JPH10273371A - 金属部材とセラミックス部材との接合構造およびその製造方法 - Google Patents
金属部材とセラミックス部材との接合構造およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10273371A JPH10273371A JP9322570A JP32257097A JPH10273371A JP H10273371 A JPH10273371 A JP H10273371A JP 9322570 A JP9322570 A JP 9322570A JP 32257097 A JP32257097 A JP 32257097A JP H10273371 A JPH10273371 A JP H10273371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- metal member
- ceramic
- film
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 189
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 189
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 24
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009954 braiding Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49147—Assembling terminal to base
- Y10T29/49149—Assembling terminal to base by metal fusion bonding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
する収容孔を備えているセラミックス部材との接合構造
であって、金属部材の側壁面と収容孔の側壁面との間に
間隙が設けられている場合に、金属部材の接合強度を向
上させること。 【解決手段】金属部材13Aが収容孔4内に収容されて
いる。少なくとも金属部材13Aの底面5a側におい
て、金属部材の側壁面5bと収容孔4の側壁面4bとの
間に間隙9が設けられている。金属部材とセラミックス
部材1とを接合する導電性接合層17が、金属部材の底
面5aと収容孔の底面4aとの間に形成されている。金
属部材の側壁面5bの少なくとも一部に、金属部材5を
構成する金属よりも導電性接合層17に対する濡れ性が
低い膜14Aが形成されている。
Description
ス部材との接合構造およびその製造方法に関するもので
ある。
VD、スパッタリング等の成膜プロセス、微細加工、洗
浄、エッチング、ダイシング等の工程において、半導体
ウエハーを吸着し、保持するために、静電チャックが使
用されている。こうした静電チャックの基材として、緻
密質セラミックスが注目されている。特に半導体製造装
置においては、エッチングガスやクリーニングガスとし
て、ClF 3 等のハロゲン系腐食性ガスを多用する。ま
た、半導体ウエハーを保持しつつ、急速に加熱し、冷却
させるためには、静電チャックの基材が高い熱伝導性を
備えていることが望まれる。また、急激な温度変化によ
って破壊しないような耐熱衝撃性を備えていることが望
まれる。緻密な窒化アルミニウム又はアルミナ等は、前
記のようなハロゲン系腐食性ガスに対して高い耐食性を
備えている。
ラズマを発生させるための高周波電極を内蔵したサセプ
ターが実用化されているが、こうした高周波電力発生装
置の分野においても、窒化アルミニウム又はアルミナ等
の基材中に金属電極を埋設している。
ては、窒化アルミニウム又はアルミナ等のセラミックス
基材中に金属電極を埋設し、外部の電力供給用コネクタ
ーに対して金属電極を電気的に接続する必要がある。し
かし、こうした接続部分は、酸化性雰囲気下、更には腐
食性ガス雰囲気下で、非常な高温と低温との熱サイクル
にさらされる。このような悪条件下においても、長期間
高い接合強度と良好な電気的接続とを保持することが望
まれている。
られるセラミックスヒーター、静電チャックおよび高周
波電極装置を製造するのに際して、窒化アルミニウムや
窒化珪素等からなる基体に機械加工によって孔を形成
し、この孔に内部の金属電極を露出させ、この孔に円柱
状の金具を挿入し、金具の先端面をろう付けすることを
提案した(特願平7−21657号明細書)。
記載した方法によると、次の問題がいまだ残されること
が判明してきた。即ち、所定の接合強度および導電性を
確保することができない場合があり、このため歩留りの
低下が生じていた。例えば、円柱状の金具の先端面を、
セラミックス基材側の収容孔の底面に対してろう付けし
た後、ろう材が金具側に濡れて上がり過ぎるため、収容
孔接合部に十分なろう材が残らない場合があった。その
ため、金具に対して応力を加えたときの強度が低くなる
傾向があった。
材の少なくとも一部を収容する収容孔を備えているセラ
ミックス部材との接合構造において、金属部材の接合強
度を向上させることである。
この金属部材の少なくとも一部を収容する収容孔を備え
ているセラミックス部材との接合構造であって、金属部
材が収容孔内に収容されており、金属部材とセラミック
ス部材とを接合する導電性接合層が金属部材の底面と収
容孔の底面との間に形成されており、金属部材の側壁面
の少なくとも一部に、金属部材を構成する金属よりも導
電性接合層の濡れ性が低い膜が形成されていることを特
徴とする接合構造、およびその製造方法に係るものであ
る。
のセラミックス部材1に対して、金属部材5を接合する
実験を行った。ここで、セラミックス部材1中には、後
述するような網状電極2が埋設され、一体焼結されてい
る。部材1の背面1a側に円形の凹部3を形成し、凹部
3の内側に、横断面が略円形の収容孔4を形成する。本
例では、円柱形状の金属部材5を収容孔4内に収容する
のに先立って、収容孔4の底面4aおよび側壁面4bの
底面側部分を覆うように、金属箔6を形成した。
aとを対向させ、これらの間に平板形状のろう材を介在
させた。金属部材5の側壁面5bと収容孔4の側壁面4
bとの間には若干の間隙9がある。
図1に示すように、金属部材5とセラミックス部材1と
を、ろう材からなる導電性接合層8によって接合するこ
とに成功した。しかし、金属部材5の接合強度、特に矢
印A方向に加わる応力に対する接合強度が低くなること
があり、また接合部分の電気抵抗値が上昇し、発熱する
ことがあった。更に、大気中で高温にさらされると、網
状電極2が酸化され、接合強度及び導電性が著しく低下
した。
この過程で、ろう材の一部分が、金属部材5の側壁面5
bと収容孔4の側壁面4bとの間隙9を上昇することに
着目した。即ち、ろう付け時には、ろう材に流動性が生
ずるために、金属部材5に加えられる若干の荷重や金属
部材5の自重によって、ろう材が流動し、収容孔4の周
縁部分へと向かって流れる。この際、一般的に、セラミ
ックス部材、特に窒化アルミニウム部材は、ろう材によ
って濡れにくいので、セラミックス部材の表面を金属箔
6によって被覆し、ろう材によって濡れやすいようにし
ている。これによって、収容孔4の底面4a上を側壁面
4b側へと向かって流れてきたろう材の一部は、金属箔
6に沿って上昇する。
壁面5bに沿って上方へと向かって流れ、側壁面5bを
濡らす傾向がある。このために、側壁面5bに沿って上
方へと向かって、ろう材層11が生ずる傾向がある。こ
のろう材層11は、金属部材5の接合強度の増大に対す
る寄与が少ない。その上、ろう材層11の生成に伴っ
て、本来、金属部材5の底面5aと収容孔4の底面4a
との間に充填されるべきろう材が、上方へと向かって引
っ張られ、引け巣7が発生する。この引け巣7によっ
て、金属部材5の接合強度が低下したものと考えられ
る。また、引け巣があることで、網状電極2が露出する
場合があるため、大気中、高温にさらされると、酸化し
易くなることが考えられる。また、高温でハロゲンガス
等の腐食性ガスにさらされると、腐食し易くなることが
考えられる。
次に例示するような本発明の接合構造を想到した。
の本体5の底面5a、側壁面5b、上側面5c、C取り
面5d上に、金属部材の表面よりも、ろう材等の導電性
接合材の濡れ性が低い膜36を形成する。この膜として
は、金属酸化膜が特に好ましいが、金属部材5を構成す
る金属よりも導電性接合材の濡れ性が低い材質からなる
膜を使用できる。なお、ここで金属部材に対しC取り面
を形成したが、これをアール面に変えても良い。
による濡れ性を維持したい部分を削除し、金属部材の本
体5の表面を露出させる。少なくとも、本体5の側壁面
5bのうち底面5a側において、膜36を削除する必要
がある。この際、本体5を電力供給用部材として使用す
る実施形態においては、少なくとも本体5の上側面5c
と底面5aとにおいて、膜36を削除しておくことが、
本体5における電気抵抗を低減させるために、特に好ま
しい。
体5の上側面5c、底面5aおよびC取り面5dから膜
36を削除し、側壁面5bに膜14Aを残すことによっ
て、膜付きの金属部材13Aを得る。または、図2
(c)に示すように、本体5の上側面5c、底面5aか
ら膜36を削除し、側壁面5bおよびC取り面5dに膜
14Bを残すことによって、膜付きの金属部材13Bを
得る。
Aを収容孔4内に収容し、本体5の底面5aを、ろう材
等の導電性接合材16に対して対向させる。ここで、本
実施形態で接合に供するセラミックス部材1について述
べる。
ラミックス部材1内には、網状の電極2が埋設されてい
る。電極2は、電極2の外周を構成する略円形の金属線
2aと、金属線2aの内側で編まれている網状の金属線
2bからなっている。金属2aと2bとの間、複数の金
属線2bの間には、編み目21が形成されている。ただ
し、22は、半導体ウエハーを支持するためのピンを通
す孔である。
2の一部分2Aが、収容孔4の底面4aに露出してい
る。収容孔4の底面4aおよび露出部分2Aに対して導
電性接合材16の表面16bが対向しており、導電性接
合材16の表面16aに対して、金属部材13Aの底面
5aが対向している。この状態で全体を加熱することに
よって、図4に示す接合構造が得られる。
aと収容孔4の底面4aとの間に、導電性接合層17が
形成されている。導電性接合材が溶融する際には、収容
孔4の表面にある金属箔6を濡らしながら流動する結
果、金属箔6の末端付近にまで導電性接合材が流動し、
導電性接合材の被覆層18が生成する。
13Aの底面5aを濡らす。しかし、金属部材の本体5
の側壁面5b上に設けられている膜14Aの表面が、極
めて濡れにくいために、金属部材13Aの側壁面5bに
沿って、導電性接合材が上昇することはない。この結
果、図1に示したような導電性接合材の過剰な流動によ
る引け巣を防止できる。
容孔の底面に、セラミックス部材の内部の導電性部材の
一部分を露出させて露出部分を部分的に形成し、セラミ
ックス部材と金属部材とを接合させるのと共に、セラミ
ックスの間から露出している露出部分をも、導電性接合
層と接合させることができる。これによって、セラミッ
クス部材と金属部材との接合強度を、一層向上させるこ
とができる。こうした特異な接合構造を採用すれば、た
とえセラミックス部材がろう材によって濡れにくいよう
な場合であっても、強固な接合力を得ることができる。
収容孔4の底面4aに、セラミックス部材1の内部の網
状電極2の一部分が露出し、露出部分2Aを部分的に形
成している。そして、セラミックス部材1と導電性接合
層17とを接合させるのと共に(接合部分40に該当す
る)、露出部分2Aをも導電性接合層17によって金属
部材5に対して接合させることができる(接合部分41
が該当する)。
わりに金属部材13Bを使用することによって、図5に
示すような接合構造を得ることができる。ただし、図4
に示した構成部分と同じ構成部分には同じ符号を付け、
その説明は省略する。図5の接合構造においては、金属
部材の本体5のC取り面5dに膜14Bが形成されてお
り、このためにC取り面5dは導電性接合材によって濡
れておらず、このため図4に示した導電性接合材の被覆
層19が生成していない。
面4aと網状電極2との間に粉末焼結体30が埋設され
ている。粉末焼結体30の一方の表面30aが、導電性
接合層35によって金属部材13Bに接合されており、
粉末焼結体30の他方の表面30bが、網状電極2およ
びセラミックス基材に対して接合されている。本実施形
態では、収容孔4の底面4aのうち粉末焼結体30が露
出していない部分に金属箔6Aを設けている。
ラミックス基材1内部の導電性部材2と金属部材13B
との間に介在させる方が、導電性部材2に到達するまで
の、酸化性ガスないし腐食性ガスの伝達経路が長くなる
ので、一層好ましい。
ましくは、図7に示すように、セラミックスの原料から
なる成形体32を作成し、この成形体32を焼成する。
成形体32中には、網状の金属電極2と、粉末焼結体の
原料である金属粉末の成形体33が埋設されている。た
だし、32bは半導体ウエハーの設置面側であり、32
aは背面側である。この成形体32を焼成することによ
って、同時に粉末成形体33を焼結させて粉末焼結体3
0を得る。そして、背面1a側から研削加工を施し、収
容孔4を形成する。
部材は、セラミックス粉末と同時に焼成するので、高融
点金属からなる面状のバルク材であることが特に好まし
い。こうした高融点金属としては、タンタル,タングス
テン,モリブデン,白金,レニウム、ハフニウム及びこ
れらの合金を例示できる。半導体汚染防止の観点から、
更に、タンタル、タングステン、モリブデン、白金及び
これらの合金が好ましい。しかし、セラミックスと同時
焼成のため、熱膨張がセラミックスに近い金属が好まし
く、例えば窒化アルミニウムセラミックスに対してはモ
リブデン、タングステンおよびこれらの合金が好まし
い。
示できる。 (1)薄板からなる、面状のバルク材。 (2)面状の電極の中に多数の小空間が形成されている
バルク材。これには、多数の小孔を有する板状体からな
るバルク材や、網状のバルク材を含む。多数の小孔を有
する板状体としては、パンチングメタルを例示できる。
ただし、バルク材が高融点金属からなり、かつパンチン
グメタルである場合には、高融点金属の硬度が高いの
で、高融点金属からなる板に多数の小孔をパンチによっ
て開けることは困難であり、加工コストも非常に高くな
る。この点、バルク材が金網である場合には、高融点金
属からなる線材が容易に入手でき、この線材を編組すれ
ば金網を製造できる。
に限定しない。しかし、線径φ0.03mm、150メ
ッシュ〜線径φ0.5mm、6メッシュにおいて、特に
問題なく使用できた。また、金網を構成する線材の幅方
向断面形状は、円形の他、楕円形、長方形等、種々の圧
延形状であってよい。ここで、1メッシュは1インチあ
たり1本という意味である。
パンチングメタル23を示す斜視図である。パンチング
メタル23は円形をしており、円形の平板23a内に多
数の円形孔23bが、碁盤目形状に多数形成されてい
る。図9(b)は、金属電極として使用できる円形の薄
板24を示す斜視図である。
薄板25を示す平面図である。薄板25内には、細長い
直線状の切り込み25b、25cが、互いに平行に合計
6列形成されている。このうち、3列の切り込み25b
は、図9(c)において下側に開口しており、残り3列
の切り込み25cは、上側に開口している。切り込み2
5bと25cとは、交互に配置されている。こうした形
状を採用した結果、薄板によって細長い導電路が形成さ
れている。この導電路の両端25aに端子を接続する。
を、成膜用ガス、エッチング用ガスとして使用する半導
体製造装置内に設置するための部材に対して、本発明の
接合構造を適用できる。
中に抵抗発熱体を埋設したヒーター、セラミックス基材
中に静電チャック用電極を埋設した静電チャック、セラ
ミックス基材中に抵抗発熱体と静電チャック用電極とを
埋設した静電チャック付きヒーター、セラミックス基材
中にプラズマ発生用電極を埋設した高周波発生用電極装
置、セラミックス基材中にプラズマ発生用電極および抵
抗発熱体を埋設した高周波発生用電極装置等を例示でき
る。
は限定されないが、特にフッ素系ハロゲンガスを用いる
装置には、窒化アルミニウム、アルミナが好ましい。ま
た、金属部材の材質も特に限定されないが、ニッケル、
モリブデン、タングステン、白金、ロジウムおよびこれ
らの合金のような、高融点金属が特に好適である。
密性が高く、電気抵抗の小さいものが好ましい。この観
点からは、金属ろう材が特に好ましい。こうしたろう材
の化学組成は、特に限定するものでない。
ても良好な接合力ないし濡れ易さを有するろう材が好ま
しい。セラミックス部材の基材を、緻密質アルミナまた
は窒化アルミニウムとした場合には、主成分がCu、N
i、AgおよびAlのうちの1種類からなり、Mg、T
i、ZrおよびHfのうちの1種類からなる活性金属を
0.3〜20重量%と、第3成分50重量%以下とを含
むろう材を使用することが好ましい。ただし、ハロゲン
系腐食性ガスに対する耐食性の必要な用途においては、
Ag系のろう材は、耐蝕性が低いために、使用しない方
が好ましい。
びInのうちの少なくとも1種を用いることが、主成分
に影響を与えない点から好ましい。また、特に、主成分
がAlからなるろう材を用いると、低温で接合するた
め、接合後の熱応力が小さくなり好ましい。
未満であると、濡れ性が悪くなり、接合しない場合があ
るとともに、20重量%を超えると接合界面の反応層が
厚くなりクラックが発生する場合があるため、0.3〜
20重量%であると好ましい。また、第3成分の合計の
配合量は、50重量%を超えると、金属間化合物が多く
なり、接合界面にクラックが発生する場合があるため、
50重量%以下であると好ましい。第3成分は含有され
ていなくとも良い。
割合は、ろう材の全含有量を100重量%とした場合
に、活性金属成分および第3成分の含有割合を100重
量%から差し引いた残部である。
a、または底面4aに対向しているろう材の表面に、
銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群より選ばれ
た一種以上の金属からなる膜を、スパッタ、蒸着、摩擦
圧接、メッキおよび金属箔の挿入等の方法により設ける
ことが、より好ましい。これらの膜は、ろう材とのぬれ
性を良くする効果がある。
に、または底面4aに対向しているろう材の表面に、マ
グネシウム、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムか
らなる群より選ばれた一種以上の金属からなる膜を、ス
パッタ、蒸着、摩擦圧接、メッキおよび金属箔の挿入等
の方法により設けることがより好ましい。これらの膜に
よって、ろう材との反応が良くなる効果がある。これら
の各金属膜の膜厚は、0.5〜5μmとすることが好ま
しい。
金属部材の側壁面と収容孔4の側壁面4bとの間隙9の
大きさpは、0.2〜1.0mmとすることが好まし
い。pが0.2mm未満であると、間隙9を毛細管現象
によって導電性接合層が上昇し易くなり、接合材の残留
応力緩和効果が少なくなり、セラミックスにクラックが
発生し易くなる。pが1.0mmを越えると、金属部材
5に対して矢印A方向(図1参照)に応力が加わったと
きに、金属部材5が外れ易くなる。
材を構成する金属よりも導電性接合層の濡れ性が低い膜
であれば使用でき、以下のものを例示できる。
って生成した金属酸化物膜、金属部材を構成する金属の
窒化によって生成した金属窒化物膜、または金属部材を
構成する金属の炭化によって生成した金属炭化物膜。こ
のように金属部材の酸化、窒化、炭化によって生成した
膜を採用すると、加熱ろう付け段階や、静電チャック等
を使用する際に本発明の接合部分に加わる熱サイクルに
よって、膜が金属部材から剥離しにくいため、また膜の
厚さおよび物性が均一になり易いために、特に好まし
い。これらの中では、特に金属酸化物膜が好ましい。
て金属酸化物膜を生成することによって、最も容易に金
属酸化物膜を得ることができる。更には、酸やアルカリ
などの薬品による処理といった公知の方法によって、金
属酸化物膜、金属窒化物膜、金属炭化物膜を設けること
ができる。
の場合にも、加熱ろう付け段階や、本発明の接合部分に
加わる熱サイクルによって、膜が金属部材から剥離しに
くいために、特に好ましい。
って、金属部材の酸化、炭化、窒化以外の処理で得られ
るもの。この処理方法としては、例えば金属部材の所定
部分に、金属酸化物、金属窒化物又は金属炭化物を含有
するペーストを塗布して塗布層を形成し、この塗布層を
熱処理することができる。この場合、金属としては、T
i、Al、Mgが特に好ましい。
る。 (比較例)図1を参照しつつ説明した手順に従って、プ
ラズマ発生用電極装置1を製造した。ただし、網状電極
2としては、直径φ0.12mmのモリブデン線を、1
インチ当たり50本の密度で編んだ金網を使用した。こ
の金網を、窒化アルミニウム粉末の予備成形体中に埋設
した。
フォイル内に密封した。この状態で、1950℃の温
度、200kg/cm2 の圧力および2時間の保持時間
で、ホットプレス法によって、この成形体を焼成し、焼
結体を得た。この焼結体の相対密度は、98.0%以上
であった。
は、直径は200mmであり、厚さは8mmであった。
得られた焼結体の背面側から、マシニングセンターによ
って、直径5mm、深さ8mmの収容孔4を設け、網状
電極2を収容孔4の底面4aに露出させた。直径6mm
のチタン箔(厚さ5μm)6を収容孔4の底面4aに敷
設した。
う材板16を収容孔内に設置し、長さ6mmのニッケル
製の金属部材5を収容孔4内に挿入した。金属部材5の
中心には、接合後にトルク試験を実施できるように、M
3のネジ穴が深さ2mmに加工されている。金属部材5
に50gの荷重を加えつつ、真空中で970℃で熱処理
を行い、ろう付けを行った。
成された。この金属部材5に対して、矢印A方向に向か
ってトルクを負荷する試験を行った。この結果、金属部
材5の外れなしに負荷可能な最大トルクは、5kg/c
mであった。
した手順に従って、本発明例のプラズマ発生用電極装置
1を製造した。ただし、網状電極2、セラミックス部材
1は、比較例と同様とした。
センターによって、直径5mm、深さ8mmの収容孔4
を設け、網状電極2を収容孔4の底面4aに露出させ
た。直径6mmのチタン箔(厚さ5μm)6を収容孔4
の底面4aに敷設した。厚さ200μmの純Agの組成
を有するろう材板16を収容孔内に設置した。
製の金属部材5の表面に、大気中、1000℃×2時間
の熱処理により、酸化膜36を形成した。次いで、図2
(b)に示すように、サンドペーパー法によって、上側
面5c、底面5aおよびC取り面5dから膜36を削除
した。
孔4内に挿入した。金属部材13Aの中心には、接合後
にトルク試験を実施できるように、M3のネジ穴が深さ
2mmに加工されている。金属部材13Aに50gの荷
重を加えつつ、真空中で970℃で熱処理を行い、ろう
付けを行った。
成された。この金属部材5に対して、矢印A方向に向か
ってトルクを負荷する試験を行った。この結果、金属部
材5の外れなしに負荷可能な最大トルクは、10kg/
cmであった。
金属部材と、この金属部材の少なくとも一部を収容する
収容孔を備えているセラミックス部材との接合構造にお
いて、金属部材の接合強度を向上させることができる。
面図である。
た後の状態を示す断面図であり、(b)は、金属部材1
3Aを示す断面図であり、(c)は、金属部材13Bを
示す断面図である。
造する前の状態を示す断面図である。
図である。
面図である。
す断面図である。
めの成形体32を示す断面図である。
たセラミックス部材1を示す破断斜視図であり、(b)
は、(a)のセラミックス部材1中に埋設されている網
状電極2を示す斜視図である。
ックス部材内に埋設するための、面状のバルク材からな
る電極の形状を示す斜視図である。
(導電性部材の一種) 2A 導電性部材の露出部分
4 収容孔 4a 収容孔4の底面 4b 収
容孔4の側壁面 5 金属部材(金属部材の本体) 5a 金属部材の底面 5b 金属部材の側壁面
5c 金属部材の上側面 5d 金属部材のアール面 6、6A 収容孔の表面
を被覆する金属箔 7 引け巣 11 金属部材5の表面に沿って上昇し
た導電性接合材 13A、13B 膜付きの金属部材
14A、14B 金属部材5よりも導電性接合材の
濡れ性が低い膜 16 導電性接合材 17 導電
性接合層 18 金属箔上の導電性接合材の被覆層
19 金属部材のアール面上の導電性接合材の被覆層
30 粉末焼結体
Claims (8)
- 【請求項1】金属部材と、この金属部材の少なくとも一
部を収容する収容孔を備えているセラミックス部材との
接合構造であって、前記金属部材が前記収容孔内に収容
されており、前記金属部材と前記セラミックス部材とを
接合する導電性接合層が前記金属部材の底面と前記収容
孔の底面との間に形成されており、前記金属部材の側壁
面の少なくとも一部に、前記金属部材を構成する金属よ
りも前記導電性接合層の濡れ性が低い膜が形成されてい
ることを特徴とする、金属部材とセラミックス部材との
接合構造。 - 【請求項2】前記金属部材の前記側壁面の全面に前記膜
が形成されていることを特徴とする、請求項1記載の金
属部材とセラミックス部材との接合構造。 - 【請求項3】前記金属部材の下部にC取り面又はアール
面が形成されており、前記膜が前記C取り面又はアール
面上に形成されていないことを特徴とする、請求項1ま
たは2記載の金属部材とセラミックス部材との接合構
造。 - 【請求項4】前記セラミックス部材中に導電性部材が一
体焼結によって埋設されており、この導電性部材の一部
が前記収容孔の前記底面に露出しており、前記導電性部
材の前記収容孔に露出している露出部分と前記金属部材
の底面とが前記導電性接合層を介して電気的に接続され
ていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つ
の請求項に記載の金属部材とセラミックス部材との接合
構造。 - 【請求項5】前記セラミックス部材中に、面状の金属電
極および低熱膨張金属の粉末焼結体が埋設されており、
前記金属電極が、多数の小空間が形成されているバルク
材からなり、この金属電極に対して前記粉末焼結体が電
気的に接続されており、前記粉末焼結体の一部が前記収
容孔の前記底面に露出しており、前記粉末焼結体の前記
収容孔に露出している露出部分と前記金属部材の底面と
が前記導電性接合層を介して電気的に接続されているこ
とを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項
に記載の金属部材とセラミックス部材との接合構造。 - 【請求項6】前記膜が、前記金属部材を構成する前記金
属の酸化によって生成した金属酸化物膜、前記金属部材
を構成する前記金属の窒化によって生成した金属窒化物
膜および前記金属部材を構成する前記金属の炭化によっ
て生成した金属炭化物膜からなる群より選ばれているこ
とを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つの請求項
に記載の金属部材とセラミックス部材との接合構造。 - 【請求項7】前記膜の材質が、窒化ホウ素およびカーボ
ンからなる群より選ばれていることを特徴とする、請求
項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の金属部材とセ
ラミックス部材との接合構造。 - 【請求項8】金属部材と、この金属部材の少なくとも一
部を収容する収容孔を備えているセラミックス部材との
接合構造であって、前記金属部材が前記収容孔内に収容
されており、前記金属部材と前記セラミックス部材とを
接合する導電性接合層が前記金属部材の底面と前記収容
孔の底面との間に形成されている接合構造を製造するの
に際して、 前記金属部材の前記側壁面の少なくとも一部に、前記金
属部材の表面よりも導電性接合層の濡れ性が低い膜を形
成し、前記金属部材を前記収容孔内に収容し、前記金属
部材と前記セラミックス部材とを接合するための導電性
接合材を前記金属部材の底面と前記収容孔の底面との間
に設置し、少なくとも前記導電性接合材を加熱すること
によって前記導電性接合層を形成することを特徴とす
る、金属部材とセラミックス部材との接合構造の製造方
法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32257097A JP3954177B2 (ja) | 1997-01-29 | 1997-11-25 | 金属部材とセラミックス部材との接合構造およびその製造方法 |
TW087101133A TW364153B (en) | 1997-01-29 | 1998-01-26 | Structure of jointing metal element and ceramic element and method thereof |
US09/013,199 US6057513A (en) | 1997-01-29 | 1998-01-26 | Joint structure of metal member and ceramic member and method of producing the same |
EP98300592A EP0856881B1 (en) | 1997-01-29 | 1998-01-28 | Joint structure of metal member and ceramic member and method of producing the same |
DE69834002T DE69834002T2 (de) | 1997-01-29 | 1998-01-28 | Verbundkörper aus Metall und Keramik und Verfahren zu seiner Herstellung |
KR1019980002550A KR100333785B1 (ko) | 1997-01-29 | 1998-01-30 | 금속부재와세라믹부재의접합구조및그제조방법 |
KR1020010007204A KR20060086492A (ko) | 1997-01-29 | 2001-02-14 | 금속 부재와 세라믹 부재의 접합 구조 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-15384 | 1997-01-29 | ||
JP1538497 | 1997-01-29 | ||
JP32257097A JP3954177B2 (ja) | 1997-01-29 | 1997-11-25 | 金属部材とセラミックス部材との接合構造およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10273371A true JPH10273371A (ja) | 1998-10-13 |
JP3954177B2 JP3954177B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=26351515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32257097A Expired - Lifetime JP3954177B2 (ja) | 1997-01-29 | 1997-11-25 | 金属部材とセラミックス部材との接合構造およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6057513A (ja) |
EP (1) | EP0856881B1 (ja) |
JP (1) | JP3954177B2 (ja) |
KR (2) | KR100333785B1 (ja) |
DE (1) | DE69834002T2 (ja) |
TW (1) | TW364153B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003040686A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Taiheiyo Cement Corp | セラミック部品 |
JP2008305968A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Sei Hybrid Kk | ウェハ保持体の電極接続構造 |
JP2013112586A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Kyocera Corp | セラミック体と金属体との接合体 |
JP2014502053A (ja) * | 2010-12-08 | 2014-01-23 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 静電クランプ、リソグラフィ装置、および静電クランプの製造方法 |
JP2016122724A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 半導体製造装置用部品 |
JP2018016536A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックス部材 |
KR20180027495A (ko) | 2015-07-13 | 2018-03-14 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 웨이퍼 유지체 |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3746594B2 (ja) | 1997-06-20 | 2006-02-15 | 日本碍子株式会社 | セラミックスの接合構造およびその製造方法 |
JP3792440B2 (ja) | 1999-06-25 | 2006-07-05 | 日本碍子株式会社 | 異種部材の接合方法、および同接合方法により接合された複合部材 |
US6744618B2 (en) | 1999-12-09 | 2004-06-01 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Electrostatic chucks with flat film electrode |
US6603650B1 (en) * | 1999-12-09 | 2003-08-05 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Electrostatic chuck susceptor and method for fabrication |
US6723274B1 (en) | 1999-12-09 | 2004-04-20 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | High-purity low-resistivity electrostatic chucks |
CN1191144C (zh) * | 2000-05-08 | 2005-03-02 | 布莱阿姆青年大学 | 摩擦搅拌焊接的超级研磨工具和方法 |
US6838758B1 (en) * | 2000-05-10 | 2005-01-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Package and method for making an underfilled integrated circuit |
US6759596B1 (en) * | 2000-05-12 | 2004-07-06 | Shipley Company | Sequential build circuit board |
JP4311600B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2009-08-12 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック用接合構造体及びその製造方法 |
KR100422444B1 (ko) * | 2001-05-29 | 2004-03-12 | 삼성전자주식회사 | 정전 척에 설치되는 웨이퍼 공간 지지장치 및 그 제조방법 |
WO2006066237A2 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Sii Megadiamond, Inc. | Single body friction stir welding tool for high melting temperature materials |
CA2640730A1 (en) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Sii Megadiamond, Inc. | Thermally enhanced tool for friction stirring |
US20080103572A1 (en) | 2006-10-31 | 2008-05-01 | Medtronic, Inc. | Implantable medical lead with threaded fixation |
KR100932233B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2009-12-16 | 주식회사 메카로닉스 | 히터 제조방법 |
JP5104687B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2012-12-19 | 日本電気株式会社 | 接合シート及び電子回路装置並びに製造方法 |
US10388493B2 (en) * | 2011-09-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields |
WO2014036449A1 (en) | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Feedback controlled coil driver for inductive power transfer |
WO2014146016A2 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Current sensing multiple output current stimulators with fast turn on time |
EP2974034B1 (en) | 2013-03-15 | 2021-07-14 | Alfred E. Mann Foundation for Scientific Research | High voltage monitoring successive approximation analog to digital converter |
EP2991727B1 (en) | 2013-05-03 | 2017-02-01 | Alfred E. Mann Foundation for Scientific Research | High reliability wire welding for implantable devices |
AU2014262145B2 (en) | 2013-05-03 | 2018-10-04 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Multi-branch stimulation electrode for subcutaneous field stimulation |
CA2910984C (en) | 2013-05-03 | 2024-04-02 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Implant recharger handshaking system and method |
WO2015017475A2 (en) | 2013-07-29 | 2015-02-05 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Microprocessor controlled class e driver |
CN105263572B (zh) | 2013-07-29 | 2017-10-17 | 艾尔弗雷德·E·曼科学研究基金会 | 用于植入式装置的高效率磁链路 |
CA2919462C (en) | 2013-07-29 | 2018-03-06 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Implant charging field control through radio link |
CN105392758B (zh) * | 2014-03-27 | 2019-04-09 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷板与金属制圆筒部件的接合结构 |
US10682521B2 (en) | 2014-08-15 | 2020-06-16 | Axonics Modulation Technologies, Inc. | Attachment devices and associated methods of use with a nerve stimulation charging device |
AU2015301401B2 (en) | 2014-08-15 | 2020-01-16 | Axonics Modulation Technologies, Inc. | Electromyographic lead positioning and stimulation titration in a nerve stimulation system for treatment of overactive bladder |
US10092762B2 (en) | 2014-08-15 | 2018-10-09 | Axonics Modulation Technologies, Inc. | Integrated electromyographic clinician programmer for use with an implantable neurostimulator |
CA2957967C (en) | 2014-08-15 | 2018-11-27 | Axonics Modulation Technologies, Inc. | Systems and methods for neurostimulation electrode configurations based on neural localization |
US9802038B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-10-31 | Axonics Modulation Technologies, Inc. | Implantable lead affixation structure for nerve stimulation to alleviate bladder dysfunction and other indication |
AU2015301489B2 (en) | 2014-08-15 | 2020-01-23 | Axonics Modulation Technologies, Inc. | External pulse generator device and associated methods for trial nerve stimulation |
CN107427683B (zh) | 2015-01-09 | 2019-06-21 | 艾克索尼克斯调制技术股份有限公司 | 用于可植入神经刺激器的改进天线和使用方法 |
ES2750101T3 (es) | 2015-01-09 | 2020-03-24 | Axonics Modulation Tech Inc | Dispositivos de fijación y procedimientos de uso asociados con un dispositivo de carga de estimulación nerviosa |
JP6805153B2 (ja) | 2015-01-09 | 2020-12-23 | アクソニクス モジュレーション テクノロジーズ インコーポレイテッド | 患者遠隔装置および関連付けられた神経刺激システムとの使用の方法 |
AU2016291554B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-07 | Axonics Modulation Technologies, Inc. | Implantable nerve stimulator having internal electronics without ASIC and methods of use |
US10195423B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-02-05 | Axonics Modulation Technologies, Inc. | Multichannel clip device and methods of use |
US9517338B1 (en) | 2016-01-19 | 2016-12-13 | Axonics Modulation Technologies, Inc. | Multichannel clip device and methods of use |
ES2862303T3 (es) | 2016-01-29 | 2021-10-07 | Axonics Modulation Tech Inc | Sistemas de ajuste de frecuencia para optimizar la carga de un neuroestimulador implantable |
EP3413970B1 (en) | 2016-02-12 | 2021-06-30 | Axonics, Inc. | External pulse generator device for trial nerve stimulation |
KR101904275B1 (ko) * | 2016-06-09 | 2018-10-05 | (주)티티에스 | 기판지지장치의 처리방법 |
TWI713098B (zh) * | 2017-10-30 | 2020-12-11 | 日商日本特殊陶業股份有限公司 | 電極埋設構件 |
CN111741789A (zh) | 2018-02-22 | 2020-10-02 | 艾克索尼克斯调制技术股份有限公司 | 用于试验神经刺激的神经刺激引线和使用方法 |
US11642537B2 (en) | 2019-03-11 | 2023-05-09 | Axonics, Inc. | Charging device with off-center coil |
US11848090B2 (en) | 2019-05-24 | 2023-12-19 | Axonics, Inc. | Trainer for a neurostimulator programmer and associated methods of use with a neurostimulation system |
US11439829B2 (en) | 2019-05-24 | 2022-09-13 | Axonics, Inc. | Clinician programmer methods and systems for maintaining target operating temperatures |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6082267A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-10 | Nissan Motor Co Ltd | セラミツクス軸と金属軸との接合構造 |
US5051811A (en) * | 1987-08-31 | 1991-09-24 | Texas Instruments Incorporated | Solder or brazing barrier |
JPH0267508A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ固定法 |
DE3838085A1 (de) * | 1988-11-10 | 1990-05-17 | Rheinmetall Gmbh | Beschleunigungsfeste verpackung fuer integrierte schaltungen und verfahren zu ihrer herstellung |
JPH02188475A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-24 | Hitachi Ltd | セラミツクスと金属部材との直接接合方法 |
US5077115A (en) * | 1990-05-08 | 1991-12-31 | Rogers Corporation | Thermoplastic composite material |
EP0569799B1 (en) * | 1992-05-14 | 2000-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making via conductors in multilayer ceramic substrates |
US5352629A (en) * | 1993-01-19 | 1994-10-04 | General Electric Company | Process for self-alignment and planarization of semiconductor chips attached by solder die adhesive to multi-chip modules |
DE4310930A1 (de) * | 1993-04-02 | 1994-10-06 | Siemens Ag | Leiterplattenanordnung und Verfahren zur Herstellung einer bestückten Leiterplatte |
US5668524A (en) * | 1994-02-09 | 1997-09-16 | Kyocera Corporation | Ceramic resistor and electrostatic chuck having an aluminum nitride crystal phase |
US5541368A (en) * | 1994-07-15 | 1996-07-30 | Dell Usa, L.P. | Laminated multi chip module interconnect apparatus |
JP3082624B2 (ja) * | 1994-12-28 | 2000-08-28 | 住友金属工業株式会社 | 静電チャックの使用方法 |
JP3813654B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2006-08-23 | 日本碍子株式会社 | セラミックスの接合構造およびその製造方法 |
JP3866320B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2007-01-10 | 日本碍子株式会社 | 接合体、および接合体の製造方法 |
JPH09172055A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Fujitsu Ltd | 静電チャック及びウエハの吸着方法 |
US5812361A (en) * | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
-
1997
- 1997-11-25 JP JP32257097A patent/JP3954177B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-01-26 US US09/013,199 patent/US6057513A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-26 TW TW087101133A patent/TW364153B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-01-28 DE DE69834002T patent/DE69834002T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-28 EP EP98300592A patent/EP0856881B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-30 KR KR1019980002550A patent/KR100333785B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-02-14 KR KR1020010007204A patent/KR20060086492A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003040686A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Taiheiyo Cement Corp | セラミック部品 |
JP2008305968A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Sei Hybrid Kk | ウェハ保持体の電極接続構造 |
JP2014502053A (ja) * | 2010-12-08 | 2014-01-23 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 静電クランプ、リソグラフィ装置、および静電クランプの製造方法 |
US9348236B2 (en) | 2010-12-08 | 2016-05-24 | Asml Holding N.V. | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp |
JP2013112586A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Kyocera Corp | セラミック体と金属体との接合体 |
JP2016122724A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 半導体製造装置用部品 |
KR20180027495A (ko) | 2015-07-13 | 2018-03-14 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 웨이퍼 유지체 |
US10886157B2 (en) | 2015-07-13 | 2021-01-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holding unit |
KR20230030011A (ko) | 2015-07-13 | 2023-03-03 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 웨이퍼 유지체 |
JP2018016536A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックス部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100333785B1 (ko) | 2002-06-20 |
JP3954177B2 (ja) | 2007-08-08 |
DE69834002D1 (de) | 2006-05-18 |
KR19980070933A (ko) | 1998-10-26 |
TW364153B (en) | 1999-07-11 |
EP0856881B1 (en) | 2006-03-29 |
EP0856881A3 (en) | 1999-10-27 |
US6057513A (en) | 2000-05-02 |
DE69834002T2 (de) | 2006-11-16 |
KR20060086492A (ko) | 2006-08-01 |
EP0856881A2 (en) | 1998-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3954177B2 (ja) | 金属部材とセラミックス部材との接合構造およびその製造方法 | |
JP3790000B2 (ja) | セラミックス部材と電力供給用コネクターとの接合構造 | |
KR101099891B1 (ko) | 접합 구조체 및 그 제조 방법 | |
TWI308366B (ja) | ||
TWI450353B (zh) | A bonding structure and a semiconductor manufacturing apparatus | |
EP0886312A2 (en) | Ceramics joint structure and method of producing the same | |
US6756132B2 (en) | Joined structures of metal terminals and ceramic members, joined structures of metal members and ceramic members, and adhesive materials | |
JP4005268B2 (ja) | セラミックスと金属との接合構造およびこれに使用する中間挿入材 | |
JP4321857B2 (ja) | セラミックスの接合構造 | |
JP2005197391A (ja) | プラズマ発生装置用電極埋設部材 | |
JP3776499B2 (ja) | 金属部材とセラミックス部材との接合構造およびその製造方法 | |
KR101397133B1 (ko) | 정전척의 제조방법 | |
JP2007251124A (ja) | 静電チャック | |
JP4439108B2 (ja) | ウエハ支持部材 | |
US7252872B2 (en) | Joined structures of ceramics | |
JP3854145B2 (ja) | ウエハ支持部材 | |
JP2005116608A (ja) | プラズマ発生装置用電極埋設部材 | |
JP2005197393A (ja) | プラズマ発生装置用電極埋設部材 | |
JP2002226281A (ja) | 接合構造とその製造方法 | |
JP5857441B2 (ja) | ウェハ保持体 | |
JP2005019480A (ja) | 給電端子の接合構造 | |
JP2002299015A (ja) | セラミックヒーター | |
JP2005116914A (ja) | プラズマ発生装置用電極埋設部材 | |
JP2002313533A (ja) | 面状セラミックスヒーター | |
JP2002313539A (ja) | 面状セラミックスヒーター及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060613 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060712 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061003 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070309 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070424 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511 Year of fee payment: 7 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |