JPH10178340A - Mosトランジスタの駆動装置 - Google Patents

Mosトランジスタの駆動装置

Info

Publication number
JPH10178340A
JPH10178340A JP8337982A JP33798296A JPH10178340A JP H10178340 A JPH10178340 A JP H10178340A JP 8337982 A JP8337982 A JP 8337982A JP 33798296 A JP33798296 A JP 33798296A JP H10178340 A JPH10178340 A JP H10178340A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mos transistor
transistor
diode
circuit
battery
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8337982A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3560432B2 (ja
Inventor
Naoyuki Takahashi
直行 高橋
Sakae Hikita
栄 引田
Keiichi Masuno
敬一 増野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Car Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Car Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP33798296A priority Critical patent/JP3560432B2/ja
Priority to US08/989,237 priority patent/US6424187B1/en
Priority to DE19755653A priority patent/DE19755653C2/de
Priority to KR1019970069635A priority patent/KR100496487B1/ko
Publication of JPH10178340A publication Critical patent/JPH10178340A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3560432B2 publication Critical patent/JP3560432B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit

Landscapes

  • Control Of Eletrric Generators (AREA)
  • Control Of Charge By Means Of Generators (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】簡単な構成で安価でありながら、ラジオ・ノイ
ズ等の発生を低減可能なMOSトランジスタの駆動装置を
実現する。 【解決手段】MOSトランジスタ15の遮断時にはダイオー
ド14に順方向電流が流れ、トランジスタ15が導通しダイ
オード14が逆バイアスとなり逆回復時間τrrの間にトラ
ンジスタ15がオンするとバッテリ2、ダイオード14、ト
ランジスタ15に短絡電流が流れる。一瞬、バッテリ2の
配線に過大電流が流れ電磁波が発生しアンテナ7からラ
ジオ受信機6へノイズが流入する。そこで、遅延回路16
によりダイオード14の逆回復時間τrrよりも長期間でト
ランジスタ15のドレイン電流が傾斜状に増加すようにト
ランジスタ15を完全遮断から完全導通とすればダイオー
ド14には殆ど逆電流は流れない。したがって、バッテリ
2、ダイオード14、トランジスタ15を通って短絡電流が
流れることが防止されラジオ受信機6へのノイズ流入が
防止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、MOSトランジス
タの駆動装置に係わり、特に、インダクタンスの大きい
巻線への大電流の供給を制御するパワーMOSトランジ
スタの駆動装置に関する。
【0002】
【従来の技術】パワーMOSトランジスタにより、その
供給電流が制御されるものの例としては、自動車用発電
機の界磁巻線がある。この自動車用発電機の界磁巻線へ
の供給電流の制御に際して問題となるのは、ラジオ・ノ
イズの発生である。
【0003】このラジオ・ノイズを低減する方法の例と
しては、特開昭64−20000号公報に記載された電
圧調整装置がある。この公報記載の電圧調整装置におい
ては、ラジオ・ノイズの発生を低減するため、スイッチ
ング時の界磁巻線に流れる電流値をフィードバック制御
して、この界磁電流の変化量が一定値以下となるよう
に、電流制御を行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報記載の電圧調整装置にあっては、上述したように、電
流値をフィードバック制御するので、界磁電流を検出す
る電流検出回路や、演算増幅器等高価な部品が必要なた
め、構成が複雑となるだけではなく、装置が高価格とな
っていた。
【0005】本発明の目的は、簡単な構成で安価であり
ながら、ラジオ・ノイズ等の発生を低減可能なMOSト
ランジスタの駆動装置を実現することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
(1)上記目的を達成するため、本発明は次のように構
成される。すなわち、バッテリに直列に接続された巻線
と並列に接続されたダイオードと、上記巻線と上記バッ
テリとの間に接続されたMOSトランジスタと、このM
OSトランジスタを導通または遮断する信号を発生し上
記MOSトランジスタのゲートを駆動する駆動回路とを
有するMOSトランジスタの駆動装置において、上記駆
動回路と上記MOSトランジスタとの間に配置され、上
記駆動回路から出力された、上記MOSトランジスタを
遮断から導通させる信号を遅延させ、上記ダイオードの
逆回復時間τrrより長い所定期間で、上記MOSトラン
ジスタが完全遮断から完全導通に移行させる遅延回路を
備える。
【0007】遅延回路は、ダイオードの逆回復時間より
も長い期間で、パワーMOSトランジスタを完全遮断か
ら完全導通とする。これにより、ダイオードには殆ど逆
電流は流れず、バッテリ、ダイオード、パワーMOSト
ランジスタを通って短絡電流が流れることが防止され
る。
【0008】この場合、遅延回路は、トランジスタやコ
ンデンサ等からなる簡単な回路により構成できる。
【0009】(2)また、バッテリに直列に接続された
巻線と並列に接続されたダイオードと、上記巻線と上記
バッテリとの間に接続されたMOSトランジスタと、こ
のMOSトランジスタを導通または遮断する信号を発生
し上記MOSトランジスタのゲートを駆動する駆動回路
とを有するMOSトランジスタの駆動装置において、上
記駆動回路と上記MOSトランジスタとの間に配置さ
れ、上記駆動回路から出力された、上記MOSトランジ
スタを遮断から導通させる信号を、上記MOSトランジ
スタのゲートに印加する電圧であって、時間経過ととも
に暫増する関数で与えられる電圧とする関数発生回路を
備え、この関数発生回路により印加される電圧により、
上記MOSトランジスタが完全遮断から完全導通に至る
時間は、上記ダイオードの逆回復時間τrrより長い所定
時間である。
【0010】関数発生回路は、時間経過とともに暫増す
る関数で与えられる電圧をMOSトランジスタに印加す
ることにより、ダイオードの逆回復時間よりも長い期間
で、パワーMOSトランジスタを完全遮断から完全導通
とする。これにより、ダイオードには殆ど逆電流は流れ
ず、バッテリ、ダイオード、パワーMOSトランジスタ
を通って短絡電流が流れることが防止される。
【0011】この場合、関数発生回路は、トランジスタ
やコンデンサ等からなる簡単な回路により構成できる。
【0012】(3)また、バッテリを充電する発電機の
電機子巻線と、上記バッテリと直列に接続され、上記電
機子巻線に磁束を供給する界磁巻線と並列に接続された
ダイオードと、上記界磁巻線と上記バッテリとの間に接
続されたMOSトランジスタと、このMOSトランジス
タを導通または遮断する信号を発生し上記MOSトラン
ジスタのゲートを駆動する駆動回路とを有するMOSト
ランジスタの駆動装置において、上記駆動回路と上記M
OSトランジスタとの間に配置され、上記駆動回路から
出力された、上記MOSトランジスタを遮断から導通さ
せる信号を遅延させ、上記ダイオードの逆回復時間τrr
より長い所定期間で、上記MOSトランジスタが完全遮
断から完全導通に移行させる遅延回路を備える。
【0013】(4)また、バッテリを充電する発電機の
電機子巻線と、上記バッテリと直列に接続され、上記電
機子巻線に磁束を供給する界磁巻線と並列に接続された
ダイオードと、上記界磁巻線と上記バッテリとの間に接
続されたMOSトランジスタと、このMOSトランジス
タを導通または遮断する信号を発生し上記MOSトラン
ジスタのゲートを駆動する駆動回路とを有するMOSト
ランジスタの駆動装置において、上記駆動回路と上記M
OSトランジスタとの間に配置され、上記駆動回路から
出力された、上記MOSトランジスタを遮断から導通さ
せる信号を、上記MOSトランジスタのゲートに印加す
る電圧であって、時間経過とともに暫増する関数で与え
られる電圧とする関数発生回路を備え、この関数発生回
路により印加される電圧により、上記MOSトランジス
タが完全遮断から完全導通に至る時間は、上記ダイオー
ドの逆回復時間τrrより長い所定時間である。
【0014】(5)好ましくは、上記(2)又は(4)
において、上記関数発生回路は、コンデンサと、上記M
OSトランジスタを導通または遮断する信号と同期して
上記コンデンサに電荷を充放電する充放電回路と、上記
コンデンサの電圧に相当する電圧を出力する増幅器とを
有する。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態で
あるMOSトランジスタの駆動装置の概略回路図であ
り、自動車用発電機の電圧調整器に適用した場合の例で
ある。
【0016】図1において、1は自動車用の発電機であ
り、この発電機1は、3相電機子巻線10a、10b、
10cと、これら3相電機子巻線10a、10b、10
cの交流出力を直流に変換する整流器11とを備える。
さらに、発電機1は、内燃機関(図示せず)により回転
力を与えられ、3相電機子巻線10a、10b、10c
