JPH0586330A - シリコーンレジン被膜形成剤 - Google Patents
シリコーンレジン被膜形成剤Info
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- JPH0586330A JPH0586330A JP3277093A JP27709391A JPH0586330A JP H0586330 A JPH0586330 A JP H0586330A JP 3277093 A JP3277093 A JP 3277093A JP 27709391 A JP27709391 A JP 27709391A JP H0586330 A JPH0586330 A JP H0586330A
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- silicone resin
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D9/00—Chemical paint or ink removers
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- Polymers & Plastics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各種基材に対して密着性に優れたシリコーン
レジン被膜を形成することができ、かつアルカリ水溶液
により極めて容易に除去できるシリコーンレジン被膜を
形成することができるシリコーンレジン被膜形成剤を提
供することにある。 【構成】 一般式 (ａ)（ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2）ｎ（Ｓｉ
Ｏ4/2）ｍ（式中、Ｍｅはメチル基を表す。ｎとｍはそ
れぞれ０を越える数である。ｎ／ｍは ０.２以上であ
る。）で表わされ、軟化点が４０℃以上であるか、もし
くは軟化点が存在しないシリコ−ンレジンと有機溶剤か
らなることを特徴とするシリコーンレジン被膜形成剤。
レジン被膜を形成することができ、かつアルカリ水溶液
により極めて容易に除去できるシリコーンレジン被膜を
形成することができるシリコーンレジン被膜形成剤を提
供することにある。 【構成】 一般式 (ａ)（ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2）ｎ（Ｓｉ
Ｏ4/2）ｍ（式中、Ｍｅはメチル基を表す。ｎとｍはそ
れぞれ０を越える数である。ｎ／ｍは ０.２以上であ
る。）で表わされ、軟化点が４０℃以上であるか、もし
くは軟化点が存在しないシリコ−ンレジンと有機溶剤か
らなることを特徴とするシリコーンレジン被膜形成剤。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコ−ンレジン被膜
形成剤に関するものである。
形成剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコーンレジンを主成分とする
被膜形成剤としては、メチルトリクロロシラン，ジメチ
ルジクロロシラン，フェニルトリクロロシラン，フェニ
ルメチルジクロロシラン等のオルガノクロロシラン類を
共加水分解し重合して得られたシリコーンレジンを主成
分とする組成物が知られており、これらの組成物はシリ
コーンワニスと呼ばれ、耐熱性，電気絶縁性，撥水性を
要求される各種基材のコーティング材，シーリング材，
接着剤（結合剤）として多用されている［プラスチック
材料講座９，けい素樹脂，第１４１頁〜第１６３頁，日
刊工業新聞社，昭和５３年２月１０日発行参照］。とこ
ろが、これらの従来のワニスから形成されたシリコーン
レジン被膜は、耐熱性，電気絶縁性に優れているが、金
属，ガラス，有機系レジスト材，シリコン等各種基材に
対する密着性，基材からの被膜除去性においては十分満
足できるものではなく、その用途が限られるという問題
点があった。
被膜形成剤としては、メチルトリクロロシラン，ジメチ
ルジクロロシラン，フェニルトリクロロシラン，フェニ
ルメチルジクロロシラン等のオルガノクロロシラン類を
共加水分解し重合して得られたシリコーンレジンを主成
分とする組成物が知られており、これらの組成物はシリ
コーンワニスと呼ばれ、耐熱性，電気絶縁性，撥水性を
要求される各種基材のコーティング材，シーリング材，
接着剤（結合剤）として多用されている［プラスチック
材料講座９，けい素樹脂，第１４１頁〜第１６３頁，日
刊工業新聞社，昭和５３年２月１０日発行参照］。とこ
ろが、これらの従来のワニスから形成されたシリコーン
レジン被膜は、耐熱性，電気絶縁性に優れているが、金
属，ガラス，有機系レジスト材，シリコン等各種基材に
対する密着性，基材からの被膜除去性においては十分満
足できるものではなく、その用途が限られるという問題
点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は上記問題点
を解消するために研究した結果、特定の化学構造を有す
るシリコーンレジンから形成される被膜が各種基材に対
して、密着性を有し、特に、アルカリ水溶液により極め
て容易に分解することを見出し本発明に到達した。本発
明の目的は、各種基材に対して密着性に優れたシリコー
ンレジン被膜を形成することができ、かつアルカリ水溶
液により極めて容易に除去できるシリコーンレジン被膜
を形成することができるシリコーンレジン被膜形成剤を
提供することにある。
を解消するために研究した結果、特定の化学構造を有す
るシリコーンレジンから形成される被膜が各種基材に対
して、密着性を有し、特に、アルカリ水溶液により極め
て容易に分解することを見出し本発明に到達した。本発
明の目的は、各種基材に対して密着性に優れたシリコー
ンレジン被膜を形成することができ、かつアルカリ水溶
液により極めて容易に除去できるシリコーンレジン被膜
を形成することができるシリコーンレジン被膜形成剤を
提供することにある。
【０００４】
【課題の解決手段とその作用】本発明は、一般式 (ａ)
（ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2）ｎ（ＳｉＯ4/2）ｍ（式中、Ｍｅ
はメチル基を表す。ｎとｍはそれぞれ０を越える数であ
る。ｎ／ｍは ０.２以上である。）で表わされ、軟化点
が４０℃以上であるか、もしくは軟化点が存在しないシ
リコ−ンレジンと有機溶剤からなることを特徴とするシ
リコーンレジン被膜形成剤に関する。
（ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2）ｎ（ＳｉＯ4/2）ｍ（式中、Ｍｅ
はメチル基を表す。ｎとｍはそれぞれ０を越える数であ
る。ｎ／ｍは ０.２以上である。）で表わされ、軟化点
が４０℃以上であるか、もしくは軟化点が存在しないシ
リコ−ンレジンと有機溶剤からなることを特徴とするシ
リコーンレジン被膜形成剤に関する。
【０００５】このようなシリコ−ンレジンは次のような
方法によって製造される。即ち、一般式 (ｂ)ＨＭｅ2Ｓ
ｉＸ（式中、Ｘは塩素，臭素で例示されるハロゲン原子
またはメトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，ブトキ
シ基等で例示されるアルコキシ基である。）で表される
有機ケイ素化合物と、一般式 (ｃ)ＳｉＸ4（式中、Ｘは
前記と同じである。）で表わされる有機ケイ素化合物と
を有機溶剤と酸性水溶液の存在下で共加水分解し、次い
で、得られたシリコ−ンレジン溶液を水洗，中和，脱水
することによって製造される。ここで、一般式(ｂ)で表
される有機化合物と一般式(ｃ)で表される有機化合物と
を共加水分解する方法としては、例えば、これらの混合
物を有機溶剤の溶液とし、この溶液を水層に撹拌しなが
ら滴下する方法、または、その有機溶剤の溶液中に撹拌
しながら水を滴下する方法がある。水は酸性水溶液であ
ってもよい。有機溶剤は、上記一般式(ｂ)で表される化
合物、上記一般式(ｃ)で表される化合物、さらに、生成
するシリコ−ンレジンを溶解するものが好ましい。かか
る有機溶剤を例示すると、ベンゼン，トルエン，キシレ
ン等の芳香族系有機溶剤；ヘキサン，ヘプタン等のアル
カン類；ジエチルエ−テル、テトラヒドロフラン等のエ
−テル類，メチルイソブチルケトン等のケトン類などが
例示される。これらの中でも、水の溶解性が小さい、ヘ
キサン，ヘプタン，トルエン，キシレンなどが好まし
い。上記一般式(ｂ)および一般式(ｃ)で表される化合物
の有機溶剤中の濃度は、通常、得られるシリコーンレジ
ンの有機溶剤中の濃度が、１０〜８０重量％になるよう
に調製される。酸性水溶液としては硫酸，硝酸，塩酸等
の酸の水溶液が用いられるが、塩酸の水溶液が好まし
い。滴下時および滴下後の温度は、０〜１００℃が適当
である。
方法によって製造される。即ち、一般式 (ｂ)ＨＭｅ2Ｓ
ｉＸ（式中、Ｘは塩素，臭素で例示されるハロゲン原子
またはメトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，ブトキ
シ基等で例示されるアルコキシ基である。）で表される
有機ケイ素化合物と、一般式 (ｃ)ＳｉＸ4（式中、Ｘは
前記と同じである。）で表わされる有機ケイ素化合物と
を有機溶剤と酸性水溶液の存在下で共加水分解し、次い
で、得られたシリコ−ンレジン溶液を水洗，中和，脱水
することによって製造される。ここで、一般式(ｂ)で表
される有機化合物と一般式(ｃ)で表される有機化合物と
を共加水分解する方法としては、例えば、これらの混合
物を有機溶剤の溶液とし、この溶液を水層に撹拌しなが
ら滴下する方法、または、その有機溶剤の溶液中に撹拌
しながら水を滴下する方法がある。水は酸性水溶液であ
ってもよい。有機溶剤は、上記一般式(ｂ)で表される化
合物、上記一般式(ｃ)で表される化合物、さらに、生成
するシリコ−ンレジンを溶解するものが好ましい。かか
る有機溶剤を例示すると、ベンゼン，トルエン，キシレ
ン等の芳香族系有機溶剤；ヘキサン，ヘプタン等のアル
カン類；ジエチルエ−テル、テトラヒドロフラン等のエ
−テル類，メチルイソブチルケトン等のケトン類などが
例示される。これらの中でも、水の溶解性が小さい、ヘ
キサン，ヘプタン，トルエン，キシレンなどが好まし
い。上記一般式(ｂ)および一般式(ｃ)で表される化合物
の有機溶剤中の濃度は、通常、得られるシリコーンレジ
ンの有機溶剤中の濃度が、１０〜８０重量％になるよう
に調製される。酸性水溶液としては硫酸，硝酸，塩酸等
の酸の水溶液が用いられるが、塩酸の水溶液が好まし
い。滴下時および滴下後の温度は、０〜１００℃が適当
である。
【０００６】一般式(ｂ)で表される有機ケイ素化合物と
一般式(ｃ)で示される有機ケイ素化合物との共加水分解
により得られたシリコーンレジン溶液は、必要に応じ
て、有機溶剤あるいは水を加えて、静置し、水層は分離
される。シリコ−ンレジンを含む有機溶剤層は中性にな
るまで水洗される。さらに脱水するのが望ましい。この
脱水は、水の溶解性の少ない有機溶剤であれば、水分分
離管を用い有機溶剤の共沸下でおこなえばよい。得られ
たシリコ−ンレジンは、若干の残存シラノ−ル基を含ん
でいるので、一般式 (ｄ)（ＨＲ′2Ｓｉ）ａＱ（式中、
Ｒ′は炭素数１〜８の置換または非置換の１価炭化水素
基であり、ａは１もしくは２であり、ａが１の場合はＱ
は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、−
ＮＲ″2，−ＯＮＲ″2または−ＯＣＯＲ″であり、ａが
２の場合はＱは−Ｏ−もしくは−ＮＲ″−であり、Ｒ″
は水素原子またはアルキル基である。）で表される有機
ケイ素化合物により、シリコーンレジン中の残存シラノ
−ル基をキャッピング（封鎖）してもよい。シリコ−ン
レジンの有機溶媒溶液の安定性という点では、残存シラ
ノ−ル基を縮合するこの操作が好ましい。一般式(ｄ)で
示される有機ケイ素化合物は、シラノ−ル基と反応しや
すい化合物である。式中、Ｒ′は、炭素数１〜８の１価
炭化水素基である。１分子のＲ′は同種であってよくま
た異種であってもよい。ａは１もしくは２であり、ａが
１の場合はＱは水素原子，ハロゲン原子，水酸基，アル
コキシ基，−ＮＲ″，−ＯＮＲ″2 または−ＯＣＯＲ″
である。ハロゲン原子およびアルコキシ基は前記一般式
(ｂ)で示される有機ケイ素化合物で例示したものが挙げ
られる。ａが２の場合は、Ｑは−Ｏ−もしくは−ＮＲ″
であり、Ｒ″は水素原子もしくはアルキル基であり、ア
ルキル基としてはメチル基，エチル基，プロピル基，ブ
チル基，ペンチル基が例示される。この有機ケイ素化合
物の使用量は、シラノ−ル基の残存量によるが、前記平
均単位式(ａ)で示されるシリコ−ンレジン１００重量部
に対し、５〜７０重量部で十分であり、過剰な分は除去
される。一般式(ｄ)で表される有機ケイ素化合物はシリ
コ−ンレジンの溶液に添加され、必要により加熱され
る。その後、シリコ−ンレジンの溶液は、中性になるま
で水洗され、同様に脱水し、最後に有機溶媒をストリッ
ピングすることにより本発明に使用するシリコ−ンレジ
ンが得られる。尚、一般式(ｄ)で示される有機ケイ素化
合物を使用した場合には、平均単位式(ａ)で示される以
外のシロキサン単位であるＨＲ′2ＳｉＯ1/2単位が少量
含まれることになるが、本発明の範囲に含まれる。また
平均単位式(ａ)で示されるシリコ−ンレジンに、他のメ
チルシロキサン単位少量が含まれた場合でも、本発明の
目的を損わない限り差し支えない。
一般式(ｃ)で示される有機ケイ素化合物との共加水分解
により得られたシリコーンレジン溶液は、必要に応じ
て、有機溶剤あるいは水を加えて、静置し、水層は分離
される。シリコ−ンレジンを含む有機溶剤層は中性にな
るまで水洗される。さらに脱水するのが望ましい。この
脱水は、水の溶解性の少ない有機溶剤であれば、水分分
離管を用い有機溶剤の共沸下でおこなえばよい。得られ
たシリコ−ンレジンは、若干の残存シラノ−ル基を含ん
でいるので、一般式 (ｄ)（ＨＲ′2Ｓｉ）ａＱ（式中、
Ｒ′は炭素数１〜８の置換または非置換の１価炭化水素
基であり、ａは１もしくは２であり、ａが１の場合はＱ
は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、−
ＮＲ″2，−ＯＮＲ″2または−ＯＣＯＲ″であり、ａが
２の場合はＱは−Ｏ−もしくは−ＮＲ″−であり、Ｒ″
は水素原子またはアルキル基である。）で表される有機
ケイ素化合物により、シリコーンレジン中の残存シラノ
−ル基をキャッピング（封鎖）してもよい。シリコ−ン
レジンの有機溶媒溶液の安定性という点では、残存シラ
ノ−ル基を縮合するこの操作が好ましい。一般式(ｄ)で
示される有機ケイ素化合物は、シラノ−ル基と反応しや
すい化合物である。式中、Ｒ′は、炭素数１〜８の１価
炭化水素基である。１分子のＲ′は同種であってよくま
た異種であってもよい。ａは１もしくは２であり、ａが
１の場合はＱは水素原子，ハロゲン原子，水酸基，アル
コキシ基，−ＮＲ″，−ＯＮＲ″2 または−ＯＣＯＲ″
である。ハロゲン原子およびアルコキシ基は前記一般式
(ｂ)で示される有機ケイ素化合物で例示したものが挙げ
られる。ａが２の場合は、Ｑは−Ｏ−もしくは−ＮＲ″
であり、Ｒ″は水素原子もしくはアルキル基であり、ア
ルキル基としてはメチル基，エチル基，プロピル基，ブ
チル基，ペンチル基が例示される。この有機ケイ素化合
物の使用量は、シラノ−ル基の残存量によるが、前記平
均単位式(ａ)で示されるシリコ−ンレジン１００重量部
に対し、５〜７０重量部で十分であり、過剰な分は除去
される。一般式(ｄ)で表される有機ケイ素化合物はシリ
コ−ンレジンの溶液に添加され、必要により加熱され
る。その後、シリコ−ンレジンの溶液は、中性になるま
で水洗され、同様に脱水し、最後に有機溶媒をストリッ
ピングすることにより本発明に使用するシリコ−ンレジ
ンが得られる。尚、一般式(ｄ)で示される有機ケイ素化
合物を使用した場合には、平均単位式(ａ)で示される以
外のシロキサン単位であるＨＲ′2ＳｉＯ1/2単位が少量
含まれることになるが、本発明の範囲に含まれる。また
平均単位式(ａ)で示されるシリコ−ンレジンに、他のメ
チルシロキサン単位少量が含まれた場合でも、本発明の
目的を損わない限り差し支えない。
【０００７】これを説明すると、本発明に使用されるシ
リコ−ンレジンは、上式中、ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2単位のモ
ル数ｎと ＳｉＯ4/2単位のモル数ｍは、それぞれ０を越
える数であり、その軟化点が４０℃以上もしくは軟化点
が存在しない、常温で固体のシリコーンレジンである。
ここで、ｎ／ｍが小さい程その軟化点は上昇し、軟化点
が４０℃以上になるには、ｎ／ｍが ０.２以上である。
そしてｎ／ｍの好ましい比率はｎ／ｍが０.２〜１.５の
範囲内にある。ｎ／ｍが ０.２未満では無機成分である
ＳｉＯ4/2成分が多過ぎて、有機溶剤に溶解しなくな
る。本発明に使用される有機溶剤は、上記シリコーンレ
ジンを溶解するものであればよく、特に限定されない。
このような有機溶剤としては、ベンゼン，トルエン等の
芳香族系の有機溶剤、ヘキサン，ヘプタン等の脂肪族炭
化水素系の有機溶剤、ジエチルエ−テル，テトラヒドロ
フラン等のエ−テル類，メチルイソブチルケトン等のケ
トン類などが例示される。このような有機溶剤の使用量
は、本発明の被膜形成剤の使用目的に応じて適宜変えら
れるが、通常、上記シリコーンレジン１００重量部に対
して１０〜２０００重量部の範囲内である。
リコ−ンレジンは、上式中、ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2単位のモ
ル数ｎと ＳｉＯ4/2単位のモル数ｍは、それぞれ０を越
える数であり、その軟化点が４０℃以上もしくは軟化点
が存在しない、常温で固体のシリコーンレジンである。
ここで、ｎ／ｍが小さい程その軟化点は上昇し、軟化点
が４０℃以上になるには、ｎ／ｍが ０.２以上である。
そしてｎ／ｍの好ましい比率はｎ／ｍが０.２〜１.５の
範囲内にある。ｎ／ｍが ０.２未満では無機成分である
ＳｉＯ4/2成分が多過ぎて、有機溶剤に溶解しなくな
る。本発明に使用される有機溶剤は、上記シリコーンレ
ジンを溶解するものであればよく、特に限定されない。
このような有機溶剤としては、ベンゼン，トルエン等の
芳香族系の有機溶剤、ヘキサン，ヘプタン等の脂肪族炭
化水素系の有機溶剤、ジエチルエ−テル，テトラヒドロ
フラン等のエ−テル類，メチルイソブチルケトン等のケ
トン類などが例示される。このような有機溶剤の使用量
は、本発明の被膜形成剤の使用目的に応じて適宜変えら
れるが、通常、上記シリコーンレジン１００重量部に対
して１０〜２０００重量部の範囲内である。
【０００８】本発明のシリコーンレジン被膜形成剤から
被膜を形成するには、これを基材表面に塗布，吹き付
け，含浸等従来公知のシリコーンワニス，シリコーン被
膜形成剤に使用されている方法に従って被覆し、その後
必要に応じて加熱する。
被膜を形成するには、これを基材表面に塗布，吹き付
け，含浸等従来公知のシリコーンワニス，シリコーン被
膜形成剤に使用されている方法に従って被覆し、その後
必要に応じて加熱する。
【０００９】以上のような本発明のシリコ−ンレジンの
被膜形成剤は、被膜形成を有し、色々な用途に利用され
るが、これは、形成される被膜中にＳｉＯ成分を含有
し、かつ反応性の高いケイ素原子結合水素原子を有する
ためである。また、本発明の被膜形成剤から形成された
シリコ−ンレジン被膜は、アルカリ水溶液と接触させる
と、ただちに分解し、そのシリコーンレジン被膜が除去
されるという特徴を有する。それは、ＨＭｅ2ＳｉＯ 基
が、アルカリ（例えば、ＺＯＨ）に極めて弱く、ただち
に反応して、水溶性のＨＯ−ＳｉＭｅ2Ｏ基または、Ｚ
Ｏ−ＳｉＭｅ2Ｏ基になるためである。ＳｉＯ2成分はも
ともと水溶性の成分である。かかる特性を利用して、本
発明の被膜形成剤は、半導体製造工程中の一つである３
層レジスト工程の中間層、層間絶縁膜などに有用であ
る。
被膜形成剤は、被膜形成を有し、色々な用途に利用され
るが、これは、形成される被膜中にＳｉＯ成分を含有
し、かつ反応性の高いケイ素原子結合水素原子を有する
ためである。また、本発明の被膜形成剤から形成された
シリコ−ンレジン被膜は、アルカリ水溶液と接触させる
と、ただちに分解し、そのシリコーンレジン被膜が除去
されるという特徴を有する。それは、ＨＭｅ2ＳｉＯ 基
が、アルカリ（例えば、ＺＯＨ）に極めて弱く、ただち
に反応して、水溶性のＨＯ−ＳｉＭｅ2Ｏ基または、Ｚ
Ｏ−ＳｉＭｅ2Ｏ基になるためである。ＳｉＯ2成分はも
ともと水溶性の成分である。かかる特性を利用して、本
発明の被膜形成剤は、半導体製造工程中の一つである３
層レジスト工程の中間層、層間絶縁膜などに有用であ
る。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例をあげる。実施例中、
Ｍｅはメチル基を表す。
Ｍｅはメチル基を表す。
【００１１】
【実施例１】フラスコに水 ９.５ｇ、メタノ−ル１０
ｇ、イソプロピルアルコ−ル１０ｇを入れ、攪拌し、１
０℃以下に氷冷しながら、ＨＭｅ2ＳｉＣｌ９.５ｇ
（０.１モル）とテトラメトキシシラン３０.４ｇ（０.
２モル）の混合物を、３０分間かけて滴下した。滴下終
了後、さらに１５℃以下で２時間撹拌を続けた。次い
で、メチルイソブチルケトン１００ｍｌ、ジエチルエ−
テル１００ｍｌ、水１００ｍｌを加え、混合、静置し、
有機層を採取した。有機層は、水で繰り返し洗浄した。
最後にこの有機層に、無水硫酸ナトリウムを加えて１日
脱水し、濾過後、溶媒をストリッピングした。１３ｇの
白色固体が得られた。この白色固体は、３００℃まで軟
化点を示さなかった。この白色固体の分析結果は以下の
通りであった。29 ＳｉＮＭＲ δ（ｐｐｍ）： ２（０.４３Ｓｉ，ｂｒ，ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2） −１６（０.０７Ｓｉ，ｂｒ，ＲＯＭｅ2ＳｉＯ1/2） −１００（０.４５Ｓｉ，ｂｒ，ＲＯＳｉＯ3/2） −１０８（０.５５Ｓｉ，ｂｒ，ＳｉＯ4/2） （ＲはＭｅ または Ｈである。） また、13ＣＮＭＲでは、０ｐｐｍに、Ｓｉ−ＣＨ3、５
２ｐｐｍにメトキシ基の吸収が確認された。ＧＰＣ（ゲ
ルパーミェーションクロマトグラフィー）では、Ｍｗ
（重量平均分子量）＝４.３×１０3であった。得られた
白色固体のシリコーンレジンは、末端に残存水酸基，エ
トキシ基を有し、平均単位式：（ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2）
0.43（ＳｉＯ4/2）1で示される化学構造を有する化合物
であることが判明した。この白色固体 ２.５ｇを、トル
エン１０ｍｌに溶解して、シリコ−ンレジン被膜形成剤
とした。このシリコーンレジン被膜形成剤をシリコンウ
ェハ−上に２０００ｒｐｍでスピナ−塗布した。その
後、この塗布物を８０℃で１時間加熱したところ、シリ
コ−ンレジン被膜が形成された。この被膜はシリコーン
ウエハーによく接着しており、その表面は撥水性を示し
た。さらに、このシリコーンレジン被膜の表面に１５％
のテトラメルチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液
を液滴の直径が１cmになるように落下したところ、この
シリコーンレジン被膜は発泡しながら１分以内に溶解し
た。その部分は、親水性になった。
ｇ、イソプロピルアルコ−ル１０ｇを入れ、攪拌し、１
０℃以下に氷冷しながら、ＨＭｅ2ＳｉＣｌ９.５ｇ
（０.１モル）とテトラメトキシシラン３０.４ｇ（０.
２モル）の混合物を、３０分間かけて滴下した。滴下終
了後、さらに１５℃以下で２時間撹拌を続けた。次い
で、メチルイソブチルケトン１００ｍｌ、ジエチルエ−
テル１００ｍｌ、水１００ｍｌを加え、混合、静置し、
有機層を採取した。有機層は、水で繰り返し洗浄した。
最後にこの有機層に、無水硫酸ナトリウムを加えて１日
脱水し、濾過後、溶媒をストリッピングした。１３ｇの
白色固体が得られた。この白色固体は、３００℃まで軟
化点を示さなかった。この白色固体の分析結果は以下の
通りであった。29 ＳｉＮＭＲ δ（ｐｐｍ）： ２（０.４３Ｓｉ，ｂｒ，ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2） −１６（０.０７Ｓｉ，ｂｒ，ＲＯＭｅ2ＳｉＯ1/2） −１００（０.４５Ｓｉ，ｂｒ，ＲＯＳｉＯ3/2） −１０８（０.５５Ｓｉ，ｂｒ，ＳｉＯ4/2） （ＲはＭｅ または Ｈである。） また、13ＣＮＭＲでは、０ｐｐｍに、Ｓｉ−ＣＨ3、５
２ｐｐｍにメトキシ基の吸収が確認された。ＧＰＣ（ゲ
ルパーミェーションクロマトグラフィー）では、Ｍｗ
（重量平均分子量）＝４.３×１０3であった。得られた
白色固体のシリコーンレジンは、末端に残存水酸基，エ
トキシ基を有し、平均単位式：（ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2）
0.43（ＳｉＯ4/2）1で示される化学構造を有する化合物
であることが判明した。この白色固体 ２.５ｇを、トル
エン１０ｍｌに溶解して、シリコ−ンレジン被膜形成剤
とした。このシリコーンレジン被膜形成剤をシリコンウ
ェハ−上に２０００ｒｐｍでスピナ−塗布した。その
後、この塗布物を８０℃で１時間加熱したところ、シリ
コ−ンレジン被膜が形成された。この被膜はシリコーン
ウエハーによく接着しており、その表面は撥水性を示し
た。さらに、このシリコーンレジン被膜の表面に１５％
のテトラメルチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液
を液滴の直径が１cmになるように落下したところ、この
シリコーンレジン被膜は発泡しながら１分以内に溶解し
た。その部分は、親水性になった。
【００１２】
【実施例２】実施例１において、ＨＭｅ2ＳｉＣｌ の仕
込み量を、６.６ｇ（０.０７モル）としたほかは、実施
例１と同様にして、室温で固体のシリコ−ンレジン １
２.０ｇを得た。このものは、３００℃まで軟化点を示
さなかった。この白色固体の分析結果は以下の通りであ
った。29 ＳｉＮＭＲ δ（ｐｐｍ）： ２（０.２９Ｓｉ，ｂｒ，ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2） −１６（０.０８Ｓｉ，ｂｒ，ＲＯＭｅ2ＳｉＯ1/2） −１００（０.４７Ｓｉ，ｂｒ，ＲＯＳｉＯ3/2） −１０８（０.５３Ｓｉ，ｂｒ，ＳｉＯ4/2） （ＲはＭｅ または Ｈである。） また、13ＣＮＭＲでは、０ｐｐｍに、Ｓｉ−ＣＨ3、５
２ｐｐｍにメトキシ基の吸収が確認された。ＧＰＣ（ゲ
ルパーミェーションクロマトグラフィー）では、Ｍｗ
（重量平均分子量）＝４.９×１０3であった。得られた
白色固体のシリコーンレジンは、末端に残存水酸基，エ
トキシ基を有し、平均単位式：（ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2）
0.29（ＳｉＯ4/2）1で示される化学構造を有する化合物
であることが判明した。この白色固体２.５ｇを、トル
エン１０ｍｌに溶解して、シリコ−ンレジン被膜形成剤
とした。このシリコーンレジン被膜形成剤をシリコンウ
ェハ−上に２０００ｒｐｍでスピナ−塗布した。その
後、この塗布物を８０℃で１時間加熱したところ、シリ
コ−ンレジン被膜が形成された。このシリコーンレジン
被膜はシリコーンウエハーによく接着していた。さら
に、このシリコーンレジン被膜の表面に１５％のテトラ
メルチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液の液滴を
落下したところ、このシリコーンレジン被膜は発泡しな
がら１分以内に溶解した。
込み量を、６.６ｇ（０.０７モル）としたほかは、実施
例１と同様にして、室温で固体のシリコ−ンレジン １
２.０ｇを得た。このものは、３００℃まで軟化点を示
さなかった。この白色固体の分析結果は以下の通りであ
った。29 ＳｉＮＭＲ δ（ｐｐｍ）： ２（０.２９Ｓｉ，ｂｒ，ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2） −１６（０.０８Ｓｉ，ｂｒ，ＲＯＭｅ2ＳｉＯ1/2） −１００（０.４７Ｓｉ，ｂｒ，ＲＯＳｉＯ3/2） −１０８（０.５３Ｓｉ，ｂｒ，ＳｉＯ4/2） （ＲはＭｅ または Ｈである。） また、13ＣＮＭＲでは、０ｐｐｍに、Ｓｉ−ＣＨ3、５
２ｐｐｍにメトキシ基の吸収が確認された。ＧＰＣ（ゲ
ルパーミェーションクロマトグラフィー）では、Ｍｗ
（重量平均分子量）＝４.９×１０3であった。得られた
白色固体のシリコーンレジンは、末端に残存水酸基，エ
トキシ基を有し、平均単位式：（ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2）
0.29（ＳｉＯ4/2）1で示される化学構造を有する化合物
であることが判明した。この白色固体２.５ｇを、トル
エン１０ｍｌに溶解して、シリコ−ンレジン被膜形成剤
とした。このシリコーンレジン被膜形成剤をシリコンウ
ェハ−上に２０００ｒｐｍでスピナ−塗布した。その
後、この塗布物を８０℃で１時間加熱したところ、シリ
コ−ンレジン被膜が形成された。このシリコーンレジン
被膜はシリコーンウエハーによく接着していた。さら
に、このシリコーンレジン被膜の表面に１５％のテトラ
メルチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液の液滴を
落下したところ、このシリコーンレジン被膜は発泡しな
がら１分以内に溶解した。
【００１３】
【実施例３】実施例１において、ＨＭｅ2ＳｉＣｌ の仕
込み量を、１３.２ｇ（０.１４モル）とした以外は、実
施例１と同様に行ない、室温で固体のシリコ−ンレジン
１７.５ｇを得た。このものを、トルエン ４０.８ｇに
溶解し、１,１,３,３−テトラメチルジシラザン３.３ｇ
（０.０２５モル）を加え、還流温度にて３時間攪拌し
た。反応後、中和，水洗し溶媒を除去して、室温で固体
のシリコーンレジン１９.８ｇを得た。このものの軟化
点は１５０℃であった。 また分子量は、ＧＰＣによ
り、Ｍｗ（重量平均分子量）＝４.９×１０3であった。
得られた白色固体のシリコーンレジンは、末端に残存水
酸基，エトキシ基を有し、平均単位式：（ＨＭｅ2Ｓｉ
Ｏ1/2）0.8（ＳｉＯ4/2）1で示される化学構造を有する
有機ケイ素化合物であることが判明した。この白色固体
の破片を、１５％のテトラメルチルアンモニウムハイド
ロキサイド水溶液中に落としたところ、この白色固体は
発泡しながら１分以内に溶解した。この白色固体２.５
ｇを、トルエン１０ｍｌに溶解して、シリコ−ンレジン
被膜形成剤とした。この溶液は、室温で６ヵ月間保存し
ても安定であり、沈降物が発生しなかった。
込み量を、１３.２ｇ（０.１４モル）とした以外は、実
施例１と同様に行ない、室温で固体のシリコ−ンレジン
１７.５ｇを得た。このものを、トルエン ４０.８ｇに
溶解し、１,１,３,３−テトラメチルジシラザン３.３ｇ
（０.０２５モル）を加え、還流温度にて３時間攪拌し
た。反応後、中和，水洗し溶媒を除去して、室温で固体
のシリコーンレジン１９.８ｇを得た。このものの軟化
点は１５０℃であった。 また分子量は、ＧＰＣによ
り、Ｍｗ（重量平均分子量）＝４.９×１０3であった。
得られた白色固体のシリコーンレジンは、末端に残存水
酸基，エトキシ基を有し、平均単位式：（ＨＭｅ2Ｓｉ
Ｏ1/2）0.8（ＳｉＯ4/2）1で示される化学構造を有する
有機ケイ素化合物であることが判明した。この白色固体
の破片を、１５％のテトラメルチルアンモニウムハイド
ロキサイド水溶液中に落としたところ、この白色固体は
発泡しながら１分以内に溶解した。この白色固体２.５
ｇを、トルエン１０ｍｌに溶解して、シリコ−ンレジン
被膜形成剤とした。この溶液は、室温で６ヵ月間保存し
ても安定であり、沈降物が発生しなかった。
【００１４】
【発明の効果】本発明のシリコ−ンレジン被膜形成剤は
上記の通り特殊なシリコーンレジンを主成分としている
ので、各種基材に対して密着性に優れたシリコーンレジ
ン被膜を形成することができ、かつ、アルカリ水溶液に
より、極めて容易に除去できるシリコーンレジン被覆を
形成することできるという特徴を有する。
上記の通り特殊なシリコーンレジンを主成分としている
ので、各種基材に対して密着性に優れたシリコーンレジ
ン被膜を形成することができ、かつ、アルカリ水溶液に
より、極めて容易に除去できるシリコーンレジン被覆を
形成することできるという特徴を有する。
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式 (ａ)（ＨＭｅ2ＳｉＯ1/2）ｎ
（ＳｉＯ4/2）ｍ（式中、Ｍｅはメチル基を表す。ｎと
ｍはそれぞれ０を越える数である。ｎ／ｍは ０.２以上
である。）で表わされ、軟化点が４０℃以上であるか、
もしくは軟化点が存在しないシリコ−ンレジンと有機溶
剤からなることを特徴とするシリコーンレジン被膜形成
剤。 - 【請求項２】 シリコーンレジンが、アルカリ水溶液に
易分解性である、請求項１記載のシリコ−ンレジン被膜
形成剤。 - 【請求項３】 シリコーンレジンが、一般式 (ｂ)ＨＭ
ｅ2ＳｉＸ（式中、Ｘはハロゲン原子またはアルコキシ
基であり、Ｍｅはメチル基である。）で表される有機ケ
イ素化合物と、一般式 (ｃ)ＳｉＸ4（式中、Ｘは前記と
同じである。）で表わされる有機ケイ素化合物とを有機
溶剤と酸性水溶液の存在下で共加水分解し、次いで、得
られたシリコ−ンレジン溶液を水洗，中和，脱水するこ
とにより、製造されたものである請求項１または請求項
２記載のシリコ−ンレジン被膜形成剤。 - 【請求項４】 シリコーンレジンが、一般式(ｂ) ＨＭ
ｅ2ＳｉＸ（式中、Ｘはハロゲン原子またはアルコキシ
基であり、Ｍｅはメチル基である。）で表される有機ケ
イ素化合物と、一般式 (ｃ)ＳｉＸ4（式中、Ｘは前記と
同じである。）で表わされる有機ケイ素化合物とを有機
溶剤と酸性水溶液の存在下で共加水分解し、次いで、得
られたシリコ−ンレジン溶液を水洗，中和，脱水し、し
かる後、一般式 (ｄ)（ＨＲ′2Ｓｉ）ａＸ（式中、Ｒ′
は炭素数１〜８の置換または非置換の１価炭化水素基で
あり、ａは１もしくは２であり、ａが１の場合はＸは水
素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、−Ｎ
Ｒ″2，−ＯＮＲ″2または−ＯＣＯＲ″であり、ａが２
の場合はＸは−Ｏ−もしくは−ＮＲ″−であり、Ｒ″は
水素原子またはアルキル基である。）で表される有機ケ
イ素化合物により前記シリコーンレジン中の残存シラノ
−ル基をキャッピングすることにより製造されたもので
ある請求項１または請求項２または請求項３記載のシリ
コ−ンレジン被膜形成剤。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277093A JPH0586330A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | シリコーンレジン被膜形成剤 |
| US07/952,105 US5270074A (en) | 1991-09-27 | 1992-09-28 | Silicone resin coating compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277093A JPH0586330A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | シリコーンレジン被膜形成剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0586330A true JPH0586330A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=17578680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3277093A Pending JPH0586330A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | シリコーンレジン被膜形成剤 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5270074A (ja) |
| JP (1) | JPH0586330A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005069313A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2007-12-27 | 株式会社エス・エフ・シー | 絶縁膜および絶縁膜の形成方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995018190A1 (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-06 | Kawasaki Steel Corporation | Isolation film of semiconductor device, coating fluid for forming the film, and process for producing the film |
| US5747624A (en) * | 1995-11-13 | 1998-05-05 | General Electric Company | Process for removing silicone coatings and sealants and composition therefore |
| US6623564B2 (en) * | 2000-02-22 | 2003-09-23 | Panac Industries, Inc. | Method of recovering synthetic substrates |
| US20140342148A1 (en) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | Corning Incorporated | Glass structures and methods of creating and processing glass structures |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3673099A (en) * | 1970-10-19 | 1972-06-27 | Bell Telephone Labor Inc | Process and composition for stripping cured resins from substrates |
| US3957713A (en) * | 1973-04-13 | 1976-05-18 | General Electric Company | High strength organopolysiloxane compositions |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3277093A patent/JPH0586330A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-28 US US07/952,105 patent/US5270074A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005069313A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2007-12-27 | 株式会社エス・エフ・シー | 絶縁膜および絶縁膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5270074A (en) | 1993-12-14 |
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