TW419750B - Composition and process for forming electrically insulating thin films - Google Patents

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TW419750B TW087104836A TW87104836A TW419750B TW 419750 B TW419750 B TW 419750B TW 087104836 A TW087104836 A TW 087104836A TW 87104836 A TW87104836 A TW 87104836A TW 419750 B TW419750 B TW 419750B
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Katsutoshi Mine
Takashi Nakamura
Motoshi Sasaki
Kiyotaka Sawa
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Dow Corning Toray Silicone
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Description

M濟部中央樣隼局員工消費合作.杜印策 419750 A7 -_______B7 五、發明説明（i 本發明係關於一種形成電絕緣薄膜之組合物’及一種形 成電絕緣薄膜之方法。更特定言《，本發明係關於形成具 有低介電常數之絕緣薄膜之组合物與方法。 已知砂石之絕緣薄膜係在電子裝置中作為保護層及作為 電絕緣層使用。包含樹脂與溶劑之组合物濕式塗料，係一 般性地且纽地採用於此4請巾。例如，美料利4,756，奶 陳述一種以碎石薄膜塗覆電子裝置之方法，其係將氩珍倍 半氧㈣脂之溶劑溶液塗敷於基材±，蒸發溶㉟，然後在 150°C至聊。(：之溫度下加熱，α達成轉化成似陶竞之梦 石。 當裝置具有縮小之尺寸且變得更高度地整合時，此等絕 緣層需要較低之介電常數。例如，日本應用物理學會及相 關學會第43版擴大摘要，第654頁，摘要26哪已報告藉由氮 矽倍半氧燒樹脂之熟化所獲得薄膜’具有介電常數為Μ。 但是，低，2.7之介電常數為在具有設計尺度比〇ι8微米窄 义下-代高度積體電路中之電絕緣薄膜所需要的。迄今尚 未發現安^且兩度可再現地在適合高度積體電路之電絕緣 薄膜中、例如在碎石薄膜中，產生此種低介電常數之方 法。 ，另一方面，一般已知絕緣薄膜之介電常數’可經由將此 薄膜作成多孔性結構而予降低。例如，美國專利，⑼已 報告經由使用氫㈣半氧燒樹脂之烘烤產物作為高度積體 料中之介電|，以形成具有多孔性結構之絕緣薄膜。但 疋，此項專利並未揭示形成多孔性結構之特定方法。因 -4- 本錄尺度適財ϋϋ家料（CNS )崎格（mx297公瘦 (請先閱請背面之注意事續再填寫本頁) 衣. 419750 A7 -----—______B7 五、發明説明（2 ) 此，，如上文所概述，能夠形成具有低介電常數（例如具有介 電常數實質上低於2.7)之電絕緣薄膜之組合物與方法，迄今 仍然未知。 、本發明（-項目的係為提供一種可製造具有低介電常數 之電絕緣薄膜之組合物與方法。 本發明係關於-種可形成絕緣薄膜之组合物，其包含 ㈧電絕緣可熟化樹脂，選自包括電絕緣可熟化無機樹 脂與電絕緣可熟化有機樹脂， ⑻溶劑：及 (C)至少一種溶劑可溶之物質（排除使用於成份⑻之溶 劑），其在加熱時或經由與樹脂（A)之交互作用’可在 0C至800 C之溫度範圍内產生氣體或進行揮發作用。 該可形成絕緣薄膜之组合物包含 (A) 電絕緣可熟化無機或有機樹脂， (B) 溶劑，及 (C) 至少一種洛劑可溶之物質（排除使用於成份（b)之溶 劑），其在加熱時或經由與樹脂（A)之交互作用，可在〇它 至800 C之溫度範圍内產生氣體或進行揮發作用。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ---------氏------T -'-Ύ-'0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 樹脂（A)可為無機性或有機性，然其並不重要，只要其為 溶劑可溶者、於塗敷後可藉加熱予以熟化、並提供絕緣作 用者即可。此樹脂之實例為烷氧基矽烷之部份水解物，無 機樹脂，譬如矽石先質樹脂、例如氫矽倍半氧烷樹脂；及 聚醯亞胺樹脂，氟碳樹脂，苯并環丁締樹脂及氟化聚烯丙 基醚a此树脂可採取單一樹脂或兩種或多種樹脂混合物之 __ -5- 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29^楚) ' 經濟部中央橾準局員工消費合作社印装 419750 A7 __ _B7 五、發明説明（3 ). 形式。會熟化成矽石之樹脂對於提供特別良好之電絕緣性 質而了係較佳者。於矽石先質樹脂中，特佳係使用於非逆 蚀刻方法中之氫矽倍半氧烷樹脂。 於本發明中使用之氫矽倍半氧烷樹脂為聚矽氧烷，其主 要骨架係由三官能性矽氧烷單位HSi〇3/2所組成，且為一種 具有通式（HSl〇3")n之聚合物，其中下標η為整數。從分子 結構觀點見之，此氫矽倍半氧烷樹脂包括所謂梯型聚矽氧 烷與籠型聚矽氧烷0梯型聚矽氧烷之末端可經由下列基團 封端：例如，羥基，三有機矽烷氧基、譬如三^基矽烷氧 基，或二有機氫矽烷氧基、譬如二甲基氫矽烷氧基。 製備氫矽倍半氧烷樹脂之方法，事實上乃已知，且通常 涉及三氣矽烷之水解作用，及接著進行聚縮合作用（參閱美 國專利第3,615,272號，及日本專利申請案特許公開（公開或 未經審查），特開昭59-189126 (189,120/1984)與特開昭6〇_ 42426 (42,426/1985))。 於本發明中使用之溶劑（Β)應為可溶解樹脂（Α)、然却不會 引致其中之化學變化者，同樣地，其並不重要。可用溶； 之實例為芳族溶劑，譬如甲苯、二甲苯等；脂族溶劑，譬 如己烷、庚烷 '辛烷等；酮溶劑，譬如甲基乙基酮、曱基 異丁基酮等；脂族酯溶劑，譬如醋酸丁酯、醋酸異戍酯 等；及矽酮溶劑，譬如直鏈之曱基矽氧烷，例如六曱基二 矽氧烷與1山3,3-四甲基二矽氧烷，環狀矽氧烷，例: 1，1，3,3,5,5,7,7-八甲基四環矽氧烷與丨，3,5,7•四甲基四環矽氧 烷，及矽烷，譬如四甲基矽烷與二甲基二乙基矽烷。甲基 __ - 6 · 本纸张尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x2^缝) ---— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂 419750 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 五、發明説明（4 ) 異丁基網與珍氧溶劑係為較佳的。此溶劑可採取單一溶劑 或兩種或多種溶劑混合物之形式。 成份（C)之功能在於降低電絕緣薄膜之介電常數。成份（c) 係於樹脂（A)熟化期間或之後’經由產生氣體或進行揮發作 用·較佳亦自系統中排出·以行使此項功能。此氣體產生或 揮發作用，係藉由加熱或與樹脂⑷之交互作用而引致。此 氣體產生或揮發作用，較佳亦自系統中排出，其效應係為 在電絕緣薄膜中留下空隙或自由空間’並藉以較低絕緣薄 膜之介電常數。使氣體自成份（c)產生之溫度，必須可與用 以形成電絕緣薄膜之方法相容，且係在Ot至8〇〇。〇之範圍 内，較佳為25°c至400。(：。由於大部份溶劑會在塗覆於基材 上之後立即蒸發，且自成份（c)產生氣體較佳係於其後發 生，故自成份（C)產生氣體之開始溫度，較佳係高於溶劑⑻ 之沸點。 由成份（C)所涵蓋之揮發物質，舉例如下，但不限於有 機固體’譬如聯;^、秦、慈等，及油類，譬如碎g同油等。 當氩矽倍半氧烷樹脂作為樹脂（A)使用時，矽酮油較佳係以 相容性考量為基礎》 藉由自行分解而產生氣體之成份，舉例如下，但不限 於’有機過氧化物，譬如過氧化二苯甲醯等。 經由與樹脂交互作用而產生氣體之成份，可舉例如下， 胺類’例如N，N，N|，N，-四甲基-l，6-己二胺，當樹脂含有細 時’於此種情況中係產生氫氣。 成份（D)係於視需要之情況下，當其變得必須在相對較低 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Αϋ規格（210X 297公釐} ；----^-----1^ (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 419750 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印掣 五、發明説明（ 溫度下先行引致樹脂（A)之部份交聯時使用。當氫矽倍半氧 烷樹脂作為（A)使用時，成份（D)較佳為鉑觸媒’譬如氫氟 鉑酸或铑觸媒。對每1，000,000重量份之樹脂（A)而言，此等 觸媒通常係於1至500重量份下使用。此外，依特定狀況而 定，一種輔助劑，例如安定劑、譬如界面活性劑，可存在 於组合物中’以幫助成份（c)分散。 S氩硬倍半氧炫樹脂作為（A)使用時，加熱此组合物會造 成電絕緣薄膜之形成，例如矽石薄膜。於本文中使用之妙 石係指二氧化矽（Si〇2),且包括非晶質矽石及未完全不含矽 燒醇及/或氫之非晶質矽石》在添加陶瓷先質之情況中， 此矽石亦含有其相應之化合物。 可使用於根據本發明方法中之基材之實例為陶瓷基材、 各種金屬基材及電子裝置，較佳為電子裝置。 一種形成電絕緣薄膜之方法，包括 ⑴將可形成絕緣薄膜之組合物塗覆於基材之表面，該组合 物包含 / (A) 電絕緣可熟化無機或有機樹脂， (B) 溶劑，及 (C) 至少一種溶劑可溶之物質，排除使用於成份⑻之溶 劑，其在加熱時或經由與樹脂（A)之交互作用，可在〇 °(：至800°(：之溫度範圍内產生氣體或進行揮發作用； (Π)蒸發溶劑（B);及 (III)接著加熱基材，以在該樹脂（A)熟化期間或熟化後，自 成份（C)產生氣體》 -8 - 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (婧先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j I Λ衣·
-'1T 且可舉例如下：靜置於 在減壓下或於氣流下。 由於溶劑係在旋轉期間 419750 A7 B7 五、發明说明（6) 於此方法中，係將包含成份（八）至（(::）之可形成絕緣薄膜之 組合物’塗覆於基材表面上，然後蒸發溶劑（B)，及接著將 基材加熱，以在樹脂⑷熟化期間或熟化後，自成份（c)產 生範體。可應用之塗覆方法之實例為旋轉塗覆、浸潰、喷 霧及流動塗覆。 使溶劑（B)蒸發之技術並不重要 環境或高溫下，及在空氣中乾燥 當使用旋轉塗覆作為塗覆技術時 被逐出’故乾燥時間通常不需要。 加熱溫度並不重要，只要使用可引致成份（c)氣化之溫度 即可。但是’當期望電絕緣薄膜熔解以使基材平面化時， 加熱必須進行至高於樹脂（A)熔點之溫度。再次地，用於此 加熱之裝置並不重要’且一般已知之加熱器譬如烘箱、熱 板等，均可使用於本發明。 於此方法中，係使成份（C)氣化，並將其一部份逐出系 統，其會在電絕緣薄膜中造成相應形成之空隙與多孔性結 構或自由空間。 另一種形成電絕緣薄膜之方法，包括 (I)將可形成絕緣薄膜之組合物塗覆於基衬之表面，該組合 物包含 (A) 電絕緣可熟化無機或有機樹脂， (B) 溶劑，及 (C) 至少一種溶劑可落之物質’排除使用於成份⑻之溶 劑，其在加熱時或經由與樹脂（A)之交互作用，可在〇 -9- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T 經濟部中央標準局員Η消費合作社印袈 - 千 ΪΓ 419750 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（7) °C至800°C之溫度範圍.内產生氣體或進行揮發作用； (Π)蒸發溶劑（B); (III) 接著在溫度低於會自成份（C)提供徹底氣體產生之溫& 下，加熱基材，並達成樹脂（A)之部份熟化；及 (IV) 然後完成自成份（C)之氣體產生。 此方法包括以可形成絕緣薄膜之組合物塗覆基材，該組 合物包含如上述之成份（A)至（C)，接著蒸發溶劑（B)，然後 加熱基材。用以達成溶劑蒸發及加熱之方法，可與上文第 一種方法相同。 然後使樹脂（A)在低於會造成自成份（C)徹底或完全產生氣 體之溫度下部份熟化。在此步驟後，係接著完成自成份（c) 之氣體產生。用以引致此樹脂（A)部份熟化之方法，包括在 成份（A)將會熟化之溫度下靜置一段規定時間，曝露至紫外 線輻射或電子束中等等》自成份（C)產生氣體，可藉由例如 在減壓下加熱基材而完成。 该可形成絕緣薄膜之组合物，具有熟化成低介電常數絕 緣薄膜之能力，且因此可用於需要此種性質之應用上。根 據本發明之組合物，特別可用於半導體裝置中之中間絕緣 薄膜之形成* 宥例 提出下述實例，以使熟悉此項技藝之人士者可瞭解及認 知本文中所陳述之發明，應明瞭的是，此等實例不應用以 限制申請專利範圍中所定義之本發明範圍。 矽石之轉化率係使用F〇urier變換紅外線吸收光譜分析，經 _ -10. 本紙張^度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇x297公缓)"' ----" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 419750 A7 B7 _ 五、發明説明（8)
由度量薄膜中之殘留SiH%加以評估a於薄膜中之殘留SiH % ’係使用旋轉塗覆後之100% SiH量計算而得。 介電常數係於25°C與1百萬赫茲下，對於在具有電阻係數 為1〇·2 Ω · cm之矽晶圓上所形成之試樣進行度量。此度量 法係藉由插入法、使用鋁電極及阻抗分析器進行操作a 膏例1 氩矽倍半氧烷樹脂係藉日本專利公告（K〇k〇ku)特公眧47_ 31838 (美國專利第3,615,272號）之實例1中所述之方法合成。 藉凝膠滲透層析（GPC)分析氫矽倍半氧烷樹脂產物，獲得數 目平均分子量為1，540，及重量平均分子量為77〇5。根據曰 本專利申請案特許公開（公開專利案或未經審查）Hei6_ 157760 (157,760/1"4)(美國專利第5,4i6，l9〇號）之實例i中所述之 方法’使氩碎倍半氧坑樹脂接受分子量分級分離。藉Gpc 为析所回收溶離份（_Ή-樹脂溶離份"）中之氫碎倍半氧虎樹 脂’獲得數目平均分子量為5,830，及重量平均分子量為 U，200。在GPC度量法中之條件為：
儀器：802A，得自Tosoh公司 管柱：G3000/G4000/G5000/G6000 載體溶劑：甲苯 柱溫：30°C 分子量標準物：聚苯乙締 檢測：差示折射計 試樣：2重量％固體（甲苯溶液） 將H-樹脂溶離份溶解於甲基異丁基酮中，以製備^重量 _ -11 - 本紙浪尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210^97公竣)~~~'--- (诗先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I木· Ί訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 419750 A7 B7 9 五、發明説明（ 請 先 閱 讀 背 δ 之 注 意 事 項 再 填 % 本 頁 % (固體）溶液。於其中添加10重量％聯苯，以甲基異丁基 酮溶液為基準，以及1〇〇 ppm重量之氩氣鉑酸六水合物以 H-樹脂溶離份為基準。製造具有6,4〇〇埃厚度之薄膜，其方 式是將溶液旋轉塗覆於矽晶圓上’在5〇〇rpm之初步旋轉下 歷經3秒，然後在3,〇〇〇 rpm之主要旋轉下歷經1〇秒，接著在 室溫下靜置ίο分鐘。將晶圓於空氣流中、在25(rc石英烘箱 中烘烤1小時’移除並使其在室溫下靜置1〇分鐘。此時， 薄膜在甲基異丁基酮中之溶解度係低於旋轉塗覆後者。使 晶圓在400°C石英烘箱中、於含丨〇 ppm氧之氮氣流下退火丨小 時’取出I使其在室溫下靜置丨〇分鐘。在薄膜中之殘留别只 %為78%，確認轉化至矽石確已發生。於薄膜中未發現異 常、意即裂缝等《此矽石薄膜之介電常數為24。 f例2 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 使實例1中製成之溶離份’溶解於甲基異丁基酮中，以製 備22重1%(固體）溶液。於其中添加卯爪重量之n，n，N, N，· 四甲基-1，6-己二胺’以甲基異丁基酮溶液為基準。在其製 備後’ 1即將此溶液旋轉塗覆於碎晶圓上，在印⑺之初 步旋轉下歷經3秒，然後在3,〇〇〇 rpm之主要旋轉下歷經 秒。此時薄膜在甲基異丁基酮中顯示低溶解度。在室溫下 靜置10分鐘，獲得具有6，11〇埃厚度之薄膜。將晶圓於空氣 流下、在〗00°C石英烘箱中烘烤1小時，移除並使其在室溫 下靜置10分鐘。此時，薄膜顯示在甲基異丁基酮申幾乎無 溶解。然後，使晶圓在400°C石英烘箱中，於含10 ppm氧之 氮氣流下退火1小時，取出並使其在室溫下靜置1〇分鐘。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨ΟΧ297公爱） /Π 9750 Α7 Β7 五、發明説明（1〇) 在薄膜t之殘留siH%為32%，確認轉化至矽石確已發生β 於薄膜中未發現異常、意即裂縫等。此矽石薄膜之介電常 數為2.4。 將實例1中所製成之Η-樹脂溶離份溶解於甲基異丁基酬 中’以製備22重量％ (固體）溶液。於其中添加5〇 ppm重量 之過氧化二苯甲醯，以甲基異丁基酮溶液為基準。製造具 有6，100埃厚度之薄膜，其方式是將溶液旋轉塗覆於矽晶圓 上，在500 rpm之初步旋轉下歷經3秒，然後在3 〇〇〇印⑺之主 要旋轉下歷經10秒，接著在室溫下靜置丨〇分鐘β將晶圓於 芝氣流下，在15〇eC石英烘箱中烘烤1小時，移除並使其在 至m下靜置1〇分鐘。此時，薄膜在甲基異丁基辆中之溶解 度係低於旋轉塗覆後者。使晶圓在4〇〇它石英烘箱中、於含 10 ppm乳之氮氣流下退火1小時，取出並使其在宣溫下靜置 10分鐘。在薄膜中之殘留SiH%為41%，確認轉化至矽石確 已發生》於薄膜中未發現異常、意即裂縫等。此矽石薄膜 之介電常數為2.4。 實例4 氟化聚缔丙基醚樹脂，係根據第十二屆國際几幻多階互 連會議之1995會刊第U6頁上所述之方法合成。藉Gpc分析 才4脂產物’獲得數目平均分子量為2,54〇，及重量平均分子 量為9,390。使此樹脂溶解於甲基異丁基酮中，以製備％重 量％ (固體）溶液。於其中添加1〇重量％聯苯，以曱基異丁 基嗣溶液為基準。製備具有6，120埃厚度之薄膜，其方式是 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 419750 A7 B7 五、發明説明（Μ) {請先聞讀背面之注意事項再填舄本頁} 將溶液旋轉塗覆於妙晶回上’在500 rpm之初步旋轉下歷經3 秒，然後在3,000 rpm之主要旋轉下歷經1〇秒，接著在室溫下 靜置10分鐘。將晶圓於空氣流下，在250°C石英烘箱中烘烤 1小時，移除並使其在室溫下靜置1〇分鐘。此時，薄摸在 甲基異丁基酮中之溶解度係低於旋轉塗覆後。使晶圓在4〇〇 C石英烘箱中、於含1〇 ppm氧之氮氣流下退火1小時，取出 並在室溫下保持10分鐘，發現薄膜在甲基異丁基酮中之溶 解度已遭受進一步減退β此薄膜具有介電常數為2 4。 典較實例τ 將實例1中所製成之H-樹脂溶離份溶解於甲基異丁基_ 中’以製備22重量％(固體）溶液。製造具有6,078埃厚度之 薄膜’其方式是將溶液旋轉塗覆於矽晶圓上，在5〇〇 rpm之 初步旋轉下歷經3秒，然後在3,〇〇〇 φΙΏ之主要旋轉下歷經1〇 秒’接著在室溫下靜置10分鐘β使晶圓在40〇°C石英烘箱 中、於含10 ppm氧之氮氣流下退火1小時，取出並使其在室 溫下保持10分鐘。在薄膜中之殘留SiH%為75%，確認轉化 至石夕石確已發生，於薄膜中發現裂縫之產生。此矽石薄膜 之介電常數為2.8。 绥濟部中央標準局員工消費合作社印装 比較實W 2 將實例1中所製成之H-樹脂溶離份溶解於甲基異丁基酮 中’以製備35重量％(固體）溶液。製造具有13,200埃厚度之 薄膜*其方式是將溶液旋轉塗覆於矽晶圓上，在500 rpm之 初步旋轉下歷經3秒，然後在2,000 rpm之主要旋轉下歷經1〇 秒’接著在室溫下靜置1〇分鐘。使晶圓在400t石英烘箱 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210.X 297公釐) 4^9750 A7 B7 12 五、發明説明（ 中、於含10 ppm氧之氮氣流下退火1小時，取出並在室溫下 保持10分鐘。在薄膜中之殘留SiH%為75% ,確認轉化至碎 石確已發生’於薄膜中發現裂縫產生。此 常數為2‘卜 此砂石薄膜之介電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

  1. 419T50 A8 B8 C8 D8 洛劑（B)為嗣溶 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 中請專利範圍 ι 一種形成電絕緣薄膜之組合物，其包含 (A)電絕緣可熟化樹脂’選自電絕緣可熟化無機樹脂 電絕緣可熟化有機樹脂， 5 ⑻溶劑，及 (C)至少一種溶劑可溶之物質，選自 (1)在0 C至80(TC之溫度下加熱時會產生氣體之物質. (H)經由與樹脂（A)之交互作用會產生氣體之物質，或 (iii)在〇t至800eC範圍之溫度下進行揮發作用之物質' 2.如申請專利範圍第丨項之組合物，其中樹脂（⑸為氫矽倍 半氧烷樹脂·> ° 3·如申請專利範園第丨項之組合物，其中溶劑係選自由芳 族溶劑；脂族溶劑；酮溶劑；脂族酯溶劑；矽氧溶劑及 妙燒所组成之群。 4.如申請專利範圍第1項之組合物，其中 劑D 5. 如申請專利範圍第4項之組合物，其中溶劑為甲基異丁 基酮。 6. 如申請專利範圍第丨項之組合物，其中溶劑為矽氧溶 劑。 7. 如申請專利範圍第i項之組合物，其另外包含（D)熟化· 加速觸媒。 8. 如申請專利範圍第7項之组合物，其中（D)係選自鉑化合 物或過渡金屬化合物。 9·如申請專利範圍第1項之組合物，其中成份（c)為（i)在〇 -16- 本紙張尺度適用申國圉家樣隼（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） In - ------ -HI. ]— I I - --- - I I Γ Ηςτ f請先閲碛背面之注意事項再填本I} 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印装 Α8 Β8 C8 D8 π、申請專利範圍 °C至80(TC之溫度下加熱時會產生氣體之物質。 10.如申請專利範圍第9項之組合物，其中成份（c)為有機過 氧化物》 Η.如申請專利範園第i項之组合物，其中成份（c)為⑼經由 與樹脂（A)之交互作用會產生氣體之物質。 12.如申清專利範圍第丨丨項之組合物，其中樹脂（八）為氫矽 倍半氧烷樹脂，而成份（C)為胺。 13·如申請專利範圍第1項之组合物，其中成价(C)為（iii)在〇 C至800°C範圍之溫度下進行揮發之物質β Μ.如申請專利範圍第13項之组合物，其中成份（c)係選自 由聯苯、莕、蒽及碎酮油所組成之群。 15. —種形成電絕緣薄膜之方法，其包括 (I) 將申請專利範圍第1項之電絕緣組合物塗覆於基材 之表面； (II) 蒸發溶劑（B);及 (III) 接著加熱基材，以在該樹脂（A)熟化期間或熟化後， 自成份（C)產生氣體。 16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中基材為電子裝置β 17·如申請專利範圍第15項之方法，其中樹脂（Α)為氫矽倍 半氧燒樹脂。 18· —種形成電絕緣薄膜之方法，其包括 (I)以可形成絕緣薄膜之組合物塗覆基材之表面，該組 合物包含 (Α)電絕緣可熟化無機或有機樹脂， ____-17- 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） I - —II · 私 I - I H (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1· ο 5 7 9 41 ABCD 六、申請專利範園 (B)溶劑，及 (c)至少一種溶劑可溶之物質，排除使用於成份（B)之 溶劑’其在加熱時或經由與樹脂（A)之交互作用， 可在〇 C至800°c之溫度範圍内產生氣體或進行揮發 作用； Λ (Π)蒸發溶劑（Β); (III) 接著在溫度低於會自成份（c)提供徹底氣體產生之溫 度下’加熱基材’並達成樹脂之部份熟化；及 (IV) 然後完成自成份（c)之氣體產生。 19. 如申請專利範圍第〖8項之方法，其中基材為電子裝置。 20. 如申請專利範圍第18項之方法，其中樹脂（A)為氫矽倍 半氧烷樹脂》 一， f請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) M濟部中央標準局員工消費合作社印製 I張 -紙 本 準 標 家 國 國 中 用 適 8 1 釐 公 7 ft T.t 印 申請曰期 II 案 號 87104836 ., 類 別 it Tr/tvxfT (以上各櫊由本局填註）
    Λ4 C4 419750 ^/^9^6月說明書修正本 雲I專利説明書 發明 新型 發明 創作
    形成電絕緣薄膜之組合物及方法 英文 COMPOSITION AND PROCESS FOR FORMING ELECTRICALLY INSULATING THIN FILMS 姓 名 國 籍 住、居所
    i國籍 住，居所 (事務所）
    彦 司昭利I林勝村 1* 9- οα 4. 佐佐木基 5. 澤清隆 裝 1,2·3·4·5‘均曰本 1. 曰本國千葉縣市原市西柚須台1丁目6號 2. 曰本國千葉縣市原市青葉台2丁目20-2 3. 曰本國千葉縣市原市東立見台3丁目1-14 4. 曰本國千葉縣市原市茅原台4-55-1 5. 曰本國千葉縣市原市西柚須台1 丁目6號 曰本商道康寧特雷矽力康股份有限公司 曰本 曰本國東京都千代田區丸之内1-1-3 AIG大道4樓 田邊英一 本纸张足度適圬中確w家捸準（) Λ4ϋ格（2丨(丨公斧 訂 線
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