JPH10279936A

JPH10279936A - ベンゼンジチオール銅錯体系光安定化剤、該安定化剤を含有してなる光記録媒体、インク組成物及び樹脂組成物

Info

Publication number: JPH10279936A
Application number: JP8494697A
Authority: JP
Inventors: Naoto Ito; 尚登伊藤; Akira Ogiso; 章小木曽
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1997-04-03
Filing date: 1997-04-03
Publication date: 1998-10-20
Anticipated expiration: 2017-04-03
Also published as: JP4033516B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】耐光性、再生安定性が良好であり、インク組
成物は優れた耐光性を有し、樹脂組成物は溶解度が良好
で、且つ優れた耐光性を有する光安定化剤を提供する。【解決手段】一般式１の置換ベンゼンジチオラート銅錯体系光安定化剤、及び
該光安定化剤を含む光記録媒体、インク組成物及び樹脂
組成物。一般式１の化合物の具体例にはビス−［Ｎ−
（４−イソプロピルフェニル）−ジクロロ−ジメルカプ
ト−フタルイミド］銅−テトラブチルアンモニウム錯体
がある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光安定化剤および
紫外線吸収剤として有用なベンゼンジチオール銅錯体系
光安定化剤、および該安定化剤を含有してなる光記録媒
体、インク組成物及び樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光記録媒体における記録層として
近赤外線吸収色素が幅広く用いられているが、レーザー
光による分解によって記録を行う方法が採用されている
ため、耐光堅牢度の不十分なものが多いのが現状であ
る。特に、光記録用色素として幅広く用いられているシ
アニン系、アミニウム系、ピリリウム系、ポリメチン系
のカチオン型色素は一般に耐光性が悪く、褪色する欠点
を有していた。このため、特開昭５７−１６６８３２
号、同５７−１６８０４８号、同５９−５５７９５号公
報には色素とクエンチャーを併用することで光安定性を
改善することが提案され、また、特開昭６０−１５９０
８７号、同６０−１６２６９１号、同６０−２０３４８
８号、同６０−１６３２４３号公報には色素カチオンと
金属錯体のアニオンとのイオン結合体を用いることが提
案されている。さらに、光安定化剤としてニッケルジチ
オール錯体、銅ジチオール錯体などの金属錯体を用いる
方法が特開昭６２−１９３８９１号、特開昭６２−２０
７６８８号、特開昭６３−１９２９３号、特開昭６３−
１９９２４８号、特公平７−６６５６０号、特公平７−
６６５６１号公報に記載されている。

【０００３】しかしながら、光記録媒体の記録・読出を
行うために通常６００ｎｍ〜８５０ｎｍ、特に７８０ｎ
ｍの波長を持つ半導体レーザーを用いるため、近赤外吸
収能を有するビス−ジチオレートニッケル錯体ではレー
ザー光を吸収し、光記録媒体用色素の分解に必要な光吸
収量が小さくなり、レーザーによる分解が起こりにく
い、すなわち感度の低下をきたす問題や、書き込み部分
の反射率と未書き込み部分の反射率差が小さくなり、明
瞭な信号が得られないなどの問題があった。そのため、
レーザーパワーを大きくするか、あるいは光安定化剤の
添加量を制限するなど、大きな制約があった。

【０００４】上記の問題を解決するために、６００〜９
００ｎｍの近赤外線を殆ど吸収しないビス−ジチオレー
ト銅アニオン骨格を有するビス−ジチオレート銅錯体を
光安定化剤として使用した光記録媒体が特開平４−２５
４９２号、特開平４−２５４９３号公報に記載されてい
る。しかし、光ディスク用安定剤として従来のジチオレ
ート金属錯体を使用した場合、塗布溶媒（ポリカーボネ
ート基板用には、メタノール、フッ化アルコール等が用
いられる）に対して、溶解度が不足しており使用に耐え
なかった。また、従来のジチオレート金属錯体を使用し
た場合（ガラス基板、表面処理した基板に塗布）した場
合、感度低下、信号対雑音比の低下など、性能が不足し
ていた。

【０００５】また、インクの耐光堅牢度向上剤として
は、フェノール系化合物、ヒンダードアミン、ニッケル
ジチオール錯体等が知られている。しかし、インク化の
際に使用する溶媒への溶解性が悪い、あるいは耐光堅牢
度向上効果が不十分であり、実用性に乏しいものがあ
る。

【０００６】さらに、樹脂への添加による樹脂の耐光堅
牢度向上、あるいは樹脂成形体としての紫外線カット能
を付与する材料としては、フェノール系化合物、ヒンダ
ードアミン、ベンゾトリアゾール系化合物、ニッケルジ
チオール錯体等が知られている。特に樹脂劣化の原因と
なる光触媒劣化反応を防止するうえで、紫外線を遮断す
ることが重要となるため、そのため上記の如く紫外線吸
収剤を用いるのが一般的に行われている。しかし、光耐
光堅牢度向上効果が未だ不十分であったり、樹脂への溶
解性が悪く、樹脂組成物としたとき、ヘイズが発生する
など、実用途としてさらなる改良が必要であった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、可視
領域（４００〜７００ｎｍ）の光吸収能が少なく、光デ
ィスク用色素の耐光堅牢度向上剤として利用したとき、
耐光性、再生安定性が良好で、かつ、反射率低下、感度
低下、信号対雑音比の低下、記録の歪みがないこと、ま
たインク組成物とした時や、樹脂組成物とした時に溶解
性が良好で、紫外線領域の吸収能が優れた耐光堅牢度向
上剤の開発にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、本発明の銅錯体化合物が優れた光安定化剤と
なり、本発明の銅錯体化合物を含有する光記録媒体が耐
光堅牢度、記録の保存性、感度、信号対雑音比、記録の
歪みが無く高性能である事を見出した。また、本発明の
銅錯体化合物を、記録用インクに添加したとき、インク
及びその記録の耐久性が向上する事、樹脂に添加した
時、樹脂の耐久性を向上し、かつその樹脂成形体は紫外
線吸収能を有する事も見出し、本発明に至った。

【０００９】即ち、本発明は、下記一般式（１）（化
２）

【化２】

【００１０】〔式（１）中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴、
Ｘ⁵、Ｘ⁶、Ｘ⁷、Ｘ⁸のうち、少なくとも１個は−ＣＯＯ
Ｒ¹、−ＣＯＮＲ²Ｒ³、または隣り合う２個の置換基が
連結した−ＣＯＮＲ⁸ＣＯ−であり、その他の置換基
は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、
ニトリル基、−ＣＯＯＲ¹、−ＣＯＮＲ²Ｒ³、−ＮＨＣ
ＯＯＲ⁴、−ＮＨＣＯＮＨＲ⁵、−ＯＣＯＲ⁶、−ＯＣＯ
ＮＨＲ⁷、置換又は無置換アルキル基、置換又は無置換
アルコキシ基、置換又は無置換アミノ基、又は隣り合う
２個の置換基が連結した−ＣＯＮＲ⁸ＣＯ−、−（Ｃ
Ｈ₂）_n−を表す。Ａ⁺は、アンモニウム、ホスホニウム
または色素カチオンを表す。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁵、Ｒ⁶、
Ｒ ⁷、Ｒ⁸は、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、
置換又は無置換のアリール基を示し、またＲ¹、Ｒ⁴は、
水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置
換のアリール基、アンモニウムを表す。〕で示される光
安定化剤と上記化合物を含有してなる光記録媒体、イン
ク組成物、および樹脂組成物を提供するものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。

【００１２】本発明の一般式（１）で示される光安定化
剤は、ハロゲン化ベンゼンと水硫化物とを硫黄および鉄
粉または鉄塩類の存在下、極性有機溶媒中で反応するこ
とで鉄錯体を形成した後に、酸化亜鉛を用いて鉄錯体を
分解することで得られる置換ベンゼンジチオールを原料
として、特開昭５８−１０５９９６号、特開昭６０−１
５９０８７号、同６０−１６２６９１号、同６０−２０
３４８８号、同６０−１６３２４３号、特開平４−２５
４９３号、特開平５−１１７２２５号、特公平１−４９
１４８号公報に記載される金属錯体の合成法に準拠して
合成することができる。

【００１３】すなわち、本発明の具体的な態様を示せ
ば、下記一般式（２）（化３）

【化３】

【００１４】〔式（２）中、Ｘ¹〜Ｘ⁴は式（１）と同一
の意味を示す。〕で示される化合物を硫黄、水硫化ソー
ダと鉄で処理し鉄錯体とした後、酸化亜鉛などの亜鉛化
合物とアルカリ水溶液で処理することにより、下記式
（３）（化４）

【化４】

【００１５】〔式（３）中、Ｘ¹〜Ｘ⁴は式（１）と同一
の意味を示す。〕で示される化合物を得る。また、下記
一般式（４）（化５）

【化５】

【００１６】〔式（４）中、Ｘ⁵〜Ｘ⁸は式（１）と同一
の意味を示す。〕で示される化合物を硫黄、水硫化ソー
ダと鉄で処理し鉄錯体とした後、酸化亜鉛などの亜鉛化
合物とアルカリ水溶液で処理することにより、下記式
（５）（化６）

【化６】

【００１７】〔式（５）中、Ｘ⁵〜Ｘ⁸は式（１）と同一
の意味を示す。〕で示される化合物を得る。

【００１８】こうして得られた式（３）および式（５）
の化合物を適当な溶媒に溶解または分散させ、この液に
塩化銅、酢酸銅、臭化銅等の銅イオンを供給しうる銅塩
類を所定量加えて置換ベンゼンジチオールの金属錯体を
生成させた後に、所定のカチオンを供給する化合物を加
えて反応させ、所望する下記式（１）（化７）

【００１９】

【化７】

【００２０】〔式（１）中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴、
Ｘ⁵、Ｘ⁶、Ｘ⁷、Ｘ⁸のうち、少なくとも１個は−ＣＯＯ
Ｒ¹、−ＣＯＮＲ²Ｒ³、または隣り合う２個の置換基が
連結した−ＣＯＮＲ⁸ＣＯ−であり、その他の置換基
は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、
ニトリル基、−ＣＯＯＲ¹、−ＣＯＮＲ²Ｒ³、−ＮＨＣ
ＯＯＲ⁴、−ＮＨＣＯＮＨＲ⁵、−ＯＣＯＲ⁶、−ＯＣＯ
ＮＨＲ⁷、置換又は無置換アルキル基、置換又は無置換
アルコキシ基、置換又は無置換アミノ基、又は隣り合う
２個の置換基が連結した−ＣＯＮＲ⁸ＣＯ−、−（Ｃ
Ｈ₂）_n−を表す。Ａ⁺は、アンモニウム、ホスホニウム
または色素カチオンを表す。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁵、Ｒ⁶、
Ｒ ⁷、Ｒ⁸は、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、
置換又は無置換のアリール基を示し、またＲ¹、Ｒ⁴は、
水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置
換のアリール基、アンモニウムを表す。〕で示される置
換ベンゼンジチオール化合物を得る。

【００２１】尚、式（３）および式（５）は同一の構造
をとる場合があることは明白であり、この場合、式
（３）の化合物を銅塩と４級アンモニウム或いはスルホ
ニウムと反応するあるいは、式（５）の化合物を銅塩と
４級アンモニウム或いはスルホニウムと反応する事によ
り、同様に式（１）の化合物を得ることができる。

【００２２】さらに、特開昭６２−１４３４４号公報に
記載の方法などにより、本発明のアンモニウム塩あるい
はホスホニウム塩とアニオンを配位する色素とを反応さ
せて式（１）のＡ⁺が色素カチオンである本発明の銅錯
体系光安定化剤を得ることができる。

【００２３】本発明の化合物（１）及びその中間体
（２）、（３）、（４）、（５）の置換基として表され
る、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴、Ｘ⁵、Ｘ⁶、Ｘ⁷、Ｘ⁸のうち、
少なくとも１個は−ＣＯＯＲ¹、−ＣＯＮＲ²Ｒ³、また
は、隣り合う２個の置換基が連結した−ＣＯＮＲ⁸ＣＯ
−であり、その他の置換基は、各々独立に、水素原子、
ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、−ＣＯＯＲ¹、
−ＣＯＮＲ²Ｒ³、−ＮＨＣＯＯＲ⁴、−ＮＨＣＯＮＨ
Ｒ⁵、−ＯＣＯＲ⁶、−ＯＣＯＮＨＲ⁷、置換又は無置換
アルキル基、置換又は無置換アルコキシ基、置換又は無
置換アミノ基、又は隣り合う２個の置換基が連結した−
ＣＯＮＲ⁸ＣＯ−、−（ＣＨ₂）_n−を意味する。

【００２４】また、Ａ⁺は、アンモニウム、ホスホニウ
ムまたは色素カチオンを意味する。

【００２５】Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴、Ｘ⁵、Ｘ⁶、Ｘ⁷、Ｘ⁸
及び、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示さ
れる、置換又は無置換のアルキル基の例としては、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、
ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキ
シル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オク
チル基、ｎ−ノニル基、２−エチル−ヘキシル基、３，
５，５−トリメチルヘキシル基、１−（イソプロピル）
−２−メチル−プロピル基、１−（イソプロピル）−２
−メチル−ブチル基、１−（イソブチル）−３−メチル
−ブチル基、４−メチルシクロヘキシル基、２−メチル
シクロヘキシル基、２，４−ジメチルシクロヘキシル基
等の直鎖、分岐、環状の脂肪族炭化水素基、メトキシメ
チル基、エトキシメチル基、ｎ−プロポキシメチル基、
イソプロポキシメチル基、ｎ−ブトキシメチル基、ｓｅ
ｃ−ブトキシメチル基、イソブトキシメチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、ｎ−プロポキシエチル基、イソプロポキシエチ
ル基、ｎ−ブトキシエチル基、ｓｅｃ−ブトキシエチル
基、イソブトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシエチル
基、２−シクロヘキシルオキシエチル基、１−メチル−
２−メトキシエチル基、１−メチル−２−エトキシエチ
ル基、１−メチル−２−ｎ−プロポキシエチル基、１−
メチル−２−イソプロポキシエチル基、１−メチル−２
−ｎ−ブトキシエチル基、１−メチル−２−ｓｅｃ−ブ
トキシエチル基、１−メチル−２−イソブトキシエチル
基、１−メチル−２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、１
−メチル−２−シクロヘキシルオキシエチル基、２−メ
チル−１−メトキシエチル基、２−メチル−１−エトキ
シエチル基、２−メチル−１−ｎ−プロポキシエチル
基、２−メチル−１−イソプロポキシエチル基、２−メ
チル−１−ｎ−ブトキシエチル基、２−メチル−１−ｓ
ｅｃ−ブトキシエチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−ブ
トキシエチル基、２−メチル−１−ｔｅｒｔ−ブトキシ
エチル基、２−メチル−１−シクロヘキシルオキシエチ
ル基、３−メトキシプロピル基、３−エトキシプロピル
基、３−ｎ−プロポキシプロピル基、３−ｉｓｏ−プロ
ポキシプロピル基、３−ｎ−ブトキシプロピル基、３−
ｓｅｃ−ブトキシプロピル基、３−イソブトキシプロピ
ル基、３−ｔｅｒｔ−ブトキシプロピル基、３−シクロ
ヘキシルオキシプロピル基、１，３−（ジメトキシ）−
２−プロピル基、１，３−（ジエトキシ）−２−プロピ
ル基、１−メトキシ−３−エトキシ−２−プロピル基、
２−（２−メトキシ）エトキシエチル基、２−（２−エ
トキシ）エトキシエチル基、２−（２−イソプロポキ
シ）エトキシエチル基等の直鎖、分岐、環状のアルコキ
シアルキル基、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル
基、２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル基、２−
（Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノ）エチル基等のアルキ
ルアミノアルキル基等が挙げられる。

【００２６】Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴、Ｘ⁵、Ｘ⁶、Ｘ⁷、Ｘ⁸
で示される、置換又は無置換のアルコキシ基の例として
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅ
ｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチル
オキシ基、イソペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオ
キシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオ
キシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ
基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、２−
エチル−ヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘ
キシル基等の直鎖、分岐、環状の無置換アルコキシ基、
トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、
２，２，３，３−テトラフルオロエトキシ基、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−イソプロピルオ
キシ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルオ
キシ基、２−クロロエトキシ基、２，２，２−トリクロ
ロエトキシ基等のハロゲン化アルコキシ基、２−メトキ
シエトキシ基、２−エトキシエトキシ基、２−ｎ−プロ
ポキシエトキシ、２−イソプロポキシエトキシ、２−
（２−エトキシ）エトキシエトキシ基、２−（２−ヒド
ロキシ）エトキシエトキシ基等のアルコキシアルキル
基、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エトキシ基、２−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エトキシ基、２−（Ｎ−エ
チル−Ｎ−メチルアミノ）エトキシ基等のアミノアルコ
キシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等のア
ラルキルオキシ基等が挙げられる。

【００２７】Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴、Ｘ⁵、Ｘ⁶、Ｘ⁷、Ｘ⁸
で示される、置換又は無置換のアミノ基の例としては、
Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−ｎ−プロピ
ルアミノ、Ｎ−イソプロピルアミノ、Ｎ−ｎ−ブチルア
ミノ、Ｎ−イソブチルアミノ、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルア
ミノなどのモノアルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
ミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミノ）、Ｎ，Ｎ
−ジ−ｎ−ブチルアミノ基などのジアルキルアミノ基、
モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基などの環状
のアミノ基等が挙げられる。

【００２８】Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸
で示される、置換又は無置換のアリール基の例として
は、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフ
ェニル基、４−メチルフェニル基、２，３−ジメチルフ
ェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメ
チルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４
−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、
２，３，４−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリ
メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３−エチル
フェニル基、４−エチルフェニル基、２−ｎ−プロピル
フェニル基、３−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｎ−プ
ロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３−
イソプロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル
基、２−ｎ−ブチルフェニル基、３−ｎ−ブチルフェニ
ル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニル基、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフ
ェニル基、２，５−ジエチル−４−メチルフェニル基、
メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシ
フェニル基、ブトキシフェニル基、ジメトキシフェニル
基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリクロ
ロフェニル基等のアルキル基、アルコキシ基、又はハロ
ゲン原子置換フェニル基が挙げられる。

【００２９】Ａ⁺、Ｒ¹またはＲ⁴で表されるアンモニウ
ムとしては、下記一般式（６）（化８）

【化８】

【００３０】〔式（６）中、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ
¹²は、各々独立に水素原子、アルキル基、アラルキル
基、アリール基を表す。またＲ⁹、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は互
いに結合して環を形成してもよい。〕で示される化合物
を表す。

【００３１】Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²で示されるアルキ
ル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘキ
シル基等の炭素数１から１０の直鎖、分岐、または環状
の脂肪族炭化水素を表し、アラルキル基としては、炭素
数７〜１２、好適にはベンジル基、４−メチル−ベンジ
ル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を表し、アリ
ール基としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基等
の炭素数６〜１２の芳香族炭化水素を表す。また環を形
成した例としては、ピリジン環、ピコリン環、ルチジン
環、キノリン環、イソキノリン環、ピロール環、インド
ール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール
環、オキサゾール環、モルホリン環、ピペリジン環、ピ
ペラジン環等の含窒素ヘテロ環状化合物、及びその置換
体が挙げられる。

【００３２】アンモニウムの具体例としては、アンモニ
ウムイオン、テトラメチルアンモニウム、テトラエチル
アンモニウム、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、メチ
ルトリ−ｎ−オクチルアンモニウム、ｎ−オクチルトリ
エチルアンモニウム、ｎ−オクチルトリエチルアンモニ
ウム、デシルトリエチルアンモニウム、ドデシルトリエ
チルアンモニウム、セチルトリエチルアンモニウム、フ
ェニルトリメチルアンモニウム、フェニルトリエチルア
ンモニウム、トリルトリエチルアンモニウム、ベンジル
トリメチルアンモニウム、ジメチル（β−フェニル）エ
チルアンモニウム、トリ−ｎ−ブチル（β−フェニル）
エチルアンモニウム、ジメチルジエチルアンモニウム、
テトラ−ｎ−オクチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ピペリジニウム、Ｎ，Ｎ−ジエチルピペリジニウム、
Ｎ，Ｎ−ジメチルピロリジニウム、Ｎ，Ｎ−ジエチルピ
ロリジニウム等のテトラアルキルアンモニウムカチオ
ン、ピリジニウムカチオンの具体例としては、Ｎ−メチ
ルピリジニウム、Ｎ−エチルピリジニウム、Ｎ−プロピ
ルピリジニウム、Ｎ−ブチルピリジニウム、Ｎ−ペンチ
ルピリジニウム、Ｎ−ヘキシルピリジニウム、Ｎ−ヘプ
チルピリジニウム、Ｎ−オクチルピリジニウム、Ｎ−ノ
ニルピリジニウム、Ｎ−デシルピリジニウム、Ｎ−ウン
デシルピリジニウム、Ｎ−ドデシルピリジニウム、Ｎ−
セチルピリジニウム、Ｎ−ベンジルピリジニウム、Ｎ−
（β−フェニル）エチルピリジニウムなどが挙げられ
る。

【００３３】Ａ⁺で示されるホスホニウムとしては、下
記一般式（７）（化９）

【化９】

【００３４】〔式（７）中、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ
¹⁶は、各々独立に水素原子、アルキル基、アラルキル
基、アリール基を表す。〕で示される化合物が挙げられ
る。

【００３５】Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶で示されるアルキ
ル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル
基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１から１０の直鎖、分
岐、または環状の脂肪族炭化水素を表し、アラルキル基
としては、炭素数７〜１２、好適にはベンジル基、４−
メチルベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等
を表し、アリール基としては、フェニル基、トリル基、
ナフチル基等の炭素数６〜１２の芳香族炭化水素を表
す。

【００３６】ホスホニウムカチオンの具体例としては、
テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウ
ム、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム、メチルトリ−ｎ
−オクチルホスホニウム、ｎ−オクチルトリエチルホス
ホニウム、ｎ−オクチルトリエチルホスホニウム、セチ
ルトリエチルホスホニウム、フェニルトリメチルホスホ
ニウム、フェニルトリエチルホスホニウム、ベンジルト
リメチルホスホニウム、ジメチル（β−フェニル）エチ
ルホスホニウム、トリ−ｎ−ブチル（β−フェニル）エ
チルホスホニウム、ジメチルジエチルホスホニウム、テ
トラ−ｎ−オクチルホスホニウム等のテトラアルキルホ
スホニウムカチオンが挙げられる。

【００３７】Ａ⁺で示される色素カチオンとしては、シ
アニン色素カチオン、ポリメチン色素カチオン、ピリリ
ウム色素カチオン、アミニウム色素カチオン等が挙げら
れる。

【００３８】あるいは、ビス−ジチオレ−ト銅錯体の製
造方法として、Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８
８，４８７０（１９６６）記載されている方法に準拠し
て合成することもできる。

【００３９】本発明の第２の発明は、一般式（１）のビ
ス（ハロゲノ置換ベンゼンジチオール）銅錯体混合物
を、光安定化剤として含有することを特徴とする光記録
媒体を提供することにある。

【００４０】本発明の光安定剤を用い光記録媒体を作成
する方法としては、本発明化合物と色素を塗布溶媒中混
合し、スピンコート法により、光記録媒体基板上に塗布
し、スペーサーを会して２枚の基板を張り合わせた媒
体、或いは、塗布した基板上に金属（アルミニウム、金
等）薄膜をスパッタリングで形成し、続いて保護層を光
硬化樹脂にて形成し媒体を作製する方法等がある。

【００４１】光記録媒体基盤上に、記録層（色素と光安
定剤よりなる）を作成する方法としては、本発明の光安
定剤と光記録用色素（レーザー光を吸収する色素；シア
ニン系、ポリオレフィン系、フタロシアニン系、アゾ系
色素）とともに有機溶剤に溶解して塗布（スピンコート
法等）する方法、あるいは、カチオン型色素と本発明光
安定剤を、有機溶媒中反応させ、カチオン型色素−ジチ
オール銅錯塩を形成させたのち、錯塩を有機溶媒にて溶
解し、塗布（スピンコート法等）する方法等がある。こ
の時、色素と同時に結着剤樹脂を添加しても良い。

【００４２】色素として、シアニン系色素、ポリメチン
系色素、ピリリウム系色素、アミニウム系色素、フタロ
シアニン系色素、ナフタロシアニン系色素等が挙げられ
るが、特に、光に対して不安定なシアニン系色素、ポリ
メチン系色素、ピリリウム系色素、アミニウム系色素等
のカチオン型色素の光安定化を行うのに有効である。シ
アニン系色素、ポリメチン系色素、ピリリウム系色素、
アミニウム系色素等については、特に限定されるもので
はないが、各々具体的には、下記構造のものを例示でき
る。

【００４３】

【化１０】

【００４４】

【化１１】

【００４５】

【化１２】

【００４６】

【化１３】これらの色素は１種または複数の化合物を記録層に含有
してもよい。

【００４７】本発明の光安定化剤と色素との配合比率
は、色素１モルに対して通常０．０１〜２０モル比の割
合で自由に配合できる。しかしながら、０．３〜３モル
比の使用量で光安定化を充分に行うことができる。ここ
で本発明の光安定化剤として、シアニン色素カチオン、
ポリメチン色素カチオン、ピリリウム色素カチオン、ア
ミニウム色素カチオンを対カチオンにもつ置換ベンゼン
銅錯体化合物を用いるのが好ましい。

【００４８】本発明の光安定化剤と色素の混合物を光記
録媒体基板に塗布する溶媒としては、ケトン系、エステ
ル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系、
アルコール系等の溶媒が挙げられる。工業的に、有用な
基板であるポリカーボネート基板に塗布するには、メタ
ノール、エタノール、プロパノールなどの脂肪族アルコ
ール類、テトラフルオロプロパノール、オクタフロロペ
ンタノール、ヘキサフロロイソプロパノール、ヘキサフ
ロロヒドロキシアセトン等の、フッ化アルコール類が好
ましい。

【００４９】また、塗布溶液中に対する、本発明の光安
定化剤の重量比は２０重量％以下となるよう溶解するこ
とが望ましい。

【００５０】さらに塗布して得られる記録層の厚みとし
て、好ましくは０．０５〜３μｍとなるように塗布す
る。

【００５１】光記録媒体基板に用いられる材料として
は、４００ｎｍ〜９００ｎｍの光に対して透明な材料で
あればよい。例えば、硝子、ポリカーボネート樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ブチラール樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニールアセタール樹脂、
ジアリルフタレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、
ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹
脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、ビニルピロリドン樹
脂、ニトロセルロース、などが挙げられるが、特に限定
されるものではない。これらは単独また共重合体ポリマ
ーとして１種または２種以上混合して用いてもよい。ま
た、表面はホトポリマーあるいは電子線により処理をさ
れていてもよい。経済的理由によりポリカーボネート樹
脂系熱可塑性樹脂が、好ましい。また基板は、トラッキ
ングの溝を有してもよい。

【００５２】また、記録層中には、各種着色剤、可塑
剤、界面活性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、分散剤、
帯電防止剤、紫外線吸収剤、架橋剤等が含有されていて
もよい。これらの化合物は、記録層中にて結晶化による
記録読み取りが不能とならない範囲で含有することがで
きる。

【００５３】以上のようにして信号の書き込みを行った
本発明の光記録媒体から信号の読み出しを行うには、光
記録媒体の記録層中に含有する染料の吸収スペクトルに
対応する染料の吸収スペクトルに対応する発信波長のレ
ーザー光、例えば半導体レーザー、アルゴンレーザー、
ヘリウム−ネオンレーザー等を通常、出力１ｍＷ以下の
スポットビームを記録層上にあて、透過率や反射率の変
化を読み出し、信号偏重して、映像、音声等の再生を行
う。

【００５４】本発明の第３の発明は、一般式（１）の置
換ベンゼンジチオール銅錯体化合物を、光安定化剤とし
て含有することを特徴とするインク組成物である。イン
ク組成物の作成方法としては、本発明の光安定化剤を各
種溶剤あるいは各種のインク用ワニスに含有させる方法
等がある。

【００５５】各種溶剤としては、アセトン、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系、蟻
酸メチル、蟻酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
プロピル、酢酸ブチルなどのエステル系、ジエチルエー
テル、ジブチルエーテルなどのエーテル系、トルエン、
ベンゼン、キシレンなどの芳香族系、フロン、トリクロ
ロエタン、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン
化アルキル系、メタノール、エタノール、プロパノール
などのアルコール系、アセトニトリルなどのニトリル系
等の溶媒が挙げられる。また、水と混合した溶媒を用い
てもよい。特に、アルコールへの溶解性が非常に優れて
いるため、好適にはメタノール、エタノール、プロパノ
ールなどが用いられる。

【００５６】インク用ワニスとしては、油性インク用ワ
ニス、例えば、ポリアミド系インク用ワニス、（ポリア
ミド樹脂、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチ
ル、ｎ−ヘキサン、その他等）、アクリル系インク用ワ
ニス（アクリル樹脂、イソプロパノール、酢酸エチル、
その他等）、染料型インク用ワニス（エタノール、タン
ニン酸、またはフェノール樹脂等）、および蛍光インク
用ワニス（エチルヒドロキシエチルセルロース、ロジン
のペンタエリスリトールエステル、ミネラルスピリッ
ト、その他等）等が例示できる。

【００５７】本発明のインク組成物において、インク中
の本発明の光安定剤の濃度は、これらワニス中に溶解す
る限度内であれば良いが、一般にインク組成物中に０．
０１〜７０重量％、好ましくは０．１〜１０重量％であ
る。本発明のインク組成物は、他の色素化合物を含有し
て、着色インク組成物として用いてもよい。そのため、
本発明のベンゼンジチオレート銅錯体系光安定剤は、好
ましくは、インク用ワニスに含有して本発明のインク組
成物として使用する。

【００５８】本発明の第４の発明は、一般式（１）の置
換ベンゼンジチオール銅錯体化合物を、光安定化剤とし
て含有することを特徴とする樹脂組成物である。フィル
ム或いは成形体を作製する方法としては、樹脂に対して
本発明化合物を０．０１〜１０％添加し、溶融温度にて
混練機にて混合し、押し出しフィルムにする、或いは押
し出しフィルムを延伸しフィルムにする方法が利用出来
る。また、成形体とするには、型に溶融温度にて混練し
た樹脂を入れ成形する或いは板状にした樹脂混合物を熱
プレスにて成形する方法が利用出来る。

【００５９】本発明の樹脂組成物を製造する際に使用す
る樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ブチラール樹脂、
ポリスチレン樹脂、ポリビニールアセタール樹脂、ジア
リルフタレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリ
スルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、ア
ルキッド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体樹脂、ビニルピロリドン樹脂、ニト
ロセルロース、などが挙げられるが、特に限定されるも
のではない。これらは単独また共重合体ポリマーとして
１種または２種以上混合して用いてもよい。

【００６０】

【実施例】以下、実施例により本発明の置換ベンゼンジ
チオール銅錯体系光安定化剤、光記録媒体、インク組成
物、樹脂組成物についてさらに詳しく説明する。吸光ス
ペクトル測定は、島津製作所株製の分光光度計「ＵＶ−
３１００ＰＣ」を使用した。なお、「％」について、溶
解度測定において「重量％」を示す。また、「部」は
「重量部」を示す。

【００６１】合成例１ビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）−ジクロロ
−ジメルカプト−フタルイミド〕銅−テトラブチルアン
モニウム錯体の合成Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）−３，４，５，６−
テトラクロロフタルイミド２８．２ｇ（７０ｍｍｏ
ｌ）、硫黄１．０５ｇ（３３ｍｍｏｌ）、鉄粉２．０５
ｇ（３７ｍｍｏｌ）、７０％水硫化ソーダ１３．５ｇ
（１６９ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１
３０ｇを混合しながら１３０℃で１０時間反応した。７
％硫酸水５１０ｇを加え、ｐＨ＝５とした。析出した結
晶を濾別、洗浄した。この濾過ケーキを酸化亜鉛７．０
ｇ（８６ｍｍｏｌ）、１４％苛性ソーダ水１２１ｇとメ
タノール８４ｇを７０℃で２時間反応した。室温に冷却
したのち、濾過し不要な固体を除去し、濾液を硫酸水に
て、ｐＨ＝４とし、析出した結晶を濾過・洗浄した。６
０℃で乾燥し、Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）−ジ
クロロ−ジメルカプトフタルイミド２２．５ｇを得
た。

【００６２】続いて、上記のＮ−（４−イソプロピルフ
ェニル）−ジクロロ−ジメルカプトフタルイミド５
ｇ、メタノール３１ｇ、塩化銅２水塩１．１ｇを混合し
ながら、テトラブチルアンモニウムブロマイド６ｇを加
え、３０℃で、空気を吹き込みながら４時間反応した。
不溶解物を瀘別後、濾液を水６００ｇに加え、結晶を析
出させた。結晶を濾過、洗浄、乾燥し、実施例１の光安
定化剤であるビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフェニ
ル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅−テ
トラブチルアンモニウム錯体４．６ｇを得た。

【００６３】実施例１の銅錯体の吸光スペクトルを測定
した結果、アセトン中の最大極大波長λｍａｘは４０６
ｎｍであり、λｍａｘでのグラム吸光係数は３５Ｌ／
（ｇ・ｃｍ）であった。一方、７００〜１１００ｎｍに
近赤外線の吸収は殆ど吸収せず、光記録に必要な７８０
ｎｍおよび８３０ｎｍの波長に対するグラム吸光係数
は、ともに０．２Ｌ／（ｇ・ｃｍ）と、λｍａｘにおけ
るグラム吸光係数の１００分の１以下であった。また、
３３０〜４００ｎｍの中〜長波長紫外線領域に大きな吸
収が認められた。また、下記式（Ａ）の化合物の２０℃
におけるメタノールへの溶解度は３０％以上と極めて高
い溶解度を示した。

【００６４】実施例１合成例１で合成したビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフ
ェニル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅
−テトラブチルアンモニウム錯体１ｇと下式（Ａ）のシ
アニン色素１ｇをメタノール１００ｇに溶解した。

【００６５】

【化１４】

【００６６】この溶液をスピンコート法により、案内溝
が付いたポリカーボネート基板上に厚み４μｍで塗布
し、乾燥させ、続いて、スパッタリングにより金の薄膜
（５μｍ）を付けた。その上に、アクリル系光硬化型樹
脂を塗布・硬化し、実施例１の光ディスクを作製した。
このディスクを線速１．４ｍ／秒で、７ｍＷの半導体レ
ーザー（７８０ｎｍ）を用いて記録し、０．７ｍＷの半
導体レーザー（７８０ｎｍ）を用いて記録の再生を行っ
た。この光ディスクに対して、５００Ｗのキセノンラン
プ光（試料表面での光強度６０ｍＷ）を連続して照射
し、照射前後での７８０ｎｍの光に対する吸光度比を測
定した結果、５０時間照射後の吸光度は９９％と、光に
対する保存安定性は良好であり、照射後でも良好に再生
できた。記録歪み（ジッター）、信号対雑音比、反射率
は良好であった。

【００６７】実施例２合成例１で合成したビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフ
ェニル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅
−テトラブチルアンモニウム錯体１部と下記式（Ｂ）の
赤色アゾ色素２部をポリビニルブチラール１部、キシレ
ン溶液３０部、メチルエチルケトン２０部からなるイン
ク組成物を作成し、無色紙上に塗布し乾燥した。

【００６８】

【化１５】

【００６９】この塗布紙を、蛍光燈下１ヵ年放置して
も、初期と同じ鮮明な色を保っていた。また、作成した
インク組成物も蛍光燈下１ヵ年放置しても、初期と同じ
物性を維持していた。

【００７０】実施例３合成例１で作成したビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフ
ェニル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅
−テトラブチルアンモニウム錯体４部をポリメチルメタ
アクリレート１０００部と加熱混合して、溶融／押し出
し成形することにより、厚み１ｍｍの板を作成した。こ
の板を、屋外曝露による耐候試験を行った。３カ月後に
おいても光沢劣化もなく、品質として曝露前の物性を維
持していた。

【００７１】合成例２Ｎ−（３，５，５−トリメチルヘキシル）−３，４，
５，６−テトラクロロフタルイミド２８．２ｇ（７０
ｍｍｏｌ）、硫黄１．０５ｇ（３３ｍｍｏｌ）、鉄粉
２．０５ｇ（３７ｍｍｏｌ）、７０％水硫化ソーダ１
３．５ｇ（１６９ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド１３０ｇを混合しながら１３０℃で１０時間反
応した。７％硫酸水５１０ｇを加え、ｐＨ＝５とした。
析出した結晶を濾別、水洗した。この濾過ケーキを酸化
亜鉛７．０ｇ（８６ｍｍｏｌ）、１４％苛性ソーダ水１
２１ｇとメタノール８４ｇを７０℃で２時間反応した。
室温に冷却したのち、濾過し不要な固体を除去し、濾液
を硫酸水にて、ｐＨ＝４とし析出した結晶を濾過・洗浄
した。６０℃で乾燥し、Ｎ−（３，５，５−トリメチル
ヘキシル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド２
１．０ｇを得た。

【００７２】上記Ｎ−（３，５，５−トリメチルヘキシ
ル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド５ｇ、
メタノール３１ｇ、塩化銅２水塩１．１ｇを混合しなが
ら、テトラブチルアンモニウムブロマイド６ｇを加え３
０℃で、空気を吹き込みながら４時間反応した。不溶解
物を別後、濾液を水６００ｇに加え、結晶を析出させ
た。結晶を濾過、洗浄、乾燥し、ビス−〔Ｎ−（３，
５，５−トリメチルヘキシル）−ジクロロ−ジメルカプ
ト−フタルイミド〕銅−テトラブチルアンモニウム錯体
４．７ｇを得た。

【００７３】合成例２の銅錯体の吸光スペクトルを測定
した結果、アセトン中の最大極大波長λｍａｘは４０６
ｎｍであり、λｍａｘでのグラム吸光係数は３６Ｌ／
（ｇ・ｃｍ）であった。一方、７００〜１１００ｎｍに
近赤外線の吸収は殆ど吸収せず、光記録に必要な７８０
ｎｍおよび８３０ｎｍの波長に対するグラム吸光係数
は、ともに０．２Ｌ／（ｇ・ｃｍ）と、λｍａｘにおけ
るグラム吸光係数の１００分の１以下であった。また、
３３０〜４００ｎｍの中〜長波長紫外線領域に大きな吸
収が認められた。また、２０℃におけるメタノールへの
溶解度は３０％以上と極めて高い溶解度を示した。

【００７４】実施例４実施例１で使用したビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフ
ェニル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅
−テトラブチルアンモニウム錯体の代わりに合成例２の
ビス−〔Ｎ−（３，５，５−トリメチルヘキシル）−ジ
クロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅−テトラブチ
ルアンモニウムを用いた以外は、実施例１と同様の操作
を行い、実施例４の光ディスクを作製した。このディス
クを線速１．４ｍ／秒で、７ｍＷの半導体レーザー（７
８０ｎｍ）を用いて記録し、０．７ｍＷの半導体レーザ
ー（７８０ｎｍ）を用いて記録の再生を行った。この光
ディスクに対して、５００Ｗのキセノンランプ光（試料
表面での光強度６０ｍＷ）を連続して照射し、照射前後
での７８０ｎｍの光に対する吸光度比を測定した結果、
５０時間照射後の吸光度は９９％と、光に対する保存安
定性は良好であり、照射後でも良好に再生できた。記録
歪み（ジッター）、信号対雑音比、反射率は良好であっ
た。

【００７５】実施例５実施例２で使用したビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフ
ェニル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅
−テトラブチルアンモニウム錯体の代わりに合成例２の
ビス−〔Ｎ−（３，５，５−トリメチルヘキシル）−ジ
クロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅−テトラブチ
ルアンモニウムを用いた以外は、実施例２と同様の操作
を行い、実施例５のインク組成物を作製した。この塗布
紙を、蛍光燈下１ヵ年放置しても、初期と同じ鮮明な色
を保っていた。また、作成したインク組成物も蛍光燈下
１ヵ年放置しても、初期と同じ物性を維持していた。

【００７６】実施例６合成例２で作成したビス−〔Ｎ−（３，５，５−トリ
メチルヘキシル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイ
ミド〕銅−テトラブチルアンモニウム錯体４部をポリメ
チルメタアクリレート１０００部と加熱混合して、溶融
／押し出し成形することにより、厚み１ｍｍの板を作成
した。この板を、屋外曝露による耐候試験を行った。３
カ月後においても光沢劣化もなく、品質として曝露前の
物性を維持していた。

【００７７】合成例３２−〔Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）カルバモイ
ル〕−３，４，５，６−テトラクロロ安息香酸２９．２
ｇ（７０ｍｍｏｌ）、硫黄１．０５ｇ（３３ｍｍｏ
ｌ）、鉄粉２．０５ｇ（３７ｍｍｏｌ）、７０％水硫
化ソーダ１３．５ｇ（１６９ｍｍｏｌ）と１，３−ジメ
チルイミダゾリジン−２−オン１３０ｇを混合しながら
１３０℃で１０時間反応した。７％硫酸水５１０ｇを加
え、ｐＨ＝５とした。析出した結晶を濾別、水洗した。
この濾過ケーキを酸化亜鉛７．０ｇ（８６ｍｍｏ
ｌ）、１４％苛性ソーダ水６０ｇとメタノール８４
ｇを６０℃で２時間反応した。室温に冷却したのち、濾
過し不要な固体を除去し、濾液を硫酸水にて、ｐＨ＝４
とし析出した結晶を濾過・洗浄した。６０℃で乾燥し、
２−〔Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）カルバモイ
ル〕−ジクロロ−ジメルカプト安息香酸２０．０ｇを
得た。

【００７８】上記２−〔Ｎ−（４−イソプロピルフェニ
ル）カルバモイル〕−ジクロロ−ジメルカプト安息香酸
５ｇ、メタノール３１ｇ、塩化銅２水塩１．１ｇを混合
しながら、テトラエチルホスホニウムブロマイド５．６
ｇを加え３０℃で、空気を吹き込みながら４時間反応し
た。不溶解物をろ別後、濾液を水６００ｇに加え、結晶
を析出させる。結晶を濾過、洗浄、乾燥し、ビス−｛２
−〔Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）カルバモイル〕
−ジクロロ−ジメルカプト安息香酸｝銅−テトラエチル
ホスホニウム錯体４．１ｇを得た。

【００７９】合成例３の銅錯体の吸光スペクトルを測定
した結果、アセトン中の最大極大波長λｍａｘは４０６
ｎｍであり、λｍａｘでのグラム吸光係数は３７Ｌ／
（ｇ・ｃｍ）であった。一方、７００〜１１００ｎｍに
近赤外線の吸収は殆ど吸収せず、光記録に必要な７８０
ｎｍおよび８３０ｎｍの波長に対するグラム吸光係数
は、ともに０．２Ｌ／（ｇ・ｃｍ）と、λｍａｘにおけ
るグラム吸光係数の１００分の１以下であった。また、
３３０〜４００ｎｍの中〜長波長紫外線領域に大きな吸
収が認められた。また、２０℃におけるメタノールへの
溶解度は３０％以上と極めて高い溶解度を示した。

【００８０】実施例７実施例１で使用したビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフ
ェニル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅
−テトラブチルアンモニウム錯体の代わりに合成例３の
ビス−｛２−〔Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）カル
バモイル〕−ジクロロ−ジメルカプト安息香酸｝銅−テ
トラエチルホスホニウム錯体を用いた以外は、実施例１
と同様の操作を行い、実施例７の光ディスクを作製し
た。このディスクを線速１．４ｍ／秒で、７ｍＷの半導
体レーザー（７８０ｎｍ）を用いて記録し、０．７ｍＷ
の半導体レーザー（７８０ｎｍ）を用いて記録の再生を
行った。この光ディスクに対して、５００Ｗのキセノン
ランプ光（試料表面での光強度６０ｍＷ）を連続して照
射し、照射前後での７８０ｎｍの光に対する吸光度比を
測定した結果、５０時間照射後の吸光度は９９％と、光
に対する保存安定性は良好であり、照射後でも良好に再
生できた。記録歪み（ジッター）、信号対雑音比、反射
率は良好であった。

【００８１】実施例８実施例２で使用したビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフ
ェニル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅
−テトラブチルアンモニウム錯体の代わりに合成例３の
ビス−｛２−〔Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）カル
バモイル〕−ジクロロ−ジメルカプト安息香酸｝銅−テ
トラエチルホスホニウム錯体を用いた以外は、実施例２
と同様の操作を行い、実施例８のインク組成物を作製し
た。この塗布紙を、蛍光燈下１ヵ年放置しても、初期と
同じ鮮明な色を保っていた。また、作成したインク組成
物も蛍光燈下１ヵ年放置しても、初期と同じ物性を維持
していた。

【００８２】実施例９合成例３で作成したビス−｛２−〔Ｎ−（４−イソプロ
ピルフェニル）カルバモイル〕−ジクロロ−ジメルカプ
ト安息香酸｝銅−テトラブチルアンモニウム錯体４部を
ポリメチルメタアクリレート１０００部と加熱混合し
て、溶融／押し出し成形することにより、厚み１ｍｍの
板を作成した。この板を、屋外曝露による耐候試験を行
った。３カ月後においても光沢劣化もなく、品質として
曝露前の物性を維持していた。

【００８３】実施例１０合成例１のビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）
−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅−テトラ
ブチルアンモニウム錯体１．１ｇおよび実施例１記載の
式（Ａ）の化合物２ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
２０ｍｌに溶解し、７０℃で３時間保温後、反応マスを
水中に排出した。濾過・水洗してテトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウムパークロレート塩を除いて、１，１’−ジブ
チル−３，３，３’，３’−テトラメチルインドリノジ
カルボシアニンビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフェニ
ル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅をテ
トラブチルアンモニウム錯体２．２ｇを得た。

【００８４】得られた錯体２．２ｇをメタノール１００
ｇに加え、スピンコート法により、案内溝が付いたポリ
カーボネート基板上に厚み４μｍで塗布し、乾燥させ、
続いて、スパッタリングにより金の薄膜（５μｍ）を付
けた。その上に、アクリル系光硬化型樹脂を塗布・硬化
し、実施例１０の光ディスクを作製した。このディスク
を線速１．４ｍ／秒で、７ｍＷの半導体レーザー（７８
０ｎｍ）を用いて記録し、０．７ｍＷの半導体レーザー
（７８０ｎｍ）を用いて記録の再生を行った。この光デ
ィスクに対して、５００Ｗのキセノンランプ光（試料表
面での光強度６０ｍＷ）を連続して照射し、照射前後で
の７８０ｎｍの光に対する吸光度比を測定した結果、３
５時間照射後の吸光度は９９％と、光に対する保存安定
性は良好であり、照射後でも良好に再生できた。記録歪
み（ジッター）、信号対雑音比、反射率は良好であっ
た。

【００８５】比較例１合成例１の銅錯体化合物の代わりに、下式（ａ）（化１
６）

【００８６】

【化１６】

【００８７】を１ｇ使用した以外は、実施例１と同様に
化合物（Ｂ）のシアニン色素２ｇをメタノール１００ｇ
に混合し、この液をスピンコート法により、案内溝が付
いたポリカーボネート基板上に厚み４μｍで塗布し、実
施例２と同様にして、比較例１の光ディスクを作製し
た。このディスクの色素層を観察すると、化合物（ａ）
のメタノールへの溶解性不足による不溶物が確認でき
た。このディスクを線速１．４ｍ／秒で、７ｍＷの半導
体レーザー（７８０ｎｍ）を用いて記録し、０．７ｍＷ
の半導体レーザー（７８０ｎｍ）を用いて記録の再生を
行ったが、うまく再生できなかった。

【００８８】比較例２実施例１で合成例１の銅錯体化合物を使用しない以外
は、実施例１と同様にして比較例２の光ディスクを作製
した。このディスクを線速１．４ｍ／秒で、７ｍＷの半
導体レーザー（７８０ｎｍ）を用いて記録し、０．７ｍ
Ｗの半導体レーザー（７８０ｎｍ）を用いて記録の再生
を行った。この光ディスクに対して、５００Ｗのキセノ
ンランプ光（試料表面での光強度６０ｍＷ）を連続して
照射したところ、５０時間でほぼ完全に褪色し、再生が
できなかった。

【００８９】比較例３合成例１で合成したビス−〔Ｎ−（４−イソプロピルフ
ェニル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミド〕銅
−テトラブチルアンモニウム錯体を使用せず実施例１と
同様に操作して比較例３のインク組成物を作成し、無色
紙上に塗布し乾燥した。この塗布紙を蛍光燈下１ヵ年放
置したところ、褪色により鮮明さが失われた。

【００９０】比較例４実施例６で使用したビス−〔Ｎ−（３，５，５−トリメ
チルヘキシル）−ジクロロ−ジメルカプト−フタルイミ
ド〕銅−テトラブチルアンモニウム錯体を使用しない以
外は実施例６と同様にして、厚み１ｍｍのポリメチルメ
タアクリレート板を作成した。この板を、屋外暴露によ
る耐候試験を３か月行ったところ、光沢劣化が見られ
た。

【００９１】

【発明の効果】本発明のベンゼンジチオール銅錯体系光
安定化剤を含有する光記録媒体は、耐光性、再生安定性
が良好であり、また、インク組成物は優れた耐光性を有
し、樹脂組成物とした時に溶解度が良好で、且つ優れた
耐光性を有するため、種々の用途に適用可能な、実用上
極めて価値のあるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】合成例１の銅錯体化合物の吸光スペクトルで
ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ０９Ｄ 11/00 Ｃ０９Ｋ 3/00 ＵＣ０９Ｋ 3/00 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（１）（化１）【化１】〔式（１）中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴、Ｘ⁵、Ｘ⁶、Ｘ⁷、
Ｘ⁸のうち、少なくとも１個は−ＣＯＯＲ¹、−ＣＯＮＲ
²Ｒ³、または隣り合う２個の置換基が連結した−ＣＯＮ
Ｒ⁸ＣＯ−であり、その他の置換基は、各々独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、−ＣＯ
ＯＲ¹、−ＣＯＮＲ²Ｒ³、−ＮＨＣＯＯＲ⁴、−ＮＨＣＯ
ＮＨＲ⁵、−ＯＣＯＲ⁶、−ＯＣＯＮＨＲ⁷、置換又は無
置換アルキル基、置換又は無置換アルコキシ基、置換又
は無置換アミノ基、又は隣り合う２個の置換基が連結し
た−ＣＯＮＲ⁸ＣＯ−、−（ＣＨ₂）_n−を表す。Ａ⁺は、
アンモニウム、ホスホニウムまたは色素カチオンを表
す。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ ⁷、Ｒ⁸は、水素原子、置換
又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基
を示し、またＲ¹、Ｒ⁴は、水素原子、置換又は無置換の
アルキル基、置換又は無置換のアリール基、アンモニウ
ムを表す。〕で示されるベンゼンジチオール銅錯体系光
安定化剤。
【請求項２】請求項１記載の光安定化剤を記録層に含有
することを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】請求項１記載の光安定化剤を含有すること
を特徴とするインク組成物。
【請求項４】請求項１記載の光安定化剤を含有すること
を特徴とする樹脂組成物。