に磁束を供給する界磁巻線12と、この界磁巻線12に
流れる界磁電流を制御する電圧調整器13とを備える。
【0017】電圧調整器13は、界磁巻線12と並列に
接続され、そのカソードが整流器11に接続されるとと
もに、出力端子Bに接続されたダイオード14と、これ
ら並列に接続された界磁巻線12及びダイオード14と
直列に接続されたパワーMOSトランジスタ15と、こ
のパワーMOSトランジスタ15のゲートを駆動する駆
動信号を遅延する遅延回路16と、この遅延回路16の
入力端子に、その出力信号を供給する比較器17とを備
える。ここで、ダイオード14のアノードは、パワーM
OSトランジスタ15のドレインに接続され、このパワ
ーMOSトランジスタ15のソースは接地されている。
【0018】電圧調整器13は、さらに、比較器17の
プラス側入力端子に、そのプラス側が接続され、マイナ
ス側が接地される参照電圧18と、比較器17のマイナ
ス側入力端子に、その一方端が接続され、他方端は電圧
検出端子Sに接続された分圧抵抗19aと、比較器17
のマイナス側入力端子に、その一方端が接続され、他方
端は参照電圧18のマイナス側に接続された分圧抵抗1
9bとを備える。
【0019】上述した比較器17と、参照電圧18と、
抵抗19aと、抵抗19bとにより、パワーMOSトラ
ンジスタ15のゲートを駆動する駆動回路が構成され
る。
【0020】発電機1の出力端子Bはバッテリ2のプラ
ス側に接続され、さらに自動車に搭載される電気装置4
a、4b、4cにスイッチ3a、3b、3cを介して接
続される。電気装置4a〜4cは、ヘッドライト、ワイ
パー、エアコン等、車搭載される電気装置を表す。6は
ラジオ受信機であり、スイッチ5を介してバッテリ2か
ら電源を供給され、かつアンテナ7からの高周波電波を
受信するものである。また、電圧検出端子Sはバッテリ
2のプラス側に接続される。このバッテり2のマイナス
側は接地されている。
【0021】上記構成において、内燃機関が回転してい
る時には、電圧調整器13がバッテリ2の電圧を検出
し、フィードバック制御を行う。つまり、バッテリ2の
電圧が低い時には、分圧抵抗19aと19bとの分圧点
の電圧は参照電圧18の電圧より低くなる。この場合に
は、比較器17の出力信号である駆動信号は、「Hi
(ハイ)」レベルとなり遅延回路16によってパワーM
OSトランジスタ15のゲート電圧を高くし、パワーM
OSトランジスタ15を導通させる。
【0022】パワーMOSトランジスタ15が導通する
と、界磁巻線12に流れる界磁電流が増加し、電機子巻
線10a〜10cに発生する電圧が高くなる。これによ
り、整流器12からB端子を介してバッテリ2に印加さ
れる電圧が高くなる。
【0023】また、バッテリ2の電圧が高い時には、分
圧抵抗19aと19bとの分圧点の電圧が参照電圧18
の電圧より高くなる。この場合は、比較器17の出力は
「Low(ロー)」レベルとなり、駆動回路16はパワ
ーMOSトランジスタ15のゲート電圧を低くし、パワ
ーMOSトランジスタ15を遮断させる。パワーMOS
トランジスタ15が遮断すると、界磁巻線12に流れる
界磁電流がダイオード14を通って減衰し、電機子巻線
10a〜10cに発生する電圧が低くなり、バッテリ2
の電圧が低くなる。以上の動作をくり返し、バッテリ2
の電圧は一定値に調整される。
【0024】図2は、遅延回路16の内部回路図であ
り、この遅延回路16は、Hi/Low指令入力「G
1」に対し、遅延した信号「G0」を発生する。つま
り、信号「G0」は、ランプ波形(傾斜状波形)であ
る。このため、遅延回路16は、関数発生回路と定義す
ることもできる。
【0025】図2において、201はNOTゲート、2
02はバッファ・ゲートであり、これらNOTゲート及
びバッファゲート202に指令入力G1が供給される。
203はNOTゲート201の出力がHiの時に閉じる
スイッチ、207はバッファ・ゲート202の出力がH
iの時に閉じるスイッチである。
【0026】また、204、206、210、212は
定電流源、205、209、211はPNPトランジス
タ、213はNPNトランジスタ、208はコンデン
サ、214は抵抗である。
【0027】スイッチ203の一方端は、電流源20
4、206、スイッチ207を介して接地されている。
また、スイッチ203の他方端は、トランジスタ205
のエミッタ、209のエミッタ、定電流源212及びト
ランジスタ213のコレクタに接続される。トランジス
タ205のコレクタは、電流源204及び206と接続
されるとともに、このトランジスタ205のベース、ト
ランジスタ209のベース及びコンデンサ208の一方
端に接続される。
【0028】コンデンサ208の他方端は、トランジス
タ209のコレクタ、トランジスタ211のベースに接
続されるとともに、定電流源210を介して接地され
る。トランジスタ211のエミッタは、定電流源212
及びトランジスタ213のベースに接続される。また、
このトランジスタ211のコレクタを接地される。トラ
ンジスタ213のエミッタは、出力G0の出力端子に接
続されるとともに、抵抗214を介して接地される。
【0029】つまり、図2に示した遅延回路(関数発生
回路)16は、コンデンサ208と、MOSトランジス
タ15を導通または遮断する信号G1と同期してコンデ
ンサ16に電荷を充放電する充放電回路(NOTゲート
201、バッファゲート207、スイッチ203、20
7、電流源204、206、210、トランジスタ20
5、209、)と、コンデンサ208の電圧に相当する
電圧を出力する増幅器(電流源212、トランジスタ2
11、213、抵抗214)とを有する。
【0030】図2に示した遅延回路16において、指令
入力G1がLowの時は、NOTゲート201の出力が
Hi、バッファ・ゲート202の出力がLowとなり、
スイッチ203がオン、スイッチ207がオフとなる。
この場合には、PNPトランジスタ205、209は逆
バイアスとなり電流は流れず、定電流源204、コンデ
ンサ208、定電流源210のルートで電流が流れ、コ
ンデンサ208が充電される。コンデンサ208が充電
されると、コンデンサ208の低電位側、即ちトランジ
スタ209のコレクタ電圧は接地レベルまで低くなる。
【0031】また、指令入力G1がHiの時は、NOT
ゲート201の出力がLow、バッファ・ゲート202
の出力がHiとなり、スイッチ203がオフ、スイッチ
207がオンとなる。この場合には、PNPトランジス
タ205には定電流源206と等しい電流が流れる。
【0032】そして、コンデンサ208は徐々に放電す
る。コンデンサ208の高電位側(トランジスタ209
のベースとの接続点)は、VCC(回路電源:5V)よ
りトランジスタ209のエミッタ−ベース間電圧(約
0.7V一定)分だけ低い約4.3Vで一定であり、低
電位側(トランジスタ209のコレクタ電圧)は時間と
ともに高くなる。
【0033】この場合、コンデンサ208に流れる電流
はトランジスタ209のベース電流に等しく、次式
(1)で表される。 I(C208)=I210/hFE ・・・・(1) ここで、 I(C208):コンデンサ208に流れる電流 I210 :定電流源210の電流 hFE :トランジスタ209の電流増幅率とする。
【0034】通常、コンデンサの電圧変化は電流値の時
間積分により表される。よって、コンデンサ208の低
電位側、即ちトランジスタ209のコレクタ電圧は一定
の傾きで上昇する。
【0035】図3に電圧波形を示す。図3の(a)は、
入力信号G1の電圧波形であり、この入力信号G1に対
するトランジスタ209のコレクタ電圧は図3の(b)
に示すのようになる。この例では、トランジスタ209
のコレクタ電圧の立上がり時間は40μ秒に設定されて
いる。図2に示すように、トランジスタ211及び21
3はエミッタ・フォロワ回路を構成しており、トランジ
スタ209のコレクタ電圧と等しい電圧が出力信号G0
の出力端子に出力される。したがって、出力信号G0
は、図3の(c)に示すように、トランジスタ209の
コレクタ電圧と同様に立ち上がる。
【0036】図4は、ダイオード14に正弦波電圧を印
加したときの電流波形を示す。一般に、ダイオードは逆
方向に電圧が印加されたとき、暫くの間、電流が流れる
特性を有している。この電流が流れる時間を逆回復時間
(τrr)と呼ぶ。一般に、逆回復時間τrrは、1〜10
μsec程度である。パワーMOSトランジスタ15が
遮断している時にはダイオード14に順方向に電流が流
れているが、パワーMOSトランジスタ15が導通して
ダイオード14が逆バイアスとなった時に、パワーMO
Sトランジスタ15は少なくとも逆回復時間τrrの間は
完全オン状態とならない。
【0037】逆回復時間τrrの期間中にパワーMOSト
ランジスタ15がオンすると、バッテリ2、ダイオード
14、パワーMOSトランジスタ15を通って短絡電流
が流れる。バッテリ2は内部インピーダンスが低く、こ
の短絡電流は50Aから100A程度に達する。一瞬で
はあるが、バッテリ2の配線に過大電流が流れるため、
配線ケーブルから電磁波が発生し、アンテナ7からラジ
オ受信機6へノイズとして流入する。
【0038】つまり、界磁巻線12のフライバック電圧
を防止するためにダイオード(この例ではダイオード1
4)が、界磁巻線12と並列に接続されるが、このダイ
オード14の逆回復特性に起因してラジオ・ノイズが発
生してしまう。
【0039】このラジオ・ノイズを低減するためには、
ダイオード14の逆回復時間τrrよりも長い期間で、パ
ワーMOSトランジスタ15を完全遮断から完全導通と
すれば有効であることが、本発明の発明者らにより解明
された。
【0040】すなわち、ダイオード14の逆回復時間τ
rrよりも長い期間で、パワーMOSトランジスタ15の
ドレイン電流を、0Aから一定電流まで(例えば、0A
から2A)に傾斜状に増加させるように、パワーMOS
トランジスタ15を完全遮断から完全導通とすれば、ダ
イオード14には殆ど逆電流は流れない。
【0041】したがって、バッテリ2、ダイオード1
4、パワーMOSトランジスタ15を通って短絡電流が
流れることが防止され、ラジオ受信機6へのノイズ流入
が防止される。
【0042】ここで、パワーMOSトランジスタ15の
ドレイン電流を、逆回復時間τrrよりも長い期間で0A
から一定電流まで(例えば、0Aから2A)に傾斜状に
増加させるためには、パワーMOSトランジスタ15を
完全遮断から完全導通とする期間を、逆回復時間τrrよ
りも大幅に長くしなければならないことが、実験等によ
り判明した。
【0043】例えば、上述したように、ダイオード14
の逆回復時間τrrが、1〜10μsecであれば、パワ
ーMOSトランジスタ15のゲート電圧(トランジスタ
209のコレクタ電位)を、例えば、40μsecで0
から5Vまで傾斜状に増加させれば、ノイズの発生が防
止される。
【0044】なお、逆回復時間が、0.2μsecのダ
イオードも、ダイオード14として使用可能である。こ
こで、ダイオード14の逆回復時間τrrが、0.2μs
ecと2.0μsecとの場合における、従来技術、つ
まり、パワーMOSトランジスタ15のゲート電圧を傾
斜状に増加させることを考慮していない例に対して、ノ
イズレベルを有効に低減するための、パワーMOSトラ
ンジスタ15のゲート電圧のターンオン時間を記載する
(ただし、実験例である)。なお、この例は、周波数6
00kHzにおいて、ノイズレベルを従来技術の−20
dBμとするための、パワーMOSトランジスタ15の
ゲート電圧を0Vから5Vに立ち上げるターンオン時間
である。
【0045】逆回復時間τrrが0.2μsecの場合
は、トランジスタ15のゲート電圧のターンオン時間
は、70μsecであり、逆回復時間τrrが2.0μs
ecの場合は、トランジスタ15のゲート電圧のターン
オン時間は、400μsecであれば、ノイズレベルは
従来技術の−20dBμとなった。
【0046】なお、逆回復時間τrrが0.2μsecで
あり、MOSトランジスタ15のゲート電圧のターンオ
ン時間が70μsecの場合、MOSトランジスタ15
が完全遮断から完全導通に至る時間は、15μsecで
あった。また、逆回復時間τrrが2.0μsecであ
り、トランジスタ15のゲート電圧のターンオン時間
が、400μsecの場合、MOSトランジスタ15が
完全遮断から完全導通に至る時間は、50μsecであ
った。
【0047】図5は、本発明の一実施形態による、自動
車用発電機の電圧調整器と従来技術とのラジオノイズの
レベルを比較したグラフである。ただし、発電機の回転
数は、300r/minであり、発電機出力電流は20
Aの場合の例である。
【0048】この図5から分かるように、周波数500
kHz以上の周波数領域では、本発明の一実施形態(破
線A)は、従来技術(実線B)に比較して、−20dB
μ以上ノイズレベルが低減されている。
【0049】以上のように、本発明の一実施形態によれ
ば、遅延回路16は、ダイオード14の逆回復時間τrr
よりも長い期間で、パワーMOSトランジスタ15のド
レイン電流を、0Aから一定電流までに傾斜状に増加さ
せるように、パワーMOSトランジスタ15を完全遮断
から完全導通とする。これにより、ダイオード14には
殆ど逆電流は流れず、バッテリ2、ダイオード14、パ
ワーMOSトランジスタ15を通って短絡電流が流れる
ことが防止され、スイッチング・ノイズ、つまり、ラジ
オ受信機6のノイズの発生が防止される。
【0050】この場合、遅延回路16は、トランジスタ
やコンデンサ等からなる簡単な回路により構成できるの
で、簡単な構成で安価でありながら、ラジオ・ノイズ等
の発生を低減可能なMOSトランジスタの駆動装置を実
現することができる。
【0051】なお、上述した例は、本発明を自動車用発
電機の電圧調整器に適用した場合の例であるが、これに
限らず、例えば、電動機の回転制御を行うための界磁巻
線にダイオードが並列に接続され、この界磁巻線への電
流を制御するMOSトランジスタの駆動装置等の他のも
のにも適用可能である。
【0052】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、次のような効果がある。遅延回路(関数発
生回路)は、ダイオードの逆回復時間τrrよりも長い期
間で、パワーMOSトランジスタを完全遮断から完全導
通とする。これにより、ダイオードには殆ど逆電流は流
れず、バッテリ、ダイオード、パワーMOSトランジス
タを通って短絡電流が流れることが防止される。この場
合、遅延回路は、トランジスタやコンデンサ等からなる
簡単な回路により構成できる。
【0053】したがって、簡単な構成で安価でありなが
ら、ラジオ・ノイズ等の発生を低減可能なMOSトラン
ジスタの駆動装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態であるMOSトランジスタ
の駆動装置の概略回路図である。
【図2】図1の遅延回路16の内部回路図である。
【図3】図2の遅延回路16の動作波形図である。
【図4】図1のダイオード14の電流波形図である。
【図5】本発明の一実施形態による、自動車用発電機の
電圧調整器と従来技術とのラジオノイズのレベルを比較
したグラフである。
【符号の説明】
1 自動車用発電機 2 バッテリ 6 ラジオ受信機 7 アンテナ 10a〜10c 電機子巻線 11 整流器 12 界磁巻線 13 電圧調整器 14 ダイオード 15 パワーMOSトランジスタ 16 遅延回路 17 比較器 18 参照電圧 19a、19b 分圧抵抗 201 NOTゲート 202 バッファ・ゲート 203、207 スイッチ 204、206、210、212 定電流源 205、209、211 PNPトランジスタ 208 コンデンサ 213 NPNトランジスタ 214 抵抗
フロントページの続き (72)発明者 増野 敬一 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】バッテリに直列に接続された巻線と並列に
    接続されたダイオードと、上記巻線と上記バッテリとの
    間に接続されたMOSトランジスタと、このMOSトラ
    ンジスタを導通または遮断する信号を発生し上記MOS
    トランジスタのゲートを駆動する駆動回路とを有するM
    OSトランジスタの駆動装置において、 上記駆動回路と上記MOSトランジスタとの間に配置さ
    れ、上記駆動回路から出力された、上記MOSトランジ
    スタを遮断から導通させる信号を遅延させ、上記ダイオ
    ードの逆回復時間τrrより長い所定期間で、上記MOS
    トランジスタが完全遮断から完全導通に移行させる遅延
    回路を備えることを特徴とするMOSトランジスタの駆
    動装置。
  2. 【請求項2】バッテリに直列に接続された巻線と並列に
    接続されたダイオードと、上記巻線と上記バッテリとの
    間に接続されたMOSトランジスタと、このMOSトラ
    ンジスタを導通または遮断する信号を発生し上記MOS
    トランジスタのゲートを駆動する駆動回路とを有するM
    OSトランジスタの駆動装置において、 上記駆動回路と上記MOSトランジスタとの間に配置さ
    れ、上記駆動回路から出力された、上記MOSトランジ
    スタを遮断から導通させる信号を、上記MOSトランジ
    スタのゲートに印加する電圧であって、時間経過ととも
    に暫増する関数で与えられる電圧とする関数発生回路を
    備え、この関数発生回路により印加される電圧により、
    上記MOSトランジスタが完全遮断から完全導通に至る
    時間は、上記ダイオードの逆回復時間τrrより長い所定
    時間であることを特徴とするMOSトランジスタの駆動
    装置。
  3. 【請求項3】バッテリを充電する発電機の電機子巻線
    と、上記バッテリと直列に接続され、上記電機子巻線に
    磁束を供給する界磁巻線と並列に接続されたダイオード
    と、上記界磁巻線と上記バッテリとの間に接続されたM
    OSトランジスタと、このMOSトランジスタを導通ま
    たは遮断する信号を発生し上記MOSトランジスタのゲ
    ートを駆動する駆動回路とを有するMOSトランジスタ
    の駆動装置において、 上記駆動回路と上記MOSトランジスタとの間に配置さ
    れ、上記駆動回路から出力された、上記MOSトランジ
    スタを遮断から導通させる信号を遅延させ、上記ダイオ
    ードの逆回復時間τrrより長い所定期間で、上記MOS
    トランジスタが完全遮断から完全導通に移行させる遅延
    回路を備えることを特徴とするMOSトランジスタの駆
    動装置。
  4. 【請求項4】バッテリを充電する発電機の電機子巻線
    と、上記バッテリと直列に接続され、上記電機子巻線に
    磁束を供給する界磁巻線と並列に接続されたダイオード
    と、上記界磁巻線と上記バッテリとの間に接続されたM
    OSトランジスタと、このMOSトランジスタを導通ま
    たは遮断する信号を発生し上記MOSトランジスタのゲ
    ートを駆動する駆動回路とを有するMOSトランジスタ
    の駆動装置において、 上記駆動回路と上記MOSトランジスタとの間に配置さ
    れ、上記駆動回路から出力された、上記MOSトランジ
    スタを遮断から導通させる信号を、上記MOSトランジ
    スタのゲートに印加する電圧であって、時間経過ととも
    に暫増する関数で与えられる電圧とする関数発生回路を
    備え、この関数発生回路により印加される電圧により、
    上記MOSトランジスタが完全遮断から完全導通に至る
    時間は、上記ダイオードの逆回復時間τrrより長い所定
    時間であることを特徴とするMOSトランジスタの駆動
    装置。
  5. 【請求項5】請求項2又は4記載のMOSトランジスタ
    の駆動装置において、上記関数発生回路は、コンデンサ
    と、上記MOSトランジスタを導通または遮断する信号
    と同期して上記コンデンサに電荷を充放電する充放電回
    路と、上記コンデンサの電圧に相当する電圧を出力する
    増幅器とを有することを特徴とするMOSトランジスタ
    の駆動装置。
JP33798296A 1996-12-18 1996-12-18 Mosトランジスタの駆動装置 Expired - Fee Related JP3560432B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33798296A JP3560432B2 (ja) 1996-12-18 1996-12-18 Mosトランジスタの駆動装置
US08/989,237 US6424187B1 (en) 1996-12-18 1997-12-12 Driving apparatus for power MOS transistor
DE19755653A DE19755653C2 (de) 1996-12-18 1997-12-15 Schaltung eines Kraftfahrzeug-Generators zum Aufladen einer Batterie
KR1019970069635A KR100496487B1 (ko) 1996-12-18 1997-12-17 Mos트랜지스터의구동장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33798296A JP3560432B2 (ja) 1996-12-18 1996-12-18 Mosトランジスタの駆動装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10178340A true JPH10178340A (ja) 1998-06-30
JP3560432B2 JP3560432B2 (ja) 2004-09-02

Family

ID=18313839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33798296A Expired - Fee Related JP3560432B2 (ja) 1996-12-18 1996-12-18 Mosトランジスタの駆動装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6424187B1 (ja)
JP (1) JP3560432B2 (ja)
KR (1) KR100496487B1 (ja)
DE (1) DE19755653C2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6972611B1 (en) * 2000-07-13 2005-12-06 Ct Concept Technologie Ag Method and device for a state-dependent control of the transient behavior of semiconductor power switches
EP1180842B1 (en) * 2000-08-07 2004-04-14 Denso Corporation Voltage regulator of vehicle AC generator
ES2396342T3 (es) * 2001-06-04 2013-02-20 Monogram Biosciences, Inc. Métodos de evaluación del tratamiento de un paciente con inhibidores de la entrada viral por medio de ensayos de virus recombinantes
JP2009259972A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Panasonic Corp 半導体装置、及び該半導体装置を用いたエネルギー伝達装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4414479A (en) * 1981-07-14 1983-11-08 General Electric Company Low dissipation snubber for switching power transistors
JPS5825721A (ja) * 1981-08-10 1983-02-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Mosトランジスタの駆動方法
DE3221364C2 (de) * 1982-06-05 1984-03-22 Chemie Und Filter Gmbh, Verfahrenstechnik Kg, 6900 Heidelberg Schaltvorrichtung mit Verzögerungseinrichtung
JPS6116620A (ja) * 1984-07-02 1986-01-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電界効果トランジスタの駆動回路
WO1988008228A2 (en) 1987-04-07 1988-10-20 Western Digital Corporation Method and apparatus for reducing transient noise in integrated circuits
JP2529273B2 (ja) 1987-07-13 1996-08-28 株式会社日立製作所 電圧調整装置
KR910008548B1 (ko) * 1987-05-07 1991-10-18 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 충전발전기의 전압조정장치
US5144220A (en) * 1989-11-30 1992-09-01 Mitsubishi Denki K.K. Vehicle ac generator control system
JPH03284200A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Mitsubishi Electric Corp 交流発電機の制御装置
FR2661573B1 (fr) * 1990-04-25 1994-06-10 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de commande de grille par impulsion avec securite de court-circuit.
DE4013997C2 (de) 1990-05-01 1997-03-27 Walter Marks Gleichstrom-Steuerschaltung
JP2833159B2 (ja) * 1990-06-07 1998-12-09 株式会社デンソー 車両用交流発電機
DE4034845A1 (de) 1990-11-02 1992-05-07 Bayerische Motoren Werke Ag Schaltanordnung in kraftfahrzeugen zum getakteten einschalten von induktiven verbrauchern
US5075568A (en) * 1991-01-22 1991-12-24 Allegro Microsystems, Inc. Switching bipolar driver circuit for inductive load
US5057765A (en) * 1991-02-05 1991-10-15 Allegro Microsystems, Inc. Current regulation circuit for inductive loads
JP3345928B2 (ja) * 1992-12-24 2002-11-18 株式会社デンソー 発電機の発電制御装置
EP0624951B1 (en) * 1993-04-26 1997-04-09 Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Control circuit for slowly turning off a power switch
US5416361A (en) * 1993-09-02 1995-05-16 At&T Corp. Low dissipation snubber for switching power transistor
JP3214224B2 (ja) * 1994-04-22 2001-10-02 株式会社日立製作所 車両用発電機
US6201417B1 (en) * 1994-09-02 2001-03-13 Semiconductor Components Industries, Llc. Shaping a current sense signal by using a controlled slew rate
JP3897832B2 (ja) * 1995-06-23 2007-03-28 株式会社デンソー 車両用電源装置
US5757214A (en) * 1995-07-19 1998-05-26 Stoddard; Robert J. PWM driver for an inductive load with detector of a not regulating PWM condition
JP3373704B2 (ja) * 1995-08-25 2003-02-04 三菱電機株式会社 絶縁ゲートトランジスタ駆動回路
JP3418673B2 (ja) * 1998-02-12 2003-06-23 株式会社日立製作所 車両用充電発電機の制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980064223A (ko) 1998-10-07
US6424187B1 (en) 2002-07-23
DE19755653C2 (de) 2003-06-18
KR100496487B1 (ko) 2005-09-30
JP3560432B2 (ja) 2004-09-02
DE19755653A1 (de) 1998-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7176744B2 (en) Semiconductor device
US4673851A (en) PWM motor operating system with RFI suppression
JP4837336B2 (ja) ゲート指令装置、電動機指令機器及びターンオフ指令方法
JPH08126223A (ja) 交流発電機の制御装置
US4658200A (en) Protection circuit for voltage regulator of vehicle mounted generator
CA1160279A (en) Control of rising and falling times of the drive signal of a brushless dc motor
KR100268962B1 (ko) 차량용 교류 발전기의 제어장치
JP4316568B2 (ja) 車両用発電機の制御システム
JPH11285238A (ja) 絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路、電力変換装置
JP2002004991A (ja) 点火用半導体装置
JP3052792B2 (ja) インバータ装置
JPH0732941A (ja) 自動車用照明装置の保護回路
JP3303960B2 (ja) 車両用充電発電機の制御装置
US6232758B1 (en) Load drive control apparatus
JP2004187463A (ja) 電圧駆動素子の駆動回路
JPH10178340A (ja) Mosトランジスタの駆動装置
US4570199A (en) Protection circuit for voltage regulator of vehicle mounted generator
JP2004159424A (ja) インバータ
JP3602011B2 (ja) 制御回路
JP3400678B2 (ja) 充電発電機の制御装置
JP4624422B2 (ja) 車両用発電機の制御装置
US9831854B2 (en) Current regulation circuit
KR100342337B1 (ko) 불꽃 점화 기관에서의 불량 점화를 억제하는 장치
JP3289411B2 (ja) 車両用発電機の電圧制御装置
US6104151A (en) Starting circuit and method for stagedly starting an electrosensitive circuit

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040518

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040525

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080604

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090604

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees