１のコンデンサ電極膜２２，２３とに
半田付け接続するためのものであり、誘電体基板３１の
上面のコンデンサ電極膜３４との間で形成される容量Ｃ
2 にて結合容量を得ている。これは、上記容量Ｃ2 は、
面積でとることができるので、図６等に示すような横方
向の場合と比べて容量を大きくとることができる。した
がって、縦方向で容量Ｃ2 をとることで、誘電体同軸共
振器間の結合容量を横方向の場合と比べて増加させるこ
とができる。
に、３個の誘電体同軸共振器を用い、中央の誘電体同軸
共振器と両側の誘電体同軸共振器との間のそれぞれ容量
結合させるのに誘電体基板３１を用いたものである。誘
電体基板３１の下面の両側のコンデンサ電極膜３２，３
３は、結合基板２１のコンデンサ電極膜２２，２３とに
半田付け接続するためのものであり、誘電体基板３１の
上面のコンデンサ電極膜３４との間で形成される容量Ｃ
2 にて結合容量を得ている。これは、上記容量Ｃ2 は、
面積でとることができるので、図６等に示すような横方
向の場合と比べて容量を大きくとることができる。した
がって、縦方向で容量Ｃ2 をとることで、誘電体同軸共
振器間の結合容量を横方向の場合と比べて増加させるこ
とができる。
【００２８】（実施例７）図８は実施例７を示し、図７
の場合の実施例を拡張したものであり、図７の場合は３
段の共振器構成であったが、本実施例では５段の共振器
構成としたものである。この場合、結合基板２１のコン
デンサ電極膜２２〜２４にそれぞれ誘電体基板３１ａ，
３１ｂを重ね合わせるようにしたものである。作用は図
７の場合と同様なので、説明は省略する。
の場合の実施例を拡張したものであり、図７の場合は３
段の共振器構成であったが、本実施例では５段の共振器
構成としたものである。この場合、結合基板２１のコン
デンサ電極膜２２〜２４にそれぞれ誘電体基板３１ａ，
３１ｂを重ね合わせるようにしたものである。作用は図
７の場合と同様なので、説明は省略する。
【００２９】なお、先の実施例では個別の誘電体同軸共
振器１，２を用いて誘電体フィルタを構成した場合につ
いて説明したが、１個の誘電体同軸共振器に複数の穴を
穿孔して複数段の誘電体フィルタを構成しても良い。ま
た、上記誘電体同軸共振器１，２の穴５は両端側に貫通
した場合について説明したが、短絡面側が閉塞された誘
電体同軸共振器の場合についても本発明を適用すること
ができる。
振器１，２を用いて誘電体フィルタを構成した場合につ
いて説明したが、１個の誘電体同軸共振器に複数の穴を
穿孔して複数段の誘電体フィルタを構成しても良い。ま
た、上記誘電体同軸共振器１，２の穴５は両端側に貫通
した場合について説明したが、短絡面側が閉塞された誘
電体同軸共振器の場合についても本発明を適用すること
ができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、結合基板に誘電体基板
を重ね合わせることで共振回路間に誘電体基板の浮遊容
量が並列的に接続されたり、あるいは共振回路間に誘電
体基板が直列に介在することになって共振回路間の結合
容量を増加させることができる。したがって、結合基板
自体の寸法を大きくすることなく共振回路間の結合容量
を増加させることができる。また、誘電体基板の大きさ
や厚み等の寸法を変化させることで、結合基板自体の寸
法を大きくすることなく結合容量を増加させる方向に調
整することができ、そのため、所望の特性を得ることが
できる。また、結合基板の幅寸法ａが従来と同じ場合で
も誘電体基板を重ね合わせることで、大きな容量が得ら
れるものであり、更には誘電体基板を用いることで、従
来より結合基板の幅寸法ａを小さくすることができる。
を重ね合わせることで共振回路間に誘電体基板の浮遊容
量が並列的に接続されたり、あるいは共振回路間に誘電
体基板が直列に介在することになって共振回路間の結合
容量を増加させることができる。したがって、結合基板
自体の寸法を大きくすることなく共振回路間の結合容量
を増加させることができる。また、誘電体基板の大きさ
や厚み等の寸法を変化させることで、結合基板自体の寸
法を大きくすることなく結合容量を増加させる方向に調
整することができ、そのため、所望の特性を得ることが
できる。また、結合基板の幅寸法ａが従来と同じ場合で
も誘電体基板を重ね合わせることで、大きな容量が得ら
れるものであり、更には誘電体基板を用いることで、従
来より結合基板の幅寸法ａを小さくすることができる。
【図１】本発明の実施例のバンドパスフィルタの要部斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明の実施例の説明図である。
【図３】本発明の実施例２の説明図である。
【図４】本発明の実施例３の説明図である。
【図５】本発明の実施例４の説明図である。
【図６】本発明の実施例５の説明図である。
【図７】本発明の実施例６の説明図である。
【図８】本発明の実施例７の説明図である。
【図９】従来例のバンドパスフィルタの全体の分解斜視
図である。
図である。
【図１０】図１０に示すバンドパスフィルタの等価回路
図である。
図である。
【図１１】（ａ）は従来例の結合基板の平面図である。
（ｂ）は従来例の結合基板の正面図である。
（ｂ）は従来例の結合基板の正面図である。
１ 共振器本体 ２〜４ 誘電体同軸共振器 ２１ 結合基板 ３１ 誘電体基板
Claims (1)
- 【請求項１】 複数段の共振回路を備えた誘電体同軸共
振器または１段の共振回路を備えた複数の誘電体同軸共
振器（２）〜（４）からなる共振器本体（１）と、この
共振器本体（１）の共振回路間を容量結合させる結合基
板（２１）とを有する誘電体共振器装置において、上記
共振回路間の結合容量を増加させる誘電体基板（３１）
を上記結合基板（２１）に重ね合わせて配置したことを
特徴とする誘電体共振器装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5352163A JPH07202514A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 誘電体共振器装置 |
| US08/364,366 US5563560A (en) | 1993-12-27 | 1994-12-27 | Coupling capacitance dielectric board for coaxial resonators |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5352163A JPH07202514A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 誘電体共振器装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202514A true JPH07202514A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18422215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5352163A Pending JPH07202514A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 誘電体共振器装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5563560A (ja) |
| JP (1) | JPH07202514A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018006736A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970054817A (ko) * | 1995-12-27 | 1997-07-31 | 이형도 | 듀플렉스 유전체 필터 |
| US6181223B1 (en) * | 1998-12-29 | 2001-01-30 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric duplexer device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2234398B (en) * | 1989-06-08 | 1994-06-15 | Murata Manufacturing Co | Dielectric filter |
| WO1992014275A1 (en) * | 1991-02-05 | 1992-08-20 | Tdk Corporation | Dielectric filter |
| US5374910A (en) * | 1991-11-29 | 1994-12-20 | Kyocera Corporation | Dielectric filter having coupling means disposed on a laminated substrate |
| JPH05218704A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| US5379012A (en) * | 1992-04-30 | 1995-01-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric filter device |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5352163A patent/JPH07202514A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-27 US US08/364,366 patent/US5563560A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018006736A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5563560A (en) | 1996-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011211 |