JPH10283843A - 電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法 - Google Patents

電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低い比誘電率を有する絶縁膜を形成し得る絶
縁膜形成用組成物および絶縁膜の形成方法。 【解決手段】 （Ａ）電気絶縁性・硬化性の無機樹脂も
しくは有機樹脂、（Ｂ）溶剤および（Ｃ）０〜８００℃
の温度範囲で熱もしくは（Ａ）成分の樹脂との相互作用
で揮発もしくはガスを発生し得る、溶剤に可溶な１種ま
たは２種以上の物質［ただし、（Ｂ）成分に使用される
溶剤は除く］からなることを特徴とする電気絶縁性薄膜
形成用組成物および絶縁膜の形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気絶縁性薄膜形成
用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法に関する。詳
しくは、比誘電率が低い電気絶縁性薄膜を形成し得る電
気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイスの保護層および絶縁層とし
てはシリカ等の電気絶縁薄膜を使用することは知られて
いる。中でも、樹脂と溶剤からなる組成物を湿式塗工す
る技術は一般によく用いられている。例えば、特公平６
−４２４７７号公報には、水素シルセスキオキサン樹脂
の溶剤溶液を基材上に塗布し、溶剤を蒸発させた後、１
５０〜１,０００℃の温度条件下に加熱することにより
セラミック状シリカ化し、電子デバイスをシリカ薄膜で
被覆する方法が開示されている。一方、デバイスの微細
化、高集積化に伴い、絶縁層は低誘電率が求められてき
ている。例えば、第４３回応用物理学関係連合講演会講
演予稿、６５４ページ（集講演番号２６ａーＮー６）には
水素シルセスキオキサン樹脂を硬化させた薄膜の比誘電
率が２.７である旨が報告されている。しかし次世代の
設計ルール０.１８μｍより狭い高集積回路では比誘電
率２.７以下の値が電気絶縁性薄膜に対して求められて
いる。高集積回路用に好適な電気絶縁性薄膜、例えばシ
リカ膜ではこうした低比誘電率を安定的に再現よく発現
させる方法は未だ見出されていない。一方、絶縁性薄膜
の誘電率を下げるには薄膜を多孔質構造にすればよいこ
とは一般的に知られるところである。例えば、米国特許
第5,548,159号公報には水素シルセスキオキサン樹脂の
焼結体を高集積回路の絶縁層として用いており多孔質構
造の絶縁薄膜が形成される旨が記されている。しかし多
孔質構造を形成するための具体的方法は開示されていな
い。以上のように現在まで、低誘電率、例えば、実質的
に比誘電率が２.７以下の電気絶縁性薄膜を形成し得る
組成物方法および電気絶縁性薄膜の形成は知られていな
かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは上記問題
点を解決するために鋭意検討した結果、本発明に達し
た。本発明の目的は、低い比誘電率を有する電気絶縁性
薄膜を形成し得る電気絶縁性薄膜形成用組成物および電
気絶縁性薄膜の形成方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の電気絶縁性薄膜
形成用組成物は、（Ａ）電気絶縁性・硬化性の無機樹脂
もしくは有機樹脂、（Ｂ）溶剤および（Ｃ）０〜８００
℃の温度範囲で熱もしくは（Ａ）成分の樹脂との相互作
用で揮発もしくはガスを発生し得る、溶剤に可溶な１種
または２種以上の物質［ただし、(Ｂ)成分に使用される
溶剤は除く。］からなることを特徴とする。
【０００５】これについて説明すると、本発明に使用さ
れる樹脂は、無機、有機に限らず塗工後、熱により硬
化、絶縁化されるものであり、溶剤に可溶であればよく
特に限定されない。かかる樹脂としては、例えば、アル
コキシシランの部分加水分解物、水素シルセスキオキサ
ン樹脂等のシリカ前駆体樹脂等の無機系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂、フルオロカーボン系樹脂、ベンゾシクロブテ
ン系樹脂、フッ化ポリアリルエーテル系樹脂などが挙げ
られる。また、かかる樹脂は１種類でも２種類以上の混
合物でもよい。より優れた電気絶縁特性を与えるには硬
化後シリカとなり得る樹脂が好ましい。また、シリカ前
駆体樹脂の中でも、ノンエッチバック工程で使用し得る
水素シルセスキオキサン樹脂が特に好ましい。本発明に
使用される水素シルセスキオキサン樹脂は式：ＨＳｉＯ
3/2で示される３官能性シロキサン単位を主骨格とする
ポリシロキサンであり、一般式：（ＨＳｉＯ3/2）n（式
中、ｎは整数である。）で表されるポリマーである。か
かる、水素シルセスキオキサン樹脂はその分子構造によ
りラダー型と呼ばれるポリシロキサンとケージ型と呼ば
れるポリシロキサンがあり、ラダー型ポリシロキサンに
おいては、その末端は、例えば、水酸基，トリメチルシ
ロキシ基等のトリオルガノシロキシ基、ジメチルハイド
ロジェンシロキシ等のトリオルガノハイドロジェンシロ
キシ基により封鎖されている。
【０００６】かかる水素シルセスキオキサン樹脂の製造
方法は知られており、一般には、トリクロロシランを加
水分解し、重縮合することにより製造される（特公昭４
７−３１８３８号公報，特開昭５９−１８９１２６号公
報および特開昭６０−４２４２６号公報参照）。
【０００７】本発明に使用される（Ｂ）成分の溶剤は、
上記（Ａ）成分を溶解し、化学変化を起こさないもので
あれば特に限定されない。かかる溶剤としては、トルエ
ン，キシレン等の芳香族系溶剤、ヘキサン，ヘプタン，
オクタン等の脂肪族系溶剤、メチルエチルケトン，メチ
ルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル，酢
酸イソアミル等の脂肪族エステル系溶剤、ヘキサメチル
ジシロキサン，１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン等の鎖状メチルシロキサン、１，１，３，３，５，
５，７，７−オクタメチルテトラシクロシロキサン，
１，３，５，７−テトラメチルテトラシクロシロキサン
等の環状シロキサン、テトラメチルシラン，ジメチルジ
エチルシラン等のシラン化合物のシリコーン系溶剤が挙
げらる。これらの中でもメチルイソブチルケトンまたは
シリコーン系溶剤が好ましい。これら溶剤は１種でもよ
いが２種以上混合して用いることもできる。
【０００８】（Ｃ）成分は、（Ａ）成分の樹脂が硬化す
る過程または硬化後に、熱もしくは（Ａ）成分の樹脂と
の相互作用で揮発もしくはガスを発生し、さらに好まし
くは系外に飛散することにより、電気絶縁性薄膜中に空
洞または自由空間を残し、その結果、電気絶縁性薄膜の
低誘電率を低下させる作用をする成分である。（Ｃ）成
分からガスが発生する温度は電気絶縁性薄膜の形成過程
に適合させる必要があるが、０〜８００℃の温度範囲で
あり、好ましくは２５〜４００℃である。溶剤の大半
が、基材へ塗工した直後に蒸発し、しかる後に（Ｃ）成
分からのガス発生が起きることが好ましいので、（Ｃ）
成分からのガス発生の開始温度は（Ｂ）成分の溶剤の沸
点よりも高いことが好ましい。かかる（Ｃ）成分を例示
すると、揮発しうる成分としては、ビフェニル、ナフタ
レン、アントラセン等の固体有機物、シリコーンオイル
等のオイル状物等が例示される。（Ａ）成分樹脂として
水素シルセスキオキサン樹脂を用いる場合は相溶性の点
でシリコーンが好ましい。自らが分解してガスを発生す
る成分としては、過酸化ベンゾイル等の有機過酸化物等
が例示される。樹脂との相互作用によりガスを発生する
成分としては、例えば、樹脂がＳｉＨ基をもつ場合は、
N,N,N′,N′ーテトラメチルー１,６ーヘキサンジアミン等
のアミン類が例示される。この場合は水素ガスが発生す
る。
【０００９】（Ｄ）成分は必要に応じて使用される成分
であり、（Ａ）成分を、より低温で部分架橋させておく
必要があるときに使用される。かかる触媒としては、
（Ａ）成分として水素シルセスキオキサン樹脂を用いる
場合は塩化白金酸等の白金系触媒もしくはロジウム系の
触媒が好ましい。これらの触媒は、一般に、(Ａ)成分１
００万重量部に対して１〜５００重量部の範囲内で使用
される。さらに本発明の組成においては、場合により、
（Ｃ）成分の分散を助けるために界面活性剤等の安定剤
の助剤が含まれてもよい。
【００１０】以上のような本発明の電気絶縁性薄膜形成
用組成物において、(Ａ)成分として水素シルセスキオキ
サン樹脂を使用した場合はこれを加熱することにより電
気絶縁薄膜、例えば、シリカ薄膜を形成する。尚、本発
明に言うシリカとは二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を意味
し、これには無定形のシリカおよびシラノール基および
／または水素原子を完全には欠失していないアモルファ
スシリカも含まれる。また、上述したセラミック前駆体
等を添加配合した場合には、これらの化合物を含有する
ものも含まれる。
【００１１】本発明の方法において使用される基材とし
ては、セラミック基材，各種金属基材，電子デバイスが
例示される。これらの中でも本発明の組成物を適用する
に好適とされる基材は電子デバイスである。
【００１２】次に、本発明の絶縁薄膜の成形方法につい
て説明する。本発明の絶縁薄膜の形成方法の１つは
「（Ａ）電気絶縁性・硬化性の無機樹脂もしくは有機樹
脂、（Ｂ）溶剤および（Ｃ）０〜８００℃の温度範囲で
熱もしくは（Ａ）成分の樹脂との相互作用で揮発もしく
はガスを発生し得る、溶剤に可溶な１種または２種以上
の物質［ただし、（Ｂ）成分に使用される溶剤は除く］
からなることを特徴とする電気絶縁性薄膜形成用組成物
を基材表面に塗布し、次いで、前記（Ｂ）成分の溶剤を
蒸発させ、しかる後に前記基材を加熱し、前記（Ａ）成
分の樹脂が硬化する過程または硬化後に（Ｃ）成分から
ガスを発生させることを特徴とする電気絶縁性薄膜の形
成方法。」である。
【００１３】この方法においては、上記のような(Ａ)成
分〜(Ｃ)成分からなる電気絶縁性薄膜形成用組成物を基
材表面に塗布し、次いで、前記(Ｂ)成分の溶剤を蒸発さ
せ、しかる後に前記基材を加熱し、前記(Ａ)成分の樹脂
が硬化する過程または硬化後に（Ｃ）成分からガスを発
生させるのであるが、塗布方法としてはスピンコーティ
ング法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、フローコティング法が例示される。また、(Ｂ)成分
を蒸発させる方法としては特に限定されず、常温あるい
は加熱下に放置して風乾させる方法、減圧下におく方
法、風を吹き付ける方法が例示される。尚、塗布方法と
してスピンコーティング法を使用させる場合には、回転
により溶剤が飛散するので乾燥時間は一般に必要ではな
い。加熱温度は(Ｂ)成分をガス化させ得る温度であれば
よく、特に限定されない。ただし、目的により電気絶縁
性薄膜に基材の溶融平坦化を求める場合には、前記(Ａ)
成分の融点より高い温度条件下で加熱することが必要で
ある。また、この加熱に際して用いられる手段としては
特に限定されず、加熱炉、ホットプレート等一般に知ら
れている加熱装置が使用可能である。本発明の製造方法
においては、(Ｂ)成分がガス化し、その一部が系外に飛
散することにより電気絶縁薄膜中に空洞、多孔性構造も
しくは自由空間を作り出すことができる。
【００１４】また本発明の電気絶縁性薄膜の成形方法の
もう１つの方法は「（Ａ）電気絶縁性・硬化性の無機樹
脂もしくは有機樹脂、（Ｂ）溶剤および（Ｃ）０〜８０
０℃の温度範囲で熱もしくは（Ａ）成分の樹脂との相互
作用で揮発もしくはガスを発生し得る、溶剤に可溶な１
種または２種以上の物質［ただし、（Ｂ）成分に使用さ
れる溶剤は除く］からなることを特徴とする電気絶縁性
薄膜形成用組成物を基材表面に塗布し、次いで、前記
（Ｂ）成分の溶剤を蒸発させ、しかる後に前記基材を加
熱し、（Ｃ）成分からのガスの発生が完結する温度より
も低温で、（Ａ）成分の樹脂を部分的に硬化し、しかる
後に（Ｃ）成分からのガス化を完結させることを特徴と
する電気絶縁性薄膜の形成方法。」である。
【００１５】この方法においていは、上記のような(Ａ)
成分〜（Ｃ）成分からなる電気絶縁性薄膜形成用組成物
を基材に塗布して、次いで、前記(Ｂ)成分の溶剤を蒸発
させ、しかる後に前記基材を加熱するのであるが、ここ
での溶剤を蒸発させる方法、また加熱方法は前記下本発
明の第１の方法と同じである。
【００１６】次いで、（Ｃ）成分からのガスの発生が完
結する温度より低温で、(Ａ)成分の樹脂を部分的に硬化
し、しかる後に（Ｃ）成分からのガス化を完結させるの
であるが、(Ａ)成分の樹脂を部分的に硬化させる方法と
しては、(Ａ)成分が硬化する温度条件下に所定時間静止
する方法、紫外線、電子線を照射する方法等がある。ま
た、（Ｃ）成分からのガス化を完結させる方法として
は、前記基材を減圧下に加熱する方法が例示される。
【００１７】以上のような本発明の電気絶縁性薄膜形成
用組成物は、硬化後低い比誘電率を有する電気絶縁性薄
膜になり得るので、かかる特性が要求される用途に使用
される。特に半導体デバイスの層間電気絶縁性薄膜用組
成物として有用である。
【００１８】
【実施例】以下、実施例および比較例にて本発明をより
詳細に説明する。尚、実施例中、シリカへの転化性に関
してはフーリエ変換赤外線吸収分光分析により、膜中の
残存ＳｉＨ％を測定し判断した。ここで残存ＳｉＨ％は
スピンコート後のＳｉＨ量を１００％としたものであ
る。比誘電率は比抵抗値１０-2Ω・cmのシリコンウエハ
上に形成した試料を用い温度２５℃、１メガヘルツの条
件下で測定した。測定はアルミ電極を形成してサンドイ
ッチ方式でインピーダンスアナライザを用いて行った。
【００１９】
【実施例１】特公昭４７−３１８３８号公報第３頁実施
例１に記載の方法に従って水素シルセスキオキサン樹脂
を合成した。得られた水素シルセスキオキサン樹脂をＧ
ＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を使
用して分析したところ、このものは数平均分子量が１,
５４０であり、重量平均分子量が７,７０５であった。
この水素シルセスキオキサン樹脂を特開平６−１５７７
６０号公報第５頁実施例１に記載の方法に従って、分子
量分別した。得られたフラクションの水素シルセスキオ
キサン樹脂をＧＰＣを使用して分析したところ、このも
のは数平均分子量５,８３０、重量平均分子量１１,２０
０であった。ＧＰＣの測定条件は以下の通りである。 装置；東ソー製、８０２Ａ カラム；Ｇ３０００／Ｇ４０００／Ｇ５０００／Ｇ６０
００ キャリア溶媒；トルエン カラム温度；３０℃ 分子量標準；ポリスチレン 検知方式；示差屈折率 サンプル；固形分２重量％（トルエン溶媒） このフラクションをメチルイソブチルケトンに溶解し、
固形分２２重量％の溶液とした。これに、先の溶液に対
し１０重量％のビフェニル、およびフラクションに対し
１００重量ｐｐｍの塩化白金酸・六水和物を添加した。
この溶液をシリコンウエハ上に、前回転５００ｒｐｍ／
３秒、次いで本回転３,０００ｒｐｍ／１０秒にてスピ
ンコートし、さらに室温で１０分放置し、６,４００Å
の膜厚を形成した。このウエハを石英炉中で空気気流下
で２５０℃／１時間焼成し、一旦取りだし、室温で１０
分放置した。この状態では膜のメチルイソブチルケトン
への溶解性はスピンコート後よりも低下していた。次い
でこのウエハを石英炉中で、酸素が１０ｐｐｍ含まれる
窒素気流下で４００℃／１時間アニールした後、取りだ
し、室温で１０分放置した。膜中の残存ＳｉＨ％は７８
％であり、シリカへ転化したことが分かった。また、ク
ラックその他膜の異常は認められなかった。このシリカ
薄膜の比誘電率は２.４であった。
【００２０】
【実施例２】実施例１で得られたフラクションをメチル
イソブチルケトンに溶解し、固形分２２重量％の溶液と
した。この溶液に対し１０重量ｐｐｍのＮ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’ーテトラメチルー１,６ーヘキサンジアミンを添加し
た。この溶液を調製後直ちにシリコンウエハ上に前回転
５００ｒｐｍ／３秒、次いで本回転３,０００ｒｐｍ／
１０秒にてスピンコートした。この状態では膜のメチル
イソブチルケトンへの溶解性は低かった。さらに室温で
１０分放置し、６,１１０Åの膜厚を形成した。このウ
エハを石英炉中で空気気流下で１００℃／１時間焼成
し、一旦取りだし、室温で１０分放置した。この状態で
は膜のメチルイソブチルケトンへの溶解性はほとんどな
かった。次いでこのウエハを石英炉中で、酸素が１０ｐ
ｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／１時間アニールし
た後、取りだし、室温で１０分放置した。膜中の残存Ｓ
ｉＨ％は３２％であり、シリカへ転化したことが分かっ
た。また、クラックその他膜の異常は認められなかっ
た。このシリカ薄膜の比誘電率は２.４であった。
【００２１】
【実施例３】実施例１で得られたフラクションをメチル
イソブチルケトンに溶解し、固形分２２重量％の溶液と
した。この溶液に対し５０重量ｐｐｍの過酸化ベンゾイ
ルを添加した。この溶液をシリコンウエハ上に前回転５
００ｒｐｍ／３秒、次いで本回転３,０００ｒｐｍ／１
０秒にてスピンコートし、さらに室温で１０分放置し、
６,１００Åの膜厚を形成した。このウエハを石英炉中
で空気気流下で１５０℃／１時間焼成し、一旦取りだ
し、室温で１０分放置した。この状態では膜のメチルイ
ソブチルケトンへの溶解性はスピンコート後よりも低下
していた。次いでこのウエハを石英炉中で、酸素が１０
ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／１時間アニール
した後、取りだし、室温で１０分放置した。膜中の残存
ＳｉＨ％は４１％であり、シリカへ転化したことが分か
った。また、クラックその他膜の異常は認められなかっ
た。このシリカ薄膜の比誘電率は２.４であった。
【００２２】
【実施例４】PROCEEDINGS TWELFTH INTERNATIONAL VLSI
MULTILEVEL INTERCONNECTION CONFERENCE，１９９５，
頁１１６に記載の方法に従ってフッ素化ポリアリルエー
テル樹脂を合成した。得られた樹脂をＧＰＣを使用して
分析したところ、このものは数平均分子量が２,５４０
であり、重量平均分子量が９,３９０であった。この樹
脂をメチルイソブチルケトンに溶解し、固形分２６重量
％の溶液とした。これに、先の溶液に対し１０重量％の
ビフェニルを添加した。この溶液をシリコンウエハ上
に、前回転５００ｒｐｍ／３秒、次いで本回転３,００
０ｒｐｍ／１０秒にてスピンコートし、さらに室温で１
０分放置し、６,１２０Åの膜厚を形成した。このウエ
ハを石英炉中で空気気流下で２５０℃／１時間焼成し、
一旦取りだし、室温で１０分放置した。この状態では膜
のメチルイソブチルケトンへの溶解性はスピンコート後
よりも低下していた。 次いでこのウエハを石英炉中
で、酸素が１０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／
１時間アニールした後、取りだし、室温で１０分放置し
た。膜のメチルイソブチルケトンへの溶解性はさらに低
下していた。この膜の比誘電率は２.４であった。
【００２３】
【比較例１】実施例１で得られたフラクションをメチル
イソブチルケトンに溶解し、固形分２２重量％の溶液と
した。この溶液をシリコンウエハ上に、前回転５００ｒ
ｐｍ／３秒、次いで本回転３,０００ｒｐｍ／１０秒に
てスピンコートし、さらに室温で１０分放置し、６,０
７８Åの膜厚を形成した。このウエハを石英炉中で、酸
素が１０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／１時間
アニールした後、取りだし、室温で１０分放置した。膜
中の残存ＳｉＨ％は７５％であり、シリカへ転化したこ
とが分かった。また、膜にクラックの発生が認められ
た。このシリカ薄膜の比誘電率は２.８であった。
【００２４】
【比較例２】実施例１で得られたフラクションをメチル
イソブチルケトンに溶解し、固形分３５重量％の溶液と
した。この溶液をシリコンウエハ上に、前回転５００ｒ
ｐｍ／３秒、次いで本回転２,０００ｒｐｍ／１０秒に
てスピンコートし、さらに室温で１０分放置し、１３,
２００Åの膜厚を形成した。このウエハを石英炉中で、
酸素が１０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／１時
間アニールした後、取りだし、室温で１０分放置した。
膜中の残存ＳｉＨ％は７５％であり、シリカへ転化した
ことが分かった。また、膜にクラックの発生が認められ
た。このシリカ薄膜の比誘電率は２.８であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明の電気絶縁性薄膜成形用組成物は
（Ａ）電気絶縁性・硬化性の無機樹脂もしくは有機樹
脂、（Ｂ）溶剤および（Ｃ）０〜８００℃の温度範囲で
熱もしくは（Ａ）成分の樹脂との相互作用で揮発もしく
はガスを発生し得る、溶剤に可溶な１種または２種以上
の物質からなるので、硬化後は、低い比誘電率を有する
電気絶縁性薄膜となり得るという特徴を有する。また、
本発明の電気絶縁性薄膜の形成方法はかかる特性を有す
る電気絶縁性薄膜を効率よく形成し得るという特徴を有
する。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｇ (72)発明者 佐々木 基 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 小林 昭彦 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （Ａ）電気絶縁性・硬化性の無機樹脂も
    しくは有機樹脂、（Ｂ）溶剤および（Ｃ）０〜８００℃
    の温度範囲で熱もしくは（Ａ）成分の樹脂との相互作用
    で揮発もしくはガスを発生し得る、溶剤に可溶な１種ま
    たは２種以上の物質［ただし、（Ｂ）成分に使用される
    溶剤は除く］からなることを特徴とする電気絶縁性薄膜
    形成用組成物。
  2. 【請求項２】 （Ａ）成分が、水素シルセスキオキサン
    樹脂である請求項１に記載の電気絶縁性薄膜形成用組成
    物。
  3. 【請求項３】 （Ｃ）成分が、（Ｂ）成分の溶剤の沸点
    よりも高い温度で、熱もしくは（Ａ）成分の樹脂との相
    互作用で揮発および／またはガスを発生し得る物質であ
    る請求項１に記載の電気絶縁性薄膜形成用組成物。
  4. 【請求項４】 さらに（Ｄ）（Ａ）成分の硬化促進触媒
    を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気絶縁性薄
    膜形成用組成物。
  5. 【請求項５】 （Ｄ）成分が、白金化合物または遷移金
    属の化合物である請求項４に記載の電気絶縁性薄膜形成
    用組成物。
  6. 【請求項６】 （Ａ）成分の比誘電気率が２.７以上で
    あり、電気絶縁性薄膜の比誘電率が２.７未満である請
    求項１に記載の電気絶縁性薄膜形成用組成物。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の電気絶縁性薄膜形成用
    組成物を基材表面に塗布し、次いで、前記（Ｂ）成分の
    溶剤を蒸発させ、しかる後に前記基材を加熱し、前記
    （Ａ）成分の樹脂が硬化する過程または硬化後に（Ｃ）
    成分からガスを発生させることを特徴とする電気絶縁性
    薄膜の形成方法。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載の電気絶縁性薄膜形成用
    組成物を基材表面に塗布し、次いで、前記（Ｂ）成分の
    溶剤を蒸発させ、しかる後に前記基材を加熱し、（Ｃ）
    成分からのガスの発生が完結する温度よりも低温で、
    （Ａ）成分の樹脂を部分的に硬化し、しかる後に（Ｃ）
    成分からのガス化を完結させることを特徴とする電気絶
    縁性薄膜の形成方法。
  9. 【請求項９】 基材が電子デバイスである、請求項７ま
    たは請求項８に記載の形成方法。
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