JPH1032405A - 誘電体フィルタ - Google Patents

誘電体フィルタ

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JPH1032405A
JPH1032405A JP10252197A JP10252197A JPH1032405A JP H1032405 A JPH1032405 A JP H1032405A JP 10252197 A JP10252197 A JP 10252197A JP 10252197 A JP10252197 A JP 10252197A JP H1032405 A JPH1032405 A JP H1032405A
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dielectric
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base substrate
filter
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Nobusachi Honda
修祥 本田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 適当なストレー容量が得られ、フィルタ特性
の向上を図ること。 【構成】 ベース基板8の上面に、このベース基板8よ
り大きい誘電率を持った誘電体基板13を配置する。誘
電体基板13の下面のアース電極17とベース基板8の
アース電極12とが接触し、誘電体基板13の上面の各
電極膜14〜15と下面のアース電極17との間で適当
なストレー容量Csを得ることができる。従って、誘電
体基板13でストレー容量Csを得るために、適当な容
量が得られ、フィルタの特性が向上する。また、誘電体
基板13の材質、板厚を変えることにより、所望のフィ
ルタ特性が得られ、設計の自由度を増すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は、この種の自動車電話、携帯電話
等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタであっ
て、バンドエリミネーションフィルタの回路図を示すも
のである。図中1〜3は誘電体同軸共振器であり、Ce
は結合容量で、Csはストレー容量である。また、
1 ,L2 はインダクタである。
【0003】図3はバンドエリミネーションフィルタを
構成する誘電体フィルタの断面図を示し、図3の回路図
を具体的に構成したものである。誘電体同軸共振器1〜
3は1/4波長形のもので、直方体状に形成されている
誘電体の穴4の内周面に形成した電極膜状の内導体と、
該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外導体と、前記
内導体と外導体とを短絡するために穴4が開口している
端面の一方に形成した短絡導体(図示せず)とで構成さ
れ、所定の周波数で共振するようになっている。この誘
電体同軸共振器1〜3の穴4には一端側を略円筒状に形
成した金属製の接続端子(図示せず)がそれぞれ誘電体
同軸共振器1〜3の開放端側より圧入されて、穴4内の
内導体と接触して導通を得ている。
【0004】上記接続端子の他端側は舌片状に形成され
ていて、コンデンサ基板5〜7上面に形成されている電
極膜(図中斜線で示している部分)に半田付け等でそれ
ぞれ接続されるようになっている。上記コンデンサ基板
5〜7は誘電体からなり、その上下面には電極膜がそれ
ぞれ形成されていて、キャパシタ(上記結合容量Ce)
を形成している。
【0005】上記誘電体同軸共振器1〜3、コンデンサ
基板5〜7等を実装するベース基板8は誘電体からな
り、平板状に形成され、一端側の中央にはコンデンサ基
板6を実装する電極膜9が形成されている。また、上記
電極膜9の両側には、コンデンサ基板5,7を実装し、
且つ信号の入出力を行う電極膜状の入出力端子10,1
1が形成されている。更に、ベース基板8の他の部分の
上面や下面には電極膜状のアース電極12が形成されて
いる。
【0006】ここで、上述のようにコンデンサ基板5〜
7により結合容量Ceをとっており、またストレー容量
(アースに落ちる容量)Csは、図3に示すように、ベ
ース基板8の上面の入出力端子10,11及び電極膜9
と、下面のアース電極12との間でとっていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、かかる従来
例においては、ベース基板8の比誘電率(ε=4.0〜
5.0程度)が低く、容量に限界があるので、適当なス
トレー容量Csが得られず、フィルタ特性に限界が生じ
てしまうという問題があった。
【0008】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、適当なストレー容量が得られ、フィルタ特性の
向上を図ることを目的とした誘電体フィルタを提供する
ものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、非導電体から
なり、フィルタの入力端子電極膜、出力端子電極膜、お
よびアース電極膜が形成されているベース基板と、前記
ベース基板上に実装される少なくとも2個の誘電体同軸
共振器と、前記ベース基板より大きい誘電率を持つ誘電
体基板とを有し、前記誘電体基板には、少なくとも2個
のコンデンサを形成するコンデンサ電極膜が形成されて
いて、前記コンデンサ電極膜のうちアース側電極膜は前
記ベース基板に形成された前記アース電極膜に接続さ
れ、前記コンデンサ電極膜のうち非アース側電極膜は前
記2個の誘電体同軸共振器にそれぞれ接続され、さら
に、前記コンデンサ電極膜のうち非アース側電極膜は前
記フィルタの入力端子電極膜、出力端子電極膜にそれぞ
れ接続されているものである。
【0010】
【作用】本発明によれば、誘電体基板により適当なスト
レー容量を得ることができ、そのため、フィルタ特性の
向上を図ることができる。また、誘電体基板の材質や板
厚を変えることで、所望のフィルタ特性を得ることがで
き、フィルタの設計の自由度を増すことができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。尚、実施例としては、従来例と同様に3段のバン
ドエリミネーションフィルタを例にとって説明する。従
って、従来例と同じ部材は同じ番号を付して説明を省略
し、本発明の要旨の部分について詳述する。
【0012】図1は3段のバンドエリミネーションフィ
ルタの断面図を示し、誘電体同軸共振器1〜3、コンデ
ンサ基板5〜7、インダクタL1 ,L2 等は従来と同じ
である。本発明は、ベース基板8の上面に該ベース基板
8の誘電率より大きい誘電率を持った誘電体基板13を
実装するようにしたものである。すなわち、ベース基板
8の一端側の両側には従来と同様に電極膜状の入出力端
子10,11を下面に至るようにして形成している。そ
して、ベース基板8の入出力端子10,11以外の部分
の上下面にはアース電極12を略全面にわたって形成し
ている。
【0013】図2はベース基板8の上面に実装する誘電
体基板13の斜視図を示し、この誘電体基板13の上面
の中央部分には、コンデンサ基板6、インダクタL1
2の端部を半田付け等により接続する電極膜14が形
成されている。また、誘電体基板13の両側には、コン
デンサ基板5,7、インダクタL1 ,L2 の他方の端部
を半田付け等により接続する電極膜15,16が形成さ
れている。この電極膜15,16は、図1及び図2に示
すように、誘電体基板13の側面から下面にかけて形成
しているものである。
【0014】ここで、ベース基板8に誘電体基板13を
実装した場合、誘電体基板13の電極膜15,16によ
りベース基板8の入出力端子10,11とは導通を得る
ようになっている。また、誘電体基板13の下面にはア
ース電極17が形成されていて、ベース基板8の上面の
アース電極12と接触して導通を得ている。尚、ベース
基板8の上下面のアース電極12は、スルーホール等を
介して導通を得ている。
【0015】誘電体基板13の電極膜15の上面には、
コンデンサ基板5の下面の電極膜とインダクタL1 の一
方の端部が載置されて、半田付け等により接続される。
また、誘電体基板13の中央の電極膜14には、コンデ
ンサ基板6の下面の電極膜とインダクタL1 の他方の端
部及びインダクタL2 の一方の端部が接続されるように
なっている。更に、誘電体基板13の電極膜16の上面
にはコンデンサ基板7の下面の電極膜及びインダクタL
2 の他方の端部が接続される。
【0016】コンデンサ基板5〜7の上面の電極膜に
は、誘電体同軸共振器1〜3から導出した金属製の接続
端子18の先端部が接続される。これらの各部材は、リ
フローハンダ等により実装されて半田付け接続されるよ
うになっている。
【0017】ここで、図4に示す結合容量Ceは、従来
と同様にコンデンサ基板5〜7の上下の電極膜間でとっ
ており、また、ストレー容量Csは、誘電体基板13の
上面の各電極膜14〜16と下面のアース電極17との
間でとっている。従って、誘電体基板13でストレー容
量Csを得るために、適当な容量が得られ、フィルタの
特性を向上させることができる。また、誘電体基板13
の材質、板厚を変えることにより、所望のフィルタ特性
が得られ、設計の自由度を増すことができる。
【0018】なお、従来例や、先の実施例では、フィル
タの構成として、バンドエリミネーションフィルタの場
合について説明したが、バンドパスフィルタとバンドエ
リミネーションフィルタとを組み合わせた所謂アンテナ
共用器の場合についても本発明を適用できる。また、バ
ンドパスフィルタの単独構成や、他のハイパスフィル
タ、ローパスフィルタのそれぞれの単独構成、又は各フ
ィルタの組み合わせにも本発明を適用できるものであ
る。また、共振器の段数には制限されないものである。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、非導電体からなり、フ
ィルタの入力端子電極膜、出力端子電極膜、およびアー
ス電極膜が形成されているベース基板と、前記ベース基
板上に実装される少なくとも2個の誘電体同軸共振器
と、前記ベース基板より大きい誘電率を持つ誘電体基板
とを有し、前記誘電体基板には、少なくとも2個のコン
デンサを形成するコンデンサ電極膜が形成されていて、
前記コンデンサ電極膜のうちアース側電極膜は前記ベー
ス基板に形成された前記アース電極膜に接続され、前記
コンデンサ電極膜のうち非アース側電極膜は前記2個の
誘電体同軸共振器にそれぞれ接続され、さらに、前記コ
ンデンサ電極膜のうち非アース側電極膜は前記フィルタ
の入力端子電極膜、出力端子電極膜にそれぞれ接続され
ていることで、誘電体基板により適当なストレー容量を
得ることができ、そのため、フィルタ特性の向上を図る
ことができる。また、誘電体基板の材質や板厚を変える
ことで、所望のフィルタ特性を得ることができ、フィル
タの設計の自由度を増すことができるという効果を奏す
るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の誘電体フィルタの断面図であ
る。
【図2】本発明の実施例の誘電体基板の斜視図である。
【図3】従来例の誘電体フィルタの断面図である。
【図4】バンドエリミネーションフィルタの回路図であ
る。
【符号の説明】
1〜3 誘電体同軸共振器 5〜7 コンデンサ基板 8 ベース基板 10 入出力端子(入力端子電極膜) 11 入出力端子(出力端子電極膜) 12 アース電極(アース電極膜) 13 誘電体基板 14〜16 電極膜 17 アース電極

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 非導電体からなり、フィルタの入力端子
    電極膜、出力端子電極膜、およびアース電極膜が形成さ
    れているベース基板と、前記ベース基板上に実装される
    少なくとも2個の誘電体同軸共振器と、前記ベース基板
    より大きい誘電率を持つ誘電体基板とを有し、前記誘電
    体基板には、少なくとも2個のコンデンサを形成するコ
    ンデンサ電極膜が形成されていて、前記コンデンサ電極
    膜のうちアース側電極膜は前記ベース基板に形成された
    前記アース電極膜に接続され、前記コンデンサ電極膜の
    うち非アース側電極膜は前記2個の誘電体同軸共振器に
    それぞれ接続され、さらに、前記コンデンサ電極膜のう
    ち非アース側電極膜は前記フィルタの入力端子電極膜、
    出力端子電極膜にそれぞれ接続されている誘電体フィル
    タ。
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