JPH10173032A - 傾斜付き基板支持具 - Google Patents

傾斜付き基板支持具

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JPH10173032A
JPH10173032A JP30294297A JP30294297A JPH10173032A JP H10173032 A JPH10173032 A JP H10173032A JP 30294297 A JP30294297 A JP 30294297A JP 30294297 A JP30294297 A JP 30294297A JP H10173032 A JPH10173032 A JP H10173032A
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angle
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annular
shelf
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David S Ballance
エス． バランス デイヴィッド
Benjamin Bierman
ビアマン ベンジャミン
Robert M Haney
エム． ハニー ロバート
David W Lacourt
ダブリュー． ラコート デイヴィッド
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Applied Materials Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の歩留りに与えるスクラッチの影響を最
小限に抑える基板用支持具を提供する。 【解決手段】 棚部を備えた基板支持具であって、この
棚部は、この支持具が基板の実質的にエッジ部分で基板
に接触するような角度で傾斜した表面を有している。棚
部の角度は、基板のエッジ部分の角度よりも大きい。棚
部の表面は、その平滑度が高まるように機械加工または
研磨されていても良い。この基板支持具は、これによ
り、支持具によって生じる基板上のスクラッチの影響ま
たは深刻度を低減する。この結果、この基板支持具は、
基板の歩留りを改善することになる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体処理チャン
バ内に配置される基板用の支持具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多くの半導体デバイス製造プロセスで
は、必要とされる高い水準のデバイス性能、歩留り、お
よびプロセス再現性は、基板（例えば、半導体ウェー
ハ）が基板の処理中に比較的欠陥が生じないでいる場合
にしか得ることができない。
【０００３】例えば、幾つかの異なる製造プロセスで用
いられる急熱処理（rapid thermalprocessing;ＲＴＰ）
を考えてみる。この急熱処理には、急熱アニーリング
（rapid thermal annealing;ＲＴＡ）、急熱クリーニン
グ（rapid thermal cleaning;ＲＴＣ）、急熱化学蒸着
（rapid thermal chemical vapor deposition;ＲＴＣＶ
Ｄ）、急熱酸化反応（rapid thermal oxidation;ＲＴ
Ｏ）、および急熱窒化反応（rapid thermal nitridatio
n;ＲＴＮ）が含まれている。
【０００４】これらの処理には、同時に製造できるデバ
イスの数を増やせるように基板寸法を大きくする傾向が
ある。基板の厚さが一定であれば、基板の質量は、その
半径またはエッジ長の２乗に比例している。
【０００５】サセプタシステムにおいて、基板は、サセ
プタ支持具上に配置されることによって支持されてい
る。このため、支持具の量は、基板の表面積に比例して
いる。サセプタなしのシステムでは、基板は、通常、エ
ッジリングを用いてその周縁でしか支持されない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、我々
は、エッジリングが基板底面の周縁にスクラッチの局所
的なリングを与える傾向を有することを発見した。これ
については、後述する。基板は、エッジリングによって
支持されていない箇所、すなわちそのエッジから離れた
領域でたるむ傾向があり、これにより基板が湾曲形状を
帯びるようになる。基板を高温にさらすと、基板はより
たるみやすくなり、これにより基板の湾曲が大きくな
る。
【０００７】この湾曲のため、基板のエッジは、水平か
らわずかな角度を有することになる。例えば、１２イン
チ（３００ｍｍ）径基板のエッジは、室内温度でその中
心よりも約１５０μｍ高くなる場合があり、これにより
基板のエッジが水平から約０．１度の角度を有するよう
になることがある。この角度のため、基板は、エッジリ
ングの表面上に平坦に載らずに、リングの内側エッジに
接触する。この状態は、基板１０およびエッジリング２
０に関する図１に示されている。この結果、エッジリン
グは、基板の底面にスクラッチを付けやすくなる。
【０００８】大きな、例えば１２インチ（３００ｍｍ）
の基板は、二つの理由によって特にスクラッチを受けや
すい。第１に、大きな基板は重く、エッジで支持される
と大きく湾曲するので、基板がエッジリングに大きな力
で接触することになるからである。第２に、大きな基板
は、通常、高度に研磨された背面を備えているので、未
研磨の表面よりも容易にスクラッチを示す傾向があるか
らである。
【０００９】エッジリングの内側エッジ上に存在するリ
ッジ（ridge）、すなわち「エッジクラウン（edge crow
n）」も、基板にスクラッチを付けることが分かってい
る。このエッジクラウンは、エッジリングがポリシリコ
ンの層で被覆されているときに形成され、エッジリング
の内側エッジ上に優先的に堆積する超過ポリシリコンか
ら構成されている。エッジリングは、基板の温度測定に
用いられる周波数範囲で非透過性になるようにポリシリ
コン層で被覆されており、これにより、温度測定の精度
が高められている。
【００１０】基板表面上のスクラッチは、基板のすべり
（slip）の生じやすさを高めるので望ましくない。すべ
りとは、基板の結晶構造中の欠陥である。この欠陥は、
この欠陥が通るいかなるデバイスをも破壊し、これによ
り基板の歩留りを低減する。具体的には、基板上にスク
ラッチが存在していると、スクラッチが存在していない
場合よりも低い温度で基板中にすべりが生じることにな
る。言い換えれば、スクラッチが存在していると、基板
の強度が低下し、高温に対する耐性が弱まる。スクラッ
チは、また、急激に変化する温度条件における基板のす
べりの生じやすさを高める。従って、スクラッチは、Ｒ
ＴＰチャンバ内で処理される基板にとって特に重大な問
題である。ＲＴＰチャンバでは、温度が通常１１００℃
を超えており、また、温度が急激に変化しやすい。
【００１１】基板のすべりの生じやすさを高めることに
加えて、スクラッチは、基板内に望ましくない装飾欠陥
（cosmetic imperfections）を導く。さらにまた、スク
ラッチは、デバイス製造プロセスを汚染することにより
歩留りを低減する可能性のある漂遊粒子（stray partic
les）を生成することもある。
【００１２】従って、本発明は、基板の歩留りに与える
スクラッチの影響を最小限に抑える基板用支持具を提供
することを目的としている。
【００１３】また、本発明は、基板にスクラッチを付け
る傾向を最小限に抑える基板用支持具を提供することも
目的としている。
【００１４】本発明の更なる目的と利点は、以下の説明
の中で述べられ、一部はこの説明から明らかであり、あ
るいは本発明の実施によって確かめることができる。本
発明の目的と利点は、特許請求の範囲で特に指摘される
手段およびコンビネーションによって理解および取得す
ることができる。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板支持具に
関するものである。この基板支持具は棚部を備えてお
り、この棚部は、環状であっても良く、水平から第１の
角度で傾斜した表面を有している。この第１角度は、こ
の基板支持具が実質的に基板のエッジ部分で基板と接触
するように選択されている。棚部の第１角度は、基板の
エッジ部分の角度よりも大きい。例えば、第１角度は、
１〜１０度の範囲であっても良い。この基板支持具に
は、基板支持具が基板に接触する箇所を基板のエッジの
方に移動させるための傾斜面が設けられており、これに
より、歩留りに影響を与えない基板のエッジ付近にしか
スクラッチが形成されないようになっている。
【００１６】棚部の表面は、断面で見て、平面、凹面ま
たは凸面のいずれであっても良い。さらにまた、表面の
断面形状は、球面、放物面、あるいは他の経験的に導か
れる形状であっても良い。
【００１７】棚部は、面取り部分を含んでいても良い。
この面取り部分は、環状であっても良く、棚部の内側エ
ッジ上に配置される。この面取り部分は、棚部の第１角
度よりも大きな第２の角度で傾斜した表面を有してい
る。この面取り部分は、エッジリングの内側エッジ上に
形成されたリッジに基板が接触することを防止するよう
に設けられており、これにより、リッジが基板にスクラ
ッチを付けることを防止している。
【００１８】本発明は、複数の材料を含んでいても良
い。この基板支持具は、シリコン炭化物から構成されて
いても良い。この基板支持具は、支持具の表面上に配置
された少なくとも一つの被覆をさらに含んでいても良
い。一つの態様では、この被覆は、ポリシリコンの層で
ある。別の態様では、この被覆は、シリコン窒化物の層
である。また別の態様では、この被覆は、環状棚部を覆
っていない。
【００１９】本発明は、複数の表面仕上げを備えていて
も良い。環状棚部の表面は、機械加工または研磨されて
いても良い。この他に、被覆の表面が機械加工または研
磨されていても良い。
【００２０】本発明の利点には、以下が含まれる。第１
に、本発明は、スクラッチが形成される領域を実質的に
基板のエッジに移動させる。基板のエッジはデバイスを
含んでいないので、スクラッチは歩留りに悪影響を与え
ない。第２に、本発明は、支持具が基板表面にスクラッ
チを付ける傾向を低減し、これにより、すべりを発生さ
せることなく基板を処理することが可能な温度を高めて
いる。この結果、直径が１２インチまでの基板、あるい
はそれ以上の基板を、ＲＴＰのようなプロセスに必要と
される高い温度において十分な歩留りで処理することが
できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】添付の図面は、本明細書に組み込
まれ、本明細書の一部を構成する。これらの添付図面
は、本発明の実施形態を概略的に図示しており、以下の
全体的な説明とともに本発明の原理を説明するのに役立
つ。
【００２２】本発明に係るＲＴＰシステムは、図２に示
されている。このシステムは、同時継続米国特許出願第
08/641,477号「基板温度を測定する方法および装置」
（出願日1996年5月1日）において更に詳細に説明されて
いる。この出願は、参照文献として本明細書に組み込ま
れる。
【００２３】図２に示されるＲＴＰシステムは、円板形
の１２インチ（３００ｍｍ）径シリコン基板１０６を処
理するための処理チャンバ１００を備えている。この基
板１０６は、チャンバの内側において基板支持構造１０
８の上に設置され、基板の上方に直接配置された加熱素
子１１０によって加熱される。加熱素子１１０は、水冷
石英窓装置１１４を介して処理チャンバ１００に入射す
る放射線１１２を生成する。この窓装置１１４は、基板
の上方約１インチ（２．５ｃｍ）に位置している。基板
１０６の下方には、水冷ステンレス鋼ベース１１６上に
取り付けられた反射体（reflector）１０２がある。反
射体１０２は、アルミニウムから作製することができ、
高反射性の表面被覆１２０を有している。基板１０６の
下面および反射体１０２の上面は、反射キャビティ１１
８を形成している。この反射キャビティ１１８は、基板
の実効放射率（effective emissivity）を高め、これに
より温度測定の精度を改善するためのものである。
【００２４】基板１０６の局所領域１０９における温度
は、複数の温度プローブ１２６および高温計（pyromete
r）１２８によって測定される。これらの温度プローブ
は、基板１０６の中心から種々の距離の位置に配置され
ている。
【００２５】熱処理の間、支持構造１０８は、毎分約９
０回転で回転する。このため、各プローブは、基板上の
対応する環状リング領域の温度分布を実際にサンプリン
グする。基板を回転させるこの支持構造は、エッジリン
グ１３４を備えている。このエッジリング１３４は、基
板の外周で基板に接触しており、これにより、基板の下
面全体をその外周の周囲の小さな環状領域を除いて露出
させている。
【００２６】エッジリング１３４は、回転自在の管状石
英円筒体１３６の上に載置されており、この石英円筒体
１３６は、高温計１２８の周波数範囲内で非透過性にな
るようにシリコンで被覆されている。石英円筒体上のシ
リコン被覆は、温度測定を混乱させる可能性のある外部
源からの放射を遮断するバッフル（baffle）として機能
する。石英円筒体の底部は、環状上部軸受レース１４１
によって保持されている。この軸受レース１４１は、複
数の玉軸受（ball bearing）１３７の上に載置されてい
る。これらの玉軸受１３７は、固定の環状下部軸受レー
ス１３９内に順次に保持されている。
【００２７】図３および図４に示されるように、エッジ
リング１３４は、環状棚部１３５を有している。この棚
部１３５の上には、基板１０６のエッジが載置される。
環状棚部１３５の表面２００は、水平から角度２０２で
傾斜している。
【００２８】１２インチ（３００ｍｍ）基板の場合、エ
ッジリング１３４は、約１３．２インチ（３３５ｍｍ）
の直径（ｄ）を有することができる。環状棚部１３５
は、約１．３インチ（４．１ｍｍ）の径方向幅（ｗ）を
有することができる。基板１０６およびエッジリング１
３４間の径方向の重なりは、基板１０６が環状棚部１３
５の中心部分に配置されている場合、約２．７ｍｍとす
ることができる。
【００２９】図５に示されるように、環状棚部１３５の
角度２０２は、エッジリング１３４が実質的に基板のエ
ッジ部分２０９で基板１０６に接触するように選択され
ている。基板１０６のエッジ部分２０９は、通常、デバ
イスを含んでいないので、エッジ部分２０９の付近に形
成されたスクラッチが基板の歩留りに影響を与える可能
性は少ない。角度２０２は、基板１０６のエッジ部分２
０９の角度２１５以上の値とすることができる。基板１
０６の湾曲は温度が高いほど大きくなるので、角度２０
２は、基板１０６がさらされる最高の温度での角度２１
５以上の値に選択しても良い。角度２０２は、例えば、
水平から１〜１０度の範囲にわたっていても良い。一つ
の実施形態では、角度２０２は、水平から５．６度であ
る。
【００３０】環状棚部１３５の表面２００は、種々の形
状のうちの一つをとることができる。図４および図５に
示されるように、表面２００は、実質的に平面の断面を
有していても良い。この他に、表面２００は、図６に示
されるように、凹面の断面を有していても良いし、ま
た、凸面（図示せず）の断面を有していても良い。さら
にまた、表面２００の断面形状は、球面、放物面、また
は他の経験的に導かれる形状であっても良い。表面２０
０が凹面または凸面である場合、角度２０２は、棚部を
径方向に横切るのに伴って変動する。図６に示されるよ
うに、角度２０２は、環状棚部１３５の内側エッジ２０
６で１度、中間領域２０７で３度、外側エッジ２０８で
５度となる場合もある。
【００３１】図７に示されるように、環状棚部１３５
は、その内側エッジ２０６上に配置された面取り部分
（beveled portion）１３６含んでいても良い。面取り
部分１３６の表面２０５は、水平から角度２０３だけ傾
斜している。
【００３２】図８に示されるように、面取り部分１３６
は、以下で述べるように、エッジリングの内側エッジ２
０６上に形成されたリッジ２０４が基板１０６に接触し
てスクラッチを付けることを防止する。角度２０３は、
環状棚部１３５の角度２０２よりも大きく、基板１０６
がリッジ２０４に触れないですむように選択されてい
る。例えば、角度２０３は、水平から５〜１０度とする
ことができる。
【００３３】図３および図４を再び参照すると、エッジ
リング１３４は、環状リブ１３７も備えることができ
る。リブ１３７は、エッジリング１３４用の構造支持体
を提供する。
【００３４】エッジリング１３４は、シリコン炭化物
（ＳｉＣ）から作製することができる。しかし、ＳｉＣ
は、基板の温度測定に用いられる周波数範囲内での放射
に対して透過性である。この結果、エッジリング１３４
は、温度測定の精度に影響を与えることのある迷放射線
（stray radiation）を伝送する可能性がある。従っ
て、エッジリング１３４は、ポリシリコンの層で被覆し
て、このような放射に対して非透過性にしても良い。
【００３５】図９に示されるように、ポリシリコン層２
１０は、エッジリング１３４の上面２１１および底面２
１２上に形成しても良い。ポリシリコン層２１０は、各
面に対して一つずつの二つのマスクを用いて堆積プロセ
ス（deposition process）により形成することができ
る。
【００３６】しかし、ポリシリコン層２１０のエッジリ
ング１３４上への堆積は、図８および図９に示されるよ
うに、リッジ２０４を形成することになる場合がある。
リッジ２０４は、ポリシリコン層２１０の堆積中、エッ
ジリング１３４の内側エッジ２０６にポリシリコンが優
先的に堆積することの結果として生じる。既に述べたよ
うに、リッジ２０４は、基板１０６にスクラッチをつけ
ることがある。
【００３７】スクラッチが付くことを防ぐため、ポリシ
リコン層２１３は、図１０に示されるようにエッジリン
グ１３４の底面２１２上に単独で配置することができ
る。ポリシリコン層２１３は、単一のマスクを用いて堆
積することができる。この実施形態は、ポリシリコンで
はなくＳｉＣから構成されるエッジリング１３４への接
触面を基板１０６に与える。
【００３８】この他に、図１１に示されるように、上面
２１１および底面２１２の双方の上にポリシリコン層２
１４が形成されているが、環状棚部１３５の表面２００
からはポリシリコン層が除去されていても良い。ポリシ
リコン層２１４は、単一のマスクを用いてドライ塩化水
素（ＨＣｌ）エッチングを行うことにより除去すること
ができる。この実施形態は、リッジ２０４が基板１０６
にスクラッチを付けることを防止する。また、この実施
形態は、ポリシリコンではなくＳｉＣから構成されるエ
ッジリング１３４への接触面を基板１０６に与える。
【００３９】エッジリング１３４がポリシリコン層２１
０、２１３または２１４のいずれかで被覆されている場
合、エッジリングは、ポリシリコン層上に配置されたシ
リコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）の層をさらに備えていても良
い（図示せず）。このシリコン窒化物層は、ポリシリコ
ン層中に存在する可能性のある金属不純物による基板１
０６の汚染を防止する拡散障壁（diffusion barrier）
として機能する。
【００４０】図４を再び参照すると、環状棚部１３５の
表面２００は、その平滑度（smoothness）が高まるよう
に機械加工または研磨を施し、これにより基板１０６に
スクラッチを付ける傾向を低減しても良い。機械加工の
場合、表面２００の表面粗さを、約４〜１６マイクロイ
ンチにすることができる。研磨の場合、表面２００の表
面粗さを、約０．４〜４マイクロインチにすることがで
きる。比較のために述べると、表面仕上げをしていない
面２００の表面粗さは、約４０〜１００マイクロインチ
である。表面２００がポリシリコン層２１０で被覆され
ている場合は、このポリシリコン層を同様に機械加工ま
たは研磨することができる。
【００４１】表面２００は、光学特性研磨（optical qu
ality polish）を用いて形成することもできる。この方
法で研磨すると、表面２００の表面粗さを、約０．０２
〜０．２マイクロインチ（５〜５０オングストローム）
にすることができる。この研磨は、手作業か機械のいず
れかで行うことができる。
【００４２】以上、本発明を好適な実施形態に関して説
明してきた。しかしながら、本発明はここに記載、説明
された形態に限定されるものではなく、本発明の範囲は
特許請求の範囲によって画定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術のエッジリングおよび基板の拡大側断
面図である。
【図２】本発明に係るＲＴＰシステムの側断面図であ
る。
【図３】本発明に係るエッジリングの平面図である。
【図４】図３のエッジリングの３−３線に沿った側断面
図である。
【図５】図３のエッジリングの３−３線に沿った拡大側
断面図である。
【図６】湾曲した表面を備える環状棚部を有する本発明
に係るエッジリングの拡大側断面図である。
【図７】面取り部分を有する本発明に係るエッジリング
の拡大側断面図である。
【図８】図７のエッジリングの８−８線に沿った拡大側
断面図であり、ここで、エッジリングは、ポリシリコン
の層を更に備えている。
【図９】本発明に係るエッジリングの拡大側断面図であ
り、ここで、エッジリングは、リングの様々な表面を覆
うポリシリコンの層を有している。
【図１０】本発明に係るエッジリングの拡大側断面図で
あり、ここで、エッジリングは、リングの様々な表面を
覆うポリシリコンの層を有している。
【図１１】本発明に係るエッジリングの拡大側断面図で
あり、ここで、エッジリングは、リングの様々な表面を
覆うポリシリコンの層を有している。
【符号の説明】
１００…処理チャンバ、１０２…反射体、１０６…基
板、１０８…基板支持構造、１１０…加熱素子、１１２
…放射線、１１４…水冷石英窓装置、１１６…水冷ステ
ンレス鋼ベース、１１８…反射キャビティ、１２０…表
面被覆、１２６…温度プローブ、１２８…高温計、１３
４…エッジリング、１３５…環状棚部、１３６…石英円
筒体、１３７…環状リブ、２０４…リッジ、２０６…内
側エッジ、２０７…中間領域、２０８…外側エッジ、２
０９…エッジ部分。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベンジャミン ビアマン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ミルピタス， チューポン アヴェニュー 1321 (72)発明者 ロバート エム． ハニー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， パロ アルト， サークル ドライヴ 630 (72)発明者 デイヴィッド ダブリュー． ラコート アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ラファエル， ベイヒルズ ドライ ヴ 30

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 水平から第１の角度で傾斜した表面を有
    する棚部を備える基板支持具であって、 前記棚部の第１角度は、この支持具が実質的に基板のエ
    ッジ部分で基板と接触するように選択されている基板支
    持具。
  2. 【請求項２】 熱処理チャンバ内に配置される請求項１
    記載の基板支持具。
  3. 【請求項３】 前記棚部の第１角度は、前記基板のエッ
    ジ部分の角度以上である請求項１記載の基板支持具。
  4. 【請求項４】 前記棚部の第１角度は、約１度〜約１０
    度である、請求項１記載の基板支持具。
  5. 【請求項５】 水平から第１の角度で傾斜した表面を有
    する環状棚部を備える基板支持具であって、前記環状棚
    部の第１角度は、この支持具が実質的に基板のエッジ部
    分で基板と接触するように選択されている基板支持具。
  6. 【請求項６】 熱処理チャンバ内に配置される請求項５
    記載の基板支持具。
  7. 【請求項７】 前記環状棚部の第１角度は、前記基板の
    エッジ部分の角度以上である請求項５記載の基板支持
    具。
  8. 【請求項８】 前記基板のエッジ部分の角度は、前記基
    板がさらされる最も高い温度で測定されたものである請
    求項７記載の基板支持具。
  9. 【請求項９】 前記環状棚部の第１角度は、約１度〜約
    １０度である、請求項５記載の基板支持具。
  10. 【請求項１０】 前記環状棚部の表面の断面形状が平面
    である請求項５記載の基板支持具。
  11. 【請求項１１】 前記環状棚部の第１角度は、前記環状
    棚部を径方向に横切るのに伴って変動している請求項５
    記載の基板支持具。
  12. 【請求項１２】 前記環状棚部の前記表面の断面形状
    は、凹面または凸面のいずれかである請求項１１記載の
    基板支持具。
  13. 【請求項１３】 前記環状棚部は、前記環状棚部の内側
    エッジ上に配置された環状面取り部分を備えており、前
    記環状面取り部分は、水平から第２の角度で傾斜した表
    面を有しており、この第２角度は、前記環状棚部の第１
    角度よりも大きい、請求項５記載の基板支持具。
  14. 【請求項１４】 この基板支持具の表面上に配置された
    少なくとも一つの被覆をさらに備えている請求項５記載
    の基板支持具。
  15. 【請求項１５】 前記環状棚部が前記被覆によって覆わ
    れていない請求項１４記載の基板支持具。
  16. 【請求項１６】 シリコン炭化物から構成されている請
    求項１４記載の基板支持具であって、前記被覆は、ポリ
    シリコンの層である請求項１４記載の基板支持具。
  17. 【請求項１７】 前記被覆は、シリコン窒化物の層であ
    る、請求項１４記載の基板支持具。
  18. 【請求項１８】 前記環状棚部の表面が研磨されている
    請求項５記載の基板支持具。
  19. 【請求項１９】 前記被覆の表面が研磨されている請求
    項１４記載の基板支持具。
  20. 【請求項２０】 研磨された前記表面は、約０．０２マ
    イクロインチ〜約４マイクロインチの粗さを有してい
    る、請求項１８または１９記載の基板支持具。
  21. 【請求項２１】 熱処理チャンバ内の基板を支持するた
    めのエッジリングであって、 水平から約１度〜約１０度という第１の角度で傾斜した
    表面を有する環状棚部を備えるエッジリング。
  22. 【請求項２２】 前記環状棚部は、その内側エッジ上に
    配置された環状面取り部分を備えており、この環状面取
    り部分は、水平から第２の角度で傾斜した表面を有して
    おり、この第２角度は、前記環状棚部の第１角度よりも
    大きい、請求項２１記載のエッジリング。
JP30294297A 1996-11-05 1997-11-05 傾斜付き基板支持具 Withdrawn JPH10173032A (ja)

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