JPH10189908A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH10189908A5
JPH10189908A5 JP1996355139A JP35513996A JPH10189908A5 JP H10189908 A5 JPH10189908 A5 JP H10189908A5 JP 1996355139 A JP1996355139 A JP 1996355139A JP 35513996 A JP35513996 A JP 35513996A JP H10189908 A5 JPH10189908 A5 JP H10189908A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal oxide
electrode
metal
capacitor according
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1996355139A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH10189908A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP8355139A priority Critical patent/JPH10189908A/ja
Priority claimed from JP8355139A external-priority patent/JPH10189908A/ja
Priority to US08/993,873 priority patent/US6150183A/en
Publication of JPH10189908A publication Critical patent/JPH10189908A/ja
Publication of JPH10189908A5 publication Critical patent/JPH10189908A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP8355139A 1996-12-20 1996-12-20 金属酸化物キャパシタの作製方法及び半導体メモリ装置の製造方法 Pending JPH10189908A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8355139A JPH10189908A (ja) 1996-12-20 1996-12-20 金属酸化物キャパシタの作製方法及び半導体メモリ装置の製造方法
US08/993,873 US6150183A (en) 1996-12-20 1997-12-18 Method for manufacturing metal oxide capacitor and method for manufacturing semiconductor memory device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8355139A JPH10189908A (ja) 1996-12-20 1996-12-20 金属酸化物キャパシタの作製方法及び半導体メモリ装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10189908A JPH10189908A (ja) 1998-07-21
JPH10189908A5 true JPH10189908A5 (enExample) 2004-11-04

Family

ID=18442174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8355139A Pending JPH10189908A (ja) 1996-12-20 1996-12-20 金属酸化物キャパシタの作製方法及び半導体メモリ装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6150183A (enExample)
JP (1) JPH10189908A (enExample)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3769711B2 (ja) * 1997-11-28 2006-04-26 ローム株式会社 キャパシタの製法
KR100280206B1 (ko) * 1997-12-06 2001-03-02 윤종용 고유전체 캐패시터 및 그의 제조 방법
JP3530416B2 (ja) 1999-04-21 2004-05-24 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体メモリ装置の製造方法
KR100331270B1 (ko) * 1999-07-01 2002-04-06 박종섭 ＴａＯＮ박막을 갖는 커패시터 제조방법
GB2358284B (en) * 1999-07-02 2004-07-14 Hyundai Electronics Ind Method of manufacturing capacitor for semiconductor memory device
JP2001077108A (ja) * 1999-08-31 2001-03-23 Nec Corp 半導体装置及び複合酸化物薄膜の製造方法
JP3800294B2 (ja) * 1999-10-25 2006-07-26 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6268281B1 (en) * 1999-11-15 2001-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to form self-aligned contacts with polysilicon plugs
JP2002190580A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US6426250B1 (en) * 2001-05-24 2002-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High density stacked MIM capacitor structure
US6566148B2 (en) * 2001-08-13 2003-05-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of making a ferroelectric memory transistor
JP4609621B2 (ja) * 2002-12-24 2011-01-12 セイコーエプソン株式会社 強誘電体キャパシタの製造方法
JP4221576B2 (ja) * 2003-03-10 2009-02-12 セイコーエプソン株式会社 セラミックス膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法、ならびにセラミックス膜、強誘電体キャパシタおよび半導体装置
JP4264708B2 (ja) * 2003-03-18 2009-05-20 セイコーエプソン株式会社 セラミックス膜の製造方法
JP4811551B2 (ja) * 2003-03-26 2011-11-09 セイコーエプソン株式会社 強誘電体膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法
US7164166B2 (en) * 2004-03-19 2007-01-16 Intel Corporation Memory circuit with spacers between ferroelectric layer and electrodes
JP4878123B2 (ja) * 2005-02-07 2012-02-15 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
JP4332748B2 (ja) * 2005-12-27 2009-09-16 セイコーエプソン株式会社 セラミックス膜の製造方法およびセラミックス膜製造装置
JP2007103963A (ja) * 2006-12-11 2007-04-19 Seiko Epson Corp 強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタおよび半導体装置
JP6201130B2 (ja) * 2013-07-25 2017-09-27 株式会社ユーテック 結晶化方法及び加圧式ランプアニール装置
JP6201131B2 (ja) * 2013-07-25 2017-09-27 株式会社ユーテック 膜の製造方法及びマルチチャンバー装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443030A (en) * 1992-01-08 1995-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Crystallizing method of ferroelectric film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10189908A5 (enExample)
US5973911A (en) Ferroelectric thin-film capacitor
DE10131716B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für eine Halbleiterspeichervorrichtung durch eine zweistufige Thermalbehandlung
JP2002033320A (ja) ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
US6677217B2 (en) Methods for manufacturing integrated circuit metal-insulator-metal capacitors including hemispherical grain lumps
JPH0563205A (ja) 半導体装置
JP3419665B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6995419B2 (en) Semiconductor constructions having crystalline dielectric layers
JP2001203339A (ja) 半導体素子のキャパシタ製造方法
JP2003045990A (ja) 強誘電体材料を被覆するための、チタンドープトアルミニウム酸化物を用いる方法およびそれを含むデバイス
JPWO1999036353A1 (ja) 酸化物セラミックス薄膜の形成方法
JPH0745475A (ja) 薄膜コンデンサ及びその製造方法
JP4488661B2 (ja) 強誘電体キャパシタの製造方法
KR20070026186A (ko) 유전체 막 및 이의 제조방법
CN1231760A (zh) 高－ε－介电层或铁电层的制造方法
KR100269320B1 (ko) 유전체막의형성방법및이를이용한캐패시터의제조방법
KR100269278B1 (ko) 강유전체박막을이용한커패시터제조방법
KR100378197B1 (ko) 열적 산화에 의한 금속층의 표면 모폴로지 특성 열화방지법 및 그러한 금속층을 갖는 반도체 장치의 제조 방법
KR100555483B1 (ko) 수소 열처리를 포함하는 반도체장치의 커패시터 제조방법
KR19980037961A (ko) 반도체 소자의 커패시터 제조방법
JP3250664B2 (ja) 半導体記憶素子の製造方法
KR100388203B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR20010045568A (ko) 후속 열처리에 의한 결함생성이 억제되는 커패시터 제조방법
KR100325458B1 (ko) 반도체메모리소자의제조방법
WO2004008518A1 (ja) 成膜方法及び成膜装置