JP3153367B2 - ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法 - Google Patents
ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法Info
- Publication number
- JP3153367B2 JP3153367B2 JP33810392A JP33810392A JP3153367B2 JP 3153367 B2 JP3153367 B2 JP 3153367B2 JP 33810392 A JP33810392 A JP 33810392A JP 33810392 A JP33810392 A JP 33810392A JP 3153367 B2 JP3153367 B2 JP 3153367B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyhydrogensilsesquioxane
- molecular weight
- solvent
- polar solvent
- active hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/32—Post-polymerisation treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/32—Post-polymerisation treatment
- C08G77/36—Fractionation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリハイドロジェンシ
ルセスキオキサンの分子量分別方法に関し、詳しくは、
任意の分子量を有し、貯蔵安定性に優れたポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンを再現性よく分子量分別する
ことができるポリハイドロジェンシルセスキオキサンの
分子量分別方法に関する。
ルセスキオキサンの分子量分別方法に関し、詳しくは、
任意の分子量を有し、貯蔵安定性に優れたポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンを再現性よく分子量分別する
ことができるポリハイドロジェンシルセスキオキサンの
分子量分別方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリハイドロジェンシルセスキオキサン
は、一般式： （ＨＳｉＯ3/2）n （式中、ｎは整数である。）で示される、ラダー型もし
くはケージ型の水素置換ポリシロキサンであり、分子中
のケイ素原子結合水素原子の反応性を利用して、このポ
リハイドロジェンシルセスキオキサンに種々の有機官能
基を導入したり、有機樹脂等の基材に結合させたりする
ことができる。また、ポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンは、分子中に有機基を含有しないため、これを自
己縮合して得られるシリカが耐熱性および電気絶縁性に
優れているという特徴を有している。このようなポリハ
イドロジェンシルセスキオキサンは、一般に、トリクロ
ロシランもしくはトリアルコキシシランを加水分解し、
かつ縮重合することにより得られ（特公昭４７−３１８
３８号公報、特開昭５９−１８９１２６号公報、特開昭
６０−４２４２６号公報および特開昭６０−８６０１７
号公報参照）、得られたポリハイドロジェンシルセスキ
オキサンは、数百から数十万までの分子量分布を有する
混合物であり、また製造工程で使用された反応触媒の残
渣、反応容器から溶出したアルカリイオン、重金属イオ
ンその他のイオン性不純物を多く含有していた。
は、一般式： （ＨＳｉＯ3/2）n （式中、ｎは整数である。）で示される、ラダー型もし
くはケージ型の水素置換ポリシロキサンであり、分子中
のケイ素原子結合水素原子の反応性を利用して、このポ
リハイドロジェンシルセスキオキサンに種々の有機官能
基を導入したり、有機樹脂等の基材に結合させたりする
ことができる。また、ポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンは、分子中に有機基を含有しないため、これを自
己縮合して得られるシリカが耐熱性および電気絶縁性に
優れているという特徴を有している。このようなポリハ
イドロジェンシルセスキオキサンは、一般に、トリクロ
ロシランもしくはトリアルコキシシランを加水分解し、
かつ縮重合することにより得られ（特公昭４７−３１８
３８号公報、特開昭５９−１８９１２６号公報、特開昭
６０−４２４２６号公報および特開昭６０−８６０１７
号公報参照）、得られたポリハイドロジェンシルセスキ
オキサンは、数百から数十万までの分子量分布を有する
混合物であり、また製造工程で使用された反応触媒の残
渣、反応容器から溶出したアルカリイオン、重金属イオ
ンその他のイオン性不純物を多く含有していた。
【０００３】このような、広い分子量分布を有するポリ
ハイドロジェンシルセスキオキサンを半導体素子の層間
絶縁材等のマイクロエレクトロニクス用シリカ薄膜形成
剤として使用した場合には、得られたシリカ薄膜に亀裂
が生じる等の問題があった。また、イオン性不純物等の
不純物を含有するポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンは、これをマイクロエレクトロニクス用途に使用する
ことはできなかった。このため、任意の分子量分布を有
するポリハイドロジェンシルセスキオキサンに分子量分
別することが必要であり、さらにイオン性不純物等の不
純物を減少させることが必要であった。
ハイドロジェンシルセスキオキサンを半導体素子の層間
絶縁材等のマイクロエレクトロニクス用シリカ薄膜形成
剤として使用した場合には、得られたシリカ薄膜に亀裂
が生じる等の問題があった。また、イオン性不純物等の
不純物を含有するポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンは、これをマイクロエレクトロニクス用途に使用する
ことはできなかった。このため、任意の分子量分布を有
するポリハイドロジェンシルセスキオキサンに分子量分
別することが必要であり、さらにイオン性不純物等の不
純物を減少させることが必要であった。
【０００４】オルガノシルセスオキオキサンの分子量分
別方法として、例えば、最大平均分子量を可溶限とする
有機溶剤と分別する最小平均分子量を可溶限とする有機
溶剤を添加するオルガノシルセスキオキサンの分子量分
別方法（特開昭６１−１２７７３２号公報参照）が提案
されている。しかし、特開昭６１−１２７７３２号公報
により提案された分子量分別方法では、ポリハイドロジ
ェンシルセスキオキサン中のケイ素原子結合水素原子の
反応性が高いため、特定の溶剤、例えば、アルコール，
アミン，メルカプタンを使用することはできず、またオ
ルガノポリシルセスキオキサンとポリハイドロジェンシ
ルセスキオキサンの各種溶剤に対する溶解挙動が異なる
ため適用できないという問題があった。さらに、特開昭
６１−１２７７３２号公報により提案された方法では、
任意の分子量分布を有するポリハイドロジェンシルセス
キオキサンを得るためには、数種の溶剤を組み合わせる
ことが必要であり、また多量の溶剤を使用する必要があ
るため、分子量分別の再現性および効率が悪く、得られ
たポリハイドロジェンシルセスキオキサンの収率が著し
く低下するという問題があった。
別方法として、例えば、最大平均分子量を可溶限とする
有機溶剤と分別する最小平均分子量を可溶限とする有機
溶剤を添加するオルガノシルセスキオキサンの分子量分
別方法（特開昭６１−１２７７３２号公報参照）が提案
されている。しかし、特開昭６１−１２７７３２号公報
により提案された分子量分別方法では、ポリハイドロジ
ェンシルセスキオキサン中のケイ素原子結合水素原子の
反応性が高いため、特定の溶剤、例えば、アルコール，
アミン，メルカプタンを使用することはできず、またオ
ルガノポリシルセスキオキサンとポリハイドロジェンシ
ルセスキオキサンの各種溶剤に対する溶解挙動が異なる
ため適用できないという問題があった。さらに、特開昭
６１−１２７７３２号公報により提案された方法では、
任意の分子量分布を有するポリハイドロジェンシルセス
キオキサンを得るためには、数種の溶剤を組み合わせる
ことが必要であり、また多量の溶剤を使用する必要があ
るため、分子量分別の再現性および効率が悪く、得られ
たポリハイドロジェンシルセスキオキサンの収率が著し
く低下するという問題があった。
【０００５】また、オルガノポリシロキサンを精製して
イオン性不純物を除去する方法としては、一般に、該オ
ルガノポリシロキサンを水洗する方法が知られている
が、ポリハイドロジェンシルセスキオキサン中のケイ素
原子結合水素原子の反応性が高いため、ポリハイドロジ
ェンシルセスキオキサンを水洗する際、ゲル化を生じる
という問題があった。
イオン性不純物を除去する方法としては、一般に、該オ
ルガノポリシロキサンを水洗する方法が知られている
が、ポリハイドロジェンシルセスキオキサン中のケイ素
原子結合水素原子の反応性が高いため、ポリハイドロジ
ェンシルセスキオキサンを水洗する際、ゲル化を生じる
という問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記問
題を解決するため鋭意検討した結果、本発明に到達し
た。
題を解決するため鋭意検討した結果、本発明に到達し
た。
【０００７】すなわち、本発明の目的は、任意の分子量
を有し、貯蔵安定性に優れたポリハイドロジェンシルセ
スキオキサンを再現性よく分子量分別することができる
ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方
法を提供することにある。
を有し、貯蔵安定性に優れたポリハイドロジェンシルセ
スキオキサンを再現性よく分子量分別することができる
ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段およびその作用】本発明
は、ポリハイドロジェンシルセスキオキサンを活性水素
を有しない非極性溶剤に溶解し、この溶液に活性水素を
有しない極性溶剤を添加して該ポリハイドロジェンシル
セスキオキサンを分子量分別する方法において、該非極
性溶剤と該極性溶剤との混合比により、溶解できる該ポ
リハイドロジェンシルセスキオキサンの平均分子量の上
限を調節することを特徴とするポリハイドロジェンシル
セスキオキサンの分子量分別方法、および、ポリハイド
ロジェンシルセスキオキサンを活性水素を有しない非極
性溶剤に溶解し、この溶液に活性水素を有しない極性溶
剤を添加して目的の平均分子量をこえるポリハイドロジ
ェンシルセスキオキサンを沈降させて除去し、次いで該
ポリハイドロジェンシロキサンを除去後の溶液に該極性
溶剤を添加して、目的の平均分子量を有するポリハイド
ロジェンシルセスキオキサンを沈降させることにより得
ることを特徴とするポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンの分子量分別方法に関する。
は、ポリハイドロジェンシルセスキオキサンを活性水素
を有しない非極性溶剤に溶解し、この溶液に活性水素を
有しない極性溶剤を添加して該ポリハイドロジェンシル
セスキオキサンを分子量分別する方法において、該非極
性溶剤と該極性溶剤との混合比により、溶解できる該ポ
リハイドロジェンシルセスキオキサンの平均分子量の上
限を調節することを特徴とするポリハイドロジェンシル
セスキオキサンの分子量分別方法、および、ポリハイド
ロジェンシルセスキオキサンを活性水素を有しない非極
性溶剤に溶解し、この溶液に活性水素を有しない極性溶
剤を添加して目的の平均分子量をこえるポリハイドロジ
ェンシルセスキオキサンを沈降させて除去し、次いで該
ポリハイドロジェンシロキサンを除去後の溶液に該極性
溶剤を添加して、目的の平均分子量を有するポリハイド
ロジェンシルセスキオキサンを沈降させることにより得
ることを特徴とするポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンの分子量分別方法に関する。
【０００９】本発明のポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンの分子量分別方法について詳細に説明する。
キサンの分子量分別方法について詳細に説明する。
【００１０】本発明の分子量分別方法により分別するポ
リハイドロジェンシルセスキオキサンは、一般式： （ＨＳｉＯ3/2）n （式中、ｎは整数である。）で示され、特にその構造は
限定されない。このようなポリハイドロジェンシルセス
キオキサンは、一般に、ラダー型もしくはケージ型と呼
ばれるシロキサンであり、ラダー型のポリハイドロジェ
ンシルセスキオキサンにおいて、その分子鎖末端の基は
特に限定されず、例えば、水酸基，トリオルガノシロキ
シ基，ジオルガノハイドロジェンシロキシ基が挙げられ
る。また、このようなポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンの分子量は特に限定されない。
リハイドロジェンシルセスキオキサンは、一般式： （ＨＳｉＯ3/2）n （式中、ｎは整数である。）で示され、特にその構造は
限定されない。このようなポリハイドロジェンシルセス
キオキサンは、一般に、ラダー型もしくはケージ型と呼
ばれるシロキサンであり、ラダー型のポリハイドロジェ
ンシルセスキオキサンにおいて、その分子鎖末端の基は
特に限定されず、例えば、水酸基，トリオルガノシロキ
シ基，ジオルガノハイドロジェンシロキシ基が挙げられ
る。また、このようなポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンの分子量は特に限定されない。
【００１１】ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの
製造方法は特に限定されず、その製造方法としては、例
えば、トリクロロシランもしくはトリアルコキシシラン
を加水分解し、かつ縮重合する方法（特公昭４７−３１
８３８号公報、特開昭５９−１８９１２６号公報、特開
昭６０−４２４２６号公報および特開昭６０−８６０１
７号公報参照）が挙げられる。
製造方法は特に限定されず、その製造方法としては、例
えば、トリクロロシランもしくはトリアルコキシシラン
を加水分解し、かつ縮重合する方法（特公昭４７−３１
８３８号公報、特開昭５９−１８９１２６号公報、特開
昭６０−４２４２６号公報および特開昭６０−８６０１
７号公報参照）が挙げられる。
【００１２】本発明において、得られたポリハイドロジ
ェンシルセスキオキサンを、活性水素を有しない非極性
溶剤に溶解する。本発明で使用できる活性水素を有しな
い非極性溶剤としては、高分子量から低分子量までのポ
リハイドロジェンシルセスキオキサンを均一に溶解でき
る非極性溶剤であれば、その種類は特に限定されず、こ
のような非極性溶剤として具体的には、ベンゼン，トル
エン，キシレン等の芳香族系溶剤；ヘキサン，ヘプタ
ン，オクタン，シクロヘキサン，シクロヘプタン等の脂
肪族系溶剤；ジフェニルエーテル，ジブチルエーテル等
のエーテル系溶剤が例示され、特に高分子量から低分子
量までのポリハイドロジェンシルセスキオキサンを良好
に溶解することができること、揮発性が低く、工業的に
汎用性があること、ポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンの製造工程で使用できること等から非極性溶剤はト
ルエンであることが最も好ましい。
ェンシルセスキオキサンを、活性水素を有しない非極性
溶剤に溶解する。本発明で使用できる活性水素を有しな
い非極性溶剤としては、高分子量から低分子量までのポ
リハイドロジェンシルセスキオキサンを均一に溶解でき
る非極性溶剤であれば、その種類は特に限定されず、こ
のような非極性溶剤として具体的には、ベンゼン，トル
エン，キシレン等の芳香族系溶剤；ヘキサン，ヘプタ
ン，オクタン，シクロヘキサン，シクロヘプタン等の脂
肪族系溶剤；ジフェニルエーテル，ジブチルエーテル等
のエーテル系溶剤が例示され、特に高分子量から低分子
量までのポリハイドロジェンシルセスキオキサンを良好
に溶解することができること、揮発性が低く、工業的に
汎用性があること、ポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンの製造工程で使用できること等から非極性溶剤はト
ルエンであることが最も好ましい。
【００１３】このような活性水素を有しない非極性溶剤
は、予めポリハイドロジェンシルセスキオキサンの製造
工程において使用すると、ポリハイドロジェンシルセス
キオキサンを単離することなく分子量分別工程に移行す
ることができる。このため、活性水素を有しない非極性
溶剤を、ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの製造
工程でも使用できる溶剤を選択する必要がある。
は、予めポリハイドロジェンシルセスキオキサンの製造
工程において使用すると、ポリハイドロジェンシルセス
キオキサンを単離することなく分子量分別工程に移行す
ることができる。このため、活性水素を有しない非極性
溶剤を、ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの製造
工程でも使用できる溶剤を選択する必要がある。
【００１４】このような活性水素を有しない非極性溶剤
は、ポリハイドロジェンシルセスキオキサン中のケイ素
原子結合水素原子が反応性が高いため、水，アルコー
ル，アミン，メルカプタン等の不純物をほとんど含有し
ない非極性溶剤を使用することが好ましい。また、この
ような非極性溶剤は、比誘電率が概ね５以下のものが一
般的に好ましい。
は、ポリハイドロジェンシルセスキオキサン中のケイ素
原子結合水素原子が反応性が高いため、水，アルコー
ル，アミン，メルカプタン等の不純物をほとんど含有し
ない非極性溶剤を使用することが好ましい。また、この
ような非極性溶剤は、比誘電率が概ね５以下のものが一
般的に好ましい。
【００１５】次に、ポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンと活性水素を有しない非極性溶剤との溶液に、活性
水素を有しない極性溶剤を添加する。これは、該非極性
溶剤と該極性溶剤とを任意の配合比にすることにより、
溶解できるポリハイドロジェンシルセスキオキサンの平
均分子量の上限を調節するためである。これについてさ
らに詳細に説明すると、溶解できるポリハイドロジェン
シルセスキオキサンの平均分子量の上限が数十万であり
（すなわち、一般に製造されるポリハイドロジェンシル
セスキオキサンをほぼ１００％溶解することができ
る。）、かつポリハイドロジェンシルセスキオキサンに
対して非反応性である非極性溶剤と溶解できるポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサンの平均分子量の上限が数
千であり、かつポリハイドロジェンシルセスキオキサン
に対して非反応性である極性溶媒との混合比を任意に変
化させることにより、溶解できるポリハイドロジェンシ
ルセスキオキサンの平均分子量の上限を任意に調節で
き、このことを利用して任意の分子量分布を有するポリ
ハイドロジェンシルセスキオキサンに分子量分別するこ
とができるのである。
サンと活性水素を有しない非極性溶剤との溶液に、活性
水素を有しない極性溶剤を添加する。これは、該非極性
溶剤と該極性溶剤とを任意の配合比にすることにより、
溶解できるポリハイドロジェンシルセスキオキサンの平
均分子量の上限を調節するためである。これについてさ
らに詳細に説明すると、溶解できるポリハイドロジェン
シルセスキオキサンの平均分子量の上限が数十万であり
（すなわち、一般に製造されるポリハイドロジェンシル
セスキオキサンをほぼ１００％溶解することができ
る。）、かつポリハイドロジェンシルセスキオキサンに
対して非反応性である非極性溶剤と溶解できるポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサンの平均分子量の上限が数
千であり、かつポリハイドロジェンシルセスキオキサン
に対して非反応性である極性溶媒との混合比を任意に変
化させることにより、溶解できるポリハイドロジェンシ
ルセスキオキサンの平均分子量の上限を任意に調節で
き、このことを利用して任意の分子量分布を有するポリ
ハイドロジェンシルセスキオキサンに分子量分別するこ
とができるのである。
【００１６】本発明で使用できる活性水素を有しない極
性溶剤は特に限定されず、このような極性溶剤として具
体的には、アセトニトリル，グリコロニトリル，ラクト
ニトリル等のニトリル類；クロロアセトン，ｏ−クロロ
ニトロベンゼン，ニトロベンゼンが例示され、特に工業
的に汎用性があること、毒性が低いことから、この極性
溶剤はアセトニトリルであることが最も好ましい。ま
た、このような活性水素を有しない極性溶剤は、ポリハ
イドロジェンシルセスキオキサン中のケイ素原子結合水
素原子が反応性が高いため、水，アルコール，アミン，
メルカプタン等の不純物をほとんど含有しない極性溶剤
を使用することが好ましい。また、このような極性溶剤
の比誘電率は概ね３０以上であることが好ましい。
性溶剤は特に限定されず、このような極性溶剤として具
体的には、アセトニトリル，グリコロニトリル，ラクト
ニトリル等のニトリル類；クロロアセトン，ｏ−クロロ
ニトロベンゼン，ニトロベンゼンが例示され、特に工業
的に汎用性があること、毒性が低いことから、この極性
溶剤はアセトニトリルであることが最も好ましい。ま
た、このような活性水素を有しない極性溶剤は、ポリハ
イドロジェンシルセスキオキサン中のケイ素原子結合水
素原子が反応性が高いため、水，アルコール，アミン，
メルカプタン等の不純物をほとんど含有しない極性溶剤
を使用することが好ましい。また、このような極性溶剤
の比誘電率は概ね３０以上であることが好ましい。
【００１７】本発明の分子量分別方法では、上記非極性
溶剤と上記極性溶剤とを任意の混合比にすることによ
り、数千から数十万までの間で任意の平均分子量を有す
るポリハイドロジェンシルセスキオキサンを分子量分別
することができる。すなわち、任意の混合比から、上記
非極性溶剤と上記極性溶剤との混合液において、溶解で
きる平均分子量の上限以上の平均分子量を有するポリハ
イドロジェンシルセスキオキサンが沈降する。溶解でき
るポリハイドロジェンシルセスキオキサンの平均分子量
の上限は、本質的には上記非極性溶剤と上記極性溶剤と
の混合比で一義的に決定される。また、より分子量分布
の狭いポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量
分別を行うためには、ポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンを活性水素を有しない非極性溶剤により低濃度溶
液とし、次いでこの溶液をなるべく効率よく攪拌しなが
ら、活性水素を有しない極性溶剤を長時間かけて滴下
し、そして系内の温度、ポリハイドロジェンシルセスキ
オキサンの濃度等の条件のばらつきを少なくすることが
有効である。また、上記方法により分子量分別したポリ
ハイドロジェンシルセスキオキサンを再び、活性水素を
有しない非極性溶剤に溶解し、この溶液に活性水素を有
しない極性溶剤を滴下し、より分子量分布の狭いポリハ
イドロジェンシルセスキオキサンを得ることができ、さ
らにこの操作を複数回繰り返すことにより、得られるポ
リハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分布をよ
り狭くし、不純物を減少させることができる。
溶剤と上記極性溶剤とを任意の混合比にすることによ
り、数千から数十万までの間で任意の平均分子量を有す
るポリハイドロジェンシルセスキオキサンを分子量分別
することができる。すなわち、任意の混合比から、上記
非極性溶剤と上記極性溶剤との混合液において、溶解で
きる平均分子量の上限以上の平均分子量を有するポリハ
イドロジェンシルセスキオキサンが沈降する。溶解でき
るポリハイドロジェンシルセスキオキサンの平均分子量
の上限は、本質的には上記非極性溶剤と上記極性溶剤と
の混合比で一義的に決定される。また、より分子量分布
の狭いポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量
分別を行うためには、ポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンを活性水素を有しない非極性溶剤により低濃度溶
液とし、次いでこの溶液をなるべく効率よく攪拌しなが
ら、活性水素を有しない極性溶剤を長時間かけて滴下
し、そして系内の温度、ポリハイドロジェンシルセスキ
オキサンの濃度等の条件のばらつきを少なくすることが
有効である。また、上記方法により分子量分別したポリ
ハイドロジェンシルセスキオキサンを再び、活性水素を
有しない非極性溶剤に溶解し、この溶液に活性水素を有
しない極性溶剤を滴下し、より分子量分布の狭いポリハ
イドロジェンシルセスキオキサンを得ることができ、さ
らにこの操作を複数回繰り返すことにより、得られるポ
リハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分布をよ
り狭くし、不純物を減少させることができる。
【００１８】また、より不純物が少なく、高分子量と低
分子量のポリハイドロジェンシルセスキオキサンを有し
ない分子量分布の狭いポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンを得る方法としては、高分子量のポリハイドロジ
ェンシルセスキオキサンの除去と低分子量のポリハイド
ロジェンシルセスキオキサンの除去を連続して行う方法
がある。高分子量のポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンの除去を先に行う方法としては、初めに、ポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサンを活性水素を有しない非
極性溶剤に溶解し、次いでこの溶液に活性水素を有しな
い極性溶剤を添加し、沈降物を生成させ、これを除去
後、上澄みを採取し、この上澄みにさらに活性水素を有
しない極性溶剤を添加し、生成する沈降物を採取し、こ
の沈降物から溶剤を蒸発させることによりポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンを得る方法が挙げられる。ま
た、低分子量のポリハイドロジェンシルセスキオキサン
の除去を先に行う方法としては、初めに、ポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンを活性水素を有しない非極性
溶剤に溶解し、次いでこの溶液に活性水素を有しない極
性溶剤を添加し、沈降物を生成し、この沈澱物を再び活
性水素を有しない非極性溶剤に溶解させ、この溶液に活
性水素を有しない極性溶剤を添加し、沈降物を生成し、
これを除去後、この上澄みから溶剤を蒸発させることに
よりポリハイドロジェンシルセスキオキサンを得る方法
が挙げられる。イオン性不純物等の不純物がより少なく
できる方法としては、前者の方法がより好ましい。すな
わち、ポリハイドロジェンシルセスキオキサンを活性水
素を有しない非極性溶剤に溶解し、この溶液に活性水素
を有しない極性溶剤を添加し、目的の平均分子量をこえ
るポリハイドロジェンシルセスキオキサンを沈降させて
除去し、次いで該ポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンを除去後の溶液に該極性溶剤を添加し、目的の平均分
子量を有するポリハイドロジェンシルセスキオキサンを
沈降させることにより得ることを特徴とするポリハイド
ロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法であるこ
とが好ましい。これは、上記操作手順において、目的の
分子量分布を有するポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンを溶液で得た場合には、溶剤を蒸発させる際、溶剤
中に水分またはイオン性不純物等が濃縮され、ポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサン中のケイ素原子結合水素
原子が反応しやすくなるためである。従って、なるべく
このような影響を受けにくい手順としては前者の手順が
好ましいのである。このようにして得られた不純物の少
ないポリハイドロジェンシルセスキオキサンは、貯蔵安
定性に優れるという特徴を有する。
分子量のポリハイドロジェンシルセスキオキサンを有し
ない分子量分布の狭いポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンを得る方法としては、高分子量のポリハイドロジ
ェンシルセスキオキサンの除去と低分子量のポリハイド
ロジェンシルセスキオキサンの除去を連続して行う方法
がある。高分子量のポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンの除去を先に行う方法としては、初めに、ポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサンを活性水素を有しない非
極性溶剤に溶解し、次いでこの溶液に活性水素を有しな
い極性溶剤を添加し、沈降物を生成させ、これを除去
後、上澄みを採取し、この上澄みにさらに活性水素を有
しない極性溶剤を添加し、生成する沈降物を採取し、こ
の沈降物から溶剤を蒸発させることによりポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンを得る方法が挙げられる。ま
た、低分子量のポリハイドロジェンシルセスキオキサン
の除去を先に行う方法としては、初めに、ポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンを活性水素を有しない非極性
溶剤に溶解し、次いでこの溶液に活性水素を有しない極
性溶剤を添加し、沈降物を生成し、この沈澱物を再び活
性水素を有しない非極性溶剤に溶解させ、この溶液に活
性水素を有しない極性溶剤を添加し、沈降物を生成し、
これを除去後、この上澄みから溶剤を蒸発させることに
よりポリハイドロジェンシルセスキオキサンを得る方法
が挙げられる。イオン性不純物等の不純物がより少なく
できる方法としては、前者の方法がより好ましい。すな
わち、ポリハイドロジェンシルセスキオキサンを活性水
素を有しない非極性溶剤に溶解し、この溶液に活性水素
を有しない極性溶剤を添加し、目的の平均分子量をこえ
るポリハイドロジェンシルセスキオキサンを沈降させて
除去し、次いで該ポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンを除去後の溶液に該極性溶剤を添加し、目的の平均分
子量を有するポリハイドロジェンシルセスキオキサンを
沈降させることにより得ることを特徴とするポリハイド
ロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法であるこ
とが好ましい。これは、上記操作手順において、目的の
分子量分布を有するポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンを溶液で得た場合には、溶剤を蒸発させる際、溶剤
中に水分またはイオン性不純物等が濃縮され、ポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサン中のケイ素原子結合水素
原子が反応しやすくなるためである。従って、なるべく
このような影響を受けにくい手順としては前者の手順が
好ましいのである。このようにして得られた不純物の少
ないポリハイドロジェンシルセスキオキサンは、貯蔵安
定性に優れるという特徴を有する。
【００１９】さらに、本発明のポリハイドロジェンシル
セスキオキサンの分子量分別方法において、分別工程に
おけるポリハイドロジェンシルセスキオキサンの化学的
変質を防ぐため、不活性ガス雰囲気下でおこなうことが
好ましい。本発明で使用できる不活性ガスとして具体的
には、窒素，アルゴンが例示される。またこの不活性ガ
ス中には水分が存在しないことが必要である。
セスキオキサンの分子量分別方法において、分別工程に
おけるポリハイドロジェンシルセスキオキサンの化学的
変質を防ぐため、不活性ガス雰囲気下でおこなうことが
好ましい。本発明で使用できる不活性ガスとして具体的
には、窒素，アルゴンが例示される。またこの不活性ガ
ス中には水分が存在しないことが必要である。
【００２０】本発明のポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンの分子量分別方法において、分子量分別するため
に使用する容器は、アルカリ成分等のイオン不純物が溶
出しない基材からなる容器であることが好ましく、また
使用する溶剤により変形もしくは溶解しない基材からな
る容器であることが好ましく、例えば、高品位のガラス
容器、プラスチックが挙げられる。これは、低品位のガ
ラスからなる容器を使用すると、分子量分別する工程
で、溶剤中にアルカリ成分が溶出し、得られたポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサンが経時的に変質を起こす
からである。本発明において、例えば、高品位のガラス
を予め酸洗浄し、次いでこれを純水で洗浄後、十分乾燥
させることが好ましい。
キサンの分子量分別方法において、分子量分別するため
に使用する容器は、アルカリ成分等のイオン不純物が溶
出しない基材からなる容器であることが好ましく、また
使用する溶剤により変形もしくは溶解しない基材からな
る容器であることが好ましく、例えば、高品位のガラス
容器、プラスチックが挙げられる。これは、低品位のガ
ラスからなる容器を使用すると、分子量分別する工程
で、溶剤中にアルカリ成分が溶出し、得られたポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサンが経時的に変質を起こす
からである。本発明において、例えば、高品位のガラス
を予め酸洗浄し、次いでこれを純水で洗浄後、十分乾燥
させることが好ましい。
【００２１】また、本発明のポリハイドロジェンシルセ
スキオキサンの分子量分別方法において、任意の分子量
分布を有するポリハイドロジェンシルセスキオキサンを
再現性よく分別するため、使用する溶剤の純度、含水量
および種類、容器、攪拌速度、攪拌状態、ポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンの濃度等を一定にする他、溶
剤の温度を一定にすることも重要である。また、上記の
条件により分子量分別された任意の分子量を有するポリ
ハイドロジェンシルセスキオキサンを、さらに同一条件
で繰り返し分子量分別することによりさらに、任意の分
子量を有するポリハイドロジェンシルセスキオキサンを
得ることができる。
スキオキサンの分子量分別方法において、任意の分子量
分布を有するポリハイドロジェンシルセスキオキサンを
再現性よく分別するため、使用する溶剤の純度、含水量
および種類、容器、攪拌速度、攪拌状態、ポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンの濃度等を一定にする他、溶
剤の温度を一定にすることも重要である。また、上記の
条件により分子量分別された任意の分子量を有するポリ
ハイドロジェンシルセスキオキサンを、さらに同一条件
で繰り返し分子量分別することによりさらに、任意の分
子量を有するポリハイドロジェンシルセスキオキサンを
得ることができる。
【００２２】本発明の分子量分別方法により得られたポ
リハイドロジェンシルセスキオキサンは、分子量分布が
狭いので、これを転化してシリカにした場合、得られた
シリカ薄膜は耐熱性および耐クラッキング性に優れてお
り、またイオン性不純物等の不純物の含有量が少ないの
で、例えば、半導体素子の層間絶縁材等のマイクロエレ
クトロニクス用シリカ薄膜形成剤の主成分として有用で
ある。
リハイドロジェンシルセスキオキサンは、分子量分布が
狭いので、これを転化してシリカにした場合、得られた
シリカ薄膜は耐熱性および耐クラッキング性に優れてお
り、またイオン性不純物等の不純物の含有量が少ないの
で、例えば、半導体素子の層間絶縁材等のマイクロエレ
クトロニクス用シリカ薄膜形成剤の主成分として有用で
ある。
【００２３】
【実施例】本発明を実施例により詳細に説明する。な
お、ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量の
測定は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以
下、ＧＰＣとする。）によより行った。使用したキャリ
ア溶媒はトルエンであり、分子量検量線作成用標準物質
は標準ポリスチレンである。
お、ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量の
測定は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以
下、ＧＰＣとする。）によより行った。使用したキャリ
ア溶媒はトルエンであり、分子量検量線作成用標準物質
は標準ポリスチレンである。
【００２４】
【参考例１】ポリハイドロジェンシルセスキオキサンを
特公昭４７−３１８３８号公報により提案された方法に
従って調製した。３．７５モルの硫酸と２．２５モルの
発煙硫酸の混合物に、混合物の液温４５〜６０℃で６モ
ルのトルエンを１時間かけて滴下し、さらに３０分間４
５℃でエイジングし、トルエンスルホン酸１水和物を得
た。そこへ３０℃で１モルのトリクロロシランと６．６
モルのトルエンの混合物を５時間かけて滴下し、さらに
３０分間４５℃でエイジングした。放冷、分液後、下層
のトルエンスルホン酸層を除去した後、上層中に含まれ
る酸を除くために、適量の硫酸／水（５０／５０重量
比）で洗浄し、次いで硫酸／水（２５／７５重量比）、
さらに水で洗浄した。次に水を完全に除去するために、
アゼオトロープ還流を１時間行った。この状態のトルエ
ン溶液をトルエン溶液Ａとする。トルエン溶液Ａを６０
℃でロータリーポンプにて減圧し、トルエンを除去し、
ポリハイドロジェンシルセスキオキサンＡを調製した。
このポリハイドロジェンシルセスキオキサンＡは、数平
均分子量（以下、Ｍｎとする。）が１６５０であり、重
量平均分子量／数平均分子量（以下、Ｍｗ／Ｍｎとす
る。）が１９．４であった。また、ポリハイドロジェン
シルセスキオキサンＡ中の不純物の含有量を表１に記載
した。さらに、このポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンＡを窒素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵したとこ
ろ、そのＭｎは２８９００となり、Ｍｗ／Ｍｎは３．２
７となった。
特公昭４７−３１８３８号公報により提案された方法に
従って調製した。３．７５モルの硫酸と２．２５モルの
発煙硫酸の混合物に、混合物の液温４５〜６０℃で６モ
ルのトルエンを１時間かけて滴下し、さらに３０分間４
５℃でエイジングし、トルエンスルホン酸１水和物を得
た。そこへ３０℃で１モルのトリクロロシランと６．６
モルのトルエンの混合物を５時間かけて滴下し、さらに
３０分間４５℃でエイジングした。放冷、分液後、下層
のトルエンスルホン酸層を除去した後、上層中に含まれ
る酸を除くために、適量の硫酸／水（５０／５０重量
比）で洗浄し、次いで硫酸／水（２５／７５重量比）、
さらに水で洗浄した。次に水を完全に除去するために、
アゼオトロープ還流を１時間行った。この状態のトルエ
ン溶液をトルエン溶液Ａとする。トルエン溶液Ａを６０
℃でロータリーポンプにて減圧し、トルエンを除去し、
ポリハイドロジェンシルセスキオキサンＡを調製した。
このポリハイドロジェンシルセスキオキサンＡは、数平
均分子量（以下、Ｍｎとする。）が１６５０であり、重
量平均分子量／数平均分子量（以下、Ｍｗ／Ｍｎとす
る。）が１９．４であった。また、ポリハイドロジェン
シルセスキオキサンＡ中の不純物の含有量を表１に記載
した。さらに、このポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンＡを窒素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵したとこ
ろ、そのＭｎは２８９００となり、Ｍｗ／Ｍｎは３．２
７となった。
【００２５】
【実施例１】予め酸洗浄し、純水で洗い、しかる後に十
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶
剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了
までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で５０
ｇの十分に脱水したアセトニトリルを１時間かけて滴下
した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去した。次
いで、沈降物を除いた溶液に、新たに２００ｇの十分に
脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴下した。生成
した沈降物を採取し、残存する溶剤を常温で真空乾燥に
より除去して、ポリハイドロジェンシルセスキオキサン
を得た。このポリハイドロジェンシルセスキオキサンの
Ｍｎは１１４００、Ｍｗ／Ｍｎは２．８８であった。こ
のポリハイドロジェンシルセスキオキサンの収率は仕込
んだポリハイドロジェンシルセスキオキサンＡに対して
２４重量％であった。また、このポリハイドロジェンシ
ルセスキオキサン中の不純物の含有量を表１に記載し
た。さらに、このポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンを窒素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵したところ、そ
のＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかった。
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶
剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了
までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で５０
ｇの十分に脱水したアセトニトリルを１時間かけて滴下
した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去した。次
いで、沈降物を除いた溶液に、新たに２００ｇの十分に
脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴下した。生成
した沈降物を採取し、残存する溶剤を常温で真空乾燥に
より除去して、ポリハイドロジェンシルセスキオキサン
を得た。このポリハイドロジェンシルセスキオキサンの
Ｍｎは１１４００、Ｍｗ／Ｍｎは２．８８であった。こ
のポリハイドロジェンシルセスキオキサンの収率は仕込
んだポリハイドロジェンシルセスキオキサンＡに対して
２４重量％であった。また、このポリハイドロジェンシ
ルセスキオキサン中の不純物の含有量を表１に記載し
た。さらに、このポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンを窒素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵したところ、そ
のＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかった。
【００２６】
【実施例２】予め酸洗浄し、純水で洗い、しかる後に十
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶
剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了
までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で６０
ｇの十分に脱水したアセトニトリルを１．２時間かけて
滴下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去し
た。次いで、沈降物除去後の溶液に、新たに２００ｇの
十分に脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴下し
た。生成した沈澱物を採取し、残存する溶剤を常温で真
空乾燥により除去しポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンを得た。このポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンのＭｎは９６３０、Ｍｗ／Ｍｎは１．８１であった。
このポリハイドロジェンシルセスキオキサンの収率は仕
込んだポリハイドロジェンシルセスキオキサンＡに対し
て１８重量％であった。このポリハイドロジェンシルセ
スキオキサン中の不純物の含有量を表１に記載した。さ
らに、このポリハイドロジェンシルセスキオキサンを窒
素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵したところ、そのＭ
ｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかった。
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶
剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了
までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で６０
ｇの十分に脱水したアセトニトリルを１．２時間かけて
滴下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去し
た。次いで、沈降物除去後の溶液に、新たに２００ｇの
十分に脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴下し
た。生成した沈澱物を採取し、残存する溶剤を常温で真
空乾燥により除去しポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンを得た。このポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンのＭｎは９６３０、Ｍｗ／Ｍｎは１．８１であった。
このポリハイドロジェンシルセスキオキサンの収率は仕
込んだポリハイドロジェンシルセスキオキサンＡに対し
て１８重量％であった。このポリハイドロジェンシルセ
スキオキサン中の不純物の含有量を表１に記載した。さ
らに、このポリハイドロジェンシルセスキオキサンを窒
素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵したところ、そのＭ
ｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかった。
【００２７】
【実施例３】予め酸洗浄し、純水で洗い、しかる後に十
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は実
験室空気と同じ状態とした。溶液を激しく攪拌した状態
で５０ｇの十分に脱水したアセトニトリルを１時間かけ
て滴下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去し
た。次いで、沈降物を除去後の溶液に、新たに２００ｇ
の十分に脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴下し
た。生成した沈降物を採取し、残存する溶剤を常温で真
空乾燥により除去し、ポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンを得た。このポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンのＭｎは１２６００であり、Ｍｗ／Ｍｎは３．１２
であった。このポリハイドロジェンシルセスキオキサン
の収率は仕込んだポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンＡに対して２５重量％であった。また、このポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサン中の不純物の含有量を表
１に記載した。さらに、このポリハイドロジェンシルセ
スキオキサンを窒素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵した
ところ、そのＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかった。
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は実
験室空気と同じ状態とした。溶液を激しく攪拌した状態
で５０ｇの十分に脱水したアセトニトリルを１時間かけ
て滴下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去し
た。次いで、沈降物を除去後の溶液に、新たに２００ｇ
の十分に脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴下し
た。生成した沈降物を採取し、残存する溶剤を常温で真
空乾燥により除去し、ポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンを得た。このポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンのＭｎは１２６００であり、Ｍｗ／Ｍｎは３．１２
であった。このポリハイドロジェンシルセスキオキサン
の収率は仕込んだポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンＡに対して２５重量％であった。また、このポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサン中の不純物の含有量を表
１に記載した。さらに、このポリハイドロジェンシルセ
スキオキサンを窒素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵した
ところ、そのＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかった。
【００２８】
【実施例４】予め酸洗浄し、純水で洗い、しかる後に十
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に３０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン７０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶
剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了
までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で２０
０ｇの十分に脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴
下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を採取し、新
たに２７０ｇの十分に脱水したトルエンを加えて十分に
溶解させた。次いで新たに２５０ｇの十分に脱水したア
セトニトリルを５時間かけて滴下した。生成した沈降物
を除去し、上澄みを採取し、常温で窒素を吹き付けるこ
とにより溶剤を除去した。得られたポリハイドロジェン
シルセスキオキサンのＭｎは３９１０であり、Ｍｗ／Ｍ
ｎは２．７４であった。このポリハイドロジェンシルセ
スキオキサンの収率は仕込んだポリハイドロジェンシル
セスキオキサンＡに対して３１重量％であった。また、
このポリハイドロジェンシルセスキオキサン中の不純物
の含有量を表１に記載した。さらに、このポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンを窒素雰囲気下、２５℃で６
カ月貯蔵したところ、そのＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はな
かった。
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に３０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン７０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶
剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了
までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で２０
０ｇの十分に脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴
下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を採取し、新
たに２７０ｇの十分に脱水したトルエンを加えて十分に
溶解させた。次いで新たに２５０ｇの十分に脱水したア
セトニトリルを５時間かけて滴下した。生成した沈降物
を除去し、上澄みを採取し、常温で窒素を吹き付けるこ
とにより溶剤を除去した。得られたポリハイドロジェン
シルセスキオキサンのＭｎは３９１０であり、Ｍｗ／Ｍ
ｎは２．７４であった。このポリハイドロジェンシルセ
スキオキサンの収率は仕込んだポリハイドロジェンシル
セスキオキサンＡに対して３１重量％であった。また、
このポリハイドロジェンシルセスキオキサン中の不純物
の含有量を表１に記載した。さらに、このポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンを窒素雰囲気下、２５℃で６
カ月貯蔵したところ、そのＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はな
かった。
【００２９】
【実施例５】予め酸洗浄し、純水で洗い、しかる後に十
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したｎ−ヘキサン８０ｇを
加えて十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内
は溶剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別
終了までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で
５０ｇの十分に脱水したクロロアセトンを１時間かけて
滴下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去し
た。次いで、沈降物を除去した溶液に、新たに２００ｇ
の十分に脱水したクロロアセトンを４時間かけて滴下し
た。生成した沈降物を採取し、残存する溶剤を常温で真
空乾燥により除去しポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンを得た。このポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンのＭｎは１３６００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．９７で
あった。このポリハイドロジェンシルセスキオキサンの
収率は仕込んだポリハイドロジェンシルセスキオキサン
Ａに対して２２重量％であった。このポリハイドロジェ
ンシルセスキオキサン中の不純物の含有量を表１に記載
した。さらに、このポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンを窒素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵したところ、
そのＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかった。
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したｎ−ヘキサン８０ｇを
加えて十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内
は溶剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別
終了までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で
５０ｇの十分に脱水したクロロアセトンを１時間かけて
滴下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去し
た。次いで、沈降物を除去した溶液に、新たに２００ｇ
の十分に脱水したクロロアセトンを４時間かけて滴下し
た。生成した沈降物を採取し、残存する溶剤を常温で真
空乾燥により除去しポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンを得た。このポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンのＭｎは１３６００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．９７で
あった。このポリハイドロジェンシルセスキオキサンの
収率は仕込んだポリハイドロジェンシルセスキオキサン
Ａに対して２２重量％であった。このポリハイドロジェ
ンシルセスキオキサン中の不純物の含有量を表１に記載
した。さらに、このポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンを窒素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵したところ、
そのＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかった。
【００３０】
【実施例６】参考例１で調製したトルエン溶液Ａをポリ
ハイドロジェンシルセスキオキサンの濃度が２０重量％
になるまで濃縮した後、これを１００ｇ、予め酸洗浄
し、純水で洗い、しかる後に十分乾燥さた高品位ガラス
製１Ｌ丸底フラスコ中に入れた。系全体を２５℃に保
ち、系内は溶剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージ
し、分別終了までパージを続けた。溶液を激しく攪拌し
た状態で６０ｇの十分に脱水したアセトニトリルを１．
２時間かけて滴下した。１２時間ほど静置した後、沈降
物を除去した。次いで、沈降物を除去した溶液に、新た
に２００ｇの十分に脱水したアセトニトリルを４時間か
けて滴下した。生成した沈降物を採取し、残存する溶剤
を常温で真空乾燥により除去した。得られたポリハイド
ロジェンシルセスキオキサンのＭｎは９５５０であり、
Ｍｗ／Ｍｎは１．８０であった。このポリハイドロジェ
ンシルセスキオキサンの収率は仕込んだトルエン溶液Ａ
中のポリハイドロジェンシルセスキオキサンに対して１
８重量％であった。また、このポリハイドロジェンシル
セスキオキサン中の不純物の含有量を表１に記載した。
さらに、このポリハイドロジェンシルセスキオキサンを
窒素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵したところ、そのＭ
ｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかった。
ハイドロジェンシルセスキオキサンの濃度が２０重量％
になるまで濃縮した後、これを１００ｇ、予め酸洗浄
し、純水で洗い、しかる後に十分乾燥さた高品位ガラス
製１Ｌ丸底フラスコ中に入れた。系全体を２５℃に保
ち、系内は溶剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージ
し、分別終了までパージを続けた。溶液を激しく攪拌し
た状態で６０ｇの十分に脱水したアセトニトリルを１．
２時間かけて滴下した。１２時間ほど静置した後、沈降
物を除去した。次いで、沈降物を除去した溶液に、新た
に２００ｇの十分に脱水したアセトニトリルを４時間か
けて滴下した。生成した沈降物を採取し、残存する溶剤
を常温で真空乾燥により除去した。得られたポリハイド
ロジェンシルセスキオキサンのＭｎは９５５０であり、
Ｍｗ／Ｍｎは１．８０であった。このポリハイドロジェ
ンシルセスキオキサンの収率は仕込んだトルエン溶液Ａ
中のポリハイドロジェンシルセスキオキサンに対して１
８重量％であった。また、このポリハイドロジェンシル
セスキオキサン中の不純物の含有量を表１に記載した。
さらに、このポリハイドロジェンシルセスキオキサンを
窒素雰囲気下、２５℃で６カ月貯蔵したところ、そのＭ
ｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかった。
【００３１】
【実施例７】予め酸洗浄し、純水で洗い、しかる後に十
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の実施例２で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加えて
十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶剤
が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了ま
でパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で６０ｇ
の十分に脱水したアセトニトリルを１．２時間かけて滴
下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去した。
次いで、沈降物を除去後の溶液に、新たに２００ｇの十
分に脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴下した。
生成した沈降物を採取し、残存する溶剤を常温で真空乾
燥により除去しポリハイドロジェンシルセスキオキサン
を得た。このポリハイドロジェンシルセスキオキサンの
Ｍｎは８６７０、Ｍｗ／Ｍｎは１．６３であった。この
ポリハイドロジェンシルセスキオキサン中の不純物の含
有量を表１に記載した。さらに、このポリハイドロジェ
ンシルセスキオキサンを窒素雰囲気下、２５℃で６カ月
貯蔵したところ、そのＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかっ
た。
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の実施例２で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加えて
十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶剤
が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了ま
でパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で６０ｇ
の十分に脱水したアセトニトリルを１．２時間かけて滴
下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去した。
次いで、沈降物を除去後の溶液に、新たに２００ｇの十
分に脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴下した。
生成した沈降物を採取し、残存する溶剤を常温で真空乾
燥により除去しポリハイドロジェンシルセスキオキサン
を得た。このポリハイドロジェンシルセスキオキサンの
Ｍｎは８６７０、Ｍｗ／Ｍｎは１．６３であった。この
ポリハイドロジェンシルセスキオキサン中の不純物の含
有量を表１に記載した。さらに、このポリハイドロジェ
ンシルセスキオキサンを窒素雰囲気下、２５℃で６カ月
貯蔵したところ、そのＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎの変化はなかっ
た。
【００３２】
【比較例１】予め酸洗浄し、純水で洗い、しかる後に十
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶
剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了
までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で５０
ｇの十分に脱水したメタノールを１時間かけて滴下し
た。滴下中、水素の発生が認められ、溶液全体がゲル化
し、ポリハイドロジェンシルセスキオキサンと溶剤との
化学反応が起きたことが示唆された。このポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサン中の、イオン性不純物の含有
量を表１に記載した。
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶
剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了
までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で５０
ｇの十分に脱水したメタノールを１時間かけて滴下し
た。滴下中、水素の発生が認められ、溶液全体がゲル化
し、ポリハイドロジェンシルセスキオキサンと溶剤との
化学反応が起きたことが示唆された。このポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサン中の、イオン性不純物の含有
量を表１に記載した。
【００３３】
【比較例２】予め酸洗浄し、純水で洗い、しかる後に十
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶
剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了
までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で５０
ｇの十分に脱水したβ−オキシエチルエーテルを１時間
かけて滴下した。滴下中、水素ガスの発生が認められ、
溶液全体がゲル化し、ポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンと溶剤との化学反応が起きたことが示唆された。
分乾燥さた高品位ガラス製１Ｌ丸底フラスコ中に２０ｇ
の参考例１で調製したポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンＡを入れ、十分に脱水したトルエン８０ｇを加え
て十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶
剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了
までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で５０
ｇの十分に脱水したβ−オキシエチルエーテルを１時間
かけて滴下した。滴下中、水素ガスの発生が認められ、
溶液全体がゲル化し、ポリハイドロジェンシルセスキオ
キサンと溶剤との化学反応が起きたことが示唆された。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】本発明のポリハイドロジェンシルセスキ
オキサンの分子量分別方法は、任意の分子量を有し、貯
蔵安定性に優れたポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンを再現性よく分子量分別することができるという特徴
を有する。
オキサンの分子量分別方法は、任意の分子量を有し、貯
蔵安定性に優れたポリハイドロジェンシルセスキオキサ
ンを再現性よく分子量分別することができるという特徴
を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 基 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダ ウコーニング・シリコーン株式会社 研 究開発本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダ ウコーニング・シリコーン株式会社 研 究開発本部内 (56)参考文献 特開 昭61−127732（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−10627（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 77/00 - 77/62
Claims (4)
- 【請求項１】 ポリハイドロジェンシルセスキオキサン
を活性水素を有しない非極性溶剤に溶解し、この溶液に
活性水素を有しない極性溶剤を添加して該ポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンを分子量分別する方法におい
て、該非極性溶剤と該極性溶剤との混合比により、溶解
できる該ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの平均
分子量の上限を調節することを特徴とするポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法。 - 【請求項２】 活性水素を有しない非極性溶剤がトルエ
ンであり、活性水素を有しない極性溶剤がアセトニトリ
ルであることを特徴とする請求項１記載のポリハイドロ
ジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法。 - 【請求項３】 不活性ガス雰囲気下、ポリハイドロジェ
ンシルセスキオキサンの分子量分別を行うことを特徴と
する請求項１記載のポリハイドロジェンシルセスキオキ
サンの分子量分別方法。 - 【請求項４】 ポリハイドロジェンシルセスキオキサン
を活性水素を有しない非極性溶剤に溶解し、この溶液に
活性水素を有しない極性溶剤を添加して目的の平均分子
量をこえるポリハイドロジェンシルセスキオキサンを沈
降させて除去し、次いで該ポリハイドロジェンシロキサ
ンを除去後の溶液に該極性溶剤を添加して、目的の平均
分子量を有するポリハイドロジェンシルセスキオキサン
を沈降させることにより得ることを特徴とするポリハイ
ドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33810392A JP3153367B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法 |
| US08/145,923 US5416190A (en) | 1992-11-24 | 1993-10-29 | Method for the molecular weight fractionation of polyhydrogen silsesquioxane |
| TW082109439A TW268020B (ja) | 1992-11-24 | 1993-11-10 | |
| EP93118623A EP0599209A3 (en) | 1992-11-24 | 1993-11-19 | Process for the fractionation of a polyhydrogensilsesquioxane according to its molecular weight. |
| KR1019930024874A KR100257799B1 (ko) | 1992-11-24 | 1993-11-22 | 폴리하이드로겐 실세스퀴옥산의 분자량 분별방법 |
| US08/387,697 US5486564A (en) | 1992-11-24 | 1995-02-13 | High purity polyhydrogen silsesquioxane resin for electronic coatings |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33810392A JP3153367B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06157760A JPH06157760A (ja) | 1994-06-07 |
| JP3153367B2 true JP3153367B2 (ja) | 2001-04-09 |
Family
ID=18314945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33810392A Expired - Lifetime JP3153367B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5416190A (ja) |
| EP (1) | EP0599209A3 (ja) |
| JP (1) | JP3153367B2 (ja) |
| KR (1) | KR100257799B1 (ja) |
| TW (1) | TW268020B (ja) |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3465314B2 (ja) * | 1993-02-23 | 2003-11-10 | 富士通株式会社 | 弗素含有水素シルセスキオキサンポリマーおよびその製造方法 |
| JPH08245792A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | シリコーンラダーポリマー、シリコーンラダープレポリマーおよびそれらの製造方法 |
| US5776235A (en) * | 1996-10-04 | 1998-07-07 | Dow Corning Corporation | Thick opaque ceramic coatings |
| US5711987A (en) * | 1996-10-04 | 1998-01-27 | Dow Corning Corporation | Electronic coatings |
| US5807611A (en) * | 1996-10-04 | 1998-09-15 | Dow Corning Corporation | Electronic coatings |
| US5707681A (en) * | 1997-02-07 | 1998-01-13 | Dow Corning Corporation | Method of producing coatings on electronic substrates |
| JP3415741B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2003-06-09 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法 |
| US6743856B1 (en) | 1997-04-21 | 2004-06-01 | Honeywell International Inc. | Synthesis of siloxane resins |
| US6043330A (en) * | 1997-04-21 | 2000-03-28 | Alliedsignal Inc. | Synthesis of siloxane resins |
| US6015457A (en) * | 1997-04-21 | 2000-01-18 | Alliedsignal Inc. | Stable inorganic polymers |
| US6218497B1 (en) | 1997-04-21 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with low organic content |
| US6143855A (en) * | 1997-04-21 | 2000-11-07 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with high organic content |
| US5866197A (en) * | 1997-06-06 | 1999-02-02 | Dow Corning Corporation | Method for producing thick crack-free coating from hydrogen silsequioxane resin |
| TW392288B (en) | 1997-06-06 | 2000-06-01 | Dow Corning | Thermally stable dielectric coatings |
| SG71147A1 (en) | 1997-08-29 | 2000-03-21 | Dow Corning Toray Silicone | Method for forming insulating thin films |
| JP3729226B2 (ja) * | 1997-09-17 | 2005-12-21 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
| US6218020B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content |
| US6177199B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-01-23 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content |
| US5906859A (en) * | 1998-07-10 | 1999-05-25 | Dow Corning Corporation | Method for producing low dielectric coatings from hydrogen silsequioxane resin |
| JP3543669B2 (ja) | 1999-03-31 | 2004-07-14 | 信越化学工業株式会社 | 絶縁膜形成用塗布液及び絶縁膜の形成方法 |
| US6440550B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-08-27 | Honeywell International Inc. | Deposition of fluorosilsesquioxane films |
| US6472076B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-10-29 | Honeywell International Inc. | Deposition of organosilsesquioxane films |
| US6572974B1 (en) | 1999-12-06 | 2003-06-03 | The Regents Of The University Of Michigan | Modification of infrared reflectivity using silicon dioxide thin films derived from silsesquioxane resins |
| US6759098B2 (en) | 2000-03-20 | 2004-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials |
| US7011868B2 (en) * | 2000-03-20 | 2006-03-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Fluorine-free plasma curing process for porous low-k materials |
| US6576300B1 (en) | 2000-03-20 | 2003-06-10 | Dow Corning Corporation | High modulus, low dielectric constant coatings |
| US6913796B2 (en) * | 2000-03-20 | 2005-07-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing process for porous low-k materials |
| US6558755B2 (en) | 2000-03-20 | 2003-05-06 | Dow Corning Corporation | Plasma curing process for porous silica thin film |
| US6518357B1 (en) | 2000-10-04 | 2003-02-11 | General Electric Company | Flame retardant polycarbonate-silsesquioxane compositions, method for making and articles made thereby |
| US6399210B1 (en) | 2000-11-27 | 2002-06-04 | Dow Corning Corporation | Alkoxyhydridosiloxane resins |
| CA2441901A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-17 | Paul Apen | Low dielectric constant materials and methods of preparation thereof |
| US6756085B2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-06-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Ultraviolet curing processes for advanced low-k materials |
| US20030194445A1 (en) * | 2001-11-12 | 2003-10-16 | Kuhner Carla H. | Compositions and methods of use of peptides in combination with biocides and/or germicides |
| US20040247896A1 (en) * | 2001-12-31 | 2004-12-09 | Paul Apen | Organic compositions |
| US6596821B1 (en) * | 2002-03-05 | 2003-07-22 | Dow Corning Corporation | Hydrosilyation cured silicone resins obtained by fractionation |
| CN1285970C (zh) * | 2003-06-03 | 2006-11-22 | 三井化学株式会社 | 布线保护膜形成用组合物及其用途 |
| JP2005187381A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Asahi Kasei Corp | ケイ素化合物の精製法 |
| US20050215713A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Hessell Edward T | Method of producing a crosslinked coating in the manufacture of integrated circuits |
| KR101247545B1 (ko) * | 2004-11-02 | 2013-03-26 | 다우 코닝 코포레이션 | 레지스트 조성물 |
| US7803668B2 (en) * | 2006-02-24 | 2010-09-28 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Transistor and fabrication process |
| KR101293937B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2013-08-09 | 다우 코닝 코포레이션 | 전자 유인성 관능 그룹을 갖는 염기 첨가제를 함유한 실세스퀴옥산 수지 시스템 |
| WO2008002970A2 (en) | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Dow Corning Corporation | Silsesquioxane resin systems with base additives bearing electron-attracting functionalities |
| TWI432895B (zh) * | 2010-12-01 | 2014-04-01 | Chi Mei Corp | 感光性聚矽氧烷組成物及其所形成之基材保護膜 |
| JP2017518521A (ja) | 2014-04-09 | 2017-07-06 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 光学素子 |
| JP6557248B2 (ja) | 2014-04-09 | 2019-08-07 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | 疎水性物品 |
| JP6740226B2 (ja) * | 2015-06-17 | 2020-08-12 | 株式会社ダイセル | 硬化性組成物 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3615272A (en) * | 1968-11-04 | 1971-10-26 | Dow Corning | Condensed soluble hydrogensilsesquioxane resin |
| JPS59189126A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-26 | Fujitsu Ltd | ポリジハイドロジエンシロキサンの製造方法 |
| JPS6042426A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Fujitsu Ltd | ポリジハイドロジェンシロキサンの製法 |
| JPS6086017A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Fujitsu Ltd | ポリハイドロジエンシルセスキオキサンの製法 |
| JP2513595B2 (ja) * | 1984-11-28 | 1996-07-03 | 富士通株式会社 | ラダ−型シリコン樹脂の分子量分別法 |
| US4808653A (en) * | 1986-12-04 | 1989-02-28 | Dow Corning Corporation | Coating composition containing hydrogen silsesquioxane resin and other metal oxide precursors |
| IT1241077B (it) * | 1990-03-22 | 1993-12-29 | Donegani Guido Ist | Procedimento per il frazionamento in continuo di polimeri ed apparecchiatura adatta allo scopo |
| US5091162A (en) * | 1990-10-01 | 1992-02-25 | Dow Corning Corporation | Perhydrosiloxane copolymers and their use as coating materials |
| US5063267A (en) * | 1990-11-28 | 1991-11-05 | Dow Corning Corporation | Hydrogen silsesquioxane resin fractions and their use as coating materials |
| US5165955A (en) * | 1991-05-28 | 1992-11-24 | Dow Corning Corporation | Method of depositing a coating containing silicon and oxygen |
| US5310583A (en) * | 1992-11-02 | 1994-05-10 | Dow Corning Corporation | Vapor phase deposition of hydrogen silsesquioxane resin in the presence of nitrous oxide |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP33810392A patent/JP3153367B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-29 US US08/145,923 patent/US5416190A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-10 TW TW082109439A patent/TW268020B/zh active
- 1993-11-19 EP EP93118623A patent/EP0599209A3/en not_active Withdrawn
- 1993-11-22 KR KR1019930024874A patent/KR100257799B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-02-13 US US08/387,697 patent/US5486564A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0599209A2 (en) | 1994-06-01 |
| KR100257799B1 (ko) | 2000-06-01 |
| US5416190A (en) | 1995-05-16 |
| TW268020B (ja) | 1996-01-11 |
| KR940011528A (ko) | 1994-06-21 |
| JPH06157760A (ja) | 1994-06-07 |
| US5486564A (en) | 1996-01-23 |
| EP0599209A3 (en) | 1995-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3153367B2 (ja) | ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法 | |
| Moran et al. | Ferrocenyl substituted octakis (dimethylsiloxy) octasilsesquioxanes: A new class of supramolecular organometallic compounds. Synthesis, characterization, and electrochemistry | |
| EP1036808B1 (en) | Hydrogenated octasilsesquioxane- vinyl group- containing copolymer and method for manufacture | |
| KR100539328B1 (ko) | 실록산 수지의 합성 | |
| EP2159249B1 (en) | Hydrosilylated polymer, heat-resistant resin composition, and heat-resistant film | |
| KR101583232B1 (ko) | 중합체 제조 방법 및 실리카계 절연막 형성용 조성물 | |
| KR20010020178A (ko) | 유기 함량이 낮은 유기하이드리도실록산 수지 | |
| CN107459652B (zh) | 一种可室温固化的耐热硅树脂及其制备方法 | |
| JP4866050B2 (ja) | ポリシランの製造方法 | |
| CN100393730C (zh) | 多官能环状硅酸盐（或酯）化合物，由该化合物制得的基于硅氧烷的聚合物和使用该聚合物制备绝缘膜的方法 | |
| CN110945055B (zh) | 硅烷醇组合物、固化物、粘接剂、使硅烷醇组合物固化的方法 | |
| JP2979145B1 (ja) | 新型含シルセスキオキサンポリマー及びその製造方法 | |
| EP1493773B1 (en) | Siloxane-based resin and semiconductor interlayer insulating film made thereof | |
| KR101599952B1 (ko) | 중합체 제조 방법 및 실리카계 절연막 형성용 조성물 | |
| KR100909215B1 (ko) | 실리콘-수소 결합의 암모니아 치환을 감소시킨 폴리실라잔 및 폴리실라잔 용액의 제조방법 | |
| EP0977796A1 (en) | Synthesis of hydrogensilsesquioxane resins | |
| US20200299462A1 (en) | Method for preparing ultraviolet (uv) curing polymethyl siloxane containing acrylate structure | |
| JPS624724A (ja) | アルコキシ末端基を有するポリ（ジオルガノシロキサン）の製造方法 | |
| JP2923408B2 (ja) | 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法 | |
| JP4343949B2 (ja) | 新規高分子およびそれを用いたナノ多孔性低誘電性高分子複合体の製造方法 | |
| US7652118B2 (en) | Polycarbosilane and method for producing same | |
| JPH0586330A (ja) | シリコーンレジン被膜形成剤 | |
| JPH07330905A (ja) | 低分子シロキサンを極く少量しか含まないオルガノポリシロキサンオイルの製造方法 | |
| US20050003215A1 (en) | Synthesis of siloxane resins | |
| KR100343552B1 (ko) | 균일하게 분산된 다이메틸실록산을 포함하는폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20001219 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080126 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |