JPH10273523A - フェニレン基含有重合体およびその製造方法 - Google Patents
フェニレン基含有重合体およびその製造方法Info
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- JPH10273523A JPH10273523A JP2907098A JP2907098A JPH10273523A JP H10273523 A JPH10273523 A JP H10273523A JP 2907098 A JP2907098 A JP 2907098A JP 2907098 A JP2907098 A JP 2907098A JP H10273523 A JPH10273523 A JP H10273523A
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- bis
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性、低誘電性、透明性、加工性に優れた
可溶性樹脂を得ること。 【解決手段】 下記一般式（II) で表されるフェニレン
基含有化合物５０モル％以上からなるモノマーを、遷移
金属化合物を含む触媒系の存在下に重合し、下記一般式
（Ｉ）で表される繰り返し構造単位５０モル％以上から
なり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１，０００
〜１，０００，０００であるフェニレン基含有重合体を
得る。 【化１】 【化２】 〔式中、Ｘは−ＣＹＹ′−（ここで、Ｙ，Ｙ′は同一ま
たは異なり、ハロゲン化アルキル基、水素原子もしくは
アリール基を示す）で表される基、またはフルオレニレ
ン基を示し、Ｒ1 〜Ｒ8 は水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリル基、またはア
リール基、Ｒ9 〜Ｒ10はハロゲン原子、または−ＯＳＯ
2 Ｚ（ここで、Ｚはアルキル基、ハロゲン化アルキル基
もしくはアリール基を示す）で表される基である。〕
可溶性樹脂を得ること。 【解決手段】 下記一般式（II) で表されるフェニレン
基含有化合物５０モル％以上からなるモノマーを、遷移
金属化合物を含む触媒系の存在下に重合し、下記一般式
（Ｉ）で表される繰り返し構造単位５０モル％以上から
なり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１，０００
〜１，０００，０００であるフェニレン基含有重合体を
得る。 【化１】 【化２】 〔式中、Ｘは−ＣＹＹ′−（ここで、Ｙ，Ｙ′は同一ま
たは異なり、ハロゲン化アルキル基、水素原子もしくは
アリール基を示す）で表される基、またはフルオレニレ
ン基を示し、Ｒ1 〜Ｒ8 は水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリル基、またはア
リール基、Ｒ9 〜Ｒ10はハロゲン原子、または−ＯＳＯ
2 Ｚ（ここで、Ｚはアルキル基、ハロゲン化アルキル基
もしくはアリール基を示す）で表される基である。〕
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性、低誘電
性、加工性に優れ、有機溶剤に可溶性のフェニレン基含
有重合体、およびその製造方法に関する。
性、加工性に優れ、有機溶剤に可溶性のフェニレン基含
有重合体、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大規模集積回路（ＬＳＩ）は、微細加工
技術の進歩を反映して、高集積化、多機能化、高性能化
をたどっている。その結果、回路抵抗や配線間のコンデ
ンサー容量（以下、それぞれ、「寄生抵抗」、「寄生容
量」ともいう）が増大して、消費電力が増加するだけで
なく、遅延時間も増大して、デバイスの信号スピードが
低下する大きな要因となっている。そのため、寄生抵抗
や寄生容量を下げることが求められており、その解決策
の一つとして、配線の周辺を層間絶縁膜で被うことによ
り、寄生容量を下げてデバイスの高速化に対応しようと
している。しかしながら、層間絶縁膜には、実装基板製
造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付けなどの後工
程に耐えられる優れた耐熱性を有することが必要であ
る。
技術の進歩を反映して、高集積化、多機能化、高性能化
をたどっている。その結果、回路抵抗や配線間のコンデ
ンサー容量（以下、それぞれ、「寄生抵抗」、「寄生容
量」ともいう）が増大して、消費電力が増加するだけで
なく、遅延時間も増大して、デバイスの信号スピードが
低下する大きな要因となっている。そのため、寄生抵抗
や寄生容量を下げることが求められており、その解決策
の一つとして、配線の周辺を層間絶縁膜で被うことによ
り、寄生容量を下げてデバイスの高速化に対応しようと
している。しかしながら、層間絶縁膜には、実装基板製
造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付けなどの後工
程に耐えられる優れた耐熱性を有することが必要であ
る。
【０００３】この高耐熱性の有機材料として、ポリイミ
ドが広く知られているが、極性の高いイミド基を含むた
め、低誘電性、低吸水性の面では、満足なものは得られ
ていない。一方、極性基を含まない高耐熱性の有機材料
として、ポリフェニレンが知られている。このポリフェ
ニレンは耐熱性に優れるが、有機溶媒可溶性に劣るた
め、一般に側鎖を導入することが行われている。このよ
うなポリフェニレンとしては、例えばＵＳＰ５２１４０
４４、ＷＯ９６／２８４９１、ＥＰ６２９２１７などに
記載されているポリマーを挙げることができる。これら
のポリマーは、基本的にポリパラフェニレン構造を主と
してなり、一部屈曲性モノマーを共重合するなどしてい
るが、特定の有機溶媒にしか溶けず、加工性の悪いもの
である。また、多くの側鎖は、極性基やアルキル基であ
るため、耐熱性、低誘電性を充分満たしてはいない。ま
た、これらのポリマーは、パラジクロロベンゼン誘導体
などの芳香族ジクロロ化合物を原料として製造するもの
が主である。このような芳香族ジクロロ化合物から、耐
熱、低誘電材料を製造すべく、フルオロアルキル基ある
いはアリール基を側鎖に導入しようとすると、合成が煩
雑となり、モノマーを安定的に確保できなかったり、側
鎖の立体障害により重合度が充分に上がらないなどの不
都合がある。このように、耐熱性、低誘電性、加工性を
充分に満たし、さらに、安価なプロセスで製造できるポ
リフェニレンはこれまでに見いだされていない。
ドが広く知られているが、極性の高いイミド基を含むた
め、低誘電性、低吸水性の面では、満足なものは得られ
ていない。一方、極性基を含まない高耐熱性の有機材料
として、ポリフェニレンが知られている。このポリフェ
ニレンは耐熱性に優れるが、有機溶媒可溶性に劣るた
め、一般に側鎖を導入することが行われている。このよ
うなポリフェニレンとしては、例えばＵＳＰ５２１４０
４４、ＷＯ９６／２８４９１、ＥＰ６２９２１７などに
記載されているポリマーを挙げることができる。これら
のポリマーは、基本的にポリパラフェニレン構造を主と
してなり、一部屈曲性モノマーを共重合するなどしてい
るが、特定の有機溶媒にしか溶けず、加工性の悪いもの
である。また、多くの側鎖は、極性基やアルキル基であ
るため、耐熱性、低誘電性を充分満たしてはいない。ま
た、これらのポリマーは、パラジクロロベンゼン誘導体
などの芳香族ジクロロ化合物を原料として製造するもの
が主である。このような芳香族ジクロロ化合物から、耐
熱、低誘電材料を製造すべく、フルオロアルキル基ある
いはアリール基を側鎖に導入しようとすると、合成が煩
雑となり、モノマーを安定的に確保できなかったり、側
鎖の立体障害により重合度が充分に上がらないなどの不
都合がある。このように、耐熱性、低誘電性、加工性を
充分に満たし、さらに、安価なプロセスで製造できるポ
リフェニレンはこれまでに見いだされていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、主鎖に屈曲
基を導入することにより、耐熱性、低誘電性、加工性、
および透明性に優れた可溶性樹脂を得ることを目的とす
る。
基を導入することにより、耐熱性、低誘電性、加工性、
および透明性に優れた可溶性樹脂を得ることを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
（Ｉ）で表される繰り返し構造単位５０モル％以上から
なり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１，０００
〜１，０００，０００である、フェニレン基含有重合体
を提供するものである。
（Ｉ）で表される繰り返し構造単位５０モル％以上から
なり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１，０００
〜１，０００，０００である、フェニレン基含有重合体
を提供するものである。
【０００６】
【化３】
【０００７】〔式中、Ｘは−ＣＹＹ′−（ここで、Ｙ〜
Ｙ′は同一または異なり、ハロゲン化アルキル基、水素
原子もしくはアリール基を示す）で表される基、または
フルオレニレン基（フルオレンの９位の炭素原子に結合
している２個の水素原子を除いてできる２価基）を示
し、Ｒ1 〜Ｒ8 は同一または異なり、水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリル
基、またはアリール基である。〕
Ｙ′は同一または異なり、ハロゲン化アルキル基、水素
原子もしくはアリール基を示す）で表される基、または
フルオレニレン基（フルオレンの９位の炭素原子に結合
している２個の水素原子を除いてできる２価基）を示
し、Ｒ1 〜Ｒ8 は同一または異なり、水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリル
基、またはアリール基である。〕
【０００８】また、本発明は、下記一般式（II) で表さ
れるフェニレン基含有化合物５０モル％以上からなるモ
ノマーを、遷移金属化合物を含む触媒系の存在下に重合
することを特徴とする上記フェニレン基含有重合体の製
造方法を提供するものである。
れるフェニレン基含有化合物５０モル％以上からなるモ
ノマーを、遷移金属化合物を含む触媒系の存在下に重合
することを特徴とする上記フェニレン基含有重合体の製
造方法を提供するものである。
【０００９】
【化４】
【００１０】〔式中、ＸおよびＲ1 〜Ｒ8 は上記一般式
（Ｉ）と同様であり、Ｒ9 〜Ｒ10は同一または異なり、
ハロゲン原子、または−ＯＳＯ2 Ｚ（ここで、Ｚはアル
キル基、ハロゲン化アルキル基もしくはアリール基を示
す）で表される基である。〕 ここで、上記一般式（Ｉ）または（II) において、Ｘ
は、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）
−、またはフルオレニレン基であることが好ましい。
（Ｉ）と同様であり、Ｒ9 〜Ｒ10は同一または異なり、
ハロゲン原子、または−ＯＳＯ2 Ｚ（ここで、Ｚはアル
キル基、ハロゲン化アルキル基もしくはアリール基を示
す）で表される基である。〕 ここで、上記一般式（Ｉ）または（II) において、Ｘ
は、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）
−、またはフルオレニレン基であることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のフェニレン基含有重合体
は、上記一般式（Ｉ）で表される繰り返し構造単位５０
モル％以上からなる。ここで、上記一般式（Ｉ）で表さ
れる繰り返し構造単位の−ＣＹＹ′−のＹ〜Ｙ′のう
ち、ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチ
ル基、ペンタフルオロエチル基などが、またアリール基
としては、フェニル基、ビフェニル基、トリル基、ペン
タフルオロフェニル基などが挙げられる。また、上記一
般式（Ｉ）中のＲ1 〜Ｒ8 のうち、ハロゲン原子として
は、フッ素原子などが、アルキル基としては、メチル
基、エチル基などが、ハロゲン化アルキル基としては、
トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基など
が、アリル基としては、プロペニル基などが、アリール
基としては、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基な
どが挙げられる。一般式（Ｉ）において、Ｘとしては、
−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）−、
フルオレニレン基、特にフルオレニレン基が好ましい。
は、上記一般式（Ｉ）で表される繰り返し構造単位５０
モル％以上からなる。ここで、上記一般式（Ｉ）で表さ
れる繰り返し構造単位の−ＣＹＹ′−のＹ〜Ｙ′のう
ち、ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチ
ル基、ペンタフルオロエチル基などが、またアリール基
としては、フェニル基、ビフェニル基、トリル基、ペン
タフルオロフェニル基などが挙げられる。また、上記一
般式（Ｉ）中のＲ1 〜Ｒ8 のうち、ハロゲン原子として
は、フッ素原子などが、アルキル基としては、メチル
基、エチル基などが、ハロゲン化アルキル基としては、
トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基など
が、アリル基としては、プロペニル基などが、アリール
基としては、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基な
どが挙げられる。一般式（Ｉ）において、Ｘとしては、
−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）−、
フルオレニレン基、特にフルオレニレン基が好ましい。
【００１２】上記一般式（Ｉ）で表される繰り返し構造
単位を有するフェニレン基含有重合体の具体例として
は、ポリ（４，４′−ビフェニレン−２，２−ヘキサフ
ルオロイソプロピリデン）、ポリ（４，４′−ビフェニ
レンメチレン）、ポリ（４，４′−ビフェニレンジフェ
ニルメチレン）、ポリ（２，２′−ジメチル−４，４′
−ビフェニレン−２，２−ヘキサフルオロイソプロピリ
デン）、ポリ（２，２′−ジプロペニル−４，４′−ビ
フェニレン−２，２−ヘキサフルオロプロピリデン）、
ポリ（２，２′，６，６′−テトラメチル−４，４′−
ビフェニレン−２，２−ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン）、ポリ（４，４′−ビフェニレン−９，９−フルオ
レニレン）、ポリ（２，２′−ジメチル−４，４′−ジ
フェニレン−９，９−フルオレニレン）、ポリ（２，
２′，６，６′−テトラメチル−４，４′−ビフェニレ
ン−９，９−フルオレニレン）、ポリ（２，２′−ジプ
ロペニル−４，４′−ビフェニレン−９，９−フルオレ
ニレン）、ポリ（２，２′−ジフェニル−４，４′−ビ
フェニレン−９，９−フルオレニレン）、ポリ（２，
２′−ジメチル−４，４′−ビフェニレンジフェニルメ
チレン）、ポリ（２，２′，６，６′−テトラメチル−
４，４′−ビフェニレンジフェニルメチレン）、ポリ
（２，２′−ジプロペニル−４，４′−ビフェニレンジ
フェニルメチレン）、ポリ（２，２′−ジフルオロ−
４，４′−ビフェニレンジフェニルメチレン）、ポリ
（２，２′，６，６′−テトラフルオロ−４，４′−ビ
フェニレンジフェニルメチレン）、ポリ（２，２′−ジ
フルオロ−４，４′−ビフェニレン−９，９−フルオレ
ニレン）、ポリ（２，２′，６，６′−テトラフルオロ
−４，４′−ビフェニレン−９，９−フルオレニレ
ン）、ポリ（４，４′−ビフェニレンメチレン）、ポリ
（２，２′−ジメチル−４，４′−ビフェニレンメチレ
ン）、ポリ（２，２′，６，６′−テトラメチル−４，
４′−ビフェニレンメチレン）、ポリ（２，２′−ジプ
ロペニル−４，４′−ビフェニレン）、ポリ（４，４′
−ビフェニレントリフルオロメチルフェニルメチレ
ン）、ポリ（４，４′−ビフェニレンフェニルメチレ
ン）などが挙げられる。
単位を有するフェニレン基含有重合体の具体例として
は、ポリ（４，４′−ビフェニレン−２，２−ヘキサフ
ルオロイソプロピリデン）、ポリ（４，４′−ビフェニ
レンメチレン）、ポリ（４，４′−ビフェニレンジフェ
ニルメチレン）、ポリ（２，２′−ジメチル−４，４′
−ビフェニレン−２，２−ヘキサフルオロイソプロピリ
デン）、ポリ（２，２′−ジプロペニル−４，４′−ビ
フェニレン−２，２−ヘキサフルオロプロピリデン）、
ポリ（２，２′，６，６′−テトラメチル−４，４′−
ビフェニレン−２，２−ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン）、ポリ（４，４′−ビフェニレン−９，９−フルオ
レニレン）、ポリ（２，２′−ジメチル−４，４′−ジ
フェニレン−９，９−フルオレニレン）、ポリ（２，
２′，６，６′−テトラメチル−４，４′−ビフェニレ
ン−９，９−フルオレニレン）、ポリ（２，２′−ジプ
ロペニル−４，４′−ビフェニレン−９，９−フルオレ
ニレン）、ポリ（２，２′−ジフェニル−４，４′−ビ
フェニレン−９，９−フルオレニレン）、ポリ（２，
２′−ジメチル−４，４′−ビフェニレンジフェニルメ
チレン）、ポリ（２，２′，６，６′−テトラメチル−
４，４′−ビフェニレンジフェニルメチレン）、ポリ
（２，２′−ジプロペニル−４，４′−ビフェニレンジ
フェニルメチレン）、ポリ（２，２′−ジフルオロ−
４，４′−ビフェニレンジフェニルメチレン）、ポリ
（２，２′，６，６′−テトラフルオロ−４，４′−ビ
フェニレンジフェニルメチレン）、ポリ（２，２′−ジ
フルオロ−４，４′−ビフェニレン−９，９−フルオレ
ニレン）、ポリ（２，２′，６，６′−テトラフルオロ
−４，４′−ビフェニレン−９，９−フルオレニレ
ン）、ポリ（４，４′−ビフェニレンメチレン）、ポリ
（２，２′−ジメチル−４，４′−ビフェニレンメチレ
ン）、ポリ（２，２′，６，６′−テトラメチル−４，
４′−ビフェニレンメチレン）、ポリ（２，２′−ジプ
ロペニル−４，４′−ビフェニレン）、ポリ（４，４′
−ビフェニレントリフルオロメチルフェニルメチレ
ン）、ポリ（４，４′−ビフェニレンフェニルメチレ
ン）などが挙げられる。
【００１３】本発明のフェニレン基含有重合体は、上記
一般式（Ｉ）で表される繰り返し構造単位が５０モル％
以上、好ましくは８０モル％以上、特に好ましくは１０
０モル％からなる。５０モル％未満では、低誘電性、耐
熱性、加工性、透明性に優れた樹脂とならない。また、
本発明のフェニレン基含有重合体のポリスチレン換算重
量平均分子量は、１，０００〜１，０００，０００、好
ましくは１，５００〜２００，０００である。１，００
０未満では、塗膜性が不充分であり、一方、１，００
０，０００を超えると、溶解性が不充分となる。
一般式（Ｉ）で表される繰り返し構造単位が５０モル％
以上、好ましくは８０モル％以上、特に好ましくは１０
０モル％からなる。５０モル％未満では、低誘電性、耐
熱性、加工性、透明性に優れた樹脂とならない。また、
本発明のフェニレン基含有重合体のポリスチレン換算重
量平均分子量は、１，０００〜１，０００，０００、好
ましくは１，５００〜２００，０００である。１，００
０未満では、塗膜性が不充分であり、一方、１，００
０，０００を超えると、溶解性が不充分となる。
【００１４】本発明のフェニレン基含有重合体は、上記
一般式（II) で表されるフェニレン基含有化合物を５０
モル％以上、好ましくは８０モル％以上、特に好ましく
は１００モル％含むモノマーを、遷移金属化合物を含む
触媒系の存在下に、重合溶媒中で重合することにより製
造される。５０モル％未満では、低誘電性、耐熱性、加
工性、透明性に優れた樹脂とならない。ここで、上記一
般式（II) 中、ＸおよびＲ1 〜Ｒ8 は上記一般式（Ｉ）
と同様であり、Ｒ9 〜Ｒ10は同一または異なり、ハロゲ
ン原子、または−ＯＳＯ2 Ｚ（ここで、Ｚはアルキル
基、ハロゲン化アルキル基もしくはアリール基を示す）
で表される基である。一般式（II) において、Ｘとして
は、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）
−、フルオレニレン基が好ましく、Ｒ9 〜Ｒ10として
は、−ＯＳＯ2Ｚで表される基が好ましい。上記一般式
（II) 中、Ｒ9 〜Ｒ10のハロゲン原子としては、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。また、一般式
（II) 中、−ＯＳＯ2 Ｚ中のＺを構成する、アルキル基
としてはメチル基、エチル基などが、ハロゲン化アルキ
ル基としてはトリフルオロメチル基などが、アリール基
としてはフェニル基、ｐ−トリル基などが挙げられる。
一般式（II) で表されるフェニレン基含有化合物を５０
モル％以上、好ましくは８０モル％以上、特に好ましく
は１００モル％含むモノマーを、遷移金属化合物を含む
触媒系の存在下に、重合溶媒中で重合することにより製
造される。５０モル％未満では、低誘電性、耐熱性、加
工性、透明性に優れた樹脂とならない。ここで、上記一
般式（II) 中、ＸおよびＲ1 〜Ｒ8 は上記一般式（Ｉ）
と同様であり、Ｒ9 〜Ｒ10は同一または異なり、ハロゲ
ン原子、または−ＯＳＯ2 Ｚ（ここで、Ｚはアルキル
基、ハロゲン化アルキル基もしくはアリール基を示す）
で表される基である。一般式（II) において、Ｘとして
は、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）
−、フルオレニレン基が好ましく、Ｒ9 〜Ｒ10として
は、−ＯＳＯ2Ｚで表される基が好ましい。上記一般式
（II) 中、Ｒ9 〜Ｒ10のハロゲン原子としては、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。また、一般式
（II) 中、−ＯＳＯ2 Ｚ中のＺを構成する、アルキル基
としてはメチル基、エチル基などが、ハロゲン化アルキ
ル基としてはトリフルオロメチル基などが、アリール基
としてはフェニル基、ｐ−トリル基などが挙げられる。
【００１５】上記一般式（II) で表されるフェニレン基
含有化合物の具体例としては、２，２−ビス（４−メチ
ルスルフォニロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシフェニル）メタ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシフェニル）ジフ
ェニルメタン、２，２−ビス（４−メチルスルフォニロ
キシ−３−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３−プロ
ペニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビ
ス（４−メチルスルフォニロキシ−３，５−ジメチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−
メチルスルフォニロキシフェニル）フルオレン、９，９
−ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３−メチルフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（４−メチルスルフォ
ニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フルオレン、
９，９−ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３−プロ
ペニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−メチ
ルスルフォニロキシ−３−フェニルフェニル）フルオレ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３−メチルフ
ェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−メチルスルフォ
ニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ジフェニルメタ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３−プロペニ
ルフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−メチルスル
フォニロキシ−３−フルオロフェニル）ジフェニルメタ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３，５−ジフ
ルオロフェニル）ジフェニルメタン、９，９−ビス（４
−メチルスルフォニロキシ−３−フルオロフェニル）フ
ルオレン、９，９−ビス（４−メチルスルフォニロキシ
−３，５−ジフルオロフェニル）フルオレン、ビス（４
−メチルスルフォニロキシフェニル）メタン、ビス（４
−メチルスルフォニロキシ−３−メチルフェニル）メタ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３，５−ジメ
チルフェニル）メタン、ビス（４−メチルスルフォニロ
キシ−３−プロペニルフェニル）メタン、ビス（４−メ
チルスルフォニロキシフェニル）トリフルオロメチルフ
ェニルメタン、ビス（４−メチルスルフォニロキシフェ
ニル）フェニルメタンなどが挙げられる。
含有化合物の具体例としては、２，２−ビス（４−メチ
ルスルフォニロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシフェニル）メタ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシフェニル）ジフ
ェニルメタン、２，２−ビス（４−メチルスルフォニロ
キシ−３−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３−プロ
ペニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビ
ス（４−メチルスルフォニロキシ−３，５−ジメチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−
メチルスルフォニロキシフェニル）フルオレン、９，９
−ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３−メチルフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（４−メチルスルフォ
ニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フルオレン、
９，９−ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３−プロ
ペニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−メチ
ルスルフォニロキシ−３−フェニルフェニル）フルオレ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３−メチルフ
ェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−メチルスルフォ
ニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ジフェニルメタ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３−プロペニ
ルフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−メチルスル
フォニロキシ−３−フルオロフェニル）ジフェニルメタ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３，５−ジフ
ルオロフェニル）ジフェニルメタン、９，９−ビス（４
−メチルスルフォニロキシ−３−フルオロフェニル）フ
ルオレン、９，９−ビス（４−メチルスルフォニロキシ
−３，５−ジフルオロフェニル）フルオレン、ビス（４
−メチルスルフォニロキシフェニル）メタン、ビス（４
−メチルスルフォニロキシ−３−メチルフェニル）メタ
ン、ビス（４−メチルスルフォニロキシ−３，５−ジメ
チルフェニル）メタン、ビス（４−メチルスルフォニロ
キシ−３−プロペニルフェニル）メタン、ビス（４−メ
チルスルフォニロキシフェニル）トリフルオロメチルフ
ェニルメタン、ビス（４−メチルスルフォニロキシフェ
ニル）フェニルメタンなどが挙げられる。
【００１６】また、一般式（II) で表されるフェニレン
基含有化合物の具体例としては、２，２−ビス（４−ト
リフルオロメチルスルフォニロキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、ビス（４−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシフェニル）メタン、ビス（４−トリフルオロ
メチルスルフォニロキシフェニル）ジフェニルメタン、
２，２−ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−３−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−３−プロペニルフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニ
ロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、９，９−ビス（４−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−
トリフルオロメチルスルフォニロキシ−３−メチルフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（４−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フ
ルオレン、９，９−ビス（４−トリフルオロメチルスル
フォニロキシ−３−プロペニルフェニル）フルオレン、
９，９−ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−３−フェニルフェニル）フルオレン、ビス（４−ト
リフルオロメチルスルフォニロキシ−３−メチルフェニ
ル）ジフェニルメタン、ビス（４−トリフルオロメチル
スルフォニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ジフェ
ニルメタン、ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニ
ロキシ−３−プロペニルフェニル）ジフェニルメタン、
ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−３−
フルオロフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−トリ
フルオロメチルスルフォニロキシ−３，５−ジフルオロ
フェニル）ジフェニルメタン、９，９−ビス（４−トリ
フルオロメチルスルフォニロキシ−３−フルオロフェニ
ル）フルオレン、９，９−ビス（４−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシ−３，５−ジフルオロフェニル）フ
ルオレン、ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロ
キシフェニル）メタン、ビス（４−トリフルオロメチル
スルフォニロキシ−３−メチルフェニル）メタン、ビス
（４−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−３，５−
ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−３−プロペニルフェニル）メタ
ン、ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロキシフ
ェニル）トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス（４
−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル）など
が挙げられる。
基含有化合物の具体例としては、２，２−ビス（４−ト
リフルオロメチルスルフォニロキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、ビス（４−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシフェニル）メタン、ビス（４−トリフルオロ
メチルスルフォニロキシフェニル）ジフェニルメタン、
２，２−ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−３−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−３−プロペニルフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニ
ロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、９，９−ビス（４−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−
トリフルオロメチルスルフォニロキシ−３−メチルフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（４−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フ
ルオレン、９，９−ビス（４−トリフルオロメチルスル
フォニロキシ−３−プロペニルフェニル）フルオレン、
９，９−ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−３−フェニルフェニル）フルオレン、ビス（４−ト
リフルオロメチルスルフォニロキシ−３−メチルフェニ
ル）ジフェニルメタン、ビス（４−トリフルオロメチル
スルフォニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ジフェ
ニルメタン、ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニ
ロキシ−３−プロペニルフェニル）ジフェニルメタン、
ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−３−
フルオロフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−トリ
フルオロメチルスルフォニロキシ−３，５−ジフルオロ
フェニル）ジフェニルメタン、９，９−ビス（４−トリ
フルオロメチルスルフォニロキシ−３−フルオロフェニ
ル）フルオレン、９，９−ビス（４−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシ−３，５−ジフルオロフェニル）フ
ルオレン、ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロ
キシフェニル）メタン、ビス（４−トリフルオロメチル
スルフォニロキシ−３−メチルフェニル）メタン、ビス
（４−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−３，５−
ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−３−プロペニルフェニル）メタ
ン、ビス（４−トリフルオロメチルスルフォニロキシフ
ェニル）トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス（４
−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル）など
が挙げられる。
【００１７】さらに、上記一般式（II) で表されるフェ
ニレン基含有化合物の具体例としては、２，２−ビス
（４−フェニルスルフォニロキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン、ビス（４−フェニルスルフォニロキシフ
ェニル）メタン、ビス（４−フェニルスルフォニロキシ
フェニル）ジフェニルメタン、２，２−ビス（４−フェ
ニルスルフォニロキシ−３−メチルフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、２，２−ビス（４−フェニルスルフォ
ニロキシ−３−プロペニルフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス（４−フェニルスルフォニロキシ
−３，５−ジメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−フェニルスルフォニロキシフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（４−フェニルスルフ
ォニロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９
−ビス（４−フェニルスルフォニロキシ−３，５−ジメ
チルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−フェニ
ルスルフォニロキシ−３−プロペニルフェニル）フルオ
レン、９，９−ビス（４−フェニルスルフォニロキシ−
３−フェニルフェニル）フルオレン、ビス（４−フェニ
ルスルフォニロキシ−３−メチルフェニル）ジフェニル
メタン、ビス（４−フェニルスルフォニロキシ−３，５
−ジメチルフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−フ
ェニルスルフォニロキシ−３−プロペニルフェニル）ジ
フェニルメタン、ビス（４−フェニルスルフォニロキシ
−３−フルオロフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４
−フェニルスルフォニロキシ−３，５−ジフルオロフェ
ニル）ジフェニルメタン、９，９−ビス（４−フェニル
スルフォニロキシ−３−フルオロフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−フェニルスルフォニロキシ−
３，５−ジフルオロフェニル）フルオレン、ビス（４−
フェニルスルフォニロキシフェニル）メタン、ビス（４
−フェニルスルフォニロキシ−３−メチルフェニル）メ
タン、ビス（４−フェニルスルフォニロキシ−３，５−
ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−フェニルスルフ
ォニロキシ−３−プロペニルフェニル）メタン、ビス
（４−フェニルスルフォニロキシフェニル）トリフルオ
ロメチルフェニルメタン、ビス（４−フェニルスルフォ
ニロキシフェニル）フェニルメタンなどが挙げられる。
ニレン基含有化合物の具体例としては、２，２−ビス
（４−フェニルスルフォニロキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン、ビス（４−フェニルスルフォニロキシフ
ェニル）メタン、ビス（４−フェニルスルフォニロキシ
フェニル）ジフェニルメタン、２，２−ビス（４−フェ
ニルスルフォニロキシ−３−メチルフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、２，２−ビス（４−フェニルスルフォ
ニロキシ−３−プロペニルフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス（４−フェニルスルフォニロキシ
−３，５−ジメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−フェニルスルフォニロキシフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（４−フェニルスルフ
ォニロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９
−ビス（４−フェニルスルフォニロキシ−３，５−ジメ
チルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−フェニ
ルスルフォニロキシ−３−プロペニルフェニル）フルオ
レン、９，９−ビス（４−フェニルスルフォニロキシ−
３−フェニルフェニル）フルオレン、ビス（４−フェニ
ルスルフォニロキシ−３−メチルフェニル）ジフェニル
メタン、ビス（４−フェニルスルフォニロキシ−３，５
−ジメチルフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−フ
ェニルスルフォニロキシ−３−プロペニルフェニル）ジ
フェニルメタン、ビス（４−フェニルスルフォニロキシ
−３−フルオロフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４
−フェニルスルフォニロキシ−３，５−ジフルオロフェ
ニル）ジフェニルメタン、９，９−ビス（４−フェニル
スルフォニロキシ−３−フルオロフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−フェニルスルフォニロキシ−
３，５−ジフルオロフェニル）フルオレン、ビス（４−
フェニルスルフォニロキシフェニル）メタン、ビス（４
−フェニルスルフォニロキシ−３−メチルフェニル）メ
タン、ビス（４−フェニルスルフォニロキシ−３，５−
ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−フェニルスルフ
ォニロキシ−３−プロペニルフェニル）メタン、ビス
（４−フェニルスルフォニロキシフェニル）トリフルオ
ロメチルフェニルメタン、ビス（４−フェニルスルフォ
ニロキシフェニル）フェニルメタンなどが挙げられる。
【００１８】さらにまた、上記一般式（II) で表される
フェニレン基含有化合物の具体例としては、２，２−ビ
ス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェ
ニル）メタン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェ
ニル）ジフェニルメタン、２，２−ビス（ｐ−トリルス
ルフォニロキシ−３−メチルフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ
−３−プロペニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−３，５−
ジメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−
ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−３−
メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（ｐ−トリ
ルスルフォニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フル
オレン、９，９−ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−
３−プロペニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス
（ｐ−トリルスルフォニロキシ−３−フェニルフェニ
ル）フルオレン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−
３−メチルフェニル）ジフェニルメタン、ビス（ｐ−ト
リルスルフォニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ジ
フェニルメタン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−
３−プロペニルフェニル）ジフェニルメタン、ビス（ｐ
−トリルスルフォニロキシ−３−フルオロフェニル）ジ
フェニルメタン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−
３，５−ジフルオロフェニル）ジフェニルメタン、９，
９−ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−３−フルオロ
フェニル）フルオレン、９，９−ビス（ｐ−トリルスル
フォニロキシ−３，５−ジフルオロフェニル）フルオレ
ン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェニル）メタ
ン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−３−メチルフ
ェニル）メタン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−
３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（ｐ−トリル
スルフォニロキシ−３−プロペニルフェニル）メタン、
ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェニル）トリフル
オロメチルフェニルメタン、ビス（ｐ−トリルスルフォ
ニロキシフェニル）フェニルメタンなどが挙げられる。
フェニレン基含有化合物の具体例としては、２，２−ビ
ス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェ
ニル）メタン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェ
ニル）ジフェニルメタン、２，２−ビス（ｐ−トリルス
ルフォニロキシ−３−メチルフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ
−３−プロペニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−３，５−
ジメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−
ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−３−
メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（ｐ−トリ
ルスルフォニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フル
オレン、９，９−ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−
３−プロペニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス
（ｐ−トリルスルフォニロキシ−３−フェニルフェニ
ル）フルオレン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−
３−メチルフェニル）ジフェニルメタン、ビス（ｐ−ト
リルスルフォニロキシ−３，５−ジメチルフェニル）ジ
フェニルメタン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−
３−プロペニルフェニル）ジフェニルメタン、ビス（ｐ
−トリルスルフォニロキシ−３−フルオロフェニル）ジ
フェニルメタン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−
３，５−ジフルオロフェニル）ジフェニルメタン、９，
９−ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−３−フルオロ
フェニル）フルオレン、９，９−ビス（ｐ−トリルスル
フォニロキシ−３，５−ジフルオロフェニル）フルオレ
ン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェニル）メタ
ン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−３−メチルフ
ェニル）メタン、ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシ−
３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（ｐ−トリル
スルフォニロキシ−３−プロペニルフェニル）メタン、
ビス（ｐ−トリルスルフォニロキシフェニル）トリフル
オロメチルフェニルメタン、ビス（ｐ−トリルスルフォ
ニロキシフェニル）フェニルメタンなどが挙げられる。
【００１９】本発明のフェニレン基含有重合体を製造す
る際に使用される触媒は、遷移金属化合物を含む触媒系
であり、この触媒系としては、遷移金属塩および配位
子、または配位子が配位された遷移金属（塩）、ならび
に還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げる
ために、「塩」を添加してもよい。ここで、遷移金属塩
としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケ
ル、ニッケルアセチルアセトナートなどのニッケル化合
物、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウ
ムなどのパラジウム化合物、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄
などの鉄化合物、塩化コバルト、臭化コバルト、ヨウ化
コバルトなどのコバルト化合物などが挙げられる。これ
らのうち特に、塩化ニッケル、臭化ニッケルなどが好ま
しい。また、配位子としては、トリフェニルホスフィ
ン、２，２′−ビピリジン、１，５−シクロオクタジエ
ン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンな
どが挙げられるが、トリフェニルホスフィン、２，２′
−ビピリジンが好ましい。上記配位子は、１種単独で、
あるいは２種以上を併用することができる。
る際に使用される触媒は、遷移金属化合物を含む触媒系
であり、この触媒系としては、遷移金属塩および配位
子、または配位子が配位された遷移金属（塩）、ならび
に還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げる
ために、「塩」を添加してもよい。ここで、遷移金属塩
としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケ
ル、ニッケルアセチルアセトナートなどのニッケル化合
物、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウ
ムなどのパラジウム化合物、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄
などの鉄化合物、塩化コバルト、臭化コバルト、ヨウ化
コバルトなどのコバルト化合物などが挙げられる。これ
らのうち特に、塩化ニッケル、臭化ニッケルなどが好ま
しい。また、配位子としては、トリフェニルホスフィ
ン、２，２′−ビピリジン、１，５−シクロオクタジエ
ン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンな
どが挙げられるが、トリフェニルホスフィン、２，２′
−ビピリジンが好ましい。上記配位子は、１種単独で、
あるいは２種以上を併用することができる。
【００２０】さらに、あらかじめ配位子が配位された遷
移金属（塩）としては、例えば、塩化ニッケル２トリフ
ェニルホスフィン、臭化ニッケル２トリフェニルホスフ
ィン、ヨウ化ニッケル２トリフェニルホスフィン、硝酸
ニッケル２−トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル
２，２′ビピリジン、臭化ニッケル２，２′ビピリジ
ン、ヨウ化ニッケル２，２′ビピリジン、硝酸ニッケル
２，２′ビピリジン、ビス（１，５−シクロオクタジエ
ン）ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）
ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスファイト）ニ
ッケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウムなどが挙げられるが、塩化ニッケル２トリフェニル
ホスフィン、塩化ニッケル２，２′ビピリジンが好まし
い。
移金属（塩）としては、例えば、塩化ニッケル２トリフ
ェニルホスフィン、臭化ニッケル２トリフェニルホスフ
ィン、ヨウ化ニッケル２トリフェニルホスフィン、硝酸
ニッケル２−トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル
２，２′ビピリジン、臭化ニッケル２，２′ビピリジ
ン、ヨウ化ニッケル２，２′ビピリジン、硝酸ニッケル
２，２′ビピリジン、ビス（１，５−シクロオクタジエ
ン）ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）
ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスファイト）ニ
ッケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウムなどが挙げられるが、塩化ニッケル２トリフェニル
ホスフィン、塩化ニッケル２，２′ビピリジンが好まし
い。
【００２１】本発明の触媒系において使用することがで
きる上記還元剤としては、例えば、鉄、亜鉛、マンガ
ン、アルミニウム、マグネシウム、ナトリウム、カルシ
ウムなどを挙げることできるが、亜鉛、マンガンが好ま
しい。これらの還元剤は、酸や有機酸に接触させること
により、より活性化して用いることができる。また、本
発明の触媒系において使用することのできる「塩」とし
ては、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリ
ウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸ナトリウムなどのナトリ
ウム化合物、フッ化カリウム、塩化カリウム、臭化カリ
ウム、ヨウ化カリウム、硫酸カリウムなどのカリウム化
合物、フッ化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラエ
チルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨ
ウ化テトラエチルアンモニウム、硫酸テトラエチルアン
モニウムなどのアンモニウム化合物などが挙げられる
が、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウ
ム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチ
ルアンモニウムが好ましい。
きる上記還元剤としては、例えば、鉄、亜鉛、マンガ
ン、アルミニウム、マグネシウム、ナトリウム、カルシ
ウムなどを挙げることできるが、亜鉛、マンガンが好ま
しい。これらの還元剤は、酸や有機酸に接触させること
により、より活性化して用いることができる。また、本
発明の触媒系において使用することのできる「塩」とし
ては、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリ
ウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸ナトリウムなどのナトリ
ウム化合物、フッ化カリウム、塩化カリウム、臭化カリ
ウム、ヨウ化カリウム、硫酸カリウムなどのカリウム化
合物、フッ化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラエ
チルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨ
ウ化テトラエチルアンモニウム、硫酸テトラエチルアン
モニウムなどのアンモニウム化合物などが挙げられる
が、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウ
ム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチ
ルアンモニウムが好ましい。
【００２２】触媒系における各成分の使用割合は、遷移
金属塩または配位子が配位された遷移金属（塩）が、上
記一般式（II) で表される化合物１モルに対し、通常、
０．０００１〜１０モル、好ましくは０．０１〜０．５
モルである。０．０００１モル未満では、重合反応が充
分に進行せず、一方、１０モルを超えると、分子量が低
下するという問題がある。触媒系において、遷移金属塩
および配位子を用いる場合、この配位子の使用割合は、
遷移金属塩１モルに対し、通常、０．１〜１００モル、
好ましくは１〜１０モルである。０．１モル未満では、
触媒活性が不充分となり、一方、１００モルを超える
と、分子量が低下するという問題がある。また、触媒系
における還元剤の使用割合は、上記一般式（II) で表さ
れる化合物１モルに対し、通常、０．１〜１００モル、
好ましくは１〜１０モルである。０．１モル未満では、
重合が充分進行せず、一方、１００モルを超えると、得
られる重合体の精製が困難になるという問題がある。さ
らに、触媒系に「塩」を使用する場合、その使用割合
は、上記一般式（II)で表される化合物１モルに対し、
通常、０．００１〜１００モル、好ましくは０．０１〜
１モルである。０．００１モル未満では、重合速度を上
げる効果が不充分であり、一方、１００モルを超える
と、得られる重合体の精製が困難となるという問題があ
る。
金属塩または配位子が配位された遷移金属（塩）が、上
記一般式（II) で表される化合物１モルに対し、通常、
０．０００１〜１０モル、好ましくは０．０１〜０．５
モルである。０．０００１モル未満では、重合反応が充
分に進行せず、一方、１０モルを超えると、分子量が低
下するという問題がある。触媒系において、遷移金属塩
および配位子を用いる場合、この配位子の使用割合は、
遷移金属塩１モルに対し、通常、０．１〜１００モル、
好ましくは１〜１０モルである。０．１モル未満では、
触媒活性が不充分となり、一方、１００モルを超える
と、分子量が低下するという問題がある。また、触媒系
における還元剤の使用割合は、上記一般式（II) で表さ
れる化合物１モルに対し、通常、０．１〜１００モル、
好ましくは１〜１０モルである。０．１モル未満では、
重合が充分進行せず、一方、１００モルを超えると、得
られる重合体の精製が困難になるという問題がある。さ
らに、触媒系に「塩」を使用する場合、その使用割合
は、上記一般式（II)で表される化合物１モルに対し、
通常、０．００１〜１００モル、好ましくは０．０１〜
１モルである。０．００１モル未満では、重合速度を上
げる効果が不充分であり、一方、１００モルを超える
と、得られる重合体の精製が困難となるという問題があ
る。
【００２３】本発明で使用することのできる重合溶媒と
しては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２
−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、γ−ブチロラクタ
ムなどが挙げられ、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１
−メチル−２−ピロリドンが好ましい。これらの重合溶
媒は、充分に乾燥してから用いることが好ましい。重合
溶媒中における上記一般式（II) で表される化合物の濃
度は、通常、１〜１００重量％、好ましくは５〜４０重
量％である。また、本発明の重合体を重合する際の重合
温度は、通常、０〜２００℃、好ましくは５０〜８０℃
である。また、重合時間は、通常、０．５〜１００時
間、好ましくは１〜４０時間である。
しては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２
−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、γ−ブチロラクタ
ムなどが挙げられ、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１
−メチル−２−ピロリドンが好ましい。これらの重合溶
媒は、充分に乾燥してから用いることが好ましい。重合
溶媒中における上記一般式（II) で表される化合物の濃
度は、通常、１〜１００重量％、好ましくは５〜４０重
量％である。また、本発明の重合体を重合する際の重合
温度は、通常、０〜２００℃、好ましくは５０〜８０℃
である。また、重合時間は、通常、０．５〜１００時
間、好ましくは１〜４０時間である。
【００２４】上記一般式（II) で表されるフェニレン基
含有化合物を用いて、上記一般式（Ｉ）で表される繰り
返し構造単位からなるフェニレン基含有重合体を得る際
の反応式の一例は、下記のとおりである。なお、この反
応式中、ｎは繰り返し構造単位数を示す。
含有化合物を用いて、上記一般式（Ｉ）で表される繰り
返し構造単位からなるフェニレン基含有重合体を得る際
の反応式の一例は、下記のとおりである。なお、この反
応式中、ｎは繰り返し構造単位数を示す。
【００２５】
【化５】
【００２６】上記一般式（Ｉ）で表される繰り返し構造
単位からなる本発明のフェニレン基含有重合体の構造
は、赤外線吸収スペクトルによって、９００〜６７５ｃ
ｍ-1、１，３００〜１，０００ｃｍ-1、１，５００〜
１，４００ｃｍ-1、３，１００〜３，０００ｃｍ-1の吸
収により確認でき、これらの組成比は、元素分析により
知ることができる。また、核磁気共鳴スペクトルによ
り、６．０〜８．５ｐｐｍのピークから、その構造を確
認することができる。
単位からなる本発明のフェニレン基含有重合体の構造
は、赤外線吸収スペクトルによって、９００〜６７５ｃ
ｍ-1、１，３００〜１，０００ｃｍ-1、１，５００〜
１，４００ｃｍ-1、３，１００〜３，０００ｃｍ-1の吸
収により確認でき、これらの組成比は、元素分析により
知ることができる。また、核磁気共鳴スペクトルによ
り、６．０〜８．５ｐｐｍのピークから、その構造を確
認することができる。
【００２７】本発明のフェニレン基含有重合体の用途と
して、例えば、層間絶縁材料、保護膜、低屈折材料、光
導波路材料、反射防止膜、封止材料、液晶配向膜、プリ
ント基板材料、気体透過膜などが挙げられる。
して、例えば、層間絶縁材料、保護膜、低屈折材料、光
導波路材料、反射防止膜、封止材料、液晶配向膜、プリ
ント基板材料、気体透過膜などが挙げられる。
【００２８】
【実施例】以下、実施例を挙げ本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。なお、実施例中、％および部は、特に断らない
限り重量基準である。また、実施例中の各種の測定項目
は、下記のようにして求めた。
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。なお、実施例中、％および部は、特に断らない
限り重量基準である。また、実施例中の各種の測定項目
は、下記のようにして求めた。
【００２９】重量平均分子量、数平均分子量 ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測
定により、ポリスチレン換算で求めた。 1Ｈ−ＮＭＲ分析 Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド−ｄ７を溶媒とし、９０
ＭＨｚにおいて測定した。ＩＲ分析 ＫＢｒ法により測定した。
定により、ポリスチレン換算で求めた。 1Ｈ−ＮＭＲ分析 Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド−ｄ７を溶媒とし、９０
ＭＨｚにおいて測定した。ＩＲ分析 ＫＢｒ法により測定した。
【００３０】５％減少温度 ＴＧ法により、チッ素雰囲気中、昇温速度１０℃／分の
条件で測定した。ガラス転移温度 ＤＳＣ法により、昇温速度２０℃／分で測定した。塗膜性 重合体を所定の溶剤に溶かし、ガラス基板にスピンコー
ト法により塗布したのち、所定の条件で焼成し、目視に
より外観を観察した。比誘電率 ＳＵＳ基板に、上記と同様の方法で、重合体の塗膜を形
成させたのち、マスク蒸着により金電極を形成させ、比
誘電率測定用サンプルとした。このサンプルの静電容量
をＬＣＲメーターにより測定し、下記の式から、比誘電
率を求めた。 ε＝Ｃ・ｄ／ε0 ・Ｓ ここで、εは比誘電率、Ｃは静電容量、ε0 は真空中の
誘電率、Ｓは上部電極面積である。
条件で測定した。ガラス転移温度 ＤＳＣ法により、昇温速度２０℃／分で測定した。塗膜性 重合体を所定の溶剤に溶かし、ガラス基板にスピンコー
ト法により塗布したのち、所定の条件で焼成し、目視に
より外観を観察した。比誘電率 ＳＵＳ基板に、上記と同様の方法で、重合体の塗膜を形
成させたのち、マスク蒸着により金電極を形成させ、比
誘電率測定用サンプルとした。このサンプルの静電容量
をＬＣＲメーターにより測定し、下記の式から、比誘電
率を求めた。 ε＝Ｃ・ｄ／ε0 ・Ｓ ここで、εは比誘電率、Ｃは静電容量、ε0 は真空中の
誘電率、Ｓは上部電極面積である。
【００３１】実施例１ アルゴンガス導入管および温度計を備えた内容積５００
ｍｌの三つ口フラスコに、ヨウ化ナトリウム７．５ｇ、
無水塩化ニッケル１．３ｇ、トリフェニルホスフィン１
５．７ｇ、酢酸により活性化させた亜鉛末４５．８ｇ、
２，２−ビス（４−メチルスルフォニロキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン４９．２ｇを加え、２４時間、
真空下で乾燥したのち、三つ口フラスコ内をアルゴンガ
スで充填した。引き続き、乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１５０ｍｌを添加し、７０℃でアルゴン気流下に
攪拌したところ、反応液が褐色となった。そのまま、７
０℃で２０時間反応させたのち、反応液を３６％塩酸５
００ｍｌおよびメタノール２，０００ｍｌ混合液中に注
ぎ、沈殿物を回収した。得られた沈殿物を、クロロホル
ム中に加えて懸濁させ、２規定塩酸水溶液で抽出を行っ
たのち、クロロホルム層をメタノールに注ぎ、沈殿を回
収、乾燥したところ、重量平均分子量３１，２００、数
平均分子量１５，８００の白色粉末状重合体１７ｇを得
た。
ｍｌの三つ口フラスコに、ヨウ化ナトリウム７．５ｇ、
無水塩化ニッケル１．３ｇ、トリフェニルホスフィン１
５．７ｇ、酢酸により活性化させた亜鉛末４５．８ｇ、
２，２−ビス（４−メチルスルフォニロキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン４９．２ｇを加え、２４時間、
真空下で乾燥したのち、三つ口フラスコ内をアルゴンガ
スで充填した。引き続き、乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１５０ｍｌを添加し、７０℃でアルゴン気流下に
攪拌したところ、反応液が褐色となった。そのまま、７
０℃で２０時間反応させたのち、反応液を３６％塩酸５
００ｍｌおよびメタノール２，０００ｍｌ混合液中に注
ぎ、沈殿物を回収した。得られた沈殿物を、クロロホル
ム中に加えて懸濁させ、２規定塩酸水溶液で抽出を行っ
たのち、クロロホルム層をメタノールに注ぎ、沈殿を回
収、乾燥したところ、重量平均分子量３１，２００、数
平均分子量１５，８００の白色粉末状重合体１７ｇを得
た。
【００３２】得られた重合体の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル
を図１に、ＩＲスペクトルを図２に示す。この重合体
の、５％減少温度は５０８℃、ガラス転移温度は２４９
℃であった。また、得られた重合体２０部をシクロヘキ
サノン８０部に溶解させ、スピンコート法によりガラス
基板に塗布し、８０℃、１２０℃、１６０℃でそれぞれ
３０分間ずつ焼成し、均一な塗膜を得た。得られた塗膜
は、無色透明であった。さらに、比誘電率を測定したと
ころ、２．２（１ＭＨｚ）であった。
を図１に、ＩＲスペクトルを図２に示す。この重合体
の、５％減少温度は５０８℃、ガラス転移温度は２４９
℃であった。また、得られた重合体２０部をシクロヘキ
サノン８０部に溶解させ、スピンコート法によりガラス
基板に塗布し、８０℃、１２０℃、１６０℃でそれぞれ
３０分間ずつ焼成し、均一な塗膜を得た。得られた塗膜
は、無色透明であった。さらに、比誘電率を測定したと
ころ、２．２（１ＭＨｚ）であった。
【００３３】実施例２ アルゴンガス導入管および温度計を備えた内容積５００
ｍｌの三つ口フラスコに、ヨウ化ナトリウム７．５ｇ、
無水塩化ニッケル１．３ｇ、トリフェニルホスフィン１
５．７ｇ、酢酸により活性化させた亜鉛末４５．８ｇ、
９，９−ビス（メチルスルフォニロキシフェニル）フル
オレン５０．７ｇを加え、２４時間、真空下で乾燥した
のち、三つ口フラスコ内をアルゴンガスで充填した。引
き続き、乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１５０ｍｌ
を添加し、７０℃でアルゴン気流下に攪拌したところ、
反応液が褐色となった。そのまま、７０℃で２０時間反
応させたのち、反応液を３６％塩酸５００ｍｌおよびメ
タノール２，０００ｍｌ混合液中に注ぎ、沈殿物を回収
した。得られた沈殿物を、クロロホルム中に加えて懸濁
させ、２規定塩酸水溶液で抽出を行ったのち、クロロホ
ルム層をメタノールに注ぎ、沈殿を回収、乾燥したとこ
ろ、重量平均分子量２１，８００、数平均分子量１０，
１００の白色粉末状重合体１９ｇを得た。
ｍｌの三つ口フラスコに、ヨウ化ナトリウム７．５ｇ、
無水塩化ニッケル１．３ｇ、トリフェニルホスフィン１
５．７ｇ、酢酸により活性化させた亜鉛末４５．８ｇ、
９，９−ビス（メチルスルフォニロキシフェニル）フル
オレン５０．７ｇを加え、２４時間、真空下で乾燥した
のち、三つ口フラスコ内をアルゴンガスで充填した。引
き続き、乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１５０ｍｌ
を添加し、７０℃でアルゴン気流下に攪拌したところ、
反応液が褐色となった。そのまま、７０℃で２０時間反
応させたのち、反応液を３６％塩酸５００ｍｌおよびメ
タノール２，０００ｍｌ混合液中に注ぎ、沈殿物を回収
した。得られた沈殿物を、クロロホルム中に加えて懸濁
させ、２規定塩酸水溶液で抽出を行ったのち、クロロホ
ルム層をメタノールに注ぎ、沈殿を回収、乾燥したとこ
ろ、重量平均分子量２１，８００、数平均分子量１０，
１００の白色粉末状重合体１９ｇを得た。
【００３４】得られた重合体のＩＲスペクトルを図３に
示す。この重合体の５％減少温度は５７６℃であり、ガ
ラス転移温度を測定したところ、３５０℃まで観測され
なかった。また、得られた重合体２０部を１−メチル−
２−ピロリドン８０部に溶解させ、スピンコート法によ
りガラス基板に塗布し、８０℃、１２０℃、１６０℃、
２００℃でそれぞれ３０分間ずつ焼成し、均一な塗膜を
得た。得られた塗膜は、無色透明であった。さらに、比
誘電率を測定したところ、２．４（１ＭＨｚ）であっ
た。
示す。この重合体の５％減少温度は５７６℃であり、ガ
ラス転移温度を測定したところ、３５０℃まで観測され
なかった。また、得られた重合体２０部を１−メチル−
２−ピロリドン８０部に溶解させ、スピンコート法によ
りガラス基板に塗布し、８０℃、１２０℃、１６０℃、
２００℃でそれぞれ３０分間ずつ焼成し、均一な塗膜を
得た。得られた塗膜は、無色透明であった。さらに、比
誘電率を測定したところ、２．４（１ＭＨｚ）であっ
た。
【００３５】実施例３ モノマーを、９，９−ビス（メチルスルフォニロキシフ
ェニル）フルオレン５０．７ｇの代わりに、ビス（４−
メチルスルフォニロキシフェニル）ジフェニルメタン５
０．５ｇに、また溶媒を、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドの代わりに、１−メチル−２−ピロリドンを使用した
以外は、実施例１と同様の方法で重合し、重量平均分子
量１９，２００、数平均分子量９，８００の白色粉末状
重合体２０ｇを得た。得られた重合体のＩＲスペクトル
を図４に示す。この重合体の、５％減少温度は５４６
℃、ガラス転移温度は２４５℃であった。また、得られ
た重合体２０部を１−メチル−２−ピロリドン８０部に
溶解させ、スピンコート法によりガラス基板に塗布し、
８０℃、１２０℃、１６０℃、２００℃でそれぞれ３０
分間ずつ焼成し、均一な塗膜を得た。得られた塗膜は、
無色透明であった。さらに、比誘電率を測定したとこ
ろ、２．４（１ＭＨｚ）であった。
ェニル）フルオレン５０．７ｇの代わりに、ビス（４−
メチルスルフォニロキシフェニル）ジフェニルメタン５
０．５ｇに、また溶媒を、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドの代わりに、１−メチル−２−ピロリドンを使用した
以外は、実施例１と同様の方法で重合し、重量平均分子
量１９，２００、数平均分子量９，８００の白色粉末状
重合体２０ｇを得た。得られた重合体のＩＲスペクトル
を図４に示す。この重合体の、５％減少温度は５４６
℃、ガラス転移温度は２４５℃であった。また、得られ
た重合体２０部を１−メチル−２−ピロリドン８０部に
溶解させ、スピンコート法によりガラス基板に塗布し、
８０℃、１２０℃、１６０℃、２００℃でそれぞれ３０
分間ずつ焼成し、均一な塗膜を得た。得られた塗膜は、
無色透明であった。さらに、比誘電率を測定したとこ
ろ、２．４（１ＭＨｚ）であった。
【００３６】実施例４ モノマーを、ビス（４−メチルスルフォニロキシフェニ
ル）トリフルオロメチルフェニルメタン５０ｇに代えた
以外は、実施例１と同様の方法で重合し、重量平均分子
量１６，６００の白色粉末状重合体２０ｇを得た。得ら
れた重合体の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図５に、ＩＲス
ペクトルを図６に示す。この重合体の、５％減少温度は
５１１℃、ガラス転移温度は２６６℃であった。また、
得られた重合体２５部をプロピレングリコール−１−モ
ノメチルエーテル−２−アセテート７５部に溶解させ、
スピンコート法によりガラス基板に塗布し、８０℃、１
２０℃、１６０℃でそれぞれ３０分間ずつ焼成し、均一
な塗膜を得た。得られた塗膜は、無色透明であった。さ
らに、比誘電率を測定したところ、２．３（１ＭＨｚ）
であった。
ル）トリフルオロメチルフェニルメタン５０ｇに代えた
以外は、実施例１と同様の方法で重合し、重量平均分子
量１６，６００の白色粉末状重合体２０ｇを得た。得ら
れた重合体の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図５に、ＩＲス
ペクトルを図６に示す。この重合体の、５％減少温度は
５１１℃、ガラス転移温度は２６６℃であった。また、
得られた重合体２５部をプロピレングリコール−１−モ
ノメチルエーテル−２−アセテート７５部に溶解させ、
スピンコート法によりガラス基板に塗布し、８０℃、１
２０℃、１６０℃でそれぞれ３０分間ずつ焼成し、均一
な塗膜を得た。得られた塗膜は、無色透明であった。さ
らに、比誘電率を測定したところ、２．３（１ＭＨｚ）
であった。
【００３７】実施例５ モノマーを、ビス（３−フルオロ−４−メチルスルフォ
ニロキシフェニル）ジフェニルメタン５４．４ｇに代え
た以外は、実施例１と同様の方法で重合し、重量平均分
子量９，６００の白色粉末状重合体を得た。得られた重
合体の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図７に、ＩＲスペクト
ルを図８に示す。この重合体の、５％減少温度は５４９
℃、ガラス転移温度は２３４℃であった。また、得られ
た重合体２５部をシクロヘキサノン８０部に溶解させ、
スピンコート法によりガラス基板に塗布し、８０℃、１
２０℃、１６０℃でそれぞれ３０分間ずつ焼成し、均一
な塗膜を得た。得られた塗膜は、無色透明であった。さ
らに、比誘電率を測定したところ、２．４（１ＭＨｚ）
であった。
ニロキシフェニル）ジフェニルメタン５４．４ｇに代え
た以外は、実施例１と同様の方法で重合し、重量平均分
子量９，６００の白色粉末状重合体を得た。得られた重
合体の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図７に、ＩＲスペクト
ルを図８に示す。この重合体の、５％減少温度は５４９
℃、ガラス転移温度は２３４℃であった。また、得られ
た重合体２５部をシクロヘキサノン８０部に溶解させ、
スピンコート法によりガラス基板に塗布し、８０℃、１
２０℃、１６０℃でそれぞれ３０分間ずつ焼成し、均一
な塗膜を得た。得られた塗膜は、無色透明であった。さ
らに、比誘電率を測定したところ、２．４（１ＭＨｚ）
であった。
【００３８】
【発明の効果】本発明のフェニレン基含有重合体は、耐
熱性、低誘電性および透明性に優れ、有機溶剤に可溶性
であることから、加工が容易であり、電子材料、光学材
料として幅広い用途に極めて好適に使用することができ
る。
熱性、低誘電性および透明性に優れ、有機溶剤に可溶性
であることから、加工が容易であり、電子材料、光学材
料として幅広い用途に極めて好適に使用することができ
る。
【図１】実施例１で得られた重合体の 1Ｈ−ＮＭＲチャ
ートである。
ートである。
【図２】実施例１で得られた重合体のＩＲチャートであ
る。
る。
【図３】実施例２で得られた重合体のＩＲチャートであ
る。
る。
【図４】実施例３で得られた重合体のＩＲチャートであ
る。
る。
【図５】実施例４で得られた重合体の 1Ｈ−ＮＭＲチャ
ートである。
ートである。
【図６】実施例４で得られた重合体のＩＲチャートであ
る。
る。
【図７】実施例５で得られた重合体の 1Ｈ−ＮＭＲチャ
ートである。
ートである。
【図８】実施例５で得られた重合体のＩＲチャートであ
る。
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 幸平 東京都中央区築地２丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し構
造単位５０モル％以上からなり、ポリスチレン換算の重
量平均分子量が１，０００〜１，０００，０００であ
る、フェニレン基含有重合体。 【化１】 〔式中、Ｘは−ＣＹＹ′−（ここで、Ｙ〜Ｙ′は同一ま
たは異なり、ハロゲン化アルキル基、水素原子もしくは
アリール基を示す）で表される基、またはフルオレニレ
ン基を示し、Ｒ1 〜Ｒ8 は同一または異なり、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル
基、アリル基、またはアリール基である。〕 - 【請求項２】 一般式（Ｉ）中のＸが−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−である繰り返し構造単位５０〜１００モル％からなる
請求項１記載のフェニレン基含有重合体。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ）中のＸが−Ｃ（ＣＦ3 ）
（Ｃ6 Ｈ5 ）−である繰り返し構造単位５０〜１００モ
ル％からなる請求項１記載のフェニレン基含有重合体。 - 【請求項４】 一般式（Ｉ）中のＸがフルオレニレン基
である繰り返し構造単位５０〜１００モル％からなる請
求項１記載のフェニレン基含有重合体。 - 【請求項５】 下記一般式（II) で表されるフェニレン
基含有化合物５０モル％以上からなるモノマーを、遷移
金属化合物を含む触媒系の存在下に重合することを特徴
とする請求項１記載のフェニレン基含有重合体の製造方
法。 【化２】 〔式中、ＸおよびＲ1 〜Ｒ8 は上記一般式（Ｉ）と同様
であり、Ｒ9 〜Ｒ10は同一または異なり、ハロゲン原
子、または−ＯＳＯ2 Ｚ（ここで、Ｚはアルキル基、ハ
ロゲン化アルキル基もしくはアリール基を示す）で表さ
れる基である。〕 - 【請求項６】 一般式（II) 中のＸが−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−である請求項５記載のフェニレン基含有重合体の製造
方法。 - 【請求項７】 一般式（II) 中のＸが−Ｃ（ＣＦ3 ）
（Ｃ6 Ｈ5 ）−である請求項５記載のフェニレン基含有
重合体の製造方法。 - 【請求項８】 一般式（II) 中のＸがフルオレニレン基
である請求項５記載のフェニレン基含有重合体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02907098A JP3711733B2 (ja) | 1997-01-30 | 1998-01-28 | フェニレン基含有重合体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-29866 | 1997-01-30 | ||
| JP2986697 | 1997-01-30 | ||
| JP02907098A JP3711733B2 (ja) | 1997-01-30 | 1998-01-28 | フェニレン基含有重合体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10273523A true JPH10273523A (ja) | 1998-10-13 |
| JP3711733B2 JP3711733B2 (ja) | 2005-11-02 |
Family
ID=26367217
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02907098A Expired - Fee Related JP3711733B2 (ja) | 1997-01-30 | 1998-01-28 | フェニレン基含有重合体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3711733B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004002627A (ja) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Jsr Corp | 芳香族ポリマーの製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法および有機膜 |
| WO2005078002A1 (ja) * | 2004-02-18 | 2005-08-25 | Tokyo Institute Of Technology | ジハロゲン化物、高分子化合物及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP02907098A patent/JP3711733B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004002627A (ja) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Jsr Corp | 芳香族ポリマーの製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法および有機膜 |
| WO2005078002A1 (ja) * | 2004-02-18 | 2005-08-25 | Tokyo Institute Of Technology | ジハロゲン化物、高分子化合物及びその製造方法 |
| JPWO2005078002A1 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-10-18 | 国立大学法人東京工業大学 | ジハロゲン化物、高分子化合物及びその製造方法 |
| US7462683B2 (en) | 2004-02-18 | 2008-12-09 | Tokyo Institute Of Technology | Dihalide, polymer compound and method for producing the same |
| JP4534044B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2010-09-01 | 国立大学法人東京工業大学 | ジハロゲン化物、高分子化合物及びその製造方法 |
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| JP3711733B2 (ja) | 2005-11-02 |
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