JPH10128034A - 膜によるフルオロケミカルの分離回収方法 - Google Patents
膜によるフルオロケミカルの分離回収方法Info
- Publication number
- JPH10128034A JPH10128034A JP9298809A JP29880997A JPH10128034A JP H10128034 A JPH10128034 A JP H10128034A JP 9298809 A JP9298809 A JP 9298809A JP 29880997 A JP29880997 A JP 29880997A JP H10128034 A JPH10128034 A JP H10128034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluorochemical
- gas
- membrane
- diluent gas
- stream
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
- B01D61/42—Electrodialysis; Electro-osmosis ; Electro-ultrafiltration; Membrane capacitive deionization
- B01D61/44—Ion-selective electrodialysis
- B01D61/52—Accessories; Auxiliary operation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/22—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by diffusion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
- B01D61/42—Electrodialysis; Electro-osmosis ; Electro-ultrafiltration; Membrane capacitive deionization
- B01D61/44—Ion-selective electrodialysis
- B01D61/445—Ion-selective electrodialysis with bipolar membranes; Water splitting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J47/00—Ion-exchange processes in general; Apparatus therefor
- B01J47/12—Ion-exchange processes in general; Apparatus therefor characterised by the use of ion-exchange material in the form of ribbons, filaments, fibres or sheets, e.g. membranes
- B01J47/127—Ion-exchange processes in general; Apparatus therefor characterised by the use of ion-exchange material in the form of ribbons, filaments, fibres or sheets, e.g. membranes in the form of filaments or fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/46—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods
- C02F1/469—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrochemical separation, e.g. by electro-osmosis, electrodialysis, electrophoresis
- C02F1/4693—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrochemical separation, e.g. by electro-osmosis, electrodialysis, electrophoresis electrodialysis
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
- B01D2257/204—Inorganic halogen compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
- B01D2257/206—Organic halogen compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有して
いるガス流から膜を利用してフルオロケミカルを分離及
び回収するための方法を提供する。 【解決手段】 圧縮（２０）及び加熱（２２）した高圧
高温のガス流を、フルオロケミカルよりも希釈剤ガスを
選択的により多く透過させる膜と接触（２４）させて、
希釈剤ガスに富む透過物流２６とフルオロケミカルに富
む残留物とにし、この残留物を、フルオロケミカルより
も希釈剤ガスを選択的により多く透過させる別の一つ以
上の膜と接触（３０）させて、希釈剤ガスに富む第二の
透過物流１８とフルオロケミカルに富む第二の残留物３
２とにし、第二の透過物流１８を圧縮工程へ再循環させ
て、希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有しているガ
ス流とともに圧縮して高圧にする。
いるガス流から膜を利用してフルオロケミカルを分離及
び回収するための方法を提供する。 【解決手段】 圧縮（２０）及び加熱（２２）した高圧
高温のガス流を、フルオロケミカルよりも希釈剤ガスを
選択的により多く透過させる膜と接触（２４）させて、
希釈剤ガスに富む透過物流２６とフルオロケミカルに富
む残留物とにし、この残留物を、フルオロケミカルより
も希釈剤ガスを選択的により多く透過させる別の一つ以
上の膜と接触（３０）させて、希釈剤ガスに富む第二の
透過物流１８とフルオロケミカルに富む第二の残留物３
２とにし、第二の透過物流１８を圧縮工程へ再循環させ
て、希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有しているガ
ス流とともに圧縮して高圧にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、膜を利用して希釈
剤ガスとフルオロケミカルとを含有しているガス流から
フルオロケミカルを分離及び回収するための方法に関す
る。
剤ガスとフルオロケミカルとを含有しているガス流から
フルオロケミカルを分離及び回収するための方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
産業は、半導体製造工程においてエッチング剤や洗浄用
ガスとしてフッ素化されたガス、例えば四フッ化炭素や
ヘキサフルオロエタンといったものを使用する。これら
のガスは反応室中で完全には反応しない。使用されなか
ったガスはそのような反応器からのプロセス流出物を通
して大気中に入る。これらのガスは大気中に長く存続
し、赤外線を吸収する。従って、これらのガスは潜在的
な地球温暖化ガスである。産業界は、大気に達するフッ
素化ガスの量を減らす方法と、特にそのようなガスを意
図するエッチング及び洗浄目的のために一回の通過で利
用する率が低いことに照らして、それらを更に利用する
ためできる限り再循環（リサイクル）する方法を捜し求
めている。
産業は、半導体製造工程においてエッチング剤や洗浄用
ガスとしてフッ素化されたガス、例えば四フッ化炭素や
ヘキサフルオロエタンといったものを使用する。これら
のガスは反応室中で完全には反応しない。使用されなか
ったガスはそのような反応器からのプロセス流出物を通
して大気中に入る。これらのガスは大気中に長く存続
し、赤外線を吸収する。従って、これらのガスは潜在的
な地球温暖化ガスである。産業界は、大気に達するフッ
素化ガスの量を減らす方法と、特にそのようなガスを意
図するエッチング及び洗浄目的のために一回の通過で利
用する率が低いことに照らして、それらを更に利用する
ためできる限り再循環（リサイクル）する方法を捜し求
めている。
【０００３】フルオロケミカル類、例えばペルフッ素化
炭化水素やペルフッ素化ケミカルといったものは、半導
体産業において安全且つ非腐食性のフッ素源として使用
されている。プラズマ環境において、フッ素化ガス類の
如きフルオロケミカルはウェーハをエッチングしあるい
は反応室の内部を洗浄することができるフッ素種を生成
する。エッチング又は洗浄工程の気体生成物は、反応室
から半導体製造設備のスクラバー又は排気系へ排出さ
れ、大気放出の可能性がある。フッ素化ガスから他の生
成物への添加は完全ではない。実験から、場合によって
はプラズマ工程で使用されるヘキサフルオロエタンの１
０％未満が何らかの形態の解離種又は副生物でもって反
応室から出てくることが示された。
炭化水素やペルフッ素化ケミカルといったものは、半導
体産業において安全且つ非腐食性のフッ素源として使用
されている。プラズマ環境において、フッ素化ガス類の
如きフルオロケミカルはウェーハをエッチングしあるい
は反応室の内部を洗浄することができるフッ素種を生成
する。エッチング又は洗浄工程の気体生成物は、反応室
から半導体製造設備のスクラバー又は排気系へ排出さ
れ、大気放出の可能性がある。フッ素化ガスから他の生
成物への添加は完全ではない。実験から、場合によって
はプラズマ工程で使用されるヘキサフルオロエタンの１
０％未満が何らかの形態の解離種又は副生物でもって反
応室から出てくることが示された。
【０００４】フルオロケミカルの削減は、現在いくつか
の技術に従っている。フルオロケミカルが環境へ放出さ
れないように保証するため半導体産業により現在使用さ
れている一つの方法は、流出物流中に含まれるフルオロ
ケミカルの燃焼を必要とする。この方法はフルオロケミ
カルを効果的に破壊して環境汚染を防止するとは言うも
のの、それはまたフルオロケミカルを再利用するのを不
可能にする。この方法はまた、更に処理することを必要
とする廃ガス、例としてフッ化水素や窒素酸化物といっ
たものを発生させるので、不都合でもある。更に、燃焼
プロセスは運転のために燃料と酸素を必要とし、半導体
製造作業に対して更なる運転費と資本費を付加する。
の技術に従っている。フルオロケミカルが環境へ放出さ
れないように保証するため半導体産業により現在使用さ
れている一つの方法は、流出物流中に含まれるフルオロ
ケミカルの燃焼を必要とする。この方法はフルオロケミ
カルを効果的に破壊して環境汚染を防止するとは言うも
のの、それはまたフルオロケミカルを再利用するのを不
可能にする。この方法はまた、更に処理することを必要
とする廃ガス、例としてフッ化水素や窒素酸化物といっ
たものを発生させるので、不都合でもある。更に、燃焼
プロセスは運転のために燃料と酸素を必要とし、半導体
製造作業に対して更なる運転費と資本費を付加する。
【０００５】それとは別に、これらのフルオロケミカル
を再利用のために回収することができる。フルオロケミ
カルの回収のために提案された一つの方法は吸着であっ
て、これではフルオロケミカルを高圧下で吸着剤へ吸着
させ、そして低圧下で吸着剤から脱着する。この方法
は、必要とされる昇圧と脱圧（圧抜き）を行うために非
常にたくさんの動力の消費が必要なため、不都合があ
る。
を再利用のために回収することができる。フルオロケミ
カルの回収のために提案された一つの方法は吸着であっ
て、これではフルオロケミカルを高圧下で吸着剤へ吸着
させ、そして低圧下で吸着剤から脱着する。この方法
は、必要とされる昇圧と脱圧（圧抜き）を行うために非
常にたくさんの動力の消費が必要なため、不都合があ
る。
【０００６】Ｇｌｅｎｎ Ｍ．Ｔｏｍ，らの論文“ＰＦ
Ｃ Ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎａｎｄ Ｒｅｃｙｃｌ
ｅ”，Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．
Ｖｏｌ．３４４，１９９４，ｐｐ２６７−２７２には、
炭素を含有する吸着床を使ってペルフッ素化ガスを濃縮
する方法が記載されている。この方法は、切り換わる吸
着床での連続処理を維持するための昇圧と脱圧とを基に
し、かなりのエネルギー量を必要とする。
Ｃ Ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎａｎｄ Ｒｅｃｙｃｌ
ｅ”，Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．
Ｖｏｌ．３４４，１９９４，ｐｐ２６７−２７２には、
炭素を含有する吸着床を使ってペルフッ素化ガスを濃縮
する方法が記載されている。この方法は、切り換わる吸
着床での連続処理を維持するための昇圧と脱圧とを基に
し、かなりのエネルギー量を必要とする。
【０００７】米国特許第５５０２９６９号明細書には、
半導体工場からの流出流を構成しているもののようなキ
ャリヤガスからフッ素成分を回収するために洗浄液を利
用する物質移動帯域と１段以上の低温（ｃｒｙｏｇｅｎ
ｉｃ）蒸留を使用する方法が開示されている。低温蒸留
も吸着も、エネルギー集約的で且つ資本集約的な独立し
たプロセスを構成する。
半導体工場からの流出流を構成しているもののようなキ
ャリヤガスからフッ素成分を回収するために洗浄液を利
用する物質移動帯域と１段以上の低温（ｃｒｙｏｇｅｎ
ｉｃ）蒸留を使用する方法が開示されている。低温蒸留
も吸着も、エネルギー集約的で且つ資本集約的な独立し
たプロセスを構成する。
【０００８】Ｄｅｎｉｓ Ｒｕｆｉｎは米国テキサス州
Ａｕｓｔｉｎでの半導体ＰＦＣ研究集会におけるプレゼ
ンテーションで、圧縮、湿式及び乾式のスクラビング、
追加の圧縮、ろ過、濃縮工程とこれに続く凝縮、そして
オフサイトの精製後のリサイクルのための包装、検定及
び更に別の再包装を伴う、処理工具からのペルフルオロ
ケミカルを再循環するための方法を提案した。このプロ
セスシーケンスで開示されたペルフルオロカーボン濃縮
ユニットは特定されなかった。Ｒｕｆｉｎは、Ｓｅｍｉ
ｃｏｎ Ｗｅｓｔ， ＰＦＣ ＣＡＰＴＵＲＥ ＡＬＰ
ＨＡ ＳＹＳＴＥＭＳ ＴＥＳＴＩＮＧ ＵＰＤＡＴ
Ｅ，１９９６，ｐｐ４９−５４で同様の提案を行った。
Ａｕｓｔｉｎでの半導体ＰＦＣ研究集会におけるプレゼ
ンテーションで、圧縮、湿式及び乾式のスクラビング、
追加の圧縮、ろ過、濃縮工程とこれに続く凝縮、そして
オフサイトの精製後のリサイクルのための包装、検定及
び更に別の再包装を伴う、処理工具からのペルフルオロ
ケミカルを再循環するための方法を提案した。このプロ
セスシーケンスで開示されたペルフルオロカーボン濃縮
ユニットは特定されなかった。Ｒｕｆｉｎは、Ｓｅｍｉ
ｃｏｎ Ｗｅｓｔ， ＰＦＣ ＣＡＰＴＵＲＥ ＡＬＰ
ＨＡ ＳＹＳＴＥＭＳ ＴＥＳＴＩＮＧ ＵＰＤＡＴ
Ｅ，１９９６，ｐｐ４９−５４で同様の提案を行った。
【０００９】米国特許第４１１９４１７号明細書には、
原料ガス流にカスケード接続した二つの半透膜を通過さ
せて、二番目の膜からの透過物流を一番目の膜の前で原
料ガスへ再循環させる方法が開示されている。この方法
の典型となるものはクリプトンからの窒素の分離であ
る。種々の二元混合物から分離することができるこのほ
かのガスには、水素、ヘリウム、窒素、酸素、空気、ネ
オン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン、フッ
素、塩素、臭素、六フッ化ウラン、オゾン、炭化水素
類、二酸化硫黄、塩化ビニル、アクリロニトリル、そし
て窒素酸化物が包含される。これらの分離のために利用
される膜には、シリコンゴム、ポリブタジエンゴム、ポ
リエチレン、テトラメチルペンタン樹脂、酢酸セルロー
ス、エチルセルロース、ジェネラル・エレクトリック社
製の材料であるＮｕｃｌｅａｒ Ｐｏｒｅ、テトラフル
オロエチレン、ポリエステル及び多孔質金属の膜が含ま
れる。
原料ガス流にカスケード接続した二つの半透膜を通過さ
せて、二番目の膜からの透過物流を一番目の膜の前で原
料ガスへ再循環させる方法が開示されている。この方法
の典型となるものはクリプトンからの窒素の分離であ
る。種々の二元混合物から分離することができるこのほ
かのガスには、水素、ヘリウム、窒素、酸素、空気、ネ
オン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン、フッ
素、塩素、臭素、六フッ化ウラン、オゾン、炭化水素
類、二酸化硫黄、塩化ビニル、アクリロニトリル、そし
て窒素酸化物が包含される。これらの分離のために利用
される膜には、シリコンゴム、ポリブタジエンゴム、ポ
リエチレン、テトラメチルペンタン樹脂、酢酸セルロー
ス、エチルセルロース、ジェネラル・エレクトリック社
製の材料であるＮｕｃｌｅａｒ Ｐｏｒｅ、テトラフル
オロエチレン、ポリエステル及び多孔質金属の膜が含ま
れる。
【００１０】米国特許第４６５４０６３号明細書には、
半透膜を非膜タイプの分離とともに使用し、その膜から
の残留物（ｒｅｔｅｎｔａｔｅ）を低温又は吸着分離装
置において更に処理することができる、水素精製法が開
示されている。
半透膜を非膜タイプの分離とともに使用し、その膜から
の残留物（ｒｅｔｅｎｔａｔｅ）を低温又は吸着分離装
置において更に処理することができる、水素精製法が開
示されている。
【００１１】米国特許第４７０１１８７号明細書には、
カスケード膜を使用し、第一の膜からの残留物を第二の
膜に導きそして第二の膜からの残留物を製品の回収のた
め下流の別の吸着分離へ送ることが開示されている。第
二の膜からの透過流は第一の膜の原料へ再循環させる。
カスケード膜を使用し、第一の膜からの残留物を第二の
膜に導きそして第二の膜からの残留物を製品の回収のた
め下流の別の吸着分離へ送ることが開示されている。第
二の膜からの透過流は第一の膜の原料へ再循環させる。
【００１２】エアー・プルダクツ・アンド・ケミカルズ
・インコーポレイティドとラジアン・インターナショナ
ルＬ．Ｌ．Ｃ．は、真空ポンプ希釈剤ガスと半導体製造
設備の処理工具からのガスとのフッ素化混合物を保護床
（ガードベッド）と湿式スクラバーに送り、続いてガス
を圧縮、乾燥及び吸着して、吸着剤からの精製された希
釈剤のうちの一部分をガスを圧縮する前へ再循環する一
方、より濃縮されたフッ素化ガスを更なるガス圧縮、凝
縮そして蒸留処理に送って製品、例えば９９．９＋％の
ヘキサフルオロエタンの如きものを回収する方法を記載
する、刊行番号３２５−９５４１０のＰＦＣ Ｒｅｃｏ
ｖｅｒｙ Ｓｙｓｔｅｍｓ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｄｕｓｔｒｙという題名の資料を
１９９６年に公表した。この方法は，ヘキサフルオロエ
タン、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、三フッ化窒
素及び六フッ化硫黄を回収するように設計することがで
きる。
・インコーポレイティドとラジアン・インターナショナ
ルＬ．Ｌ．Ｃ．は、真空ポンプ希釈剤ガスと半導体製造
設備の処理工具からのガスとのフッ素化混合物を保護床
（ガードベッド）と湿式スクラバーに送り、続いてガス
を圧縮、乾燥及び吸着して、吸着剤からの精製された希
釈剤のうちの一部分をガスを圧縮する前へ再循環する一
方、より濃縮されたフッ素化ガスを更なるガス圧縮、凝
縮そして蒸留処理に送って製品、例えば９９．９＋％の
ヘキサフルオロエタンの如きものを回収する方法を記載
する、刊行番号３２５−９５４１０のＰＦＣ Ｒｅｃｏ
ｖｅｒｙ Ｓｙｓｔｅｍｓ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｄｕｓｔｒｙという題名の資料を
１９９６年に公表した。この方法は，ヘキサフルオロエ
タン、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、三フッ化窒
素及び六フッ化硫黄を回収するように設計することがで
きる。
【００１３】Ｒａｕｔｅｎｂａｃｈら，Ｇａｓ Ｐｅｒ
ｍｅａｔｉｏｎ−Ｍｏｄｕｌｅ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ
Ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ，Ｃｈｅｍ．Ｅｎｇ．Ｐｒｏ
ｃｅｓｓ，２１，１９８７，ｐｐ１４１−１５０には、
ガス分離用の様々な膜の配置構成が開示されている。
ｍｅａｔｉｏｎ−Ｍｏｄｕｌｅ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ
Ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ，Ｃｈｅｍ．Ｅｎｇ．Ｐｒｏ
ｃｅｓｓ，２１，１９８７，ｐｐ１４１−１５０には、
ガス分離用の様々な膜の配置構成が開示されている。
【００１４】関連のあるこのほかの特許文献には、米国
特許第４１８０３８８号、同第４８９４０６８号、同第
５２４０４７１号及び同第５２５２２１９号明細書が含
まれる。
特許第４１８０３８８号、同第４８９４０６８号、同第
５２４０４７１号及び同第５２５２２１９号明細書が含
まれる。
【００１５】従来技術は、半導体産業で使用される例え
ばペルフッ素化化合物、より具体的に言えばペルフルオ
ロカーボン等のフルオロケミカルを捕捉し再循環する問
題を扱ってはいるが、下記で一層詳しく説明される本発
明により達成されるように所望のフッ素化化合物を捕捉
及び濃縮するための資本費が安くエネルギー消費量が少
ない方法を提供してはいない。
ばペルフッ素化化合物、より具体的に言えばペルフルオ
ロカーボン等のフルオロケミカルを捕捉し再循環する問
題を扱ってはいるが、下記で一層詳しく説明される本発
明により達成されるように所望のフッ素化化合物を捕捉
及び濃縮するための資本費が安くエネルギー消費量が少
ない方法を提供してはいない。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、希釈剤ガスと
フルオロケミカルとを含有しているガス流からこのガス
流を膜と接触させることによりフルオロケミカルを分離
及び回収するための、下記の（ａ）〜（ｅ）の工程を含
む方法である。
フルオロケミカルとを含有しているガス流からこのガス
流を膜と接触させることによりフルオロケミカルを分離
及び回収するための、下記の（ａ）〜（ｅ）の工程を含
む方法である。
【００１７】（ａ）希釈剤ガスとフルオロケミカルとを
含有しているガス流を圧縮して高圧にする工程。 （ｂ）希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有している
このガス流を、工程（ｃ）の透過物流の流束を増加させ
るのと、工程（ｃ）の残留物の透過に対する工程（ｃ）
の透過物流の透過についての工程（ｃ）の膜の選択性を
上昇させるのとに十分な高温まで加熱する工程。 （ｃ）このガス流を、当該フルオロケミカルよりも当該
希釈剤ガスを選択的により多く透過させる膜と接触させ
て、希釈剤ガスに富む透過物流とフルオロケミカルに富
む残留物とにする工程。 （ｄ）この残留物を、当該フルオロケミカルよりも当該
希釈剤ガスを選択的により多く透過させる別の一つ以上
の膜と接触させて、希釈剤ガスに富む第二の透過物流と
フルオロケミカルに富む第二の残留物とにする工程。 （ｅ）この第二の透過物流を工程（ａ）へ再循環させ
て、上記希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有してい
るガス流とともに圧縮して高圧にする工程。
含有しているガス流を圧縮して高圧にする工程。 （ｂ）希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有している
このガス流を、工程（ｃ）の透過物流の流束を増加させ
るのと、工程（ｃ）の残留物の透過に対する工程（ｃ）
の透過物流の透過についての工程（ｃ）の膜の選択性を
上昇させるのとに十分な高温まで加熱する工程。 （ｃ）このガス流を、当該フルオロケミカルよりも当該
希釈剤ガスを選択的により多く透過させる膜と接触させ
て、希釈剤ガスに富む透過物流とフルオロケミカルに富
む残留物とにする工程。 （ｄ）この残留物を、当該フルオロケミカルよりも当該
希釈剤ガスを選択的により多く透過させる別の一つ以上
の膜と接触させて、希釈剤ガスに富む第二の透過物流と
フルオロケミカルに富む第二の残留物とにする工程。 （ｅ）この第二の透過物流を工程（ａ）へ再循環させ
て、上記希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有してい
るガス流とともに圧縮して高圧にする工程。
【００１８】好ましくは、希釈剤ガスとフルオロケミカ
ルとを含有しているガス流は最初にスクラビング処理し
て、ガス流の粒状物と水溶性成分を除去する。
ルとを含有しているガス流は最初にスクラビング処理し
て、ガス流の粒状物と水溶性成分を除去する。
【００１９】好ましくは、工程（ｅ）の後に、フルオロ
ケミカルに富む第二の残留物を、フルオロケミカルに富
む製品流と希釈剤に富む排気流とをもたらすように吸着
あるいは低温での精留により更に精製する。
ケミカルに富む第二の残留物を、フルオロケミカルに富
む製品流と希釈剤に富む排気流とをもたらすように吸着
あるいは低温での精留により更に精製する。
【００２０】好ましくは、希釈剤ガスとフルオロケミカ
ルとを含有しているガス流は、ＮＦ 3 、ＳＦ6 、Ｃ
Ｆ4 、ＣＨＦ3 、ＣＨ3 Ｆ、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ2 ＨＦ5 、Ｃ
3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 及びそれらの混合物からなる群より選
ばれるフルオロケミカルを含有する。
ルとを含有しているガス流は、ＮＦ 3 、ＳＦ6 、Ｃ
Ｆ4 、ＣＨＦ3 、ＣＨ3 Ｆ、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ2 ＨＦ5 、Ｃ
3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 及びそれらの混合物からなる群より選
ばれるフルオロケミカルを含有する。
【００２１】好ましくは、希釈剤ガスとフルオロケミカ
ルとを含有しているガス流は半導体製造プロセスからの
流出ガス流である。
ルとを含有しているガス流は半導体製造プロセスからの
流出ガス流である。
【００２２】好ましくは、膜はポリスルホン、ポリエー
テルイミド、エチルセルロース及びそれらの混合物から
なる群より選ばれる。
テルイミド、エチルセルロース及びそれらの混合物から
なる群より選ばれる。
【００２３】好ましくは、精留は精留塔の塔頂の熱交換
で還流を生じさせることにより行われる。
で還流を生じさせることにより行われる。
【００２４】好ましくは、フルオロケミカルに富む製品
流はＣ2 Ｆ6 を含む。
流はＣ2 Ｆ6 を含む。
【００２５】好ましくは、希釈剤ガスは窒素、ヘリウ
ム、アルゴン及びそれらの混合物からなる群より選ばれ
る。
ム、アルゴン及びそれらの混合物からなる群より選ばれ
る。
【００２６】好ましくは、フルオロケミカルに富む製品
流は半導体製造プロセスへ再循環させる。
流は半導体製造プロセスへ再循環させる。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体製造設備の排気
から、例えばＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＣＨ
3 Ｆ、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ2 ＨＦ5 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 及び
それらの混合物の如きフルオロケミカルを回収する方法
である。これらのタイプのガスは、集積回路の製作を含
めて、電子材料から種々の電子デバイスを製造する際に
エッチング作業及び洗浄作業用に使用される。一般に、
これらのガスはいずれの所定のプロセスサイクルでも利
用率が低く、従ってこれらのプロセスからの流出物は地
球温暖化という環境上の問題に関与する。その上、これ
らのガスを濃縮し、精製し、そして更に利用するため再
循環することができるならば、それらはかなりの価値を
有する。
から、例えばＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＣＨ
3 Ｆ、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ2 ＨＦ5 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 及び
それらの混合物の如きフルオロケミカルを回収する方法
である。これらのタイプのガスは、集積回路の製作を含
めて、電子材料から種々の電子デバイスを製造する際に
エッチング作業及び洗浄作業用に使用される。一般に、
これらのガスはいずれの所定のプロセスサイクルでも利
用率が低く、従ってこれらのプロセスからの流出物は地
球温暖化という環境上の問題に関与する。その上、これ
らのガスを濃縮し、精製し、そして更に利用するため再
循環することができるならば、それらはかなりの価値を
有する。
【００２８】本発明は、上述のフルオロケミカルの可能
性のある再循環のために捕捉と回収と精製を達成するも
のであり、一般に真空ポンプの希釈剤、例えば窒素ある
いはその他の不活性ガスの如きものに富む、半導体製造
設備からの排気流を、圧縮及びスクラビング処理後に加
熱帯域に送って希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有
しているガス流を昇温してから、フルオロケミカルガス
成分から希釈剤ガスを分離するようにガス流中のフルオ
ロケミカルよりも希釈剤をより多く透過させる膜に導入
する。これにより、真空ポンプの希釈剤に富む透過物流
とフルオロケミカルに富む残留物とが作られる。
性のある再循環のために捕捉と回収と精製を達成するも
のであり、一般に真空ポンプの希釈剤、例えば窒素ある
いはその他の不活性ガスの如きものに富む、半導体製造
設備からの排気流を、圧縮及びスクラビング処理後に加
熱帯域に送って希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有
しているガス流を昇温してから、フルオロケミカルガス
成分から希釈剤ガスを分離するようにガス流中のフルオ
ロケミカルよりも希釈剤をより多く透過させる膜に導入
する。これにより、真空ポンプの希釈剤に富む透過物流
とフルオロケミカルに富む残留物とが作られる。
【００２９】フルオロケミカルに富んだ流れを構成する
残留物は第二のカスケード膜ステーションへ送り、その
一方希釈剤ガスに富む透過物流は排気する。第一段階の
膜に対してカスケード関係にある第二段階の膜では、こ
の膜によりフルオロケミカルが再び排除される一方で、
残りの希釈剤ガスは透過物流として選択的に膜を透過す
る。この透過物流は、膜を低い割合でもって共に透過し
てくることがあるフルオロケミカルを捕捉するため、第
一段階の膜の上流の圧縮工程へ再循環させる。
残留物は第二のカスケード膜ステーションへ送り、その
一方希釈剤ガスに富む透過物流は排気する。第一段階の
膜に対してカスケード関係にある第二段階の膜では、こ
の膜によりフルオロケミカルが再び排除される一方で、
残りの希釈剤ガスは透過物流として選択的に膜を透過す
る。この透過物流は、膜を低い割合でもって共に透過し
てくることがあるフルオロケミカルを捕捉するため、第
一段階の膜の上流の圧縮工程へ再循環させる。
【００３０】第二段解の膜も、第一段階の膜と同様に、
膜を通り抜ける希釈剤ガスの流束を増大させる一方希釈
剤ガスとフルオロケミカルガス成分との選択性を増加さ
せるため高温で運転される。
膜を通り抜ける希釈剤ガスの流束を増大させる一方希釈
剤ガスとフルオロケミカルガス成分との選択性を増加さ
せるため高温で運転される。
【００３１】希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有し
ている原料ガス流の構成に応じて、追加段のカスケード
接続された膜を利用してもよく、それでもって回収が所
望されるフルオロケミカルを膜により排除し、そして希
釈剤ガスを、共に透過する所望されるフルオロケミカル
のできる限りの回収のために第一の又は最初の段階の膜
へ再循環させるため、高温での大きい流束且つ一層高い
選択性でもって透過させる。
ている原料ガス流の構成に応じて、追加段のカスケード
接続された膜を利用してもよく、それでもって回収が所
望されるフルオロケミカルを膜により排除し、そして希
釈剤ガスを、共に透過する所望されるフルオロケミカル
のできる限りの回収のために第一の又は最初の段階の膜
へ再循環させるため、高温での大きい流束且つ一層高い
選択性でもって透過させる。
【００３２】カスケードしている多段階の膜分離から
の、排除され濃縮されるフルオロケミカルが半透膜を通
過していない最終の透過物は、半導体製造産業であるい
は特にフルオロケミカルが流出物流として取り出された
特定のプロセスで再利用するためリサイクル製品として
使用する前に、より一層の精製をするため一般的な蒸留
あるいは吸着分離でもって更に処理することができる。
の、排除され濃縮されるフルオロケミカルが半透膜を通
過していない最終の透過物は、半導体製造産業であるい
は特にフルオロケミカルが流出物流として取り出された
特定のプロセスで再利用するためリサイクル製品として
使用する前に、より一層の精製をするため一般的な蒸留
あるいは吸着分離でもって更に処理することができる。
【００３３】膜材料は、ポリスルホン、ポリエールイミ
ド、ポリプロピレン、酢酸セルロース、ポリメチルペン
タンから構成することができ、また、２，２−ビストリ
フルオロメチル−４，５−ジフルオロ−１，３−ジオキ
ソールを基にした無定形コポリマー、ポリビニルトリメ
チルシラン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアラミド又
はエチルセルロースポリマーから構成することができ、
これらは全て中空繊維、渦巻き、巻きつけ又は平坦シー
トの形状にすることができる。
ド、ポリプロピレン、酢酸セルロース、ポリメチルペン
タンから構成することができ、また、２，２−ビストリ
フルオロメチル−４，５−ジフルオロ−１，３−ジオキ
ソールを基にした無定形コポリマー、ポリビニルトリメ
チルシラン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアラミド又
はエチルセルロースポリマーから構成することができ、
これらは全て中空繊維、渦巻き、巻きつけ又は平坦シー
トの形状にすることができる。
【００３４】本発明では、窒素やヘリウムといったよう
な希釈剤ガスからフルオロケミカルを膜で分離する際
に、膜を高温で運転すると、膜を通り抜ける希釈剤ガス
の流束あるいは透過性が上昇するのみならず、窒素とい
ったような希釈剤ガスとフルオロケミカルとの選択性も
上昇するという驚くべき効果の得られることが、思いも
よらぬことに確認された。慣例から言えば、高温は設計
透過流の流束を増大させるが、但し選択性を低下させる
という危険を冒し、それにより上昇した透過性あるいは
流束において設計残留物種もやはり共に透過する。
な希釈剤ガスからフルオロケミカルを膜で分離する際
に、膜を高温で運転すると、膜を通り抜ける希釈剤ガス
の流束あるいは透過性が上昇するのみならず、窒素とい
ったような希釈剤ガスとフルオロケミカルとの選択性も
上昇するという驚くべき効果の得られることが、思いも
よらぬことに確認された。慣例から言えば、高温は設計
透過流の流束を増大させるが、但し選択性を低下させる
という危険を冒し、それにより上昇した透過性あるいは
流束において設計残留物種もやはり共に透過する。
【００３５】本発明は、半導体製造の洗浄あるいはエッ
チング流出物中に典型的に見られるフルオロケミカルを
含有しているガス混合物を分離する際に、例えば膜への
原料ガス流を加熱することにより、膜の運転温度を上昇
させると、すなわち研究した膜を使用する温度を上昇さ
せると、窒素といったような希釈剤ガスの流束あるいは
透過速度が上昇する一方で、希釈剤ガスと残留物あるい
はフルオロケミカル、例として上述のフルオロケミカル
やペルフルオロケミカルといったものとの選択性も思い
もよらぬことにやはり上昇するという特異な状況を見い
だしたものである。この思いもよらなかった発見は、本
発明の運転性能を高め、それにより熱エネルギー費を犠
牲として上昇した処理量を得ることができる一方で一層
向上した選択性を得ることができ、従って捕捉され分離
されるフルオロケミカルの下流での純度を回収と可能性
のある再利用のために上昇させることができる。
チング流出物中に典型的に見られるフルオロケミカルを
含有しているガス混合物を分離する際に、例えば膜への
原料ガス流を加熱することにより、膜の運転温度を上昇
させると、すなわち研究した膜を使用する温度を上昇さ
せると、窒素といったような希釈剤ガスの流束あるいは
透過速度が上昇する一方で、希釈剤ガスと残留物あるい
はフルオロケミカル、例として上述のフルオロケミカル
やペルフルオロケミカルといったものとの選択性も思い
もよらぬことにやはり上昇するという特異な状況を見い
だしたものである。この思いもよらなかった発見は、本
発明の運転性能を高め、それにより熱エネルギー費を犠
牲として上昇した処理量を得ることができる一方で一層
向上した選択性を得ることができ、従って捕捉され分離
されるフルオロケミカルの下流での純度を回収と可能性
のある再利用のために上昇させることができる。
【００３６】所望される純度と、下流の追加の処理、例
えば蒸留又は吸着での精製の如きものが想定されかどう
かに応じて、本発明の二段階のカスケード接続された膜
による処理を複数の一連のカスケード接続された膜を含
むように拡張することができ、この場合には各膜からの
残留物が次の膜への原料を構成する。第一段階の膜の後
の希釈剤ガスを含む透過物流は一般に、濃縮、再検定及
び本発明の方法における再利用のために所望されるフル
オロケミカルを捕捉するため再循環されよう。
えば蒸留又は吸着での精製の如きものが想定されかどう
かに応じて、本発明の二段階のカスケード接続された膜
による処理を複数の一連のカスケード接続された膜を含
むように拡張することができ、この場合には各膜からの
残留物が次の膜への原料を構成する。第一段階の膜の後
の希釈剤ガスを含む透過物流は一般に、濃縮、再検定及
び本発明の方法における再利用のために所望されるフル
オロケミカルを捕捉するため再循環されよう。
【００３７】本発明の分離のために考えられる高圧は、
一般に、７０ｐｓｉａ（４８３ｋＰａ（絶対圧））より
高い圧力、より好ましくは１００〜２００ｐｓｉａ（６
９０〜１３８０ｋＰａ（絶対圧））の圧力であろう。透
過物の流束を増大させそして透過物と残留物との選択性
を上昇させる向上した性能特性を達成するために本発明
の方法を運転することができる温度は、周囲温度より高
い温度、典型的には１００〜１５０°Ｆ（３８〜６６
℃）、好ましくはおよそ１２０°Ｆ（４９℃）の温度で
あろう。
一般に、７０ｐｓｉａ（４８３ｋＰａ（絶対圧））より
高い圧力、より好ましくは１００〜２００ｐｓｉａ（６
９０〜１３８０ｋＰａ（絶対圧））の圧力であろう。透
過物の流束を増大させそして透過物と残留物との選択性
を上昇させる向上した性能特性を達成するために本発明
の方法を運転することができる温度は、周囲温度より高
い温度、典型的には１００〜１５０°Ｆ（３８〜６６
℃）、好ましくはおよそ１２０°Ｆ（４９℃）の温度で
あろう。
【００３８】次に、図１を参照して本発明の方法を好ま
しい態様に関し一層詳しく説明する。図１において、エ
ッチング又は洗浄処理工程を行う半導体製造設備からの
フルオロケミカル含有排気ガスは、窒素の如き希釈剤ガ
スと、可能性としてＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＨ
Ｆ3 、ＣＨ3 Ｆ、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ2 ＨＦ5 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ
4Ｆ8 、ＨＦ、Ｆ2 及びこれらのガスの混合物を含むフ
ルオロケミカルとを含む流れ１２でもって供給される。
この混合物におけるこのほかの成分には、ＣＯ、Ｃ
Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ、Ｏ2 、ＣＨ4 、ＳｉＦ4 、ＳｉＨ4 、Ｃ
ＯＦ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＨ3、Ｏ3 、Ａｒ、Ｂｒ2 、ＢｒＣ
ｌ、ＣＣｌ4 、Ｃｌ2 、Ｈ2 、ＨＢｒ、ＨＣｌ、Ｈｅ及
びＳｉＣｌ4 が含まれる。このガス混合物は一般に、半
導体製造設備から真空ポンプ１４により取り出される。
このガス流は、ろ過して除去することができる粒状物を
含有している可能性がある。湿式及び乾式のスクラビン
グ処理にかけることができるこのほかの成分は、典型的
には可溶性のフッ化物、例としてフッ素、フッ化水素及
びフッ化カルボニルといったものを除去するステーショ
ン１６で除去される。この湿式スクラビング液は一般
に、可溶性フッ化物を除去する水性スクラビング溶液で
ある。
しい態様に関し一層詳しく説明する。図１において、エ
ッチング又は洗浄処理工程を行う半導体製造設備からの
フルオロケミカル含有排気ガスは、窒素の如き希釈剤ガ
スと、可能性としてＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＨ
Ｆ3 、ＣＨ3 Ｆ、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ2 ＨＦ5 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ
4Ｆ8 、ＨＦ、Ｆ2 及びこれらのガスの混合物を含むフ
ルオロケミカルとを含む流れ１２でもって供給される。
この混合物におけるこのほかの成分には、ＣＯ、Ｃ
Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ、Ｏ2 、ＣＨ4 、ＳｉＦ4 、ＳｉＨ4 、Ｃ
ＯＦ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＨ3、Ｏ3 、Ａｒ、Ｂｒ2 、ＢｒＣ
ｌ、ＣＣｌ4 、Ｃｌ2 、Ｈ2 、ＨＢｒ、ＨＣｌ、Ｈｅ及
びＳｉＣｌ4 が含まれる。このガス混合物は一般に、半
導体製造設備から真空ポンプ１４により取り出される。
このガス流は、ろ過して除去することができる粒状物を
含有している可能性がある。湿式及び乾式のスクラビン
グ処理にかけることができるこのほかの成分は、典型的
には可溶性のフッ化物、例としてフッ素、フッ化水素及
びフッ化カルボニルといったものを除去するステーショ
ン１６で除去される。この湿式スクラビング液は一般
に、可溶性フッ化物を除去する水性スクラビング溶液で
ある。
【００３９】スクラビング処理されたガス流は、次いで
再循環流１８と混合されて圧縮機２０へ送られ、７０ｐ
ｓｉａ（４８３ｋＰａ（絶対圧））より高い圧力まで、
好ましくは１００〜２００ｐｓｉａ（６９０〜１３８０
ｋＰａ（絶対圧））の範囲に圧縮される。次に、この高
圧のガス流を、間接熱交換器２２で任意の高温プロセス
流体、例えば半導体製造設備用もしくは加熱器用のプロ
セススチームあるいは任意の所定プロセスからの供給ス
チームといったものと熱交換して、更に加熱する。希釈
剤ガスとフルオロケミカルとを含有しているガス流は、
周囲温度より高い温度まで、典型的には２００°Ｆ（９
３℃）未満又はまだ接触していない膜の分解温度未満の
任意の温度まで、好ましくは１００〜１５０°Ｆ（３８
〜６６℃）、最も好ましくはおよそ１２０°Ｆ（４９
℃）まで加熱される。
再循環流１８と混合されて圧縮機２０へ送られ、７０ｐ
ｓｉａ（４８３ｋＰａ（絶対圧））より高い圧力まで、
好ましくは１００〜２００ｐｓｉａ（６９０〜１３８０
ｋＰａ（絶対圧））の範囲に圧縮される。次に、この高
圧のガス流を、間接熱交換器２２で任意の高温プロセス
流体、例えば半導体製造設備用もしくは加熱器用のプロ
セススチームあるいは任意の所定プロセスからの供給ス
チームといったものと熱交換して、更に加熱する。希釈
剤ガスとフルオロケミカルとを含有しているガス流は、
周囲温度より高い温度まで、典型的には２００°Ｆ（９
３℃）未満又はまだ接触していない膜の分解温度未満の
任意の温度まで、好ましくは１００〜１５０°Ｆ（３８
〜６６℃）、最も好ましくはおよそ１２０°Ｆ（４９
℃）まで加熱される。
【００４０】次いで、この原料ガス流を第一処理段２４
の半透膜と接触させ、ここで希釈剤ガス、例として窒素
の如きものと、少量又は低濃度のフルオロケミカルの一
定量が、高温のために上昇したこれらの二つの物質間の
選択性でもって透過して、管路２６の透過物流となり、
そしてこれは放出が許容されあるいはプロセスからの流
出物として処理される。
の半透膜と接触させ、ここで希釈剤ガス、例として窒素
の如きものと、少量又は低濃度のフルオロケミカルの一
定量が、高温のために上昇したこれらの二つの物質間の
選択性でもって透過して、管路２６の透過物流となり、
そしてこれは放出が許容されあるいはプロセスからの流
出物として処理される。
【００４１】残留物又は処理段２４で半透膜を透過しな
い流れは、フルオロケミカル含有量が増大して取り出さ
れる。この流れは更に、熱交換器２２で検討された加熱
に相当して熱交換器２８で高温に加熱される。処理段２
４の第一の膜からの残留物であるこの高圧且つ高温のガ
ス流は、ステーション３０で別の膜処理段と接触して、
実質上希釈剤ガス、例えば窒素の如きものと、微量のフ
ルオロケミカルとを含む第二の透過物流を生じさせる一
方、膜を透過しない第二の残留物をフルオロケミカルに
富む流れとしてやはり生じさせ、そしてこれは純度と分
離されるガス混合物とに応じて類似の状況において追加
の膜処理段を通して更に処理することができる。第二の
及び全ての続く膜処理段ステーション３０からの透過物
流は、希釈剤ガスとともに微量に透過することがあるフ
ルオロケミカルを再度捕捉するため、圧縮処理段２０の
上流へ流れ１８として再循環させる。膜を高温で運転す
ることは、この高温が透過物の流束を増大させる一方で
希釈剤ガスとフルオロケミカルとの選択性を上昇させる
という効果を及ぼすことから、これらの再循環フルオロ
ケミカルの濃度を低下させる。
い流れは、フルオロケミカル含有量が増大して取り出さ
れる。この流れは更に、熱交換器２２で検討された加熱
に相当して熱交換器２８で高温に加熱される。処理段２
４の第一の膜からの残留物であるこの高圧且つ高温のガ
ス流は、ステーション３０で別の膜処理段と接触して、
実質上希釈剤ガス、例えば窒素の如きものと、微量のフ
ルオロケミカルとを含む第二の透過物流を生じさせる一
方、膜を透過しない第二の残留物をフルオロケミカルに
富む流れとしてやはり生じさせ、そしてこれは純度と分
離されるガス混合物とに応じて類似の状況において追加
の膜処理段を通して更に処理することができる。第二の
及び全ての続く膜処理段ステーション３０からの透過物
流は、希釈剤ガスとともに微量に透過することがあるフ
ルオロケミカルを再度捕捉するため、圧縮処理段２０の
上流へ流れ１８として再循環させる。膜を高温で運転す
ることは、この高温が透過物の流束を増大させる一方で
希釈剤ガスとフルオロケミカルとの選択性を上昇させる
という効果を及ぼすことから、これらの再循環フルオロ
ケミカルの濃度を低下させる。
【００４２】流れ３２としての製品は、半導体プロセス
へ再循環して戻してもよく、あるいは再利用及び再検定
（ｒｅｃｅｒｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）のためにステーシ
ョン３４において適当な蒸留又は吸着により更に品質向
上あるいは精製して、典型的に、９９．９％のヘキサフ
ルオロエタンを含むフルオロケミカル製品３８と、そし
て他のフルオロケミカルガス、例として四フッ化炭素と
いったものを含有する副生物流３６を生じさせることが
できる。ステーション３４での蒸留又は吸着による後処
理段は上流の膜精製処理と直接接続してもよく、あるい
はまた、管路３２の流れとなったフルオロケミカルガス
を、膜分離設備から離れた又は遠隔の中心地へ輸送する
ため荷造りし、更に蒸留又は吸着による精製を行って、
半導体製造設備又は同様な需要の設備による再利用のた
めに再び荷造りしそして再検定することができよう。
へ再循環して戻してもよく、あるいは再利用及び再検定
（ｒｅｃｅｒｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）のためにステーシ
ョン３４において適当な蒸留又は吸着により更に品質向
上あるいは精製して、典型的に、９９．９％のヘキサフ
ルオロエタンを含むフルオロケミカル製品３８と、そし
て他のフルオロケミカルガス、例として四フッ化炭素と
いったものを含有する副生物流３６を生じさせることが
できる。ステーション３４での蒸留又は吸着による後処
理段は上流の膜精製処理と直接接続してもよく、あるい
はまた、管路３２の流れとなったフルオロケミカルガス
を、膜分離設備から離れた又は遠隔の中心地へ輸送する
ため荷造りし、更に蒸留又は吸着による精製を行って、
半導体製造設備又は同様な需要の設備による再利用のた
めに再び荷造りしそして再検定することができよう。
【００４３】様々な下流の随意の蒸留プロセスを想定す
ることができるが、好ましい蒸留プロセスは、蒸留塔に
還流を供給するため蒸留塔の塔頂凝縮器を運転するのに
液体窒素低温流体を利用する一方で、任意の慣用的手段
による加熱で塔の再沸を行うものであり、このプロセス
では塔をまず窒素の如き不活性ガスから四フッ化炭素を
精製するために運転し、そして次に塔を塔の液溜まりか
らヘキサフルオロエタンを取り出して再度の荷造りと再
循環のために高純度の気体ヘキサフルオロエタン製品を
提供するために運転する。
ることができるが、好ましい蒸留プロセスは、蒸留塔に
還流を供給するため蒸留塔の塔頂凝縮器を運転するのに
液体窒素低温流体を利用する一方で、任意の慣用的手段
による加熱で塔の再沸を行うものであり、このプロセス
では塔をまず窒素の如き不活性ガスから四フッ化炭素を
精製するために運転し、そして次に塔を塔の液溜まりか
らヘキサフルオロエタンを取り出して再度の荷造りと再
循環のために高純度の気体ヘキサフルオロエタン製品を
提供するために運転する。
【００４４】本発明の方法は９９．９＋％のヘキサフル
オロエタンを生産することに関して説明されてはいる
が、この方法を、いずれも半導体製造産業のエッチング
や洗浄処理工程で幅広く使用されるフルオロケミカルを
含むガスである、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、
オクタフルオロプロパン、オクタフルオロブタン、三フ
ッ化窒素又は六フッ化硫黄を生産するように構成しなお
すことも可能である。本発明の重要な側面は、フルオロ
ケミカルから不活性の希釈剤ガスを分離するための膜分
離において高温を使用することである。一般に、高温は
選択性を喪失して流束を増大させる。ところが、本発明
においては、透過物の流束が増大するばかりでなく、希
釈剤ガスとフルオロケミカルとの選択性が、本発明の高
温と窒素の如き希釈剤ガスをヘキサフルオロエタンの如
きフルオロケミカルから分離することができる膜とが与
えられれば上昇する、ということが見いだされた。
オロエタンを生産することに関して説明されてはいる
が、この方法を、いずれも半導体製造産業のエッチング
や洗浄処理工程で幅広く使用されるフルオロケミカルを
含むガスである、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、
オクタフルオロプロパン、オクタフルオロブタン、三フ
ッ化窒素又は六フッ化硫黄を生産するように構成しなお
すことも可能である。本発明の重要な側面は、フルオロ
ケミカルから不活性の希釈剤ガスを分離するための膜分
離において高温を使用することである。一般に、高温は
選択性を喪失して流束を増大させる。ところが、本発明
においては、透過物の流束が増大するばかりでなく、希
釈剤ガスとフルオロケミカルとの選択性が、本発明の高
温と窒素の如き希釈剤ガスをヘキサフルオロエタンの如
きフルオロケミカルから分離することができる膜とが与
えられれば上昇する、ということが見いだされた。
【００４５】図２を参照すると、０．６％の四フッ化炭
素、１．４％のヘキサフルオロエタン及び残部の窒素と
いう７０°Ｆ（２１℃）の流れと１２０°Ｆ（４９℃）
の同等の流れとが、窒素の排除率（透過物中のＮ2 ／供
給原料中のＮ2 ）に対してヘキサフルオロエタンの回収
率（残留物中のＣ2 Ｆ6 ／供給原料中のＣ2 Ｆ6 ）に関
するグラフで比較されている。これは、ポリスルホン膜
でのものである。この図から分かるように、高温での膜
による所定の窒素排除率に対するヘキサフルオロエタン
回収率は、より低い温度での同じ排除率に対する回収率
より一様に勝っている。流束が増大していることは、下
記の表１に関連して一層詳しく説明される。
素、１．４％のヘキサフルオロエタン及び残部の窒素と
いう７０°Ｆ（２１℃）の流れと１２０°Ｆ（４９℃）
の同等の流れとが、窒素の排除率（透過物中のＮ2 ／供
給原料中のＮ2 ）に対してヘキサフルオロエタンの回収
率（残留物中のＣ2 Ｆ6 ／供給原料中のＣ2 Ｆ6 ）に関
するグラフで比較されている。これは、ポリスルホン膜
でのものである。この図から分かるように、高温での膜
による所定の窒素排除率に対するヘキサフルオロエタン
回収率は、より低い温度での同じ排除率に対する回収率
より一様に勝っている。流束が増大していることは、下
記の表１に関連して一層詳しく説明される。
【００４６】
【表１】
【００４７】本発明を、エチルセルロース膜を使用して
不活性ガスからフルオロケミカルを高温の膜で分離する
ことの思いもよらない特質に関して、図３に示したよう
に同様に評価した。ここでも、窒素の排除率に対するヘ
キサフルオロエタン回収率のグラフを、０．７５％の三
フッ化窒素、０．３５％のヘキサフルオロエタン、０．
０４％の六フッ化硫黄及び残部の窒素を含む７０°Ｆ
（２１℃）と１３０°Ｆ（５４℃）の流れに関し、ま
た、両方とも０．６％の四フッ化炭素、１．４％のヘキ
サフルオロエタン及び残部の窒素を含有する７０°Ｆ
（２１℃）と１３０°Ｆ（５４℃）の流れに関して図示
する。各事例において同様の現象が見られ、希釈剤ガス
についての選択性はより高い温度で希釈剤ガスについて
の流束とともに上昇している。この上昇した流束は、エ
チルセルロースについて下記の表２を参照してやはり更
に説明される。
不活性ガスからフルオロケミカルを高温の膜で分離する
ことの思いもよらない特質に関して、図３に示したよう
に同様に評価した。ここでも、窒素の排除率に対するヘ
キサフルオロエタン回収率のグラフを、０．７５％の三
フッ化窒素、０．３５％のヘキサフルオロエタン、０．
０４％の六フッ化硫黄及び残部の窒素を含む７０°Ｆ
（２１℃）と１３０°Ｆ（５４℃）の流れに関し、ま
た、両方とも０．６％の四フッ化炭素、１．４％のヘキ
サフルオロエタン及び残部の窒素を含有する７０°Ｆ
（２１℃）と１３０°Ｆ（５４℃）の流れに関して図示
する。各事例において同様の現象が見られ、希釈剤ガス
についての選択性はより高い温度で希釈剤ガスについて
の流束とともに上昇している。この上昇した流束は、エ
チルセルロースについて下記の表２を参照してやはり更
に説明される。
【００４８】
【表２】
【００４９】フルオロケミカル、例えばペルフルオロケ
ミカルの如きもの、より詳しく言えばペルフルオロカー
ボンの如きものの捕捉、回収、濃縮及び再循環は、電子
デバイスや集積回路の製造においてエッチングや洗浄操
作のためにそのようなフルオロケミカルを幅広く利用す
る半導体製造産業にとって悩ましい問題であった。その
ようなフルオロケミカルが地球温暖化の可能性について
問題を提起する大気へそれらを放出するのを避けるため
に、フルオロケミカルを減少させるための経済的で効果
的な方法を提供しようとする様々な試みが従来技術によ
って提案されてきた。これらの従来技術の方法は、一般
に資本を集中するものであって、製造に骨の折れる機器
類を必要とし、且つエネルギーを集中使用して、かなり
の圧縮と処理を行う際の圧縮の損失を必要とするばかり
か、物理的吸着洗浄系と多重低温蒸留塔により要求され
る循環用エネルギーも必要とする。本発明はこれらの欠
点を克服して、連続に運転する選択膜の系という相対的
にあまり多くない必要資本でもってフルオロケミカルを
捕捉、濃縮、精製そして場合により再循環するための実
行可能な方法を提供する。例えば窒素の如き不活性ガス
の透過と所望のフルオロケミカルの濃縮に対して選択性
の適切な膜を使用して本発明の条件下で高温を特異的に
用いることは、透過物流の流束を増大させる一方、フル
オロケミカルに関して希釈剤ガスの選択性を高めて、本
発明によるフルオロケミカルの処理の効率と経済性を高
める。本発明において膜への供給圧力で又はその近くで
フルオロケミカルを濃縮することは、下流のエネルギー
必要量を従来技術の装置よりも節約することになる。
ミカルの如きもの、より詳しく言えばペルフルオロカー
ボンの如きものの捕捉、回収、濃縮及び再循環は、電子
デバイスや集積回路の製造においてエッチングや洗浄操
作のためにそのようなフルオロケミカルを幅広く利用す
る半導体製造産業にとって悩ましい問題であった。その
ようなフルオロケミカルが地球温暖化の可能性について
問題を提起する大気へそれらを放出するのを避けるため
に、フルオロケミカルを減少させるための経済的で効果
的な方法を提供しようとする様々な試みが従来技術によ
って提案されてきた。これらの従来技術の方法は、一般
に資本を集中するものであって、製造に骨の折れる機器
類を必要とし、且つエネルギーを集中使用して、かなり
の圧縮と処理を行う際の圧縮の損失を必要とするばかり
か、物理的吸着洗浄系と多重低温蒸留塔により要求され
る循環用エネルギーも必要とする。本発明はこれらの欠
点を克服して、連続に運転する選択膜の系という相対的
にあまり多くない必要資本でもってフルオロケミカルを
捕捉、濃縮、精製そして場合により再循環するための実
行可能な方法を提供する。例えば窒素の如き不活性ガス
の透過と所望のフルオロケミカルの濃縮に対して選択性
の適切な膜を使用して本発明の条件下で高温を特異的に
用いることは、透過物流の流束を増大させる一方、フル
オロケミカルに関して希釈剤ガスの選択性を高めて、本
発明によるフルオロケミカルの処理の効率と経済性を高
める。本発明において膜への供給圧力で又はその近くで
フルオロケミカルを濃縮することは、下流のエネルギー
必要量を従来技術の装置よりも節約することになる。
【００５０】本発明をいくつかの好ましい態様に関連し
て説明したが、本発明の完全な範囲は特許請求の範囲の
記載により確認されるべきである。
て説明したが、本発明の完全な範囲は特許請求の範囲の
記載により確認されるべきである。
【図１】本発明の好ましい態様を概括的に説明する図で
ある。
ある。
【図２】ポリスルホン膜を使用し７０°Ｆ（２１℃）と
１２０°Ｆ（４９℃）の二つの異なる温度での、０．６
％のＣＦ4 、１．４％のＣ2 Ｆ6 そして残部のＮ2 を含
有しているガス流のＣ2 Ｆ6 の容積で表した回収率をＮ
2 の排除率に対してプロットしたグラフである。
１２０°Ｆ（４９℃）の二つの異なる温度での、０．６
％のＣＦ4 、１．４％のＣ2 Ｆ6 そして残部のＮ2 を含
有しているガス流のＣ2 Ｆ6 の容積で表した回収率をＮ
2 の排除率に対してプロットしたグラフである。
【図３】エチルセルロース膜を使用し７０°Ｆ（２１
℃）と１３０°Ｆ（５４℃）の各温度での、一方は０．
７５％のＮＦ3 、０．３５％のＣ2 Ｆ6 、０．０４％の
ＳＦ6 そして残部のＮ2 を含有しており、他方は０．６
％のＣＦ4 、１．４％のＣ 2 Ｆ6 そして残部のＮ2 を含
有している二つのガス流のＣ2 Ｆ6 の容積で表した回収
率をＮ2 の排除率に対してプロットしたグラフである。
℃）と１３０°Ｆ（５４℃）の各温度での、一方は０．
７５％のＮＦ3 、０．３５％のＣ2 Ｆ6 、０．０４％の
ＳＦ6 そして残部のＮ2 を含有しており、他方は０．６
％のＣＦ4 、１．４％のＣ 2 Ｆ6 そして残部のＮ2 を含
有している二つのガス流のＣ2 Ｆ6 の容積で表した回収
率をＮ2 の排除率に対してプロットしたグラフである。
１４…真空ポンプ １６…スクラビングステーション ２０…圧縮機 ２２、２８…熱交換器 ２４…第一処理段 ３０…第二処理段ステーション ３４…後処理段ステーション
フロントページの続き (72)発明者 イオシフ チャーンヤコブ アメリカ合衆国，ニューヨーク 11372, ハイツ，ジャクソン，アパートメント ビ ー２，83アールディー ストリート 35− 33 (72)発明者 トマス シアオ−リン シウン アメリカ合衆国，ペンシルバニア 18049, エモース，グレンウッド サークル 4727 (72)発明者 アレキサンダー シュワルツ アメリカ合衆国，ペンシルバニア 18015, ベツレエム，クロス レーン 1650 (72)発明者 ジェームズ ス−クアン ヤン アメリカ合衆国，ペンシルバニア 18103, アレンタウン，プリーザント ロード 3568
Claims (10)
- 【請求項１】 下記の（ａ）〜（ｅ）の工程を含む、希
釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有しているガス流か
らこのガス流を膜と接触させることによりフルオロケミ
カルを分離及び回収するための方法。 （ａ）希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有している
ガス流を圧縮して高圧にする工程 （ｂ）希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有している
このガス流を、工程（ｃ）の透過物流の流束を増加させ
るのと、工程（ｃ）のフルオロケミカルの透過に対する
工程（ｃ）の希釈剤ガスの透過についての工程（ｃ）の
膜の選択性を上昇させるのとに十分な高温に加熱する工
程 （ｃ）このガス流を、当該フルオロケミカルよりも当該
希釈剤ガスを選択的により多く透過させる膜と接触させ
て、当該希釈剤ガスに富む透過物流とフルオロケミカル
に富む残留物とにする工程 （ｄ）この残留物を、当該フルオロケミカルよりも当該
希釈剤ガスを選択的により多く透過させる別の一つ以上
の膜と接触させて、当該希釈剤ガスに富む第二の透過物
流とフルオロケミカルに富む第二の残留物とにする工程 （ｅ）この第二の透過物流を工程（ａ）へ再循環させ
て、上記希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有してい
る上記ガス流とともに圧縮して高圧にする工程 - 【請求項２】 希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有
している前記ガス流を最初にスクラビング処理して当該
ガス流の粒状物と水溶性成分を除去する、請求項１記載
の方法。 - 【請求項３】 工程（ｅ）の後に、フルオロケミカルに
富む前記第二の残留物を吸着又は低温での精留により更
に精製して、フルオロケミカルに富む製品流と希釈剤に
富む排気流とにする、請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】 希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有
している前記ガス流が、ＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＨ
Ｆ3 、ＣＨ3 Ｆ、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ2 ＨＦ5 、Ｃ 3 Ｆ8 、Ｃ
4 Ｆ8 及びそれらの混合物からなる群より選ばれるフル
オロケミカルを含有している、請求項１から３までのい
ずれか一つに記載の方法。 - 【請求項５】 希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有
している前記ガス流が半導体製造プロセスからの流出ガ
ス流である、請求項１から４までのいずれか一つに記載
の方法。 - 【請求項６】 前記膜を、ポリスルホン、ポリエーテル
イミド、ポリプロピレン、酢酸セルロース、ポリメチル
ペンタン、２，２−ビストリフルオロメチル−４，５−
ジフルオロ−１，３−ジオキソールを基にした無定形コ
ポリマー、ポリビニルトリメチルシラン、ポリイミド、
ポリアミド、ポリアラミド、エチルセルロース及びそれ
らの混合物からなる群より選ぶ、請求項１から５までの
いずれか一つに記載の方法。 - 【請求項７】 前記精留を精留塔の塔頂の熱交換で還流
を生じさせることにより行う、請求項１から６までのい
ずれか一つに記載の方法。 - 【請求項８】 前記フルオロケミカルに富む製品流がＣ
3 Ｆ6 を含む、請求項３記載の方法。 - 【請求項９】 前記フルオロケミカルに富む第二の残留
物を半導体製造プロセスへ再循環させる、請求項１又は
２記載の方法。 - 【請求項１０】 前記フルオロケミカルに富む製品流を
半導体製造プロセスへ再循環させる、請求項３記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/741,843 US5730779A (en) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | Fluorochemical recovery and recycle using membranes |
| US08/741843 | 1996-10-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10128034A true JPH10128034A (ja) | 1998-05-19 |
| JP3152389B2 JP3152389B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=24982434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29880997A Expired - Fee Related JP3152389B2 (ja) | 1996-10-31 | 1997-10-30 | 膜によるフルオロケミカルの分離回収方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5730779A (ja) |
| EP (1) | EP0839568A1 (ja) |
| JP (1) | JP3152389B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980033215A (ja) |
| CA (1) | CA2218147A1 (ja) |
| MY (1) | MY115253A (ja) |
| SG (1) | SG50891A1 (ja) |
| TW (1) | TW344672B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10298118A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-11-10 | L'air Liquide | ペルフルオロ化合物ガスの分離および回収のための改良された方法および装置 |
| JP2003190744A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-08 | Ube Ind Ltd | ハロゲン化合物ガスの分離回収装置および分離回収方法 |
| KR20160036153A (ko) * | 2014-09-24 | 2016-04-04 | 오씨아이 주식회사 | Nf3 가스 분리농축 방법, 장치 및 시스템 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5785741A (en) | 1995-07-17 | 1998-07-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges, Claude | Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases |
| IE80909B1 (en) | 1996-06-14 | 1999-06-16 | Air Liquide | An improved process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases |
| JP2001510395A (ja) * | 1997-01-23 | 2001-07-31 | カーボン メンブレインズ リミテッド | モレキュラーシーブ膜を用いる過フッ化化合物およびヒドロフルオロカーボンガスの回収 |
| JP2001526655A (ja) * | 1997-05-02 | 2001-12-18 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 半透膜によるフルオロカーボンからのｃｏ▲下２▼の除去 |
| JP2001527553A (ja) * | 1997-05-02 | 2001-12-25 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 半透膜による不飽和フッ素化化合物からのｃｏ▲下２▼の分離 |
| US5855647A (en) * | 1997-05-15 | 1999-01-05 | American Air Liquide, Inc. | Process for recovering SF6 from a gas |
| US5976222A (en) * | 1998-03-23 | 1999-11-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Recovery of perfluorinated compounds from the exhaust of semiconductor fabs using membrane and adsorption in series |
| US6032484A (en) * | 1998-03-23 | 2000-03-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Recovery of perfluorinated compounds from the exhaust of semiconductor fabs with recycle of vacuum pump diluent |
| US6187077B1 (en) | 1998-04-17 | 2001-02-13 | American Air Liquide Inc. | Separation of CF4 and C2F6 from a perfluorocompound mixture |
| DE19837845C2 (de) * | 1998-08-20 | 2002-09-12 | Solvay Fluor & Derivate | Auftrennung von SF6/N2-Gemischen und SF6/Luft-Gemischen |
| DE19910678A1 (de) * | 1998-08-20 | 2000-09-14 | Solvay Fluor & Derivate | Verfahren zur Reinigung von SF¶6¶-kontaminierten Gasen |
| US6395066B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-05-28 | Ube Industries, Ltd. | Partially carbonized asymmetric hollow fiber separation membrane, process for its production, and gas separation method |
| SG80623A1 (en) * | 1999-04-26 | 2001-05-22 | Air Prod & Chem | Recovery of perfluorinated compounds from the exhaust of semiconductor fabs using membrane and adsorption in series |
| EP1048337A1 (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Recovery of perfluorinated compounds from the exhaust of semiconductors fabrications with recycle of vaccum pump dilutent |
| DE19923155A1 (de) * | 1999-05-20 | 2000-11-23 | Solvay Fluor & Derivate | SF¶6¶-Abtrennung aus Isoliergasen aus gasisolierten Leitungen |
| JP4357046B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | ガス回収装置 |
| US7625540B2 (en) * | 1999-12-03 | 2009-12-01 | Edwards Vacuum, Inc. | Fluorine removal by ion exchange |
| JP4018858B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2007-12-05 | 大同エアプロダクツ・エレクトロニクス株式会社 | パーフルオロ化合物分離回収方法およびそれに用いるパーフルオロ化合物分離回収装置 |
| JP2002035528A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-05 | Japan Atom Energy Res Inst | ガス分離装置 |
| JP3794268B2 (ja) * | 2001-01-05 | 2006-07-05 | 栗田工業株式会社 | 電気脱イオン装置及びその運転方法 |
| WO2002058826A1 (fr) * | 2001-01-25 | 2002-08-01 | Ube Industries, Ltd. | Appareil et procede de separation et de collection de gaz haloide |
| EP1505146A1 (en) | 2003-08-05 | 2005-02-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Processing of substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols |
| JP4415656B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2010-02-17 | ダイキン工業株式会社 | 二フッ化カルボニルの精製方法 |
| CN100489424C (zh) * | 2004-06-02 | 2009-05-20 | 金三角企业集团有限公司 | 六氟化硫的气体回收 |
| JP5202836B2 (ja) * | 2006-12-01 | 2013-06-05 | 日本エア・リキード株式会社 | キセノンの回収システムおよび回収装置 |
| CN102123780B (zh) * | 2008-07-04 | 2015-05-13 | 南非原子能股份有限公司 | 从气态化合物的混合物中回收气态组分 |
| KR101514801B1 (ko) * | 2013-06-25 | 2015-04-24 | (주)파인텍 | 과불화화합물의 분리 및 재활용시스템 |
| EP3797857A1 (en) | 2019-09-30 | 2021-03-31 | General Electric Technology GmbH | Method and apparatus for recycling heptafluoroisobutyronitrile |
| CN112028371B (zh) * | 2020-10-08 | 2023-10-24 | 江苏电科环保有限公司 | 利用boe废液制备氟化氢铵的系统 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134603A (en) * | 1979-04-03 | 1980-10-20 | Monsanto Co | Method of recovering gas |
| JPS5990613A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-05-25 | リンデ・アクチエンゲゼルシヤフト | ガス混合物の分離方法及び装置 |
| JPH04505881A (ja) * | 1989-06-15 | 1992-10-15 | デユポン・カナダ・インコーポレーテツド | パーフルオロジオキソール膜 |
| JPH07299321A (ja) * | 1994-05-09 | 1995-11-14 | Niigata Eng Co Ltd | ガス回収循環装置 |
| JPH07324047A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Nippon Gosei Arco-Le Kk | エチレン水和反応における不純エチレン流の処理方法 |
| JPH08196853A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-08-06 | L'air Liquide | 異なる選択性を有するメンブレンのカスケードによって高純度ガスを製造するための方法および装置 |
| JPH08257343A (ja) * | 1995-03-07 | 1996-10-08 | Bend Res Inc | 向流掃過ガスを用いた膜分離による揮発性有機成分の除去方法 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5263178A (en) * | 1975-11-17 | 1977-05-25 | Toshiba Corp | Gas separation unit |
| FR2405081A1 (fr) * | 1977-10-06 | 1979-05-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede de separation de gaz dans un melange |
| US4180388A (en) * | 1978-03-20 | 1979-12-25 | Monsanto Company | Processes |
| US4424067A (en) * | 1982-07-29 | 1984-01-03 | Allied Corporation | Purification of anhydrous hydrogen fluoride |
| US4597777A (en) * | 1983-02-15 | 1986-07-01 | Monsanto Company | Membrane gas separation processes |
| DE3416519A1 (de) * | 1983-05-20 | 1984-11-22 | Linde Ag, 6200 Wiesbaden | Verfahren und vorrichtung zur zerlegung eines gasgemisches |
| US4435191A (en) * | 1983-06-30 | 1984-03-06 | Monsanto Company | Process for separating aggressive gases from gas mixtures |
| US4654063A (en) * | 1984-12-21 | 1987-03-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for recovering hydrogen from a multi-component gas stream |
| US4781907A (en) * | 1985-12-04 | 1988-11-01 | Mcneill John M | Production of membrane-derived nitrogen from combustion gases |
| US4701187A (en) * | 1986-11-03 | 1987-10-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for separating components of a gas stream |
| JPS63296820A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-02 | Ube Ind Ltd | 高純度水素又はヘリウムの製造方法 |
| US4787919A (en) * | 1987-06-23 | 1988-11-29 | Union Carbide Corporation | Membrane separation system and process |
| USRE33678E (en) * | 1987-06-23 | 1991-09-03 | Union Carbide Industrial Gases Technology Corporation | Membrane separation system and process |
| DE3723193A1 (de) * | 1987-07-14 | 1989-01-26 | Metallgesellschaft Ag | Verfahren zur herstellung von alkoholaten |
| FR2636858B1 (fr) * | 1988-09-08 | 1990-11-02 | Air Liquide | Procede et installation de separation d'un constituant a permeabilite intermediaire d'un melange gazeux |
| US4894068A (en) * | 1988-12-27 | 1990-01-16 | Permea, Inc. | Process for capturing nitrogen from air using gas separation membranes |
| WO1992019359A1 (en) * | 1991-05-07 | 1992-11-12 | Membrane Technology And Research, Inc. | Process for removing condensable components from gas streams |
| US5240471A (en) * | 1991-07-02 | 1993-08-31 | L'air Liquide | Multistage cascade-sweep process for membrane gas separation |
| US5252219A (en) * | 1992-12-18 | 1993-10-12 | Permea, Inc. | Compressed permeate sweep membrane separation process |
| US5378263A (en) * | 1992-12-21 | 1995-01-03 | Praxair Technology, Inc. | High purity membrane nitrogen |
| US5282969A (en) * | 1993-04-29 | 1994-02-01 | Permea, Inc. | High pressure feed membrane separation process |
| US5482539A (en) * | 1993-09-22 | 1996-01-09 | Enerfex, Inc. | Multiple stage semi-permeable membrane process and apparatus for gas separation |
| US5417742A (en) * | 1993-12-03 | 1995-05-23 | The Boc Group, Inc. | Removal of perfluorocarbons from gas streams |
| US5455016A (en) * | 1994-08-31 | 1995-10-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Membrane-assisted process to produce ammonia |
| US5502969A (en) * | 1995-02-16 | 1996-04-02 | Praxair Technology, Inc. | Cryogenic rectification system for fluorine compound recovery |
| US5785741A (en) * | 1995-07-17 | 1998-07-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges, Claude | Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases |
-
1996
- 1996-10-31 US US08/741,843 patent/US5730779A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-13 SG SG1997003725A patent/SG50891A1/en unknown
- 1997-10-24 CA CA002218147A patent/CA2218147A1/en not_active Abandoned
- 1997-10-27 EP EP97308566A patent/EP0839568A1/en not_active Withdrawn
- 1997-10-28 TW TW086115994A patent/TW344672B/zh active
- 1997-10-28 MY MYPI97005090A patent/MY115253A/en unknown
- 1997-10-28 KR KR1019970055481A patent/KR19980033215A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-10-30 JP JP29880997A patent/JP3152389B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134603A (en) * | 1979-04-03 | 1980-10-20 | Monsanto Co | Method of recovering gas |
| JPS5990613A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-05-25 | リンデ・アクチエンゲゼルシヤフト | ガス混合物の分離方法及び装置 |
| JPH04505881A (ja) * | 1989-06-15 | 1992-10-15 | デユポン・カナダ・インコーポレーテツド | パーフルオロジオキソール膜 |
| JPH07299321A (ja) * | 1994-05-09 | 1995-11-14 | Niigata Eng Co Ltd | ガス回収循環装置 |
| JPH07324047A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Nippon Gosei Arco-Le Kk | エチレン水和反応における不純エチレン流の処理方法 |
| JPH08196853A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-08-06 | L'air Liquide | 異なる選択性を有するメンブレンのカスケードによって高純度ガスを製造するための方法および装置 |
| JPH08257343A (ja) * | 1995-03-07 | 1996-10-08 | Bend Res Inc | 向流掃過ガスを用いた膜分離による揮発性有機成分の除去方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10298118A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-11-10 | L'air Liquide | ペルフルオロ化合物ガスの分離および回収のための改良された方法および装置 |
| JP2003190744A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-08 | Ube Ind Ltd | ハロゲン化合物ガスの分離回収装置および分離回収方法 |
| KR20160036153A (ko) * | 2014-09-24 | 2016-04-04 | 오씨아이 주식회사 | Nf3 가스 분리농축 방법, 장치 및 시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5730779A (en) | 1998-03-24 |
| KR19980033215A (ko) | 1998-07-25 |
| TW344672B (en) | 1998-11-11 |
| EP0839568A1 (en) | 1998-05-06 |
| MY115253A (en) | 2003-04-30 |
| CA2218147A1 (en) | 1998-04-30 |
| JP3152389B2 (ja) | 2001-04-03 |
| SG50891A1 (en) | 1998-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3152389B2 (ja) | 膜によるフルオロケミカルの分離回収方法 | |
| US5976222A (en) | Recovery of perfluorinated compounds from the exhaust of semiconductor fabs using membrane and adsorption in series | |
| US6444011B2 (en) | Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases | |
| US8153091B2 (en) | Xenon retrieval system and retrieval device | |
| US6605133B1 (en) | Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases | |
| KR20090113360A (ko) | 공정 가스의 회수 및 재사용 방법 및 장치 | |
| JP3238317B2 (ja) | 弗素化合物回収のための低温精留系 | |
| KR20110081217A (ko) | 활성탄을 ｎｏｘ 및 ｓｏ２ 흡착제/촉매로서 사용하는 이산화탄소 정제 | |
| JP4212106B2 (ja) | ガス分離装置及びガス分離方法 | |
| JP2023535850A (ja) | ＦＴｒＰＳＡによるＨＦ／ＨＣｌ含有エッチング排ガスの分離と回収循環再利用方法 | |
| US6565821B1 (en) | Process for removing the fluorocompounds or fluorosulphur compounds from a stream of xenon and/or krypton by permeation | |
| TW442322B (en) | Process for the separation and recovery of fluorochemicals from a gas stream containing a diluent gas and fluorochemicals | |
| KR101843563B1 (ko) | 벤트개념을 이용한 난분해성 유해가스 농축분리 시스템 및 및 이의 운전방법 | |
| JP4683543B2 (ja) | ガス分離方法及びガス分離装置 | |
| JP2000334249A (ja) | 膜と吸着を連続して用いる半導体製造における排ガスからのフッ素化合物の分離方法 | |
| JP3470180B2 (ja) | フッ素化合物の分離濃縮方法 | |
| KR101420767B1 (ko) | 분리막을 이용한 불화가스 농축 및 회수장치, 및 이를 이용한 불화가스 농축 및 회수방법 | |
| KR101420082B1 (ko) | 불화가스 분리 및 농축장치, 및 이를 이용한 불화가스 분리 및 농축방법 | |
| EP1048337A1 (en) | Recovery of perfluorinated compounds from the exhaust of semiconductors fabrications with recycle of vaccum pump dilutent | |
| JP2000325732A (ja) | 真空ポンプ希釈剤をリサイクルしつつ半導体製造工程から出る排ガスからフッ素化化学薬品を分離回収する方法 | |
| KR100324158B1 (ko) | 일련의 멤브레인 및 흡착을 이용하여 반도체 제작시 생기는배기물로부터 퍼플루오로화된 화합물을 회수하는 방법 | |
| TW483774B (en) | Process for the separation and recovery of fluorochemicals from a gas stream containing a diluent gas and fluorochemicals | |
| KR101395092B1 (ko) | 불화가스 분리 및 회수장치, 및 이를 이용한 불화가스 분리 및 회수방법 | |
| KR20000067501A (ko) | 진공 펌프 희석제를 재순환시켜 반도체 제조 시설의 배기 가스로부터 퍼플루오르화된 화합물을 회수하는 방법 | |
| JP2000005561A (ja) | フッ化物の処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |